JP2005123430A - 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造システム - Google Patents

Abstract

【課題】 フォトリソグラフィー工程において、露光後現像開始迄の待機時間を必要とする処理の待機時でも、露光工程後の現像処理を使用できるようにする。
【解決手段】 露光装置２０と塗布現像装置１０との間に、露光処理と現像処理との時間差を調整するバッファ装置３０を設け、バッファ装置３０のストッカーにウエハを一時待機可能とする。併せて、制御部４０の判断で、ストッカーへの所定の待機時間の要否、すなわちバッファ設定の有無を判断して、必要ならば先行する処理のウエハをバッファ装置３０のストッカーに所定時間保管し、その間に、露光後待機時間の必要がない後行するウエハ処理に先行処理のウエハを追い越しさせて、先に現像処理させる。
【選択図】 図２

Description

本発明は、半導体装置の製造におけるフォトリソグラフィー技術に関し、特に、露光後現像迄所定時間待機させる必要のある感光剤を使用する露光技術に適用して有効な技術である。

以下に説明する技術は、本発明を完成するに際し、本発明者によって検討されたものであり、その概要は次のとおりである。

半導体装置の最上層に設ける絶縁膜に直接開口して、ワイヤーボンディング用のボンディングパッドを露出させる技術がある。かかる技術では、多層に形成された配線層の最上層に、例えば、絶縁膜として感光性ポリイミドを所定層厚で塗布し、塗布後の感光性ポリイミド層を所定のレチクルを用いて露光し、その後現像することで、ボンディングパッド部に合わせた開口部を形成している。

かかる一連の処理において、露光処理の方が現像処理より処理時間が短いため、露光処理と現像処理との間では、その処理時間差を調整する処理が必要となる。そこで、露光後のウエハを現像処理のタイミングに合わせるように、必要に応じて一時待機させるバッファ処理を行っている。

かかるバッファ処理は、前後の処理の時間差を調整する処理としては一般的に採用される処理ではあるが、かかるバッファ処理に待機時間の時間管理機能を設けた構成が提案されている。すなわち、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）用の基板作成における露光、現像処理技術においては、ネガ型感光性レジストを露光した後、光励起されたラジカルの反応を完結させるために所定時間待機させることが求められ、露光処理と現像処理との間にバッファ装置を設けて、露光後の処理基板を保管し、併せて所定時間経過後に現像処理側へ送り出す構成が提案されている（特許文献１参照）。
特開２０００−２５９３１号公報（図１参照）

本発明者は、上記フォトリソグラフィーを用いて感光性ポリイミド上へ開口する技術のバッファ処理においては、以下の課題があることを見出した。

図６に、かかる開口部を形成する手順をフロー図で示した。すなわち、所定の工程を経て配線層が既に多層に形成されたウエハをステップＳ１で払い出し、ステップＳ２で所定層厚に感光性ポリイミドを塗布する。塗布後の感光性ポリイミドは、ステップＳ３で溶剤揮発等の目的でプリベークする。かかる塗布からベークまでは、例えば、塗布処理、ベーク処理、現像処理を一台で行える塗布現像装置で行う。

ベーク後、ステップＳ４で、所定パターンのレチクル（マスク）を用いて、感光性ポリイミド上に所定パターンを露光する。露光は、塗布現像装置とは別の独立構成した露光装置で行う。

露光後、ステップＳ５で、ウエハを塗布現像装置に戻し、現像によりボンディングパッドに合わせた開口部を感光性ポリイミド上に形成する。現像後は、ステップＳ６でベークし、ベーク後のウエハをステップＳ７でカセット等に収納して一連のフォトリソグラフィー工程を終了する。

かかる一連のフォトリソグラフィーを用いた感光性ポリイミド上への開口技術においては、開口部の開口度合いがロット毎に異なることが問題となっていた。検討の結果、本発明者は、露光から現像迄の時間がかかる開口度合いに大きな影響を与えることを見出した。

図７には、開口不良のロットと、正常ロットとにおける感光性ポリイミドの塗布完了後から露光開始迄の時間と、露光完了後から現像開始迄の時間との関係を示している。図７から明らかなように、不良ロットでは、正常ロットに比べて、露光完了後から現像開始迄の待機時間が、著しく短いことが分かる。

さらに検討の結果、少なくとも膜厚が１０ミクロン程度の感光性ポリイミドに関しては、露光完了後から現像開始迄は、約７０分以上時間をあける必要があることが分かった。７０分を越える分には、待機時間が長くなっても開口度に悪影響を与えることは無かった。

そこで、前述の一連のフォトリソグラフィー工程におけるバッファ処理で、露光後のウエハの現像処理開始迄の時間管理を行うこととなったが、現状のバッファ装置では、露光処理と、現像処理のタイミングが合わない場合にのみウエハを溜めるシステムで、上記所定時間待機させる時間管理処理は行えない。

すなわち、露光処理が終了した時点で、現像処理が終了しておれば、ウエハは待機することなく搬送手段により現像処理側に送られる。一方、露光処理が終了しても現像処理が継続中であれば、露光後のウエハは収納カセットに溜められ、現像処理が終了次第、収納カセットから現像処理側へ送られる。露光処理後から現像処理開始迄の待機時間は、両処理の終了タイミング次第となり、待機時間がない場合をも含めてバラバラで一定していない。

そのため、現状は、露光装置と塗布現像装置との間に、必要な時間ウエハを待機させるためだけのストッカー装置を介在させて、ストッカー装置からの払い出し管理による時間管理を行っている。

かかるストッカー装置を設ける構成は、ウエハを一時的に待機させるという点ではバッファ装置と一部重複する構成であり、装置構成的にも設置スペース的にも無駄がある。そこで、本発明者は、バッファ装置に、時間管理を行わせる機能を付加することで、重複機能の削減、ストッカー装置スペースの削減を行う必要があると考えた。

しかし、本発明者は、バッファ装置に単に時間管理機能を持たせるだけでは、不十分であると考えた。すなわち、バッファ装置に時間管理機能を持たせることで、露光後に所定の待機時間を必要とするウエハを一時保管することはできるが、しかし、ウエハの一時待機開始から待機完了後のウエハの払い出し開始までは、少なくとも、現像処理を停止させる必要が起きる。

待機時間が短い場合にはそれ程の影響はないものの、感光性ポリイミドの場合のように７０分と言う待機時間を設定する必要がある場合には、生産ラインの稼働効率という観点からは、極めて大きな空き時間となる。かかる７０分と言う時間、現像処理を徒に停止させておくことは大きな無駄であり、現像処理を停止させない工夫が必要と本発明者は考えた。

特に、生産ラインの一貫自動化を図る構成では、ライン途中でかかる７０分の時間差を、途中ラインの処理停止という形で解消することは、生産ラインのスループットの大きな低下を招き、自動化ラインのメリットを大きく減ずることとなる。

本発明の目的は、フォトリソグラフィー工程において、露光後現像開始迄の待機時間を必要とする処理の待機時でも、露光工程後の現像工程を使用できるようにすることにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。

すなわち、フォトリソグラフィー工程の露光−現像処理において追い越し処理を可能とした。

本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。

フォトリソグラフィー工程の露光−現像処理において追い越し処理を行わせることにより、露光後現像開始迄の待機時間を必要とする先行処理の待機時でも、露光工程後の現像処理を停止させることなく、後行処理の現像を行わせることができる。

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明を省略する場合がある。

図１は、本発明で使用する装置構成を模式的に示す説明図である。図２は、本発明で使用する製造システムの概略構成を示す説明図である。図３は、本発明で使用する露光工程と現像工程との間における追越し処理手順を示すフロー図である。

本発明の半導体装置の製造方法、製造システムでは、図１に示すように、塗布現像装置１０、露光装置２０、塗布現像装置１０と露光装置２０との間に設けられるバッファ装置３０からなる装置構成を使用している。

塗布現像装置１０には、搬入されたウエハに感光剤を塗布するスピンコーター等の塗布手段と、感光剤塗布後のウエハをベークするベーク手段と、露光後のウエハを現像する現像手段と、現像後のウエハをベークするベーク手段とがそれぞれ設けられている。

また、露光装置２０には、例えば、レチクルを通してパターンを縮小ショット露光するステッパ手段等の露光手段が設けられている。

塗布現像装置１０と露光装置２０との間に設けられるバッファ装置３０には、露光処理と現像処理との時間差を調整するためのバッファ機能と、露光後のウエハを現像処理に供給するまで所定時間待機させる待機時間管理機能とが備えられている。

バッファ機能とは、ウエハの露光処理が終了した時点で、現像処理が継続中の場合には、露光後のウエハを順次ストッカーに収納して、現像処理が終了するまで一時的に保管する機能である。現像処理が終了次第、ストッカーに溜められていたウエハを、先に収納された順に現像処理側へ供給することができるようになっている。すなわち、先入れ先払いのルールに従って、露光後ウエハのバッファ処理を行う。

一方、待機時間管理機能とは、露光後現像開始迄所定時間を待機させる必要がある処理では、露光後のウエハをストッカーに所定時間保管し、所定時間経過後に現像処理側に払い出す機能である。バッファ機能は、現像処理と露光処理との処理時間の差を調節するために一時的に待機させるものであり、バッファ機能におけるウエハの待機時間は、その時々の処理タイミングの具合により変わるもので、所定時間強制的に一時待機させる待機時間管理機能とは異なる機能である。

かかる構成の塗布現像装置１０、露光装置２０、バッファ装置３０は、図２に示すように、それぞれ制御部４０に制御指令が伝達可能に接続されている。制御部４０の判断に基づき、露光装置２０で露光処理が終了したウエハを、バッファ装置３０を用いて所定時間待機させるか、あるいは、待機させることなくそのまま塗布現像装置１０の現像処理に送るかが決定される。すなわち、制御部４０が待機時間管理手段を構成している。

また、制御部４０からの指令に基づき、バッファ装置３０部分で、先行する処理に待機時間が発生する場合には、その待機時間中に、後行する処理に先行する処理を追い越させて、現像処理を先に行わせることもできる。制御部４０は、追越し管理手段としても機能する。

制御部４０で、露光後のウエハの所定時間待機のバッファ設定の要否を判断し、所定時間待機の待機時間管理を行う場合には、かかる待機時間中の後行処理の追越し処理をすべく、露光装置２０、バッファ装置３０、塗布現像装置１０の現像処理側のそれぞれに所要の制御を指令する。

すなわち、先行する処理がバッファ装置３０で待機する間は、後行する処理用に、塗布現像装置１０における感光剤、塗布層厚等の塗布条件の変更、露光装置２０におけるレチクル、露光量等の露光条件の変更、塗布現像装置１０における現像処理条件の変更等が、適宜制御部４０から指令される。

以下、上記説明の装置構成、システム構成を用いて、半導体装置を製造する方法について説明する。以下の説明では、露光処理後現像迄に、所定時間の待機が必要とされる例として、感光性ポリイミドを感光剤として塗布した場合を例に挙げて説明する。

図３のフロー図に示すように、すなわち、前の工程で多層に配線層等が形成されたウエハは、図示しない搬送手段により塗布現像装置１０に供給されることで、フォトリソグラフィー工程がスタートする。

ステップＳ１０で、塗布現像装置１０に搬送されたウエハはウエハステージに置かれ、その状態で感光性ポリイミド樹脂が滴下され、併せてウエハステージが高速回転して滴下された感光性ポリイミド樹脂がウエハ上にスピンコート（回転塗布）される。スピンコートされたウエハは、感光性ポリイミドの溶剤揮発を行うためベークされる。

ベーク後、ステップＳ２０で、塗布後のウエハが搬送手段により露光装置２０に送られ、ウエハステージに置かれた状態で所定パターンのレチクルによりウエハ上の感光性ポリイミドにパターン露光が行われる。

露光後のウエハは、ステップＳ３０で、待機時間が必要か否かの、すなわちバッファ設定の有無が確認される。かかるステップＳ３０の待機時間の要否判断は、前述の如く制御部４０で行われる。

待機時間が必要な場合には、バッファ設定が有り（ＹＥＳ）と判断され、図２に示すように、ステップＳ４０のバッファ処理に送られる。

ステップＳ４０では、所定の待機時間が必要と判断されたウエハは、制御部４０からの指令に基づき、露光装置２０とバッファ装置３０との間に設けられたウエハ受け渡しステージ２１から、露光後のウエハが、図４に示すように、図示しない搬送手段により、矢印１に従って、バッファ装置３０に設けたストッカー３１に順次送られ収納される。

併せて、ステップＳ４１でタイマーがスタートして、ストッカー３１に収納されたウエハの待機時間の計時が開始される。感光性樹脂としてポリイミド樹脂を用いた場合には、待機時間として７０分が設定されカウントされる。

ストッカー３１に収納されたウエハは、その後、収納された順に、すなわち先に収納されたウエハから順に、ステップＳ４２で待機時間が設定時間に至ったか否か判断され、待機時間に至らない（ＮＯ）場合には、ストッカー３１での収納が継続される。

一方、ステップＳ４２で、待機時間が設定時間に至った（ＹＥＳ）場合には、所定時間経過後のウエハの払い出しが行われる。払い出しに際しては、ステップＳ４３で、次の処理工程である現像処理に先行品があるか否か判断され、ない（ＮＯ）の場合には、ウエハは、図４に示すように、矢印２に従って、ストッカー３１から塗布現像装置１０の現像処理側のウエハ受け渡しステージ１１にウエハが渡される。

ステップＳ４３で、先行品ありと判断された場合には、すなわち、現像処理が継続中である場合には、ステップＳ４４で払い出しが先行品の現像処理が終了するまで一旦待ちの状態にされる。先行品の現像処理が終了次第、ステップＳ４４で払い出しが一旦待ちの状態で足止めされていたウエハから、順に現像処理側に送られることとなる。

感光性ポリイミドの場合には、露光後から現像開始迄の待機時間は、少なくとも７０分確保できればよく、それ以上の待機時間が発生しても開口度合いには影響を与えないため、かかる払い出し時の一旦待機は、品質上の悪影響を与えない。

ウエハ受け渡しステージ１１に渡されたウエハは、塗布現像装置１０側に搬送され、制御部４０からの指令に従った所要現像レシピに基づきステップＳ５０で現像処理が施される。

現像処理により所定パターンに合わせてボンディングパッド用の開口部が形成され、その後、ベークによるレジン強度の確保が行われて、一連のフォトリソグラフィー工程が終了する。

一方、ステップＳ３０で露光終了後現像開始迄に所定時間の待機が必要で、バッファ設定がありと判断された先行ロットのウエハは、上記のようにバッファ装置３０のストッカー３１に順次収納されて所定時間待機させられることとなるが、かかる待機時間中には、現像処理が空くこととなるため、かかる空き時間を利用して、露光後現像開始迄の待機時間を必要としない後行ロットのウエハは、制御部４０の指令に基づき、待機している先行ロットのウエハ処理を追い越して、先に現像処理される。

すなわち、先行する露光後現像開始迄の待機時間を必要とする処理のウエハが、ストッカー３１の収納容量に合わせて最後のウエハ収納が終了した時点で、露光後の待機時間の必要がない別ロットのウエハが後行処理として流される。

ステップＳ３０では、かかる後行処理のウエハは、バッファ設定なしと判断され、バッファ装置３０を経由することなく、すなわち、現像処理側へバイパスされることとなる。図４に示すように、矢印３に従って、露光装置２０のウエハ受け渡しステージ２１から、図示しない搬送手段により、直ちに、塗布現像装置１０側のウエハ受け渡しステージ１１に送られ、その後ステップＳ５０で現像処理が行われる。

このように、本発明では、露光後現像開始迄待機時間を必要とする先行するウエハ処理を、一旦バッファ装置３０で所定時間待機させる一方、その待機時間中に、露光後現像開始迄の待機時間の必要がないウエハ処理を後行処理として、先行処理を追い越すことで、先に処理することができる。

これまでの処理手順では、先行処理を追越し処理することはできず、上記説明のように、露光後現像開始迄所定時間待機させる必要があるウエハ処理を先行処理として流した場合には、バッファ装置３０に先行処理ウエハを待機させている時間、次の現像処理は停止させておかなければならなかった。しかし、本発明の如く、追越し処理を可能とする装置運用の手法開発により、先行処理の待機時間中でも、後行処理の現像処理を先に行わせて生産効率を格段に向上させることができる。

図５に、本発明に係る追越し処理の運用情況を分かりやすく示した。例えば、露光後現像開始迄所定の待機時間を必要とするウエハの処理をウエハ処理Ａとし、露光後現像開始迄の待機時間を必要としないウエハの処理をウエハ処理Ｂとする。

また、ウエハ処理Ａのうち、バッファ装置３０のストッカー３１で１回目に収納して所定待機時間保管処理することのできるウエハの処理群をウエハ処理群Ａ１で示す。ウエハ処理群Ａ１の待機時間中に、ウエハ処理Ｂのうち、追越し処理により先に現像処理が行えるウエハの処理群をウエハ処理群Ｂ１で示す。

同様に、バッファ装置３０のストッカー３１の２回目の収納で所定待機時間保管処理することのできるウエハの処理群をウエハ処理群Ａ２で示し、ウエハ処理群Ａ２の待機時間中に、ウエハ処理Ｂの追越し処理できるウエハの処理群をウエハ処理群Ｂ２で示す。

このようにウエハ処理群Ａ１、Ａ２、・・・、Ｂ１、Ｂ２、・・・を設定すると、本発明によれば、露光装置２０で先にウエハ処理Ａの内、ウエハ処理群Ａ１に相当する分の露光を行う。露光が終了したウエハ処理群Ａ１は、図３に示す追越しフローに従って、バッファ装置３０のストッカー３１に収納され、例えば、７０分等の所定時間待機保管される。図５では、破線矢印１で示した。

一方、ウエハ処理群Ａ１の露光に続いて、ウエハ処理Ｂの露光を行う。ウエハ処理Ｂの露光は、ウエハ処理群Ａ１の待機時間中に追越し処理によって現像可能となる枚数分のウエハ処理群Ｂ１の露光である。露光後、ウエハ処理群Ｂ１は現像処理される。かかる様子を実線矢印２で示した。

ウエハ処理群Ｂ１の現像処理は、ウエハ処理群Ａ１のバッファ装置３０の待機時間中に行える数に抑えられているため、ウエハ処理群Ｂ１の現像が終了すると、丁度バッファ装置３０に保管されていたウエハ処理群Ａ１の待機時間が完了することとなる。そこで、バッファ装置３０のストッカー３１から、先入れ先払いの原則に従って、ストッカー３１への収納順に現像処理側に送り、ウエハ処理群Ａ１の現像を行う。かかる様子を、図５では破線矢印３で示した。

一方、ウエハ処理群Ａ１がバッファ装置３０から現像処理側に順次移行され、ストッカー３１に順次空きができると、ウエハ処理群Ｂ１の露光処理に続いてウエハ処理群Ａ２の露光が行われ、露光終了次第、バッファ装置３０のストッカー３１に順次ウエハ処理群Ａ２が収納される。かかる様子を図５では、破線矢印４で示した。

ウエハ処理群Ａ１の露光に続いて、ウエハ処理Ｂの露光を行う。ウエハ処理Ｂの露光は、ウエハ処理群Ａ２の待機時間中に追越し処理によって現像することができる枚数分のウエハ処理群Ｂ２の露光となる。かかる様子を、図５では実線矢印５で示した。

ウエハ処理群Ｂ２の現像処理は、ウエハ処理群Ａ２のバッファ装置３０の待機時間中に行える数に抑えられているため、ウエハ処理群Ｂ２の現像が終了すると、丁度バッファ装置３０に保管されていたウエハ処理群Ａ２の待機時間が完了し、現像処理側へ払い出され、ウエハ処理群Ａ２の現像を行う。かかる様子を、図５では破線矢印６で示した。

このように、露光後現像開始迄の待機時間の有無が異なるウエハ処理Ａ、Ｂについては、本発明の製造方法、製造システムを採用することにより、ウエハ処理Ａの待機時間を利用して、ウエハ処理Ｂを混在させた状態で流すことができるようになった。これまでの手法では、いずれか一方の処理が完全に終了した状態で、他の処理を流すことしかできなかった。

すなわち、これまでの手法では、ウエハ処理Ａ←ウエハ処理Ｂあるいはウエハ処理Ｂ←ウエハ処理Ａ等のように行うしかなかった。ウエハ処理Ａ、Ｂの内、どの処理を優先して先に処理するかの選択しかできなかった。単に、ロット間の優先順位の選択しかできなかった。

しかし、本発明を用いることにより、ウエハ処理Ａ、Ｂをバッファ装置３０のストッカー３１の処理機能に合わせた複数のウエハ処理群Ａ１、Ａ２・・、Ｂ１、Ｂ２・・・に分けて混在処理することができ、不要な空き時間を発生させることなしにウエハ処理Ａ、Ｂを並行処理することができる。すなわち、図５に示すように、ウエハ処理群Ａ１←ウエハ処理群Ｂ１←ウエハ処理群Ａ２←ウエハ処理群Ｂ２・・・等のように混在処理することができ、かかる混在処理が行えない場合に比べて、格段に生産効率の向上が図れることとなる。

尚、上記説明では、バッファ装置３０を使用して、先行処理を所定時間待機させ、その待機時間中に後行処理に先行処理を追い越させて、先に処理を行う場合について説明したが、かかるバッファ装置３０では、待機時間の設定を特段行わなければ、露光処理と現像処理との処理時間の差異に基づいて、露光後のウエハを時間差調整のために一時的に保管する所謂バッファ機能のみを発揮させることもできる。すなわち、かかる時間差調整のための単なるバッファ機能は、待機時間管理機能の待機時間を指定しない特殊なケースとして扱わせればよい。

以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

例えば、前述の説明では、追越し処理するウエハ処理は、露光後現像開始迄の待機時間が必要のないウエハ処理としたが、例えば、先行するウエハより待機時間の短いウエハ処理であっても構わない。かかる場合には、バッファ装置内に別のストッカーを設けることで、かかるストッカーを経由させながら追越し処理させることができる。

さらには、前記説明では２種の異なるウエハ処理を追越し処理を利用して混在処理する場合を示したが、制御が複雑とはなるものの、異なる待機時間を有する複数のウエハ処理と、待機時間の必要がないウエハ処理との組合せ等のように、３種以上の異なるウエハ処理を混在処理させることも可能である。

本発明は半導体装置の製造分野、特に露光、現像の各工程を有するフォトリソグラフィーの工程で有効に使用することができる。

本発明で使用する装置構成を模式的に示す説明図である。 本発明で使用する製造システムの概略構成を示す説明図である。 本発明で使用する露光工程と現像工程との間における追越し処理手順を示すフロー図である。 追越し機能を模式的に示す説明図である。 追越し処理を示す説明図である。 これまでのフォトリソグラフィー工程の手順を示すフロー図である。 フォトリソグラフィーによる感光性ポリイミドへの開口度の露光後の待機時間の影響をグラフで示す説明図である。

符号の説明

１０ 塗布現像装置
１１ ウエハ受け渡しステージ
２０ 露光装置
２１ ウエハ受け渡しステージ
３０ バッファ装置
３１ ストッカー
４０ 制御部
Ａ１ ウエハ処理群
Ａ２ ウエハ処理群
Ｂ１ ウエハ処理群
Ｂ２ ウエハ処理群
Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４、Ｓ５、Ｓ６、Ｓ７ ステップ
Ｓ１０、Ｓ２０、Ｓ３０、Ｓ４０ ステップ
Ｓ４１、Ｓ４２、Ｓ４３、Ｓ４４、Ｓ５０ ステップ

Claims (6)

1. 感光剤塗布後のウエハの露光工程と、現像工程とを有する半導体装置の製造方法であって、
   露光工程後現像工程に至る間で、先行する処理の待機時間中に、後行する処理が前記先行する処理を追い越して先に現像処理されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. フォトリソグラフィー工程を有する半導体装置の製造方法であって、
   露光後現像迄に待機時間を必要とする感光剤を塗布したウエハの先行処理の露光後待機時間中に、前記待機時間を必要としない後行処理の露光後現像処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
3. 請求項２に記載の半導体装置の製造方法において、
   前記感光剤は感光性ポリイミドであり、
   前記待機時間は７０分以上であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
4. フォトリソグラフィー処理を行う半導体装置の製造システムであって、
   感光剤を塗布したウエハを露光する露光手段と、
   前記ウエハを露光後所定時間待機させる待機時間管理手段と、
   後行する処理に先行する処理を追い越させて先に処理させる追越し管理手段と、
   露光後の現像を行う現像手段とを有することを特徴とする半導体装置の製造システム。
5. 請求項４に記載の半導体装置の製造システムにおいて、
   前記先行する処理とは、露光後現像迄所定時間待機させる必要のある処理であり、
   前記後行する処理とは、露光後現像迄の待機時間を必要としない処理であることを特徴とする半導体装置の製造システム。
6. 請求項４に記載の半導体装置の製造システムにおいて、
   前記待機時間管理手段は、露光処理と現像処理との時間差に基づくウエハ搬送の待機を行うバッファ機能を併有することを特徴とする半導体装置の製造システム。
   
   
   
   
   
   

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