TW201442062A - 基板處理裝置 - Google Patents

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    • G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck

Abstract

基板處理裝置係包含有：複數個夾持銷，其分別設置有將基板之周緣部加以收容之收容槽，且藉由將收容槽之內面壓抵於基板之周緣部，在把持位置上以水平之姿勢將基板加以把持；及複數個導引構件，其分別配置於複數個夾持銷之上方，將自基板所排出之處理液朝向基板之周圍進行導引。各導引構件係包含有導引內緣及導引外緣，而該導引內緣係配置在比收容槽更內側且比收容槽更上方之位置，而該導引外緣係配置在比導引內緣更下方之高度，且比夾持銷更外側之位置。

Description

基板處理裝置
本發明係關於一種以處理液對基板進行處理之基板處理裝置。作為處理對象之基板，例如包括半導體晶圓、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、FED(Field Emission Display)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板、太陽電池用基板等。
於半導體裝置及液晶顯示裝置等之製造步驟中，使用一片一片地對基板進行處理之單片式(single substrate processing type)基板處理裝置、及一次對複數片之基板進行處理之分批式基板處理裝置。
US 2004/226655A1記載之單片式基板處理裝置，其包含：保持基板之旋轉台；設於旋轉台上之複數個夾持銷；使旋轉台旋轉之電動馬達；與旋轉台對向而設之遮擋板；自遮擋板之下面中央部朝基板之上表面中央部噴吐處理液之處理液噴嘴；及圍繞保持於旋轉台上之基板的周圍之罩杯。
前述之習知基板處理裝置中，於複數個夾持銷以水平姿勢把持基板之狀態下，電動馬達使旋轉台旋轉。又，於遮擋板之下面靠近基板之上表面之狀態下，自處理液噴嘴噴吐之處理液，通過遮擋板之下面中央部供給於旋轉狀態的基板之上表面。供給於基 板上表面之處理液，藉由隨基板之旋轉而產生之離心力，於基板上朝外側擴散。並且，到達基板之上表面周緣部之處理液被朝基板之周圍甩出，而由罩杯所承接。
供給於旋轉狀態之基板之處理液，沿基板朝外側擴散，並移動至基板之周緣部。複數個夾持銷係於圓周方向隔開間隔配置。於不存在夾持銷之位置上，大部分之處理液係自基板之周緣部大致上於水平方向排出。相對於此，於存在有夾持銷之位置上，具有到達夾持銷附近之處理液衝撞於自基板上表面朝上方突出之夾持銷之上部，而變化為液滴或霧之情況。因此，有應被排出於基板周圍之處理液以液滴或霧之狀態再次附著於基板之情況。此外，還有到達夾持銷附近之處理液越過夾持銷之上部朝斜上方外側飛散之情況。
飛散於基板周圍之處理液，在衝撞於罩杯之內面後，彈回基板側。因罩杯與處理液之衝撞而產生之處理液之液滴及霧，一面朝內側移動一面順著下向流(下降流)向下方移動。因此，於來自基板之周緣部之處理液的飛散方向為大致水平之情況下，處理液之液滴及霧朝比基板更下方移動。相對於此，於來自基板之周緣部之處理液的飛散方向為斜上方方向之情況下，由於處理液之液滴及霧係朝斜下方內側向基板之上表面移動，因而有處理液會再次附著於基板上之情況。因此，為了擴大基板與罩杯之徑向間隔，需要尋求一種於徑向方向上將罩杯大型化等之防止再附著之對策。
US 2004/226655A1記載之習知基板處理裝置中，其係於遮擋板之下面靠近於基板之上表面之狀態下朝基板供給處理液，因此即使處理液自基板之周緣部朝斜上方外側飛散，處理液仍 不容易再附著於基板上。然而，此基板處理裝置中，由於基板之上表面全域被遮擋板所遮蓋，因而無法使對基板上表面著液之處理液之著液位置，在中央部與周緣部之間移動。此外，需要有在基板之上方使遮擋板於上下方向移動之空間，因而與不設置遮擋板之構成比較，基板處理裝置在上下方向上變得更大型化。
本發明之一實施形態，係提供一種基板處理裝置，其包含有：複數個夾持銷，其分別設置有將基板之周緣部加以收容之收容槽，且藉由將上述收容槽之內面壓抵於上述基板之周緣部，在把持位置上以水平之姿勢將上述基板加以把持；噴嘴，其朝向被上述複數個夾持銷所把持之基板噴吐處理液；複數個導引構件，其分別配置於上述複數個夾持銷之上方，將自上述基板所排出之處理液朝向上述基板之周圍進行導引；旋轉馬達，其使上述複數個夾持銷與上述複數個導引構件一同繞著通過上述基板之鉛直的基板旋轉軸線進行旋轉；及筒狀之罩杯，其繞著上述基板旋轉軸線將上述複數個夾持銷及導引構件加以包圍，並將自被上述複數個夾持銷所把持之基板而朝向外側所排出之處理液加以承接，並且，上述複數個導引構件之各者係包含有導引內緣及導引外緣，而該導引內緣係配置在比上述收容槽更內側且比上述收容槽更上方之位置，而該導引外緣係配置在與上述導引內緣相等或者比上述導引內緣更下方之高度，且比上述夾持銷更外側之位置。基板之周緣部係指比基板之表面平坦部及基板之背面平坦部靠外側之環狀部分。因此，基板之周緣部包含：位於基板之表面周緣部之傾斜部；位於基板之背面周緣部之傾斜部；及基板之周端面。
根據此構成，基板之周緣部係收容於複數個夾持銷之收容槽內。並且，各收容槽之內面壓抵於基板之周緣部。藉此，基板係於把持位置上被以水平姿勢把持。複數個導引構件，係分別配置於複數個夾持銷之上方。旋轉馬達係使複數個夾持銷與複數個導引構件一起繞基板旋轉軸線旋轉。自噴嘴噴吐之處理液係供給於被把持在複數個夾持銷上之旋轉狀態的基板。因此，供給於基板之處理液，係沿基板朝外側擴散，並自基板之周緣部被朝外側甩出。罩杯係繞基板旋轉軸線圍著複數個夾持銷及導引構件。因此，自基板排出之處理液係由罩杯所承接。
各導引構件之導引內緣係配置於比夾持銷之收容槽靠內側且比收容槽更上方之位置。如前述，基板之周緣部係收容於收容槽內。因此，導引內緣係配置於比基板之上表面更上方且比基板之周端面靠內側之位置。因此，具有向內側(基板旋轉軸線側)開放之縱截面(於鉛直面上切斷之截面)之捕獲槽，係由基板、夾持銷及導引構件所形成。供給於旋轉狀態之基板之處理液，受到離心力而朝外側擴散。到達夾持銷附近之處理液，進入此捕獲槽內。
由於到達夾持銷附近之處理液進入由基板、夾持銷及導引構件所形成之捕獲槽內，因而，即使因處理液與夾持銷之衝撞而產生液滴及霧，仍可藉由捕獲槽之內面來抑制液滴及霧之擴散。藉此，可減低處理液對基板之再附著。又，由於想要越過夾持銷之處理液被捕獲於捕獲槽內，因而可減低自基板之周緣部朝斜上方飛散之處理液之量。因此，可減低因罩杯與處理液之衝撞而產生之處理液之液滴及霧附著於基板上之情況。
此外，進入捕獲槽內之處理液，係沿導引構件之下側 之面被朝導引外緣側導引。各導引外緣係配置於與導引內緣相等或比導引內緣更下方之高度，因此，朝外側流動之處理液，藉由導引構件被朝水平方向或斜下方方向導引。又，由於導引外緣係配置於比夾持銷更外側，因而可藉由導引構件確實地將處理液導向至比夾持銷更外側之位置。因此，可抑制處理液自夾持銷朝斜上方外側飛散。藉此，可減低造成污染及品質降低之原因的處理液之再附著。
本發明之一實施形態中，上述導引外緣亦可配置在比上述收容槽更下方。
根據此構成，由於導引外緣係配置於比收容基板之周緣部之夾持銷的收容槽更下方，因而基板係配置於比導引外緣更上方。換言之，導引外緣係配置於比在把持位置所把持之基板的下面更下方。因此，處理液係藉由導引構件被導引至比基板更下方，且自比基板更下方之位置朝外側向罩杯飛散。因此，可減低在比基板更上方之高度所產生之液滴及霧之量。藉此，可進一步減低處理液之再附著。
本發明之一實施形態中，上述導引構件更可包含有向下之下傾斜面，而該下傾斜面係以下傾斜面之上端位於比下傾斜面之下端更內側之方式傾斜。上述下傾斜面也可為，其至少一部分係配置在與上述基板旋轉軸線呈正交之方向即在徑向方向上之上述夾持銷與上述導引外緣之間。上述下傾斜面可為相對於水平面傾斜之平面，也可為朝斜上方外側突起之曲面。
根據此構成，於導引構件設置有以上端比下端位於更內側之方式傾斜之向下之下傾斜面。下傾斜面係相對於水平面傾斜，因此，處理液藉由下傾斜面被朝斜下方外側導引。又，由於下 傾斜面之至少一部分係配置於徑向方向上之夾持銷與導引外緣之間，因而處理液係於比夾持銷靠外側之位置被朝斜下方導引。因此，可減低自基板之周緣部朝斜上方飛散之處理液之量。藉此，可進一步減低處理液之再附著。
本發明之一實施形態中，上述導引構件更可包含有向內側面，而該向內側面係自上述導引內緣朝向斜下方且朝向外側延伸，且配置在比上述收容槽更上方。
根據此構成，於導引構件設置有以於徑向方向上與基板旋轉軸線對向之方式相對於水平面傾斜之向內側面。向內側面係自導引內緣朝斜下方外側延伸，且配置於比收容槽更上方。因此，到達夾持銷附近之處理液進入由基板、夾持銷及導引構件所形成之捕獲槽內，並藉由向內側面朝斜下方外側導引。因此，可進一步減低朝斜上方外側飛散之處理液之量。藉此，可進一步減低處理液之再附著。
本發明之一實施形態中，上述導引構件更可包含有向外側面，而該向外側面係自上述導引外緣朝向斜上方且朝向內側延伸。
根據此構成，於導引構件設置有以上端位於比下端靠內側之方式傾斜之向外之向外側面。該向外側面係自導引外緣朝斜上方內側延伸。於向外側面以上端比下端位於更外側之方式傾斜之情況下，處理液係藉由向外側面被朝斜上方外側導引。因此，朝斜上方外側飛散之處理液之量增加。因此，藉由以上端比下端位於更內側之方式使向外側面傾斜，可進一步減低朝斜上方外側飛散之處理液之量。藉此，可進一步減低處理液之再附著。
本發明之一實施形態中，上述夾持銷亦可包含有配置在上述收容槽之上方之銷上表面。上述導引構件亦可與上述夾持銷為不同之構件。此情況下，上述導引構件也可配置於上述銷上表面之上方。
根據此構成，由於夾持銷與導引構件係不同之構件，因而可抑制夾持銷之形狀之複雜化。同樣地，可抑制導引構件之形狀之複雜化。又，由於導引構件係配置於銷上表面之上方，因而導引構件可確實地將想要越過銷上表面而朝外側飛散之處理液朝水平方向或斜下方導引。因此，可進一步減低朝斜上方外側飛散之處理液之量。藉此，可進一步減低處理液之再附著。
本發明之一實施形態中，上述導引構件亦可為於俯視下與上述銷上表面之全域產生重疊。
根據此構成，導引構件係配置於銷上表面之上方，且俯視為導引構件與銷上表面重疊。俯視時之導引構件之面積，係比俯視時之銷上表面之面積大，且銷上表面全域係藉由導引構件自其上方遮蓋。因此，與銷上表面只有一部分藉由導引構件所遮蓋之情況比較，可減低朝斜上方外側飛散之處理液之量。藉此，可進一步減低處理液之再附著。
本發明之一實施形態中，自上述銷上表面至上述導引內緣之高度，亦可大於自位於上述把持位置之基板之上表面至上述銷上表面之高度。
根據此構成，自銷上表面至導引內緣之高度，係比自位於把持位置之基板之上表面至銷上表面之高度更大。換言之，自基板上表面至銷上表面之上下方向長度小。因此，自基板上表面至 導引內緣之上下方向長度被縮短，導引內緣靠近基板之上表面。因此，由基板、夾持銷及導引構件所形成之捕獲槽之上下方向長度被縮短，從而可減少捕獲槽之體積。藉此，基板與導引構件之間之上下方向之間隙容易被處理液填滿。於捕獲槽以處理液填滿之情況下，後續之處理液不會直接衝撞於捕獲槽之內面。因此，可減低因衝撞而產生之處理液之液滴及霧之量。藉此，可減低處理液之再附著。
本發明之一實施形態中，自與上述基板旋轉軸線呈正交之方向即在徑向方向上之上述導引內緣至上述銷上表面之內緣之距離，亦可大於自位於上述把持位置之基板之上表面至上述銷上表面之高度。
根據此構造，自導引內緣至銷上表面之內緣之徑向方向之距離，比自位於把持位置之基板之上表面至銷上表面之高度更大。換言之，自銷上表面之內緣朝內側之導引構件的突出量大，且自導引內緣至基板之周端面之徑向方向之距離大。因此，可充分確保捕獲槽之深度(自捕獲槽之開口部至捕獲槽之底部之水平方向之長度)。因此，導引構件可確實地捕獲想要越過夾持銷之處理液，並朝水平方向或斜下方方向導引。藉此，可減低處理液之再附著。
本發明之一實施形態中，上述複數個導引構件亦可沿繞著上述基板旋轉軸線之方向即圓周方向呈環狀配置。此情況下，朝上述圓周方向之上述導引構件之長度，亦可大於在上述圓周方向所鄰接之2個上述導引構件間之間隔(圓周方向之間隔)。
根據此構成，導引構件具有比於圓周方向鄰接之2個導引構件之間隔更大之圓周方向長度，而於圓周方向較長。因此， 藉由導引構件來控制處理液之飛散方向之範圍，在圓周方向較長。因此，複數個導引構件可進一步減低朝斜上方外側飛散之處理液之量。藉此，可減低處理液之再附著。而且，基板上之處理液，係藉由圓周方向上較長之複數個導引構件而蓄積於複數個導引構件之內側，因此，可減低形成覆被基板之上表面全域之液膜時所需要之處理液之量。藉此，可降低基板處理裝置之運行成本。
本發明之前述內容或者其他之目的、特徵及功效，藉由參照所附之圖式及後述之實施形態之說明，自可容易明白。
1‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧處理單元
3‧‧‧控制裝置
4‧‧‧腔室
5‧‧‧旋轉卡盤
6‧‧‧處理液供給裝置
7‧‧‧罩杯
8‧‧‧隔壁
9‧‧‧FFU
10‧‧‧排氣管
11‧‧‧旋轉台
12‧‧‧夾持銷
12a‧‧‧銷上表面
13‧‧‧卡盤開閉機構
14‧‧‧旋轉軸
15‧‧‧旋轉馬達
16‧‧‧導引構件
17‧‧‧把持部
18‧‧‧支持部
19‧‧‧基座部
20‧‧‧收容槽
21‧‧‧上側槽內面
22‧‧‧下側槽內面
23‧‧‧支持面
24‧‧‧導引內緣
25‧‧‧導引外緣
26‧‧‧上導引面
27‧‧‧下導引面
28‧‧‧上水平面
28d、28u‧‧‧側緣
29‧‧‧向外側面
30‧‧‧向內側面
31‧‧‧下水平面
32‧‧‧下傾斜面
33‧‧‧向下面
34‧‧‧藥液噴嘴
35‧‧‧上藥液配管
36‧‧‧上藥液閥
37‧‧‧藥液噴嘴移動裝置
38‧‧‧清洗液噴嘴
39‧‧‧上清洗液配管
40‧‧‧上清洗液閥
41‧‧‧清洗液噴嘴移動裝置
42‧‧‧下面噴嘴
43‧‧‧下藥液配管
44‧‧‧下藥液閥
45‧‧‧下清洗液配管
46‧‧‧下清洗液閥
47‧‧‧外壁
48‧‧‧第1處理液罩杯
49‧‧‧第2處理液罩杯
50‧‧‧第3處理液罩杯
51‧‧‧第1擋板
52‧‧‧第2擋板
53‧‧‧第3擋板
54‧‧‧第4擋板
55‧‧‧擋板昇降裝置
56‧‧‧傾斜部
57‧‧‧導引部
58‧‧‧捕獲槽
A1‧‧‧基板旋轉軸線
A2‧‧‧銷旋轉軸線
Dr‧‧‧旋轉方向
D1‧‧‧距離
H1、H2‧‧‧高度
W‧‧‧基板
X1‧‧‧圓周方向
Y1‧‧‧徑向方向
圖1為顯示本發明之一實施形態之基板處理裝置所具有之腔室內之構成之示意圖。
圖2為旋轉卡盤之俯視示意圖。
圖3為夾持銷及導引構件之俯視示意圖。
圖4A為顯示夾持銷位於閉緊位置之狀態之俯視示意圖。
圖4B為顯示夾持銷位於開放位置之狀態之俯視示意圖。
圖5為夾持銷及導引構件之縱剖面示意圖。
圖6為顯示藉由基板處理裝置所進行的基板之處理之一例之步驟圖。
圖7為用以對自基板朝基板周圍飛散之處理液之移動路徑進行說明之示意圖。
圖8為本發明之另一實施形態之導引構件之縱剖面示意圖。
圖9為本發明之又一實施形態之導引構件之縱剖面示意圖。
圖10為本發明之又一實施形態之導引構件之俯視示意圖。
圖1為顯示本發明之一實施形態之基板處理裝置1所具有之腔室4內之構成之示意圖。圖2為旋轉卡盤5之俯視示意圖。圖3為夾持銷12及導引構件16之俯視示意圖。圖4A及圖4B為顯示夾持銷12位於閉緊位置之狀態及位於開放位置之狀態之俯視示意圖。圖5為夾持銷12及導引構件16之縱剖面示意圖。如圖4A及圖4B所示，夾持銷12係可於閉緊位置(圖4A之位置)與開放位置(圖4B之位置)之間移動。以下，若無特別註明，皆是對夾持銷12位於閉緊位置之狀態進行說明。
如圖1所示，基板處理裝置1係對半導體晶圓等之圓板狀之基板W一片一片地進行處理之單片式之裝置。基板處理裝置1包含：朝基板W供給處理液之複數個處理單元2；及對基板處理裝置1所具備之裝置之動作及閥之開閉進行控制之控制裝置3。
如圖1所示，各處理單元2係對基板W一片一片地進行處理之單片式之單元。各處理單元2包含：具有內部空間之箱形之腔室4；於腔室4內以水平姿勢保持一片基板W，且使基板W繞通過基板W之中心之鉛直之基板旋轉軸線A1旋轉之旋轉卡盤5；朝保持於旋轉卡盤5之基板W供給處理液之處理液供給裝置6；及繞基板旋轉軸線A1圍著旋轉卡盤5之筒狀罩杯7。
如圖1所示，腔室4包含：收容旋轉卡盤5等之箱形之隔壁8；自隔壁8之上部朝隔壁8內輸送無塵空氣(藉由過濾器過濾後之空氣)之作為送風單元之FFU9(風機濾網機組9)；及自罩杯7之下部將腔室4內之氣體排出之排氣管10。FFU9係配置於隔壁8之上方。FFU9係自隔壁8之天花板向下朝腔室4內輸送無塵空氣。 排氣管10連接於罩杯7之底部，且將腔室4內之氣體朝設置有基板處理裝置1之工廠內所設置之排氣設備導引。因此，藉由FFU9及排氣管10形成朝下方流動於腔室4內之下向流(下降流)。基板W之處理係於使腔室4內形成下向流之狀態下進行。
如圖1所示，旋轉卡盤5包含：以水平姿勢所保持之圓板狀之旋轉台11；自旋轉台11之上表面外周部朝上方突出之複數個夾持銷12；及使複數個夾持銷12開閉之卡盤開閉機構13。旋轉卡盤5還包含：自旋轉台11之中央部朝下方延伸之旋轉軸14；藉由使旋轉軸14旋轉，而使旋轉台11及夾持銷12繞基板旋轉軸線A1旋轉之旋轉馬達15；及將藉由離心力自基板W排出之處理液朝基板W之周圍導引之複數個導引構件16。
如圖1所示，旋轉台11之外徑係比基板W之直徑大。旋轉台11之中心線係配置於基板旋轉軸線A1上。複數個夾持銷12係於旋轉台11之外周部被保持於旋轉台11上。複數個夾持銷12係於圓周方向X1(繞基板旋轉軸線A1之方向)隔開間隔而配置。各夾持銷12係壓抵於基板W之周緣部。藉此，於基板W之下面及旋轉台11之上表面沿上下方向分離之狀態下，基板W被水平保持。並且，於藉由複數個夾持銷12挾持基板W之狀態下，若旋轉馬達15使旋轉軸14旋轉，則基板W與旋轉台11及夾持銷12一起繞基板旋轉軸線A1旋轉。
如圖5所示，夾持銷12包含：壓抵於基板W之周端面之把持部17；及支持基板W之下面周緣部之支持部18。如圖3所示，夾持銷12還包含與把持部17及支持部18一起繞與基板旋轉軸線A1平行之銷旋轉軸線A2旋轉之基座部19。
如圖5所示，把持部17、支持部18及基座部19係一體之構成。把持部17及支持部18係支持於基座部19上。基座部19係藉由卡盤開閉機構13而繞銷旋轉軸線A2被驅動。把持部17及支持部18係配置於旋轉台11之上方。把持部17及支持部18係配置於比旋轉台11之外周面靠內側(基板旋轉軸線A1側。圖5中為左側)。把持部17係比支持部18配置於更上方。如圖3所示，把持部17及支持部18係配置於銷旋轉軸線A2之周圍，且不與銷旋轉軸線A2交叉。
如圖5所示，把持部17包含形成收容槽20之2個槽內面21、22，該收容槽20係具有朝基板旋轉軸線A1側開放之V字狀的縱截面(於鉛直面切斷之截面)。2個槽內面21、22包含：自收容槽20之底部朝斜上方內側延伸之上側槽內面21；及自收容槽20之底部朝斜下方內側延伸之下側槽內面22。支撐部18係包含自2個槽內面21、22之下端(下側槽內面22之內端)朝斜下方且向基板旋轉軸線A1側延伸之支持面23。
如圖5所示，支持面23係配置於比收容槽20更下方。支持面23係配置於下側槽內面22之內側且連續於下側槽內面22。上側槽內面21及下側槽內面22係以彼此相等之大小且彼此朝相反方向相對於水平面傾斜。支持面23係以比下側槽內面22對水平面之傾斜角度更小之角度相對於水平面傾斜。如圖3所示，支持面23之圓周方向長度(朝繞基板旋轉軸線A1之方向之長度)，係比相當於把持部17上表面之銷上表面12a之圓周方向長度更短。收容槽20係沿基板W之周端面延伸。
如圖4A及圖4B所示，各夾持銷12係於把持部17 壓抵於基板W之周端面之閉緊位置與把持部17離開基板W之周端面之開放位置之間，可相對於旋轉台11繞銷旋轉軸線A2旋轉。卡盤開閉機構13係於閉緊位置與開放位置之間使各夾持銷12繞銷旋轉軸線A2旋轉。閉緊位置係藉由複數個夾持銷12把持基板W之位置，開放位置係將藉由複數個夾持銷12對基板W之把持解除之位置。控制裝置3係藉由控制卡盤開閉機構13，於複數個夾持銷12把持基板W之閉緊狀態與將複數個夾持銷12對基板W之把持解除之開放狀態之間，對複數個夾持銷12之狀態進行切換。
當基板W被搬送至旋轉卡盤5時，控制裝置3使各夾持銷12退避至開放位置。於此狀態下，控制裝置3使搬送機器人將基板W載置於複數個夾持銷12。藉此，如圖5中之2點鏈結線所示，各支持部18之支持面23接觸於基板W之下面周緣部，基板W被以水平姿勢支持於比旋轉台11之上表面更上方之支持位置。然後控制裝置3使各夾持銷12自開放位置朝閉緊位置移動。由於支持面23係朝斜上方且向收容槽20延伸，因而於各夾持銷12朝閉緊位置移動之過程中，基板W藉由複數個支持面23被漸漸地抬起。又，於各夾持銷12朝閉緊位置移動之過程中，把持部17逐漸靠近基板W之周端面，於是基板W之周緣部進入收容槽20內。藉此，如圖5中之實線所示，上側槽內面21及下側槽內面22被壓抵於基板W之周緣部，基板W在比支持位置更上方之把持位置上被以水平姿勢把持。
如圖5所示，複數個導引構件16係配置於複數個夾持銷12之上方。圖5顯示藉由厚度一定之板來構成導引構件16之例子。夾持銷12及導引構件16係不同之構件，且相互連結。導引 構件16係自夾持銷12之上方遮蓋對應之夾持銷12。導引構件16係配置於把持部17上。導引構件16係自銷上表面12a朝內側突出，並自銷上表面12a朝外側(離開基板旋轉軸線A1之方向。圖5中之右側)突出。導引構件16係配置在位於把持位置之基板W之上方及周圍。
如圖2所示，複數個導引構件16係於圓周方向X1隔開間隔而配置。導引構件16之圓周方向長度(具體為後述之上水平面28之圓周方向長度)，係比於圓周方向X1鄰接之2個導引構件16之間的間隔小。如圖3所示，俯視下之導引構件16之面積，係比俯視下之銷上表面12a之面積大。導引構件16係於俯視下與銷上表面12a之全域重疊。因此，銷上表面12a之全域被導引構件16所遮蓋。導引構件16係自銷上表面12a朝基板W之旋轉方向Dr之上游側延伸。又，導引構件16係配置於比銷旋轉軸線A2更靠基板W之旋轉方向Dr之上游側。導引構件16係配置於比銷旋轉軸線A2更靠外側。
複數個導引構件16係分別固定於複數個夾持銷12。因此，各導引構件16係與對應之夾持銷12一起繞銷旋轉軸線A2轉動並與旋轉台11及夾持銷12一起繞基板旋轉軸線A1旋轉。如圖4A及圖4B所示，於夾持銷12配置於開放位置之狀態下，導引構件16於俯視下不與基板W重疊，當夾持銷12朝閉緊位置側移動，則導引構件16朝內側向基板W移動。
如圖5所示，導引構件16包含：配置於比收容槽20靠內側且比收容槽20更上方之位置之導引內緣24；配置於比導引內緣24更下方之高度且比夾持銷12更外側之位置之導引外緣25； 沿導引構件16之上側部分自導引內緣24延伸至導引外緣25之上導引面26；及沿導引構件16之下側部分自導引內緣24延伸至導引外緣25之下導引面27。
如圖3所示，導引內緣24係延伸於圓周方向X1。同樣地，導引外緣25係延伸於圓周方向X1。導引內緣24可為如圖5所示之水平延伸之曲線，也可為鉛直之曲面。對導引外緣25也同樣。導引內緣24係配置於比導引外緣25更靠內側。導引內緣24係配置於比銷上表面12a更靠內側，導引外緣25係配置於比銷上表面12a更外側。如圖3所示，導引內緣24及導引外緣25之各個之圓周方向長度，係比銷上表面12a之圓周方向長度大。導引內緣24係配置於比位於把持位置之基板W之周端面更內側，且於俯視下與基板W重疊。相對於此，導引外緣25係配置於比位於把持位置之基板W之周端面更外側，且於俯視下不與基板W重疊。
如圖5所示，導引內緣24係配置於比2個槽內面21、22更內側。導引內緣24係配置於比位於把持位置之基板W之上表面更上方。自位於把持位置之基板W之上表面至銷上表面12a之高度H1，係比自銷上表面12a至導引內緣24之高度H2小。因此，自基板W之上表面至導引構件16之高度較小，導引構件16靠近基板W之上表面。又，高度H1係比自導引內緣24至銷上表面12a之內緣之徑向方向Y1(與基板旋轉軸線A1正交之方向)之距離D1更小。導引外緣25係配置於比收容槽20更下方。導引外緣25係配置於比位於把持位置之基板W之下面更下方。導引外緣25係配置於比旋轉台11之外周面更靠外側。
如圖5所示，上導引面26係配置於下導引面27之上 方。上導引面26係自上方觀察導引構件16時能看見的向上之面，下導引面27係自上方觀察導引構件16時不能看見的向下之面。上導引面26及下導引面27之各個係由一個以上之平面所構成。
如圖5所示，上導引面26包含自導引內緣24朝外側水平延伸之上水平面28、及自上水平面28之外緣朝斜下方外側延伸之作為上傾斜面之向外側面29。
如圖3所示，上導引面26之上水平面28包含於圓周方向X1延伸之內緣及外緣、和自內緣及外緣之一方朝另一方延伸之2個側緣28u、28d。控制裝置3係藉由控制旋轉馬達15，使基板W朝一定之旋轉方向Dr旋轉。基板W之旋轉方向Dr上之下游側之側緣28d，係以如下方式於俯視下相對於徑向方向Y1傾斜，即以使側緣28d之內端比側緣28d之外端更位於旋轉方向Dr上之下游側之方式。
如圖5所示，下導引面27包含：自導引內緣24朝斜下方外側延伸之向內側面30；自相當於下緣之向內側面30之外緣朝外側水平延伸之下水平面31；自下水平面31之外緣朝斜下方外側延伸之下傾斜面32；及自相當於下緣之下傾斜面32之外緣朝外側水平延伸之向下面33。
如圖5所示，下導引面27之向內側面30係比銷上表面12a配置於更內側。下導引面27之向內側面30及下水平面31係配置於上導引面26之上水平面28之下方。銷上表面12a係配置於比上水平面28、向內側面30及下水平面31更下方。下導引面27之下傾斜面32係配置於上導引面26之向外側面29之下方。向外側面29及下傾斜面32係相互平行，且於上下方向重疊。
如圖1所示，處理液供給裝置6包含：朝基板W之上表面噴吐藥液之作為上表面噴嘴之藥液噴嘴34；連接於藥液噴嘴34之上藥液配管35；及介設於上藥液配管35之上藥液閥36。若開啟上藥液閥36，則自上藥液配管35供給於藥液噴嘴34之藥液，自藥液噴嘴34朝下方噴吐，若關閉上藥液閥36，則停止來自藥液噴嘴34之藥液之噴吐。供給於藥液噴嘴34之藥液之一例，係包括硫酸、醋酸、硝酸、鹽酸、氟酸、氨水、過氧化氫水、有機酸(例如，枸櫞酸、蓚酸等)、有機鹼(例如，TMAH：四甲基氫氧化銨等)、界面活性劑、及防腐蝕劑中之至少一種之液體。
藥液噴嘴34係一面移動以使對基板W上表面著液之處理液之著液位置在中央部與周緣部之間移動一面噴吐處理液之掃描噴嘴。如圖1所示，處理單元2包含藉由使藥液噴嘴34移動，使藥液之著液位置在基板W之上表面內移動之藥液噴嘴移動裝置37。藥液噴嘴移動裝置37係藉由使藥液噴嘴34移動，使藥液之著液位置在基板W之上表面內移動。又，藥液噴嘴移動裝置37係使藥液噴嘴34在自藥液噴嘴34噴吐之藥液著液於基板W之上表面之處理位置與藥液噴嘴34朝旋轉卡盤5之周圍退避之退避位置之間移動。
如圖1所示，處理液供給裝置6包含：朝基板W上表面噴吐清洗液之作為上表面噴嘴之清洗液噴嘴38；連接於清洗液噴嘴38之上清洗液配管39及介設於上清洗液配管39之上清洗液閥40。若開啟上清洗液閥40，則自上清洗液配管39供給於清洗液噴嘴38之清洗液，自清洗液噴嘴38朝下方噴吐，若關閉上清洗液閥40，則停止來自清洗液噴嘴38之清洗液之噴吐。供給於清洗液 噴嘴38之清洗液，係純水(脫離子水：Deionized Water)。供給於清洗液噴嘴38之清洗液不限為純水，也可為碳酸水、電解離子水、氫水、臭氧水、IPA(異丙醇)及稀釋濃度(例如為10~100ppm左右)之鹽酸水之任一種。
清洗液噴嘴38係掃描噴嘴。如圖1所示，處理單元2包含藉由使清洗液噴嘴38移動而使清洗液之著液位置在基板W之上表面內移動之清洗液噴嘴移動裝置41。清洗液噴嘴移動裝置41係藉由使清洗液噴嘴38移動而使清洗液之著液位置在基板W之上表面內移動。又，清洗液噴嘴移動裝置41係使清洗液噴嘴38在自清洗液噴嘴38噴吐之清洗液著液於基板W之上表面之處理位置與清洗液噴嘴38朝旋轉卡盤5之周圍退避之退避位置之間移動。
如圖1所示，處理液供給裝置6包含：朝基板W下面中央部噴吐處理液之下面噴嘴42；連接於下面噴嘴42之下藥液配管43；介設於下藥液配管43之下藥液閥44；連接於下面噴嘴42之下清洗液配管45；及介設於下清洗液配管45之下清洗液閥46。下面噴嘴42係自旋轉台11之上表面中央部朝上方突出。於基板W在支持位置或把持位置上被保持於旋轉卡盤5之狀態下，下面噴嘴42之噴吐口係位於旋轉台11之上表面與基板W之下面之間，且於上下方向與基板W之下面中央部對向。因此，若於此狀態下開啟下藥液閥44或下清洗液閥46，則自下面噴嘴42朝上方噴吐之藥液或清洗液，係供給於基板W之下面中央部。
如圖1所示，罩杯7係配置於比保持於旋轉卡盤5之基板W更外側(離開基板旋轉軸線A1之方向)。罩杯7包含：圍繞旋轉卡盤5之筒狀之外壁47；配置於旋轉卡盤5與外壁47之間之 複數個處理液罩杯(第1處理液罩杯48、第2處理液罩杯49、第3處理液罩杯50)；阻擋朝基板W之周圍飛散之處理液之複數個擋板(第1擋板51、第2擋板52、第3擋板53、第4擋板54)；及使複數個擋板之各個獨立地昇降之擋板昇降裝置55。
如圖1所示，各處理液罩杯48~50係於旋轉卡盤5與外壁47之間圍繞著旋轉卡盤5。自內側算起第2個之第2處理液罩杯49係比第1處理液罩杯48配置於更外側，第3處理液罩杯50係比第2處理液罩杯49配置於更外側。第3處理液罩杯50係與第2擋板52為一體，且與第2擋板52一起昇降。各處理液罩杯48~50係形成向上開放之環狀之槽。各擋板51~54之各個係可根據供給於基板W之處理液之種類等，藉由擋板昇降裝置55之控制而任意地昇降驅動，將所使用之處理液朝根據其種類等之任意之處理液罩杯48~50引導。被引導至各處理液罩杯48~50之處理液，通過此槽被輸送至未圖示之回收裝置或廢液裝置。
如圖1所示，各擋板51~54係於旋轉卡盤5與外壁47之間圍繞著旋轉卡盤5。內側之3個擋板51~53係藉由外側之3個擋板52~54中之至少一個被圍繞之內擋板，外側之3個擋板52~54係圍繞內側之3個擋板51~53中之至少一個之外擋板。
如圖1所示，各擋板51~54包含：朝斜上方內側延伸之圓筒狀傾斜部56；及自傾斜部56之下端朝下方延伸之圓筒狀之導引部57。各傾斜部56之上端部係構成擋板51~54之上端部，且具有比基板W及旋轉台11大之直徑。4個傾斜部56係上下重疊，4個導引部57係同軸配置。除最外側之導引部57以外之3個導引部57，分別可進出入複數個處理液罩杯48~50內。亦即，罩杯7 係可折疊，藉由擋板昇降裝置55使4個擋板51~54之至少一個昇降，而進行罩杯7之展開及折疊。
如圖1所示，擋板昇降裝置55係使各擋板51~54在擋板之上端位於比基板W更上方之上部位置、與擋板之上端位於比基板W更下方之下部位置之間進行昇降。擋板昇降裝置55係可於上部位置與下部位置之間之任意位置保持各擋板51~54。朝基板W之處理液之供給及基板W之乾燥，係於任一之擋板51~54與基板W之周端面對向之狀態下進行。例如，於使自內側算起第3個第3擋板53與基板W之周端面對向之情況下，第1擋板51及第2擋板52係配置於下部位置，第3擋板53及第4擋板54係配置於上部位置。此外，於使最外側之第4擋板54與基板W之周端面對向之情況下，第4擋板54係配置於上部位置，其他之3個擋板51~53係配置於下部位置。
圖6為顯示藉由基板處理裝置1所進行的基板W之處理之一例之步驟圖。以下，參照圖1。並且，適宜地參照圖6。
於基板W之處理時，進行將基板W搬入腔室4內之搬入製程(圖6之步驟S1)。具體而言，於使所有之噴嘴自旋轉卡盤5之上方退避，且所有之擋板位於下部位置之狀態下，控制裝置3使搬送機器人將基板W搬入腔室4內。並且，控制裝置3使搬送機器人將基板W載置於複數個夾持銷12上。然後，控制裝置3使搬送機器人自腔室4內退避。並且，控制裝置3再藉由控制卡盤開閉機構13，使複數個夾持銷12把持基板W。然後，控制裝置3藉由控制旋轉馬達15，使旋轉台11、夾持銷12、及導引構件16繞基板旋轉軸線A1旋轉。藉此，開始基板W之旋轉。
其次，進行將藥液供給於基板W之藥液供給製程(圖6之步驟S2)。具體而言，控制裝置3藉由控制藥液噴嘴移動裝置37，使藥液噴嘴34自退避位置朝處理位置移動。控制裝置3再使外側之2個擋板(第3擋板53及第4擋板54)位於上部位置，使內側之2個擋板(第1擋板51及第2擋板52)位於下部位置。藉此，第3擋板53與第2擋板52之間分開，且第3擋板53之內周面與基板W之周端面對向。
於此狀態下，控制裝置3將上藥液閥36及下藥液閥44開啟，使藥液噴嘴34朝旋轉狀態之基板W之上表面噴吐藥液，並使下噴嘴42朝旋轉狀態之基板W之下面中央部噴吐藥液。控制裝置3再藉由控制藥液噴嘴移動裝置37，使對基板W之上表面著液之藥液之著液位置在中央部與周緣部之間移動。然後，當將上藥液閥36及下藥液閥44開啟後經過了規定時間，則控制裝置3將上藥液閥36及下藥液閥44關閉，停止自藥液噴嘴34及下面噴嘴42噴吐藥液。然後，控制裝置3藉由控制藥液噴嘴移動裝置37，使藥液噴嘴34自旋轉卡盤5之上方退避。
自藥液噴嘴34噴出之藥液，於著液於基板W之上表面之後，藉由離心力沿基板W之上表面朝外側流動。同樣地，自下面噴嘴42噴吐之藥液，於著液於基板W之下面中央部之後，藉由離心力沿基板W之下面朝外側流動。藉此，形成覆在基板W之上表面全域之藥液之液膜，藥液被供給於基板W之上表面全域。因此，藉由藥液對基板W之上表面全域進行處理。同樣地，自下面噴嘴42噴吐之藥液，係供給於基板W之下面全域，藉由藥液對基板W之下面全域進行處理。
又，由於控制裝置3係於基板W旋轉之狀態下，使對基板W之上表面著液之藥液之著液位置在中央部與周緣部之間移動，因而藥液之著液位置通過基板W之上表面全域，對基板W之上表面全域進行掃描(scan)。因此，自藥液噴嘴34噴吐之藥液被直接噴吹在基板W之上表面全域，從而對基板W之上表面全域均勻地進行處理。此外，到達基板W之上表面及下面之周緣部之藥液，藉由離心力被朝基板W之周圍甩出。因此，自基板W排出之藥液通過第3擋板53與第2擋板52之間被導向罩杯7之內部，並收集於第1處理液罩杯48。
接著，進行將清洗液之一例即純水供給於基板W之清洗液供給製程(圖6之步驟S3)。具體而言，控制裝置3藉由控制清洗液噴嘴移動裝置41，使清洗液噴嘴38自退避位置朝處理位置移動。然後，於第3擋板53之內周面與基板W之周端面對向之狀態下，控制裝置3將上清洗液閥40及下清洗液閥46開啟，使清洗液噴嘴38朝旋轉狀態之基板W之上表面噴吐純水，並使下面噴嘴42朝旋轉狀態之基板W之下面中央部噴吐純水。控制裝置3再藉由控制清洗液噴嘴移動裝置41，使對基板W之上表面著液之純水之著液位置在中央部與周緣部之間移動。然後，當將上清洗液閥40及下清洗液閥46開啟後經過了規定時間，則控制裝置3將上清洗液閥40及下清洗液閥46關閉，停止自清洗液噴嘴38及下面噴嘴42噴吐清洗液。然後，控制裝置3藉由控制清洗液噴嘴移動裝置41，使清洗液噴嘴38自旋轉卡盤5之上方退避。
自清洗液噴嘴38噴出之純水，於著液於基板W之上表面之後，藉由離心力沿基板W之上表面朝外側流動。同樣地， 自下面噴嘴42噴吐之純水，於著液於基板W之下面中央部之後，藉由離心力沿基板W之下面朝外側流動。因此，基板W上之藥液，藉由純水被朝外側壓擠流動，而排出於基板W之周圍。藉此，基板W上之藥液，藉由純水沖洗，將基板W上之藥液之液膜置換為覆在基板W之上表面全域之純水之液膜。同樣地，自下面噴嘴42噴吐之純水，係供給於基板W之下面全域，從而藉由純水對附著於基板W之下面之藥液進行沖洗。
又，由於控制裝置3係於基板W旋轉之狀態下，使對基板W之上表面著液之純水之著液位置在中央部與周緣部之間移動，因而純水之著液位置通過基板W之上表面全域，對基板W之上表面全域進行掃描(scan)。因此，自純水噴嘴噴吐之純水被直接噴吹在基板W之上表面全域，從而對基板W之上表面全域均勻地進行處理。此外，到達基板W之上表面及下面之周緣部之純水，藉由離心力被朝基板W之周圍甩出。因此，自基板W排出之純水通過第3擋板53與第2擋板52之間被導向罩杯7之內部，並收集於第1處理液罩杯48。
接著，進行使基板W乾燥之乾燥製程(圖6之步驟S4)。具體而言，控制裝置3藉由控制旋轉馬達15，將基板W之旋轉加速至高旋轉速度(例如，數千rpm)。藉此，基板W上之液體被朝基板W之周圍甩出，且通過第2擋板52與第3擋板53之間被導向罩杯7之內部，藉由第1處理液罩杯48所收集。如此，將水份自基板W上除去，進行基板W之乾燥。當開始基板W之高速旋轉之後經過了規定時間，控制裝置3藉由控制旋轉卡盤5，使基板W之旋轉停止。然後，控制裝置3使所有之擋板移動至下部位置。 於此狀態下，控制裝置3使搬送機器人進入腔室4內，且使搬送機器人搬出基板W(搬出製程。圖6之步驟S5)。
圖7為用以對自基板W朝基板周圍飛散之處理液之移動路徑進行說明之示意圖。
如圖7所示，各導引構件16之導引內緣24係配置於比夾持銷12之收容槽20靠內側且比收容槽20更上方之位置。基板W之周緣部係收容於收容槽20內。因此，導引內緣24係配置於比基板W之上表面更上方且比基板W之周端面靠內側之位置。因此，具有向內側(基板旋轉軸線A1側)開放之縱截面之捕獲槽58，係由基板W、夾持銷12及導引構件16所形成。供給於旋轉狀態之基板W之處理液，受到離心力而朝外側擴散。到達夾持銷12附近之處理液進入此捕獲槽58內。
如圖7所示，到達夾持銷12附近之處理液進入由基板W、夾持銷12及導引構件16所形成之捕獲槽58內，因而即使藉由處理液與夾持銷12之衝撞而產生液滴及霧，仍可藉由捕獲槽58之內面來抑制液滴及霧之擴散。藉此，可減低處理液對基板W之再附著。又，由於想要越過夾持銷12之處理液被捕獲於捕獲槽58內，因而可減低自基板W之周緣部朝斜上方飛散之處理液之量。因此，可減低因罩杯7與處理液之衝撞而產生之處理液之液滴及霧附著於基板W上之情況。
又，如圖7所示，進入捕獲槽58內之處理液，係沿下導引面27被朝導引外緣25側導引。各導引外緣25係配置於比導引內緣24更下方之高度，因此，朝外側流動之處理液，藉由導引構件16被朝水平方向或斜下方方向導引。又，由於導引外緣25 係比夾持銷12配置於更外側，因而處理液可藉由導引構件16被確實地導向至比夾持銷12靠外側之位置。因此，可抑制處理液自夾持銷12朝斜上方外側飛散。藉此，可減低造成污染及品質降低之原因的處理液之再附著。
如上述，本實施形態中，自基板W之處理液之飛散方向係藉由導引構件16所控制，以使朝比基板W更上方飛散之處理液之飛散範圍變窄。於是，因罩杯7與處理液之衝撞而產生之處理液之液滴及霧，一面朝內側移動一面順著下向流而朝下方移動。因此，藉由使朝比基板W更上方飛散之處理液之飛散範圍變窄，可減低處理液對基板W之再附著。又，由於可將處理液之飛散範圍縮小，因而不用為了擴大基板W與罩杯7之徑向方向Y1之間隔而將罩杯7朝徑向方向Y1擴大。亦即，可比原先減少罩杯7之深度(內徑)。藉此，可減少設於基板W與罩杯7之間之環狀氣體流路之流路面積。因此可一面維持氣流之速度(下向流之速度)一面減弱排氣設置之吸引力(排氣壓力)。
此外，本實施形態中，由於將導引外緣25配置於比收容基板W之周緣部之夾持銷12之收容槽20更下方，因而基板W係比導引外緣25配置於更上方。換言之，導引外緣25係比在把持位置被把持之基板W之下面配置於更下方。因此，處理液藉由導引構件16被導引至比基板W更下方，並自比基板W更下方之位置朝外側向罩杯7飛散。因此，可減低在比基板W更上方之高度所產生之液滴及霧之量。藉此，可進一步減低處理液之再附著。
此外，本實施形態中，於導引構件16設置以上端比下端位於更內側之方式向下傾斜之下傾斜面32。由於下傾斜面32 係相對於水平面傾斜，因而處理液藉由下傾斜面32被朝斜下方外側導引。又，下傾斜面32之至少一部分係配置於徑向方向Y1之夾持銷12與導引外緣25之間，因而處理液係於比夾持銷12靠外側之位置被朝斜下方導引。因此，可減低自基板W之周緣部朝斜上方飛散之處理液之量。藉此，可進一步減低處理液之再附著。
此外，本實施形態中，於導引構件16設置以於徑向方向Y1與基板旋轉軸線A1對向之方式相對於水平面傾斜之向內側面30。向內側面30係自導引內緣24朝斜下方外側延伸，且比收容槽20配置於更上方。因此，到達夾持銷12附近之處理液進入由基板W、夾持銷12及導引構件16所形成之捕獲槽58內，並藉由向內側面30朝斜下方外側導引。因此，可進一步減低朝斜上方外側飛散之處理液之量。藉此，可進一步減低處理液之再附著。
此外，本實施形態中，夾持銷12及導引構件16係不同之構件，因此可抑制夾持銷12之形狀之複雜化。同樣地，可抑制導引構件16之形狀之複雜化。又，由於導引構件16係配置於銷上表面12a之上方，因而導引構件16可確實地將想要越過銷上表面12a而朝外側飛散之處理液朝水平方向或斜下方向導引。因此，可進一步減低朝斜上方外側飛散之處理液之量。藉此，可進一步減低處理液之再附著。
此外，本實施形態中，導引構件16係配置於銷上表面12a之上方，且俯視為導引構件16與銷上表面12a重疊。俯視下之導引構件16之面積，係比俯視下之銷上表面12a之面積大，且銷上表面12a全域係藉由導引構件16自其上方遮蓋。因此，與銷上表面12a只有一部分被導引構件16所遮蓋之情況比較，可減 低朝斜上方外側飛散之處理液之量。藉此，可進一步減低處理液之再附著。
此外，本施形態中，自銷上表面12a至導引內緣24之高度，係比自位於把持位置之基板W之上表面至銷上表面12a之高度更大。換言之，自基板W上表面至銷上表面12a之上下方向長度小。因此，自基板W上表面至導引內緣24之上下方向長度被縮短，導引內緣24靠近於基板W之上表面。因此，捕獲槽58之上下方向長度縮短，從而可減少捕獲槽58之體積。藉此，基板W與導引構件16之間之上下方向之間隙(捕獲槽58之內部)容易由處理液填滿。於捕獲槽58被處理液填滿之情況下，後續之處理液不會直接衝撞於捕獲槽58之內面。因此，可減低因衝撞而產生之處理液之液滴及霧之量。藉此，可減低處理液之再附著。
此外，本實施形態中，自導引內緣24至銷上表面12a之內緣之徑向方向Y1之距離，係比自位於把持位置之基板W之上表面至銷上表面12a之高度更大。換言之，自導引內緣24至銷上表面12a之內緣之徑向方向Y1之距離較大，且自導引內緣24至基板W之周端面之徑向方向Y1之距離較大。因此，可充分確保捕獲槽58之深度(自捕獲槽58之開口部至捕獲槽58之底部之水平方向之長度)。因此，導引構件16可確實地捕獲想要越過夾持銷12之處理液，並朝水平方向或斜下方導引。藉此，可減低處理液之再附著。
以上進行了本發明之實施形態之說明，惟本發明不限於上述實施形態之內容，也可於申請專利範圍內進行各種之變更。
例如，上述實施形態中，對導引外緣25配置於比導 引內緣24更下方之高度之情況進行了說明，但導引內緣24及導引外緣25也可配置於彼此相同之高度。
此外，上述實施形態中，對上導引面26及下導引面27係相對於水平面傾斜之平面之情況進行了說明。但如圖8所示，上導引面26及下導引面27也可包含朝斜上方外側突起之曲面。此外，也可為上導引面26及下導引面27之一方包含相對於水平面傾斜之平面，上導引面26及下導引面27之另一方包含朝斜上方外側突起之曲面。
此外，上述實施形態中，對導引構件16為彎曲之情況進行了說明，但如圖9所示，導引構件16也可為沿水平面延伸。圖9所示之導引構件16包含以上端比下端位於更內側之方式傾斜之向外側面29。向外側面29係自導引外緣25朝斜上方內側延伸。於向外側面29以上端比下端位於更外側之方式傾斜之情況下，處理液藉由向外側面29被朝斜上方外側導引。因此，朝斜上方外側飛散之處理液量增加。因此，藉由使向外側面29以上端比下端位於更內側之方式傾斜，可進一步減低朝斜上方外側飛散之處理液之量。藉此，可進一步減低處理液之再附著。
此外，上述實施形態中，對朝圓周方向X1之導引構件16之長度係比於圓周方向X1鄰接之2個導引構件16之間隔小之情況進行了說明。但如圖10所示，導引構件16也可具有比於圓周方向X1鄰接之2個導引構件16之間隔大之圓周方向長度。
根據此構成，由於導引構件16之圓周方向X1長度長，因而藉由導引構件16來控制處理液之飛散方向之範圍，在圓周方向X1較長。因此，複數個導引構件16可進一步減低朝斜上方 外側飛散之處理液之量。藉此，可減低處理液之再附著。而且，基板W上之處理液，係藉由圓周方向X1上較長之複數個導引構件16被蓄積於複數個導引構件16之內側，因此可減低形成覆在基板W之上表面全域之液膜時所必要之處理液之量。藉此，可降低基板處理裝置1之運行成本。又，由於於圓周方向X1鄰接之2個導引構件16之圓周方向X1之間隔較小，因此當複數個導引構件16繞基板旋轉軸線A1旋轉時，不容易產生氣流之亂流。因此，可減低液滴及霧因亂流被捲起而附著於基板W之情況。
此外，上述實施形態中，對導引構件16係安裝於夾持銷12上且與夾持銷12為不同構件之情況進行了說明，但導引構件16也可與夾持銷12形成一體。
此外，上述實施形態中，對導引構件16於俯視下與銷上表面12a之全域重疊，且銷上表面12a之全域被導引構件16所遮蓋之情況進行了說明，但也可為銷上表面12a有一部分被導引構件16遮蓋，且銷上表面12a之一部分於俯視下自導引構件16露出。
此外，上述實施形態中，對導引內緣24及導引外緣25之各個之圓周方向長度比銷上表面12a之圓周方向長度大之情況進行了說明，但導引內緣24之圓周方向長度也可與銷上表面12a之圓周方向長度相等，亦可比銷上表面12a之圓周方向長度小。對導引外緣25之圓周方向長度也相同。
此外，上述實施形態中，對導引構件16為板狀之情況進行了說明，但導引構件16之形狀也可不是板狀。亦即，導引構件16之上側之面與導引構件16之下側之面也可不相互平行。
此外，上述實施形態中，對藥液噴嘴34及清洗液噴嘴38之雙方為掃描噴嘴之情況進行了說明，但藥液噴嘴34及清洗液噴嘴38之一方或雙方，也可為於噴吐口靜止之狀態下朝基板W之上表面中央部噴吐處理液之固定噴嘴。
以上，對本發明之實施形態進行了詳細說明，但這些說明僅僅是為了容易瞭解本發明之技術內容而使用之具體例而已，不應解釋為這些之具體例是用來限制本發明，本發明之精神及範圍只能由所附之申請專利範圍限制。
本申請案係與2013年3月15日向日本國專利廳提出申請之特願2013-52977號對應，這些申請案之所有揭示皆作為引用而組入本說明書中。
11‧‧‧旋轉台
12‧‧‧夾持銷
12a‧‧‧銷上表面
16‧‧‧導引構件
17‧‧‧把持部
18‧‧‧支持部
19‧‧‧基座部
20‧‧‧收容槽
21‧‧‧上側槽內面
22‧‧‧下側槽內面
23‧‧‧支持面
24‧‧‧導引內緣
25‧‧‧導引外緣
26‧‧‧上導引面
27‧‧‧下導引面
28‧‧‧上水平面
29‧‧‧向外側面
30‧‧‧向內側面
31‧‧‧下水平面
32‧‧‧下傾斜面
33‧‧‧向下面
58‧‧‧捕獲槽
D1‧‧‧距離
H1‧‧‧高度
H2‧‧‧高度
W‧‧‧基板
Y1‧‧‧徑向方向

Claims (10)

  1. 一種基板處理裝置，其包含有：複數個夾持銷，其分別設置有將基板之周緣部加以收容之收容槽，且藉由將上述收容槽之內面壓抵於上述基板之周緣部，在把持位置上以水平之姿勢將上述基板加以把持；噴嘴，其朝向被上述複數個夾持銷所把持之基板噴吐處理液；複數個導引構件，其分別配置於上述複數個夾持銷之上方，將自上述基板所排出之處理液朝向上述基板之周圍進行導引；旋轉馬達，其使上述複數個夾持銷與上述複數個導引構件一同繞著通過上述基板之鉛直的基板旋轉軸線進行旋轉；及筒狀之罩杯，其繞著上述基板旋轉軸線將上述複數個夾持銷及導引構件加以包圍，並將自被上述複數個夾持銷所把持之基板而朝向外側所排出之處理液加以承接，並且，上述複數個導引構件之各者係包含有導引內緣及導引外緣，而該導引內緣係配置在比上述收容槽更內側且比上述收容槽更上方之位置，而該導引外緣係配置在與上述導引內緣相等或者比上述導引內緣更下方之高度，且比上述夾持銷更外側之位置。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述導引外緣係配置在比上述收容槽更下方。
  3. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述導引構件更包含有向下之下傾斜面，而該下傾斜面係以上端位於比下端更內側之方式傾斜，且至少一部分配置在與上述基板旋轉軸線呈正交之方向即在徑向方向上之上述夾持銷與上述導引外緣之間。
  4. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述導引構件更包含有向內側面，而該向內側面係自上述導引內緣朝向斜下方且朝向外側延伸，且配置在比上述收容槽更上方。
  5. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述導引構件更包含有向外側面，而該向外側面係自上述導引外緣朝向斜上方且朝向內側延伸。
  6. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之基板處理裝置，其中，上述夾持銷係包含有配置在上述收容槽之上方的銷上表面，上述導引構件係與上述夾持銷為不同之構件，且配置在上述銷上表面之上方。
  7. 如申請專利範圍第6項之基板處理裝置，其中，上述導引構件係於俯視下與上述銷上表面之全域產生重疊。
  8. 如申請專利範圍第6項之基板處理裝置，其中，自上述銷上表面至上述導引內緣之高度，係大於自位於上述把持位置之基板之上表面至上述銷上表面之高度。
  9. 如申請專利範圍第6項之基板處理裝置，其中，自與上述基板旋轉軸線呈正交之方向即在徑向方向上之上述導引內緣至上述銷上表面之內緣之距離，係大於自位於上述把持位置之基板之上表面至上述銷上表面之高度。
  10. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述複數個導引構件係沿繞著上述基板旋轉軸線之方向即圓周方向呈環狀配置，朝上述圓周方向之上述導引構件之長度，係大於在上述圓周方向所鄰接之2個上述導引構件間之間隔。
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