JP2020035935A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

基板処理装置および基板処理方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2020035935A
JP2020035935A JP2018162115A JP2018162115A JP2020035935A JP 2020035935 A JP2020035935 A JP 2020035935A JP 2018162115 A JP2018162115 A JP 2018162115A JP 2018162115 A JP2018162115 A JP 2018162115A JP 2020035935 A JP2020035935 A JP 2020035935A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
line
unit
processing apparatus
cleaning
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2018162115A
Other languages
English (en)
Other versions
JP7232596B2 (ja
Inventor
八尋　俊一
Shunichi Yahiro
俊一 八尋
光広 坂井
Mitsuhiro Sakai
光広 坂井
拓伸 梶原
Hironobu Kajiwara
拓伸 梶原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2018162115A priority Critical patent/JP7232596B2/ja
Priority to KR1020190104589A priority patent/KR20200026085A/ko
Priority to CN201910789074.0A priority patent/CN110875227A/zh
Publication of JP2020035935A publication Critical patent/JP2020035935A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7232596B2 publication Critical patent/JP7232596B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/6773—Conveying cassettes, containers or carriers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02046—Dry cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67727—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations using a general scheme of a conveying path within a factory
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

【課題】基板処理装置の全長を短くする技術を提供する。【解決手段】実施形態に係る基板処理装置は、前処理ライン３と、塗布ラインと、現像ラインと、洗浄ライン５Ｂとを備える。前処理ラインは、基板に前処理を行う。塗布ラインは、前処理ラインの下方に配置され、前処理が行われた基板にフォトレジスト液を塗布する。現像ラインは、フォトレジスト液が塗布された基板を現像する。洗浄ラインは、現像ラインの上方に配置され、現像された基板を洗浄する。【選択図】図１

Description

本開示は、基板処理装置および基板処理方法に関する。
特許文献１には、第１搬送ラインに沿って基板を搬送しつつ、フォトレジスト膜を基板に形成し、基板が露光された後に第２搬送ラインに沿って基板を搬送しつつ、現像処理を基板に行うことが開示されている。
特開２００７−１５８２５３号公報
本開示は、基板処理装置の全長を短くする技術を提供する。
本開示の一態様による基板処理装置は、前処理ラインと、塗布ラインと、現像ラインと、洗浄ラインとを備える。前処理ラインは、基板に前処理を行う。塗布ラインは、前処理ラインの下方に配置され、前処理が行われた基板にフォトレジスト液を塗布する。現像ラインは、フォトレジスト液が塗布された基板を現像する。洗浄ラインは、現像ラインの上方に配置され、現像された基板を洗浄する。
本開示によれば、基板処理装置の全長を短くすることができる。
図１は、第１実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。 図２は、第１実施形態に係る基板処理装置の一部の概略構成を示す右側方図（その１）である。 図３は、図１のIII−III断面における第１実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。 図４は、第１実施形態に係る基板処理装置の一部の概略構成を示す右側方図（その２）である。 図５は、第１実施形態に係る基板処理を示すフローチャートである。 図６Ａは、第１実施形態に係る基板処理装置における基板の搬送経路を示す図（その１）である。 図６Ｂは、第１実施形態に係る基板処理装置における基板の搬送経路を示す図（その２）である。 図６Ｃは、第１実施形態に係る基板処理装置における基板の搬送経路を示す図（その３）である。 図６Ｄは、第１実施形態に係る基板処理装置における基板の搬送経路を示す図（その４）である。 図６Ｅは、第１実施形態に係る基板処理装置における基板の搬送経路を示す図（その５）である。 図６Ｆは、第１実施形態に係る基板処理装置における基板の搬送経路を示す図（その６）である。 図６Ｇは、第１実施形態に係る基板処理装置における基板の搬送経路を示す図（その７）である。 図６Ｈは、第１実施形態に係る基板処理装置における基板の搬送経路を示す図（その８）である。 図６Ｉは、第１実施形態に係る基板処理装置における基板の搬送経路を示す図（その９）である。 図７は、第２実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。 図８は、第２実施形態に係る基板処理装置の第１熱処理における基板の搬送経路を示す図である。 図９は、第３実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。 図１０は、第３実施形態に係る基板処理装置の第１熱処理における基板の搬送経路を示す図である。
以下、添付図面を参照して、本願の開示する基板処理装置および基板処理方法の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態により開示される基板処理装置および基板処理方法が限定されるものではない。
以下参照する各図面では、説明を分かりやすくするために、互いに直交するＸ軸方向、Ｙ軸方向およびＺ軸方向を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする直交座標系を示す。Ｘ軸方向、およびＹ軸方向を含む面方向は、水平方向である。
また、ここでは、Ｘ軸正方向を前方とし、Ｘ軸負方向を後方とする前後方向を規定し、Ｙ軸負方向を右方とし、Ｙ軸正方向を左方とする左右方向を規定する。また、Ｚ軸正方向を上方とし、Ｚ軸負方向を下方とする上下方向を規定する。
（第１実施形態）
＜全体構成＞
第１実施形態に係る基板処理装置１について図１〜図４を参照し説明する。図１は、第１実施形態に係る基板処理装置１の概略構成を示す平面図である。図２は、第１実施形態に係る基板処理装置１の一部の概略構成を示す右側方図（その１）である。図３は、図１のIII−III断面における第１実施形態に係る基板処理装置１の概略構成を示す図である。図４は、第１実施形態に係る基板処理装置１の一部の概略構成を示す右側方図（その２）である。
基板処理装置１は、カセットステーション２と、第１処理ライン３と、第２処理ライン４と、第３処理ライン５と、第４処理ライン６と、熱処理ユニット７と、インターフェースステーション８と、制御装置９とを備える。
カセットステーション２には、複数のガラス基板Ｓ（以下、「基板Ｓ」と称する。）を収容するカセットＣが載置される。カセットステーション２は、複数のカセットＣを載置可能な載置台１０と、カセットＣと第１処理ライン３との間、および後述する検査ユニット（ＩＰ）６３とカセットＣとの間で基板Ｓの搬送を行う搬送装置１１とを備える。
搬送装置１１は、搬送アーム１１ａを備える。搬送アーム１１ａは、水平方向（前後方向、および左右方向）および鉛直方向への移動が可能である。また、搬送装置１１は、鉛直軸を中心とする旋回が可能である。
第１処理ライン３（前処理ラインの一例）は、基板Ｓに前処理を行う。第１処理ライン３は、前洗浄ライン３Ａと、疎水処理ライン３Ｂとを備える。前洗浄ライン３Ａは、カセットステーション２から搬送される基板Ｓを洗浄する洗浄処理（前処理の一例）を行う。
前洗浄ライン３Ａには、エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２０と、スクラブ洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１とが含まれる。エキシマＵＶ照射ユニット２０、およびスクラブ洗浄ユニット２１は、エキシマＵＶ照射ユニット２０、およびスクラブ洗浄ユニット２１の順にＸ軸正方向に沿って配置される。
エキシマＵＶ照射ユニット２０は、紫外域光を発する紫外域光ランプから基板Ｓに対して紫外域光を照射し、基板Ｓ上に付着した有機物を除去する。
スクラブ洗浄ユニット２１は、有機物が除去された基板Ｓに、洗浄液（例えば、脱イオン水（ＤＩＷ））を供給しつつ、ブラシなどの洗浄部材によって基板Ｓの表面を洗浄する。またスクラブ洗浄ユニット２１は、ブロワーなどによって洗浄した基板Ｓを乾燥させる。
前洗浄ライン３Ａでは、基板ＳはＸ軸正方向に沿って平流し搬送される。例えば、基板Ｓは、コロ搬送機構１４によって搬送される。コロ搬送機構１４は、複数のコロ１４ａを駆動装置（不図示）で回転させることで、基板Ｓを搬送する。コロ搬送機構１４は、図２において一部を記載し、他は省略する。平流し搬送とは、基板Ｓが水平に保たれた状態で、所定の方向、例えば、Ｘ軸方向、またはＹ軸方向に沿って搬送されることである。なお、基板Ｓは、コンベア搬送機構などによって平流し搬送されてもよい。
疎水処理ライン３Ｂは、前洗浄ライン３Ａによって洗浄された基板Ｓに疎水処理を行う。疎水処理ライン３Ｂは、前洗浄ライン３Ａに対して左右方向に並列に配置される。具体的には、疎水処理ライン３Ｂは、前洗浄ライン３Ａの左方に配置される。疎水処理ライン３Ｂは、前洗浄ライン３Ａに並列に配置され、前洗浄ライン３Ａによって洗浄された基板Ｓに疎水処理を行う。
疎水処理ライン３Ｂには、プレヒートユニット（ＰＨ）２２と、アドヒージョンユニット（ＡＤ）２３と、第１冷却ユニット（ＣＯＬ）２４とが含まれる。
プレヒートユニット２２、アドヒージョンユニット２３、および第１冷却ユニット２４は、プレヒートユニット２２、アドヒージョンユニット２３、および第１冷却ユニット２４の順にＸ軸負方向に沿って配置される。
プレヒートユニット２２は、スクラブ洗浄ユニット２１によって乾燥された基板Ｓを加熱し、基板Ｓをさらに乾燥させる。
アドヒージョンユニット２３は、乾燥された基板Ｓにヘキサメチルジシラン（ＨＭＤＳ）を吹き付けて、基板Ｓに疎水処理を行う。
第１冷却ユニット２４は、疎水処理が行われた基板Ｓに冷風を吹き付けて基板Ｓを冷却する。
前洗浄ライン３Ａと疎水処理ライン３Ｂとの間には、前洗浄ライン３Ａから疎水処理ライン３Ｂに基板Ｓを搬送するコンベア搬送機構（ＣＯＶ）７０が設けられる。コンベア搬送機構７０は、前洗浄ライン３Ａのスクラブ洗浄ユニット２１から疎水処理ライン３Ｂのプレヒートユニット２２に基板Ｓを搬送する。
疎水処理ライン３Ｂでは、基板Ｓは、Ｘ軸負方向に沿って平流し搬送される。例えば、基板Ｓは、コロ搬送機構１４によって搬送される。
第２処理ライン４は、基板Ｓにフォトレジスト液を塗布し、フォトレジスト膜を形成する形成処理を行う。第２処理ライン４は、第１処理ライン３、具体的には、疎水処理ライン３Ｂの下方に配置される。すなわち、第２処理ライン４（塗布ラインの一例）は、前処理ライン、具体的には疎水処理ライン３Ｂの下方に配置され、前処理が行われた基板Ｓにフォトレジスト液（処理液の一例）を塗布する。
第２処理ライン４には、フォトレジスト塗布ユニット（ＣＴ）２５が含まれる。フォトレジスト塗布ユニット２５は、基板Ｓ上にフォトレジスト液を塗布し、基板Ｓ上にフォトレジスト膜を形成する。
疎水処理ライン３Ｂと第２処理ライン４との間には、疎水処理ライン３Ｂから第２処理ライン４に基板Ｓを搬送するコンベア搬送機構（ＣＯＶ）７１が設けられる。コンベア搬送機構７１は、上下方向に基板Ｓを搬送することができ、疎水処理ライン３Ｂの第１冷却ユニット２４から第２処理ライン４のフォトレジスト塗布ユニット２５に基板Ｓを搬送する。
第２処理ライン４では、基板ＳはＸ軸正方向に沿って平流し搬送される。例えば、基板Ｓは、浮上式の搬送機構（不図示）によって搬送される。浮上式の搬送機構は、例えば、左右方向の両端で基板Ｓを下方から支持し、基板Ｓに向けて下方から圧縮空気を吹き付けて基板Ｓを水平に保持しつつ、基板Ｓを移動させる。なお、第２処理ライン４では、フォトレジスト液を塗布する箇所付近の基板Ｓの搬送に浮上式の搬送機構が用いられ、その他の箇所では基板Ｓの搬送に、例えば、コロ搬送機構１４が用いられてもよい。
熱処理ユニット７は、フォトレジスト膜が形成された基板Ｓに第１熱処理を行う。熱処理ユニット７は、第２処理ライン４に対してＸ軸正方向側に配置される。
熱処理ユニット７は、減圧乾燥ユニット（ＤＰ）３０と、第１加熱ユニット（ＰＥ／ＢＡＫＥ）３１と、第２冷却ユニット（ＣＯＬ）３２とを備える。
減圧乾燥ユニット３０は、フォトレジスト塗布ユニット２５に対してＸ軸正方向側に隣接して配置される。減圧乾燥ユニット３０は、上下方向に複数段配置される。上下方向に配置された減圧乾燥ユニット３０の間には、フォトレジスト塗布ユニット２５から基板Ｓが搬送され、第１搬送部１５に基板Ｓを受け渡す搬送路３０ａが形成される。なお、搬送路３０ａは、上下方向に配置された減圧乾燥ユニット３０の間ではなく、減圧乾燥ユニット３０の上方、または下方に形成されてもよい。
減圧乾燥ユニット３０は、フォトレジスト膜が形成された基板Ｓが第１搬送部１５によって搬送され、基板Ｓ上に形成されたフォトレジスト膜を減圧雰囲気下で乾燥させる。
第１加熱ユニット３１は、減圧乾燥ユニット３０に対してＸ軸正方向側に配置される。第１加熱ユニット３１と減圧乾燥ユニット３０との間には、第１搬送部１５が配置される。
第１加熱ユニット３１は、上下方向に複数段配置される。第１加熱ユニット３１は、フォトレジスト膜が形成された基板Ｓを加熱する。第１加熱ユニット３１は、フォトレジスト膜が乾燥された基板Ｓが第１搬送部１５によって減圧乾燥ユニット３０から搬送される。
第１加熱ユニット３１は、基板Ｓを加熱し、フォトレジスト膜に含まれる溶剤などを除去する。第１加熱ユニット３１は、プレート式の加熱ユニットであり、基板Ｓがプレート（不図示）に載置された状態で、プレートを加熱することで基板Ｓを加熱する。
第２冷却ユニット３２は、第１加熱ユニット３１の上方に配置され、第１加熱ユニット３１によって加熱された基板Ｓを冷却する。第２冷却ユニット３２は、第２搬送部８Ａによって第１加熱ユニット３１から搬送された基板Ｓに冷風を吹き付けて基板Ｓを冷却する。
第２冷却ユニット３２は、前後方向の両端に開口部（不図示）を有しており、前方から第１搬送部１５によって基板Ｓを搬入することができる。また、第２冷却ユニット３２は、後方から第２搬送部８Ａによって基板Ｓを搬出することができる。
第１搬送部１５は、前後方向に伸縮可能な搬送アーム（ＳＡ）１５Ａを備える。また、第１搬送部１５は、上下方向に沿った移動、および鉛直軸を中心とする旋回が可能である。
インターフェースステーション８は、第２冷却ユニット３２に対してＸ軸正方向側に隣接して配置される。具体的には、インターフェースステーション８は、第２冷却ユニット３２と露光システム６０の露光装置６１との間に配置される。インターフェースステーション８は、第２搬送部８Ａと、ロータリーステージ（ＲＯＴ）８Ｂとを備える。
第２搬送部８Ａは、前後方向、および左右方向に伸縮可能な搬送アーム（ＳＡ）８Ｃを備える。また、第２搬送部８Ａは、上下方向、および左右方向に沿った移動、および鉛直軸を中心とする旋回が可能である。
第２搬送部８Ａは、露光システム６０へ基板Ｓを搬送する第１搬送処理を行う。第２搬送部８Ａは、熱処理ユニット７の第２冷却ユニット３２からロータリーステージ８Ｂに基板Ｓを搬送する。また、第２搬送部８Ａは、ロータリーステージ８Ｂから露光システム６０の露光装置６１に基板Ｓを搬送する。また、第２搬送部８Ａは、露光装置６１から露光システム６０の周辺装置６２に基板Ｓを搬送する。
ロータリーステージ８Ｂは、基板Ｓを水平方向に９０度回転させる。なお、ロータリーステージ８Ｂは、基板Ｓの温度を調整する温調装置を設けてもよい。
露光システム６０は、露光装置６１と、周辺装置（ＥＥ／ＴＩＴＬＥＲ）６２とを備える。
露光装置６１は、回路パターンに対応したパターンを有するフォトマスクを用いてフォトレジスト膜を露光する。
周辺装置６２は、熱処理ユニット７、およびインターフェースステーション８の左方に配置される。周辺装置６２は、周辺露光装置（ＥＥ）とタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）とを備える。周辺露光装置は、基板Ｓの外周部のフォトレジスト膜を除去する。タイトラーは、露光装置６１で回路パターンに露光された基板Ｓに所定の情報を書き込む。
周辺装置６２によって所定の情報の書き込みなどが行われた基板Ｓは、周辺装置６２に対してＸ軸負方向側に隣接して配置された搬送路６２ａによって搬送される。搬送路６２ａでは、基板ＳはＸ軸負方向に沿って平流し搬送される。
第３処理ライン５は、熱処理ユニット７の左方に配置される。第３処理ライン５は、現像ライン５Ａと、後洗浄ライン５Ｂとを備える。
現像ライン５Ａは、露光装置６１によって露光された基板Ｓに現像処理を行う。すなわち、現像ライン５Ａは、フォトレジスト液が塗布された基板Ｓを現像する。現像ライン５Ａは、露光された基板Ｓが搬送される周辺装置６２（外部装置の一例）の上方に配置される。現像ライン５Ａには、第３搬送部１６によって搬送路６２ａから基板Ｓが搬送される。
現像ライン５Ａには、現像ユニット４０（ＤＥＶ）が含まれる。現像ユニット４０は、第３搬送部１６によって搬送路６２ａから搬送された基板Ｓに対し、露光されたフォトレジスト膜を現像液により現像する。
現像ライン５Ａでは、基板ＳはＸ軸正方向に沿って平流し搬送される。例えば、基板Ｓは、コロ搬送機構１４によって搬送される。
後洗浄ライン５Ｂは、現像処理が行われた基板Ｓに洗浄処理を行う。後洗浄ライン５Ｂは、現像ライン５Ａの上方に配置される。すなわち、周辺装置６２、現像ライン５Ａ、および後洗浄ライン５Ｂは、上下方向に並んで配置され、下方から、周辺装置６２、現像ライン５Ａ、および後洗浄ライン５Ｂの順に配置される。後洗浄ライン５Ｂ（洗浄ラインの一例）は、現像ライン５Ａの上方に配置され、現像された基板Ｓを洗浄する。
後洗浄ライン５Ｂでは、基板ＳはＸ軸負方向に沿って平流し搬送される。例えば、基板Ｓは、コロ搬送機構１４によって搬送される。
後洗浄ライン５Ｂには、洗浄ユニット（ＲＩＮ）４１と、乾燥ユニット（ＤＲＹ）４２とが含まれる。洗浄ユニット４１、および乾燥ユニット４２は、洗浄ユニット４１、および乾燥ユニット４２の順にＸ軸負方向に沿って配置される。
洗浄ユニット４１は、フォトレジスト膜を現像した基板Ｓ上の現像液を洗浄液（例えば、脱イオン水（ＤＩＷ））によって洗い流す。乾燥ユニット４２は、洗浄液によって洗い流した基板Ｓ上の洗浄液を乾燥させる。
現像ライン５Ａと後洗浄ライン５Ｂとの間には、現像ライン５Ａから後洗浄ライン５Ｂに基板Ｓを搬送するコンベア搬送機構７２が設けられる。コンベア搬送機構７２は、上下方向に基板Ｓを搬送することができ、現像ライン５Ａの現像ユニット４０から後洗浄ライン５Ｂの洗浄ユニット４１に基板Ｓを搬送する。
第４処理ライン６は、後洗浄ライン５Ｂによって洗浄された基板Ｓに第２熱処理を行う。第４処理ライン６は、加熱ライン６Ａと、冷却ライン６Ｂとを備える。加熱ライン６Ａ、および冷却ライン６Ｂは、上下方向に積層される。すなわち、第４処理ライン６（熱処理ラインの一例）は、後洗浄ライン５Ｂ（洗浄ラインの一例）によって洗浄された基板Ｓに熱処理を行い、上下方向に積層して配置される。
加熱ライン６Ａは、洗浄された基板Ｓを加熱する加熱処理を行う。加熱ライン６Ａは、後洗浄ライン５Ｂに対してＸ軸負方向に連続して配置される。加熱ライン６Ａ（熱処理ラインの一例）の一部は、第３搬送部１６（搬送部の一例）の上方に配置される。加熱ライン６Ａでは、基板ＳはＸ軸負方向に沿って平流し搬送される。例えば、基板Ｓは、コロ搬送機構１４によって搬送される。
加熱ライン６Ａは、第２加熱ユニット（ＰＯ／ＢＡＫＥ）５０を含む。第２加熱ユニット５０は、現像処理が行われた基板Ｓを加熱する。第２加熱ユニット５０は、リンス液が乾燥された基板Ｓを加熱し、フォトレジスト膜に残る溶剤、およびリンス液を除去する。
冷却ライン６Ｂは、加熱された基板Ｓを冷却する冷却処理を行う。冷却ライン６Ｂは、加熱ライン６Ａの下方に配置される。冷却ライン６Ｂでは、基板ＳはＸ軸正方向に沿って平流し搬送される。例えば、基板Ｓは、コロ搬送機構１４によって搬送される。
冷却ライン６Ｂは、第３冷却ユニット（ＣＯＬ）５１を含む。第３冷却ユニット５１は、第２加熱ユニット５０によって加熱された基板Ｓを冷却する。第３冷却ユニット５１は、基板Ｓに冷風を吹き付けて基板Ｓを冷却する。
加熱ライン６Ａと冷却ライン６Ｂとの間には、加熱ライン６Ａから冷却ライン６Ｂに基板Ｓを搬送するコンベア搬送機構７３が設けられる。コンベア搬送機構７３は、上下方向に基板Ｓを搬送することができ、加熱ライン６Ａの第２加熱ユニット５０から冷却ライン６Ｂの第３冷却ユニット５１に基板Ｓを搬送する。
第３冷却ユニット５１によって冷却された基板Ｓは、第３搬送部１６によって検査ユニット６３に搬送される。検査ユニット６３は、冷却ライン６Ｂの下方に配置される。検査ユニット６３は、フォトレジストパターン（ライン）の限界寸法（ＣＤ）の測定などの検査を行う。検査ユニット６３によって検査が行われた基板Ｓは、カセットステーション２に搬送される。
第３搬送部１６は、前後方向に伸縮可能な搬送アーム（ＳＡ）１６Ａを備える。第３搬送部１６は、上下方向に沿った移動、および鉛直軸を中心とする旋回が可能である。
第３搬送部１６は、周辺装置６２（外部装置の一例）によって処理が行われた基板Ｓを現像ライン５Ａに搬送するとともに、後洗浄ライン５Ｂ（洗浄ラインの一例）によって洗浄された後の基板Ｓを搬送する。具体的には、第３搬送部１６は、周辺装置６２に対してＸ軸負方向に配置された搬送路６２ａから現像ライン５Ａの現像ユニット４０に基板Ｓを搬送する。また、第３搬送部１６は、洗浄ユニット４１によって洗浄された後に第４処理ライン６によって熱処理された基板Ｓを、第３冷却ユニット５１から検査ユニット６３に搬送する。
なお、搬送路６２ａの上方には、基板Ｓを一時的に載置可能なバッファ部１７が配置される。バッファ部１７には、第３搬送部１６によって基板Ｓが搬入、または搬出される。搬送路６２ａから現像ユニット４０に基板Ｓが搬送される場合や、第３冷却ユニット５１から検査ユニット６３に基板Ｓが搬送される場合に、基板Ｓが一時的にバッファ部１７に載置される。これにより、例えば、検査ユニット６３において検査に遅延が生じた場合に、基板処理装置１は、熱処理が終了した基板Ｓをバッファ部１７に一時的に載置し、基板Ｓに対する熱処理や、現像処理などを継続して行うことができる。
制御装置９は、例えば、コンピュータであり、制御部９Ａと記憶部９Ｂとを備える。記憶部９Ｂは、例えば、ＲＡＭ（Random Access Memory）、フラッシュメモリ（Flash Memory）などの半導体メモリ素子、または、ハードディスク、光ディスクなどの記憶装置によって実現される。
制御部９Ａは、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ、入出力ポート等を含むマイクロコンピュータや各種回路を含む。マイクロコンピュータのＣＰＵは、ＲＯＭに記憶されているプログラムを読み出して実行することにより、カセットステーション２や、各ライン３〜６などの制御を実現する。
なお、プログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されており、記憶媒体から制御装置９の記憶部９Ｂにインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
＜基板処理＞
次に、第１実施形態に係る基板処理について図５、および図６Ａ〜図６Ｈを参照し説明する。図５は、第１実施形態に係る基板処理を示すフローチャートである。図６Ａ〜図６Ｈは、第１実施形態に係る基板処理装置１における基板Ｓの搬送経路を示す図（その１〜その８）である。
基板処理装置１は、前処理を行う（Ｓ１０）。具体的には、基板処理装置１は、図６Ａに示すように、カセットステーション２から前洗浄ライン３Ａに基板Ｓを搬送する。基板処理装置１は、前洗浄ライン３Ａによって基板Ｓに洗浄処理を行い、洗浄処理後に基板Ｓをコンベア搬送機構７０によって疎水処理ライン３Ｂに搬送する。そして、基板処理装置１は、疎水処理ライン３Ｂによって基板Ｓに疎水処理を行う。
基板処理装置１は、フォトレジスト膜の形成処理を行う（Ｓ１１）。具体的には、基板処理装置１は、図６Ｂに示すように、コンベア搬送機構７１によって基板Ｓを下方に移動させて、疎水処理ライン３Ｂから第２処理ライン４に基板Ｓを搬送する。そして、基板処理装置１は、第２処理ライン４のフォトレジスト塗布ユニット２５によって基板Ｓにフォトレジスト液を塗布し、基板Ｓにフォトレジスト膜を形成する。基板処理装置１は、フォトレジスト膜が形成された基板Ｓを搬送路３０ａに搬送する。
基板処理装置１は、第１熱処理を行う（Ｓ１２）。具体的には、基板処理装置１は、図６Ｃに示すように、第１搬送部１５によって基板Ｓを搬送路３０ａから減圧乾燥ユニット３０に搬送し、減圧乾燥ユニット３０によって基板Ｓを減圧乾燥させる。そして、基板処理装置１は、減圧乾燥させた基板Ｓを第１搬送部１５によって第１加熱ユニット３１に搬送し、第１加熱ユニット３１によって基板Ｓを加熱する。
さらに、基板処理装置１は、図６Ｄに示すように、第１加熱ユニット３１によって加熱した基板Ｓを、第１搬送部１５によって第１加熱ユニット３１の上方に配置された第２冷却ユニット３２に搬送する。そして、基板処理装置１は、第２冷却ユニット３２によって基板Ｓを冷却する。
基板処理装置１は、第１搬送処理を行う（Ｓ１３）。具体的には、基板処理装置１は、図６Ｅに示すように、第２搬送部８Ａによって基板Ｓを第２冷却ユニット３２からロータリーステージ８Ｂに搬送し、ロータリーステージ８Ｂで基板Ｓを９０度回転させる。基板処理装置１は、第２搬送部８Ａによってロータリーステージ８Ｂから露光装置６１に基板Ｓを搬送する。そして、基板処理装置１は、第２搬送部８Ａによって基板Ｓを露光装置６１から周辺装置６２に搬送する。
基板処理装置１は、現像処理を行う（Ｓ１４）。具体的には、基板処理装置１は、図６Ｆに示すように、基板Ｓを周辺装置６２から搬送路６２ａに搬送し、第３搬送部１６によって搬送路６２ａから第３処理ライン５の現像ライン５Ａに搬送する。そして、基板処理装置１は、現像ユニット４０によって基板Ｓを現像する。
基板処理装置１は、洗浄処理を行う（Ｓ１５）。具体的には、基板処理装置１は、図６Ｇに示すように、基板Ｓをコンベア搬送機構７２によって上方に移動させ、基板Ｓを現像ライン５Ａから後洗浄ライン５Ｂに搬送する。そして、基板処理装置１は、洗浄ユニット４１によって基板Ｓを洗い流し、乾燥ユニット４２によって基板Ｓを乾燥させる。
基板処理装置１は、第２熱処理を行う（Ｓ１６）。具体的には、基板処理装置１は、リンス液を乾燥させた基板Ｓを、図６Ｈに示すように、第３処理ライン５の後洗浄ライン５Ｂから第４処理ライン６の加熱ライン６Ａに搬送する。基板処理装置１は、基板Ｓを第２加熱ユニット５０によって加熱する。基板処理装置１は、加熱した基板Ｓをコンベア搬送機構７３によって下方に移動させて、加熱ライン６Ａからから冷却ライン６Ｂに基板Ｓを搬送する。そして、基板処理装置１は、第３冷却ユニット５１によって基板Ｓを冷却する。
基板処理装置１は、第２搬送処理を行う（Ｓ１７）。具体的には、基板処理装置１は、図６Ｉに示すように、第３搬送部１６によって基板Ｓを冷却ライン６Ｂから検査ユニット６３に搬送する。基板処理装置１は、検査が終了した基板Ｓをカセットステーション２に搬送する。
＜効果＞
基板処理装置１は、基板Ｓに前処理を行う第１処理ライン３（前処理ラインの一例）と、第１処理ライン３の下方に配置され、前処理が行われた基板Ｓにフォトレジスト液を塗布する第２処理ライン４（塗布ラインの一例）と、フォトレジスト液が塗布された基板Ｓを現像する現像ライン５Ａと、現像ライン５Ａの上方に配置され、現像された基板Ｓを洗浄する後洗浄ライン５Ｂ（洗浄ラインの一例）とを備える。
換言すると、基板処理装置１は、基板処理方法として、第１処理ライン３（前処理ラインの一例）によって基板Ｓに前処理を行う工程と、前処理が行われた基板Ｓに、第１処理ライン３の下方に配置された第２処理ライン４（塗布ラインの一例）によってフォトレジスト液を塗布する工程と、フォトレジスト液が塗布された基板Ｓを現像ライン５Ａで現像する工程と、現像された基板Ｓを、現像ライン５Ａの上方に配置された後洗浄ライン５Ｂ（洗浄ラインの一例）で洗浄する工程とを有する。
これにより、基板処理装置１は、第１処理ライン３と第２処理ライン４とを上下方向に並べて配置することで、基板Ｓを洗浄し、フォトレジスト膜を形成するラインにおける前後方向の長さを短くすることができる。また、基板処理装置１は、現像ライン５Ａと後洗浄ライン５Ｂとを上下方向に並べて配置することで、基板Ｓを現像し、洗浄するラインにおける前後方向の長さを短くすることができる。そのため、基板処理装置１は、前後方向の長さ、すなわち、基板処理装置１の全長を短くすることができる。
また、第１処理ライン３（前処理ラインの一例）は、基板Ｓを洗浄する前洗浄ライン３Ａと、前洗浄ライン３Ａに並列に配置され、前洗浄ライン３Ａによって洗浄された基板Ｓに疎水処理を行う疎水処理ライン３Ｂとを備える。
これにより、基板処理装置１は、第１処理ライン３の前後方向の長さを短くすることができ、基板処理装置１の全長を短くすることができる。
また、第２処理ライン４（塗布ラインの一例）は、疎水処理ライン３Ｂの下方に配置される。
これにより、基板処理装置１は、基板Ｓを下方に移動させることで、基板Ｓを第２処理ライン４に搬送することができ、基板Ｓを容易に第２処理ライン４に搬送することができる。そのため、基板処理装置１は、例えば、基板Ｓを下方に移動させるコンベア搬送機構７１の構成を簡易にすることができる。
また、現像ライン５Ａは、露光された基板Ｓが搬送される周辺装置６２（外部装置の一例）の上方に配置される。
これにより、基板処理装置１は、周辺装置６２の上部の空間を有効に利用することができ、装置全体を小型化することができる。
また、基板処理装置１は、周辺装置６２（外部装置の一例）によって処理が行われた基板Ｓを現像ライン５Ａに搬送するとともに、後洗浄ライン５Ｂ（洗浄ラインの一例）によって洗浄が行われた後の基板Ｓを搬送する第３搬送部１６（搬送部の一例）を備える。
これにより、基板処理装置１は、第３搬送部１６によって複数の搬送経路において基板Ｓを搬送することができ、搬送部の数を少なくし、コストを削減することができる。また、基板処理装置１は、装置全体を小型化することができる。
また、基板処理装置１は、後洗浄ライン５Ｂ（洗浄ラインの一例）によって洗浄された基板Ｓに熱処理を行い、上下方向に積層して配置される加熱ライン６Ａ、および冷却ライン６Ｂ（熱処理ラインの一例）を備える。
これにより、基板処理装置１は、前後方向の長さを短くすることができる。
また、加熱ライン６Ａ（熱処理ラインの一部の一例）は、第３搬送部１６（搬送部の一例）の上方に配置される。
これにより、基板処理装置１は、後洗浄ライン５Ｂと加熱ライン６Ａとを前後方向に連続して配置することができる。そのため、基板処理装置１は、例えば、後洗浄ライン５Ｂと加熱ライン６Ａとを左右方向、または上下方向に積層することなく、配置することができる。従って、基板処理装置１は、装置全体を小型化することができる。
（第２実施形態）
＜全体構成＞
次に、第２実施形態に係る基板処理装置１について図７を参照し説明する。図７は、第２実施形態に係る基板処理装置１の概略構成を示す平面図である。ここでは、第１実施形態とは異なる箇所を中心に説明し、第１実施形態と同じ構成については、第１実施形態と同じ符号を付し、説明は省略する。第２実施形態に係る基板処理装置１は、熱処理ユニット８０が第１実施形態とは異なっている。
熱処理ユニット８０は、減圧乾燥ユニット（ＤＰ）８１と、第１加熱ユニット（ＰＥ／ＢＡＫＥ）８２と、第２冷却ユニット（ＣＯＬ）８３と、ロータリーステージ（ＲＯＴ）８４、８５とを備える。
減圧乾燥ユニット８１は、第１搬送部８６に対してＸ軸正方向側に隣接して配置される。第１加熱ユニット８２、および第２冷却ユニット８３は、第１加熱ユニット８２、および第２冷却ユニット８３の順にＸ軸正方向に沿って配置される。また、第１加熱ユニット８２、および第２冷却ユニット８３と、減圧乾燥ユニット８１とは、左右方向に並んで配置される。減圧乾燥ユニット８１は、第２処理ライン４（塗布ラインの一例）のフォトレジスト塗布ユニット２５から基板Ｓが搬送され、基板Ｓを減圧乾燥させる。
第１加熱ユニット８２は、減圧乾燥され、平流し搬送される基板Ｓを加熱する。基板Ｓは、例えば、コロ搬送機構１４（図２参照）によってＸ軸正方向に沿って搬送される。第１加熱ユニット８２は、減圧乾燥された基板Ｓが平流し搬送されつつ、基板Ｓを加熱する。
第２冷却ユニット８３は、第１加熱ユニット８２によって加熱され、Ｘ軸正方向に沿って平流し搬送される基板Ｓを冷却する。
このように、熱処理ユニット８０では、平流し搬送される基板Ｓに対して、第１加熱ユニット８２による加熱と、第２冷却ユニット８３による冷却とが連続して行われる。
ロータリーステージ８４は、第１搬送部８６に対してＹ軸負方向側に隣接して配置される。ロータリーステージ８４は、第１搬送部８６によって搬送される基板Ｓを９０度回転し、第１加熱ユニット８２に基板Ｓを搬送する。
ロータリーステージ８５は、第２冷却ユニット８３に対してＸ軸正方向側に隣接して配置される。ロータリーステージ８５は、第２冷却ユニット８３によって冷却された基板Ｓが搬送され、基板Ｓを９０度回転する。
熱処理ユニット８０では、減圧乾燥ユニット８１は、第１加熱ユニット８２における基板Ｓの搬送方向に直交する方向である左右方向に、第１加熱ユニット８２と並んで配置される。
第１搬送部８６は、前後方向、および左右方向に伸縮可能な搬送アーム８６Ａを備える。第１搬送部８６は、第２処理ライン４のフォトレジスト塗布ユニット２５から減圧乾燥ユニット８１に基板Ｓを搬送する。また、第１搬送部８６は、減圧乾燥ユニット８１からロータリーステージ８４に基板Ｓを搬送する。
インターフェースステーション８の第２搬送部８Ａは、ロータリーステージ８５から露光システム６０の露光装置６１に基板Ｓを搬送する。
基板処理装置１は、第１熱処理において、図８に示すように、第１搬送部８６によって第２処理ライン４のフォトレジスト塗布ユニット２５から減圧乾燥ユニット８１に基板Ｓを搬送する。図８は、第２実施形態に係る基板処理装置１の第１熱処理における基板Ｓの搬送経路を示す図である。なお、図８では、説明のため第１処理ライン３の疎水処理ライン３Ｂを省略している。
基板処理装置１は、減圧乾燥ユニット８１によって乾燥させた基板Ｓを第１搬送部８６によってロータリーステージ８４に搬送する。基板処理装置１は、ロータリーステージ８４によって基板Ｓを９０度回転させた後に、基板Ｓを第１加熱ユニット８２に搬送する。そして、基板処理装置１は、第１加熱ユニット８２によって基板Ｓを加熱し、第２冷却ユニット８３によって基板を冷却する。
基板処理装置１は、第２冷却ユニット８３によって冷却した基板Ｓをロータリーステージ８５に搬送し、ロータリーステージ８５で基板Ｓを９０度回転する。なお、ロータリーステージ８５の上方に、基板Ｓを一時的に載置するバッファ部を設けてもよい。
＜効果＞
基板処理装置１は、第２処理ライン４（塗布ラインの一例）から基板Ｓが搬送され、基板Ｓを減圧乾燥させる減圧乾燥ユニット８１と、減圧乾燥され、平流し搬送される基板Ｓを加熱する第１加熱ユニット８２（加熱ユニットの一例）とを備える。減圧乾燥ユニット８１は、第１加熱ユニット８２における基板Ｓの搬送方向に直交する方向に第１加熱ユニット８２と並んで配置される。これにより、基板処理装置１は、前後方向の長さを短くすることができる。
（第３実施形態）
＜全体構成＞
次に、第３実施形態に係る基板処理装置１について図９を参照し説明する。図９は、第３実施形態に係る基板処理装置１の概略構成を示す平面図である。ここでは、第１実施形態とは異なる箇所を中心に説明し、第１実施形態と同じ構成については、第１実施形態と同じ符号を付し、説明は省略する。
第３実施形態に係る基板処理装置１は、第３処理ライン５、および第４処理ライン６などが、第１処理ライン３、および第２処理ライン４に対して右方に配置されている。
また、第３実施形態に係る基板処理装置１は、熱処理ユニット９０が第１実施形態とは異なっている。
熱処理ユニット９０は、減圧乾燥ユニット（ＤＰ）９１と、第１加熱ユニット（ＰＥ／ＢＡＫＥ）９２と、第２冷却ユニット（ＣＯＬ）９３とを備える。減圧乾燥ユニット９１は、第１搬送部９５に対してＸ軸正方向側に隣接して配置される。
第１加熱ユニット９２は、第１搬送部９５に対してＸ軸負方向側に隣接して配置される。すなわち、第１加熱ユニット９２は、第２処理ライン４のフォトレジスト塗布ユニット２５と、第１搬送部９５との間に配置される。
第１加熱ユニット９２は、上下方向に複数段配置されており、第１加熱ユニット９２の間には、フォトレジスト塗布ユニット２５から基板Ｓが搬送され、第１搬送部９５に基板Ｓを受け渡す搬送路９６が形成される。なお、搬送路９６は、第１加熱ユニット９２の上方、または下方に形成されてもよい。すなわち、第１加熱ユニット９２（加熱ユニットの一例）は、第２処理ライン４（塗布ラインの一例）から基板Ｓが搬送される搬送路９６に積層され、基板Ｓを加熱する。
第２冷却ユニット９３は、第１加熱ユニット９２によって加熱された基板Ｓを冷却する。また、第２冷却ユニット９３は、基板Ｓを９０度回転させる。すなわち、第２冷却ユニット９３は、ロータリーステージとしての機能を有している。
第１搬送部９５は、前後方向、および左右方向に伸縮可能な搬送アーム９５Ａ（ＳＡ）を備える。第１搬送部９５は、搬送路９６から減圧乾燥ユニット９１に基板Ｓを搬送する。また、第１搬送部９５は、減圧乾燥ユニット９１から第１加熱ユニット９２に基板Ｓを搬送する。また、第１搬送部９５は、第１加熱ユニット９２から第２冷却ユニット９３に基板Ｓを搬送する。
基板処理装置１は、第１熱処理において、図１０に示すように、第１搬送部９５によって第２処理ライン４のフォトレジスト塗布ユニット２５から搬送路９６に搬送された基板Ｓを、第１搬送部９５によって搬送路９６から減圧乾燥ユニット９１に搬送する。図１０は、第３実施形態に係る基板処理装置１の第１熱処理における基板Ｓの搬送経路を示す図である。なお、図１０では、説明のため第１処理ライン３の疎水処理ライン３Ｂを省略している。
基板処理装置１は、減圧乾燥ユニット９１によって乾燥させた基板Ｓを第１搬送部９５によって減圧乾燥ユニット９１から第１加熱ユニット９２に搬送する。基板処理装置１は、第１加熱ユニット９２によって加熱した基板Ｓを第１搬送部９５によって第１加熱ユニット９２から第２冷却ユニット９３に搬送する。そして、基板処理装置１は、第２冷却ユニット９３によって基板Ｓを冷却し、基板Ｓを９０度回転させる。
＜効果＞
基板処理装置１は、第２処理ライン４（塗布ラインの一例）から基板Ｓが搬出される搬送路９６に積層され、基板Ｓを加熱する第１加熱ユニット９２（加熱ユニットの一例）を備える。
これにより、基板処理装置１は、前後方向の長さを短くすることができる。基板処理装置１は、基板Ｓのサイズが大きく、例えば、減圧時の耐久性を向上させるために減圧乾燥ユニット９１のサイズが大きくなる場合に、減圧乾燥ユニット９１を搬送路９６に積層することなく配置するとともに、前後方向の長さを短くすることができる。
また、基板処理装置１は、図１０において破線で示す領域をメンテナンス領域とすることができ、基板処理装置１のメンテナンスを容易に行うことができる。基板処理装置１は、中央付近にメンテナンス領域を設けることができ、複数のユニットのメンテナンスを容易に行うことができる。
＜変形例＞
次に、本実施形態の変形例について説明する。
変形例に係る基板処理装置１は、熱処理ユニット７において、第１加熱ユニット３１と第２冷却ユニット３２とを上下方向に積層せずに配置してもよい。変形例に係る基板処理装置１は、例えば、第１加熱ユニット３１を第１搬送部１５の右方側に配置してもよい。この場合、第１搬送部１５は、前後方向、および左右方向に伸縮する搬送アームによって基板Ｓを搬送する。
また、変形例に係る基板処理装置１は、第２加熱ユニット５０をプレート式の加熱ユニットとしてもよい。
また、変形例に係る基板処理装置１は、コンベア搬送機構７０〜７２に替えて搬送アームを有する搬送機構によって基板Ｓを搬送してもよい。
また、変形例に係る基板処理装置１は、上記処理の一部を行ってもよい。例えば、変形例に係る基板処理装置１は、基板Ｓを第１処理ライン３によって前処理を行った後に、基板Ｓをカセットステーション２に搬送してもよい。また、変形例に係る基板処理装置１は、基板Ｓを第１処理ライン３に搬送せずに、カセットステーション２から第２処理ライン４に搬送してもよい。
また、変形例に係る基板処理装置１は、第３処理ライン５による処理後、すなわち後洗浄ライン５Ｂの乾燥ユニット４２によって基板Ｓを乾燥した後に、基板Ｓを検査ユニット６３に搬送してもよい。この場合、変形例に係る基板処理装置１は、第３搬送部１６によって基板Ｓを乾燥ユニット４２から検査ユニット６３に搬送する。
このように、変形例に係る基板処理装置１は、基板Ｓに対する処理の一部を実行してもよい。これにより、変形例に係る基板処理装置１は、基板Ｓに対して、様々な処理を個別に行うことができる。
なお、今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
１ 基板処理装置
３ 第１処理ライン（前処理ライン）
３Ａ 前洗浄ライン
３Ｂ 疎水処理ライン
４ 第２処理ライン（塗布ライン）
５ 第３処理ライン
５Ａ 現像ライン
５Ｂ 後洗浄ライン（洗浄ライン）
６ 第４処理ライン
６Ａ 加熱ライン（熱処理ライン）
６Ｂ 冷却ライン（熱処理ライン）
７ 熱処理ユニット
１５ 第１搬送部
１６ 第３搬送部（搬送部）
３０ 減圧乾燥ユニット
６２ 周辺装置（外部装置）
８０ 熱処理ユニット
８１ 減圧乾燥ユニット
８２ 第１加熱ユニット（加熱ユニット）
８３ 第２冷却ユニット
９２ 第１加熱ユニット（加熱ユニット）
９６ 搬送路

Claims (11)

  1. 基板に前処理を行う前処理ラインと、
    前記前処理ラインの下方に配置され、前記前処理が行われた前記基板にフォトレジスト液を塗布する塗布ラインと、
    前記フォトレジスト液が塗布された前記基板を現像する現像ラインと、
    前記現像ラインの上方に配置され、現像された前記基板を洗浄する洗浄ラインと、
    を備える基板処理装置。
  2. 前記前処理ラインは、
    前記基板を洗浄する前洗浄ラインと、
    前記前洗浄ラインに並列に配置され、前記前洗浄ラインによって洗浄された前記基板に疎水処理を行う疎水処理ラインと
    を備える請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記塗布ラインは、
    前記疎水処理ラインの下方に配置される
    請求項２に記載の基板処理装置。
  4. 前記現像ラインは、
    露光された前記基板が搬送される外部装置の上方に配置される
    請求項１〜３のいずれか一つに記載の基板処理装置。
  5. 前記外部装置によって処理が行われた前記基板を前記現像ラインに搬送するとともに、前記洗浄ラインによって洗浄が行われた後の前記基板を搬送する搬送部と
    を備える請求項４に記載の基板処理装置。
  6. 前記洗浄ラインによって洗浄された前記基板に熱処理を行い、上下方向に積層して配置される熱処理ライン
    を備える請求項５に記載の基板処理装置。
  7. 前記熱処理ラインの一部は、
    前記搬送部の上方に配置される
    請求項６に記載の基板処理装置。
  8. 前記塗布ラインから前記基板が搬出される搬送路に積層され、前記基板を減圧乾燥させる減圧乾燥ユニット
    を備える請求項１〜７のいずれか一つに記載の基板処理装置。
  9. 前記塗布ラインから前記基板が搬出される搬送路に積層され、前記基板を加熱する加熱ユニット
    を備える請求項１〜７のいずれか一つに記載の基板処理装置。
  10. 前記塗布ラインから前記基板が搬送され、前記基板を減圧乾燥させる減圧乾燥ユニットと、
    前記減圧乾燥され、平流し搬送される前記基板を加熱する加熱ユニットと
    を備え、
    前記減圧乾燥ユニットは、
    前記加熱ユニットにおける前記基板の搬送方向に直交する方向に、前記加熱ユニットと並んで配置される
    請求項１〜７のいずれか一つに記載の基板処理装置。
  11. 前処理ラインによって基板に前処理を行う工程と、
    前記前処理が行われた前記基板に、前記前処理ラインの下方に配置された塗布ラインによってフォトレジストを塗布する工程と、
    前記フォトレジストが塗布された前記基板を現像ラインで現像する工程と、
    現像された前記基板を、前記現像ラインの上方に配置された洗浄ラインで洗浄する工程と
    を有する基板処理方法。
JP2018162115A 2018-08-30 2018-08-30 基板処理装置および基板処理方法 Active JP7232596B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018162115A JP7232596B2 (ja) 2018-08-30 2018-08-30 基板処理装置および基板処理方法
KR1020190104589A KR20200026085A (ko) 2018-08-30 2019-08-26 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN201910789074.0A CN110875227A (zh) 2018-08-30 2019-08-26 基片处理装置和基片处理方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018162115A JP7232596B2 (ja) 2018-08-30 2018-08-30 基板処理装置および基板処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2020035935A true JP2020035935A (ja) 2020-03-05
JP7232596B2 JP7232596B2 (ja) 2023-03-03

Family

ID=69668692

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018162115A Active JP7232596B2 (ja) 2018-08-30 2018-08-30 基板処理装置および基板処理方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP7232596B2 (ja)
KR (1) KR20200026085A (ja)
CN (1) CN110875227A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021177066A1 (ja) 2020-03-03 2021-09-10 ダイキン工業株式会社 作業支援装置、作業支援プログラム、端末及び作業支援方法
CN116631923A (zh) * 2022-02-18 2023-08-22 株式会社斯库林集团 基板处理装置和基板处理方法
CN116705678A (zh) * 2022-03-03 2023-09-05 株式会社斯库林集团 基板处理装置以及基板处理方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102643110B1 (ko) * 2020-12-29 2024-03-04 주식회사 에스에프에이 광학 검사 시스템 및 광학 검사 방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0279413A (ja) * 1988-09-14 1990-03-20 Mitsubishi Electric Corp 半導体製造装置
JP2005340846A (ja) * 2005-06-17 2005-12-08 Yoshitake Ito 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板の製造方法
JP2007158253A (ja) * 2005-12-08 2007-06-21 Tokyo Electron Ltd 加熱処理装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6235531A (ja) * 1985-08-08 1987-02-16 Fujitsu Ltd ウエ−ハ水中搬送機構
JP2002329661A (ja) * 2001-04-27 2002-11-15 Yoshitake Ito 基板処理装置及び基板処理方法及び基板の製造方法
JP4049751B2 (ja) * 2004-02-05 2008-02-20 東京エレクトロン株式会社 塗布膜形成装置
JP4324527B2 (ja) * 2004-09-09 2009-09-02 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法及び現像装置
KR100602129B1 (ko) * 2004-12-30 2006-07-19 동부일렉트로닉스 주식회사 다단계 노광공정을 이용한 패턴 형성 방법
JP4955976B2 (ja) * 2005-01-21 2012-06-20 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及びその方法
JP4414909B2 (ja) * 2005-02-14 2010-02-17 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置
KR100897850B1 (ko) * 2007-06-18 2009-05-15 세메스 주식회사 기판 처리 장치
JP5274148B2 (ja) * 2008-08-19 2013-08-28 東京エレクトロン株式会社 処理システム
JP5099054B2 (ja) * 2009-03-13 2012-12-12 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法、塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体
JP2010287686A (ja) * 2009-06-10 2010-12-24 Tokyo Electron Ltd 塗布、現像装置及び基板の裏面洗浄方法。
JP5050018B2 (ja) * 2009-08-24 2012-10-17 東京エレクトロン株式会社 塗布現像装置及び塗布現像方法
JP5408059B2 (ja) * 2010-07-09 2014-02-05 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0279413A (ja) * 1988-09-14 1990-03-20 Mitsubishi Electric Corp 半導体製造装置
JP2005340846A (ja) * 2005-06-17 2005-12-08 Yoshitake Ito 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板の製造方法
JP2007158253A (ja) * 2005-12-08 2007-06-21 Tokyo Electron Ltd 加熱処理装置

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021177066A1 (ja) 2020-03-03 2021-09-10 ダイキン工業株式会社 作業支援装置、作業支援プログラム、端末及び作業支援方法
CN116631923A (zh) * 2022-02-18 2023-08-22 株式会社斯库林集团 基板处理装置和基板处理方法
KR20230124472A (ko) 2022-02-18 2023-08-25 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2023120864A (ja) * 2022-02-18 2023-08-30 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP7405884B2 (ja) 2022-02-18 2023-12-26 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
CN116705678A (zh) * 2022-03-03 2023-09-05 株式会社斯库林集团 基板处理装置以及基板处理方法
JP2023128234A (ja) * 2022-03-03 2023-09-14 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
CN116705678B (zh) * 2022-03-03 2024-01-30 株式会社斯库林集团 基板处理装置以及基板处理方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20200026085A (ko) 2020-03-10
JP7232596B2 (ja) 2023-03-03
CN110875227A (zh) 2020-03-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7232596B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
GB2438875A (en) Photo apparatus and method
JP2010021396A (ja) 基板処理装置
JP2011009362A (ja) インプリントシステム、インプリント方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP2007208233A (ja) 基板処理装置及び方法
JP7186605B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP7142566B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP7232593B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP5702263B2 (ja) 基板処理システム、基板搬送方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP5512633B2 (ja) 基板処理システム、基板搬送方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP5689048B2 (ja) 基板処理システム、基板搬送方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP2000100891A (ja) 処理装置
JP5149244B2 (ja) インプリントシステム、インプリント方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
TWI797325B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
CN116705678B (zh) 基板处理装置以及基板处理方法
JP2019207961A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2023076278A (ja) 基板処理装置、および基板処理方法
CN116804827B (zh) 基板处理装置以及基板处理方法
KR102686260B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP5752827B2 (ja) 基板処理システム、基板搬送方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP2004056122A (ja) 処理装置
JP2021093396A (ja) 基板処理装置、および基板処理方法
JP2004186426A (ja) 基板処理装置
JPH11145246A (ja) 基板処理装置
KR20070080525A (ko) 기판 이송장치

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20210709

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20220830

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20221014

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230124

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20230220

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7232596

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150