CN116631923A - 基板处理装置和基板处理方法 - Google Patents

基板处理装置和基板处理方法 Download PDF

Info

Publication number
CN116631923A
CN116631923A CN202211658220.4A CN202211658220A CN116631923A CN 116631923 A CN116631923 A CN 116631923A CN 202211658220 A CN202211658220 A CN 202211658220A CN 116631923 A CN116631923 A CN 116631923A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
section
processing apparatus
cleaning
coating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202211658220.4A
Other languages
English (en)
Inventor
大宅宗明
三林武
森井敬亮
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Screen Holdings Co Ltd
Original Assignee
Screen Holdings Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Screen Holdings Co Ltd filed Critical Screen Holdings Co Ltd
Publication of CN116631923A publication Critical patent/CN116631923A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274Photolithographic processes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H01L21/67225Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one lithography chamber
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742Mechanical parts of transfer devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67751Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber vertical transfer of a single workpiece
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67766Mechanical parts of transfer devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67769Storage means
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67778Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers

Abstract

本发明的课题是缩短基板处理装置的长度。本发明的解决方案的基板处理装置具有去程部分以及回程部分,基板在去程部分上移动,去程部分从基板被从索引器装置搬入的被搬入区域到朝向曝光装置搬出基板的接口部为止,从曝光装置向接口部搬入的基板在回程部分上移动,回程部分从接口部到朝向索引器装置搬出基板的被搬出区域为止。去程部分包含清洗部,对从索引器装置搬入的基板实施清洗处理;涂覆部,在用清洗部实施过清洗处理的基板上涂覆处理液;缓冲部,暂时收纳基板;以及搬送机器人,从清洗部搬出基板,向缓冲部搬入基板,从缓冲部搬出基板和向涂覆部搬入基板。回程部分包含对基于处理液的膜实施显影处理的显影部。

Description

基板处理装置和基板处理方法
技术领域
本发明涉及一种基板处理装置和基板处理方法。
背景技术
一直以来,已知一种基板处理装置,将从具有载置收纳有多个基板的盒的载置台和搬送装置的装置(也称作索引器装置)搬入的基板作为对象,按顺序进行前期处理、光致抗蚀剂的涂覆膜的形成处理、减压干燥处理、加热干燥处理、搬出到曝光装置、从曝光装置搬入、曝光后的光致抗蚀剂膜的显影处理、冲洗处理和干燥处理等,并将基板搬出至索引器装置(例如,专利文献1~5等)。
在前期处理中,例如,按顺序对基板进行用紫外(UV)光照射除去有机物、用清洗液清洗、用鼓风机等干燥、加热干燥、喷射六甲基二硅烷(HMDS)以疏水化处理和吹送冷风以冷却。在此,例如,疏水化处理是用于提高光致抗蚀剂膜相对于基板表面的密接性的处理。例如,向曝光装置搬出基板和从曝光装置搬入基板,能够由接口部的搬送装置来执行。
对于该基板处理装置,例如,如专利文献1~5所述,目的是缩短总长度。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2019-220628号公报;
专利文献2:日本特开2020-35884号公报;
专利文献3:日本特开2020-35935号公报;
专利文献4:日本特开2020-107686号公报;
专利文献5:日本特开2020-107747号公报。
发明内容
此外,例如,在基板是大型液晶显示装置用玻璃基板的情况等时,在基板上形成光致抗蚀剂的涂覆膜前,有时也可以不对干燥的基板实施疏水化处理。在这种情况下,在前期处理中,能省略实施加热干燥和疏水化处理的工序。此处,考虑使用输送机(也称作中继输送机)将基板从实施用UV光照射除去有机物、用清洗液清洗和用鼓风机等干燥等清洗处理的清洗部,搬送到形成光致抗蚀剂的涂覆膜的涂覆部的方案。
在这种方案中,例如,认为在涂覆部因某种原因而停止时,对于在清洗部内清洗中的多枚基板,完成清洗部内的清洗,在位于清洗部与涂覆部之间的中继输送机上待机。由此,例如,能够回避多枚基板作为不良的基板成为废弃对象的缺陷。
但是,在这种情况下,为了确保使多枚基板待机的区域(也称作基板待机区域),会使中继输送机在基板搬送方向(也称作基板搬送方向)上的长度变长。由此,例如,在基板处理装置中,构成基板从由清洗部中的索引器装置搬入基板的位置移动到接口部为止的路径的部分(也称作去程部分)的长度变长。在此,例如,当工厂内能配置基板处理装置的区域有限时,存在难以在清洗部与涂覆部之间配置确保基板待机区域的中继输送机的情况。
另外,例如,由于配管等各种构成在设计上的限制,因此存在清洗部中基板的移动路径(也称作第一路线)的高度,与涂覆部中基板的移动路径(也称作第二路线)的高度不同的情况。此处,考虑第一路线的高度高于第二路线的高度的方式和第一路线的高度低于第二路线的高度的方式。在这种情况下,例如,考虑在中继输送机的一部分配置具备升降机构的输送机(也称作升降输送机)。
但是,例如,在除了确保基板待机区域之外,如果实现存在升降输送机,则会使位于清洗部与涂覆部之间的中继输送机的基板搬送方向上的长度变长。由此,例如,基板处理装置中的去程部分的长度会变长。在此,例如,当工厂内能够配置基板处理装置的区域有限时,存在难以在清洗部与涂覆部之间配置确保基板待机区域并实现存在升降输送机的中继输送机的情况。
另外,例如,考虑基板的上下主面为长方形,在清洗部的第一路线中,基板沿主面第一边的方向被搬送,在涂覆部的第二路线中,基板沿主面与第一边正交的第二边的方向被搬送的情况。换言之,例如,考虑在第一路线与第二路线之间,基板相对于基板的搬送方向的朝向不同的情况。此处,例如,考虑第一边为长边且第二边为短边的方案,和第一边为短边且第二边为长边的方案。在这种情况下,例如,考虑在中继输送机的一部分配置具备将基板的朝向沿水平面旋转90度的转台(也称作旋转台)的输送机(也称作带旋转台的输送机)。在这种情况下,例如,由于使基板的朝向在从涂覆部到接口部为止的路径上沿水平面旋转90度,因此可以存在使基板的朝向恢复成第一路线中的基板的朝向的旋转台等机构。
但是,例如,在除了确保基板待机区域之外,如果还实现带旋转台的输送机的配置,则会使中继输送机的基板搬送方向上的长度变长。由此,例如,基板处理装置中的去程部分的长度会变长。在此,例如,当工厂内能够配置基板处理装置的区域有限时,存在难以在清洗部与涂覆部之间配置确保基板待机区域并实现存在带旋转台的输送机的中继输送机的情况。
本发明是鉴于上述课题而完成的,其目的是提供一种能够缩短基板处理装置长度的技术。
为解决上述课题,第一方案的基板处理装置中,具有去程部分以及回程部分,基板在所述去程部分上移动,所述去程部分从所述基板被从索引器装置搬入的被搬入区域到朝向曝光装置搬出所述基板的接口部为止,从所述曝光装置向所述接口部搬入的所述基板在所述回程部分上移动,所述回程部分从所述接口部到朝向所述索引器装置搬出所述基板的被搬出区域为止。所述去程部分包含:清洗部,对从所述索引器装置搬入的所述基板实施清洗处理;涂覆部,在用所述清洗部实施过所述清洗处理的所述基板上涂覆处理液;缓冲部,暂时收纳所述基板;以及搬送机器人,从所述清洗部搬出所述基板,向所述缓冲部搬入所述基板,从所述缓冲部搬出所述基板和向所述涂覆部搬入所述基板。所述回程部分包含对基于所述处理液的膜实施显影处理的显影部。
第二方案的基板处理装置是在第一方案的基板处理装置中,所述搬送机器人使所述基板升降。
第三方案的基板处理装置是在第一方案或第二方案的基板处理装置中,所述缓冲部位于在上下方向上与所述清洗部或所述涂覆部重叠的位置。
第四方案的基板处理装置是在第一方案或第二方案的基板处理装置中,在从上方俯视的情况下,所述缓冲部位于所述搬送机器人的所述回程部分侧的区域。
第五方案的基板处理装置是在第一方案或第二方案的基板处理装置中,在从上方俯视的情况下,所述缓冲部位于所述搬送机器人的与所述回程部分相反侧的区域。
第六方案的基板处理装置是在第一方案~第五方案中任一方案的基板处理装置中,所述去程部分还包含旋转部,使所述基板以沿上下方向的假想旋转轴为中心旋转,所述搬送机器人向所述旋转部搬入所述基板和从所述旋转部搬出所述基板。
第七方案的基板处理装置是在第六方案的基板处理装置中,所述旋转部位于在上下方向上与所述清洗部或所述涂覆部重叠的位置。
第八方案的基板处理装置是在第六方案或第七方案的基板处理装置中,在从上方俯视的情况下,所述旋转部位于所述搬送机器人的所述回程部分侧的区域。
第九方案的基板处理装置是在第六方案或第七方案的基板处理装置中,在从上方俯视的情况下,所述旋转部位于所述搬送机器人的与所述回程部分相反侧的区域。
第十方案的基板处理装置是在第一方案~第五方案中任一方案的基板处理装置中,在从上方俯视的情况下,所述涂覆部位于所述搬送机器人的所述回程部分侧的区域或所述搬送机器人的与所述回程部分相反侧的区域。
第十一方案的基板处理装置是在第十方案的基板处理装置中,在从上方俯视的情况下,所述涂覆部位于所述搬送机器人的所述回程部分侧的区域。
第十二方案的基板处理装置是在第十方案的基板处理装置中,在从上方俯视的情况下,所述涂覆部位于所述搬送机器人的与所述回程部分相反侧的区域。
第十三方案的基板处理方法使用基板处理装置,所述基板处理装置具有去程部分以及回程部分,基板在所述去程部分上移动,所述去程部分从所述基板被从索引器装置搬入的被搬入区域到朝向曝光装置搬出所述基板的接口部为止,从所述曝光装置向所述接口部搬入的所述基板在所述回程部分上移动,所述回程部分从所述接口部到朝向所述索引器装置搬出所述基板的被搬出区域为止。所述去程部分包含:清洗部,对从所述索引器装置搬入的所述基板实施清洗处理;涂覆部,在用所述清洗部实施过所述清洗处理的所述基板上涂覆处理液;缓冲部,暂时收纳所述基板;以及搬送机器人。所述回程部分包含对基于所述处理液的膜实施显影处理的显影部。所述基板处理方法具有第一工序,用所述搬送机器人,从所述清洗部搬出所述基板,不经过向所述缓冲部搬入该基板和从所述缓冲部搬出该基板,就向所述涂覆部搬入该基板;以及第二工序,用所述搬送机器人,从所述清洗部搬出所述基板,经过向所述缓冲部搬入该基板和从所述缓冲部搬出该基板,向所述涂覆部搬入该基板。
根据第一方案的基板处理装置,例如,为了将基板从清洗部搬送到涂覆部,通过配置搬送机器人和缓冲部,与在清洗部与涂覆部之间配置具有基板待机区域的中继输送机相比,能够缩短去程部分的长度。由此,例如,能够缩短基板处理装置的长度。
根据第二方案的基板处理装置,例如,在清洗部与涂覆部之间基板的路线高度不同的情况下,不用设置具备升降机构的升降输送机,而能够用搬送机器人将基板从清洗部搬送到涂覆部。由此,例如,能够缩短去程部分的长度。其结果是,例如,能够缩短基板处理装置的长度。
根据第三方案的基板处理装置,例如,通过将缓冲部在上下方向上与清洗部或涂覆部重叠的方式配置,能够减少基板处理装置的设置面积。由此,例如,即使在工厂内能设置基板处理装置的区域有限的情况下,基板处理装置的设置也能够变容易。
根据第四方案的基板处理装置,例如,通过有效利用去程部分与回程部分之间的区域来配置缓冲部,能够减少基板处理装置的设置面积。由此,例如,即使在工厂内能设置基板处理装置的区域有限的情况下,基板处理装置的设置也能够变容易。
根据第五方案的基板处理装置,例如,能够有效利用因位于基板处理装置去程部分的侧面的柱等结构物或其他装置等的存在而产生的空置区域来配置缓冲部。由此,例如,即使在工厂内能设置基板处理装置的区域有限的情况下,基板处理装置的设置也能够变容易。
根据第六方案的基板处理装置,例如,在清洗部中基板的路线与涂覆部中基板的路线之间,基板相对于基板的搬送方向的朝向不同的情况下,能够由旋转部容易地变更基板的朝向。
根据第七方案的基板处理装置,例如,通过将旋转部在上下方向上与清洗部或涂覆部重叠的方式配置,能够减少基板处理装置的设置面积。由此,例如,即使在工厂内能设置基板处理装置的区域有限的情况下,基板处理装置的设置也能够变容易。
根据第八方案的基板处理装置,例如,通过有效利用去程部分与回程部分之间的区域来配置旋转部,能够减少基板处理装置的设置面积。由此,例如,即使在工厂内能设置基板处理装置的区域有限的情况下,基板处理装置的设置也能够变容易。
根据第九方案的基板处理装置,例如,能够有效利用因位于基板处理装置去程部分的侧面的柱等结构物或其他装置等的存在而产生的空置区域来配置旋转部。由此,例如,即使在工厂内能设置基板处理装置的区域有限的情况下,基板处理装置的设置也能够变容易。
根据第十方案的基板处理装置,例如,通过将涂覆部向清洗部侧偏移,能够缩短去程部分的长度。其结果是,例如,能够缩短基板处理装置的长度。另外,例如,在清洗部的第一路线与涂覆部的第二路线之间,基板相对于基板的搬送方向的朝向不同的情况下,能够不设置旋转部,而是在用搬送机器人变更基板的朝向的状态下将基板搬入涂覆部。
根据第十一方案的基板处理装置,例如,在从上方俯视的情况下,能够通过有效利用去程部分与回程部分之间的区域来配置涂覆部。由此,例如,即使在工厂内能设置基板处理装置的区域有限的情况下,基板处理装置的设置也能够变容易。
根据第十二方案的基板处理装置,例如,能够有效利用因位于基板处理装置去程部分的侧面的柱等结构物或其他装置等的存在而产生的空置区域来配置涂覆部。由此,例如,即使在工厂内能设置基板处理装置的区域有限的情况下,基板处理装置的设置也能够变容易。
根据第十三方案的基板处理方法,例如,通过使用搬送机器人和缓冲部将基板从清洗部搬送到涂覆部,与使用具有基板待机区域的中继输送机将基板从清洗部搬送到涂覆部的情况相比,能够缩短去程部分的长度。由此,例如,能够缩短基板处理装置的长度。另外,例如,能够减少因基板发生静电放电(ESD)而产生缺陷的风险。
附图说明
图1是示出基板处理装置构成的一个例子的概略图。
图2是示意性示出去程部分的部分构成的一个例子的俯视图。
图3是示意性示出去程部分的部分构成的一个例子的纵向剖视图。
图4是示出在通常状态下将基板从清洗部搬送到涂覆部的搬送操作的操作流程的一个例子的流程图。
图5是示出在涂覆部停止的异常状态下开始的将基板从清洗部搬送到涂覆部的搬送操作的操作流程的一个例子的流程图。
图6是示出在涂覆部停止的异常状态下开始的将基板从清洗部搬送到涂覆部的搬送操作的流程的一变形例的流程图。
图7是示意性示出去程部分的部分构成的一变形例的俯视图。
图8是示意性示出去程部分的部分构成的一变形例的俯视图。
图9是示意性示出去程部分的部分构成的一变形例的俯视图。
图10是示意性示出去程部分的部分构成的一变形例的俯视图。
图11是示意性示出去程部分的部分构成的一变形例的俯视图。
图12是示意性示出去程部分的部分构成的一变形例的俯视图。
图13是示意性示出去程部分的部分构成的一变形例的俯视图。
图14是示意性示出去程部分的部分构成的一变形例的俯视图。
图15是示意性示出去程部分的部分构成的一变形例的俯视图。
图16是示意性示出去程部分的部分构成的一变形例的俯视图。
图17是示意性示出去程部分的部分构成的一变形例的俯视图。
图18是示意性示出去程部分的部分构成的一变形例的俯视图。
图19是示意性示出去程部分的部分构成的一变形例的俯视图。
图20是示意性示出去程部分的部分构成的一变形例的俯视图。
图21是示意性示出去程部分的部分构成的一变形例的俯视图。
图22是示出没有旋转部的基板处理装置在通常状态下将基板从清洗部搬送到涂覆部的搬送操作的操作流程的一变形例的流程图。
图23是示出没有旋转部的基板处理装置在涂覆部停止的异常状态下开始的将基板从清洗部搬送到涂覆部的搬送操作的操作流程的一变形例的流程图。
图24是示意性示出去程部分的构成的一变形例的俯视图。
图25是示意性示出去程部分的构成的一变形例的俯视图。
图26是示意性示出去程部分的构成的一变形例的俯视图。
图27是示意性示出去程部分的构成的一变形例的俯视图。
图28是示意性示出去程部分的构成的一变形例的俯视图。
具体实施方式
以下,参照附图说明本发明的各种实施方式。这些实施方式中记载的构成要素仅仅是示例,没有将本发明的范围限定于此的意图。在附图中,具有同样构成和功能的部分标记相同符号,在下述说明中省略重复说明。另外,在附图中,为了便于理解,根据需要夸大或简化各部分的尺寸和数量并图示。在各图中,为了说明各要素的位置关系,图2、图3、图7~图21和图24~图28均标记为右手系的XYZ正交坐标系。此处,X轴和Y轴沿水平方向延伸,Z轴沿竖直方向(上下方向)延伸。另外,以下的说明中,将箭头的前端朝向的方向记作+(正)方向,将其反方向记作-(负)方向。此处,竖直方向朝上为+Z方向,竖直方向朝下为-Z方向。
表示相对或绝对的位置关系的表述(例如“在一方向”“沿一方向”“平行”“正交”“中心”“同心”“同轴”等),除非另有说明,不仅严密地表示其位置关系,还表示在公差或可获得同程度功能的范围内,角度或距离相对位移的状态。表示相等状态的表述(例如“相同”“相等”“均质”等),除非另有说明,不仅表示定量严密地相等的状态,还表示存在公差或可获得同程度功能的差的状态。表示形状的表述(例如,“四边形状”或“圆筒形状”等),除非另有说明,不仅是在几何学上严密地表示其形状,还表示在可获得同程度效果的范围内,具有例如凹凸和倒角等的形状。“包括”“含有”“具备”“包含”或“具有”一个构成要素这样的表述,不是排除其他构成要素的存在的排他性表述。“~上”和“~下”,除非另有说明,除了两个要素相连的情况,还包含两个要素分离的情况。“向特定方向移动”,除非另有说明,不仅指平行于该特定方向移动的情况,还包含向具有该特定方向分量的方向移动的情况。
<1.第一实施方式>
<1-1.基板处理装置的概略构成>
图1是示出基板处理装置1构成的一个例子的概略图。例如,基板处理装置1是对从索引器装置2搬入的基板G1,进行清洗、处理液的涂覆、通过干燥和加热处理液而形成涂覆膜、向曝光装置3搬出、从曝光装置3搬入、曝光后的显影、显影后通过加热来干燥并冷却的装置。基板处理装置1中处理后的基板G1被搬入索引器装置2。例如,基板G1应用平板状的玻璃基板等。例如,基板G1是具有作为第一主面的第一面(也称作上表面)和作为与该第一面相反的第二主面的第二面(也称作下表面)的平板状基板。例如,处理液应用包含抗蚀液或聚酰亚胺前驱体和溶剂的液体(也称作PI液)等涂覆用液体(也称作涂覆液)。例如,聚酰亚胺前驱体应用聚酰胺酸(polyamic acid)等。例如,溶剂应用NMP(N-甲基-2-吡咯烷酮:N-Methyl-2-Pyrrolidone)。
基板处理装置1,例如,具有去程部分11、接口部12和回程部分13。例如,去程部分11是具有从索引器装置2搬入基板G1的区域(也称作被搬入区域)11i、将基板G1从被搬入区域11i移动到接口部12为止的部分。例如,接口部12是向曝光装置3搬出基板G1并且从曝光装置3搬入基板G1的部分。例如,回程部分13是具有向索引器装置2搬出基板G1的区域(也称作被搬出区域)13o、将从曝光装置3搬入接口部12的基板G1由接口部12移动到被搬出区域13o为止的部分。
例如,索引器装置2具有载置收纳多个基板G1的盒的载置台和搬送机构。例如,搬送机构在载置台上的盒与去程部分11之间以及回程部分13与载置台上的盒之间应用搬送基板G1的搬送机器人等。
去程部分11中,例如,作为多个处理部,具有清洗部111、涂覆部112、减压干燥部113和预烘烤部114。例如,按照上述处理部的记载顺序配置去程部分11的各处理部。例如,用搬送机器人或输送机等搬送机构,如由细的双点划线绘制的箭头所示,根据处理的进展,将基板G1按照上述记载顺序搬送到各处理部。
例如,清洗部111对从索引器装置2搬入的基板G1实施清洗处理。例如,清洗处理中包含除去细微的颗粒、有机污染、金属污染、油脂和自然氧化膜等的处理。在清洗部111中,例如,用紫外光照射除去附着于基板G1表面的有机物,供给去离子水等清洗液并用刷子等清洗构件清洗基板G1表面,以及用鼓风机等干燥基板G1。用鼓风机等干燥基板G1中,例如,包含用气刀从基板G1上除去清洗液等。
例如,涂覆部112在由清洗部111清洗的基板G1上涂覆处理液。例如,涂覆部112应用狭缝涂覆机。例如,狭缝涂覆机能够通过使从喷出口喷出处理液的狭缝喷嘴相对基板G1移动,在基板G1上涂覆处理液。在此,在涂覆部112中,例如,在基板G1上涂覆处理液的区域(也称作涂覆区域)中,用上浮式搬送机构沿水平方向搬送上下表面处于水平方向的姿势(也称作水平姿势)的基板G1。例如,上浮式搬送机构从下方支撑或保持基板G1中与基板G1的搬送方向(也称作基板搬送方向)垂直的宽度方向的两端部分,通过从下方向基板G1喷射压缩空气,在保持上下表面处于水平方向的状态的基板G1的同时,沿水平方向移动基板G1。在涂覆部112中,例如,在位于涂覆区域上游侧的部分(也称作入侧部分)和位于涂覆区域下游侧的部分(也称作出侧部分),分别用输送机搬送基板G1。输送机通过用驱动机构(未图示)使沿基板G1的基板搬送方向排列的多个辊旋转,沿水平方向移动水平姿势的基板G1。涂覆部112也可以应用其他涂覆方式的涂覆装置。
例如,减压干燥部113对涂覆在基板G1上的处理液进行通过减压而干燥的处理(也称作减压干燥处理)。此处,例如,通过减压使涂覆在基板G1表面上的处理液的溶剂汽化(蒸发),来干燥基板G1。
例如,预烘烤部114加热由减压干燥部113干燥的基板G1,使处理液中含有的成分在基板G1表面上固化。由此,在基板G1上形成基于处理液的膜。例如,在处理液为抗蚀剂的情况下,通过对抗蚀剂的涂膜实施热处理,形成抗蚀膜。例如,在处理液为聚酰亚胺前驱体的情况下,通过对聚酰亚胺前驱体的涂膜实施热处理,聚酰亚胺前驱体通过酰亚胺化形成聚酰亚胺膜。例如,预烘烤部114可以是加热单个基板G1的单张方式的加热处理部,也可以是一并加热多个基板G1的分批方式的加热处理部。在此,例如,减压干燥部113中减压干燥处理的节拍时间与预烘烤部114中加热处理的节拍时间相差很大,假定预烘烤部114具有单张方式的加热处理部。在这种情况下,例如,预烘烤部114可以具有并列进行加热处理的多台单张式的加热处理部。例如,以上下层叠的状态配置多台加热处理部。
接口部12中,例如,从去程部分11向曝光装置3搬送基板G1。例如,接口部12位于去程部分11与曝光装置3之间。例如,用具有接口部12的搬送机器人或输送机等搬送机构,如由细的双点划线绘制的箭头所示,从去程部分11向曝光装置3搬送基板G1。例如,从去程部分11的预烘烤部114向曝光装置3搬送基板G1。另外,接口部12中,例如,从曝光装置3向回程部分13搬送基板G1。例如,接口部12位于曝光装置3与回程部分13之间。例如,用具有接口部12的搬送机器人等搬送机构,如由细的双点划线绘制的箭头所示,从曝光装置3向回程部分13搬送基板G1。例如,从曝光装置3向回程部分13的显影部131搬送基板G1。
例如,曝光装置3对去程部分11中在基板G1上形成的基于处理液的膜进行曝光处理。具体而言,例如,曝光装置3通过描画了电路图案的掩模照射远紫外线等特定波长的光,将图案转印在处理液的膜上。例如,曝光装置3可以包含周边曝光部和打码机。周边曝光部是进行用于去除基板G1上基于处理液的膜的外周部的曝光处理的部分。例如,打码机部是向基板G1写入规定信息的部分。
回程部分13中,例如,作为多个处理部,具有显影部131、后烘烤部132和冷却部133。例如,按照上述处理部的记载顺序配置回程部分13的各处理部。例如,用搬送机器人等搬送机构,如由细的双点划线绘制的箭头所示,根据处理的进展,将基板G1按照上述记载顺序搬送到各处理部。在此,例如,可以不在曝光装置3设置周边曝光部和打码机部,回程部分13可以在接口部12与显影部131之间具有周缘曝光部和打码机部。
例如,显影部131对去程部分11中形成的基于处理液的膜实施显影处理。例如,显影处理中包含使基于处理液的膜显影的处理,冲洗显影液的处理以及使基板G1干燥的处理。在显影部131中,例如,进行将用曝光装置3曝光了图案的基板G1上的基于处理液的膜浸渍于显影液中的处理,用去离子水等清洗液冲洗基板G1上的显影液的处理,以及用鼓风机等干燥基板G1的处理。用鼓风机等干燥基板G1中,例如,包含用气刀从基板G1上去除清洗液等。
例如,后烘烤部132通过加热基板G1,使显影部131中附着于基板G1的清洗液汽化,来干燥基板G1。
例如,冷却部133冷却由后烘烤部132加热的基板G1。例如,冷却部133中应用一边由输送机搬送基板G1一边对基板G1进行空冷的构成,或将基板G1载置于棚状的部分并吹送空气等气体来冷却基板G1的构成等。例如,用索引器装置2将由冷却部133冷却的基板G1从回程部分13向基板处理装置1的外部搬出。
例如,由控制装置14控制基板处理装置1各部的操作。例如,控制装置14具有与计算机同样的构成,具有控制部141和存储部142。例如,控制部141包含中央处理装置(CPU:Central Processing Unit)、RAM(Random access memory)等易失性存储器。例如,存储部142包含硬盘驱动器等非易失性存储介质。例如,控制装置14能够通过用控制部141读取存储在存储部142中的程序并执行,来控制基板处理装置1各部的操作。例如,控制装置14可以与基板处理装置1分开设置,也可以包含在基板处理装置1中。
<1-2.将基板从清洗部搬送到涂覆部的构成>
图2是示意性示出去程部分11的部分构成的一个例子的俯视图。图3是示意性示出去程部分11的部分构成的一个例子的纵向剖视图。在图2中,示出用于将基板G1从去程部分11中的清洗部111搬送到涂覆部112的构成,回程部分13的外缘用细的双点划线示意性示出。在图3中,示意性示出图2中示出的构成的纵剖面。
另外,在图3中,清洗部111中,简单记载作为位于被搬入区域11i的搬送机构的一个例子的输送机的一部分,和作为位于涂覆部112侧的端部附近的搬送机构的一个例子的输送机,省略对清洗部111的其他构成的记载。涂覆部112中,简单记载作为位于清洗部111侧的端部附近的搬送机构的一个例子的输送机的一部分、上浮式搬送机构的一部分、狭缝喷嘴、作为位于与清洗部111相反侧的端部附近的搬送机构的一个例子的输送机的一部分,省略对涂覆部112的其他构成的记载。在图2和图3中,用实线描绘位于被搬入区域11i的基板G1。清洗部111中位于涂覆部112侧的端部附近的基板G1,由搬送机器人115支撑或保持的基板G1,载置于缓冲部116的基板G1,载置于旋转部117的基板G1,以及涂覆部112中位于清洗部111侧的端部附近和与清洗部111相反侧的端部附近的基板G1各自的外缘,由细的双点划线绘制的四边形示意性示出。清洗部111中基板G1移动的路径(也称作第一路线)P1,由细的点划线绘制的箭头示意性示出,涂覆部112中基板G1移动的路径(也称作第二路线)P2,由细的点划线绘制的箭头示意性示出。
如图2和图3所示,例如,去程部分11包含搬送机器人115、缓冲部116和旋转部117。
例如,搬送机器人115能够从清洗部111搬出基板G1,向缓冲部116搬入基板G1,从缓冲部116搬出基板G1和向涂覆部112搬入基板G1。另外,在第一实施方式中,例如,搬送机器人115能够将基板G1搬入到旋转部117和将基板G1从旋转部117搬出。另外,在第一实施方式中,搬送机器人115能够升降基板G1。
例如,搬送机器人115位于清洗部111与涂覆部112之间。例如,搬送机器人115应用具有手部、臂机构、旋转机构和升降机构的结构。手部是能以水平姿势支撑或保持基板G1的部分。臂机构是安装有手部,且能通过在水平方向伸缩使手部在水平方向进退的机构。旋转机构是能使臂机构以竖直方向的旋转轴为中心旋转的机构。升降机构是能将旋转机构与手部和臂机构一同升降的机构。在图3中,用搬送机器人115中的升降机构,将旋转机构与手部和臂机构一同升降的方向,由双点划线的细线绘制的箭头示出。此处,例如,在清洗部111中涂覆部112侧的端部附近的搬送机构和涂覆部112中清洗部111侧的端部附近的搬送机构中,能够采用在基板G1的下方设置搬送机器人115的手部能插入的槽部等空间的方案。
例如,缓冲部116是暂时收纳基板G1的部分。例如,缓冲部116具有能各自载置基板G1的多个部分(也称作载置部分)沿上下方向排列的多段的棚状结构。在各段中,例如,在立置的多个销上以水平姿势载置基板G1。缓冲部116作为下述部分发挥功能,在用搬送机器人115将基板G1从清洗部111搬送到涂覆部112时,如果涂覆部112处于因某种原因而停止的状态(也称作异常状态),则具有可使基板G1暂时待机的区域(也称作基板待机区域)。此处,例如,通过配置搬送机器人115和缓冲部116以将基板G1从清洗部111搬送到涂覆部112,与在清洗部111与涂覆部112之间配置具有基板待机区域的中继输送机相比,能够缩短去程部分11的长度。由此,例如,能够缩短基板处理装置1的长度。
另外,例如,假如在清洗部111与涂覆部112之间配置具有基板待机区域的中继输送机,那么如果为了确保基板待机区域而增大中继输送机在基板搬送方向的长度,则会提高因对基板G1带电而发生静电放电(ESD)的可能性。相对于此,例如,如果在清洗部111与涂覆部112之间配置搬送机器人115和缓冲部116来代替配置中继输送机,就能够减少基板G1因发生静电放电(ESD)而产生缺陷的风险。
在图3的例子中,缓冲部116具有三段结构,但不限定于此,缓冲部116也可以具有一段结构、二段结构或四段以上的结构。
在此,在第一实施方式中,例如,缓冲部116位于涂覆部112上且与涂覆部112重叠的位置。如此地,例如,通过以缓冲部116在上下方向与涂覆部112重叠的方式配置,能够减少基板处理装置1的设置面积。由此,例如,即使在工厂内能设置基板处理装置1的区域有限的情况下,基板处理装置1的设置也能够变容易。
例如,旋转部117是使基板G1以上下方向的假想旋转轴(也称作假想旋转轴)Ax1为中心旋转的部分。例如,旋转部117应用转台。例如,转台应用具有台部、轴部和旋转驱动部的结构。例如,台部是能在立置于上表面的多个销上载置水平姿势的基板G1的部分。例如,轴部是具有固定于台部的上端部,沿假想旋转轴Ax1在上下方向延伸的柱状或棒状的部分。例如,旋转驱动部是使轴部以假想旋转轴Ax1为中心旋转的马达等驱动部。
在此,例如,在清洗部111的第一路线P1与涂覆部112的第二路线P2之间基板搬送方向相同,基板G1相对于基板搬送方向的朝向不同的情况下,能够用旋转部117容易地变更基板G1的朝向。例如,假定基板G1的上下主面为长方形,清洗部111的第一路线P1中基板G1沿主面的第一边的方向被搬送,涂覆部112的第二路线P2中基板G1沿与主面的第一边正交的第二边的方向被搬送的情况。换言之,例如,假定第一路线P1与第二路线P2之间基板搬送方向相同,基板G1相对于基板搬送方向的朝向不同的情况。此处,例如,考虑第一边为基板G1主面的长边且第二边为基板G1主面的短边的情况,和第一边为基板G1主面的短边且第二边为基板G1主面的长边的情况。在这些情况下,例如,旋转部117将基板G1的朝向沿水平面旋转90度。
在此,在第一实施方式中,例如,旋转部117位于清洗部111上且与清洗部111重叠的位置。如此地,例如,通过以旋转部117在上下方向与清洗部111重叠的方式配置,能够减少基板处理装置1的设置面积。由此,例如,即使在工厂内能设置基板处理装置1的区域有限的情况下,基板处理装置1的设置也能够变容易。
此外,例如,假定清洗部111中第一路线P1的高度与涂覆部112中第二路线P2的高度不同的情况。此处,考虑第一路线P1的位置高于第二路线P2的位置的情况,和第二路线P2的位置高于第一路线P1的位置的情况。在这些情况下,例如,如上所述,如果搬送机器人115能够升降基板G1,那么无需设置具备升降机构的输送机(升降输送机),也能够用搬送机器人115将基板G1从清洗部111搬送到涂覆部112。由此,例如,能够缩短去程部分11的长度。其结果是,例如,能够缩短基板处理装置1的长度。
另外,在此,例如,假如配置升降输送机,那么升降输送机具有沿基板搬送方向排列的多个辊,位于这些多个辊下方的底板,位于该底板下方的升降机构。因此,例如,即使在基板处理装置1的上部配置产生清洁空气的下降气流的风机过滤单元(FFU),由FFU产生的下降气流也被底板阻碍,由升降机构产生的颗粒不易向下方落下。相对于此,在第一实施方式中,例如,配置能够升降基板G1的搬送机器人115来代替设置升降输送机。因此,例如,当在基板处理装置1的上部配置FFU10时,即使因搬送机器人115的升降操作而产生颗粒,该颗粒也因为由FFU10产生的下降气流而容易向下方落下。由此,例如,基板G1不易被颗粒污染。
<1-3.将基板从清洗部搬送到涂覆部的搬送操作>
图4是示出在涂覆部112未停止的状态(也称作通常状态)下将基板G1从清洗部111搬送到涂覆部112的搬送操作的流程的一个例子的流程图。图5是示出在涂覆部112因某种原因而停止的异常状态下开始的将基板G1从清洗部111搬送到涂覆部112的搬送操作的流程的一个例子的流程图。在图4和图5中,示出着眼于1枚基板G1的搬送操作的流程图。基板G1的搬送操作,例如,能够通过由控制部141对各部操作的控制来实现。
在通常状态下,执行按顺序进行图4所示的步骤S1~步骤S5的操作的搬送操作流程。
在步骤S1的操作中,用搬送机器人115从清洗部111搬出基板G1。在步骤S2的操作中,用搬送机器人115向旋转部117搬入基板G1。在步骤S3的操作中,用旋转部117旋转基板G1。具体而言,用旋转部117将基板G1的朝向沿水平面旋转90度。在步骤S4的操作中,用搬送机器人115从旋转部117搬出基板G1。在步骤S5的操作中,用搬送机器人115向涂覆部112搬入基板G1。
在这种情况下,例如,构成使用基板处理装置1的基板处理方法的至少一部分的、将基板G1从清洗部111搬送到涂覆部112的搬送方法(也称作基板搬送方法),具有用搬送机器人115从清洗部111搬出基板G1,不经过向缓冲部116搬入基板G1和从缓冲部116搬出基板G1,就向涂覆部112搬入基板G1的工序(也称作第一工序)。
在异常状态下开始的搬送操作中,执行按顺序进行图5所示的步骤S11~步骤S18的操作的搬送操作流程。
在步骤S11的操作中,用搬送机器人115从清洗部111搬出基板G1。在步骤S12的操作中,用搬送机器人115向旋转部117搬入基板G1。在步骤S13的操作中,用旋转部117旋转基板G1。具体而言,用旋转部117将基板G1的朝向沿水平面旋转90度。在步骤S14的操作中,用搬送机器人115从旋转部117搬出基板G1。在步骤S15的操作中,用搬送机器人115将基板G1搬入缓冲部116。具体而言,将基板G1暂时收纳于缓冲部116,使基板G1暂时处于待机的状态。在步骤S16中,用控制部141判定异常状态是否已被消除。此处,重复步骤S16的判定直至异常状态被消除,异常状态已被消除则进行步骤S17。在步骤S17的操作中,用搬送机器人115从缓冲部116搬出基板G1。在步骤S18的操作中,用搬送机器人115向涂覆部112搬入基板G1。
在这种情况下,例如,构成使用基板处理装置1的基板处理方法的至少一部分的、将基板G1从清洗部111搬送到涂覆部112的搬送方法(基板搬送方法),具有用搬送机器人115从清洗部111搬出基板G1,经过向缓冲部116搬入基板G1和从缓冲部116搬出基板G1,以及向涂覆部112搬入基板G1的工序(也称作第二工序)。
如此地,例如,通过使用搬送机器人115和缓冲部116从清洗部111向涂覆部112搬送基板G1,与使用具有基板待机区域的中继输送机从清洗部111向涂覆部112搬送基板G1的情况相比,能够缩短去程部分11的长度。由此,例如,能够缩短基板处理装置1的长度。另外,例如,能够减少基板G1因发生静电放电(ESD)而产生缺陷的风险。
在上述异常状态下开始的搬送操作中,在将基板G1用旋转部117旋转后,暂时收纳于缓冲部116,但不限定于此。例如,也可以在将基板G1暂时收纳于缓冲部116后,用旋转部117旋转。图6是示出在涂覆部112因某种原因而停止的异常状态下开始的将基板G1从清洗部111搬送到涂覆部112的搬送操作的流程的一变形例的流程图。在图6中,与图5同样地,示出着眼于1枚基板G1的搬送操作的流程图。基板G1的搬送操作,例如,能够通过由控制部141对各部操作的控制来实现。此处,按顺序进行图6所示的步骤S11A~步骤S18A的操作。
在步骤S11A的操作中,用搬送机器人115从清洗部111搬出基板G1。在步骤S12A的操作中,用搬送机器人115向缓冲部116搬入基板G1。具体而言,将基板G1暂时收纳于缓冲部116,使基板G1暂时处于待机的状态。在步骤S13A中,用控制部141判定异常状态是否已被消除。此处,重复步骤S13A的判定直至异常状态被消除,如果异常状态已被消除则进行步骤S14A。在步骤S14A的操作中,用搬送机器人115从缓冲部116搬出基板G1。在步骤S15A的操作中,用搬送机器人115向旋转部117搬入基板G1。在步骤S16A的操作中,用旋转部117旋转基板G1。具体而言,用旋转部117将基板G1的朝向沿水平面旋转90度。在步骤S17A的操作中,用搬送机器人115从旋转部117搬出基板G1。在步骤S18A的操作中,用搬送机器人115向涂覆部112搬入基板G1。
<1-4.第一实施方式的总结>
如上所述,在第一实施方式的基板处理装置1中,例如,在去程部分11中,为了从清洗部111向涂覆部112搬送基板G1,配置搬送机器人115和缓冲部116。由此,例如,假如与在清洗部111与涂覆部112之间配置具有基板待机区域的中继输送机相比,能够缩短去程部分11的长度。其结果是,例如,能够缩短基板处理装置1的长度。
另外,例如,假如在清洗部111与涂覆部112之间配置具有基板待机区域的中继输送机,那么为了确保基板待机区域而增大中继输送机在基板搬送方向的长度,会提高因对基板G1带电而发生静电放电(ESD)的可能性。相对于此,在第一实施方式的基板处理装置1中,例如,配置搬送机器人115和缓冲部116来代替在清洗部111与涂覆部112之间配置中继输送机。由此,例如,能够减少基板G1因发生静电放电(ESD)而产生缺陷的风险。
另外,在使用第一实施方式的基板处理装置1的基板处理方法中,例如,使用搬送机器人115和缓冲部116从清洗部111向涂覆部112搬送基板G1。由此,例如,假如与使用具有基板待机区域的中继输送机从清洗部111向涂覆部112搬送基板G1的情况相比,能够缩短去程部分11的长度。其结果是,例如,能够缩短基板处理装置1的长度。另外,例如,能够减少基板G1因发生静电放电(ESD)而产生缺陷的风险。
<2.变形例>
本发明不限定于上述第一实施方式,在不脱离本发明主旨的范围内,能进行各种变更和改良等。
在上述第一实施方式中,例如,缓冲部116可以位于涂覆部112下且与涂覆部112重叠的位置。在这种情况下,例如,由于以缓冲部116在上下方向与涂覆部112重叠的方式配置,因此能够减少基板处理装置1的设置面积。
在上述第一实施方式中,例如,旋转部117可以位于清洗部111下且与清洗部111重叠的位置。在这种情况下,例如,由于以旋转部117在上下方向与清洗部111重叠的方式配置,因此能够减少基板处理装置1的设置面积。
在上述第一实施方式中,例如,如图7所示,缓冲部116可以位于清洗部111上且与清洗部111重叠的位置,也可以位于清洗部111下且与清洗部111重叠的位置。换言之,缓冲部116可以位于在上下方向与清洗部111或涂覆部112重叠的位置。在这种情况下,例如,能够减少基板处理装置1的设置面积。由此,例如,即使在工厂内能设置基板处理装置1的区域有限的情况下,基板处理装置1的设置也能够变容易。图7是示意性示出去程部分11的部分构成的一变形例的俯视图。
在上述第一实施方式中,例如,如图7所示,旋转部117可以位于涂覆部112上且与涂覆部112重叠的位置,也可以位于涂覆部112下且与涂覆部112重叠的位置。换言之,旋转部117可以位于在上下方向与清洗部111或涂覆部112重叠的位置。在这种情况下,例如,能够减少基板处理装置1的设置面积。由此,例如,即使在工厂内能设置基板处理装置1的区域有限的情况下,基板处理装置1的设置也能够变容易。
在上述第一实施方式中,例如,如图8所示,在从上方俯视的情况下,缓冲部116可以位于搬送机器人115的回程部分13侧的区域(也称作第一区域)A1。换言之,在从上方俯视的情况下,缓冲部116可以位于去程部分11与回程部分13之间的间隙区域(也称作间隙区域)侧。在这种情况下,例如,通过有效利用去程部分11与回程部分13之间的间隙区域来配置缓冲部116,能够减少基板处理装置1的设置面积。由此,例如,即使在工厂内能设置基板处理装置1的区域有限的情况下,基板处理装置1的设置也能够变容易。图8、图9和图10是分别示意性示出去程部分11的部分构成的一变形例的俯视图。
在此,例如,如图8所示,旋转部117可以位于清洗部111上且与清洗部111重叠的位置,如图9所示,旋转部117也可以位于涂覆部112上且与涂覆部112重叠的位置。另外,例如,旋转部117可以位于清洗部111下且与清洗部111重叠的位置,也可以位于涂覆部112下且与涂覆部112重叠的位置。换言之,例如,旋转部117可以位于在上下方向与清洗部111或涂覆部112重叠的位置。在这种情况下,例如,能够减少基板处理装置1的设置面积。由此,例如,即使在工厂内能设置基板处理装置1的区域有限的情况下,基板处理装置1的设置也能够变容易。
另外,在此,例如,如图10所示,旋转部117可以位于搬送机器人115的与回程部分13相反侧的区域(也称作第二区域)A2。换言之,在从上方俯视的情况下,旋转部117可以位于与去程部分11和回程部分13之间的间隙区域隔着搬送机器人115的相反侧的区域(也称作外侧区域)。在这种情况下,例如,能够有效利用因位于基板处理装置1的去程部分11的侧面的柱等结构物或其他装置等的存在而产生的空置区域来配置旋转部117。由此,例如,即使在工厂内限制能设置基板处理装置1的区域的情况下,基板处理装置1的设置也能够变容易。
在上述第一实施方式中,例如,如图11所示,在从上方俯视的情况下,缓冲部116可以位于搬送机器人115的与回程部分13相反侧的第二区域A2。换言之,在从上方俯视的情况下,缓冲部116可以位于与去程部分11和回程部分13之间的间隙区域隔着搬送机器人115的相反侧的外侧区域。在这种情况下,例如,能够有效利用因位于基板处理装置1的去程部分11的侧面的柱等结构物或其他装置等的存在而产生的空置区域来配置缓冲部116。由此,例如,即使在工厂内能设置基板处理装置1的区域有限的情况下,基板处理装置1的设置也能够变容易。图11、图12和图13是分别示意性示出去程部分11的部分构成的一变形例的俯视图。
在此,例如,如图11所示,旋转部117可以位于清洗部111上且与清洗部111重叠的位置,如图12所示,旋转部117可以位于涂覆部112上且与涂覆部112重叠的位置。另外,例如,旋转部117可以位于清洗部111下且与清洗部111重叠的位置,可以位于涂覆部112下且与涂覆部112重叠的位置。换言之,例如,旋转部117可以位于在上下方向与清洗部111或涂覆部112重叠的位置。在这种情况下,例如,能够减少基板处理装置1的设置面积。由此,例如,即使在工厂内能设置基板处理装置1的区域有限的情况下,基板处理装置1的设置也能够变容易。
另外,在此,例如,如图13所示,在从上方俯视的情况下,旋转部117可以位于搬送机器人115的回程部分13侧的第一区域A1。换言之,在从上方俯视的情况下,旋转部117可以位于去程部分11与回程部分13之间的间隙区域(间隙区域)侧。在这种情况下,例如,通过有效利用去程部分11与回程部分13之间的间隙区域来配置旋转部117,能够减少基板处理装置1的设置面积。由此,例如,即使在工厂内能设置基板处理装置1的区域有限的情况下,基板处理装置1的设置也能够变容易。
在上述第一实施方式中,例如,如图14所示,在从上方俯视的情况下,旋转部117可以位于搬送机器人115的回程部分13侧的第一区域A1。换言之,在从上方俯视的情况下,旋转部117可以位于去程部分11与回程部分13之间的间隙区域(间隙区域)侧。在这种情况下,例如,通过有效利用去程部分11与回程部分13之间的间隙区域来配置旋转部117,能够减少基板处理装置1的设置面积。由此,例如,即使在工厂内能设置基板处理装置1的区域有限的情况下,基板处理装置1的设置也能够变容易。图14和图15是分别示意性示出去程部分11的部分构成的一变形例的俯视图。
在此,例如,如图14所示,缓冲部116可以位于涂覆部112上且与涂覆部112重叠的位置,如图15所示,可以位于清洗部111上且与清洗部111重叠的位置。另外,例如,缓冲部116可以位于涂覆部112下且与涂覆部112重叠的位置,可以位于清洗部111下且与清洗部111重叠的位置。换言之,例如,缓冲部116可以位于在上下方向与清洗部111或涂覆部112重叠的位置。在这种情况下,例如,能够减少基板处理装置1的设置面积。由此,例如,即使在工厂内能设置基板处理装置1的区域有限的情况下,基板处理装置1的设置也能够变容易。
在上述第一实施方式中,例如,如图16所示,在从上方俯视的情况下,旋转部117可以位于搬送机器人115的与回程部分13相反侧的第二区域A2。换言之,在从上方俯视的情况下,旋转部117可以位于与去程部分11和回程部分13之间的间隙区域隔着搬送机器人115的相反侧的外侧区域。在这种情况下,例如,能够有效利用因位于基板处理装置1的去程部分11的侧面的柱等结构物或其他装置等的存在而产生的空置区域来配置旋转部117。由此,例如,即使在工厂内能设置基板处理装置1的区域有限的情况下,基板处理装置1的设置也能够变容易。图16和图17是分别示意性示出去程部分11的部分构成的一变形例的俯视图。
在此,例如,如图16所示,缓冲部116可以位于涂覆部112上且与涂覆部112重叠的位置,如图17所示,缓冲部116可以位于清洗部111上且与清洗部111重叠的位置。另外,例如,缓冲部116可以位于涂覆部112下且与涂覆部112重叠的位置,可以位于清洗部111下且与清洗部111重叠的位置。换言之,例如,缓冲部116可以位于在上下方向与清洗部111或涂覆部112重叠的位置。在这种情况下,例如,能够减少基板处理装置1的设置面积。由此,例如,即使在工厂内能设置基板处理装置1的区域有限的情况下,基板处理装置1的设置也能够变容易。
在上述第一实施方式中,例如,在清洗部111的第一路线P1与涂覆部112的第二路线P2之间基板搬送方向相同,基板G1相对于基板搬送方向的朝向相同的情况下,如图18所示,可以没有旋转部117。图18、图19、图20和图21是分别示意性示出去程部分11的部分构成的一变形例的俯视图。
在此,例如,如图18所示,缓冲部116可以位于涂覆部112上且与涂覆部112重叠的位置,如图19所示,缓冲部116可以位于清洗部111上且与清洗部111重叠的位置。另外,例如,缓冲部116可以位于涂覆部112下且与涂覆部112重叠的位置,可以位于清洗部111下且与清洗部111重叠的位置。换言之,例如,缓冲部116可以位于在上下方向与清洗部111或涂覆部112重叠的位置。在这种情况下,例如,能够减少基板处理装置1的设置面积。由此,例如,即使在工厂内能设置基板处理装置1的区域有限的情况下,基板处理装置1的设置也能够变容易。
另外,在此,例如,如图20所示,在从上方俯视的情况下,缓冲部116可以位于搬送机器人115的回程部分13侧的第一区域A1,如图21所示,在从上方俯视的情况下,可以位于搬送机器人115的与回程部分13相反侧的第二区域A2。换言之,缓冲部116可以位于搬送机器人115的间隙区域侧,可以位于搬送机器人115的与间隙区域相反侧的外侧区域。在这种情况下,例如,即使在工厂内能设置基板处理装置1的区域有限的情况下,基板处理装置1的设置也能够变容易。
图22是示出没有旋转部117的基板处理装置1在通常状态将基板G1从清洗部111搬送到涂覆部112的搬送操作的操作流程的一个例子的流程图。
图23是示出没有旋转部117的基板处理装置1在异常状态下开始的将基板G1从清洗部111搬送到涂覆部112的搬送操作的操作流程的一个例子的流程图。在图22和图23中,与图4和图5同样地,示出着眼于1枚基板G1的搬送操作的流程图。
在通常状态下,执行按顺序进行图22所示的步骤S1B~步骤S2B的操作的搬送操作流程。在步骤S1B的操作中,用搬送机器人115从清洗部111搬出基板G1。在步骤S2B的操作中,用搬送机器人115向涂覆部112搬入基板G1。
在这种情况下,例如,构成使用基板处理装置1的基板处理方法的至少一部分的、将基板G1从清洗部111搬送到涂覆部112的基板搬送方法,具有用搬送机器人115从清洗部111搬出基板G1,不经过向缓冲部116搬入基板G1和从缓冲部116搬出基板G1,就向涂覆部112搬入基板G1的工序(第一工序)。
在异常状态下开始的搬送操作中,执行按顺序进行图23所示的步骤S11C~步骤S15C的操作的搬送操作流程。
在步骤S11C的操作中,用搬送机器人115从清洗部111搬出基板G1。在步骤S12C的操作中,用搬送机器人115将基板G1搬入缓冲部116。具体而言,将基板G1暂时收纳于缓冲部116,使基板G1暂时处于待机的状态。在步骤S13C中,用控制部141判定异常状态是否已被消除。此处,重复步骤S13C判定直至异常状态被消除,异常状态已被消除则进行步骤S17。在步骤S14C的操作中,用搬送机器人115从缓冲部116搬出基板G1。在步骤S15C的操作中,用搬送机器人115向涂覆部112搬入基板G1。
在这种情况下,例如,构成使用基板处理装置1的基板处理方法的至少一部分的、将基板G1从清洗部111搬送到涂覆部112的搬送方法(基板搬送方法),具有用搬送机器人115从清洗部111搬出基板G1,经过向缓冲部116搬入基板G1和从缓冲部116搬出基板G1,向涂覆部112搬入基板G1的工序(第二工序)。
如此地,例如,通过使用搬送机器人115和缓冲部116从清洗部111向涂覆部112搬送基板G1,与使用具有基板待机区域的中继输送机从清洗部111向涂覆部112搬送基板G1的情况相比,能够缩短去程部分11的长度。由此,例如,能够缩短基板处理装置1的长度。另外,例如,能够减少基板G1因发生静电放电(ESD)而产生缺陷的风险。
在上述第一实施方式中,例如,在从上方俯视的情况下,如图24所示,涂覆部112可以位于搬送机器人115的回程部分13侧的第一区域A1,如图25所示,可以位于搬送机器人115的与回程部分13相反侧的第二区域A2。由此,例如,通过将涂覆部112向清洗部111侧偏移,能够缩短去程部分11的长度。其结果是,例如,能够缩短基板处理装置1的长度。图24和图25是分别示意性示出去程部分11的构成的一变形例的俯视图。
此处,例如,在将从清洗部111搬出的基板G1向涂覆部112的入侧部分搬入时,能够用搬送机器人115变更基板G1相对于基板搬送方向的朝向。具体而言,例如,在将从清洗部111搬出的基板G1向涂覆部112的入侧部分搬入时,能够用搬送机器人115的旋转机构将基板G1相对于基板搬送方向的朝向旋转90度。因此,可以不含旋转部117。在这种情况下,例如,在清洗部111的第一路线P1与涂覆部112的第二路线P2之间基板搬送方向相同,基板G1相对于基板搬送方向的朝向不同的情况下,能够不设置旋转部117,在用搬送机器人115变更了基板G1的朝向的状态下将基板G1搬入涂覆部112。
在此,例如,如图24所示,在从上方俯视的情况下,当涂覆部112位于搬送机器人115的回程部分13侧的第一区域A1时,能够通过有效利用去程部分11与回程部分13之间的间隙区域来配置涂覆部112。由此,例如,即使在工厂内能设置基板处理装置1的区域有限的情况下,基板处理装置1的设置也能够变容易。在图24的例子中,在从上方俯视的情况下,涂覆部112的入侧部分位于搬送机器人115的回程部分13侧的第一区域A1。
另外,在此,例如,如图25所示,在从上方俯视的情况下,当涂覆部112位于搬送机器人115的与回程部分13相反侧的第二区域A2时,能够有效利用因位于基板处理装置1的去程部分11的侧面的柱等结构物或其他装置等的存在而产生的空置区域来配置涂覆部112。由此,例如,即使在工厂内能设置基板处理装置1的区域有限的情况下,基板处理装置1的设置也能够变容易。在图25的例子中,在从上方俯视的情况下,涂覆部112的入侧部分位于搬送机器人115的与回程部分13相反侧的第二区域A2。
在图24和图25的例子中,例如,缓冲部116位于搬送机器人115的与清洗部111相反侧的区域。从其他观点出发,例如,缓冲部116位于搬送机器人115的接口部12侧的区域。另外,在从涂覆部112搬出基板G1的同时向减压干燥部113搬入基板G1的搬送机器人118位于涂覆部112与减压干燥部113之间。从其他观点出发,在搬送机器人118位于涂覆部112的接口部12侧的区域的同时,减压干燥部113位于搬送机器人118的接口部12侧的区域。
另外,在图24的例子中,在从减压干燥部113搬出基板G1的同时向预烘烤部114搬入基板G1的搬送机器人119位于减压干燥部113的与回程部分13相反侧的区域。在图25的例子中,在从减压干燥部113搬出基板G1的同时向预烘烤部114搬入基板G1的搬送机器人119位于减压干燥部113的回程部分13侧的区域。如此地,当采用搬送机器人119位于减压干燥部113的与回程部分13相反侧的区域或减压干燥部113的回程部分13侧的区域的构成时,能够缩短去程部分11的长度。其结果是,例如,能够缩短基板处理装置1的长度。
另外,在图24和图25的例子中,预烘烤部114位于搬送机器人119的接口部12侧的区域。例如,搬送机器人118和搬送机器人119分别应用与搬送机器人115同样的具有手部、臂机构和旋转机构的结构。搬送机器人118和搬送机器人119可以分别根据需要具有能将旋转机构与手部和臂机构一同升降的升降机构。此处,例如,根据搬送机器人119,在将从减压干燥部113搬出的基板G1搬入预烘烤部114时,能够变更基板G1相对于基板搬送方向的朝向。具体而言,例如,在将从减压干燥部113搬出的基板G1搬入预烘烤部114时,能够用搬送机器人119的旋转机构将基板G1的朝向相对于基板搬送方向旋转90度。
图26、图27和图28是分别示意性示出去程部分11的构成的一变形例的俯视图。
此处,例如,如图26所示,缓冲部116可以位于清洗部111上且与清洗部111重叠的位置,如图27所示,可以位于涂覆部112上且与涂覆部112重叠的位置。另外,此处,例如,缓冲部116可以位于清洗部111下且与清洗部111重叠的位置,可以位于涂覆部112下且与涂覆部112重叠的位置。换言之,例如,缓冲部116可以位于在上下方向与清洗部111或涂覆部112重叠的位置。在这种情况下,例如,能够减少基板处理装置1的设置面积。由此,例如,即使在工厂内能设置基板处理装置1的区域有限的情况下,基板处理装置1的设置也能够变容易。
另外,此处,例如,如图28所示,缓冲部116可以位于搬送机器人115的与回程部分13相反侧的第二区域A2。换言之,在从上方俯视的情况下,缓冲部116可以位于与去程部分11和回程部分13之间的间隙区域隔着搬送机器人115的相反侧的外侧区域。在这种情况下,例如,能够有效利用因位于基板处理装置1的去程部分11的侧面的柱等结构物或其他装置等的存在而产生的空置区域来配置缓冲部116。由此,例如,即使在工厂内能设置基板处理装置1的区域有限的情况下,基板处理装置1的设置也能够变容易。
在上述第一实施方式和上述各变形例中,例如,当清洗部111的第一路线P1的高度、涂覆部112的第二路线P2的高度和缓冲部116的载置部的高度相同时,可以考虑搬送机器人115不具有升降基板G1的升降机构的方案。
在上述第一实施方式和上述各变形例中,例如,在基板处理装置1具有缓冲部116和旋转部117的情况下,可以使缓冲部116与旋转部117以在上下方向重叠的方式配置。
在上述第一实施方式和上述各变形例中,例如,检查部等具有其他功能的部分可以位于冷却部133与索引器装置2之间。例如,检查部是使用相机等光学构件检查基板G1的部分。
在上述第一实施方式和上述各变形例中,例如,可以省略后烘烤部132和冷却部133。
在上述第一实施方式和上述各变形例中,例如,作为处理对象的基板G1即玻璃基板,例如,可应用液晶显示装置用玻璃基板、有机EL(电致发光,Electro Luminescence)显示用玻璃基板、PDP(等离子显示板)用玻璃基板或光掩模用玻璃基板等。另外,作为处理对象的基板G1,例如,可以采用与玻璃基板不同的半导体晶片、彩色滤光片用基板、记录盘用基板或太阳能电池用基板等其他精密电子装置用的基板。
在上述第一实施方式和上述各变形例中,例如,基板处理装置1可以包含索引器装置2,也可以包含曝光装置3。
需要说明的是,不言而喻,可以将分别构成上述第一实施方式和各种变形例的全部或一部分在不矛盾的范围内适当组合。
附图标记的说明
1 基板处理装置
11 去程部分
11i 被搬入区域
111 清洗部
112 涂覆部
115、118、119搬送机器人
116 缓冲部
117 旋转部
12 接口部
13 回程部分
13o 被搬出区域
131 显影部
2 索引器装置
3 曝光装置
A1 第一区域
A2 第二区域
Ax1 假想旋转轴
G1 基板
P1 第一路线
P2 第二路线

Claims (13)

1.一种基板处理装置,具有去程部分以及回程部分,基板在所述去程部分上移动,所述去程部分从所述基板被从索引器装置搬入的被搬入区域到朝向曝光装置搬出所述基板的接口部为止,从所述曝光装置向所述接口部搬入的所述基板在所述回程部分上移动,所述回程部分从所述接口部到朝向所述索引器装置搬出所述基板的被搬出区域为止,其中,
所述去程部分包含:
清洗部,对从所述索引器装置搬入的所述基板实施清洗处理;
涂覆部,在用所述清洗部实施过所述清洗处理的所述基板上涂覆处理液;
缓冲部,暂时收纳所述基板;以及
搬送机器人,从所述清洗部搬出所述基板,向所述缓冲部搬入所述基板,从所述缓冲部搬出所述基板和向所述涂覆部搬入所述基板,
所述回程部分包含对基于所述处理液的膜实施显影处理的显影部。
2.如权利要求1所述的基板处理装置,其中,
所述搬送机器人使所述基板升降。
3.如权利要求1或2所述的基板处理装置,其中,
所述缓冲部位于在上下方向上与所述清洗部或所述涂覆部重叠的位置。
4.如权利要求1或2所述的基板处理装置,其中,
在从上方俯视的情况下,所述缓冲部位于所述搬送机器人的所述回程部分侧的区域。
5.如权利要求1或2所述的基板处理装置,其中,
在从上方俯视的情况下,所述缓冲部位于所述搬送机器人的与所述回程部分相反侧的区域。
6.如权利要求1或2所述的基板处理装置,其中,
所述去程部分还包含旋转部,使所述基板以沿上下方向的假想旋转轴为中心旋转,
所述搬送机器人向所述旋转部搬入所述基板和从所述旋转部搬出所述基板。
7.如权利要求6所述的基板处理装置,其中,
所述旋转部位于在上下方向上与所述清洗部或所述涂覆部重叠的位置。
8.如权利要求6所述的基板处理装置,其中,
在从上方俯视的情况下,所述旋转部位于所述搬送机器人的所述回程部分侧的区域。
9.如权利要求6所述的基板处理装置,其中,
在从上方俯视的情况下,所述旋转部位于所述搬送机器人的与所述回程部分相反侧的区域。
10.如权利要求1或2所述的基板处理装置,其中,
在从上方俯视的情况下,所述涂覆部位于所述搬送机器人的所述回程部分侧的区域或所述搬送机器人的与所述回程部分相反侧的区域。
11.如权利要求10所述的基板处理装置,其中,
在从上方俯视的情况下,所述涂覆部位于所述搬送机器人的所述回程部分侧的区域。
12.如权利要求10所述的基板处理装置,其中,
在从上方俯视的情况下,所述涂覆部位于所述搬送机器人的与所述回程部分相反侧的区域。
13.一种基板处理方法,使用基板处理装置,所述基板处理装置具有去程部分以及回程部分,基板在所述去程部分上移动,所述去程部分从所述基板被从索引器装置搬入的被搬入区域到朝向曝光装置搬出所述基板的接口部为止,从所述曝光装置向所述接口部搬入的所述基板在所述回程部分上移动,所述回程部分从所述接口部到朝向所述索引器装置搬出所述基板的被搬出区域为止,其中,
所述去程部分包含:清洗部,对从所述索引器装置搬入的所述基板实施清洗处理;涂覆部,在用所述清洗部实施过所述清洗处理的所述基板上涂覆处理液;缓冲部,暂时收纳所述基板;以及搬送机器人,
所述回程部分包含对基于所述处理液的膜实施显影处理的显影部,
所述方法具有:
第一工序,用所述搬送机器人,从所述清洗部搬出所述基板,不经过向所述缓冲部搬入该基板和从所述缓冲部搬出该基板,就向所述涂覆部搬入该基板;以及
第二工序,用所述搬送机器人,从所述清洗部搬出所述基板,经过向所述缓冲部搬入该基板和从所述缓冲部搬出该基板,向所述涂覆部搬入该基板。
CN202211658220.4A 2022-02-18 2022-12-22 基板处理装置和基板处理方法 Pending CN116631923A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022-023968 2022-02-18
JP2022023968A JP7405884B2 (ja) 2022-02-18 2022-02-18 基板処理装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN116631923A true CN116631923A (zh) 2023-08-22

Family

ID=87625350

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202211658220.4A Pending CN116631923A (zh) 2022-02-18 2022-12-22 基板处理装置和基板处理方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7405884B2 (zh)
KR (1) KR20230124472A (zh)
CN (1) CN116631923A (zh)
TW (1) TW202335146A (zh)

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10154652A (ja) * 1996-11-26 1998-06-09 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2002043203A (ja) * 2000-07-19 2002-02-08 Tokyo Electron Ltd 薄膜形成装置および基板洗浄装置
JP2002324740A (ja) * 2001-04-24 2002-11-08 Tokyo Electron Ltd 処理装置
JP2005123430A (ja) * 2003-10-17 2005-05-12 Trecenti Technologies Inc 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造システム
JP2006041235A (ja) * 2004-07-28 2006-02-09 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
CN1773673A (zh) * 2004-11-10 2006-05-17 大日本网目版制造株式会社 基板处理装置以及基板处理方法
JP2008053331A (ja) * 2006-08-23 2008-03-06 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 姿勢変換装置および基板搬送装置
JP2010080856A (ja) * 2008-09-29 2010-04-08 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2010219435A (ja) * 2009-03-18 2010-09-30 Sokudo Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2016027588A (ja) * 2013-08-30 2016-02-18 東京応化工業株式会社 光照射装置、基板処理装置及び基板処理装置の製造方法
CN107256838A (zh) * 2011-11-04 2017-10-17 东京毅力科创株式会社 基板处理系统和基板搬送方法
JP2020035935A (ja) * 2018-08-30 2020-03-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP2021021748A (ja) * 2019-07-24 2021-02-18 株式会社Screenホールディングス 追加露光装置およびパターン形成方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7097759B2 (ja) 2018-06-22 2022-07-08 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP7232593B2 (ja) 2018-08-30 2023-03-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP7186605B2 (ja) 2018-12-27 2022-12-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP7142566B2 (ja) 2018-12-27 2022-09-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10154652A (ja) * 1996-11-26 1998-06-09 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2002043203A (ja) * 2000-07-19 2002-02-08 Tokyo Electron Ltd 薄膜形成装置および基板洗浄装置
JP2002324740A (ja) * 2001-04-24 2002-11-08 Tokyo Electron Ltd 処理装置
JP2005123430A (ja) * 2003-10-17 2005-05-12 Trecenti Technologies Inc 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造システム
JP2006041235A (ja) * 2004-07-28 2006-02-09 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
CN1773673A (zh) * 2004-11-10 2006-05-17 大日本网目版制造株式会社 基板处理装置以及基板处理方法
JP2008053331A (ja) * 2006-08-23 2008-03-06 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 姿勢変換装置および基板搬送装置
JP2010080856A (ja) * 2008-09-29 2010-04-08 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2010219435A (ja) * 2009-03-18 2010-09-30 Sokudo Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
CN107256838A (zh) * 2011-11-04 2017-10-17 东京毅力科创株式会社 基板处理系统和基板搬送方法
JP2016027588A (ja) * 2013-08-30 2016-02-18 東京応化工業株式会社 光照射装置、基板処理装置及び基板処理装置の製造方法
JP2020035935A (ja) * 2018-08-30 2020-03-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP2021021748A (ja) * 2019-07-24 2021-02-18 株式会社Screenホールディングス 追加露光装置およびパターン形成方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2023120864A (ja) 2023-08-30
JP7405884B2 (ja) 2023-12-26
TW202335146A (zh) 2023-09-01
KR20230124472A (ko) 2023-08-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5410212B2 (ja) 基板処理装置、基板処理システムおよび検査周辺露光装置
JP4955977B2 (ja) 塗布、現像装置及びその方法
US7726891B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP4969138B2 (ja) 基板処理装置
JP5417186B2 (ja) 基板処理装置
US10916453B2 (en) Lithographic apparatus, method of transferring a substrate and device manufacturing method
JP4319175B2 (ja) 減圧乾燥装置
JP3649048B2 (ja) レジスト塗布・現像装置、ならびにそれに用いる基板加熱処理装置および基板搬送装置
CN116631923A (zh) 基板处理装置和基板处理方法
JP2020035884A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR102627210B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP5758509B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
CN116804827B (zh) 基板处理装置以及基板处理方法
JP5183994B2 (ja) 基板処理装置
KR20190042186A (ko) 포토 마스크 세정 장치 및 포토 마스크 세정 방법
JP2010080856A (ja) 基板処理装置
JP6404303B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP5680731B2 (ja) 基板処理装置および検査周辺露光システム
KR20190122502A (ko) 마스크 처리 장치 및 마스크 처리 방법
JP2015111685A (ja) 基板処理方法および基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination