CN110694991A - 晶圆清洗装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种晶圆清洗装置，所述晶圆清洗装置包括清洗槽及升降机构，所述清洗槽用于清洗晶圆，所述升降机构包括升降本体、支撑件及清洗部，所述升降本体设于所述清洗槽的底部并可在所述清洗槽内相对所述清洗槽的槽底壁升降，所述支撑件设于所述升降本体的顶部以固定待清洗的所述晶圆，并通过所述升降本体的升降带动所述晶圆升降，所述清洗部设于所述升降本体或者所述支撑件上，并用于在清洗所述晶圆前后对所述支撑件进行清洗。本发明的晶圆清洗装置，解决了现有技术的支撑件上的污垢会污染晶圆，造成晶圆缺陷，导致晶圆良率降低的问题。

Description

晶圆清洗装置

技术领域

本发明涉及电子加工技术领域，具体涉及一种晶圆清洗装置。

背景技术

在现有的槽式清洗设备中，支撑件是清洗槽中用于支撑晶圆的部件，但在长期使用过程中，支撑件与晶圆之间的接触处往往会形成清洁死角而使支撑件上会残留一些污垢，而残留在支撑件上的污垢往往会重新污染晶圆，造成晶圆缺陷，导致晶圆良率的降低。

发明内容

鉴于此，本发明实施例提供了一种晶圆清洗装置，解决了现有技术的支撑件上的污垢会污染晶圆，造成晶圆缺陷，导致晶圆良率降低的问题。

本申请实施例提供一种晶圆清洗装置，所述晶圆清洗装置包括清洗槽及升降机构，所述清洗槽用于清洗晶圆，所述升降机构包括升降本体、支撑件及清洗部，所述升降本体设于所述清洗槽的底部并可在所述清洗槽内相对所述清洗槽的槽底壁升降，所述支撑件设于所述升降本体的顶部以固定待清洗的所述晶圆，并通过所述升降本体的升降带动所述晶圆升降，所述清洗部设于所述升降本体或者所述支撑件上，并用于在清洗所述晶圆前后对所述支撑件进行清洗。

一种实施方式中，所述晶圆清洗装置还包括喷射管，所述喷射管对称设置于所述清洗槽的底部并位于所述升降机构的相对两侧，所述喷射管用于对所述晶圆进行清洗。

一种实施方式中，所述晶圆清洗装置还包括进液管，所述进液管设于所述清洗槽的底部的外侧，所述进液管连通所述喷射管及所述清洗部，以使清洗液通过所述进液管流入所述喷射管而对所述晶圆进行清洗，或者，使清洗液通过所述进液管流入所述清洗部而对所述支撑件进行清洗。

一种实施方式中，所述支撑件包括第一子支撑件、第二子支撑件及第三子支撑件，所述第一子支撑件设于所述升降本体的顶部的中间位置，所述第二子支撑件及所述第三子支撑件分别设于所述升降本体顶部的相对两侧且相对所述第一子支撑件对称，所述第一子支撑件、所述第二子支撑件及所述第三子支撑件配合固定所述晶圆。

一种实施方式中，所述第一子支撑件、所述第二子支撑件及所述第三子支撑件上分别设有第一齿排、第二齿排及第三齿排，所述第一齿排、所述第二齿排、所述第三齿排的延伸方向平行于所述喷射管的延伸方向。

一种实施方式中，所述第一齿排上间隔设有多个第一齿槽，所述第二齿排上间隔设有多个第二齿槽，所述第三齿排上间隔设有多个第三齿槽，多个所述第一齿槽、多个所述第二齿槽及多个所述第三齿槽用于供多片所述晶圆等间距卡合。

一种实施方式中，所述第一齿排上任意两个相邻的齿之间的间距为5mm，所述第二齿排上任意两个相邻的齿之间的间距为5mm，所述第三齿排上任意两个相邻的齿之间的间距为5mm。

一种实施方式中，所述清洗部包括第一清洗管及第二清洗管，所述第一清洗管及所述第二清洗管对称设置于所述升降本体的顶部且所述第一清洗管及所述第二清洗管的延伸方向平行于所述第一齿排、所述第二齿排、所述第三齿排的延伸方向，所述第一清洗管及所述第二清洗管连通所述进液管并配合清洗所述第一齿排、所述第二齿排及所述第三齿排上的齿。

一种实施方式中，所述第一清洗管位于所述第一子支撑件与所述第二子支撑件之间并用于对所述第一子支撑件上的第一齿排的齿及所述第二子支撑件上的第二齿排的齿进行清洗，所述第二清洗管位于所述第一子支撑件与所述第三子支撑件之间并用于对所述第一子支撑件上的第一齿排的齿及所述第三子支撑件上的第三齿排的齿进行清洗。

一种实施方式中，所述第一清洗管上间隔设有多个第一喷流孔及多个第二喷流孔，每一所述第一喷流孔均朝向所述第一齿排设置且对应清洗一个所述第一齿排上的齿，每一所述第二喷流孔均朝向所述第二齿排设置且对应清洗一个所述第二齿排上的齿；

所述第二清洗管上间隔设有多个第一喷流孔及多个第三喷流孔，每一所述第一喷流孔均朝向所述第一齿排设置且对应清洗一个所述第一齿排上的齿，每一所述第三喷流孔均朝向所述第三齿排设置且对应清洗一个所述第三齿排上的齿。

一种实施方式中，所述第一喷流孔、所述第二喷流孔及所述第三喷流孔上均设有密封结构，所述密封结构用于开启所述第一喷流孔、所述第二喷流孔及所述第三喷流孔以进行喷液操作，或者，所述密封结构用于关闭所述第一喷流孔、所述第二喷流孔及所述第三喷流孔以停止喷液操作。

一种实施方式中，所述第一清洗管上任意两个相邻的第一喷流孔之间的间距为5mm，所述第一清洗管上任意两个相邻的第二喷流孔之间的间距为5mm；

所述第二清洗管上任意两个相邻的第一喷流孔之间的间距为5mm，所述第二清洗管上任意两个相邻的第三喷流孔之间的间距为5mm。

一种实施方式中，所述清洗部包括第一清洗孔、第二清洗孔及第三清洗孔，每一所述第一清洗孔均设于一个所述第一齿排的齿上且连通所述进液管以对所述第一齿排上对应的齿进行清洗，每一所述第二清洗孔均设于一个所述第二齿排的齿且连通所述进液管以对所述第二齿排上对应的齿进行清洗，每一所述第三清洗孔均设于一个所述第三齿排的齿上且连通所述进液管以对所述第三齿排上对应的齿进行清洗。

一种实施方式中，所述进液管上设有调节阀，所述调节阀用于调节所述清洗液的流量。

一种实施方式中，所述晶圆清洗装置还包括循环液管，所述循环液管设于所述清洗槽的顶部的外侧，所述循环液管与所述进液管之间连接有过滤器，清洗过所述支撑件的清洗液经所述循环液管流入所述过滤器，并通过所述过滤器过滤以再次进入进液管而进行重复使用。本申请实施例在所述晶圆传送盒的壳体的透光部处设置调光组件，通过调节调光组件，以使调光组件处于透光状态或遮光状态，从而允许外界光线进入容置空间或避免外界光线进入容置空间，避免外界光线与特定制程中的晶圆发生光电反应，保证了晶圆的电性能。

本申请的晶圆清洗装置通过设置清洗部，使得晶圆清洗装置在对晶圆进行清洗前，能够令清洗部先对支撑件上的污染物进行清洗，避免在后续对晶圆进行清洗时，将支撑件上残留的污染物借由清洗液的作用而与晶圆的表面进行反应造成晶圆缺陷，此外，由于微尘粒子、金属微粒或是油污等污染物容易附着在晶圆表面，并在晶圆固定于支撑件上时，将污染物遗留在支撑件上，可以在晶圆清洗装置完成对晶圆的清洗后，使清洗部对支撑件进行清洗，有效将与晶圆接触而造成的污染物残留除去，进一步保证支撑件的洁净，为后续再次进行晶圆的清洗操作而提供干净的环境，避免晶圆缺陷的产生，有效提高晶圆的良率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以如这些附图获得其他的附图。

图1是本申请实施例提供的一种晶圆清洗装置的清洗部的一种实施方式的部分结构示意图；

图2是图1所示晶圆清洗装置的清洗部的另一种实施方式的部分结构示意图；

图3是图1所示升降机构的电路结构示意图；

图4是图1所示第一支撑件上的第一齿排的部分截面示意图；

图5是图1所示第二支撑件上的第二齿排的部分截面示意图；

图6是图1所示第三支撑件上的第三齿排的部分截面示意图；

图7是图1所示的喷流管的结构示意图；

图8是图1所示的晶圆清洗装置的结构示意图；

图9是图1所示第一清洗管的部分截面示意图；

图10是图1所示第二清洗管的部分截面示意图。

具体实施方式

下面将参照附图更详细地描述本发明的具体实施方式。虽然附图中显示了本发明的示例性实施方式，但应当理解的是，还可以采用不同于在此描述的其他方式来实施本发明，因此，本发明不受下面这些实施方式的限制。

在半导体制造工业中，制造工艺中所要求的晶圆表面的洁净度越来越苛刻，为了保证晶圆表面的洁净度，对晶圆的清洗工序成为制造过程的重要部分。传统对晶圆表面清洗采用产出比较高的槽式清洗设备，清洗设备的主要清洗步骤一般先进行化学液清洗，然后进行清水洗净工序。在清水洗净工艺中，清洗不干净会在晶圆表面产生如化学液残留或晶圆表面存在颗粒物之类的缺陷。而在现有的槽式清洗设备中，支撑件是清洗槽中用于支撑晶圆的部件，但在长期使用过程中，支撑件与晶圆之间的接触处往往会形成清洁死角，造成支撑件上残留有污垢，从而使在对晶圆清洗的时候对晶圆造成缺陷。举例而言，晶圆与支撑件接触的部分会因相互接触而受到支撑件上污垢的污染，而用于清洗晶圆的清洗液会带着支撑件上残留的污垢形成上升涡流，由于清洗液自身的重力及液体的延展性，会在晶圆的表面划过并与晶圆的表面反应，对晶圆造成污染而在晶圆的表面形成线状缺陷(linedefect)，该线状缺陷可引起废片而造成晶圆良率的降低。

鉴于此，请一并参阅图1和图2，本申请提供一种晶圆清洗装置100，晶圆清洗装置100包括清洗槽10及升降机构20，清洗槽10用于清洗晶圆200，升降机构20包括升降本体21、支撑件22及清洗部23，升降本体21设于清洗槽10的底部并可在清洗槽10内相对清洗槽10的槽底壁升降，支撑件22设于升降本体21的顶部以固定待清洗的晶圆200，并通过升降本体21的升降带动晶圆200升降，清洗部23设于升降本体21或者支撑件22上，并用于在清洗晶圆200前后对支撑件22进行清洗。

通过设置清洗部23，使得晶圆清洗装置100在对晶圆200进行清洗前，能够令清洗部23先对支撑件22上的污染物进行清洗，避免在后续对晶圆200进行清洗时，将支撑件22上残留的污染物借由清洗液的作用而与晶圆200的表面进行反应造成晶圆200缺陷，此外，由于微尘粒子、金属微粒或是油污等污染物容易附着在晶圆200表面，并在晶圆200固定于支撑件22上时，将污染物遗留在支撑件22上，可以在晶圆清洗装置100完成对晶圆200的清洗后，使清洗部23对支撑件22进行清洗，有效将与晶圆200接触而造成的污染物残留除去，进一步保证支撑件22的洁净，为后续再次进行晶圆200的清洗操作而提供干净的环境，避免晶圆200缺陷的产生，有效提高晶圆200的良率。

升降本体21升降时具有一定的阻尼，能够保证在升降槽内上升下降的平稳度，以稳定调节支撑件22在升降槽的竖直方向的高度。当升降本体21远离清洗槽10的槽底壁而处于高处时，便于将晶圆200从支撑件22上取出或者放置于支撑件22上而与其固定；当升降本体21靠近清洗槽10的槽底壁而处于低处时，支撑件22接触晶圆200以进行固定晶圆200操作，或者，支撑件22未承载晶圆200而靠近清洗部23以能够便捷对支撑件22进行清洗，提高操作的便捷性的同时也多元化了晶圆清洗装置100的使用性能。需说明的是，升降本体21的升降参数可根据实际需求进行设定，以实现不同的目标要求，在此不做限制。举例而言，请参阅图3，升降本体21可连接一驱动器27，驱动器27连接控制器28，控制器用于发出控制信号，通过设定控制器的升降时间间隔、或预设时间的升降次数、或目标需求所需的升降范围，以根据需求来发出控制信号控制升降本体21的动作。

进一步地，支撑件22包括第一子支撑件24、第二子支撑件25及第三子支撑件26，第一子支撑件24设于升降本体21的顶部的中间位置，第二子支撑件25及第三子支撑件26分别设于升降本体21顶部的相对两侧且相对第一子支撑件24对称，第一子支撑件24、第二子支撑件25及第三子支撑件26配合固定晶圆200。

本实施例中，升降本体21的顶部形状肖似“V”形，而第一子支撑件24设于“V”形的最低点，第二子支撑件25及第三子支撑件26相对设于“V”形的两侧的最高点上，使得第二子支撑件25及第三子支撑件26的高度高于第一子支撑件24的高度，以形成具有高低差的支撑环境，进而当晶圆200竖直固定于第一子支撑件24、第二子支撑件25及第三子支撑件26上时，晶圆200的底部接触第一子支撑件24、第二子支撑件25及第三子支撑件26，使得第一子支撑件24能够位于晶圆200的底部最低点，而第二子支撑件25及第三子支撑件26能够贴合晶圆200底部圆弧状的结构而配合第一子支撑件24定位晶圆200，从而增强连接的稳固性和可靠性。

进一步地，请一并参阅图4-图6，第一子支撑件24、第二子支撑件25及第三子支撑件26上分别设有第一齿排241、第二齿排251及第三齿排261，第一齿排241、第二齿排251及第三齿排261的均朝同一方向延伸方向。需说明的是，图4-图6中的第一齿排241、第二齿排251及第三齿排262的形状仅为说明结构所画的示意简图，实际结构并不以此为限。

可以理解的是，如图4所示，第一齿排241包括多个间隔设置的齿242，任意相邻两个齿242之间的空间可形成第一齿槽243，每一第一齿槽243用于供一个晶圆200进行卡合，换言之，多个间隔设置的齿242可形成多个间隔设置的第一齿槽243，以供多个晶圆200卡合于其上。本实施例中，考虑到与晶圆200的卡合力，设计第一齿槽243的形状为“V”形，以使晶圆200能被稳定的卡合于第一齿槽243中而进行清洗操作，此外，V形凹槽进一步形成圆弧形以便沿著晶圆200外围边缘的圆周方向而设置。其他实施例中，第一齿槽243的形状可以为矩形或其他几何形状，只要能实现卡合晶圆200的作用即可，在此不做限制。

如图5所示，第二齿排251包括多个间隔设置的齿252，任意相邻两个齿252之间的空间可形成第二齿槽253，每一第二齿槽253用于供一个晶圆200进行卡合，换言之，多个间隔设置的齿252可形成多个间隔设置的第二齿槽253，以供多个晶圆200卡合于其上。本实施例中，考虑到与晶圆200的卡合力，设计第二齿槽253的形状为“V”形，以使晶圆200能被稳定的卡合于第二齿槽253中而进行清洗操作，此外，V形凹槽进一步形成圆弧形以便沿著晶圆200外围边缘的圆周方向而设置。其他实施例中，第二齿槽253的形状可以为矩形或其他几何形状，只要能实现卡合晶圆200的作用即可，在此不做限制。

如图6所示，第三齿排261包括多个间隔设置的齿262，任意相邻两个齿262之间的空间可形成第三齿槽263，每一第三齿槽263用于供一个晶圆200进行卡合，换言之，多个间隔设置的齿262可形成多个间隔设置的第三齿槽263，以供多个晶圆200卡合于其上。本实施例中，考虑到与晶圆200的卡合力，设计第三齿槽263的形状为“V”形，以使晶圆200能被稳定的卡合于第三齿槽263中而进行清洗操作，此外，V形凹槽进一步形成圆弧形以便沿著晶圆200外围边缘的圆周方向而设置。其他实施例中，第三齿槽263的形状可以为矩形或其他几何形状，只要能实现卡合晶圆200的作用即可，在此不做限制。

具体地，每一晶圆200均设于一个第一齿槽243、一个第二齿槽253及一个第三齿槽263上，多个第一齿槽243、多个第二齿槽253及多个第三齿槽263用于供多片晶圆200等间距卡合。换言之，清洗槽10内同时可容纳多片晶圆200于其内，以同时处理多片晶圆200，提高清洗的效率。本实施例中，以可容纳50片晶圆200的清洗槽10为例进行说明。当然，其他实施例中，清洗槽10也可容纳40片、45片，可根据目标的晶圆200数量需求对清洗槽10的大小进行调整，并不以此为限。

需说明的是，第一齿排241、第二齿排251、第三齿排261上的齿为一一对应的关系，从而可以满足每一晶圆200均卡合于一个第一齿槽243、一个第二齿槽253及一个第三齿槽263的目标需求。其中，对应包括任意齿排的相邻两个齿之间的距离相等。优选地，第一齿排241上任意两个相邻的齿242之间的间距为5mm，第二齿排251上任意两个相邻的齿252之间的间距为5mm，第三齿排261上任意两个相邻的齿262之间的间距为5mm，以形成紧凑的结构，提高与晶圆200的卡合力。

本实施例中，晶圆清洗装置100还包括两个喷射管30，两个喷射管30对称设置于清洗槽10的底部并位于升降机构20的相对两侧，且喷射管30的延伸方向平行于第一齿排241、第二齿排251及第三齿排261的延伸方向，喷射管30用于对晶圆200进行清洗。

请一并参阅图7，一种实施方式中，喷射管30为细长的圆柱形管体。每一喷射管30上间隔设置有多个喷射孔31，相邻两个喷射孔31之间的间距可参考任意齿排的相邻两个齿之间的间距，以实现每一喷射孔31对应一个晶圆200的清洗需求，此外，喷射管30上设置多个喷射孔31还可以同时对多个晶圆200进行清洗。清洗液经由喷射孔31从喷射管30喷射出来，并在清洗槽10内形成了涡流而喷射到晶圆200的表面，在涡流的作用下，晶圆200被清洗干净，从而实现了对晶圆200清洗力度的精确控制。需说明的是，喷射孔31的尺寸大小不做限制，只要满足能够清洗晶圆200即可。

请一并参阅图1及图2中画虚线的部分(清洗液的流向)，应当理解，在清洗槽10两侧设置的喷射管30的角度设置是对称的，使得两侧喷射管30喷射到晶圆200表面的液柱呈现为对称状态。当然，其他实施例中，喷射管30也可为其它形状的管体，只要可实现输送清洗液并使清洗液能够对准晶圆200清洗即可。

进一步地，晶圆清洗装置100还包括进液管40，进液管40设于清洗槽10的底部的外侧，进液管40连通喷射管30，以使清洗液通过进液管40流入喷射管30而对晶圆200进行清洗。具体地，进液管40上设有调节阀41，调节阀41用于调节清洗液的流量及流速。清洗液通过进液管40分成左右两路分别进入两个喷射管30中，并通过喷射管30上开设的喷射孔31出射到清洗槽10内以对清洗槽10内容置的晶圆200进行清洗。或者，进液管40还连通清洗部23，以使清洗液能通过进液管40流入清洗部23而对支撑件22进行清洗。其中，清洗晶圆200及支撑件22的清洗液为酸性或者碱性的化学溶液、或有机溶液，或纯水DIW。

更进一步地，请一并参阅图8，晶圆清洗装置100还包括储液槽42，清洗液可暂存在储液槽42内等待注入清洗槽内进行清洗。本实施例中，清洗液以纯水DIW为例进行说明，并且，对晶圆200及对支撑件22的具体清洗过程通过以下实施方式进行说明。

请再次参阅图1，在本实施例的第一种实施方式中，由于晶圆200放置于第一齿槽243、第二齿槽253及第三齿槽263中时，第一齿槽243、第二齿槽253及第三齿槽263与晶圆200接触的部分难以接触到清洗液，进而会影响到晶圆200的清洗效果，此外，晶圆200在清洗时所产生的颗粒或者反应聚合物也容易滞留在第一齿槽243、第二齿槽253及第三齿槽263上，而这些颗粒被清洗液冲出时易引起回沾至晶圆200表面而导致晶圆200产生线状缺陷。

基于此，设置清洗部23包括第一清洗管231及第二清洗管232，第一清洗管231及第二清洗管232对称设置于升降本体21的顶部且第一清洗管231及第二清洗管232的延伸方向平行于第一齿排241、第二齿排251、第三齿排261的延伸方向，第一清洗管231及第二清洗管232连通进液管40并配合清洗第一齿排241、第二齿排251及第三齿排261上的齿。

具体地，第一清洗管231及第二清洗管232均为细长的圆柱形管体，其对称设置于“V”形升降本体21的两个相连接的斜面上，且分别位于第一子支撑件24的相对两侧。也即为，第一清洗管231位于第一子支撑件24与第二子支撑件25之间并用于对第一子支撑件24上的第一齿排241的齿242及第二子支撑件25上的第二齿排251的齿252进行清洗，第二清洗管232位于第一子支撑件24与第三子支撑件26之间并用于对第一子支撑件24上的第一齿排241的齿242及第三子支撑件26上的第三齿排261的齿262进行清洗，从而使得经进液管40进入第一清洗管231及第二清洗管232的清洗液能够快速的与第一齿排241、第二齿排251及第三齿排261上的齿均匀接触，以清洗残留于第一齿排241、第二齿排251及第三齿排261的齿上的污染物(颗粒或者反应聚合物)，达到良好的清洗效果，有效避免线状缺陷的产生。需说明的是，第一清洗管231及第二清洗管232均是通过一个液管233与进液管40连通的，从而使进液管40内的清洗液能够分成左右两路分别通过一个液管233进入第一清洗管231及第二清洗管232内而进行清洗。

进一步地，请一并参阅图9，第一清洗管231上间隔设有多个第一喷流孔237及多个第二喷流孔238，每一第一喷流孔237均朝向第一齿排241设置且对应清洗一个第一齿排241上的齿242，每一第二喷流孔238均朝向第二齿排251设置且对应清洗一个第二齿排251上的齿252。进入第一清洗管231的清洗液能够从第一喷流孔237及第二喷流孔238喷出，进而喷射到对应的齿上，以对对应的齿进行清洗，针对性强，清洗效果显著。需说明的是，第一喷流孔237及第二喷流孔238的尺寸大小不做限制，只要满足能够清洗对应齿排的齿即可。

请一并参阅图10，第二清洗管232上间隔设有多个第一喷流孔237及多个第三喷流孔239，每一第一喷流孔237均朝向第一齿排241设置且对应清洗一个第一齿排241上的齿242，每一第三喷流孔239均朝向第三齿排261设置且对应清洗一个第三齿排261上的齿262。进入第二清洗管232的清洗液能够从第一喷流孔237及第三喷流孔239喷出，进而喷射到对应的齿上，以对对应的齿进行清洗，针对性强，清洗效果显著。需说明的是，第一喷流孔237及第三喷流孔239的尺寸大小不做限制，只要满足能够清洗对应齿排的齿即可。

本实施例中，为对应齿排上的等间距的齿，任意两个相邻的喷流孔之间的距离也相等且相邻两个喷流孔之间的距离为齿排上相邻两个齿之间的间距。优选地，第一清洗管231上任意两个相邻的第一喷流孔237之间的间距为5mm，第一清洗管231上任意两个相邻的第二喷流孔238之间的间距为5mm；第二清洗管232上任意两个相邻的第一喷流孔237之间的间距为5mm，第二清洗管232上任意两个相邻的第三喷流孔239之间的间距为5mm，以对对应的齿进行精准清洗，提高清洗力度及清洗效果。

进一步地，第一喷流孔237、第二喷流孔238及第三喷流孔239上均设有密封结构80，密封结构80用于开启第一喷流孔237、第二喷流孔238及第三喷流孔239以进行喷液操作，或者，密封结构80用于关闭第一喷流孔237、第二喷流孔238及第三喷流孔239以停止喷液操作。

一种实施方式中，密封结构80为可转动连接于第一喷流孔237、第二喷流孔238及第三喷流孔239上的挡板，当第一齿排241、第二齿排251及第三齿排261未承载晶圆200时，即对晶圆200进行清洗之前以及完成对晶圆200的清洗之后，密封结构80未密封第一喷流孔237、第二喷流孔238及第三喷流孔239，使得第一喷流孔237、第二喷流孔238及第三喷流孔239开启，第一清洗管231及第二清洗管232内的清洗液通过对应的喷流孔射出至对应的齿排上的齿，以对对应的齿排上的齿进行清洗。当第一齿排241、第二齿排251及第三齿排261承载晶圆200且要对晶圆200进行清洗时，密封结构80密封第一喷流孔237、第二喷流孔238及第三喷流孔239，第一喷流孔237、第二喷流孔238及第三喷流孔239关闭，仅通过喷射管30对晶圆200进行清洗。可以理解的是，仅在对晶圆200清洗之前和完成对晶圆200的清洗之后对齿排的齿进行清洗，是为了错开对晶圆200的清洗，避免同时清洗晶圆200及齿排的齿而造成清洗液中的污染物相互干扰，难以达到理想的清洁效果。

请再次参阅图2，在本实施例的第二种实施方式中，与前述实施方式不同的是，清洗部23未设置第一清洗管231及第二清洗管232，而是使清洗部23包括第一清洗孔234、第二清洗孔235及第三清洗孔236，每一第一清洗孔234均设于一个第一齿排241的齿上且连通进液管40以对第一齿排241上对应的齿进行清洗，每一第二清洗孔235均设于一个第二齿排251的齿且连通进液管40以对第二齿排251上对应的齿进行清洗，每一第三清洗孔236均设于一个第三齿排261的齿上且连通进液管40以对第三齿排261上对应的齿进行清洗。

需说明的是，第一清洗孔234、第二清洗孔235及第三清洗孔236均是通过液管29与进液管40连通的，即液管29设置在第一清洗孔234、第二清洗孔235及第三清洗孔236与进液管40之间，起着输送清洗液给对应的齿上的清洗孔的作用。从而使进液管40内的清洗液能够分成三路并分别通过液管29进入对应的齿内，接着通过第一清洗孔234、第二清洗孔235及第三清洗孔236射出而对对应的齿进行清洗。无需另设清洗结构即可使得齿排上的齿既具有承载晶圆200的作用，也具有清洗自身的作用，使得清洗液能够均匀的与齿表面接触，以清洗残留于齿表面上的污染物(颗粒或者反应聚合物)，达到良好的清洗效果，有效避免线状缺陷的产生。

本实施例中，清洗槽10包括外槽11与设置在外槽11中的内槽12，内槽12包括容置空间以容置升降机构20及喷射管30，也即为，内槽12的容置空间的底部的相对两侧分别设有喷射管30，而升降机构20位于两个喷射管30之间并用于承载晶圆200。

一种实施方式中，外槽11的槽壁高于内槽12的槽壁，故当清洗晶圆200时内槽12的清洗液溢出时，外槽11能够承接内槽12所溢流出的清洗液。另一种实施方式中，外槽11的槽壁与内槽12的槽壁等高，但内槽12的槽口呈锯齿形，以防止由于清洗液较粘稠而使清洗液堆积于内槽12槽口的顶面。

请一并参阅图8，一种实施方式中，晶圆清洗装置100还包括循环液管50，循环液管50设于清洗槽10的顶部的外侧，循环液管50与进液管40之间连接有过滤器60，清洗过支撑件22的清洗液经循环液管50流入过滤器60，并通过过滤器60过滤以再次进入进液管40而进行重复利用。具体地，循环液管50上设有过滤器60，经过滤器60过滤过后的清洗液可通过与循环液管50连通的进液管40循环回至清洗槽10内。而外槽11包括出液口(图未示)，出液口与循环液管50的进液口(图未示)连接，而循环液管50的出液口又通过进液管40与内槽12连通。内槽12中的清洗液通过内槽12的槽口溢出至外槽11，并经由外槽11的出液口流入循环液管50并经过滤器60的过滤、以及进液管40的输送后循环回流至内槽12，以构成清洗液的循环使用。

进一步地，晶圆清洗装置100还包括排液管70，排液管70与外槽11连通，排液管70上设有通断结构(图未示)，通过通断结构能够实现对排液管70的开启和关断，当排液管70开启时，外槽11的清洗液能够通过排液管70快速地排放出去。进一步地，晶圆清洗装置100还包括废液槽71，排液管70排出的废液可暂时储存在废液槽71内等待排放。需说明的是，当外槽11的清洗液的水质符合清洗要求时，排液管70处于关断的状态，通断结构对排水管进行密封，清洗下来的污染物会随清洗液进入循环液管50并经过滤器60过滤后再次投入清洗。当外槽11的清洗液的污染物含量高，水质不符合清洗要求时，外槽11内含有污染物的清洗液变为废水，需要对外槽11内的清洗液进行更换，通过通断结构开排液管70，使外槽11内的清洗液能够从排液管70快速的被排出，从而快速完成对清洗槽10内的清洗液的更换，节能降耗的同时也提高了工作效率。当然，晶圆清洗装置100还可不设置循环液管50，而仅设置补液管(图未示)，通过补液管持续向进液管40内输送新鲜的清洗液以供清洗操作，此时，清洗液经一次使用就要从排液管70排出，无法再循环使用。

本申请的晶圆清洗装置100通过设置清洗部23，使得晶圆清洗装置100在对晶圆200进行清洗前，能够令清洗部23先对支撑件22上的污染物进行清洗，避免在后续对晶圆200进行清洗时，将支撑件22上残留的污染物借由清洗液的作用而与晶圆200的表面进行反应造成晶圆200缺陷，此外，由于微尘粒子、金属微粒或是油污等污染物容易附着在晶圆200表面，并在晶圆200固定于支撑件22上时，将污染物遗留在支撑件22上，可以在晶圆清洗装置100完成对晶圆200的清洗后，使清洗部23对支撑件22进行清洗，有效将与晶圆200接触而造成的污染物残留除去，进一步保证支撑件22的洁净，为后续再次进行晶圆200的清洗操作而提供干净的环境，避免晶圆200缺陷的产生，有效提高晶圆200的良率。

以上所述是本发明的示例性实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对其做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。

Claims (15)

1.一种晶圆清洗装置，其特征在于，所述晶圆清洗装置包括清洗槽及升降机构，所述清洗槽用于清洗晶圆，所述升降机构包括升降本体、支撑件及清洗部，所述升降本体设于所述清洗槽的底部并可在所述清洗槽内相对所述清洗槽的槽底壁升降，所述支撑件设于所述升降本体的顶部以固定待清洗的所述晶圆，并通过所述升降本体的升降带动所述晶圆升降，所述清洗部设于所述升降本体或者所述支撑件上，并用于在清洗所述晶圆前后对所述支撑件进行清洗。

2.如权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述晶圆清洗装置还包括喷射管，所述喷射管对称设置于所述清洗槽的底部并位于所述升降机构的相对两侧，所述喷射管用于对所述晶圆进行清洗。

3.如权利要求2所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述晶圆清洗装置还包括进液管，所述进液管设于所述清洗槽的底部的外侧，所述进液管连通所述喷射管及所述清洗部，以使清洗液通过所述进液管流入所述喷射管而对所述晶圆进行清洗，或者，使清洗液通过所述进液管流入所述清洗部而对所述支撑件进行清洗。

4.如权利要求3所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述支撑件包括第一子支撑件、第二子支撑件及第三子支撑件，所述第一子支撑件设于所述升降本体的顶部的中间位置，所述第二子支撑件及所述第三子支撑件分别设于所述升降本体顶部的相对两侧且相对所述第一子支撑件对称，所述第一子支撑件、所述第二子支撑件及所述第三子支撑件配合固定所述晶圆。

5.如权利要求4所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述第一子支撑件、所述第二子支撑件及所述第三子支撑件上分别设有第一齿排、第二齿排及第三齿排，所述第一齿排、所述第二齿排、所述第三齿排的延伸方向平行于所述喷射管的延伸方向。

6.如权利要求5所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述第一齿排上间隔设有多个第一齿槽，所述第二齿排上间隔设有多个第二齿槽，所述第三齿排上间隔设有多个第三齿槽，多个所述第一齿槽、多个所述第二齿槽及多个所述第三齿槽用于供多片所述晶圆等间距卡合。

7.如权利要求6所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述第一齿排上任意两个相邻的齿之间的间距为5mm，所述第二齿排上任意两个相邻的齿之间的间距为5mm，所述第三齿排上任意两个相邻的齿之间的间距为5mm。

8.如权利要求6所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述清洗部包括第一清洗管及第二清洗管，所述第一清洗管及所述第二清洗管对称设置于所述升降本体的顶部且所述第一清洗管及所述第二清洗管的延伸方向平行于所述第一齿排、所述第二齿排、所述第三齿排的延伸方向，所述第一清洗管及所述第二清洗管连通所述进液管并配合清洗所述第一齿排、所述第二齿排及所述第三齿排上的齿。

9.如权利要求8所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述第一清洗管位于所述第一子支撑件与所述第二子支撑件之间并用于对所述第一子支撑件上的第一齿排的齿及所述第二子支撑件上的第二齿排的齿进行清洗，所述第二清洗管位于所述第一子支撑件与所述第三子支撑件之间并用于对所述第一子支撑件上的第一齿排的齿及所述第三子支撑件上的第三齿排的齿进行清洗。

10.如权利要求9所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述第一清洗管上间隔设有多个第一喷流孔及多个第二喷流孔，每一所述第一喷流孔均朝向所述第一齿排设置且对应清洗一个所述第一齿排上的齿，每一所述第二喷流孔均朝向所述第二齿排设置且对应清洗一个所述第二齿排上的齿；

所述第二清洗管上间隔设有多个第一喷流孔及多个第三喷流孔，每一所述第一喷流孔均朝向所述第一齿排设置且对应清洗一个所述第一齿排上的齿，每一所述第三喷流孔均朝向所述第三齿排设置且对应清洗一个所述第三齿排上的齿。

11.如权利要求10所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述第一喷流孔、所述第二喷流孔及所述第三喷流孔上均设有密封结构，所述密封结构用于开启所述第一喷流孔、所述第二喷流孔及所述第三喷流孔以进行喷液操作，或者，所述密封结构用于关闭所述第一喷流孔、所述第二喷流孔及所述第三喷流孔以停止喷液操作。

12.如权利要求10所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述第一清洗管上任意两个相邻的第一喷流孔之间的间距为5mm，所述第一清洗管上任意两个相邻的第二喷流孔之间的间距为5mm；

所述第二清洗管上任意两个相邻的第一喷流孔之间的间距为5mm，所述第二清洗管上任意两个相邻的第三喷流孔之间的间距为5mm。

13.如权利要求6所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述清洗部包括第一清洗孔、第二清洗孔及第三清洗孔，每一所述第一清洗孔均设于一个所述第一齿排的齿上且连通所述进液管以对所述第一齿排上对应的齿进行清洗，每一所述第二清洗孔均设于一个所述第二齿排的齿且连通所述进液管以对所述第二齿排上对应的齿进行清洗，每一所述第三清洗孔均设于一个所述第三齿排的齿上且连通所述进液管以对所述第三齿排上对应的齿进行清洗。

14.如权利要求3所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述进液管上设有调节阀，所述调节阀用于调节所述清洗液的流量。

15.如权利要求3所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述晶圆清洗装置还包括循环液管，所述循环液管设于所述清洗槽的顶部的外侧，所述循环液管与所述进液管之间连接有过滤器，清洗过所述支撑件的清洗液经所述循环液管流入所述过滤器，并通过所述过滤器过滤以再次进入进液管而进行重复使用。

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