JP5283842B2 - 処理装置 - Google Patents
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Description
本発明は、処理装置に係り、特に物品を処理する処理ユニットを含む処理装置に関する。
半導体デバイス等のデバイスを製造するための露光装置は、通常、塗布現像装置と接続して使用される。感光剤が塗布されたウエハは、露光装置と塗布現像装置の間で受け渡しされる。露光装置と塗布現像装置との間には、ウエハ受渡ステーションが配置される。露光装置は、ウエハ受渡ステーションに置かれたウエハをそこから取り去った後、次のウエハを受け取ることが可能になったタイミングで、次のウエハの提供を塗布現像装置に要求する。
また、露光装置は、露光がなされたウエハを塗布現像装置に渡す際には、ウエハをウエハ受渡ステーションに置いて塗布現像装置がウエハを受け取ることが可能になったタイミングで、ウエハ受渡ステーションから取り去るように塗布現像装置に要求する。
特開２００２−７５８５３号公報
上記のように次のウエハを受け取ることが可能になったタイミングで次のウエハの提供を塗布現像装置に要求する方式では、塗布現像装置は、当該要求を受けたことに応じてウエハ搬送ユニットを動作させる。塗布現像装置がウエハの提供要求を受けてから実際に受渡ステーションにウエハを置くまでに要する時間を時間Ｔとすると、露光装置は、次のウエハを受け取ることが可能になったタイミングから時間Ｔを経た後でなければ次のウエハを受け取ることができない。
また、上記のように、塗布現像装置がウエハを受け取ることが可能になったタイミングで受渡ステーションからのウエハの取り去りを要求する方式では、塗布現像装置は、当該要求を受けたことに応じてウエハ搬送ユニットを動作させる。ここで、塗布現像装置がウエハの取去要求を受けてから受渡ステーションからのウエハの取り去りに要する時間をＴとする。露光装置は、塗布現像装置がウエハの受け取りが可能になったタイミングから時間Ｔを経た後でなければ次のウエハを受渡ステーションに置くことができない。
本発明は、本発明者による上記の課題認識を契機としてなされたものであり、物品を処理する処理ユニットを含む処理装置における処理のスループットを向上させることを例示的な目的とする。
本発明の１つの側面は、物品を処理する処理ユニットと、前記処理ユニットと外部装置との間の位置に配置された支持部と前記処理ユニットとの間で前記物品を搬送する第１搬送ユニットと、状態信号を出力する制御部とを含み、前記外部装置は、前記物品を保持して搬送する第２搬送ユニットを備えていて前記位置に配置された前記支持部に対する前記物品の搬送処理を前記状態信号に応答して開始するものである、処理装置に係り、前記制御部は、前記外部装置による前記搬送処理が可能な状態に前記処理装置がなったことを示す信号としての前記状態信号を前記処理装置が前記状態になる前に出力し、前記状態信号の出力の後の前記処理装置の状態に応じて、前記外部装置に対して前記搬送処理の停止を命令する信号としての停止命令信号を出力する。
本発明によれば、例えば、物品を処理する処理ユニットを含む処理装置における処理のスループットを向上させることができる。
以下、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態を説明する。
図１は、本発明の好適な実施形態の露光装置の本体部分の概略構成を示す図である。本発明の好適な実施形態の露光装置１００は、光源を含む照明装置１と、パターンが形成されたレチクル（原版）２を保持するレチクルステージ３と、レチクルステージ３に保持されたレチクル２の位置を計測するレチクル位置計測ユニット４とを備える。露光装置１００はまた、投影光学系５と、感光剤が塗布されたウエハ（基板）８を位置決めするステージ装置２０とを備える。ステージ装置２０は、ウエハ９をＸＹ方向に位置決めするＸＹステージ６と、ウエハ９をＺ方向に位置決めするためのＺステージ８とを含む。露光装置１００はまた、ＸＹステージ６のＸＹ方向の位置を計測するレーザ干渉計７と、ウエハ９をＺ方向の位置を計測するフォーカスユニット１０とを備えている。レチクル２に形成されたパターンは、投影光学系５を介して、Ｚステージ８上のウエハに投影され、ウエハに塗布された感光剤に潜像パターンを形成する。この潜像パターンは、現像装置によって現像されて、物理的なパターンとなる。
図２は、本発明の好適な実施形態のリソグラフィーシステムの概略構成を示す図である。図２に示すリソグラフィーシステム３００は、図１に示す本体部分を有する露光装置（処理装置）１００と、塗布現像装置２００とを含む。露光装置１００は、露光チャンバ１１を備える。露光装置１００の本体部分、すなわち露光ユニット（処理ユニットの一例）は、露光チャンバ１１内に配置される。図２では、簡単化のために、露光装置１００の本体部分として、ステージ装置２０のみが示されている。露光チャンバ１１内には、露光装置側の搬送ユニットとしての第１搬送ユニット１４、露光装置制御部１６、ユーザーインターフェースとしての入出力装置１８が配置されている。第１搬送ユニット１４は、処理対象の物品としてのウエハ９を保持するハンド１４ａを含む。露光チャンバ１１内には、また、主電源２３、副電源２４、第１搬送ユニット１４を制御する第１搬送制御部２１が配置されている。主電源２３は、少なくとも、露光装置１００の本体部分、露光装置制御部１６及び入出力装置１８に電力を供給する。副電源２４は、第１搬送制御部２１に電力を供給する。副電源２４は、主電源２３による電力供給対象に対する電力供給が遮断されても、副電源２４による電力供給対象に対する電力供給が継続されるように構成されている。具体的な例を挙げれば、副電源２４は、例えば、２次電池を含んで構成されうる。副電源２４は、主電源２３が正常であるときは主電源２３から提供される電力によって該２次電池を充電し、主電源２３の異常や停電等によって主電源２３による電力供給が遮断された場合には、該２次電池によって電力供給対象に電力を供給する。
塗布現像装置２００は、塗布現像チャンバ１２を備える。塗布現像装置２００の本体部分（該本体部分は、ウエハへの感光剤の塗布及び露光済みウエハの現像を行う機能を有する塗布現像ユニットを含む）は、塗布現像チャンバ１２内に配置される。塗布現像チャンバ１２内には、塗布現像装置側の搬送ユニットとしての第２搬送ユニット１５、塗布現像装置制御部１７が配置されている。塗布現像チャンバ１２内には、また、主電源２５、副電源２６、第２搬送ユニット１５を制御する第２搬送制御部２２が配置されている。第２搬送ユニット１５は、処理対象の物品としてのウエハ９を保持するハンド１５ａを含む。主電源２５は、少なくとも、塗布現像装置２００の本体部分及び塗布現像装置制御部１７に電力を供給する。副電源２６は、第２搬送制御部２２に電力を供給する。副電源２６は、主電源２５による電力供給対象に対する電力供給が遮断されても、副電源２６による電力供給対象に対する電力供給が継続されるように構成されている。具体的な例を挙げれば、副電源２６は、例えば、２次電池を含んで構成されうる。副電源２６は、主電源２５が正常であるときは主電源２５から提供される電力によって該２次電池を充電し、主電源２５の異常や停電等によって主電源２５による電力供給が遮断された場合には、該２次電池によって電力供給対象に電力を供給する。
第１搬送ユニット１４は、第２搬送ユニット１５が受渡ステーション１３の搬入部１３ａまで搬送したウエハを受け取り、露光ユニットのステージ装置２０まで搬送する。第１搬送ユニット１４は、露光が終了したウエハを受渡ステーション１３の搬出部１３ｂまで搬送する。第１搬送ユニット１４は、ウエハアライメントユニット（不図示：処理ユニットの他の例）を経由してウエハをＸＹステージ６に搬送する場合がある。露光チャンバ１１内には、複数のウエハ搬送ユニットが配置される場合がある。
塗布現像装置２００は、塗布現像チャンバ１２を備える。塗布現像装置２００の本体部分（該本体部分は、ウエハへの感光剤の塗布及び露光済みウエハの現像を行う機能を有する塗布現像ユニットを含む）は、塗布現像チャンバ１２内に配置される。塗布現像チャンバ１２内には、塗布現像装置側の搬送ユニットとしての第２搬送ユニット１５、塗布現像装置制御部１７が配置されている。塗布現像チャンバ１２内には、また、主電源２５、副電源２６、第２搬送ユニット１５を制御する第２搬送制御部２２が配置されている。第２搬送ユニット１５は、処理対象の物品としてのウエハ９を保持するハンド１５ａを含む。主電源２５は、少なくとも、塗布現像装置２００の本体部分及び塗布現像装置制御部１７に電力を供給する。副電源２６は、第２搬送制御部２２に電力を供給する。副電源２６は、主電源２５による電力供給対象に対する電力供給が遮断されても、副電源２６による電力供給対象に対する電力供給が継続されるように構成されている。具体的な例を挙げれば、副電源２６は、例えば、２次電池を含んで構成されうる。副電源２６は、主電源２５が正常であるときは主電源２５から提供される電力によって該２次電池を充電し、主電源２５の異常や停電等によって主電源２５による電力供給が遮断された場合には、該２次電池によって電力供給対象に電力を供給する。
第１搬送ユニット１４は、第２搬送ユニット１５が受渡ステーション１３の搬入部１３ａまで搬送したウエハを受け取り、露光ユニットのステージ装置２０まで搬送する。第１搬送ユニット１４は、露光が終了したウエハを受渡ステーション１３の搬出部１３ｂまで搬送する。第１搬送ユニット１４は、ウエハアライメントユニット（不図示：処理ユニットの他の例）を経由してウエハをＸＹステージ６に搬送する場合がある。露光チャンバ１１内には、複数のウエハ搬送ユニットが配置される場合がある。
以下において、「搬入」は、塗布現像装置２００から受渡ステーション１３の搬入部１３ａを経由して露光装置１００の本体部分（ステージ装置２０）にウエハが搬送される動作の全部又は一部を意味する。また、「搬出」は、露光装置１００から受渡ステーション１３の搬出部１３ｂを経由して塗布現像装置２００の本体部分にウエハが搬送される動作の全部又は一部を意味するものとする。
また、「提供要求」は、露光装置１００から塗布現像装置２００に対する要求であって、第２搬送ユニット１５によって受渡ステーション１３の搬入部１３ａにウエハを提供することの要求である。「取去要求」は、露光装置１００から塗布現像装置２００に対する要求であって、第２搬送ユニット１５によって受渡ステーション１３の搬出部１３ｂからウエハを取り去ることの要求である。提供要求及び取去要求は、露光装置１００が特定状態になったことを示す状態信号を出力することによってなされる。提供要求信号は、それを示す状態信号と等価である。取去要求信号は、それを示す状態信号と等価である。
また、「停止命令」は、露光装置１００から塗布現像装置２００に対する命令である。「停止命令」は、「提供要求」又は「取去要求」に応答して塗布現像装置２００においてなされるウエハの搬送に関する処理を停止すること、即ち、第２搬送ユニット１５のハンド１５ａを停止することを求める命令である。停止命令は、停止命令信号を出力（活性化）することによってなされる。
なお、「信号」は、専用の信号ラインの論理レベルを変更することのほか、１又は複数の信号ラインを通してデータを伝送することによっても、露光装置１００と塗布現像装置２００との間で伝達されうる。
受渡ステーション１３は、搬入部１３ａと搬出部１３ｂを含む。図３Ａ、図３Ｂは、それぞれ、搬入部１３ａ、搬出部１３ｂの構成例を示す側面図である。
なお、「信号」は、専用の信号ラインの論理レベルを変更することのほか、１又は複数の信号ラインを通してデータを伝送することによっても、露光装置１００と塗布現像装置２００との間で伝達されうる。
受渡ステーション１３は、搬入部１３ａと搬出部１３ｂを含む。図３Ａ、図３Ｂは、それぞれ、搬入部１３ａ、搬出部１３ｂの構成例を示す側面図である。
搬入部１３ａ、搬出部１３ｂには、それぞれ、ウエハを支持する支持部２８ａ、２８ｂが配置されている。支持部２８ａ、２８ｂは、例えば、ウエハを下方から支持する３つのピンを含んで構成されうる。
塗布現像装置２００から露光装置１００へのウエハの搬送（搬入）は、次のようにして実行される。第２搬送ユニット１５は、ハンド１５ａによってウエハ９を保持して支持部２８ａに搬送しウエハ９を支持部２８ａに支持させる。次いで、第１搬送ユニット１４は、支持部２８ａによって支持されたウエハ９をハンド１４ａによって保持して露光装置１００のステージ装置２０に搬送する。
露光装置１００から塗布現像装置２００へのウエハの搬送（搬出）は、次のようにして実行される。第１搬送ユニット１４は、ハンド１４ａによってウエハを保持して支持部２８ｂに搬送しウエハ９を支持部２８ｂに支持させる。次いで、第２搬送ユニット１５は、支持部２８ｂによって支持されたウエハ９をハンド１５ａによって保持して塗布現像装置の塗布現像ユニット（不図示）に搬送する。
つまり、塗布現像装置から露光装置へのウエハの搬送（搬入）においても、露光装置から塗布現像装置へのウエハの搬送（搬出）においても、第２搬送ユニット１５のハンド１５ａを支持部２８ａ又は２８ｂに接近させる動作を伴う搬送処理がなされる。
搬入部１３ａには、進入検知センサ３１ａと、ウエハ検知センサ（物品検知センサ）３３ａとが配置されている。進入検知センサ３１ａは、搬入部１３ａへの第２搬送ユニット１５のハンド１５ａ又はそれによって保持されたウエハ９が進入検知センサ３１ａの検知領域内に進入したことを検知する。ウエハ検知センサ３３ａは、ウエハを支持する支持部２８ａによって支持されたウエハ９を検知する。進入検知センサ３１ａ及びウエハ検知センサ３３ａは、第１搬送制御部２１によって駆動される。ここで、進入検知センサ３１ａ及びウエハ検知センサ３３ａは、副電源２４から第１搬送制御部２１に提供される電力によって駆動される。ウエハ検知センサ３３ａは、例えば、投光ユニット３３ａ１と受光ユニット３３ａ２とを含むフォトインタラプタで構成されうる。
搬出部１３ｂには、進入検知センサ３１ｂと、ウエハ検知センサ（物品検知センサ）３３ｂと、非退避検知センサ３３ｃとが配置されている。進入検知センサ３１ｂは、進入検知センサ３１ｂの検知領域内への第２搬送ユニット１５のハンド１５ａの進入を検知する。ウエハ検知センサ３３ｂは、ウエハを支持する支持部２８ｂによって支持されたウエハ９を検知する。非退避検知センサ３３ｃは、支持部２８ａから第１搬送ユニット１４のハンド１４ａが退避していないことを検知する。進入検知センサ３１ｂ、ウエハ検知センサ３３ｂ及び非退避検知センサ３３ｃは、第２搬送制御部２２によって駆動される。ここで、進入検知センサ３１ｂ、ウエハ検知センサ３３ｂ及び非退避検知センサ３３ｃは、副電源２６から第２搬送制御部２２に提供される電力によって駆動される。ウエハ検知センサ３３ｂは、例えば、投光ユニット３３ｂ１と受光ユニット３３ｂ２とを含むフォトインタラプタで構成されうる。
図４は、ユーザーインターフェースとしての入出力装置１８の画面表示の一例を示す図である。ここで、入出力装置１８の画面に表示されるパラメータについて説明をする。入力フィールド３０は、「オフセット時間（ウエハ提供要求）」が入力されるフィールドである。「オフセット時間（ウエハ提供要求）」は、露光装置１００から塗布現像装置２００に送られるウエハ提供要求信号の発生タイミングのオフセット時間（後述のＴＰ１）を意味する。露光装置１００は、入力フィールド３０に入力されたオフセット時間だけ、ウエハ提供要求信号（Ｉｎｐｕｔ−Ｒｅｑｕｅｓｔ）を本来の要求タイミングよりも早く発生（活性化）する。ここで、本来の要求タイミングとは、その要求タイミングと同じタイミングで要求が満たされてもよい状態に露光装置がなるタイミングを意味する。例えば、塗布現像装置２００から受渡ステーション１３の搬入部１３ａまでウエハが提供されてもよい状態に露光装置１００がなるタイミングは、提供要求信号の本来の要求タイミングである。入力フィールド３０に入力されたオフセット時間が０の場合には、ウエハ提供要求信号（Ｉｎｐｕｔ−Ｒｅｑｕｅｓｔ）は、本来の要求タイミングで発生する。
搬入部１３ａには、進入検知センサ３１ａと、ウエハ検知センサ（物品検知センサ）３３ａとが配置されている。進入検知センサ３１ａは、搬入部１３ａへの第２搬送ユニット１５のハンド１５ａ又はそれによって保持されたウエハ９が進入検知センサ３１ａの検知領域内に進入したことを検知する。ウエハ検知センサ３３ａは、ウエハを支持する支持部２８ａによって支持されたウエハ９を検知する。進入検知センサ３１ａ及びウエハ検知センサ３３ａは、第１搬送制御部２１によって駆動される。ここで、進入検知センサ３１ａ及びウエハ検知センサ３３ａは、副電源２４から第１搬送制御部２１に提供される電力によって駆動される。ウエハ検知センサ３３ａは、例えば、投光ユニット３３ａ１と受光ユニット３３ａ２とを含むフォトインタラプタで構成されうる。
搬出部１３ｂには、進入検知センサ３１ｂと、ウエハ検知センサ（物品検知センサ）３３ｂと、非退避検知センサ３３ｃとが配置されている。進入検知センサ３１ｂは、進入検知センサ３１ｂの検知領域内への第２搬送ユニット１５のハンド１５ａの進入を検知する。ウエハ検知センサ３３ｂは、ウエハを支持する支持部２８ｂによって支持されたウエハ９を検知する。非退避検知センサ３３ｃは、支持部２８ａから第１搬送ユニット１４のハンド１４ａが退避していないことを検知する。進入検知センサ３１ｂ、ウエハ検知センサ３３ｂ及び非退避検知センサ３３ｃは、第２搬送制御部２２によって駆動される。ここで、進入検知センサ３１ｂ、ウエハ検知センサ３３ｂ及び非退避検知センサ３３ｃは、副電源２６から第２搬送制御部２２に提供される電力によって駆動される。ウエハ検知センサ３３ｂは、例えば、投光ユニット３３ｂ１と受光ユニット３３ｂ２とを含むフォトインタラプタで構成されうる。
図４は、ユーザーインターフェースとしての入出力装置１８の画面表示の一例を示す図である。ここで、入出力装置１８の画面に表示されるパラメータについて説明をする。入力フィールド３０は、「オフセット時間（ウエハ提供要求）」が入力されるフィールドである。「オフセット時間（ウエハ提供要求）」は、露光装置１００から塗布現像装置２００に送られるウエハ提供要求信号の発生タイミングのオフセット時間（後述のＴＰ１）を意味する。露光装置１００は、入力フィールド３０に入力されたオフセット時間だけ、ウエハ提供要求信号（Ｉｎｐｕｔ−Ｒｅｑｕｅｓｔ）を本来の要求タイミングよりも早く発生（活性化）する。ここで、本来の要求タイミングとは、その要求タイミングと同じタイミングで要求が満たされてもよい状態に露光装置がなるタイミングを意味する。例えば、塗布現像装置２００から受渡ステーション１３の搬入部１３ａまでウエハが提供されてもよい状態に露光装置１００がなるタイミングは、提供要求信号の本来の要求タイミングである。入力フィールド３０に入力されたオフセット時間が０の場合には、ウエハ提供要求信号（Ｉｎｐｕｔ−Ｒｅｑｕｅｓｔ）は、本来の要求タイミングで発生する。
入力フィールド３２は、「オフセット時間（ウエハ取去要求）」が入力されるフィールドである。「オフセット時間（ウエハ取去要求）」は、露光装置１００から塗布現像装置２００に送られるウエハ取去要求信号の発生タイミングのオフセット時間（後述のＴＰ２）を意味する。露光装置１００は、入力フィールド３０に入力されたオフセット時間だけ、ウエハ取去要求信号（Ｗａｆｅｒ−Ｏｕｔ）を本来の要求タイミングよりも早く発生（活性化）する。ここで、本来の要求タイミングとは、前述のように、その要求タイミングと同じタイミングで要求が満たされてもよい状態に露光装置がなるタイミングを意味する。例えば、塗布現像装置２００が受渡ステーション１３の搬出部１３ｂからウエハを取り去ってもよい状態に露光装置１００がなるタイミングは、取去要求信号の本来の要求タイミングである。入力フィールド３２に入力されたオフセット時間が０の場合には、ウエハ取去要求信号（Ｗａｆｅｒ−Ｏｕｔ）は、本来の要求タイミングで出力される。
以下では、ウエハ提供要求信号（Ｉｎｐｕｔ−Ｒｅｑｕｅｓｔ）又はウエハ取去要求信号（Ｗａｆｅｒ−Ｏｕｔ）を本来のタイミングより先行して出力するモードを先行出力モード、これらを本来のタイミングで出力するモードを通常モードと呼ぶ。
図５は、塗布現像装置２００から露光装置１００にウエハを搬入する際の動作例を示すタイミングチャートである。図５の（ａ）は、通常モードにおける動作例を示し、図５の（ｂ）は、先行出力モードにおける動作例を示している。図５に示された信号について説明する。
＜Ｗａｆｅｒ Ｃａｒｒｙｉｎｇ Ｉｎ Ｏｐｅｒａｔｉｏｎ信号＞
Ｗａｆｅｒ Ｃａｒｒｙｉｎｇ Ｉｎ Ｏｐｅｒａｔｉｏｎ信号は、露光装置１００内部の状態信号であって、第１搬送ユニット１４の動作状態を示す。第１搬送ユニット１４がウエハの搬送処理を実行している間はＩｎ Ｐｒｏｃｅｓｓステート、実行していない間はＯｆｆステートになる。
Ｗａｆｅｒ Ｃａｒｒｙｉｎｇ Ｉｎ Ｏｐｅｒａｔｉｏｎ信号は、露光装置１００内部の状態信号であって、第１搬送ユニット１４の動作状態を示す。第１搬送ユニット１４がウエハの搬送処理を実行している間はＩｎ Ｐｒｏｃｅｓｓステート、実行していない間はＯｆｆステートになる。
＜Ｗａｆｅｒ Ｉｎ Ｓｅｎｓｏｒ信号＞
Ｗａｆｅｒ Ｉｎ Ｓｅｎｓｏｒ信号は、受渡ステーション１３の搬入部１３ａにおけるウエハの有無を検知するウエハ検知センサ３３ａの出力信号であり、第１搬送制御部２１に提供される。ウエハが存在する場合はＥｘｉｓｔステート、存在していない場合はＮｏｎｅステートになる。
Ｗａｆｅｒ Ｉｎ Ｓｅｎｓｏｒ信号は、受渡ステーション１３の搬入部１３ａにおけるウエハの有無を検知するウエハ検知センサ３３ａの出力信号であり、第１搬送制御部２１に提供される。ウエハが存在する場合はＥｘｉｓｔステート、存在していない場合はＮｏｎｅステートになる。
＜Ｉｎｐｕｔ−Ｒｅｑｕｅｓｔ信号＞
Ｉｎｐｕｔ−Ｒｅｑｕｅｓｔ信号は、第１搬送制御部２１から第２搬送制御部２２に提供されるウエハ提供要求信号（ウエハの提供を要求する状態であることを示す状態信号）である。ウエハ提供要求信号は、露光装置１００が塗布現像装置２００に対して、第２搬送ユニット１５によって受渡ステーション１３の搬入部１３ａにウエハを提供することを要求する信号である。ウエハの提供を要求している間はＲｅｑｕｅｓｔステート、要求していない間はＮｏｔＲｅａｄｙステートになる。
Ｉｎｐｕｔ−Ｒｅｑｕｅｓｔ信号は、第１搬送制御部２１から第２搬送制御部２２に提供されるウエハ提供要求信号（ウエハの提供を要求する状態であることを示す状態信号）である。ウエハ提供要求信号は、露光装置１００が塗布現像装置２００に対して、第２搬送ユニット１５によって受渡ステーション１３の搬入部１３ａにウエハを提供することを要求する信号である。ウエハの提供を要求している間はＲｅｑｕｅｓｔステート、要求していない間はＮｏｔＲｅａｄｙステートになる。
＜Ｗａｆｅｒ Ｓｕｐｐｌｙ信号＞
Ｗａｆｅｒ Ｓｕｐｐｌｙ信号は、第２搬送制御部２２から第１搬送制御部２１に提供される信号である。Ｗａｆｅｒ Ｓｕｐｐｌｙ信号は、第２搬送ユニット１５によって受渡ステーション１３の搬入部１３ａにウエハが提供されたタイミングでＳｕｐｐｌｉｅｄステートになる。また、Ｗａｆｅｒ Ｓｕｐｐｌｙ信号は、Ｉｎｐｕｔ−Ｒｅｑｕｅｓｔ信号がＮｏｔＲｅａｄｙステートになると、ＮｏｔＳｕｐｐｌｉｅｄステートになる。
Ｗａｆｅｒ Ｓｕｐｐｌｙ信号は、第２搬送制御部２２から第１搬送制御部２１に提供される信号である。Ｗａｆｅｒ Ｓｕｐｐｌｙ信号は、第２搬送ユニット１５によって受渡ステーション１３の搬入部１３ａにウエハが提供されたタイミングでＳｕｐｐｌｉｅｄステートになる。また、Ｗａｆｅｒ Ｓｕｐｐｌｙ信号は、Ｉｎｐｕｔ−Ｒｅｑｕｅｓｔ信号がＮｏｔＲｅａｄｙステートになると、ＮｏｔＳｕｐｐｌｉｅｄステートになる。
図６は、露光装置１００から塗布現像装置２００にウエハを搬出する際の動作例を示すタイミングチャートである。図６の（ａ）は、通常モードにおける動作例を示し、図６の（ｂ）は、先行出力モードにおける動作例を示している。以下に、図６に示された信号について説明する。
＜Ｏｕｔｐｕｔ−Ｒｅａｄｙ信号＞
Ｏｕｔｐｕｔ−Ｒｅａｄｙ信号は、第２搬送制御部２２から第１搬送制御部２１に提供される搬送完了信号である。Ｏｕｔｐｕｔ−Ｒｅａｄｙ信号は、塗布現像装置２００が第２搬送ユニット１５によって受渡ステーション１３の搬出部１３ｂからウエハを取り去る準備が完了したことを示す信号である。Ｏｕｔｐｕｔ−Ｒｅａｄｙ信号は、第２搬送ユニット１５によって受渡ステーション１３の搬出部１３ｂからウエハを取り去る準備が完了したタイミングでＲｅａｄｙステートになる。Ｏｕｔｐｕｔ−Ｒｅａｄｙ信号は、Ｗａｆｅｒ−Ｏｕｔ信号がＰｌａｃｅｄステートになると、ＮｏｔＲｅａｄｙステートになる。
Ｏｕｔｐｕｔ−Ｒｅａｄｙ信号は、第２搬送制御部２２から第１搬送制御部２１に提供される搬送完了信号である。Ｏｕｔｐｕｔ−Ｒｅａｄｙ信号は、塗布現像装置２００が第２搬送ユニット１５によって受渡ステーション１３の搬出部１３ｂからウエハを取り去る準備が完了したことを示す信号である。Ｏｕｔｐｕｔ−Ｒｅａｄｙ信号は、第２搬送ユニット１５によって受渡ステーション１３の搬出部１３ｂからウエハを取り去る準備が完了したタイミングでＲｅａｄｙステートになる。Ｏｕｔｐｕｔ−Ｒｅａｄｙ信号は、Ｗａｆｅｒ−Ｏｕｔ信号がＰｌａｃｅｄステートになると、ＮｏｔＲｅａｄｙステートになる。
＜Ｗａｆｅｒ Ｏｕｔ Ｓｅｎｓｏｒ信号＞
Ｗａｆｅｒ Ｏｕｔ Ｓｅｎｓｏｒ信号は、受渡ステーション１３の搬出部１３ｂにおけるウエハの有無を検知するウエハ検知センサ３３ｂの出力信号である。ウエハが存在する場合はＥｘｉｓｔステート、存在していない場合はＮｏｎｅステートになる。
Ｗａｆｅｒ Ｏｕｔ Ｓｅｎｓｏｒ信号は、受渡ステーション１３の搬出部１３ｂにおけるウエハの有無を検知するウエハ検知センサ３３ｂの出力信号である。ウエハが存在する場合はＥｘｉｓｔステート、存在していない場合はＮｏｎｅステートになる。
＜Ｗａｆｅｒ−Ｏｕｔ信号＞
Ｗａｆｅｒ−Ｏｕｔ信号は、第１搬送制御部２１から第２搬送制御部２２に提供されるウエハ取去要求信号である（ウエハの取り去りを要求する状態であることを示す状態信号）。ウエハ取去要求信号は、露光装置１００が塗布現像装置２００に対して、第２搬送ユニット１５によって受渡ステーション１３の搬出部１３ｂからウエハを取り去ることを要求する信号である。受渡ステーション１３の搬出部１３ｂにウエハが配置されている間はＲｅｑｕｅｓｔステート、それ以外ではＮｏｔ Ｒｅａｄｙステートになる。
Ｗａｆｅｒ−Ｏｕｔ信号は、第１搬送制御部２１から第２搬送制御部２２に提供されるウエハ取去要求信号である（ウエハの取り去りを要求する状態であることを示す状態信号）。ウエハ取去要求信号は、露光装置１００が塗布現像装置２００に対して、第２搬送ユニット１５によって受渡ステーション１３の搬出部１３ｂからウエハを取り去ることを要求する信号である。受渡ステーション１３の搬出部１３ｂにウエハが配置されている間はＲｅｑｕｅｓｔステート、それ以外ではＮｏｔ Ｒｅａｄｙステートになる。
＜Ｗａｆｅｒ Ｃａｒｒｙｉｎｇ Ｏｕｔ Ｏｐｅｒａｔｉｏｎ信号＞
Ｗａｆｅｒ Ｃａｒｒｙｉｎｇ Ｏｕｔ Ｏｐｅｒａｔｉｏｎ信号は、塗布現像装置２００内部の状態信号であって、第２搬送ユニット１５の動作状態を示す。第２搬送ユニット１５が搬送処理を実行している間はＩｎ Ｐｒｏｃｅｓｓステート、実行していない間はＯｆｆステートになる。
Ｗａｆｅｒ Ｃａｒｒｙｉｎｇ Ｏｕｔ Ｏｐｅｒａｔｉｏｎ信号は、塗布現像装置２００内部の状態信号であって、第２搬送ユニット１５の動作状態を示す。第２搬送ユニット１５が搬送処理を実行している間はＩｎ Ｐｒｏｃｅｓｓステート、実行していない間はＯｆｆステートになる。
図７は、通常モードにおいて塗布現像装置２００から露光装置１００へウエハを搬入する際の動作例を示すフローチャートである。
Ｓ６０１において、露光装置制御部１６から第１搬送制御部２１に対する命令により、第１搬送ユニット１４による搬送処理が開始される。具体的には、第１搬送ユニット１４が受渡ステーション１３の搬入部１３ａに向けて移動を開始する。このタイミングは、図５のｔ１に対応する。
Ｓ６０２において、露光装置制御部１６から第１搬送制御部２１に対する命令により、第１搬送ユニット１４が受渡ステーション１３の搬入部１３ａのウエハを保持して搬入部１３ａから取り去ってステージ装置２０に移動させる。この際に、ウエハ検知センサ３３ａの出力であるＷａｆｅｒ Ｉｎ Ｓｅｎｏｒ信号がＥｘｉｓｔ状態からＮｏｎｅ状態に変化する。このタイミングは、図５のｔ２に対応する。
Ｓ６０３において、露光装置制御部１６は、第１搬送ユニット１４のハンド１４ａが安全領域まで退避するまでの時間Ｔ３秒が経過するのを待つ。
Ｓ６０４において、露光装置制御部１６から第１搬送制御部２１に対する命令により、第１搬送制御部２１は、ウエハ搬入要求信号（Ｉｎｐｕｔ−Ｒｅｑｕｅｓｔ）をＮｏｔＲｅａｄｙ状態からＲｅｑｕｅｓｔ状態に変化させる。このタイミングは、図５（ａ）のｔ３に対応する。
Ｓ６０５において、塗布現像装置２００では、塗布現像装置制御部１７から第２搬送制御部２２に対する命令により、受渡ステーション１３の搬入部１３ａへのウエハの搬送を開始する。
図５における時間Ｔ２は、第２搬送ユニット１５のハンド１５ａが、受渡ステーション１３の搬入部１３ａに到達するまでの時間で、時間Ｔ２の間は、受渡ステーション１３に第２搬送ユニット１５のハンド１５ｂが進入することはない。
Ｓ６０６において、Ｉｎｐｕｔ−Ｒｅｑｕｅｓｔ信号をＮｏｔＲｅａｄｙからＲｅｑｕｅｓｔ状態に変化させたタイミングから時間Ｔ１が経過したタイミングで第２搬送ユニット１５によって受渡ステーション１３の搬入部１３ａにウエハが配置される。このタイミングで、塗布現像装置制御部１７から第２搬送制御部２２に対する命令により、第２搬送制御部２２は、Ｗａｆｅｒ Ｓｕｐｐｌｙ信号をＮｏｔＳｕｐｐｌｉｅｄ状態からＳｕｐｐｌｉｅｄ状態に変化させる。このタイミングは、図５（ａ）のｔ４に対応する。図５における時間Ｔ６は、第２搬送ユニット１５のハンドが受渡ステーション１３の搬入部１３ａに進入してから搬入部１３ａの支持部２８ａにウエハを支持させるまでの時間である。
図８は、先行出力モードにおいて塗布現像装置２００から露光装置１００へウエハを搬入する際の動作例を示すフローチャートである。
Ｓ６１１において、露光装置制御部１６から第１搬送制御部２１に対する命令により、第１搬送制御部２１が第１搬送ユニット１４に搬送処理を開始させる。具体的には、第１搬送ユニット１４のハンド１４ａが受渡ステーション１３の搬入部１３ａに向けて移動を開始する。
Ｓ６１２において、露光装置制御部１６は、ウエハ提供要求信号（Ｉｎｐｕｔ−Ｒｅｑｕｅｓｔ）をＮｏｔＲｅａｄｙ状態からＲｅｑｕｅｓｔ状態に変化させるタイミングｔ１１を計算する。ここで、先行出力モードでは、ウエハ提供要求信号（Ｉｎｐｕｔ−Ｒｅｑｕｅｓｔ）をＮｏｔＲｅａｄｙ状態からＲｅｑｕｅｓｔ状態に変化させるタイミングが本来のタイミングよりも時間ＴＰ１だけ先行して出力される。図５では、時間ＴＰ１が最大値ＴＰ１ｍａｘである場合（ＴＰ１ｍａｘ＝Ｔ１−Ｔ６）が示されている。ここで、時間ＴＰ１は、０≦ＴＰ１≦ＴＰ１ｍａｘの範囲で入力フィールド３０に入力することができる。
ＴＰ１ｍａｘについて説明する。露光装置制御部１６は、第１搬送ユニット１４のハンド１４ａが受渡ステーション１３に向けて移動を開始したタイミング（ｔ１）からハンド１４ａによって搬入部１３ａのウエハを保持して搬入部１３ａから取り去るまで要する時間Ｔ５を予め知っている。
ＴＰ１ｍａｘは、（Ｔ２−Ｔ３）で表現される。ＴＰ１ｍａｘ（ＴＰ１）が（Ｔ２−Ｔ３）よりも大きいと、第１搬送ユニット１４が安全領域まで退避する前に第２搬送ユニット１５のハンド１５ａが受渡ステーション１３の搬入部１３ａに侵入して両者が衝突する可能性がある。
露光装置制御部１６は、ウエハ提供要求信号（Ｉｎｐｕｔ−Ｒｅｑｕｅｓｔ）をＮｏｔＲｅａｄｙ状態からＲｅｑｕｅｓｔ状態に変化させるタイミングｔ１１を式（１）にしたがって計算する。
ｔ１１＝ｔ１＋Ｔ５＋Ｔ３−ＴＰ１ ・・・（１）
なお、この例では、搬送処理の開始（Ｓ６１１）の後にタイミングｔ１１を計算しているが、搬送処理の開始（Ｓ６１１）の前にタイミングｔ１１を計算してもよい。
Ｓ６１３において、露光装置制御部１６は、第１搬送制御部２１に対して提供されている監視状態信号を監視状態（ハイレベル）に活性化する。
なお、この例では、搬送処理の開始（Ｓ６１１）の後にタイミングｔ１１を計算しているが、搬送処理の開始（Ｓ６１１）の前にタイミングｔ１１を計算してもよい。
Ｓ６１３において、露光装置制御部１６は、第１搬送制御部２１に対して提供されている監視状態信号を監視状態（ハイレベル）に活性化する。
Ｓ６１４において、露光装置制御部１６から第１搬送制御部２１に対する命令により、第１搬送制御部２１は、タイミングｔ１１で、ウエハ提供要求信号（Ｉｎｐｕｔ−Ｒｅｑｕｅｓｔ）をＮｏｔＲｅａｄｙ状態からＲｅｑｕｅｓｔ状態に変化させる。
Ｓ６１５において、塗布現像装置制御部１７から第２搬送制御部２２に対する命令により、第２搬送制御部２２は、第２搬送ユニット１５にウエハの搬送処理を開始させる。具体的には、第２搬送ユニット１５による受渡ステーション１３の搬入部１３ａに対するウエハの搬送処理を開始する。この処理と並行して、第１搬送ユニット１４は、受渡ステーション１３の搬入部１３ａのウエハをステージ装置２０に搬送する搬送処理を継続する。
Ｓ６１６において、第１搬送ユニット１４が受渡ステーション１３の搬入部１３ａのウエハを保持して搬入部１３ａから取り去って、ステージ装置２０に向けて移動を開始する。この際に、Ｗａｆｅｒ Ｉｎ Ｓｅｎｏｒ信号がＥｘｉｓｔ状態からＮｏｎｅ状態に変化する。このタイミングは、図５におけるｔ２に対応する。
Ｓ６１７において、Ｉｎｐｕｔ−Ｒｅｑｕｅｓｔ信号がＮｏｔＲｅａｄｙからＲｅｑｕｅｓｔ状態に変化したタイミングから時間Ｔ１が経過したタイミングで第２搬送ユニット１５によって受渡ステーション１３の搬入部１３ａにウエハが配置される。このタイミングで、塗布現像装置制御部１７から第２搬送制御部２２に対する命令により、第２搬送制御部２２は、Ｗａｆｅｒ Ｓｕｐｐｌｙ信号をＮｏｔＳｕｐｐｌｉｅｄ状態からＳｕｐｐｌｉｅｄ状態に変化させる。このタイミングは、図５におけるｔ１２に対応する。
ウエハ提供要求信号（Ｉｎｐｕｔ−Ｒｅｑｕｅｓｔ）を先行時間ＴＰ１だけ本来のタイミングよりも早く発生することによって、受渡ステーション１３の搬入部１３ａに塗布現像装置２００によってウエハが提供されるタイミングがＴＰ１だけ早くなる。
Ｓ６１８において、露光装置制御部１６は、第１搬送制御部２１に対して提供されている監視状態信号を非監視状態（ローレベル）に非活性化する。
以上の処理は、連続的に処理すべきウエハの枚数分だけ繰り返して実行される。
図９は、通常モードにおいて露光装置１００から塗布現像装置２００へウエハを搬出する際の動作例を示すフローチャートである。
図９は、通常モードにおいて露光装置１００から塗布現像装置２００へウエハを搬出する際の動作例を示すフローチャートである。
Ｓ７０１において、第２搬送ユニット１５が受渡ステーション１３の搬出部１３ｂからウエハを取り去って現像ユニットに搬送する搬送処理が終了したタイミングで、第２搬送制御部２２が搬送完了信号（Ｏｕｔｐｕｔ−Ｒｅａｄｙ）を変化させる。具体的には、このタイミングで、第２搬送制御部２２は、搬送完了信号（Ｏｕｔｐｕｔ−Ｒｅａｄｙ）をＮｏｔＲｅａｄｙ状態からＲｅａｄｙ状態に変化させる。このタイミングは、図６におけるｔ２１に対応する。
Ｓ７０２において、露光装置制御部１６から第１搬送制御部２１に対する命令により、第１搬送ユニット１４による受渡ステーション１３の搬出部１３ｂからのウエハの搬送処理が開始される。
Ｓ７０３において、第１搬送ユニット１４は、受渡ステーション１３の搬出部１３ｂへのウエハの配置を完了する。このタイミングで、ウエハ検知センサ３３ｂの出力信号（Ｗａｆｅｒ Ｏｕｔ Ｓｅｎｏｒ）がＮｏｎｅ状態からＥｘｉｓｔ状態に変化する。このタイミングは、図６のｔ２２に対応する。
Ｓ７０４において、露光装置制御部１６は、タイミングｔ２１から時間Ｔａが経過するのを待つ。その後、露光装置制御部１６から第１搬送制御部２１に対する命令により、第１搬送制御部２１は、ウエハ取去要求信号（Ｗａｆｅｒ−Ｏｕｔ）をＮｏｔ Ｒｅａｄｙ状態からＲｅｑｕｅｓｔ状態に変化させる。このタイミングは、図６におけるｔ２３に対応する。図５において、時間Ｔｅは、ウエハ検知センサ３３ｂの出力信号（Ｗａｆｅｒ Ｏｕｔ Ｓｅｎｏｒ）がＮｏｎｅ状態からＥｘｉｓｔ状態に変化してから第１搬送ユニット１４のハンド１４ａが安全領域まで退避するまでの時間である。
Ｓ７０５において、塗布現像装置制御部１７から第２搬送制御部２２に対する命令により、第２搬送ユニット１５がウエハの搬送処理を開始する。具体的には、第２搬送ユニット１５のハンド１５ａが受渡ステーション１３の搬出部１３ｂへの移動を開始する。
図６における時間Ｔｂは、第２搬送ユニット１５のハンドが、受渡ステーション１３の搬出部１３ｂに到達するまでの時間で、この時間は、受渡ステーション１３に第２搬送ユニット１５のハンドが進入することはない。
Ｓ７０６において、第２搬送ユニット１５が受渡ステーション１３の搬出部１３ｂからウエハを取り去る。これにより、ウエハ検知センサ３３ｂの出力信号（Ｗａｆｅｒ Ｏｕｔ Ｓｅｎｏｒ）がＥｘｉｔ状態からＮｏｎｅ状態に変化する。
図１０は、先行出力モードにおいて露光装置１００から塗布現像装置２００へウエハを搬出する際の動作例を示すフローチャートである。
Ｓ７０１において、第２搬送ユニット１５が受渡ステーション１３の搬出部１３ｂからウエハを取り去って現像ユニットに搬送する搬送処理が終了したタイミングで、第２搬送制御部２２が搬送完了信号（Ｏｕｔｐｕｔ−Ｒｅａｄｙ）を変化させる。具体的には、このタイミングで、第２搬送制御部２２は、搬送完了信号（Ｏｕｔｐｕｔ−Ｒｅａｄｙ）をＮｏｔＲｅａｄｙ状態からＲｅａｄｙ状態に変化させる。このタイミングは、図６におけるｔ２１に対応する。
Ｓ７１２において、露光装置制御部１６から第１搬送制御部２１に対する命令により、第１搬送ユニット１４が受渡ステーション１３の搬出部１３ｂにウエハを搬送する処理が開始される。
Ｓ７１３において、露光装置制御部１６は、ウエハ取去要求信号（Ｗａｆｅｒ Ｏｕｔ）をＮｏｔ Ｒｅａｄｙ状態からＲｅｑｕｅｓｔ状態に変化させるタイミングを計算する。ここで、先行出力モードでは、ウエハ取去要求信号（Ｗａｆｅｒ Ｏｕｔ）をＮｏｔ Ｒｅａｄｙ状態からＲｅｑｕｅｓｔ状態に変化させるタイミングが本来のタイミングよりも時間ＴＰ２だけ先行して出力される。図６では、時間ＴＰ２が最大値ＴＰ２ｍａｘである場合（ＴＰ２ｍａｘ＝Ｔｂ）が示されている。ここで、時間ＴＰ２は、０≦ＴＰ２≦ＴＰ２ｍａｘの範囲で入力フィールド３２に入力することができる。
ＴＰ２ｍａｘについて説明する。時間Ｔｂは、第２搬送ユニット１５のハンド１５ｂが受渡ステーション１３の搬出部１３ｂに到達するまでの時間で、この時間内は、受渡ステーション１３に第２搬送ユニット１５のハンド１５ａが進入することはない。ＴＰ２ｍａｘ（ＴＰ２）がＴｂよりも大きいと、第１搬送ユニット１４のハンド１４ａが安全領域まで退避する前に第２搬送ユニット１５のハンド１５ａが受渡ステーション１３に侵入して、両者が衝突する可能性がある。
露光装置１００は、第１搬送ユニット１４のハンドが受渡ステーション１３の搬出部１３ｂに向けて移動を開始したタイミングｔ２１から搬出部１３ｂにウエハを配置するまでに要する時間Ｔａを性能情報として知っている。
露光装置制御部１６は、ウエハ取去要求信号（Ｗａｆｅｒ Ｏｕｔ）をＮｏｔ Ｒｅａｄｙ状態からＲｅｑｕｅｓｔ状態に変化させるタイミングを式（２）にしたがって計算する。
ｔ２４＝ｔ２１＋Ｔａ−ＴＰ２ ・・・（２）
なお、この例では、搬送処理の開始（Ｓ７１２）の後にタイミングｔ２４を計算しているが、搬送処理の開始（Ｓ７１２）の前にタイミングｔ２４を計算してもよい。
Ｓ７１４において、露光装置制御部１６は、第１搬送制御部２１に対して提供されている監視状態信号を監視状態（ハイレベル）に活性化する。
なお、この例では、搬送処理の開始（Ｓ７１２）の後にタイミングｔ２４を計算しているが、搬送処理の開始（Ｓ７１２）の前にタイミングｔ２４を計算してもよい。
Ｓ７１４において、露光装置制御部１６は、第１搬送制御部２１に対して提供されている監視状態信号を監視状態（ハイレベル）に活性化する。
Ｓ７１５において、露光装置制御部１６から第１搬送制御部２１に対する命令により、第１搬送制御部２１は、タイミングｔ２４においてウエハ取去要求信号（Ｗａｆｅｒ−Ｏｕｔ）をＮｏｔ Ｒｅａｄｙ状態からＲｅｑｕｅｓｔ状態に変化させる。
Ｓ７１６において、塗布現像装置制御部１７から第２搬送制御部２２に対する命令により、第２搬送ユニット１５がウエハの搬送処理を開始する。具体的には、第２搬送ユニット１５のハンドが受渡ステーション１３の搬出部１３ｂへの移動を開始する。
Ｓ７１７において、第１搬送ユニット１４が、タイミングｔ２１からＴａ時間後に受渡ステーション１３の搬出部１３ｂへのウエハの配置を完了する。
Ｓ７１８において、露光装置制御部１６は、第１搬送制御部２１に対して提供されている監視状態信号を非監視状態（ローレベル）に非活性化する。
Ｓ７１９において、第２搬送ユニット１５が受渡ステーション１３の搬出部１３ｂからウエハを取り去る。これにより、ウエハ検知センサ３３ｂの出力信号（Ｗａｆｅｒ Ｏｕｔ Ｓｅｎｏｒ）がＥｘｉｔ状態からＮｏｎｅ状態に変化する。
ウエハ取去要求信号（Ｗａｆｅｒ−Ｏｕｔ）を先行時間ＴＰ２だけ本来のタイミングよりも早く発生することによって、受渡ステーション１３の搬出部１３ｂから塗布現像装置２００によってウエハが取り去られるタイミングがＴＰ２だけ早くなる。
以上の処理は、連続的に処理すべきウエハの枚数分だけ繰り返して実行される。
図１１は、露光装置１００の第１搬送制御部２１に組み込まれる論理回路の一例を示す図である。図１１に示された信号について説明する。
図１１は、露光装置１００の第１搬送制御部２１に組み込まれる論理回路の一例を示す図である。図１１に示された信号について説明する。
＜搬入側ウエハ検知信号＞
搬入側ウエハ検知信号は、搬入部１３ａに設けられたウエハ検知センサ３３ａの出力信号であり、ハイレベルはウエハがあることを示し、ローレベルはウエハがないことを示す。
＜搬入側進入検知信号＞
搬入側進入検知信号は、搬入部１３ａに設けられた進入検知センサ３１ａの出力信号であり、ハイレベルは搬入部１３ａに第２搬送ユニット１５のハンド１５ａが進入していること、ローレベルは進入していないことを示す。
＜搬出側非退避検知信号＞
搬入側ウエハ検知信号は、搬入部１３ｂに設けられた非退避検知センサ３３ｃの出力信号であり、ハイレベルは第１搬送ユニット１４のハンド１４ａが支持部２８ｂから退避していないことを示し、ローレベルは退避していることを示す。
＜搬出側進入検知信号＞
搬出側進入検知信号は、搬出部１３ｂに設けられた進入検知センサ３１ｂの出力信号であり、ハイレベルは搬入部１３ｂに第２搬送ユニット１５のハンド１５ａが進入していること、ローレベルは進入していないことを示す。
＜監視状態信号＞
監視状態信号は、露光装置制御部１６によって論理レベルが制御される信号である。監視状態信号は、ハイレベルであるときは第２搬送ユニット１５の動作を監視すべき状態（監視状態）、ローレベルであるときは第２搬送ユニット１５の動作を監視する必要がない状態（非監視状態）を示す。
＜搬送ユニット状態信号＞
搬送ユニット状態信号は、第１搬送ユニット１４及び第２搬送ユニット１５の状態を示す信号である。搬送ユニット状態信号がハイレベルであるときは、第１搬送ユニット１４及び第２搬送ユニット１５がともに正常であることを示し、ローレベルであるときは第１搬送ユニット１４及び第２搬送ユニット１５の少なくとも一方が異常状態であることを示す。第１搬送ユニット１４の状態（正常／異常）は、第１搬送ユニット１４を制御している第１搬送制御部２１において判断することができる。第１搬送制御部２１は、例えば、ハンド１４ａの位置を示すエンコーダの出力に基づいて第１搬送ユニット１４の状態（正常／異常）を判断することができる。第２搬送ユニット１５の状態（正常／異常）は、第２搬送ユニット１５を制御している第２搬送制御部２２において判断することができ、この判断結果が第１搬送制御部２１に通知される。第２搬送制御部２２は、例えば、ハンド１５ａの位置を示すエンコーダの出力に基づいて第２搬送ユニット１４の状態（正常／異常）を判断することができる。
＜停止命令信号＞
停止命令信号は、露光装置１００の第１搬送制御部２１から塗布現像装置２００の第２搬送制御部２２に送信される信号である。停止命令信号がハイレベルであるときは、第２搬送制御部２２が第２搬送ユニット１５を動作させること（即ち、ハンド１５ａを移動させること）を許可することを示す。停止命令信号がローレベルであるときは、第２搬送制御部２２が第２搬送ユニット１５の動作を禁止すること、即ち、第２搬送ユニット１５のハンド１５ａを停止させるべきことを示す。
図１１に例示される構成から明らかなように、以下の場合に、停止命令信号がローレベルとなり、第１搬送制御部２１から第２搬送制御部２２に対して、第２搬送ユニット１５の動作（即ち、ハンド１５ａの動作）を停止させるべき停止命令が通知される。
（１）搬入側ウエハ検知信号、搬入側進入信号、及び、監視状態信号がハイレベルであるとき（他の信号には依存しない）、又は、
（２）搬出側非退避検知信号、搬出側進入信号、及び、監視状態信号がハイレベルであるとき（他の信号には依存しない）、又は、
（３）搬送ユニット状態信号がローレベル、且つ、監視状態信号がハイレベルであるとき（他の信号には依存しない）
ここで、図１１に例示される露光装置１００の第１搬送制御部２１では、停止命令信号がローレベルであるときに塗布現像装置２００の第２搬送制御部２２に対して停止命令が送られる。また、副電源２４から第１搬送制御部２１への電力供給が遮断された場合には、停止命令信号はローレベルになる。したがって、副電源２４から第１搬送制御部２１への電力供給が遮断された場合には、塗布現像装置２００の第２搬送制御部２２に対して停止命令が送られ、第２搬送制御部２２は第２搬送ユニット１５を停止させることになる。これにより、第１搬送ユニット１４のハンド１４ａ又はウエハと第２搬送ユニット１５のハンド１５ａ又はウエハとの衝突が電源遮断時においても回避される。
上記の実施形態は、露光装置と塗布現像装置との間のウエハの受渡に本発明を適用した例であるが、本発明はこれに限定されるものではない。すなわち、本発明は、物品を処理する処理ユニットを含む処理装置と外部装置との間での物品の受渡に広く適用されうる。上記の露光装置は、処理装置の一例であり、上記の塗布現像装置は、外部装置の一例である。
搬入側ウエハ検知信号は、搬入部１３ａに設けられたウエハ検知センサ３３ａの出力信号であり、ハイレベルはウエハがあることを示し、ローレベルはウエハがないことを示す。
＜搬入側進入検知信号＞
搬入側進入検知信号は、搬入部１３ａに設けられた進入検知センサ３１ａの出力信号であり、ハイレベルは搬入部１３ａに第２搬送ユニット１５のハンド１５ａが進入していること、ローレベルは進入していないことを示す。
＜搬出側非退避検知信号＞
搬入側ウエハ検知信号は、搬入部１３ｂに設けられた非退避検知センサ３３ｃの出力信号であり、ハイレベルは第１搬送ユニット１４のハンド１４ａが支持部２８ｂから退避していないことを示し、ローレベルは退避していることを示す。
＜搬出側進入検知信号＞
搬出側進入検知信号は、搬出部１３ｂに設けられた進入検知センサ３１ｂの出力信号であり、ハイレベルは搬入部１３ｂに第２搬送ユニット１５のハンド１５ａが進入していること、ローレベルは進入していないことを示す。
＜監視状態信号＞
監視状態信号は、露光装置制御部１６によって論理レベルが制御される信号である。監視状態信号は、ハイレベルであるときは第２搬送ユニット１５の動作を監視すべき状態（監視状態）、ローレベルであるときは第２搬送ユニット１５の動作を監視する必要がない状態（非監視状態）を示す。
＜搬送ユニット状態信号＞
搬送ユニット状態信号は、第１搬送ユニット１４及び第２搬送ユニット１５の状態を示す信号である。搬送ユニット状態信号がハイレベルであるときは、第１搬送ユニット１４及び第２搬送ユニット１５がともに正常であることを示し、ローレベルであるときは第１搬送ユニット１４及び第２搬送ユニット１５の少なくとも一方が異常状態であることを示す。第１搬送ユニット１４の状態（正常／異常）は、第１搬送ユニット１４を制御している第１搬送制御部２１において判断することができる。第１搬送制御部２１は、例えば、ハンド１４ａの位置を示すエンコーダの出力に基づいて第１搬送ユニット１４の状態（正常／異常）を判断することができる。第２搬送ユニット１５の状態（正常／異常）は、第２搬送ユニット１５を制御している第２搬送制御部２２において判断することができ、この判断結果が第１搬送制御部２１に通知される。第２搬送制御部２２は、例えば、ハンド１５ａの位置を示すエンコーダの出力に基づいて第２搬送ユニット１４の状態（正常／異常）を判断することができる。
＜停止命令信号＞
停止命令信号は、露光装置１００の第１搬送制御部２１から塗布現像装置２００の第２搬送制御部２２に送信される信号である。停止命令信号がハイレベルであるときは、第２搬送制御部２２が第２搬送ユニット１５を動作させること（即ち、ハンド１５ａを移動させること）を許可することを示す。停止命令信号がローレベルであるときは、第２搬送制御部２２が第２搬送ユニット１５の動作を禁止すること、即ち、第２搬送ユニット１５のハンド１５ａを停止させるべきことを示す。
図１１に例示される構成から明らかなように、以下の場合に、停止命令信号がローレベルとなり、第１搬送制御部２１から第２搬送制御部２２に対して、第２搬送ユニット１５の動作（即ち、ハンド１５ａの動作）を停止させるべき停止命令が通知される。
（１）搬入側ウエハ検知信号、搬入側進入信号、及び、監視状態信号がハイレベルであるとき（他の信号には依存しない）、又は、
（２）搬出側非退避検知信号、搬出側進入信号、及び、監視状態信号がハイレベルであるとき（他の信号には依存しない）、又は、
（３）搬送ユニット状態信号がローレベル、且つ、監視状態信号がハイレベルであるとき（他の信号には依存しない）
ここで、図１１に例示される露光装置１００の第１搬送制御部２１では、停止命令信号がローレベルであるときに塗布現像装置２００の第２搬送制御部２２に対して停止命令が送られる。また、副電源２４から第１搬送制御部２１への電力供給が遮断された場合には、停止命令信号はローレベルになる。したがって、副電源２４から第１搬送制御部２１への電力供給が遮断された場合には、塗布現像装置２００の第２搬送制御部２２に対して停止命令が送られ、第２搬送制御部２２は第２搬送ユニット１５を停止させることになる。これにより、第１搬送ユニット１４のハンド１４ａ又はウエハと第２搬送ユニット１５のハンド１５ａ又はウエハとの衝突が電源遮断時においても回避される。
上記の実施形態は、露光装置と塗布現像装置との間のウエハの受渡に本発明を適用した例であるが、本発明はこれに限定されるものではない。すなわち、本発明は、物品を処理する処理ユニットを含む処理装置と外部装置との間での物品の受渡に広く適用されうる。上記の露光装置は、処理装置の一例であり、上記の塗布現像装置は、外部装置の一例である。
特許請求の範囲に記載された制御部は、例えば、第１搬送制御部２１として、又は、第１搬送制御部２１及び露光装置制御部１６の結合として、例示されている。
以上のように、本発明の好適な実施形態によれば、物品を処理する処理ユニットを含む処理装置は、第１搬送ユニットと、制御部とを備える。第１搬送ユニットは、外部装置と処理ユニットとの間に配置された支持部と処理ユニットとの間で物品を搬送する。制御部は、状態信号及び停止命令信号を出力する。状態信号は、処理装置が特定状態になったことを示す信号であり、処理装置が特定状態になる前に出力される。外部装置は、物品をハンドで保持して搬送する第２搬送ユニットを備え、ハンドを支持部に接近させる動作を伴う搬送処理を状態信号に応答して開始する。これにより、外部装置が処理装置に物品を渡すタイミング及び／又は外部装置が処理装置から物品を受け取るタイミングが早くなり、スループットが向上する。更に、外部装置に対してハンドの停止を命令する停止命令信号を処理装置の制御部から外部装置に出力することによって外部装置側の第２搬送ユニットのハンドを停止させることができる。よって、異常或いは不具合の発生時に、当該ハンド又は物品と処理装置側の第１搬送ユニットのハンド又は物品との衝突を回避することができる。
また、第１搬送制御部２１及び第２搬送制御部２２を副電源で駆動することによって主電源からの電力供給が遮断された場合においても、第１及び第２搬送ユニット１４及び１５を制御することができ、ハンド又は物品の衝突を回避することができる。
また、停止命令信号を発生する回路を図１１に例示するように論理回路で構成することによって、ソフトウエアの不具合、暴走、誤動作、コンピュータのリセット処理等の影響を受けることなく搬送ユニットを停止させることができる。
次に上記の露光装置或いはリソグラフィーシステムを利用したデバイス製造方法を説明する。図１２は、半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す図である。ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ２（レチクル作製）では設計した回路パターンに基づいてレチクル（原版またはマスクともいう）を作製する。一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハ（基板ともいう）を製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記のレチクルとウエハを用いて、リソグラフィー技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組み立て工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これを出荷（ステップ７）する。
以上のように、本発明の好適な実施形態によれば、物品を処理する処理ユニットを含む処理装置は、第１搬送ユニットと、制御部とを備える。第１搬送ユニットは、外部装置と処理ユニットとの間に配置された支持部と処理ユニットとの間で物品を搬送する。制御部は、状態信号及び停止命令信号を出力する。状態信号は、処理装置が特定状態になったことを示す信号であり、処理装置が特定状態になる前に出力される。外部装置は、物品をハンドで保持して搬送する第２搬送ユニットを備え、ハンドを支持部に接近させる動作を伴う搬送処理を状態信号に応答して開始する。これにより、外部装置が処理装置に物品を渡すタイミング及び／又は外部装置が処理装置から物品を受け取るタイミングが早くなり、スループットが向上する。更に、外部装置に対してハンドの停止を命令する停止命令信号を処理装置の制御部から外部装置に出力することによって外部装置側の第２搬送ユニットのハンドを停止させることができる。よって、異常或いは不具合の発生時に、当該ハンド又は物品と処理装置側の第１搬送ユニットのハンド又は物品との衝突を回避することができる。
また、第１搬送制御部２１及び第２搬送制御部２２を副電源で駆動することによって主電源からの電力供給が遮断された場合においても、第１及び第２搬送ユニット１４及び１５を制御することができ、ハンド又は物品の衝突を回避することができる。
また、停止命令信号を発生する回路を図１１に例示するように論理回路で構成することによって、ソフトウエアの不具合、暴走、誤動作、コンピュータのリセット処理等の影響を受けることなく搬送ユニットを停止させることができる。
次に上記の露光装置或いはリソグラフィーシステムを利用したデバイス製造方法を説明する。図１２は、半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す図である。ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ２（レチクル作製）では設計した回路パターンに基づいてレチクル（原版またはマスクともいう）を作製する。一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハ（基板ともいう）を製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記のレチクルとウエハを用いて、リソグラフィー技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組み立て工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これを出荷（ステップ７）する。
図１３は、上記ウエハプロセスの詳細なフローを示す図である。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁膜を成膜する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５（ＣＭＰ）ではＣＭＰ工程によって絶縁膜を平坦化する。ステップ１６（レジスト処理）では、上記のリソグラフィーシステムの塗布現像装置でウエハに感光剤を塗布する。ステップ１７（露光）では、上記のリソグラフィーシステムの露光装置で、回路パターンが形成されたマスクを介し感光剤が塗布されたウエハを露光してレジストに潜像パターンを形成する。ステップ１８（現像）では、上記のリソグラフィーシステムの塗布現像装置で、ウエハ上のレジストに形成された潜像パターンを現像して物理的なレジスパターンを形成する。ステップ１９（エッチング）ではレジストパターンが開口した部分を通してレジストパターンの下にある層又は基板をエッチングする。ステップ２０（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。
１：照明装置
２：レチクル（原版）
３：レチクルステージ
４：レチクル位置計測機構
５：投影レンズ
６：ＸＹステージ
７：レーザ干渉計
８：Ｚステージ
９：ウエハ（基板）
１０：フォーカスユニット
１１：露光装置チャンバ
１２：塗布現像装置チャンバ
１３：受渡ステーション
１３ａ：搬入部
１３ｂ：搬出部
１４：第１搬送ユニット
１４ａ：ハンド
１５：第２搬送ユニット
１５ａ：ハンド
１６：露光装置制御部
１７：塗布現像装置制御部
２１：第１搬送制御部
２２：第２搬送制御部
２３、２５：主電源
２４、２６：副電源
２８ａ、２８ｂ：支持部
３１ａ、３１ｂ：進入検知センサ
３３ａ、３３ｂ：ウエハ検知センサ
３３ｃ：非退避検知センサ
２：レチクル（原版）
３：レチクルステージ
４：レチクル位置計測機構
５：投影レンズ
６：ＸＹステージ
７：レーザ干渉計
８：Ｚステージ
９：ウエハ（基板）
１０：フォーカスユニット
１１：露光装置チャンバ
１２：塗布現像装置チャンバ
１３：受渡ステーション
１３ａ：搬入部
１３ｂ：搬出部
１４：第１搬送ユニット
１４ａ：ハンド
１５：第２搬送ユニット
１５ａ：ハンド
１６：露光装置制御部
１７：塗布現像装置制御部
２１：第１搬送制御部
２２：第２搬送制御部
２３、２５：主電源
２４、２６：副電源
２８ａ、２８ｂ：支持部
３１ａ、３１ｂ：進入検知センサ
３３ａ、３３ｂ：ウエハ検知センサ
３３ｃ：非退避検知センサ
Claims (9)
- 物品を処理する処理ユニットと、前記処理ユニットと外部装置との間の位置に配置された支持部と前記処理ユニットとの間で前記物品を搬送する第１搬送ユニットと、状態信号を出力する制御部とを含み、前記外部装置は、前記物品を保持して搬送する第２搬送ユニットを備えていて前記位置に配置された前記支持部に対する前記物品の搬送処理を前記状態信号に応答して開始するものである、処理装置であって、
前記制御部は、前記外部装置による前記搬送処理が可能な状態に前記処理装置がなったことを示す信号としての前記状態信号を前記処理装置が前記状態になる前に出力し、前記状態信号の出力の後の前記処理装置の状態に応じて、前記外部装置に対して前記搬送処理の停止を命令する信号としての停止命令信号を出力する、
ことを特徴とする処理装置。 - 前記外部装置による前記搬送処理が可能な状態は、前記第２搬送ユニットが前記支持部に前記物品を支持させることができる前記処理装置の状態であることを特徴とする請求項１に記載の処理装置。
- 前記外部装置による前記搬送処理が可能な状態は、前記第２搬送ユニットが前記支持部から前記物品を取り去ることができる前記処理装置の状態であることを特徴とする請求項１に記載の処理装置。
- 前記支持部によって前記物品が支持されていることを検知する物品検知センサと、
前記第２搬送ユニット又は前記第２搬送ユニットによって保持された前記物品が検知領域内に進入したことを検知する進入検知センサとを更に備え、
前記制御部は、前記物品検知センサ及び前記進入検知センサの出力に基づいて前記停止命令信号を出力する、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の処理装置。 - 前記支持部から前記第１搬送ユニットが退避していないことを検知する非退避検知センサと、
前記第２搬送ユニット又は前記第２搬送ユニットによって保持された物品が検知領域内に進入したことを検知する進入検知センサとを更に備え、
前記制御部は、前記非退避検知センサ及び前記進入検知センサの出力に基づいて前記停止命令信号を出力する、
ことを特徴とする請求項１又は３に記載の処理装置。 - 前記処理ユニットは、前記物品としての基板を露光する露光ユニットを含み、前記状態信号は、専用の信号ラインの論理レベルを変更することによって前記制御部から前記外部装置に伝送される、
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の処理装置。 - 前記処理ユニットは、前記物品としての基板を露光する露光ユニットを含み、前記状態信号は、感光剤が塗布された前記基板の提供を要求することを示す信号であることを特徴とする請求項１又は２に記載の処理装置。
- 前記処理ユニットは、前記物品としての基板を露光する露光ユニットを含み、前記状態信号は、露光がなされた前記基板の受け取りを要求することを示す信号であることを特徴とする請求項１又は３に記載の処理装置。
- 請求項１乃至８のいずれか１項に記載の処理装置で前記物品を処理する工程を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
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