KR20200026085A - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20200026085A
KR20200026085A KR1020190104589A KR20190104589A KR20200026085A KR 20200026085 A KR20200026085 A KR 20200026085A KR 1020190104589 A KR1020190104589 A KR 1020190104589A KR 20190104589 A KR20190104589 A KR 20190104589A KR 20200026085 A KR20200026085 A KR 20200026085A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
line
board
processing apparatus
unit
Prior art date
Application number
KR1020190104589A
Other languages
English (en)
Inventor
슌이치 야히로
?이치 야히로
미츠히로 사카이
히로노부 가지와라
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20200026085A publication Critical patent/KR20200026085A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/6773—Conveying cassettes, containers or carriers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02046—Dry cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67727—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations using a general scheme of a conveying path within a factory
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Abstract

기판 처리 장치의 전체 길이를 짧게 하는 기술을 제공한다.
실시형태에 따른 기판 처리 장치는, 전처리 라인과, 도포 라인과, 현상 라인과, 세정 라인을 구비한다. 전처리 라인은 기판에 전처리를 행한다. 도포 라인은 전처리 라인의 하방에 배치되고, 전처리가 행해진 기판에 포토레지스트액을 도포한다. 현상 라인은 포토레지스트액이 도포된 기판을 현상한다. 세정 라인은 현상 라인의 상방에 배치되고, 현상된 기판을 세정한다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTATE PROCESSING METHOD}
본 개시는, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
특허문헌 1에는, 제1 반송 라인을 따라 기판을 반송하면서, 포토레지스트막을 기판에 형성하고, 기판이 노광된 후에 제2 반송 라인을 따라 기판을 반송하면서, 현상 처리를 기판에 행하는 것이 개시되어 있다.
일본 특허 공개 공보 제2007-158253호
본 개시는, 기판 처리 장치의 전체 길이를 짧게 하는 기술을 제공한다.
본 개시의 일 양태에 의한 기판 처리 장치는, 전처리 라인과, 도포 라인과, 현상 라인과, 세정 라인을 구비한다. 전처리 라인은 기판에 전처리를 행한다. 도포 라인은 전처리 라인의 하방에 배치되고, 전처리가 행해진 기판에 포토레지스트액을 도포한다. 현상 라인은 포토레지스트액이 도포된 기판을 현상한다. 세정 라인은 현상 라인의 상방에 배치되고, 현상된 기판을 세정한다.
본 개시에 의하면, 기판 처리 장치의 전체 길이를 짧게 할 수 있다.
도 1은, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 평면도이다.
도 2는, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 일부의 개략 구성을 나타내는 우측방 도면 (1)이다.
도 3은, 도 1의 III-III 단면에 있어서의 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 도면이다.
도 4는, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 일부의 개략 구성을 나타내는 우측방 도면 (2)이다.
도 5는, 제1 실시형태에 따른 기판 처리를 나타내는 플로우 차트이다.
도 6a는, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 있어서의 기판의 반송 경로를 나타내는 도면 (1)이다.
도 6b는, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 있어서의 기판의 반송 경로를 나타내는 도면 (2)이다.
도 6c는, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 있어서의 기판의 반송 경로를 나타내는 도면 (3)이다.
도 6d는, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 있어서의 기판의 반송 경로를 나타내는 도면 (4)이다.
도 6e는, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 있어서의 기판의 반송 경로를 나타내는 도면 (5)이다.
도 6f는, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 있어서의 기판의 반송 경로를 나타내는 도면 (6)이다.
도 6g는, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 있어서의 기판의 반송 경로를 나타내는 도면 (7)이다.
도 6h는, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 있어서의 기판의 반송 경로를 나타내는 도면 (8)이다.
도 6i는, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 있어서의 기판의 반송 경로를 나타내는 도면 (9)이다.
도 7은, 제2 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 평면도이다.
도 8은, 제2 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 제1 열처리에 있어서의 기판의 반송 경로를 나타내는 도면이다.
도 9는, 제3 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 평면도이다.
도 10은, 제3 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 제1 열처리에 있어서의 기판의 반송 경로를 나타내는 도면이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여, 본원이 개시하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법의 실시형태를 상세하게 설명한다. 또, 이하에 나타내는 실시형태에 의해 개시되는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 한정되는 것은 아니다.
이하 참조하는 각 도면에서는, 설명을 알기 쉽게 하기 위해서, 서로 직교하는 X축 방향, Y축 방향 및 Z축 방향을 규정하고, Z축 플러스 방향을 수직 상향 방향으로 하는 직교 좌표계를 나타낸다. X축 방향, 및 Y축 방향을 포함하는 면방향은 수평 방향이다.
또한, 여기서는, X축 플러스 방향을 전방으로 하고 X축 마이너스 방향을 후방으로 하는 전후 방향을 규정하고,, Y 축 마이너스 방향를 우방으로 하고 Y축 플러스 방향을 좌방으로 하는 좌우 방향을 규정한다. 또한, Z축 플러스 방향을 상방으로 하고 Z 축 마이너스 방향를 하방으로 하는 상하 방향을 규정한다.
(제1 실시형태)
<전체 구성>
제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)에 관해서 도 1∼도 4를 참조하여 설명한다. 도 1은, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)의 개략 구성을 나타내는 평면도이다. 도 2는, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)의 일부의 개략 구성을 나타내는 우측방 도면 (1)이다. 도 3은, 도 1의 III-III 단면에 있어서의 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)의 개략 구성을 나타내는 도면이다. 도 4는, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)의 일부의 개략 구성을 나타내는 우측방 도면 (2)이다.
기판 처리 장치(1)는, 카세트 스테이션(2)과, 제1 처리 라인(3)과, 제2 처리 라인(4)과, 제3 처리 라인(5)과, 제4 처리 라인(6)과, 열처리 유닛(7)과, 인터페이스 스테이션(8)과, 제어 장치(9)를 구비한다.
카세트 스테이션(2)에는, 복수의 유리 기판(S)(이하, 「기판(S)」이라고 칭함)을 수용하는 카세트(C)가 배치된다. 카세트 스테이션(2)은, 복수의 카세트(C)를배치할 수 있는 배치대(10)와, 카세트(C)와 제1 처리 라인(3)의 사이, 및 후술하는 검사 유닛(IP)(63)과 카세트(C)의 사이에서 기판(S)의 반송을 행하는 반송 장치(11)를 구비한다.
반송 장치(11)는, 반송 아암(11a)을 구비한다. 반송 아암(11a)은, 수평 방향(전후 방향, 및 좌우 방향) 및 수직 방향으로의 이동이 가능하다. 또한, 반송 장치(11)는, 수직축을 중심으로 하는 선회가 가능하다.
제1 처리 라인(3)(전처리 라인의 일례)은, 기판(S)에 전처리를 행한다. 제1 처리 라인(3)은, 전세정 라인(3A)와, 소수(疏水) 처리 라인(3B)을 구비한다. 전세정 라인(3A)은, 카세트 스테이션(2)으로부터 반송되는 기판(S)을 세정하는 세정 처리(전처리의 일례)를 행한다.
전세정 라인(3A)에는, 엑시머 UV 조사 유닛(e-UV)(20)과, 스크럽 세정 유닛(SCR)(21)이 포함된다. 엑시머 UV 조사 유닛(20), 및 스크럽 세정 유닛(21)은, 엑시머 UV 조사 유닛(20), 및 스크럽 세정 유닛(21)의 순서로 X축 플러스 방향을 따라 배치된다.
엑시머 UV 조사 유닛(20)은, 자외역광을 발하는 자외역광 램프로부터 기판(S)에 대하여 자외역광을 조사하고, 기판(S) 상에 부착된 유기물을 제거한다.
스크럽 세정 유닛(21)은, 유기물이 제거된 기판(S)에, 세정액(예컨대, 탈이온수(DIW))을 공급하면서, 브러시 등의 세정 부재에 의해서 기판(S)의 표면을 세정한다. 또한 스크럽 세정 유닛(21)은, 블로워 등에 의해서 세정된 기판(S)을 건조시킨다.
전세정 라인(3A)에서는, 기판(S)은 X축 플러스 방향을 따라 평류(平流) 반송된다. 예컨대, 기판(S)은, 롤러 반송 기구(14)에 의해서 반송된다. 롤러 반송 기구(14)는, 복수의 롤러(14a)를 구동 장치(도시하지 않음)로 회전시킴으로써 기판(S)을 반송한다. 롤러 반송 기구(14)는, 도 2에 있어서 일부를 기재하고, 다른 것은 생략한다. 평류 반송이란, 기판(S)이 수평으로 유지된 상태로, 소정의 방향, 예컨대, X축 방향, 또는 Y축 방향을 따라 반송되는 것이다. 또, 기판(S)은, 컨베이어 반송 기구 등에 의해서 평류 반송되어도 좋다.
소수 처리 라인(3B)은, 전세정 라인(3A)에 의해서 세정된 기판(S)에 소수 처리를 행한다. 소수 처리 라인(3B)은, 전세정 라인(3A)에 대하여 좌우 방향으로 병렬로 배치된다. 구체적으로는, 소수 처리 라인(3B)은, 전세정 라인(3A)의 좌방에 배치된다. 소수 처리 라인(3B)은, 전세정 라인(3A)에 병렬로 배치되고, 전세정 라인(3A)에 의해서 세정된 기판(S)에 소수 처리를 행한다.
소수 처리 라인(3B)에는, 프리 히트 유닛(PH)(22)과, 어드히전 유닛(AD)(23)과, 제1 냉각 유닛(COL)(24)이 포함된다.
프리 히트 유닛(22), 어드히전 유닛(23), 및 제1 냉각 유닛(24)은, 프리 히트 유닛(22), 어드히전 유닛(23), 및 제1 냉각 유닛(24)의 순서로 X축 마이너스 방향을 따라 배치된다.
프리 히트 유닛(22)은, 스크럽 세정 유닛(21)에 의해서 건조된 기판(S)을 가열하고, 기판(S)을 더욱 건조시킨다.
어드히전 유닛(23)은, 건조된 기판(S)에 헥사메틸디실란(HMDS)을 분사하여, 기판(S)에 소수 처리를 행한다.
제1 냉각 유닛(24)은, 소수 처리가 행해진 기판(S)에 냉풍을 분사하여 기판(S)을 냉각한다.
전세정 라인(3A)과 소수 처리 라인(3B)의 사이에는, 전세정 라인(3A)으로부터 소수 처리 라인(3B)에 기판(S)을 반송하는 컨베이어 반송 기구(COV)(70)가 설치된다. 컨베이어 반송 기구(70)는, 전세정 라인(3A)의 스크럽 세정 유닛(21)으로부터 소수 처리 라인(3B)의 프리 히트 유닛(22)에 기판(S)을 반송한다.
소수 처리 라인(3B)에서는, 기판(S)은, X축 마이너스 방향을 따라 평류 반송된다. 예컨대, 기판(S)은 롤러 반송 기구(14)에 의해서 반송된다.
제2 처리 라인(4)은, 기판(S)에 포토레지스트액을 도포하고, 포토레지스트막을 형성하는 형성 처리를 행한다. 제2 처리 라인(4)은, 제1 처리 라인(3), 구체적으로는, 소수 처리 라인(3B)의 하방에 배치된다. 즉, 제2 처리 라인(4)(도포 라인의 일례)은, 전처리 라인, 구체적으로는 소수 처리 라인(3B)의 하방에 배치되고, 전처리가 행해진 기판(S)에 포토레지스트액(처리액의 일례)을 도포한다.
제2 처리 라인(4)에는, 포토레지스트 도포 유닛(CT)(25)이 포함된다. 포토레지스트 도포 유닛(25)은, 기판(S) 상에 포토레지스트액을 도포하고, 기판(S) 상에 포토레지스트막을 형성한다.
소수 처리 라인(3B)과 제2 처리 라인(4)의 사이에는, 소수 처리 라인(3B)으로부터 제2 처리 라인(4)에 기판(S)을 반송하는 컨베이어 반송 기구(COV)(71)가 설치된다. 컨베이어 반송 기구(71)는, 상하 방향으로 기판(S)을 반송할 수 있고, 소수 처리 라인(3B)의 제1 냉각 유닛(24)으로부터 제2 처리 라인(4)의 포토레지스트 도포 유닛(25)에 기판(S)을 반송한다.
제2 처리 라인(4)에서는, 기판(S)은 X축 플러스 방향을 따라 평류 반송된다. 예컨대, 기판(S)은, 부상(浮上)식의 반송 기구(도시하지 않음)에 의해서 반송된다. 부상식의 반송 기구는, 예컨대, 좌우 방향의 양단에서 기판(S)을 하방으로부터 지지하고, 기판(S)을 향해서 하방으로부터 압축 공기를 분사하여 기판(S)을 수평으로 유지하면서, 기판(S)을 이동시킨다. 또, 제2 처리 라인(4)에서는, 포토레지스트액을 도포하는 개소 부근의 기판(S)의 반송에 부상식의 반송 기구가 이용되고, 그 밖의 개소에서는 기판(S)의 반송에, 예컨대, 롤러 반송 기구(14)가 이용되어도 좋다.
열처리 유닛(7)은, 포토레지스트막이 형성된 기판(S)에 제1 열처리를 행한다. 열처리 유닛(7)은, 제2 처리 라인(4)에 대하여 X축 플러스 방향측에 배치된다.
열처리 유닛(7)은, 감압 건조 유닛(DP)(30)과, 제1 가열 유닛(PE/BAKE)(31)과, 제2 냉각 유닛(COL)(32)을 구비한다.
감압 건조 유닛(30)은, 포토레지스트 도포 유닛(25)에 대하여 X축 플러스 방향측에 인접하여 배치된다. 감압 건조 유닛(30)은, 상하 방향으로 복수단 배치된다. 상하 방향으로 배치된 감압 건조 유닛(30)의 사이에는, 포토레지스트 도포 유닛(25)으로부터 기판(S)이 반송되고, 제1 반송부(15)에 기판(S)을 전달하는 반송로(30a)가 형성된다. 또, 반송로(30a)는, 상하 방향으로 배치된 감압 건조 유닛(30)의 사이가 아니라, 감압 건조 유닛(30)의 상방, 또는 하방에 형성되어도 좋다.
감압 건조 유닛(30)은, 포토레지스트막이 형성된 기판(S)이 제1 반송부(15)에 의해서 반송되고, 기판(S) 상에 형성된 포토레지스트막을 감압 분위기하에서 건조시킨다.
제1 가열 유닛(31)은, 감압 건조 유닛(30)에 대하여 X축 플러스 방향측에 배치된다. 제1 가열 유닛(31)과 감압 건조 유닛(30)의 사이에는, 제1 반송부(15)가 배치된다.
제1 가열 유닛(31)은, 상하 방향으로 복수단 배치된다. 제1 가열 유닛(31)은, 포토레지스트막이 형성된 기판(S)을 가열한다. 제1 가열 유닛(31)은, 포토레지스트막이 건조된 기판(S)이 제1 반송부(15)에 의해서 감압 건조 유닛(30)으로부터 반송된다.
제1 가열 유닛(31)은, 기판(S)을 가열하고, 포토레지스트막에 포함되는 용제 등을 제거한다. 제1 가열 유닛(31)은, 플레이트식의 가열 유닛이며, 기판(S)이 플레이트(도시하지 않음)에 배치된 상태로, 플레이트를 가열함으로써 기판(S)을 가열한다.
제2 냉각 유닛(32)은, 제1 가열 유닛(31)의 상방에 배치되고, 제1 가열 유닛(31)에 의해서 가열된 기판(S)을 냉각한다. 제2 냉각 유닛(32)은, 제2 반송부(8A)에 의해서 제1 가열 유닛(31)으로부터 반송된 기판(S)에 냉풍을 분사하여 기판(S)을 냉각한다.
제2 냉각 유닛(32)은, 전후 방향의 양단에 개구부(도시하지 않음)를 갖고 있고, 전방으로부터 제1 반송부(15)에 의해서 기판(S)을 반입할 수 있다. 또한, 제2 냉각 유닛(32)은, 후방으로부터 제2 반송부(8A)에 의해서 기판(S)을 반출할 수 있다.
제1 반송부(15)는, 전후 방향으로 신축 가능한 반송 아암(SA)(15A)을 구비한다. 또한, 제1 반송부(15)는, 상하 방향을 따른 이동, 및 수직축을 중심으로 하는 선회가 가능하다.
인터페이스 스테이션(8)은, 제2 냉각 유닛(32)에 대하여 X축 플러스 방향측에 인접하여 배치된다. 구체적으로는, 인터페이스 스테이션(8)은, 제2 냉각 유닛(32)과 노광 시스템(60)의 노광 장치(61)의 사이에 배치된다. 인터페이스 스테이션(8)은, 제2 반송부(8A)와, 로터리 스테이지(ROT)(8B)를 구비한다.
제2 반송부(8A)는, 전후 방향, 및 좌우 방향으로 신축 가능한 반송 아암(SA)(8C)을 구비한다. 또한, 제2 반송부(8A)는, 상하 방향, 및 좌우 방향을 따른 이동, 및 수직축을 중심으로 하는 선회가 가능하다.
제2 반송부(8A)는, 노광 시스템(60)에 기판(S)을 반송하는 제1 반송 처리를 행한다. 제2 반송부(8A)는, 열처리 유닛(7)의 제2 냉각 유닛(32)으로부터 로터리 스테이지(8B)에 기판(S)을 반송한다. 또한, 제2 반송부(8A)는, 로터리 스테이지(8B)로부터 노광 시스템(60)의 노광 장치(61)에 기판(S)을 반송한다. 또한, 제2 반송부(8A)는, 노광 장치(61)로부터 노광 시스템(60)의 주변 장치(62)에 기판(S)을 반송한다.
로터리 스테이지(8B)는, 기판(S)을 수평 방향으로 90도 회전시킨다. 또, 로터리 스테이지(8B)는, 기판(S)의 온도를 조정하는 온도 조절 장치를 설치해도 좋다.
노광 시스템(60)은, 노광 장치(61)와, 주변 장치(EE/TITLER)(62)를 구비한다.
노광 장치(61)는, 회로 패턴에 대응한 패턴을 갖는 포토마스크를 이용하여 포토레지스트막을 노광한다.
주변 장치(62)는, 열처리 유닛(7), 및 인터페이스 스테이션(8)의 좌방에 배치된다. 주변 장치(62)는, 주변 노광 장치(EE)와 타이틀러(TITLER)를 구비한다. 주변 노광 장치는, 기판(S)의 외주부의 포토레지스트막을 제거한다. 타이틀러는, 노광 장치(61)에서 회로 패턴에 노광된 기판(S)에 소정의 정보를 기록한다.
주변 장치(62)에 의해서 소정의 정보의 기록 등이 행해진 기판(S)은, 주변 장치(62)에 대하여 X축 마이너스 방향측에 인접하여 배치된 반송로(62a)에 의해서 반송된다. 반송로(62a)에서는, 기판(S)은 X축 마이너스 방향을 따라 평류 반송된다.
제3 처리 라인(5)은, 열처리 유닛(7)의 좌방에 배치된다. 제3 처리 라인(5)은, 현상 라인(5A)와, 후세정 라인(5B)을 구비한다.
현상 라인(5A)은, 노광 장치(61)에 의해서 노광된 기판(S)에 현상 처리를 행한다. 즉, 현상 라인(5A)은, 포토레지스트액이 도포된 기판(S)을 현상한다. 현상 라인(5A)은, 노광된 기판(S)이 반송되는 주변 장치(62)(외부 장치의 일례)의 상방에 배치된다. 현상 라인(5A)에는, 제3 반송부(16)에 의해서 반송로(62a)로부터 기판(S)이 반송된다.
현상 라인(5A)에는, 현상 유닛(40)(DEV)이 포함된다. 현상 유닛(40)은, 제3 반송부(16)에 의해서 반송로(62a)로부터 반송된 기판(S)에 대하여, 노광된 포토레지스트막을 현상액에 의해 현상한다.
현상 라인(5A)에서는, 기판(S)은 X축 플러스 방향을 따라 평류 반송된다. 예컨대, 기판(S)은, 롤러 반송 기구(14)에 의해서 반송된다.
후세정 라인(5B)은, 현상 처리가 행해진 기판(S)에 세정 처리를 행한다. 후세정 라인(5B)은, 현상 라인(5A)의 상방에 배치된다. 즉, 주변 장치(62), 현상 라인(5A), 및 후세정 라인(5B)은 상하 방향으로 나란하게 배치되고, 하방으로부터, 주변 장치(62), 현상 라인(5A), 및 후세정 라인(5B)의 순서로 배치된다. 후세정 라인(5B)(세정 라인의 일례)은, 현상 라인(5A)의 상방에 배치되고, 현상된 기판(S)을 세정한다.
후세정 라인(5B)에서는, 기판(S)은 X축 마이너스 방향을 따라 평류 반송된다. 예컨대, 기판(S)은, 롤러 반송 기구(14)에 의해서 반송된다.
후세정 라인(5B)에는, 세정 유닛(RIN)(41)과, 건조 유닛(DRY)(42)이 포함된다. 세정 유닛(41), 및 건조 유닛(42)은, 세정 유닛(41), 및 건조 유닛(42)의 순서로 X축 마이너스 방향을 따라 배치된다.
세정 유닛(41)은, 포토레지스트막을 현상한 기판(S) 상의 현상액을 세정액(예컨대, 탈이온수(DIW))에 의해서 씻어 낸다. 건조 유닛(42)은, 세정액에 의해서 씻어 낸 기판(S) 상의 세정액을 건조시킨다.
현상 라인(5A)과 후세정 라인(5B)의 사이에는, 현상 라인(5A)으로부터 후세정 라인(5B)에 기판(S)을 반송하는 컨베이어 반송 기구(72)가 설치된다. 컨베이어 반송 기구(72)는, 상하 방향으로 기판(S)을 반송할 수 있고, 현상 라인(5A)의 현상 유닛(40)으로부터 후세정 라인(5B)의 세정 유닛(41)에 기판(S)을 반송한다.
제4 처리 라인(6)은, 후세정 라인(5B)에 의해서 세정된 기판(S)에 제2 열처리를 행한다. 제4 처리 라인(6)은, 가열 라인(6A)과, 냉각 라인(6B)을 구비한다. 가열 라인(6A), 및 냉각 라인(6B)은, 상하 방향으로 적층된다. 즉, 제4 처리 라인(6)(열처리 라인의 일례)은, 후세정 라인(5B)(세정 라인의 일례)에 의해서 세정된 기판(S)에 열처리를 행하고, 상하 방향으로 적층하여 배치된다.
가열 라인(6A)은, 세정된 기판(S)을 가열하는 가열 처리를 행한다. 가열 라인(6A)은, 후세정 라인(5B)에 대하여 X축 마이너스 방향으로 연속 배치된다. 가열 라인(6A)(열처리 라인의 일례)의 일부는, 제3 반송부(16)(반송부의 일례)의 상방에 배치된다. 가열 라인(6A)에서는, 기판(S)은 X축 마이너스 방향을 따라 평류 반송된다. 예컨대, 기판(S)은, 롤러 반송 기구(14)에 의해서 반송된다.
가열 라인(6A)은, 제2 가열 유닛(PO/BAKE)(50)을 포함한다. 제2 가열 유닛(50)은, 현상 처리가 행해진 기판(S)을 가열한다. 제2 가열 유닛(50)은, 린스액이 건조된 기판(S)을 가열하고, 포토레지스트막에 남는 용제, 및 린스액을 제거한다.
냉각 라인(6B)은, 가열된 기판(S)을 냉각하는 냉각 처리를 행한다. 냉각 라인(6B)은, 가열 라인(6A)의 하방에 배치된다. 냉각 라인(6B)에서는, 기판(S)은 X축 플러스 방향을 따라 평류 반송된다. 예컨대, 기판(S)은, 롤러 반송 기구(14)에 의해서 반송된다.
냉각 라인(6B)은, 제3 냉각 유닛(COL)(51)을 포함한다. 제3 냉각 유닛(51)은, 제2 가열 유닛(50)에 의해서 가열된 기판(S)을 냉각한다. 제3 냉각 유닛(51)은, 기판(S)에 냉풍을 분사하여 기판(S)을 냉각한다.
가열 라인(6A)과 냉각 라인(6B)의 사이에는, 가열 라인(6A)으로부터 냉각 라인(6B)에 기판(S)을 반송하는 컨베이어 반송 기구(73)가 설치된다. 컨베이어 반송 기구(73)는, 상하 방향으로 기판(S)을 반송할 수 있고, 가열 라인(6A)의 제2 가열 유닛(50)으로부터 냉각 라인(6B)의 제3 냉각 유닛(51)에 기판(S)을 반송한다.
제3 냉각 유닛(51)에 의해서 냉각된 기판(S)은, 제3 반송부(16)에 의해서 검사 유닛(63)에 반송된다. 검사 유닛(63)은, 냉각 라인(6B)의 하방에 배치된다. 검사 유닛(63)은, 포토레지스트 패턴(라인)의 한계 치수(CD)의 측정 등의 검사를 행한다. 검사 유닛(63)에 의해서 검사가 행해진 기판(S)은, 카세트 스테이션(2)에 반송된다.
제3 반송부(16)는, 전후 방향으로 신축 가능한 반송 아암(SA)(16A)을 구비한다. 제3 반송부(16)는, 상하 방향을 따른 이동, 및 수직축을 중심으로 하는 선회가 가능하다.
제3 반송부(16)는, 주변 장치(62)(외부 장치의 일례)에 의해서 처리가 행해진 기판(S)을 현상 라인(5A)에 반송함과 함께, 후세정 라인(5B)(세정 라인의 일례)에 의해서 세정된 후의 기판(S)을 반송한다. 구체적으로는, 제3 반송부(16)는, 주변 장치(62)에 대하여 X축 마이너스 방향에 배치된 반송로(62a)로부터 현상 라인(5A)의 현상 유닛(40)에 기판(S)을 반송한다. 또한, 제3 반송부(16)는, 세정 유닛(41)에 의해서 세정된 후에 제4 처리 라인(6)에 의해서 열처리된 기판(S)을, 제3 냉각 유닛(51)으로부터 검사 유닛(63)에 반송한다.
또, 반송로(62a)의 상방에는, 기판(S)을 일시적으로 배치할 수 있는 버퍼부(17)가 배치된다. 버퍼부(17)에는, 제3 반송부(16)에 의해서 기판(S)이 반입, 또는 반출된다. 반송로(62a)로부터 현상 유닛(40)에 기판(S)이 반송되는 경우나, 제3 냉각 유닛(51)으로부터 검사 유닛(63)에 기판(S)이 반송되는 경우에, 기판(S)이 일시적으로 버퍼부(17)에 배치된다. 이것에 의해, 예컨대, 검사 유닛(63)에 있어서 검사에 지연이 생긴 경우에, 기판 처리 장치(1)는, 열처리가 종료된 기판(S)을 버퍼부(17)에 일시적으로 배치하고, 기판(S)에 대한 열처리나, 현상 처리 등을 계속하여 행할 수 있다.
제어 장치(9)는, 예컨대, 컴퓨터이며, 제어부(9A)와 기억부(9B)를 구비한다. 기억부(9B)는, 예컨대, RAM(Random Access Memory), 플래시 메모리(Flash Memory) 등의 반도체 메모리 소자, 또는, 하드 디스크, 광디스크 등의 기억 장치에 의해서 실현된다.
제어부(9A)는, CPU(Central Processing Unit), ROM(Read Only Memory), RAM, 입출력 포트 등을 포함하는 마이크로 컴퓨터나 각종 회로를 포함한다. 마이크로 컴퓨터의 CPU는, ROM에 기억되어 있는 프로그램을 판독하여 실행함으로써, 카세트 스테이션(2)이나, 각 라인(3∼6) 등의 제어를 실현한다.
또, 프로그램은, 컴퓨터에 의해서 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있고, 기억 매체로부터 제어 장치(9)의 기억부(9B)에 인스톨된 것이라도 좋다. 컴퓨터에 의해서 판독 가능한 기억 매체로서는, 예를 들면 하드디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 컴팩트 디스크(CD), 마그넷 광디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다.
<기판 처리>
다음으로, 제1 실시형태에 따른 기판 처리에 관해서 도 5, 및 도 6a∼도 6h를 참조하여 설명한다. 도 5는, 제1 실시형태에 따른 기판 처리를 나타내는 플로우 차트이다. 도 6a∼도 6h는, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)에 있어서의 기판(S)의 반송 경로를 나타내는 도면 (1)∼(8)이다.
기판 처리 장치(1)는, 전처리를 행한다(S10). 구체적으로는, 기판 처리 장치(1)는, 도 6a에 나타내는 바와 같이, 카세트 스테이션(2)으로부터 전세정 라인(3A)에 기판(S)을 반송한다. 기판 처리 장치(1)는, 전세정 라인(3A)에 의해서 기판(S)에 세정 처리를 행하고, 세정 처리 후에 기판(S)을 컨베이어 반송 기구(70)에 의해서 소수 처리 라인(3B)에 반송한다. 그리고, 기판 처리 장치(1)는, 소수 처리 라인(3B)에 의해서 기판(S)에 소수 처리를 행한다.
기판 처리 장치(1)는, 포토레지스트막의 형성 처리를 행한다(S11). 구체적으로는, 기판 처리 장치(1)는, 도 6b에 나타내는 바와 같이, 컨베이어 반송 기구(71)에 의해서 기판(S)을 하방으로 이동시키고, 소수 처리 라인(3B)으로부터 제2 처리 라인(4)에 기판(S)을 반송한다. 그리고, 기판 처리 장치(1)는, 제2 처리 라인(4)의 포토레지스트 도포 유닛(25)에 의해서 기판(S)에 포토레지스트액을 도포하고, 기판(S)에 포토레지스트막을 형성한다. 기판 처리 장치(1)는, 포토레지스트막이 형성된 기판(S)을 반송로(30a)에 반송한다.
기판 처리 장치(1)는, 제1 열처리를 행한다(S12). 구체적으로는, 기판 처리 장치(1)는, 도 6c에 나타내는 바와 같이, 제1 반송부(15)에 의해서 기판(S)을 반송로(30a)로부터 감압 건조 유닛(30)에 반송하고, 감압 건조 유닛(30)에 의해서 기판(S)을 감압 건조시킨다. 그리고, 기판 처리 장치(1)는, 감압 건조시킨 기판(S)을 제1 반송부(15)에 의해서 제1 가열 유닛(31)에 반송하고, 제1 가열 유닛(31)에 의해서 기판(S)을 가열한다.
또한, 기판 처리 장치(1)는, 도 6d에 나타내는 바와 같이, 제1 가열 유닛(31)에 의해서 가열된 기판(S)을, 제1 반송부(15)에 의해서 제1 가열 유닛(31)의 상방에 배치된 제2 냉각 유닛(32)에 반송한다. 그리고, 기판 처리 장치(1)는, 제2 냉각 유닛(32)에 의해서 기판(S)을 냉각한다.
기판 처리 장치(1)는, 제1 반송 처리를 행한다(S13). 구체적으로는, 기판 처리 장치(1)는, 도 6e에 나타내는 바와 같이, 제2 반송부(8A)에 의해서 기판(S)을 제2 냉각 유닛(32)으로부터 로터리 스테이지(8B)에 반송하고, 로터리 스테이지(8B)로부터 기판(S)을 90도 회전시킨다. 기판 처리 장치(1)는, 제2 반송부(8A)에 의해서 로터리 스테이지(8B)로부터 노광 장치(61)에 기판(S)을 반송한다. 그리고, 기판 처리 장치(1)는, 제2 반송부(8A)에 의해서 기판(S)을 노광 장치(61)로부터 주변 장치(62)에 반송한다.
기판 처리 장치(1)는, 현상 처리를 행한다(S14). 구체적으로는, 기판 처리 장치(1)는, 도 6f에 나타내는 바와 같이, 기판(S)을 주변 장치(62)로부터 반송로(62a)에 반송하고, 제3 반송부(16)에 의해서 반송로(62a)로부터 제3 처리 라인(5)의 현상 라인(5A)에 반송한다. 그리고, 기판 처리 장치(1)는, 현상 유닛(40)에 의해서 기판(S)을 현상한다.
기판 처리 장치(1)는, 세정 처리를 행한다(S15). 구체적으로는, 기판 처리 장치(1)는, 도 6g에 나타내는 바와 같이, 기판(S)을 컨베이어 반송 기구(72)에 의해서 상방으로 이동시키고, 기판(S)을 현상 라인(5A)으로부터 후세정 라인(5B)에 반송한다. 그리고, 기판 처리 장치(1)는, 세정 유닛(41)에 의해서 기판(S)을 씻어 내고, 건조 유닛(42)에 의해서 기판(S)을 건조시킨다.
기판 처리 장치(1)는, 제2 열처리를 행한다(S16). 구체적으로는, 기판 처리 장치(1)는, 린스액을 건조시킨 기판(S)을, 도 6h에 나타내는 바와 같이, 제3 처리 라인(5)의 후세정 라인(5B)으로부터 제4 처리 라인(6)의 가열 라인(6A)에 반송한다. 기판 처리 장치(1)는, 기판(S)을 제2 가열 유닛(50)에 의해서 가열한다. 기판 처리 장치(1)는, 가열된 기판(S)을 컨베이어 반송 기구(73)에 의해서 하방으로 이동시켜, 가열 라인(6A)으로부터 냉각 라인(6B)에 기판(S)을 반송한다. 그리고, 기판 처리 장치(1)는, 제3 냉각 유닛(51)에 의해서 기판(S)을 냉각한다.
기판 처리 장치(1)는, 제2 반송 처리를 행한다(S17). 구체적으로는, 기판 처리 장치(1)는, 도 6i에 나타내는 바와 같이, 제3 반송부(16)에 의해서 기판(S)을 냉각 라인(6B)으로부터 검사 유닛(63)에 반송한다. 기판 처리 장치(1)는, 검사가 종료된 기판(S)을 카세트 스테이션(2)에 반송한다.
<효과>
기판 처리 장치(1)는, 기판(S)에 전처리를 행하는 제1 처리 라인(3)(전처리 라인의 일례)과, 제1 처리 라인(3)의 하방에 배치되고, 전처리가 행해진 기판(S)에 포토레지스트액을 도포하는 제2 처리 라인(4)(도포 라인의 일례)과, 포토레지스트액이 도포된 기판(S)을 현상하는 현상 라인(5A)과, 현상 라인(5A)의 상방에 배치되고, 현상된 기판(S)을 세정하는 후세정 라인(5B)(세정 라인의 일례)을 구비한다.
바꾸어 말하면, 기판 처리 장치(1)는, 기판 처리 방법으로서, 제1 처리 라인(3)(전처리 라인의 일례)에 의해서 기판(S)에 전처리를 행하는 공정과, 전처리가 행해진 기판(S)에, 제1 처리 라인(3)의 하방에 배치된 제2 처리 라인(4)(도포 라인의 일례)에 의해서 포토레지스트액을 도포하는 공정과, 포토레지스트액이 도포된 기판(S)을 현상 라인(5A)에서 현상하는 공정과, 현상된 기판(S)을, 현상 라인(5A)의 상방에 배치된 후세정 라인(5B)(세정 라인의 일례)에서 세정하는 공정을 포함한다.
이것에 의해, 기판 처리 장치(1)는, 제1 처리 라인(3)과 제2 처리 라인(4)을 상하 방향으로 나란하게 배치함으로써, 기판(S)을 세정하고, 포토레지스트막을 형성하는 라인에 있어서의 전후 방향의 길이를 짧게 할 수 있다. 또한, 기판 처리 장치(1)는, 현상 라인(5A)과 후세정 라인(5B)을 상하 방향으로 나란하게 배치함으로써, 기판(S)을 현상하고, 세정하는 라인에 있어서의 전후 방향의 길이를 짧게 할 수 있다. 그 때문에, 기판 처리 장치(1)는, 전후 방향의 길이, 즉, 기판 처리 장치(1)의 전체 길이를 짧게 할 수 있다.
또한, 제1 처리 라인(3)(전처리 라인의 일례)은, 기판(S)을 세정하는 전세정 라인(3A)과, 전세정 라인(3A)에 병렬로 배치되고, 전세정 라인(3A)에 의해서 세정된 기판(S)에 소수 처리를 행하는 소수 처리 라인(3B)을 구비한다.
이것에 의해, 기판 처리 장치(1)는, 제1 처리 라인(3)의 전후 방향의 길이를 짧게 할 수 있고, 기판 처리 장치(1)의 전체 길이를 짧게 할 수 있다.
또한, 제2 처리 라인(4)(도포 라인의 일례)은, 소수 처리 라인(3B)의 하방에 배치된다.
이것에 의해, 기판 처리 장치(1)는, 기판(S)을 하방으로 이동시킴으로써 기판(S)을 제2 처리 라인(4)에 반송할 수 있고, 기판(S)을 용이하게 제2 처리 라인(4)에 반송할 수 있다. 그 때문에, 기판 처리 장치(1)는, 예컨대, 기판(S)을 하방으로 이동시키는 컨베이어 반송 기구(71)의 구성을 간이하게 할 수 있다.
또한, 현상 라인(5A)은, 노광된 기판(S)이 반송되는 주변 장치(62)(외부 장치의 일례)의 상방에 배치된다.
이것에 의해, 기판 처리 장치(1)는, 주변 장치(62)의 상부의 공간을 유효하게 이용할 수 있고, 장치 전체를 소형화할 수 있다.
또한, 기판 처리 장치(1)는, 주변 장치(62)(외부 장치의 일례)에 의해서 처리가 행해진 기판(S)을 현상 라인(5A)에 반송함과 함께, 후세정 라인(5B)(세정 라인의 일례)에 의해서 세정이 행해진 후의 기판(S)을 반송하는 제3 반송부(16)(반송부의 일례)를 구비한다.
이것에 의해, 기판 처리 장치(1)는, 제3 반송부(16)에 의해서 복수의 반송 경로에 있어서 기판(S)을 반송할 수 있고, 반송부의 수를 적게 하여, 비용을 삭감할 수 있다. 또한, 기판 처리 장치(1)는, 장치 전체를 소형화할 수 있다.
또한, 기판 처리 장치(1)는, 후세정 라인(5B)(세정 라인의 일례)에 의해서 세정된 기판(S)에 열처리를 행하고, 상하 방향으로 적층하여 배치되는 가열 라인(6A), 및 냉각 라인(6B)(열처리 라인의 일례)을 구비한다.
이것에 의해, 기판 처리 장치(1)는, 전후 방향의 길이를 짧게 할 수 있다.
또한, 가열 라인(6A)(열처리 라인의 일부의 일례)은, 제3 반송부(16)(반송부의 일례)의 상방에 배치된다.
이것에 의해, 기판 처리 장치(1)는, 후세정 라인(5B)과 가열 라인(6A)을 전후 방향으로 연속 배치할 수 있다. 그 때문에, 기판 처리 장치(1)는, 예컨대, 후세정 라인(5B)와 가열 라인(6A)을 좌우 방향, 또는 상하 방향으로 적층하지 않고 배치할 수 있다. 따라서, 기판 처리 장치(1)는, 장치 전체를 소형화할 수 있다.
(제2 실시형태)
<전체 구성>
다음으로, 제2 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)에 관해서 도 7을 참조하여 설명한다. 도 7은, 제2 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)의 개략 구성을 나타내는 평면도이다. 여기서는, 제1 실시형태와는 상이한 개소를 중심으로 설명하고, 제1 실시형태와 동일한 구성에 관해서는, 제1 실시형태와 동일한 부호를 붙여, 설명은 생략한다. 제2 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)는, 열처리 유닛(80)이 제1 실시형태와는 상이하다.
열처리 유닛(80)은, 감압 건조 유닛(DP)(81)과, 제1 가열 유닛(PE/BAKE)(82)과, 제2 냉각 유닛(COL)(83)과, 로터리 스테이지(ROT)(84, 85)를 구비한다.
감압 건조 유닛(81)은, 제1 반송부(86)에 대하여 X축 플러스 방향측에 인접하여 배치된다. 제1 가열 유닛(82), 및 제2 냉각 유닛(83)은, 제1 가열 유닛(82), 및 제2 냉각 유닛(83)의 순서로 X축 플러스 방향을 따라 배치된다. 또한, 제1 가열 유닛(82), 및 제2 냉각 유닛(83)과, 감압 건조 유닛(81)은, 좌우 방향으로 나란하게 배치된다. 감압 건조 유닛(81)은, 제2 처리 라인(4)(도포 라인의 일례)의 포토레지스트 도포 유닛(25)으로부터 기판(S)이 반송되고, 기판(S)을 감압 건조시킨다.
제1 가열 유닛(82)은 감압 건조되어, 평류 반송되는 기판(S)을 가열한다. 기판(S)은, 예컨대, 롤러 반송 기구(14)(도 2 참조)에 의해서 X축 플러스 방향을 따라 반송된다. 제1 가열 유닛(82)은, 감압 건조된 기판(S)이 평류 반송되면서, 기판(S)을 가열한다.
제2 냉각 유닛(83)은, 제1 가열 유닛(82)에 의해서 가열되고, X축 플러스 방향을 따라 평류 반송되는 기판(S)을 냉각한다.
이와 같이, 열처리 유닛(80)에서는, 평류 반송되는 기판(S)에 대하여, 제1 가열 유닛(82)에 의한 가열과, 제2 냉각 유닛(83)에 의한 냉각이 연속하여 행해진다.
로터리 스테이지(84)는, 제1 반송부(86)에 대하여 Y 축 마이너스 방향측에 인접하여 배치된다. 로터리 스테이지(84)는, 제1 반송부(86)에 의해서 반송되는 기판(S)을 90도 회전하고, 제1 가열 유닛(82)에 기판(S)을 반송한다.
로터리 스테이지(85)는, 제2 냉각 유닛(83)에 대하여 X축 플러스 방향측에 인접하여 배치된다. 로터리 스테이지(85)는, 제2 냉각 유닛(83)에 의해서 냉각된 기판(S)이 반송되고, 기판(S)을 90도 회전한다.
열처리 유닛(80)에서는, 감압 건조 유닛(81)은, 제1 가열 유닛(82)에 있어서의 기판(S)의 반송 방향에 직교하는 방향인 좌우 방향으로, 제1 가열 유닛(82)과 나란하게 배치된다.
제1 반송부(86)는, 전후 방향, 및 좌우 방향으로 신축 가능한 반송 아암(86A)을 구비한다. 제1 반송부(86)는, 제2 처리 라인(4)의 포토레지스트 도포 유닛(25)으로부터 감압 건조 유닛(81)에 기판(S)을 반송한다. 또한, 제1 반송부(86)는, 감압 건조 유닛(81)으로부터 로터리 스테이지(84)에 기판(S)을 반송한다.
인터페이스 스테이션(8)의 제2 반송부(8A)는, 로터리 스테이지(85)로부터 노광 시스템(60)의 노광 장치(61)에 기판(S)을 반송한다.
기판 처리 장치(1)는, 제1 열처리에 있어서, 도 8에 나타내는 바와 같이, 제1 반송부(86)에 의해서 제2 처리 라인(4)의 포토레지스트 도포 유닛(25)으로부터 감압 건조 유닛(81)에 기판(S)을 반송한다. 도 8은, 제2 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)의 제1 열처리에 있어서의 기판(S)의 반송 경로를 나타내는 도면이다. 또, 도 8에서는, 설명을 위해 제1 처리 라인(3)의 소수 처리 라인(3B)을 생략하고 있다.
기판 처리 장치(1)는, 감압 건조 유닛(81)에 의해서 건조시킨 기판(S)을 제1 반송부(86)에 의해서 로터리 스테이지(84)에 반송한다. 기판 처리 장치(1)는, 로터리 스테이지(84)에 의해서 기판(S)을 90도 회전시킨 후에, 기판(S)을 제1 가열 유닛(82)에 반송한다. 그리고, 기판 처리 장치(1)는, 제1 가열 유닛(82)에 의해서 기판(S)을 가열하고, 제2 냉각 유닛(83)에 의해서 기판을 냉각한다.
기판 처리 장치(1)는, 제2 냉각 유닛(83)에 의해서 냉각한 기판(S)을 로터리 스테이지(85)에 반송하고, 로터리 스테이지(85)에서 기판(S)을 90도 회전한다. 또, 로터리 스테이지(85)의 상방에, 기판(S)을 일시적으로 배치하는 버퍼부를 설치해도 좋다.
<효과>
기판 처리 장치(1)는, 제2 처리 라인(4)(도포 라인의 일례)으로부터 기판(S)이 반송되고 기판(S)을 감압 건조시키는 감압 건조 유닛(81)과, 감압 건조되어 평류 반송되는 기판(S)을 가열하는 제1 가열 유닛(82)(가열 유닛의 일례)을 구비한다. 감압 건조 유닛(81)은, 제1 가열 유닛(82)에 있어서의 기판(S)의 반송 방향에 직교하는 방향으로 제1 가열 유닛(82)과 나란하게 배치된다. 이것에 의해, 기판 처리 장치(1)는, 전후 방향의 길이를 짧게 할 수 있다.
(제3 실시형태)
<전체 구성>
다음으로, 제3 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)에 관해서 도 9를 참조하여 설명한다. 도 9는, 제3 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)의 개략 구성을 나타내는 평면도이다. 여기서는, 제1 실시형태와는 상이한 개소를 중심으로 설명하고, 제1 실시형태와 동일한 구성에 관해서는, 제1 실시형태와 동일한 부호를 붙여, 설명은 생략한다.
제3 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)는, 제3 처리 라인(5), 및 제4 처리 라인(6) 등이, 제1 처리 라인(3), 및 제2 처리 라인(4)에 대하여 우방에 배치되어 있다.
또한, 제3 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)는, 열처리 유닛(90)이 제1 실시형태와는 상이하다.
열처리 유닛(90)은, 감압 건조 유닛(DP)(91)과, 제1 가열 유닛(PE/BAKE)(92)과, 제2 냉각 유닛(COL)(93)을 구비한다. 감압 건조 유닛(91)은, 제1 반송부(95)에 대하여 X축 플러스 방향측에 인접하여 배치된다.
제1 가열 유닛(92)은, 제1 반송부(95)에 대하여 X축 마이너스 방향측에 인접하여 배치된다. 즉, 제1 가열 유닛(92)은, 제2 처리 라인(4)의 포토레지스트 도포 유닛(25)과, 제1 반송부(95)의 사이에 배치된다.
제1 가열 유닛(92)은, 상하 방향으로 복수단 배치되어 있고, 제1 가열 유닛(92)의 사이에는, 포토레지스트 도포 유닛(25)으로부터 기판(S)이 반송되고, 제1 반송부(95)에 기판(S)을 전달하는 반송로(96)가 형성된다. 또, 반송로(96)는, 제1 가열 유닛(92)의 상방, 또는 하방에 형성되어도 좋다. 즉, 제1 가열 유닛(92)(가열 유닛의 일례)은, 제2 처리 라인(4)(도포 라인의 일례)으로부터 기판(S)이 반송되는 반송로(96)에 적층되고, 기판(S)을 가열한다.
제2 냉각 유닛(93)은, 제1 가열 유닛(92)에 의해서 가열된 기판(S)을 냉각한다. 또한, 제2 냉각 유닛(93)은, 기판(S)을 90도 회전시킨다. 즉, 제2 냉각 유닛(93)은, 로터리 스테이지로서의 기능을 갖고 있다.
제1 반송부(95)는 전후 방향, 및 좌우 방향으로 신축 가능한 반송 아암(95A)(SA)을 구비한다. 제1 반송부(95)는, 반송로(96)로부터 감압 건조 유닛(91)에 기판(S)을 반송한다. 또한, 제1 반송부(95)는, 감압 건조 유닛(91)으로부터 제1 가열 유닛(92)에 기판(S)을 반송한다. 또한, 제1 반송부(95)는, 제1 가열 유닛(92)으로부터 제2 냉각 유닛(93)에 기판(S)을 반송한다.
기판 처리 장치(1)는, 제1 열처리에 있어서, 도 10에 나타내는 바와 같이, 제1 반송부(95)에 의해서 제2 처리 라인(4)의 포토레지스트 도포 유닛(25)으로부터 반송로(96)에 반송된 기판(S)을, 제1 반송부(95)에 의해서 반송로(96)로부터 감압 건조 유닛(91)에 반송한다. 도 10은, 제3 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)의 제1 열처리에 있어서의 기판(S)의 반송 경로를 나타내는 도면이다. 또, 도 10에서는, 설명을 위해 제1 처리 라인(3)의 소수 처리 라인(3B)을 생략하고 있다.
기판 처리 장치(1)는, 감압 건조 유닛(91)에 의해서 건조시킨 기판(S)을 제1 반송부(95)에 의해서 감압 건조 유닛(91)으로부터 제1 가열 유닛(92)에 반송한다. 기판 처리 장치(1)는, 제1 가열 유닛(92)에 의해서 가열된 기판(S)을 제1 반송부(95)에 의해서 제1 가열 유닛(92)으로부터 제2 냉각 유닛(93)에 반송한다. 그리고, 기판 처리 장치(1)는, 제2 냉각 유닛(93)에 의해서 기판(S)을 냉각하고, 기판(S)을 90도 회전시킨다.
<효과>
기판 처리 장치(1)는, 제2 처리 라인(4)(도포 라인의 일례)으로부터 기판(S)이 반출되는 반송로(96)에 적층되고, 기판(S)을 가열하는 제1 가열 유닛(92)(가열유닛의 일례)을 구비한다.
이것에 의해, 기판 처리 장치(1)는, 전후 방향의 길이를 짧게 할 수 있다. 기판 처리 장치(1)는, 기판(S)의 사이즈가 크고, 예컨대, 감압시의 내구성을 향상시키기 위해서 감압 건조 유닛(91)의 사이즈가 커지는 경우에, 감압 건조 유닛(91)을 반송로(96)에 적층하지 않고 배치함과 함께, 전후 방향의 길이를 짧게 할 수 있다.
또한, 기판 처리 장치(1)는, 도 10에 있어서 파선으로 나타내는 영역을 메인터넌스 영역으로 할 수 있고, 기판 처리 장치(1)의 메인터넌스를 용이하게 행할 수 있다. 기판 처리 장치(1)는, 중앙 부근에 메인터넌스 영역을 설치할 수 있고, 복수의 유닛의 메인터넌스를 용이하게 행할 수 있다.
<변형예>
다음으로, 본 실시형태의 변형예에 관해서 설명한다.
변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 열처리 유닛(7)에 있어서, 제1 가열 유닛(31)과 제2 냉각 유닛(32)을 상하 방향으로 적층하지 않고서 배치해도 좋다. 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 예컨대, 제1 가열 유닛(31)을 제1 반송부(15)의 우측방에 배치해도 좋다. 이 경우, 제1 반송부(15)는, 전후 방향, 및 좌우 방향으로 신축하는 반송 아암에 의해서 기판(S)을 반송한다.
또한, 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 제2 가열 유닛(50)을 플레이트식의 가열 유닛으로 해도 좋다.
또한, 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 컨베이어 반송 기구(70∼72)에 대신하여 반송 아암을 갖는 반송 기구에 의해서 기판(S)을 반송해도 좋다.
또한, 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 상기 처리의 일부를 행해도 좋다. 예컨대, 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 기판(S)을 제1 처리 라인(3)에 의해서 전처리를 행한 후에, 기판(S)을 카세트 스테이션(2)에 반송해도 좋다. 또한, 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 기판(S)을 제1 처리 라인(3)에 반송하지 않고서, 카세트 스테이션(2)으로부터 제2 처리 라인(4)에 반송해도 좋다.
또한, 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 제3 처리 라인(5)에 의한 처리후, 즉 후세정 라인(5B)의 건조 유닛(42)에 의해서 기판(S)을 건조한 후에, 기판(S)을 검사 유닛(63)에 반송해도 좋다. 이 경우, 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 제3 반송부(16)에 의해서 기판(S)을 건조 유닛(42)으로부터 검사 유닛(63)에 반송한다.
이와 같이, 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 기판(S)에 대한 처리의 일부를 실행해도 좋다. 이것에 의해, 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 기판(S)에 대하여, 여러가지 처리를 개별로 행할 수 있다.
또, 이번 개시된 실시형태는 모든 점에서 예시로서 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 실제로, 상기한 실시형태는 다양한 형태로 구현될 수 있다. 또한, 상기의 실시형태는, 첨부의 청구의 범위 및 그 취지를 일탈하지 않고, 여러가지 형태로 생략, 치환, 변경되어도 좋다.

Claims (11)

  1. 기판에 전처리(前處理)를 행하는 전처리 라인과,
    상기 전처리 라인의 하방에 배치되고, 상기 전처리가 행해진 상기 기판에 포토레지스트액을 도포하는 도포 라인과,
    상기 포토레지스트액이 도포된 상기 기판을 현상하는 현상 라인과,
    상기 현상 라인의 상방에 배치되고, 현상된 상기 기판을 세정하는 세정 라인
    을 구비하는, 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전처리 라인은,
    상기 기판을 세정하는 전세정 라인과,
    상기 전세정 라인에 병렬로 배치되고, 상기 전세정 라인에 의해서 세정된 상기 기판에 소수(疏水) 처리를 행하는 소수 처리 라인을 구비하는, 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 도포 라인은,
    상기 소수 처리 라인의 하방에 배치되는, 기판 처리 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 현상 라인은,
    노광된 상기 기판이 반송되는 외부 장치의 상방에 배치되는, 기판 처리 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 외부 장치에 의해서 처리가 행해진 상기 기판을 상기 현상 라인에 반송하고, 상기 세정 라인에 의해서 세정이 행해진 후의 상기 기판을 반송하는 반송부를 구비하는, 기판 처리 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 세정 라인에 의해서 세정된 상기 기판에 열처리를 행하고, 상하 방향으로 적층하여 배치되는 열처리 라인을 구비하는, 기판 처리 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 열처리 라인의 일부는,
    상기 반송부의 상방에 배치되는, 기판 처리 장치.
  8. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 도포 라인으로부터 상기 기판이 반출되는 반송로에 적층되고, 상기 기판을 감압 건조시키는 감압 건조 유닛을 구비하는, 기판 처리 장치.
  9. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 도포 라인으로부터 상기 기판이 반출되는 반송로에 적층되고, 상기 기판을 가열하는 가열 유닛을 구비하는, 기판 처리 장치.
  10. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 도포 라인으로부터 상기 기판이 반송되고, 상기 기판을 감압 건조시키는 감압 건조 유닛과,
    상기 감압 건조되어 평류(平流) 반송되는 상기 기판을 가열하는 가열 유닛
    을 구비하고,
    상기 감압 건조 유닛은,
    상기 가열 유닛에 있어서의 상기 기판의 반송 방향에 직교하는 방향으로, 상기 가열 유닛과 나란하게 배치되는, 기판 처리 장치.
  11. 전처리 라인에 의해서 기판에 전처리를 행하는 공정과,
    상기 전처리가 행해진 상기 기판에, 상기 전처리 라인의 하방에 배치된 도포 라인에 의해서 포토레지스트를 도포하는 공정과,
    상기 포토레지스트가 도포된 상기 기판을 현상 라인에서 현상하는 공정과,
    현상된 상기 기판을, 상기 현상 라인의 상방에 배치된 세정 라인에서 세정하는 공정
    을 포함하는, 기판 처리 방법.
KR1020190104589A 2018-08-30 2019-08-26 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 KR20200026085A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018162115A JP7232596B2 (ja) 2018-08-30 2018-08-30 基板処理装置および基板処理方法
JPJP-P-2018-162115 2018-08-30

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20200026085A true KR20200026085A (ko) 2020-03-10

Family

ID=69668692

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190104589A KR20200026085A (ko) 2018-08-30 2019-08-26 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP7232596B2 (ko)
KR (1) KR20200026085A (ko)
CN (1) CN110875227A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220095381A (ko) * 2020-12-29 2022-07-07 주식회사 에스에프에이 광학 검사 시스템 및 광학 검사 방법

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021177066A1 (ja) 2020-03-03 2021-09-10 ダイキン工業株式会社 作業支援装置、作業支援プログラム、端末及び作業支援方法
JP7405884B2 (ja) 2022-02-18 2023-12-26 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP7350114B2 (ja) * 2022-03-03 2023-09-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007158253A (ja) 2005-12-08 2007-06-21 Tokyo Electron Ltd 加熱処理装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6235531A (ja) * 1985-08-08 1987-02-16 Fujitsu Ltd ウエ−ハ水中搬送機構
JP2611372B2 (ja) * 1988-09-14 1997-05-21 三菱電機株式会社 半導体製造装置
JP2002329661A (ja) * 2001-04-27 2002-11-15 Yoshitake Ito 基板処理装置及び基板処理方法及び基板の製造方法
JP4049751B2 (ja) * 2004-02-05 2008-02-20 東京エレクトロン株式会社 塗布膜形成装置
JP4324527B2 (ja) * 2004-09-09 2009-09-02 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法及び現像装置
KR100602129B1 (ko) * 2004-12-30 2006-07-19 동부일렉트로닉스 주식회사 다단계 노광공정을 이용한 패턴 형성 방법
JP4955976B2 (ja) * 2005-01-21 2012-06-20 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及びその方法
JP4414909B2 (ja) * 2005-02-14 2010-02-17 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置
JP4005609B2 (ja) 2005-06-17 2007-11-07 美岳 伊藤 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板の製造方法
KR100897850B1 (ko) * 2007-06-18 2009-05-15 세메스 주식회사 기판 처리 장치
JP5274148B2 (ja) * 2008-08-19 2013-08-28 東京エレクトロン株式会社 処理システム
JP5099054B2 (ja) * 2009-03-13 2012-12-12 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法、塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体
JP2010287686A (ja) * 2009-06-10 2010-12-24 Tokyo Electron Ltd 塗布、現像装置及び基板の裏面洗浄方法。
JP5050018B2 (ja) * 2009-08-24 2012-10-17 東京エレクトロン株式会社 塗布現像装置及び塗布現像方法
JP5408059B2 (ja) * 2010-07-09 2014-02-05 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007158253A (ja) 2005-12-08 2007-06-21 Tokyo Electron Ltd 加熱処理装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220095381A (ko) * 2020-12-29 2022-07-07 주식회사 에스에프에이 광학 검사 시스템 및 광학 검사 방법

Also Published As

Publication number Publication date
JP7232596B2 (ja) 2023-03-03
CN110875227A (zh) 2020-03-10
JP2020035935A (ja) 2020-03-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20200026085A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP3455458B2 (ja) 塗布、現像装置及び塗布現像処理における基板再生システム
WO2010150741A1 (ja) インプリントシステム、インプリント方法及びコンピュータ記憶媒体
KR20070039946A (ko) 기판 처리 방법
KR20080076713A (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR20200026084A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP7186605B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP7142566B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP3576831B2 (ja) 処理装置
JP5149244B2 (ja) インプリントシステム、インプリント方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JPH10275766A (ja) 基板処理装置
TWI797325B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
KR20030063219A (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
CN116705678B (zh) 基板处理装置以及基板处理方法
JP2023076278A (ja) 基板処理装置、および基板処理方法
JP4097878B2 (ja) 基板処理装置
KR102037904B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20210071831A (ko) 기판 처리 장치, 및 기판 처리 방법
JP2004186426A (ja) 基板処理装置
JP2023100449A (ja) 補助露光装置、露光方法および記憶媒体
JP3455451B2 (ja) レジストパタ−ンの形成方法及び周辺露光装置
KR20190011682A (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 포토마스크 세정 방법 및 포토마스크 제조 방법
JP2003309067A (ja) 塗布、現像装置及び塗布現像処理における基板再生システム
KR20050059896A (ko) 트랙 공유형 노광 설비
KR20040052415A (ko) 반도체 소자 제조를 위한 포토 리소그래피 시스템

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application