CN103871938B - 用于清洗半导体晶圆的清洗槽 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种用于清洗半导体晶圆的清洗槽，属于半导体晶圆工艺技术领域，包括清洗槽本体、喷淋装置,所述清洗槽本体的上方设有用于封闭所述清洗槽本体的槽盖，所述槽盖上设有用于清洗晶圆的喷淋装置；所述喷淋装置包括若干个喷淋管和若干个与其相连通的喷嘴，所述喷嘴在所述槽盖上呈矩阵状均匀分布且可调节喷淋角度，所述喷淋管上设有用于控制清洗液通过的阀。本发明通过清洗槽上侧设置槽盖，所述槽盖上均匀分布若干个可调节喷淋角度的喷嘴，喷射的清洗液可从多个不同方向清洗晶圆，可覆盖晶圆不同方位和角度。本发明提供的清洗槽的清洗能力更强，清洗面更为宽泛，还可降低清洗时间增加产出。

Description

用于清洗半导体晶圆的清洗槽
技术领域
本发明属于半导体晶圆工艺技术领域，具体为一种用于清洗半导体晶圆的清洗槽。
背景技术
在随着集成电路特征尺寸进入到深亚微米阶段，集成电路晶圆制造工艺中所要求的晶圆表面的洁净度越来越苛刻，为了保证晶圆材料表面的洁净度，集成电路的制造工艺中存在数百道清洗工序，清洗工序占了整个制造过程的20％。
传统对晶圆表面清洗采用产出比较高的槽式清洗设备，清洗设备的主要清洗步骤一般先进行化学液清洗浸泡，然后进行清水洗净工序。晶圆在化学液清洗浸泡后，晶圆表面依旧会残留一些副产物和化学液，所以后续的清水洗净工艺尤为重要，若清洗不干净会在晶圆表面产生如化学液残留或晶圆表面存在颗粒物之类的缺陷。
如图1所示，图1为现有槽式清洗设备中清洗槽的结构示意图，清洗液通过清洗槽本体100底部的两个喷射管700和清洗槽上端的两个喷射管700流出。但对于表面图形比较复杂的晶圆800，由于喷射管700在清洗槽的固定位置及方向对晶圆800进行清洗，易造成晶圆800表面存在部分颗粒物卡在图形中洗不出或者清洁不彻底。因此，提高现有清洗槽的清洗能力成为本领域技术人员亟待解决的问题。
发明内容
针对现有技术的不足之处，本发明的目的是提供一种用于清洗半导体晶圆的清洗槽，有效提高清洗能力从而降低清洗时间增加产出。
本发明目的通过下述技术方案来实现：
本发明提供了一种用于清洗半导体晶圆的清洗槽，包括清洗槽本体、喷淋装置,所述清洗槽本体的上方设有用于封闭所述清洗槽本体的槽盖，所述槽盖上设有用于清洗晶圆的喷淋装置；所述喷淋装置包括若干个喷淋管和若干个与其相连通的喷嘴，所述喷嘴在所述槽盖上呈矩阵状均匀分布且可调节喷淋角度，所述喷淋管上设有用于控制清洗液通过的阀，所述喷淋管与所述喷嘴的端部均为切去球冠的空心球体，所述喷嘴的空心球体设在所述喷淋管的内侧或外侧，两者以可相对转动的方式连接。
优选的，所述槽盖的侧面具有弧度。
优选的，所述槽盖的弧度与所述晶圆的弧度一致。
优选的，所述喷嘴的喷射形状为锥形状或扇形状。
优选的，所述喷淋管上的阀可调节清洗液的流量。
优选的，所述清洗槽内设有用于夹持晶圆且能够升降的固定支架系统。
优选的，所述清洗槽的底部设有对称的喷射管。
本发明通过清洗槽上侧设置槽盖，所述槽盖上设有若干个可调节喷淋角度的喷嘴，喷射的清洗液可从多个不同方向清洗晶圆，可覆盖晶圆不同方位和角度。本发明提供的清洗槽的清洗能力更强，清洗面更为宽泛，还可降低清洗时间增加产出。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有清洗槽的结构示意图；
图2为本发明用于清洗半导体晶圆的清洗槽的结构示意图；
图3为本发明喷嘴与喷淋管的结构示意图。
图中标号说明如下：
100、清洗槽本体；200、喷淋装置；201、喷淋管；202、喷嘴；300、槽盖；400、阀；500、空心球体；600、固定支架系统；700、喷射管；800、晶圆。
具体实施方式
以下将配合图式及实施例来详细说明本发明的实施方式，藉此对本发明如何应用技术手段来解决技术问题并达成技术功效的实现过程能充分理解并据以实施。
如图2所示，图2为本发明用于清洗半导体晶圆的清洗槽的结构示意图，本发明提供了一种用于清洗半导体晶圆的清洗槽，包括清洗槽本体100、喷淋装置200,清洗槽本体100的上方设有用于封闭清洗槽本体100的槽盖300，槽盖300上设有用于清洗晶圆的喷淋装置200；喷淋装置200包括若干个喷淋管201和若干个与其相连通的喷嘴202，喷嘴202在所述槽盖300上呈矩阵状均匀分布且可调节喷淋角度，喷淋管201上设有用于控制清洗液通过的阀400。
本发明通过清洗槽上侧设置槽盖300，所述槽盖300上设有若干个可调节喷淋角度的喷嘴202，喷射的清洗液可从多个不同方向清洗晶圆800，可覆盖晶圆800不同方位和角度。本发明提供的清洗槽的清洗能力更强，清洗面更为宽泛，还可降低清洗时间增加产出。
请参考图3，图3是喷嘴202与喷淋管201的结构示意图，喷淋管201与喷嘴202的端部均为切去球冠的空心球体500，喷淋管201的空心球体500设在喷嘴202的外侧，两者以可相对转动的方式连接。同理，喷淋管201的空心球体500也可设在喷嘴202的内侧，两者同样可实现相对转动连接。
本实施例中槽盖300上的喷嘴202呈矩阵状均匀分布，或喷嘴202的分布密度从槽盖300中心到槽盖300边缘逐渐变小，或喷嘴202的分布密度从槽盖300中心到槽盖300边缘逐渐变大，本领域技术人员可根据需要调整喷嘴202在槽盖300上的分布情况。喷嘴202的喷射形状为锥形状或扇形状。所述喷淋管201上的阀400可调节清洗液的流量，其中，所述的清洗液优选为水。
为了提高晶圆800底部区域的清洗效果，所述清洗槽本体100的底部设有左右对称的喷射管700，或在清洗槽本体100的底部或/和侧壁也设有喷淋装置200，所述喷淋装置200在所述清洗槽本体100上均匀分布或不均匀分布。
所述槽盖300的侧面具有弧度，所述槽盖300的弧度与所述晶圆800的弧度一致。
所述清洗槽本体100内设有用于夹持晶圆800且能够升降的固定支架系统600，为了增强输送清洗液的动力，喷淋管201与水泵连接。
上述说明示出并描述了本发明的若干优选实施例，但如前所述，应当理解本发明并非局限于本文所披露的形式，不应看作是对其他实施例的排除，而可用于各种其他组合、修改和环境，并能够在本文所述发明构想范围内，通过上述教导或相关领域的技术或知识进行改动。而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本发明的精神和范围，则都应在本发明所附权利要求的保护范围内。

Claims (7)

1.一种用于清洗半导体晶圆的清洗槽，包括清洗槽本体、喷淋装置,其特征在于，
所述清洗槽本体的上方设有用于封闭所述清洗槽本体的槽盖，所述槽盖上设有用于清洗晶圆的喷淋装置；
所述喷淋装置包括若干个喷淋管和若干个与其相连通的喷嘴，所述喷嘴在所述槽盖上呈矩阵状均匀分布且可调节喷淋角度，所述喷淋管上设有用于控制清洗液通过的阀，所述喷淋管与所述喷嘴的端部均为切去球冠的空心球体，所述喷嘴的空心球体设在所述喷淋管的内侧或外侧，两者以可相对转动的方式连接。
2.根据权利要求1所述的用于清洗半导体晶圆的清洗槽，其特征在于，所述槽盖的侧面具有弧度。
3.根据权利要求2所述的用于清洗半导体晶圆的清洗槽，其特征在于，所述槽盖的弧度与所述晶圆的弧度一致。
4.根据权利要求1所述的用于清洗半导体晶圆的清洗槽，其特征在于，所述喷嘴的喷射形状为锥形状或扇形状。
5.根据权利要求1所述的用于清洗半导体晶圆的清洗槽，其特征在于，所述喷淋管上的阀可调节清洗液的流量。
6.根据权利要求1～5任一所述的用于清洗半导体晶圆的清洗槽，其特征在于，所述清洗槽内设有用于夹持晶圆且能够升降的固定支架系统。
7.根据权利要求1～5任一所述的用于清洗半导体晶圆的清洗槽，其特征在于，所述清洗槽的底部设有对称的喷射管。
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