TWI690991B - 批次基板濕式處理裝置及批次基板濕式處理方法 - Google Patents

Abstract

一種批次基板濕式處理裝置，包括一槽體、一基板升降機構、一基板旋轉機構以及一主控模組。該槽體用於容納晶舟以及位於該晶舟中的基板。該基板升降機構設置在該槽體上，升降該晶舟及該晶舟中的基板。該基板旋轉機構設置在該基板升降機構上，且用於接觸並帶動該基板進行旋轉。該主控模組連接該基板升降機構以及該基板旋轉機構，且控制該基板升降機構的升降以及該基板旋轉機構的旋轉。透過控制基板相對該槽體中蝕刻液的高度位置及旋轉速度，可提高該基板被蝕刻之均勻度。

Description

批次基板濕式處理裝置及批次基板濕式處理方法

本發明關於基板濕蝕刻的技術領域，尤指一種批次基板濕式處理裝置以及批次基板濕式處理方法，其可提升基板蝕刻的均勻度，避免基板局部區域蝕刻完全，而另外的局部區域卻蝕刻不足，造成基板成品的品質及良率下降的問題。

現有的濕式工作台(Wet Bench)批次基板槽式浸泡方法，通常將裝有基板(或晶圓)之晶舟放置於一載有蝕刻液的槽體內，進行浸泡式循環蝕刻。然而，上述蝕刻方式，由於具有下列缺點。

1.槽體內流場不均勻性，造成基板蝕刻的均勻度不理想。

2.晶舟會造成藥水循環之死角，使得基板某些部分無法接觸蝕刻藥水，進一步造成基板蝕刻的均勻度降低。

3.槽式浸泡方法之先天缺點，在於裝有基板之晶舟向下浸入槽體內時，基板底部會最先接觸到蝕刻液，當晶舟向上脫離槽體時，基板底部最後脫離蝕刻液，因此基板底部蝕刻時間最長，而基板頂部蝕刻時間最短，進一步造成基板蝕刻的均勻度不佳。

由於上述批次基板槽式浸泡方法的數項缺點，導致基板蝕刻的均勻度不佳，進而導致基板成品的良率降低。

本發明人有鑑於現有批次基板槽式浸泡方法對基板蝕刻的均勻度不理想的問題，改良其不足與缺失，進而創作出一種批次基板濕式處理裝置以及批次基板濕式處理方法。

本發明主要目的在於提供一種批次基板濕式處理裝置，其可提升基板蝕刻的均勻度，避免基板局部區域蝕刻完全，而另外的局部區域卻蝕刻不足，造成基板成品的品質及良率下降的問題。

為達上述目的，本發明批次基板濕式處理裝置包括：一槽體，在該槽體內形成有一容槽，該容槽用於盛載蝕刻液，且用於容納晶舟以及位於該晶舟中的基板；一基板升降機構，設置在該槽體上，且包括一固定座、一升降驅動模組以及一升降座，該固定座固定設置在該槽體外，該升降驅動模組以可作動方式設置在該固定座上，該升降座固定設置在該升降驅動模組上，位於該容槽內，且可受到該升降驅動模組的驅動而相對該槽體上升到容槽外或是相對該槽體下降到該容槽內，該升降座用於承托該晶舟及該晶舟中的基板；一基板旋轉機構，設置在該基板升降機構的該升降座上，且包括一旋轉驅動模組、一傳動組件以及一從動旋轉組件，該旋轉驅動模組固定設置在該升降座上，該傳動組件連接該旋轉驅動模組並可受到該旋轉驅動模組的驅動而作動，該從動旋轉組件設置在該升降座上，連接到該傳動組件，且可受到該傳動組件的驅動而旋轉，該從動旋轉組件用於接觸並帶動該基板進行旋轉；以及 一主控模組，連接該基板升降機構以及該基板旋轉機構，且控制該基板升降機構的升降以及該基板旋轉機構的旋轉。

在本發明一實施例中，該升降驅動模組為一油壓/氣壓缸，在該油壓/氣壓缸上以可伸縮方式設置一作動桿，該作動桿連接該升降座。

在本發明一實施例中，該升降座上形成有一垂直板體，在該垂直板體底端形成有一水平托板以用於承托該晶舟。

在本發明一實施例中，該旋轉驅動模組為一驅動馬達而具有一驅動軸；該傳動組件包括一垂直傳動桿以及一水平傳動軸，該垂直傳動桿以可旋轉方式貫穿設置在該垂直板體上，且與該驅動軸嚙合，該水平傳動軸與該垂直傳動桿嚙合；該從動旋轉組件包括二水平旋轉帶動桿，該二水平旋轉帶動桿與該水平傳動軸嚙合，在各該水平旋轉帶動桿上形成有一接觸帶動部以用於接觸並且帶動該基板進行旋轉。

在本發明一實施例中，該二水平旋轉帶動桿位於同一水平位置上。

在本發明一實施例中，該接觸帶動部上形成有多個軸向排列的摩擦肋條。

在本發明一實施例中，該驅動軸與該垂直傳動桿之間透過二傘形齒輪相互嚙合；該垂直傳動桿與該水平傳動軸之間透過二傘形齒輪相互嚙合；該水平傳動軸與各該水平旋轉帶動桿之間透過二齒輪相互嚙合。

在本發明一實施例中，該批次基板濕式處理裝置進一步包括一蝕刻速率資料庫模組，該蝕刻速率資料庫模組連接該主控模組，且用於提供該基板各部位受到蝕刻的速率的歷史資料。

本發明另一目的在於提供一種批次基板濕式處理方法，包括：一裝置提供步驟，包括提供一批次基板濕式處理裝置，該批次基板濕式處理裝置包括：一槽體，在該槽體內形成有一容槽，其中，該容槽盛載有蝕刻液；一基板升降機構，設置在該槽體上，用於承托晶舟及該晶舟中的基板(或晶圓)，並用於升高或下降該晶舟及該晶舟中的該基板，使該基板可位於不同高度而能完全位於該蝕刻液中、部分位於蝕刻液中或是完全位於蝕刻液之上；一基板旋轉機構，設置在該基板升降機構上，且用於接觸並帶動該基板進行旋轉；一主控模組，連接該基板升降機構以及該基板旋轉機構，且控制該基板升降機構的升降以及該基板旋轉機構的旋轉；以及一蝕刻速率資料庫模組，連接該主控模組，用於提供該基板各部位受到蝕刻的速率的歷史資料；一基板浸泡步驟，包括放置一晶舟及該晶舟內的基板到該容槽內，使該晶舟及該晶舟內的該基板被該升降座所承托，並使該基板完全位於該蝕刻液中，其中，該基板包括一中心部以及一環繞該中心部的周緣部；一基板高度調整步驟，包括通過該主控模組驅動該基板升降機構升高或降低該基板，使該基板完全位於該蝕刻液中、部分位於蝕刻液中或是完全位於蝕刻液之上；一基板旋轉步驟，包括通過該主控模組驅動該基板旋轉機構帶動該基板進行旋轉；其中，當該基板的該中心部的蝕刻速率高於該周緣部的蝕刻 速率時，通過執行該基板高度調整步驟，而使該基板的該中心部被上升到完全位於該蝕刻液之上，且使該中心部的底緣切齊該蝕刻液之液面，並通過執行該基板旋轉步驟，而使該基板進行旋轉以增加該周緣部的蝕刻量並同時減少該中心部的蝕刻量。

在本發明一實施例中，當該基板的該周緣部的蝕刻速率高於該中心部的蝕刻速率時，通過執行該基板高度調整步驟而使該基板的中心部被下降到完全位於該蝕刻液之下，且使該中心部的頂緣切齊該蝕刻液的液面，並通過執行該基板旋轉步驟，而使該基板進行旋轉以增加該中心部的蝕刻量，並同時減少該周緣部的蝕刻量。

在本發明一實施例中，該基板的該中心部的半徑為一浮動值，是根據該蝕刻速率資料庫模組所提供的該基板上各部位的蝕刻速率的歷史資料而改變，且該中心部的半徑是0到該基板的半徑。

在本發明一實施例中，該基板高度調整步驟及該基板旋轉步驟同時執行或先後執行。

在本發明一實施例中，該基板高度調整步驟重複執行。

在本發明一實施例中，該基板旋轉步驟重複執行。

藉由上述技術手段，本發明批次基板濕式處理裝置以及批次基板濕式處理方法，根據基板中心部及周緣部的蝕刻速率不同，控制該基板升降到該中心部的頂緣或底緣切齊蝕刻液的液面，並使環繞在該中心部外圍的該周緣部局部位於該蝕刻液的液面上方，使得該基板能夠對蝕刻速率較低的中心部或周圓部進行正向蝕刻補償，而對蝕刻速率較高的另一部分進行負向蝕刻補償，進而增進基板蝕刻的均勻度，並提高基板成品良率。

10:槽體

100:容槽

20:基板升降機構

21:固定座

22:滑軌

23:滑塊

24:升降驅動模組

25:升降座

251:垂直板體

30:晶舟

40:基板旋轉機構

400:傘形齒輪

41:旋轉驅動模組

42:垂直傳動桿

43:水平傳動軸

45:水平旋轉帶動桿

430、450:齒輪

455:接觸帶動部

60:蝕刻速率資料庫模組

70:主控模組

80:液面

90:基板

91:中心部

912:頂緣

911:底緣

92:周緣部

S01、S02、S03、S04:步驟

圖1為本發明批次基板濕式處理裝置、晶舟、基板的立體外觀圖。

圖2為本發明批次基板濕式處理裝置的主控模組、基板升降機構、基板旋轉機構以及蝕刻速率資料庫模組的架構方塊圖。

圖3為本發明批次基板濕式處理裝置、晶舟、基板的立體剖視圖。

圖4為本發明批次基板濕式處理裝置、晶舟、基板的立體剖視操作示意圖。

圖5為本發明批次基板濕式處理裝置、晶舟、基板的正面剖視圖。

圖6為本發明批次基板濕式處理裝置、晶舟、基板的正面剖視操作示意圖。

圖7為本發明批次基板濕式處理裝置省略槽體及升降座的立體外觀圖。

圖8為本發明批次基板濕式處理裝置省略槽體及升降座的立體外觀操作示意圖。

圖9為本發明批次基板濕式處理裝置的傳動組件及從動旋轉組件的放大立體外觀圖。

圖10為本發明批次基板濕式處理裝置的傳動組件及從動旋轉組件的另一放大立體外觀圖。

圖11為本發明批次基板濕式處理方法的步驟流程圖。

圖12為本發明批次基板濕式處理方法的執行示意圖，顯示當該基板的該中心部的蝕刻速率高於該周緣部的蝕刻速率時，該基板高度調整步驟及該基板旋轉步驟的執行狀況。

圖13為本發明批次基板濕式處理方法的執行示意圖，顯示當該基板的該周緣部的蝕刻速率高於該中心部的蝕刻速率時，該基板高度調整步驟及該基板旋轉步驟的執行狀況。

請參照圖1至圖3，本發明批次基板濕式處理裝置包括：一槽體10、一基板升降機構20、一基板旋轉機構40、一主控模組70以及一蝕刻速率資料庫模組60。

該槽體10內形成有一容槽100，該容槽100用於盛載蝕刻液，且用於容納晶舟30以及位於該晶舟30中的基板(或晶圓)90。

該基板升降機構20設置在該槽體10上，且包括一固定座21、一升降驅動模組24以及一升降座25。

該固定座21固定設置在該槽體10外，可透過螺栓或是鉚釘等固定件而固定設置在該槽體10上。在本發明一實施例中，該固定座21與該槽體10是共同設置在其他設備或台座上。

請參照圖3、5及7，該升降驅動模組24以可作動方式設置在該固定座21上。

該升降座25固定設置在該升降驅動模組24上，位於該容槽100內，且可受到該升降驅動模組24的驅動而相對該槽體10上升到容槽100外或是相對該槽體10下降到該容槽100內。該升降座25用於承托晶舟30及該 晶舟30中的基板90。在圖3、5及7中，該升降座25是位於較下方位置，使得該晶舟30及該基板90能位於蝕刻液的較深處而完全被蝕刻液浸泡。請進一步參照圖4、6及8，在圖4、6及8中，該升降座25被上升到位於較上方位置，使得該晶舟30及該基板90能位於蝕刻液的較淺處或是上方處而部分或完全脫離蝕刻液。

在本發明一實施例中，該升降驅動模組24為一油壓/氣壓缸，在該油壓/氣壓缸上以可伸縮方式設置一作動桿241，如圖7所示，該作動桿241連接該升降座25。此外，該油壓/氣壓缸外接一油壓/液壓源，以便驅動該油壓/氣壓缸的作動桿241進行伸縮。在本發明一實施例中，該升降座25上形成有一垂直板體251，在該垂直板體251底端形成有一水平托板253以用於承托該晶舟30，如圖3所示。

在本發明一實施例中，該固定座21上設置有二滑軌22，該升降座25上設置有二滑塊23，該二滑塊23分別以可滑動方式結合在該二滑軌22上。滑軌22與滑塊23的配置可使該升降座25穩定的垂直移動。

該基板旋轉機構40設置在該基板升降機構20的該升降座25上，且包括一旋轉驅動模組41、一傳動組件以及一從動旋轉組件。

該旋轉驅動模組41固定設置在該升降座25上。在本發明一實施例中，該旋轉驅動模組41為一驅動馬達而具有一驅動軸。

該傳動組件連接該旋轉驅動模組41並可受到該旋轉驅動模組41的驅動而作動，該從動旋轉組件設置在該升降座25上，連接到該傳動組件，且可受到該傳動組件的驅動而旋轉。在本發明一實施例中，該傳動組件包括一垂直傳動桿42以及一水平傳動軸43。該垂直傳動桿42以可旋轉 方式貫穿設置在該垂直板體251上，且與該驅動軸嚙合，該水平傳動軸43與該垂直傳動桿42嚙合。

請參照圖9及10，該從動旋轉組件用於接觸並帶動該基板90進行旋轉。在本發明一實施例中，該從動旋轉組件包括二水平旋轉帶動桿45，該二水平旋轉帶動桿45與該水平傳動軸43嚙合，在各該水平旋轉帶動桿45上形成有一接觸帶動部455以用於接觸並且帶動該基板90進行旋轉。在本發明一實施例中，該二水平旋轉帶動桿45位於同一水平位置上。在本發明一實施例中，該接觸帶動部455上形成有多個軸向排列的摩擦肋條以能夠提供該基板90良好摩擦力而幫助帶動該基板90旋轉。

在本發明一實施例中，該驅動軸與該垂直傳動桿42之間透過二傘形齒輪400相互嚙合；該垂直傳動桿42與該水平傳動軸43之間透過二傘形齒輪400相互嚙合；該水平傳動軸43與各該水平旋轉帶動桿45之間透過二齒輪430、450相互嚙合。

該主控模組70連接該基板升降機構20以及該基板旋轉機構40，可控制該基板升降機構20的升降以及該基板旋轉機構40的旋轉。在本發明一實施例中，該主控模組70為一電腦而具有一中央處理器、一記憶體、一儲存器、一輸入介面及輸出介面，並於該儲存器內載有一主控軟體，該電腦通過執行該主控軟體以自動執行或是受使用者操控而驅動該基板升降機構20及/或該基板旋轉機構40以使該基板90升降及/或旋轉。

該蝕刻速率資料庫模組60連接該主控模組70，且用於提供該基板各部位受到蝕刻的速率的歷史資料。在本發明一實施例中，該蝕刻速率資料庫模組60為一資料庫模組，用於提供該基板各部位受到蝕刻的速率 的歷史資料數據給該主控模組70，該主控模組70根據該基板各部位的蝕刻速率資料數據來驅動該基板升降機構20及該基板旋轉機構40，將該基板90升降到特定位置並調節該基板90的旋轉轉速。

請參照圖11至13，本發明批次基板濕式處理方法，包括：一裝置提供步驟S01、一基板浸泡步驟S02、一基板高度調整步驟S03以及一基板旋轉步驟S04。

該裝置提供步驟S01，包括提供一批次基板濕式處理裝置，如圖1至10所示。該批次基板濕式處理裝置包括：一槽體10，在該槽體10內形成有一容槽100，其中，該容槽100盛載有蝕刻液；一基板升降機構20，設置在該槽體10上，用於承托晶舟30及該晶舟30中的基板90，並用於升高或下降該晶舟30及該晶舟30中的該基板90，使該基板90可位於不同高度而能完全位於該蝕刻液中、部分位於蝕刻液中或是完全位於蝕刻液之上；一基板旋轉機構40，設置在該基板升降機構20上，且用於接觸並帶動該基板90進行旋轉；一主控模組70，連接該基板升降機構20以及該基板旋轉機構40，可控制該基板升降機構20的升降以及該基板旋轉機構40的旋轉；以及一蝕刻速率資料庫模組60，連接該主控模組70，用於收集並提供該基板90各部位受到蝕刻的速率的歷史資料。

該基板浸泡步驟S02，包括放置一晶舟30及該晶舟30內的基板90到該容槽100內，使該晶舟30及該晶舟30內的該基板被該升降座25所承托，並使該基板90完全位於該蝕刻液中，其中，該基板90包括一中心部91以及一環繞該中心部91的周緣部92。

該基板高度調整步驟S03，包括通過該主控模組70驅動該基 板升降機構20升高或降低該基板90，使該基板90完全位於該蝕刻液中、部分位於蝕刻液中或是完全位於蝕刻液之上。

該基板旋轉步驟S04，包括通過該主控模組70驅動該基板旋轉機構40帶動該基板90進行旋轉。

請參照圖12，當該基板90的該中心部91的蝕刻速率高於該周緣部92的蝕刻速率時，通過執行該基板高度調整步驟S03而使該基板90的該中心部91被上升到完全位於該蝕刻液之上且使該中心部91的底緣911切齊該蝕刻液之液面80，並通過執行該基板旋轉步驟S04而使該基板90進行旋轉以增加該周緣部92的蝕刻量並同時減少該中心部91的蝕刻量。

請參照圖13，當該基板90的該周緣部92的蝕刻速率高於該中心部91的蝕刻速率時，通過執行該基板高度調整步驟S03而使該基板90的中心部91被下降到完全位於該蝕刻液之下且使該中心部91的頂緣912切齊該蝕刻液的液面80，並通過執行該基板旋轉步驟S04而使該基板90進行旋轉以增加該中心部91的蝕刻量並同時減少該周緣部92的蝕刻量。

在本發明一實施例中，該基板90的該中心部91的半徑為一浮動值，是根據該蝕刻速率資料庫模組60所提供到該基板90上各部位的蝕刻速率而改變，且該中心部91的半徑是0到該基板90的半徑。舉例而言，假設該基板90的半徑為R，當該蝕刻速率資料庫模組60的歷史資料顯示該基板90的圓心到半徑為R/2處的較中心區域的蝕刻速率較為一致，而該基板90的R/2到R之間的較周緣區域的蝕刻速率較為一致，且該較中心區域及該較周緣區域兩區域的蝕刻速率有落差時，該主控裝置即設定該具有R/2半徑的較中心區域為中心部91，並設定該介於R/2到R之間的較周緣區域為周緣部 92。該主控裝置可即時根據該基板90各部位蝕刻速率的變化而隨時重新設定該中心部91及該周緣部92的範圍。

在本發明一實施例中，該基板高度調整步驟S03及該基板旋轉步驟S04同時執行或先後執行，該基板高度調整步驟S03可重複執行，該基板旋轉步驟S04可重複執行。

藉由上述技術手段，本發明批次基板濕式處理裝置以及批次基板濕式處理方法根據基板90中心部91及周緣部92的蝕刻速率不同，控制該基板90升降到該中心部91的頂緣912，或底緣911切齊蝕刻液的液面80並使環繞在該中心部91外圍的該周緣部92局部位於該蝕刻液液面80上方，使得該基板90能夠對蝕刻速率較低的中心部91或周圓部進行正向蝕刻補償，而對蝕刻速率較高的另一部分進行負向蝕刻補償，進而增進基板90蝕刻的均勻度，並提高基板90成品良率。

10:槽體

100:容槽

20:基板升降機構

21:固定座

22:滑軌

23:滑塊

24:升降驅動模組

25:升降座

251:垂直板體

30:晶舟

40:基板旋轉機構

41:旋轉驅動模組

90:基板

Claims (13)

1. 一種批次基板濕式處理裝置，包括：一槽體，在該槽體內形成有一容槽，該容槽用於盛載蝕刻液，且用於容納晶舟以及位於該晶舟中的基板；一基板升降機構，設置在該槽體上，且包括一固定座、一升降驅動模組以及一升降座，該固定座固定設置在該槽體外，該升降驅動模組以可作動方式設置在該固定座上，該升降座固定設置在該升降驅動模組上，位於該容槽內，且可受到該升降驅動模組的驅動而相對該槽體上升到容槽外或是相對該槽體下降到該容槽內，該升降座用於承托該晶舟及該晶舟中的基板；一基板旋轉機構，設置在該基板升降機構的該升降座上，且包括一旋轉驅動模組、一傳動組件以及一從動旋轉組件，該旋轉驅動模組固定設置在該升降座上，該傳動組件連接該旋轉驅動模組並可受到該旋轉驅動模組的驅動而作動，該從動旋轉組件設置在該升降座上，連接到該傳動組件，且可受到該傳動組件的驅動而旋轉，該從動旋轉組件用於接觸並帶動該基板進行旋轉；以及一主控模組，連接該基板升降機構以及該基板旋轉機構，且控制該基板升降機構的升降以及該基板旋轉機構的旋轉；其中該升降座上形成有一垂直板體，在該垂直板體底端形成有一水平托板以用於承托該晶舟。
2. 如請求項1所述的批次基板濕式處理裝置，其中該升降驅動模組為一油壓/氣壓缸，在該油壓/氣壓缸上以可伸縮方式設置一作動桿，該作動桿連 接該升降座。
3. 如請求項1所述的批次基板濕式處理裝置，其中該旋轉驅動模組為一驅動馬達而具有一驅動軸；該傳動組件包括一垂直傳動桿以及一水平傳動軸，該垂直傳動桿以可旋轉方式貫穿設置在該垂直板體上，且與該驅動軸嚙合，該水平傳動軸與該垂直傳動桿嚙合；該從動旋轉組件包括二水平旋轉帶動桿，該二水平旋轉帶動桿與該水平傳動軸嚙合，在各該水平旋轉帶動桿上形成有一接觸帶動部，以用於接觸並且帶動該基板進行旋轉。
4. 如請求項3所述的批次基板濕式處理裝置，其中該二水平旋轉帶動桿位於同一水平位置上。
5. 如請求項3所述的批次基板濕式處理裝置，其中該接觸帶動部上形成有多個軸向排列的摩擦肋條。
6. 如請求項4所述的批次基板濕式處理裝置，其中該驅動軸與該垂直傳動桿之間透過二傘形齒輪相互嚙合；該垂直傳動桿與該水平傳動軸之間透過二傘形齒輪相互嚙合；該水平傳動軸與各該水平旋轉帶動桿之間透過二齒輪相互嚙合。
7. 如請求項1至6中任一項所述的批次基板濕式處理裝置，其中該批次基板濕式處理裝置進一步包括一蝕刻速率資料庫模組，該蝕刻速率資料庫模組連接該主控模組，且用於提供該基板各部位受到蝕刻的速率的歷史資料。
8. 一種批次基板濕式處理方法，包括：一裝置提供步驟，包括提供一批次基板濕式處理裝置，該批次基板濕式處理裝置包括：一槽體，在該槽體內形成有一容槽，其中，該容槽盛載 有蝕刻液；一基板升降機構，設置在該槽體上，用於承托晶舟及該晶舟中的基板，並用於升高或下降該晶舟及該晶舟中的該基板，使該基板可位於不同高度而能完全位於該蝕刻液中、部分位於蝕刻液中或是完全位於蝕刻液之上；一基板旋轉機構，設置在該基板升降機構上，且用於接觸並帶動該基板進行旋轉；一主控模組，連接該基板升降機構以及該基板旋轉機構，且控制該基板升降機構的升降以及該基板旋轉機構的旋轉；以及一蝕刻速率資料庫模組，連接該主控模組，用於提供該基板各部位受到蝕刻的速率的歷史資料；一基板浸泡步驟，包括放置一晶舟及該晶舟內的基板到該容槽內，使該晶舟及該晶舟內的該基板被該升降座所承托，並使該基板完全位於該蝕刻液中，其中，該基板包括一中心部以及一環繞該中心部的周緣部；一基板高度調整步驟，包括通過該主控模組驅動該基板升降機構以升高或降低該基板，使該基板完全位於該蝕刻液中、部分位於蝕刻液中或是完全位於蝕刻液之上；一基板旋轉步驟，包括通過該主控模組驅動該基板旋轉機構帶動該基板進行旋轉；其中，當該基板的該中心部的蝕刻速率高於該周緣部的蝕刻速率時，通過執行該基板高度調整步驟，而使該基板的該中心部被上升到完全位於該蝕刻液之上，且使該中心部的底緣切齊該蝕刻液之液面，並通過執行該基板旋轉步驟而使該基板進行旋轉，以增加該周緣部的蝕刻量，並同時減少該中心部的蝕刻量。
9. 如請求項8所述的批次基板濕式處理方法，其中當該基板的該周緣部 的蝕刻速率高於該中心部的蝕刻速率時，通過執行該基板高度調整步驟，而使該基板的中心部被下降到完全位於該蝕刻液之下，且使該中心部的頂緣切齊該蝕刻液的液面，並通過執行該基板旋轉步驟而使該基板進行旋轉，以增加該中心部的蝕刻量，並同時減少該周緣部的蝕刻量。
10. 如請求項8或9所述的批次基板濕式處理方法，其中該基板的該中心部的半徑為一浮動值，是根據該蝕刻速率資料庫模組所提供的該基板上各部位的蝕刻速率的歷史資料而改變，且該中心部的半徑是0到該基板的半徑。
11. 如請求項8或9所述的批次基板濕式處理方法，其中該基板高度調整步驟及該基板旋轉步驟同時執行或先後執行。
12. 如請求項8或9所述的批次基板濕式處理方法，其中該基板高度調整步驟重複執行。
13. 如請求項8或9所述的批次基板濕式處理方法，其中該基板旋轉步驟重複執行。

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