CN104051305B - 基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种基板处理装置，能够减少成为污染和品质下降的原因的处理液向基板的再附着。该基板处理装置包括：多个卡盘销，分别设置有用于容纳基板的周缘部的容纳槽，通过将容纳槽的内表面推压在基板的周缘部上，在把持位置将基板把持为水平姿势；多个引导构件，分别配置在多个卡盘销的上方，将从基板排出的处理液向基板的周围引导。各引导构件包括：引导内缘，配置在比容纳槽更靠内侧且比容纳槽更靠上方的位置；引导外缘，配置在比引导内缘更靠下方的高度，且配置在比卡盘销更靠外侧的位置。

Description

基板处理装置
技术领域
本发明涉及利用处理液对基板进行处理的基板处理装置。作为成为处理对象的基板，包括例如半导体晶片、液晶显示装置用基板、等离子体显示器用基板、FED（FieldEmission Display：场发射显示器）用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、掩模用基板、陶瓷基板、太阳电池用基板等。
背景技术
在半导体装置和液晶表示装置等制造工序中，使用对基板一张一张进行处理的单张式（single substrate processing type）基板处理装置或对多张基板一并进行处理的批式基板处理装置。
US2004/226655A1记载的单张式的基板处理装置具有：旋转基座，保持基板；多个卡盘销，设置在旋转基座上；电动马达，使旋转基座旋转；遮断板，与旋转基座相向设置；处理液喷嘴，从遮断板的下表面中央部向基板的上表面中央部喷出处理液；杯，包围保持在旋转基座上的基板的周围。
在前述的现有的基板处理装置中，在多个卡盘销将基板把持为水平姿势的状态下，电动马达使旋转基座旋转。进而，在遮断板的下表面接近基板的上表面的状态下，从处理液喷嘴喷出的处理液通过遮断板的下表面中央部供给到旋转状态的基板的上表面。供给到基板的上表面上的处理液因由基板的旋转而产生的离心力在基板上向外侧扩展。然后，到达基板的上表面周缘部的处理液被甩到基板的周围，并由杯挡住。
供给到旋转状态的基板上的处理液沿着基板向外侧扩展并移动到基板的周缘部。多个卡盘销在周向上隔着间隔配置。在不存在卡盘销的位置张，大部分的处理液从基板的周缘部大致沿水平方向排出。相对于此，在存在卡盘销的位置上，有时发生到达卡盘销的附近的处理液与从基板的上表面向上方突出的卡盘销的上部碰撞，而变为液滴或雾的情况。因此，应该排出到基板的周围的处理液有时以液滴或雾的形态再次附着在基板上。另外，还存在到达卡盘销的附近的处理液越过卡盘销的上部而向斜上方并向外侧飞散的 情况。
飞散到基板的周围的处理液与杯的内表面碰撞而弹回到基板侧。因杯和处理液之间的碰撞而产生的处理液的液滴或雾一边向内侧移动，一边追随下降流（downflow）向下方移动。因此，在来自基板的周缘部的处理液的飞散方向为大致水平的情况下，处理液的液滴或雾移动到基板的下方。相对于此，来自基板的周缘部的处理液的飞散方向为斜上方的情况下，处理液的液滴或雾朝向基板的上表面，向斜下方并向内侧移动，所以导致处理液再次附着在基板上。因此，需要采用为了扩大基板和杯之间的径向的间隔而使杯在径向上大型化等防止再附着的对策。
在US2004/226655A1记载的现有的基板处理装置中，由于在遮断板的下表面与基板的上表面接近的状态下向基板供给处理液，所以即使处理液从基板的周缘部向斜上方并向外侧飞散，处理液也难以再次附着到基板上。但是，在该基板处理装置中，由于基板的整个上表面被遮断板覆盖，所以无法使处理液相对于基板的上表面的着落位置在中央部和周缘部之间移动。另外，由于需要使遮断板在基板的上方沿上下方向移动的空间，所以与没有设置遮断板的结构相比，导致基板处理装置在上下方向上大型化。
发明内容
本发明是为解决上述问题而提出的，其目的在于提供一种基板处理装置，能够减少成为污染和品质下降的原因的处理液向基板的再附着。
本发明的一实施方式提供一种基板处理装置，
具有：
多个卡盘销，分别设置有用于容纳基板的周缘部的容纳槽，通过将所述容纳槽的内表面推压在所述基板的周缘部上，在把持位置将所述基板把持为水平姿势，
喷嘴，向所述多个卡盘销所把持的基板喷出处理液，
多个引导构件，分别配置在所述多个卡盘销的上方，将从所述基板排出的处理液向所述基板的周围引导，
旋转马达，使所述多个卡盘销与所述多个引导构件一起围绕通过所述基板的铅垂的基板旋转轴线旋转，
筒状的杯，以所述基板旋转轴线为中心包围所述多个卡盘销以及引导构件，用于挡住从所述多个卡盘销所把持的基板向外侧排出的处理液；
所述多个引导构件各自具有：引导内缘，配置在比所述容纳槽更靠内侧且比所述容纳槽更靠上方的位置；引导外缘，配置在与所述引导内缘相等或比所述引导内缘更靠下方的高度，且配置在比所述卡盘销更靠外侧的位置。
基板的周缘部是指，比基板的表面的平坦部以及基板的背面的平坦部靠外侧的环状的部分。因此，基板的周缘部包括位于基板的表面周缘部的倾斜部、位于基板的背面周缘部的倾斜部和基板的周端面。
若采用该结构，基板的周缘部容纳在多个卡盘销的容纳槽内。并且，各容纳槽的内表面被推压在基板的周缘部上。由此，基板在把持位置上被把持为水平姿势。多个引导构件分别配置在多个卡盘销的上方。旋转马达使多个卡盘销与多个引导构件一起围绕基板旋转轴线旋转。从喷嘴喷出的处理液向多个卡盘销所把持的旋转状态的基板供给。因此，供给到基板上的处理液沿着基板向外侧扩展，并从基板的周缘部甩到外侧。杯以基板旋转轴线为中心包围多个卡盘销以及引导构件。因此，从基板排出的处理液由杯挡住。
各引导构件的引导内缘配置在比卡盘销的容纳槽更靠内侧且比容纳槽更靠上方的位置。如前述那样，基板的周缘部容纳在容纳槽内。因此，引导内缘配置在比基板的上表面更靠上方且比基板的周端面更靠内侧的位置。因此，具有朝内（基板旋转轴线侧）打开的纵向截面（用铅垂面剖切的截面）的捕集槽由基板、卡盘销以及引导构件形成。供给到旋转状态的基板的处理液受离心力的作用向外侧扩展。到达卡盘销的附近的处理液进入该捕集槽内。
到达卡盘销的附近的处理液进入由基板、卡盘销以及引导构件形成的捕集槽内，因此即使因处理液和卡盘销的碰撞而产生液滴或雾，液滴或雾的扩散也被捕集槽的内表面抑制。由此，能够减少处理液向基板的再附着。进而，由于要越过卡盘销的处理液被捕集到捕集槽内，所以减少从基板的周缘部向斜上方飞散的处理液的量。因此，能够减少因杯和处理液的碰撞而产生的处理液的液滴或雾附着在基板上的情况。
另外，进入到捕集槽的处理液沿着引导构件的下侧的面被向引导外缘侧 引导。由于各引导外缘配置在与引导内缘相等或比引导内缘更靠下方的高度，所以流向外侧的处理液被引导构件向水平方向或斜下方向引导。进而，由于引导外缘比卡盘销更靠外侧，所以处理液被引导构件可靠地引导至比卡盘销更靠外侧的位置。因此，能够抑制处理液从卡盘销向斜上方并向外侧飞散的情况。由此，能够减少成为污染或品质下降的原因的处理液的再附着。
在本发明的一个实施方式中，所述引导外缘可以比所述容纳槽更靠下方。
根据该结构，由于引导外缘比容纳基板的周缘部的卡盘销的容纳槽更靠下方，所以基板比引导外缘更靠上方。换言之，引导外缘比在把持位置把持的基板的下表面更靠下方。因此，处理液被引导构件引导至比基板更靠下方的位置，并从比基板更靠下方的位置向杯并向外侧飞散。因此，能够减少在比基板更靠上方的高度产生的液滴以及雾的量。由此，能够进一步降低处理液的再附着。
在本发明的一个实施方式中，所述引导构件还可以包括以下倾斜面的上端比下倾斜面的下端更靠内侧的方式倾斜的朝下的下倾斜面。所述下倾斜面的至少一部分可以在与所述基板旋转轴线垂直的方向即径向上，配置在所述卡盘销和所述引导外缘之间。所述下倾斜面既可以是相对于水平面倾斜的平面，也可以是向斜上方并向外侧膨出的曲面。
根据该结构，在引导构件上设置有以上端比下端更靠内侧的方式倾斜的朝下的下倾斜面。由于下倾斜面相对于水平面倾斜，所以处理液被下倾斜面向斜下方并向外侧引导。进而，由于下倾斜面的至少一部分在径向上配置在卡盘销和引导外缘之间，所以处理液在比卡盘销更靠外侧的位置被向斜下方引导。因此，能够减少从基板的周缘部向斜上方飞散的处理液的量。由此，能够进一步减少处理液的再附着。
在本发明的一个实施方式中，所述引导构件还可以包括朝内面，该朝内面从所述引导内缘向斜下方并向外侧延伸，并比所述容纳槽更靠上方。
根据该结构，以在径向上与基板旋转轴线相向的方式相对于水平面倾斜的朝内面设置在引导构件上。朝内面从引导内缘向斜下方并向外侧延伸，并比容纳槽更靠上方。因此，到达卡盘销的附近的处理液进入到由基板、卡盘销以及引导构件形成的捕集槽内，并且，被朝内面向斜下方并向外侧引导。 因此，能够进一步减少向斜上方并向外侧飞散的处理液的量。由此，能够进一步减少处理液的再附着。
在本发明的一个实施方式中，所述引导构件所述引导构件还可以包括从所述引导外缘向斜上方并向内侧延伸的朝外面。
根据该结构，以上端比下端更靠内侧的方式倾斜的朝外的朝外面设置在引导构件上。朝外面从引导外缘向斜上方并向内侧延伸。在朝外面以上端比下端更靠外侧的方式倾斜的情况下，处理液被朝外面向斜上方并向外侧引导。因此，向斜上方并向外侧飞散的处理液的量增加。因而，通过朝外面以上端比下端更靠内侧的方式倾斜，能够进一步减少向斜上方并向外侧飞散的处理液的量。由此，能够进一步减少处理液的再附着。
在本发明的一个实施方式中，所述卡盘销可以包括配置在所述容纳槽的上方的销上表面。所述引导构件可以是与所述卡盘销不同的构件。在该情况下，所述引导构件配置在所述销上表面之上。
根据该结构，由于卡盘销以及引导构件是不同的构件，所以能够抑制卡盘销的形状的复杂化。同样，能够抑制引导构件的形状的复杂化。进而，由于引导构件配置在销上表面之上，所以引导构件能够将要越过销上表面向外侧飞散的处理液可靠地向水平方向或斜下方向引导。因此，能够进一步减少向斜上方并向外侧飞散的处理液的量。由此，能够进一步减少处理液的再附着。
在本发明的一个实施方式中，所述引导构件可以在俯视下与整个所述销上表面重叠。
根据该结构，引导构件配置在销上表面的上方，引导构件和销上表面在俯视下重叠。在俯视下的引导构件的面积大于在俯视下的销上表面的面积，整个销上表面被引导构件从其上方覆盖。因此，相比销上表面局部被引导构件覆盖的情况，能够减少向斜上方并向外侧飞散的处理液的量。由此，能够进一步减少处理液的再附着。
在本发明的一个实施方式中，从所述销上表面至所述引导内缘的高度可以大于从位于所述把持位置的基板的上表面至所述销上表面的高度。
根据该结构，从销上表面至引导内缘的高度大于从位于把持位置的基板的上表面至销上表面的高度。换言之，从基板的上表面至销上表面的上下方 向长度小。因此，从基板的上表面至引导内缘的上下方向长度得以缩短，引导内缘接近基板的上表面。因此，由基板、卡盘销以及引导构件形成的捕集槽的上下方向长度得以缩短，使捕集槽的体积减少。由此，基板和引导构件之间的上下方向的间隙容易被处理液充满。在捕集槽由处理液充满的情况下，后续的处理液不与捕集槽的内表面直接碰撞。因此，能够减少因碰撞而产生的处理液的液滴或雾的量。由此，能够减少处理液的再附着。
在本发明的一个实施方式中，在与所述基板旋转轴线垂直的方向即径向上，从所述引导内缘至所述销上表面的内缘的距离可以大于从位于所述把持位置的基板的上表面至所述销上表面的高度。
根据该结构，从引导内缘至销上表面的内缘的径向的距离大于从位于把持位置的基板的上表面至销上表面的高度。换言之，引导构件的从销上表面的内缘向内侧的突出量大，从引导内缘至基板的周端面的径向的距离大。因此，能够充分确保捕集槽的深度（从捕集槽的开口部至捕集槽的底的水平方向的长度）。因此，引导构件能够可靠地捕获要越过卡盘销的处理液，并向水平方向或斜下方向引导。由此，能够减少处理液的再附着。
在本发明的一个实施方式中，所述多个引导构件可以沿着围绕所述基板旋转轴线的方向即周向配置成环状。在该情况下，所述引导构件在所述周向上的长度可以大于在所述周向上相邻的两个所述引导构件的间隔（周向的间隔）。
根据该结构，引导构件具有大于在周向上相邻的两个引导构件的间隔的周向长度，在周向上长。因此，由引导构件控制处理液的飞散方向的范围在周向上长。因此，多个引导构件能够进一步减少向斜上方并向外侧飞散的处理液的量。由此，能够减少处理液的再附着。而且，基板上的处理液被周向上长的多个引导构件留在多个引导构件的内侧，所以能够减少在形成覆盖基板的整个上表面的液膜时所需要的处理液的量。由此，能够减少基板处理装置的运行成本。
本发明的前述或其他的目的、特征以及效果通过参照附图进行的对实施方式的说明会更加清楚。
附图说明
图1是表示本发明的一个实施方式的基板处理装置所具有的腔室内的结构的示意图。
图2是旋转卡盘的示意性的俯视图。
图3是卡盘销以及引导构件的示意性的俯视图。
图4A是表示卡盘销位于关闭位置的状态的示意性的俯视图。
图4B是表示卡盘销位于打开位置的状态的示意性的俯视图。
图5是卡盘销以及引导构件的示意性的纵向剖视图。
图6是表示利用基板处理装置进行的基板的处理的一个例子的工序图。
图7是用于对处理液从基板向其周围飞散的移动路径进行说明的示意图。
图8是本发明的其他实施方式的引导构件的示意性的纵向剖视图。
图9是本发明的又一实施方式的引导构件的示意性的纵向剖视图。
图10是本发明的又一实施方式的引导构件的示意性的俯视图。
具体实施方式
图1是表示本发明的一个实施方式的基板处理装置1所具有的腔室4内的结构的示意图。图2是旋转卡盘5的示意性的俯视图。图3是卡盘销12以及引导构件16的示意性的俯视图。图4A以及图4B分别是表示卡盘销12位于关闭位置的状态和位于打开位置的状态的示意性的俯视图。图5是卡盘销12以及引导构件16的示意性的纵向剖视图。如图4A以及图4B所示那样，卡盘销12能够在关闭位置（图4A的位置）和打开位置（图4B的位置）之间移动。下面，只要没有特别说明，对卡盘销12位于关闭位置的状态进行说明。
如图1所示，基板处理装置1是对半导体晶片等圆板状的基板W逐张进行处理的单张式的装置。基板处理装置1包括：多个处理单元2，向基板W供给处理液；控制装置3，对基板处理装置1所具有的装置的动作和阀的开闭进行控制。
如图1所示，各处理单元2是对基板W一张一张进行处理的单张式的单元。各处理单元2包括：箱形的腔室4，具有内部空间；旋转卡盘5，在腔室4内将一张基板W保持为水平姿势，并使基板W围绕通过基板W的中 心的铅垂的基板旋转轴线A1旋转；处理液供给装置6，向保持在旋转卡盘5上的基板W供给处理液；筒状的杯7，以基板旋转轴线A1为中心包围旋转卡盘5。
如图1所示，腔室4包括：箱形的隔壁8，容纳旋转卡盘5等；作为送风单元的FFU9（风扇过滤单元（Fan Filter Unit）9），从隔壁8的上部向隔壁8内输送洁净空气（由过滤器过滤后的空气）；排气通道10，从杯7的下部排出腔室4内的气体。FFU9配置在隔壁8的上方。FFU9从隔壁8的顶壁向腔室4内并向下输送洁净空气。排气通道10与杯7的底部相连接，向在设置有基板处理装置1的工厂设置的排气设备引导腔室4内的气体。因此，通过FFU9以及排气通道10形成在腔室4内向下方流动的下降流。在腔室4内形成有下降流的状态下进行基板W的处理。
如图1所示，旋转卡盘5包括：圆板状的旋转基座11，保持为水平姿势；多个卡盘销12，从旋转基座11的上表面外周部向上方突出；卡盘开闭机构13，使多个卡盘销12开闭。旋转卡盘5还包括：旋转轴14，从旋转基座11的中央部向下方延伸；旋转马达15，通过使旋转轴14旋转，使旋转基座11以及卡盘销12围绕基板旋转轴线A1旋转；多个引导构件16，将利用离心力从基板W排出的处理液向基板W的周围引导。
如图1所示，旋转基座11的外径大于基板W的直径。旋转基座11的中心线配置在基板旋转轴线A1上。多个卡盘销12在旋转基座11的外周部保持在旋转基座11上。多个卡盘销12在周向X1（围绕基板旋转轴线A1的方向）上隔开间隔配置。各卡盘销12被推压在基板W的周缘部上。由此，在基板W的下表面和旋转基座11的上表面在上下方向分开的状态下，基板W保持为水平。并且，在利用多个卡盘销12夹持基板W的状态下，通过旋转马达15使旋转轴14旋转时，基板W与旋转基座11以及卡盘销12一起围绕基板旋转轴线A1进行旋转。
如图5所示，卡盘销12包括被推压在基板W的周端面上的把持部17和对基板W的下表面周缘部进行支撑的支撑部18。如图3所示，卡盘销12还包括基台部19，该基台部19与把持部17以及支撑部18一起围绕与基板旋转轴线A1平行的销旋转轴线A2进行旋转。
如图5所示，把持部17、支撑部18以及基台部19形成为一体。把持部 17以及支撑部18支撑在基台部19上。基台部19由卡盘开闭机构13围绕销旋转轴线A2驱动。把持部17以及支撑部18配置在旋转基座11的上方。把持部17以及支撑部18配置在旋转基座11的外周面的内侧（基板旋转轴线A1侧。在图5为左侧）。把持部17相比支撑部18更靠上方。如图3所示，把持部17以及支撑部18配置在销旋转轴线A2的周围，与销旋转轴线A2不交叉。
如图5所示，把持部17包括形成容纳槽20的两个槽内表面21、22，容纳槽20具有朝向基板旋转轴线A1侧开放的V字状的纵向截面（以铅垂面剖切后的截面）。两个槽内表面21、22包括从容纳槽20的底向斜上方并向内侧延伸的上侧槽内表面21和从容纳槽20的底向斜下方并向内侧延伸的下侧槽内表面22。支撑部18包括从两个槽内表面21、22的下端（下侧槽内表面22的内端）向基板旋转轴线A1侧并向斜下方延伸的支撑面23。
如图5所示，支撑面23比容纳槽20更靠下方。支撑面23配置在下侧槽内表面22的内侧，并与下侧槽内表面22相连续。上侧槽内表面21以及下侧槽内表面22以彼此相等的大小且向彼此相反的方向相对于水平面倾斜。支撑面23以比下侧槽内表面22相对于水平面的倾斜角度更小的角度相对于水平面倾斜。如图3所示，支撑面23的周向长度（在围绕基板旋转轴线A1的方向上的长度）小于与把持部17的上表面相当的销上表面12a的周向长度。容纳槽20沿着基板W的周端面延伸。
如图4A以及图4B所示，各卡盘销12能够在把持部17被推压在基板W的周端面上的关闭位置和把持部17从基板W的周端面离开的打开位置之间，相对于旋转基座11围绕销旋转轴线A2进行旋转。卡盘开闭机构13在关闭位置和打开位置之间使各卡盘销12围绕销旋转轴线A2旋转。关闭位置是指，基板W由多个卡盘销12把持的位置，打开位置是指，解除多个卡盘销12对基板W的把持的位置。控制装置3通过控制卡盘开闭机构13，在多个卡盘销12把持基板W的关闭状态和解除多个卡盘销12对基板W的把持的打开状态之间，对多个卡盘销12的状态进行切换。
在基板W被搬送到旋转卡盘5上时，控制装置3使各卡盘销12退避到打开位置。控制装置3在该状态下通过搬送机械手将基板W载置在多个卡盘销12上。由此，如图5中双点划线所示那样，各支撑部18的支撑面23 与基板W的下表面周缘部相接触，基板W在比旋转基座11的上表面更靠上方的支撑位置被支撑为水平姿势。控制装置3然后使各卡盘销12从打开位置移动至关闭位置。由于支撑面23朝向容纳槽20向斜上方延伸，所以在各卡盘销12向关闭位置移动的过程中，基板W被多个支撑面23渐渐抬起。进而，在各卡盘销12向关闭位置移动的过程中，把持部17接近基板W的周端面，基板W的周缘部进入容纳槽20内。由此，如在图5中实线所示那样，上侧槽内表面21以及下侧槽内表面22被推压在基板W的周缘部上，基板W在比支持位置更靠上方的把持位置被把持为水平姿势。
如图5所示，多个引导构件16配置在多个卡盘销12的上方。图5示出利用厚度一定的板构成引导构件16的例子。卡盘销12以及引导构件16是分别独立的构件，彼此相连接。引导构件16从卡盘销12的上方覆盖对应的卡盘销12。引导构件16配置在把持部17上。引导构件16从销上表面12a向内侧突出，并且，从销上表面12a向外侧（从基板旋转轴线A1离开的方向。在图5中为右侧）突出。引导构件16配置在位于把持位置的基板W的上方以及周围。
如图2所示，多个引导构件16在周向X1上隔开间隔而配置。引导构件16的周向长度（具体地说，后述的上水平面28的周向长度）小于在周向X1上相邻的两个引导构件16之间的间隔。如图3所示，俯视下的引导构件16的面积大于俯视下的销上表面12a的面积。在俯视下，引导构件16与整个销上表面12a重叠。因此，整个销上表面12a被引导构件16覆盖。引导构件16从销上表面12a向基板W的旋转方向Dr上的上游侧延伸。进而，引导构件16比销旋转轴线A2更靠基板W的旋转方向Dr上的上游侧。引导构件16比销旋转轴线A2更靠外侧。
多个引导构件16分别固定在多个卡盘销12上。因此，各引导构件16与对应的卡盘销12一起围绕销旋转轴线A2转动，并且，与旋转基座11以及卡盘销12一起围绕基板旋转轴线A1旋转。如图4A以及图4B所示，在卡盘销12配置在打开位置的状态下，引导构件16在俯视下不与基板W重叠，当卡盘销12向关闭位置侧移动时，引导构件16朝向基板W向内侧移动。
如图5所示，引导构件16包括：引导内缘24，配置在比容纳槽20更靠 内侧且比容纳槽20更靠上方的位置；引导外缘25，配置在比引导内缘24更靠下方的高度且配置在比卡盘销12更靠外侧的位置；上引导面26，沿着引导构件16的上侧部分从引导内缘24延伸到引导外缘25；下引导面27，沿着引导构件16的下侧部分从引导内缘24延伸到引导外缘25。
如图3所示，引导内缘24在周向X1上延伸。同样，引导外缘25在周向X1上延伸。引导内缘24既可以是如图5所示那样的水平延伸的曲线，也可以是铅垂的曲面。引导外缘25也同样。引导内缘24比引导外缘25更靠内侧。引导内缘24比销上表面12a更靠内侧，引导外缘25比销上表面12a更靠外侧。如图3所示，引导内缘24以及引导外缘25各自的周向长度大于销上表面12a的周向长度。引导内缘24比位于把持位置的基板W的周端面更靠内侧，在俯视下与基板W重叠。相对于此，引导外缘25比位于把持位置的基板W的周端面更靠外侧，在俯视下不与基板W重叠。
如图5所示，引导内缘24比两个槽内表面21、22更靠内侧。引导内缘24比位于把持位置的基板W的上表面更靠上方。从位于把持位置的基板W的上表面至销上表面12a的高度H1小于从销上表面12a至引导内缘24的高度H2。因此，从基板W的上表面至引导构件16的高度小，引导构件16接近基板W的上表面。进而，高度H1小于从引导内缘24至销上表面12a的内缘的径向Y1（与基板旋转轴线A1垂直的方向）的距离D1。引导外缘25比容纳槽20更靠下方。引导外缘25比位于把持位置的基板W的下表面更靠下方。引导外缘25比旋转基座11的外周面更靠外侧。
如图5所示，上引导面26配置在下引导面27的上方。上引导面26是从上方观察引导构件16时看得到的朝上的面，下引导面27是从上方观察引导构件16时看不到的朝下的面。上引导面26以及下引导面27分别由一个以上平面构成。
如图5所示，上引导面26包括从引导内缘24水平地向外侧延伸的上水平面28和从上水平面28的外缘向斜下方并向外侧延伸的作为上倾斜面的朝外面29。
如图3所示，上引导面26的上水平面28包括在周向X1上延伸的内缘以及外缘和从内缘以及外缘中的一方向另一方延伸的两个侧缘28u、28d。控制装置3通过控制旋转马达15，使基板W向一定的旋转方向Dr旋转。在基 板W的旋转方向Dr上的下游侧的侧缘28d，在俯视下以侧缘28d的内端比侧缘28d的外端更靠旋转方向Dr上的下游侧的方式，相对于径向Y1倾斜。
如图5所示，下引导面27包括：朝内面30，从引导内缘24向斜下方并向外侧延伸；下水平面31，从朝内面30的相当于下缘的外缘水平地向外侧延伸；下倾斜面32，从下水平面31的外缘向斜下方并向外侧延伸；朝下面33，从下倾斜面32的相当于下缘的外缘水平地向外侧延伸。
如图5所示，下引导面27的朝内面30比销上表面12a更靠内侧。下引导面27的朝内面30以及下水平面31配置在上引导面26的上水平面28的下方。销上表面12a比上水平面28、朝内面30、以及下水平面31更靠下方。下引导面27的下倾斜面32配置在上引导面26的朝外面29的下方。朝外面29以及下倾斜面32彼此平行，并在上下方向上重叠。
如图1所示，处理液供给装置6包括：作为上表面喷嘴的药液喷嘴34，向基板W的上表面喷出药液；上药液配管35，与药液喷嘴34相连接；上药液阀36，安装在上药液配管35上。当打开上药液阀36时，从上药液配管35供给至药液喷嘴34的药液从药液喷嘴34向下方喷出，当关闭上药液阀36时，停止从药液喷嘴34喷出药液。作为向药液喷嘴34供给的药液的一例，为包含硫酸、醋酸、硝酸、盐酸、氢氟酸、氨水、过氧化氢、有机酸（例如柠檬酸、草酸等）、有机碱（例如，TMAH：四甲基氢氧化铵等）、表面活性剂以及防腐剂中的至少一个的液体。
药液喷嘴34是一边以处理液相对于基板W的上表面的着落位置在中央部和周缘部之间移动的方式进行移动一边喷出处理液的扫描喷嘴。如图1所示，处理单元2包括药液喷嘴移动装置37，该药液喷嘴移动装置37通过使药液喷嘴34移动，使药液的着落位置在基板W的上表面内移动。药液喷嘴移动装置37通过使药液喷嘴34移动，使药液的着落位置在基板W的上表面内移动。进而，药液喷嘴移动装置37使药液喷嘴34在从药液喷嘴34喷出的药液着落在基板W的上表面上的处理位置和药液喷嘴34退避到旋转卡盘5的周围的退避位置之间移动。
如图1所示，处理液供给装置6包括：作为上表面喷嘴的冲洗液喷嘴38，向基板W的上表面喷出冲洗液；上冲洗液配管39，与冲洗液喷嘴38相连接；上冲洗液阀40，安装在上冲洗液配管39上。当打开上冲洗液阀40时，从上 冲洗液配管39供给到冲洗液喷嘴38的冲洗液从冲洗液喷嘴38向下方喷出；当关闭上冲洗液阀40时，停止从冲洗液喷嘴38喷出冲洗液。向冲洗液喷嘴38供给的冲洗液可以是纯水（去离子水：Deionzied ater）。向冲洗液喷嘴38供给的冲洗液并不限于纯水，也可以是碳酸水、电解离子水、含氢水、臭氧水、IPA（异丙醇）以及稀释浓度（例如，10～100ppm左右）的盐酸水中任一种。
冲洗液喷嘴38是扫描喷嘴。如图1所示，处理单元2包括冲洗液喷嘴移动装置41，该冲洗液喷嘴移动装置41通过使冲洗液喷嘴38移动，使冲洗液的着落位置在基板W的上表面内移动。冲洗液喷嘴移动装置41通过使冲洗液喷嘴38移动，使冲洗液的着落位置在基板W的上表面内移动。进而，冲洗液喷嘴移动装置41使冲洗液喷嘴38在从冲洗液喷嘴38喷出的冲洗液着落在基板W的上表面上的处理位置和冲洗液喷嘴38退避到旋转卡盘5的周围的退避位置之间移动。
如图1所示，处理液供给装置6包括：下表面喷嘴42，向基板W的下表面中央部喷出处理液；下药液配管43，与下表面喷嘴42相连接；下药液阀44，安装在下药液配管43上；下冲洗液配管45，与下表面喷嘴42相连接；下冲洗液阀46，安装在下冲洗液配管45上。下表面喷嘴42从旋转基座11的上表面中央部向上方突出。在基板W在支持位置或把持位置保持在旋转卡盘5上的状态下，下表面喷嘴42的喷出口位于旋转基座11的上表面和基板W的下表面之间，在上下方向上与基板W的下表面中央部相向。因此，在该状态下，当打开下药液阀44或下冲洗液阀46时，下从表面喷嘴42向上方喷出的药液或冲洗液被供给到基板W的下表面中央部。
如图1所示，杯7配置在比旋转卡盘5所保持的基板W更靠外侧（从基板旋转轴线A1离开的方向）的位置。杯7包括：筒状的外壁47，包围旋转卡盘5；多个处理液杯（第1处理液杯48、第2处理液杯49、第3处理液杯50），配置在旋转卡盘5和外壁47之间；多个挡板（第1挡板51、第2挡板52、第3挡板53、第4挡板54），挡住向基板W的周围飞散的处理液；挡板升降装置55，使多个挡板（guard）各自独立地升降。
如图1所示，各处理液杯48～50在旋转卡盘5和外壁47之间包围旋转卡盘5。从内侧起为第二个的第2处理液杯49配置在第1处理液杯48的外 侧，第3处理液杯50配置在第2处理液杯49的外侧。第3处理液杯50与第2挡板52形成为一体，与第2挡板52一起升降。各处理液杯48～50形成向上方打开的环状的槽。根据向基板W供给的处理液的种类等，通过挡板升降装置55的控制来分别任意升降驱动各挡板51～54，而能够将所使用的处理液导向与该种类等相应的任意的处理液杯48～50。导向至各处理液杯48～50的处理液通过该槽被输送到未图示的回收装置或废液装置。
如图1所示，各挡板51～54在旋转卡盘5和外壁47之间包围旋转卡盘5。内侧的三个挡板51～53是被外侧的三个挡板52～54中的至少一个包围的内挡板，外侧的三个挡板52～54是包围内侧的三个挡板51～53中的至少一个的外挡板。
如图1所示，各挡板51～54包括：圆筒状的倾斜部56，向斜上方并向内侧延伸；圆筒状的引导部57，从倾斜部56的下端向下方延伸。各倾斜部56的上端部构成挡板51～54的上端部，并具有比基板W以及旋转基座11大的直径。四个倾斜部56上下重叠，四个引导部57同轴配置。除了最外侧的引导部57之外的三个引导部57分别能够在多个处理液杯48～50内出入。即，杯7能够折叠，挡板升降装置55使四个挡板51～54中的至少一个升降，来进行杯7的展开以及折叠。
如图1所示，挡板升降装置55使各挡板51～54在挡板的上端位于基板W的上方的上位置和挡板的上端位于基板W的下方的下位置之间升降。挡板升降装置55能够在上位置和下位置之间的任意的位置保持各挡板51～54。向基板W供给处理液或干燥基板W在某一个挡板51～54与基板W的周端面相向的状态下进行。例如，在使从内侧起为第三个的第3挡板53与基板W的周端面相向的情况下，第1挡板51以及第2挡板52配置在下位置，第3挡板53以及第4挡板54配置在上位置。另外，在使最外侧的第4挡板54与基板W的周端面相向的情况下，第4挡板54配置在上位置，其他三个挡板51～53配置在下位置。
图6是表示利用基板处理装置1进行的基板W的处理的一例的工序图。下面，参照图1进行说明。也适当参照图6进行说明。
在处理基板W时，进行向腔室4内搬入基板W的搬入工序（图6的步骤S1）。具体地说，控制装置3在所有的喷嘴从旋转卡盘5的上方退避，并 且所有的挡板位于下位置的状态下，通过搬送机械手将基板W搬入腔室4内。并且，控制装置3通过搬送机械手将基板W载置在多个卡盘销12上。然后，控制装置3使搬送机械手从腔室4内退避。进而，控制装置3控制卡盘开闭机构13，使多个卡盘销12把持基板W。然后，控制装置3通过控制旋转马达15，使旋转基座11、卡盘销12、以及引导构件16围绕基板旋转轴线A1旋转。由此，基板W开始旋转。
接着，进行向基板W供给药液的药液供给工序（图6的步骤S2）。具体地说，控制装置3通过控制药液喷嘴移动装置37，使药液喷嘴34从退避位置移动到处理位置。控制装置3还使外侧的两个挡板（第3挡板53以及第4挡板54）位于上位置，并使内侧的两个挡板（第1挡板51以及第2挡板52）位于下位置。由此，第3挡板53和第2挡板52之间打开，第3挡板53的内周面与基板W的周端面相向。
控制装置3在该状态下打开上药液阀36以及下药液阀44，使药液喷嘴34向旋转状态的基板W的上表面喷出药液，并且使下表面喷嘴42向旋转状态的基板W的下表面中央部喷出药液。控制装置3还通过控制药液喷嘴移动装置37，使药液相对于基板W的上表面的着落位置在中央部和周缘部之间移动。并且，当从上药液阀36以及下药液阀44打开起经过规定时间时，控制装置3关闭上药液阀36以及下药液阀44，停止从药液喷嘴34以及下表面喷嘴42喷出药液。然后，控制装置3通过药液喷嘴移动装置37，使药液喷嘴34从旋转卡盘5的上方退避。
从药液喷嘴34喷出的药液着落在基板W的上表面上之后，借助离心力沿着基板W的上表面流向外侧。同样，从下表面喷嘴42喷出的药液在着落在基板W的下表面中央部上之后，借助离心力沿着基板W的下表面流向外侧。由此，形成覆盖基板W的整个上表面的药液的液膜，向基板W的整个上表面供给药液。因此，基板W的整个上表面被药液处理。同样，从下表面喷嘴42喷出的药液供给到基板W的整个下表面，基板W的整个下表面被药液处理。
进而，控制装置3在基板W正旋转的状态下使药液相对于基板W的上表面的着落位置在中央部和周缘部之间移动，所以药液的着落位置通过基板W的整个上表面，基板W的整个上表面被扫描。因此，从药液喷嘴34喷出 的药液直接喷到基板W的整个上表面，基板W的整个上表面被均匀处理。另外，到达基板W的上表面以及下表面的周缘部的药液被离心力甩到基板W的周围。因此，从基板W排出的药液通过第3挡板53和第2挡板52之间并被导向杯7的内部，由第1处理液杯48收集。
接着，进行将作为冲洗液的一例的纯水供给到基板W上的冲洗液供给工序（图6的步骤S3）。具体地说，控制装置3控制冲洗液喷嘴移动装置41，使冲洗液喷嘴38从退避位置移动到处理位置。并且，控制装置3在第3挡板53的内周面与基板W的周端面相向的状态下，打开上冲洗液阀40以及下冲洗液阀46，使冲洗液喷嘴38向旋转状态的基板W的上表面喷出纯水，并且，使下表面喷嘴42向旋转状态的基板W的下表面中央部喷出纯水。控制装置3还通过控制冲洗液喷嘴移动装置41，使纯水相对于基板W的上表面的着落位置在中央部和周缘部之间移动。并且，当从打开上冲洗液阀40以及下冲洗液阀46起经过规定时间时，控制装置3关闭上冲洗液阀40以及下冲洗液阀46，停止从冲洗液喷嘴38以及下表面喷嘴42喷出冲洗液。然后，控制装置3通过控制冲洗液喷嘴移动装置41，使冲洗液喷嘴38从旋转卡盘5的上方退避。
从冲洗液喷嘴38喷出的纯水在着落到基板W的上表面上之后，借助离心力沿着基板W的上表面流向外侧。同样，从下表面喷嘴42喷出的纯水在着落到基板W的下表面中央部上之后，借助离心力沿着基板W的下表面流向外侧。因此，基板W上的药液被纯水挤向外侧，排出到基板W的周围。由此，基板W上的药液被纯水冲洗掉，基板W上的药液的液膜被置换为覆盖基板W的整个上表面的纯水的液膜。同样，从下表面喷嘴42喷出的纯水被供给到基板W的整个下表面，在基板W的下表面上附着的药液被纯水冲洗掉。
进而，控制装置3在基板W正旋转的状态下使纯水相对于基板W的上表面的着落位置在中央部和周缘部之间移动，所以纯水的着落位置通过基板W的整个上表面，基板W的整个上表面全域被扫描。因此，从纯水喷嘴喷出的纯水被直接喷到基板W的整个上表面，基板W的整个上表面被均匀处理。另外，到达基板W的上表面以及下表面的周缘部的纯水被离心力甩到基板W的周围。因此，从基板W排出的纯水通过第3挡板53和第2挡板 52之间被导向杯7的内部，并由第1处理液杯48收集。
接着，进行使基板W干燥的干燥工序（图6的步骤S4）。具体地说，控制装置3通过旋转马达15，使基板W的旋转加速到高旋转速度（例如数千rpm）。由此，基板W上的液体被甩到基板W的周围，通过第2挡板52和第3挡板53之间并被导向杯7的内部，由第1处理液杯48收集。这样一来，水分被从基板W除去，使基板W干燥。当从基板W的高速旋转开始起经过规定时间时，控制装置3通过控制旋转卡盘5，使基板W停止旋转。然后，控制装置3使所有的挡板移动到下位置。在该状态下，控制装置3使搬送机械手进入腔室4内，使搬送机械手搬出基板W（搬出工序。图6的步骤S5）。
图7是用于说明处理液从基板W向其周围飞散的移动路径的示意图。
如图7所示，各引导构件16的引导内缘24配置在比卡盘销12的容纳槽20更靠内侧且比容纳槽20更靠上方的位置。基板W的周缘部容纳在容纳槽20内。因此，引导内缘24配置在比基板W的上表面更靠上方且比基板W的周端面更靠内侧的位置。因此，具有向内侧（基板旋转轴线A1侧）开放的纵向截面的捕集槽58由基板W、卡盘销12以及引导构件16形成。供给到旋转状态的基板W的处理液受离心力的作用向外侧扩展。到达卡盘销12的附近的处理液进入该捕集槽58内。
如图7所示，到达卡盘销12的附近的处理液进入到由基板W、卡盘销12以及引导构件16形成的捕集槽58内，因此即使因处理液和卡盘销12的碰撞而产生液滴或雾，液滴或雾的扩散也被捕集槽58的内表面抑制。由此，降低处理液向基板W的再附着。进而，由于要越过卡盘销12的处理液被捕集到捕集槽58内，所以能够降低从基板W的周缘部向斜上方飞散的处理液的量。因此，降低因杯7和处理液的碰撞而产生的处理液的液滴或雾附着在基板W上。
另外，如图7所示，进入到捕集槽58内的处理液沿着下引导面27被向引导外缘25侧引导。由于各引导外缘25配置在比引导内缘24更靠下方的高度，所以流向外侧的处理液被引导构件16向水平方向或斜下方向引导。进而，由于引导外缘25比卡盘销12更靠外侧，所以处理液被引导构件16可靠地引导至比卡盘销12更靠外侧的位置。因此，能够抑制处理液从卡盘 销12向斜上方并向外侧飞散。由此能够降低成为污染或品质下降的原因的处理液的再附着。
如上所述，在本实施方式中，来自基板W的处理液的飞散方向被引导构件16控制，处理液向基板W的上方的飞散范围变窄。因杯7和处理液的碰撞而产生的处理液的液滴或雾一边向内侧移动一边随着下降流向下方移动。因此，通过使处理液向基板W的上方的飞散范围变窄，能够降低处理液向基板W的再附着。进而，由于使处理液的飞散范围变窄，所以可以不为了扩大基板W和杯7的径向Y1的间隔而使杯7在径向Y1上大型化。即，能够使杯7的进深（内径）比以往减小。由此，能够减小在基板W和杯7之间设置的环状的气体流路的流路面积。因此，能够一边维持气流的速度（下降流的速度），一边减小排气设备的吸引力（排气压）。
另外，在本实施方式中，由于在比卡盘销12的容纳基板W的周缘部的容纳槽20更靠下方的位置配置有引导外缘25，所以基板W比引导外缘25更靠上方。换言之，引导外缘25配置在比在把持位置把持的基板W的下表面更靠下方的位置。因此，处理液被引导构件16引导到比基板W更靠下方的位置，从比基板W更靠下方的位置朝向杯7向外侧飞散。因此，能够减少在比基板W更靠上方的高度产生的液滴以及雾的量。由此，能够进一步降低处理液的再附着。
另外，在本实施方式中，以上端比下端更靠内侧的方式倾斜的朝下的下倾斜面32设置在引导构件16上。由于下倾斜面32相对于水平面倾斜，所以处理液被下倾斜面32向斜下方并向外侧引导。进而，由于下倾斜面32的至少一部分在径向Y1上配置在卡盘销12和引导外缘25之间，所以处理液在比卡盘销12更靠外侧的位置被向斜下方引导。因此能够减少从基板W的周缘部向斜上方飞散的处理液的量。由此，能够进一步降低处理液的再附着。
另外，在本实施方式中，以在径向Y1上与基板旋转轴线A1相向的方式相对水平面倾斜的朝内面30设置在引导构件16上。朝内面30从引导内缘24向斜下方并向外侧延伸，比容纳槽20更靠上方。因此，到达卡盘销12的附近的处理液进入由基板W、卡盘销12以及引导构件16形成的捕集槽58内，并且，被朝内面30向斜下方并向外侧引导。因此，能够进一步降低向斜上方并向外侧飞散的处理液的量。由此，能够进一步减少处理液的再附着。
另外，在本实施方式中，卡盘销12以及引导构件16是各自独立的构件，所以能够抑制卡盘销12的形状的复杂化。同样，能够抑制引导构件16的形状的复杂化。进而，由于引导构件16配置在销上表面12a之上，所以引导构件16能够将越过销上表面12a并向外侧飞散的处理液可靠地向水平方向或斜下方向引导。因此能够进一步减少向斜上方并向外侧飞散的处理液的量。由此，能够进一步减少处理液的再附着。
另外，在本实施方式中，引导构件16配置在销上表面12a的上方，引导构件16和销上表面12a在俯视下重叠。俯视下的引导构件16的面积大于俯视下的销上表面12a的面积，整个销上表面12a被引导构件16从其上方覆盖。因此，相比销上表面12a局部被引导构件16覆盖的情况，能够减少向斜上方并向外侧飞散的处理液的量。由此，能够进一步减少处理液的再附着。
另外，在本实施方式中，从销上表面12a至引导内缘24的高度大于从位于把持位置的基板W的上表面至销上表面12a的高度。换言之，从基板W的上表面至销上表面12a的上下方向长度小。因此，从基板W的上表面至引导内缘24的上下方向长度得以缩短，引导内缘24接近基板W的上表面。因此，捕集槽58的上下方向长度得以缩短，使捕集槽58的体积减少。由此，基板W和引导构件16之间的上下方向的间隙(捕集槽58的内部)容易由处理液充满。在捕集槽58由处理液充满的情况下，后续的处理液不会与捕集槽58的内表面直接碰撞。因此，因碰撞而产生的处理液的液滴或雾的量减少。由此，能够进一步减少处理液的再附着。
另外，在本实施方式中，从引导内缘24至销上表面12a的内缘的在径向Y1上的距离大于从位于把持位置的基板W的上表面至销上表面12a的高度。换言之，从引导内缘24至销上表面12a的内缘的在径向Y1上距离大，从引导内缘24至基板W的周端面的在径向Y1上的距离大。因此，能够充分确保捕集槽58的深度(从捕集槽58的开口部至捕集槽58的底的在水平方向上的长度)。因此，引导构件16能够可靠地捕获要越过卡盘销12的处理液，并向水平方向或斜下方向引导。由此，能够降低处理液的再附着。
对本发明的实施方式的说明如上，但是本发明并不限于前述的实施方式的内容，本发明能够进行各种变更。
例如，在前述的实施方式中，对引导外缘25配置在比引导内缘24更靠下方的高度的情况进行了说明，但是，引导内缘24以及引导外缘25可以配置在彼此相等的高度。
另外，在前述的实施方式中，对上引导面26以及下引导面27包含相对于水平面倾斜的平面的情况进行了说明。但是，如图8所示，上引导面26以及下引导面27也可以包含向斜上方并向外侧膨出的曲面。另外，也可以是上引导面26以及下引导面27中的一个包含相对于水平面倾斜的平面，上引导面26以及下引导面27中的另一个包含向斜上方并向外侧膨出的曲面。
另外，在前述的实施方式中，对引导构件16为弯曲的构件的情况进行了说明，但是如图9所示，引导构件16也可以沿着水平面延伸。图9所示的引导构件16包含以上端比下端更靠内侧的方式倾斜的朝外面29。朝外面29从引导外缘25向斜上方并向内侧延伸。在朝外面29以上端比下端更靠外侧的方式倾斜的情况下，处理液被朝外面29向斜上方并向外侧引导。因此，导致向斜上方并向外侧飞散的处理液的量增加。因而，通过以上端比下端更靠内侧的方式使朝外面29倾斜，能够进一步减少向斜上方并向外侧飞散的处理液的量。由此，能够进一步减少处理液的再附着。
另外，在前述的实施方式中，对引导构件16在周向X1上的长度小于在周向X1上相邻的两个引导构件16的间隔的情况进行了说明。但是，如图10所示，引导构件16可以具有比在周向X1上相邻的两个引导构件16的间隔大的周向长度。
若采用该结构，则由于引导构件16在周向X1上长，所以利用引导构件16控制处理液的飞散方向的范围在周向X1上长。因此，多个引导构件16能够进一步降低向斜上方并向外侧飞散的处理液的量。由此，能够减少处理液的再附着。而且，基板W上的处理液因在周向X1上长的多个引导构件16停留在多个引导构件16的内侧，所以能够减少形成覆盖基板W的整个上表面的液膜时所需要的处理液的量。由此，能够减少基板处理装置1的运行成本。进而，由于在周向X1上相邻的两个引导构件16的在周向X1上的间隔小，所以在多个引导构件16围绕基板旋转轴线A1旋转时，难以产生气流的紊乱。因此，能减少液滴或雾因紊流被卷起而附着在基板W上的情况。
另外，在前述的实施方式中，对引导构件16为安装在卡盘销12上的与卡盘销12不同的构件的情况进行了说明，但是引导构件16也可与卡盘销12为一体。
另外，在前述的实施方式中，对引导构件16在俯视下与整个销上表面12a重叠，整个销上表面12a被引导构件16覆盖的情况进行了说明，但也可以是销上表面12a局部被引导构件16覆盖，销上表面12a的一部分在俯视下从引导构件16露出。
另外，在前述的实施方式中，对引导内缘24以及引导外缘25各自的周向长度大于销上表面12a的周向长度的情况进行了说明，但是，引导内缘24的周向长度既可以与销上表面12a的周向长度相等，也可以小于销上表面12a的周向长度。对引导外缘25的周向长度也同样。
另外，在前述的实施方式中，对引导构件16为板状的情况进行了说明，但是引导构件16的形状可以不是板状。即，引导构件16的上侧的面和引导构件16的下侧的面可以彼此不平行。
另外，在前述的实施方式中，对药液喷嘴34以及冲洗液喷嘴38都为扫描喷嘴的情况进行了说明，但是药液喷嘴34以及冲洗液喷嘴38中的一个或两个为在喷出口静止的状态下向基板W的上表面中央部喷出处理液的固定喷嘴。
对本发明的实施方式进行了详细说明，但这些只不过是用于了解本发明的技术内容的具体例，本发明并不限定解释为这些具体例，本发明的精神以及范围仅由权利要求书来限定。
本申请对应于2013年3月15日向日本特许厅提交的特愿2013-52977号，该申请的全部内容通过引用而编入本申请中。

Claims (11)

1.一种基板处理装置，其特征在于，
具有：
多个卡盘销，分别设置有用于容纳基板的周缘部的容纳槽，通过将所述容纳槽的内表面推压在所述基板的周缘部上，在把持位置将所述基板把持为水平姿势，
喷嘴，向所述多个卡盘销所把持的基板喷出处理液，
多个引导构件，分别配置在所述多个卡盘销的上方，将从所述基板排出的处理液向所述基板的周围引导，
旋转马达，使所述多个卡盘销与所述多个引导构件一起围绕通过所述基板的铅垂的基板旋转轴线旋转，
筒状的杯，以所述基板旋转轴线为中心包围所述多个卡盘销以及引导构件，用于挡住从所述多个卡盘销所把持的基板向远离所述基板的中心侧排出的处理液；
所述多个引导构件各自具有：引导内缘，配置在比所述容纳槽更靠近所述基板的中心侧且比所述容纳槽更靠上方的位置；引导外缘，配置在与所述引导内缘相等或比所述引导内缘更靠下方的高度，且配置在比所述卡盘销更远离所述基板的中心侧的位置。
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述引导外缘比所述容纳槽更靠下方。
3.一种基板处理装置，其特征在于，具有：
多个卡盘销，分别设置有用于容纳基板的周缘部的容纳槽，通过将所述容纳槽的内表面推压在所述基板的周缘部上，在把持位置将所述基板把持为水平姿势，
喷嘴，向所述多个卡盘销所把持的基板喷出处理液，
多个引导构件，分别配置在所述多个卡盘销的上方，将从所述基板排出的处理液向所述基板的周围引导，
旋转马达，使所述多个卡盘销与所述多个引导构件一起围绕通过所述基板的铅垂的基板旋转轴线旋转，
筒状的杯，以所述基板旋转轴线为中心包围所述多个卡盘销以及引导构件，用于挡住从所述多个卡盘销所把持的基板向远离所述基板的中心侧排出的处理液；
所述多个引导构件各自具有：引导内缘，配置在比所述容纳槽更靠近所述基板的中心且比所述容纳槽更靠上方的位置；引导外缘，配置在与所述引导内缘相等或比所述引导内缘更靠下方的高度，且配置在比所述卡盘销更远离所述基板的中心的位置；朝下的下倾斜面，该下倾斜面的至少一部分在与所述基板旋转轴线垂直的方向即径向上配置在所述卡盘销和所述引导外缘之间，并以上端比下端更靠近所述基板的中心的方式倾斜。
4.一种基板处理装置，其特征在于，具有：
多个卡盘销，分别设置有用于容纳基板的周缘部的容纳槽，通过将所述容纳槽的内表面推压在所述基板的周缘部上，在把持位置将所述基板把持为水平姿势，
喷嘴，向所述多个卡盘销所把持的基板喷出处理液，
多个引导构件，分别配置在所述多个卡盘销的上方，将从所述基板排出的处理液向所述基板的周围引导，
旋转马达，使所述多个卡盘销与所述多个引导构件一起围绕通过所述基板的铅垂的基板旋转轴线旋转，
筒状的杯，以所述基板旋转轴线为中心包围所述多个卡盘销以及引导构件，用于挡住从所述多个卡盘销所把持的基板向远离所述基板的中心侧排出的处理液；
所述多个引导构件各自具有：引导内缘，配置在比所述容纳槽更靠近所述基板的中心且比所述容纳槽更靠上方的位置；引导外缘，配置在与所述引导内缘相等或比所述引导内缘更靠下方的高度，且配置在比所述卡盘销更远离所述基板的中心的位置；朝内面，该朝内面从所述引导内缘向斜下方并向远离所述基板的中心侧延伸，并比所述容纳槽更靠上方。
5.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述引导构件还包括从所述引导外缘向斜上方并向靠近所述基板的中心侧延伸的朝外面。
6.如权利要求1至5中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，所述卡盘销包括配置在所述容纳槽的上方的销上表面，
所述引导构件是与所述卡盘销不同的构件，并配置在所述销上表面之上。
7.如权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，所述引导构件在俯视下与整个所述销上表面重叠。
8.如权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，从所述销上表面至所述引导内缘的高度大于从位于所述把持位置的基板的上表面至所述销上表面的高度。
9.如权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，在与所述基板旋转轴线垂直的方向即径向上，从所述引导内缘至所述销上表面的内缘的距离大于从位于所述把持位置的基板的上表面至所述销上表面的高度。
10.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述多个引导构件沿着围绕所述基板旋转轴线的方向即周向配置成环状，
所述引导构件在所述周向上的长度大于在所述周向上相邻的两个所述引导构件的间隔。
11.一种基板处理装置，其特征在于，
具有：
多个卡盘销，分别设置有用于容纳基板的周缘部的容纳槽，通过将所述容纳槽的内表面推压在所述基板的周缘部上，在把持位置将所述基板把持为水平姿势，
喷嘴，向所述多个卡盘销所把持的基板喷出处理液，
多个引导构件，以分别配置在所述多个卡盘销的上方的方式，与所述多个卡盘销分别连结，将从所述基板排出的处理液向所述基板的周围引导，
旋转马达，使所述多个卡盘销与所述多个引导构件一起围绕通过所述基板的铅垂的基板旋转轴线旋转，
筒状的杯，以所述基板旋转轴线为中心包围所述多个卡盘销以及引导构件，用于挡住从所述多个卡盘销所把持的基板向远离所述基板的中心侧排出的处理液；
所述多个引导构件各自具有：引导内缘，配置在比所述容纳槽更靠近所述基板的中心且比所述容纳槽更靠上方的位置；引导外缘，配置在与所述引导内缘相等或比所述引导内缘更靠下方的高度，且配置在比所述卡盘销更远离所述基板的中心的位置。
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