TWI688438B - 晶盒清洗設備 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種晶盒清洗設備，包括：一清洗室和一晶盒放置架，所述清洗室內設有一噴淋裝置，所述晶盒放置架設置在所述清洗室內，所述晶盒放置架包含一旋轉軸、一晶盒體固定裝置和一晶盒蓋固定裝置，所述晶盒體固定裝置和所述晶盒蓋固定裝置設置在所述旋轉軸上。本發明提供的晶盒清洗設備，將晶盒體放置在晶盒體固定裝置上以及將晶盒蓋放置在晶盒蓋固定裝置上，通過噴淋裝置對晶盒進行清洗，從而實現充分清洗，當晶盒放置架旋轉進行甩乾時，清洗液會被甩出，提高了清洗晶盒的效率並降低了清洗晶盒的成本。

Description

晶盒清洗設備

本發明涉及半導體製造技術領域，尤其涉及一種晶盒清洗設備。

近年來，隨著半導體製造技術的發展，對半導體生產各個製程之間的生產工具的要求也越來越高，其中包括用於傳送晶圓並經常使用的晶盒。現有的晶盒包括一面開口的晶盒體和晶盒蓋，所述晶盒蓋與所述晶盒體的開口處相配合，用於封閉所述晶盒，所述晶盒體內設置有用於放置晶圓的若干凹槽。

由於晶盒會用於傳輸晶圓，在放置和撤出晶圓時以及在運輸過程中，晶盒有可能會受到周圍環境內的顆粒物污染。因此，需要使用晶盒清洗設備定期對晶盒進行清洗。現有技術的清洗裝置通常採用溶液沖洗，並提供乾燥氣體。然而，發明人發現在使用現有技術的清洗裝置時，清洗溶液不能及時排出，因此清洗與甩乾過程效率都不高，並且現有的晶盒清洗設備依賴氣體乾燥，通過旋轉軸進行旋轉來輔助甩乾，但由於氣體本身就是顆粒污染的一個來源，使用氣體乾燥會對整體的清洗效果造成影響，氣體中的顆粒污染物會沾在晶盒內。

因此，如何提供一種可以充分清洗的晶盒清洗設備是本領域技術人員急待解決的一個技術問題。

本發明的目的在於提供一種晶盒清洗設備，解決晶盒的充分清洗的問題。

為了解決上述問題，本發明提供一種晶盒清洗設備，包括：一清洗室和一晶盒放置架，所述清洗室內設有一噴淋裝置，所述晶盒放置架設置在所述清洗室內，所述晶盒放置架包含一旋轉軸、一晶盒體固定裝置和一晶盒蓋固定裝置，所述晶盒體固定裝置和所述晶盒蓋固定裝置均設置在所述旋轉軸上。

本發明提供的晶盒清洗設備，將一晶盒體放置在一晶盒體固定裝置上以及將晶盒蓋放置在晶盒蓋固定裝置上，透過一噴淋裝置對晶盒進行清洗，從而實現充分清洗，當晶盒放置架旋轉進行甩乾時，清洗溶液會被甩出，提高了清洗晶盒的效率並降低了清洗晶盒的成本。

100‧‧‧清洗室

110‧‧‧噴淋裝置

111‧‧‧頂部噴嘴

112‧‧‧側邊噴嘴

200‧‧‧晶盒放置架

210‧‧‧晶盒體固定裝置

220‧‧‧晶盒蓋固定裝置

221‧‧‧支撐架

222‧‧‧卡扣裝置

223‧‧‧擋杆

230‧‧‧旋轉軸

300‧‧‧集水裝置

第1圖為本發明實施例的晶盒清洗設備的剖面結構圖。

第2圖為本發明實施例的晶盒蓋固定裝置在旋轉軸上的剖面結構圖。

為了使本發明的目的、特徵和優點能夠更加明顯易懂，請參閱附圖。須知，本說明書所附圖式所繪示的結構、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示的內容，以供熟悉此技術的人士瞭解與閱讀，並非用以限定本發明可實施的限定條件，故不具技術上的實質意義，任何結構的修飾、比例關係的改變或大小的調整，在不影響本發明所能產生的功效及 所能達成的目的下，均應仍落在本發明所揭示的技術內容得能涵蓋的範圍內。

如第1圖所示，本發明提供的晶盒清洗設備，包括：清洗室100和晶盒放置架200，所述清洗室100內設有噴淋裝置110，所述晶盒放置架200設置在所述清洗室內100，所述晶盒放置架200包含一晶盒體固定裝置210、一晶盒蓋固定裝置220和一旋轉軸230，所述晶盒體固定裝置210和所述晶盒蓋固定裝置220均設置在所述旋轉軸230上。需要說明的是，為了方便圖示，第1圖中僅簡要的圖示了一組晶盒體固定裝置和晶盒蓋固定裝置，本領域技術人員可以理解的是，旋轉軸在同一水平面或同一垂直面內可以並列設置多組晶盒體固定裝置和晶盒蓋固定裝置，本發明並不限制晶盒體固定裝置和晶盒蓋固定裝置的數量及旋轉軸的尺寸高度。

優選的，所述晶盒體固定裝置210與所述旋轉軸230之間形成一第一夾角，即晶盒體放置在晶盒體固定裝置210中會與旋轉軸230形成一傾斜角度，所述晶盒蓋固定裝置220和所述旋轉軸230之間形成一第二夾角，即晶盒蓋放置在晶盒蓋固定裝置220中會與旋轉軸230形成一傾斜角度，透過形成一定夾角以防止清洗液在清洗時殘留在晶盒體內，同時在旋轉軸230旋轉時，可直接將清洗液直接並且快速的甩出，從而節約了時間而且不需要其它乾燥裝置即可實現晶盒的清潔。優選的，所述第一夾角的角度為15度~60度，所述第二夾角的角度為2度~6度，在具體的實施例中，晶盒體開口方向朝下傾斜旋轉在晶盒體固定裝置上，實驗表明上述角度範圍具有佳的效果，所述第一夾角的更優選角度為20度，所述第二夾角的更優選角度為4度。

優選的，所述晶盒體固定裝置210為一插入籠，即所述插入籠為一面開口的籠狀物，可將晶盒體直接插入其中。如第2圖所示，所述晶盒蓋固定裝置220包括一支撐架221以及設置在所述支撐架221上的一卡扣裝置222和一擋杆223，卡扣裝置222用於卡住固定晶盒蓋，在具體的實施例中，晶盒蓋放入卡扣裝置222的凹槽中，卡扣裝置222的前擋部稍微遠離晶盒蓋，既防止清洗不到，又能防止晶盒蓋滑出，擋杆223設置有晶盒蓋側邊防止晶盒蓋滑出。

優選的，所述晶盒體固定裝置210與所述晶盒蓋固定裝置220交錯設置，由於所述晶盒蓋的體積相對較小，通過交錯設置提高清洗時噴淋裝置覆蓋的角度，防止遮擋，從而較佳的清洗到晶盒的側邊，需要說明的是，所述交錯設置包括左右交錯和上下交錯。

在本實施例中，清洗時所述旋轉軸230的旋轉速度為1RPM~10RPM，當清洗的時候，所述旋轉軸230採用較慢的速度，使噴淋裝置110能充分的清洗晶盒體與晶盒蓋。在本實施例中，清洗後甩乾時所述旋轉軸230的轉動速度為100RPM~1000RPM，當甩乾的時候，所述旋轉軸230採用較快的速度，由於所述晶盒體固定裝置210和所述晶盒蓋固定裝置220均與所述旋轉軸230成傾斜角度，從而使晶盒體與晶盒蓋直接甩乾，並不需要其它的輔助手段來進行乾燥。

在本實施例中，所述噴淋裝置110包括複數個噴嘴，所述噴嘴分為頂部噴嘴111和側邊噴嘴112，所述頂部噴嘴111設置在所述晶盒放置架200上方，通過頂部噴嘴111從上方進行清洗，所述側邊噴嘴112設置在所述晶盒放置架200四周，透過側邊噴嘴112從側面進行清洗，透過頂部噴嘴111 能夠清洗到側邊噴嘴112清洗不到的區域，從而覆蓋更大的清洗區域。

優選的，所述噴嘴均勻分佈在所述清洗室100上，通過均勻分佈來實現較佳的清洗效果。優選的，所述側邊噴嘴112與水平面之間形成的角度為30度~75度，所述側邊噴嘴112具有調節角度的功能，也就是說，通過設置側邊噴嘴112與晶盒體及晶盒蓋之間形成一定角度，從而提高清洗的效果，可以理解的是，側邊噴嘴與水平面之間形成的角度包括朝上設置的角度和朝下設置的角度，即上部的側邊噴嘴是朝下設置的，下部的側邊噴嘴是朝上設置的。優選的，所述噴淋裝置110噴灑去離子水，去離子水不含任務雜質，透過去離子水帶走晶盒表面的污染物。

優選的，所述晶盒放置架200下面設有一集水裝置300，透過集水裝置300把清洗後的清洗液收集起來進行重複利用，在具體的實施例中，集水裝置將收集的清洗液經過過濾、淨化等處理後即可以循環使用。

本發明提供的晶盒清洗設備，將晶盒體放置在晶盒體固定裝置上以及將晶盒蓋放置在晶盒蓋固定裝置上，透過噴淋裝置對晶盒進行清洗，從而實現充分清洗，當晶盒放置架旋轉進行甩乾時，清洗液會被甩出，提高了清洗晶盒的效率並降低了清洗晶盒的成本。

上述實施例僅例示性說明本發明的原理及其功效，而非用於限制本發明。任何熟悉此技術的人士皆可在不違背本發明的精神及範疇下，對上述實施例進行修飾或改變。因此，舉凡所屬技術領域中具有通常知識者在未脫離本發明所揭示的精神與技術思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應由本發明的申請專利範圍所涵蓋。

100‧‧‧清洗室

110‧‧‧噴淋裝置

111‧‧‧頂部噴嘴

112‧‧‧側邊噴嘴

200‧‧‧晶盒放置架

210‧‧‧晶盒體固定裝置

220‧‧‧晶盒蓋固定裝置

230‧‧‧旋轉軸

300‧‧‧集水裝置

Claims (12)

1. 一種晶盒清洗設備，包括：一清洗室，所述清洗室內設有一噴淋裝置；一晶盒放置架，所述晶盒放置架設置在所述清洗室內，所述晶盒放置架包含一旋轉軸、一晶盒體固定裝置和一晶盒蓋固定裝置，所述晶盒體固定裝置和所述晶盒蓋固定裝置均設置在所述旋轉軸上，所述晶盒體固定裝置與所述旋轉軸之間形成一第一夾角，使所述晶盒體固定裝置與所述旋轉軸形成一傾斜角度，所述晶盒蓋固定裝置與所述旋轉軸之間形成一第二夾角，使所述晶盒蓋固定裝置與所述旋轉軸形成一傾斜角度，所述第二夾角不同於所述第一夾角。
2. 如請求項1所述的晶盒清洗設備，其中所述第一夾角的角度為15度~60度，所述第二夾角的角度為2度~6度。
3. 如請求項1所述的晶盒清洗設備，其中所述晶盒體固定裝置為一插入籠，所述插入籠為一面開口的籠狀物。
4. 如請求項1所述的晶盒清洗設備，其中所述晶盒蓋固定裝置包括一支撐架以及設置在所述支撐架上的一卡扣裝置和一擋杆。
5. 如請求項1所述的晶盒清洗設備，其中所述晶盒體固定裝置與所述晶盒蓋固定裝置彼此交錯地設置。
6. 如請求項1所述的晶盒清洗設備，其中當該晶盒放置架清洗時，所述旋轉軸的轉動速度為1RPM~10RPM。
7. 如請求項1所述的晶盒清洗設備，其中當該晶盒放置架清洗後進行甩乾時， 所述旋轉軸的轉動速度為100RPM~1000RPM。
8. 如請求項1所述的晶盒清洗設備，其中所述噴淋裝置包括複數個噴嘴，所述複數個噴嘴包含至少一頂部噴嘴和至少一側邊噴嘴，所述頂部噴嘴設置在所述晶盒放置架上方，所述側邊噴嘴設置在所述晶盒放置架的四周。
9. 如請求項8所述的晶盒清洗設備，其中所述複數個噴嘴均勻分佈在所述清洗室內。
10. 如請求項8所述的晶盒清洗設備，其中所述側邊噴嘴與一水平面之間形成的角度為30度~75度。
11. 如請求項1所述的晶盒清洗設備，其中所述噴淋裝置噴灑去離子水。
12. 如請求項1所述的晶盒清洗設備，其中所述晶盒放置架之下面設有一集水裝置。

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