CN113363185A - 半导体清洗设备 - Google Patents

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CN113363185A CN202110599855.0A CN202110599855A CN113363185A CN 113363185 A CN113363185 A CN 113363185A CN 202110599855 A CN202110599855 A CN 202110599855A CN 113363185 A CN113363185 A CN 113363185A
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liquid inlet
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张亚斌
赵宏宇
姬庆韬
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Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd
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Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd
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    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
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    • H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
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    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • B08B3/12—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration by sonic or ultrasonic vibrations

Abstract

本发明提供一种半导体清洗设备，包括浴槽、清洗槽、声波信号发生装置传导介质喷射装置，清洗槽用于容纳晶片且清洗槽的底部容置于浴槽中，声波信号发生装置设置在浴槽底部，用于提供声波信号，浴槽中的传导介质用于将声波信号向清洗槽传导，传导介质喷射装置设置于浴槽中并位于清洗槽的一侧，用于向清洗槽的底部喷射传导介质，以在清洗槽的底部形成定向流动的传导介质层。在本发明中，浴槽中设置有传导介质喷射装置，传导介质喷射装置能够向晶圆清洗槽的底部喷射传导介质，在晶圆清洗槽的底部形成持续由清洗槽的一侧向另一侧流动的传导介质层，将晶圆清洗槽底部的气泡推离晶圆清洗槽的底部，提高声波信号的能量利用率，进而提高晶圆的清洗效率。

Description

半导体清洗设备
技术领域
本发明涉及半导体工艺设备领域，具体地，涉及一种半导体清洗设备。
背景技术
硅片表面清洗是晶片生产过程中的一个重要环节，现有技术中通常通过兆声清洗技术对晶片进行清洗，其具体原理是向晶片的清洗溶液施加高频兆声波，使清洗溶液分子在声波作用下加速运动，产生高速流动的流体波并不断冲击晶片表面，对晶片表面吸附的污染物及细小微粒进行强制去除，从而实现高效率、高质量的清洗效果。
如图10所示为现阶段半导体清洗设备所使用的兆声组件的原理示意图，放置于清洗槽6下方的换能器5通过浴槽1中的水将声波传递到清洗槽6内。但清洗槽6下方浴槽1内的水在兆声作用下会因为声波负压产生大量微小气泡，气泡在浮力作用下上浮汇聚在清洗槽6底部，并逐渐合并成体积达厘米级的大气泡，最终形成气泡膜附着于清洗槽6底部。如图8所示，声波在由水进入气泡时，会出现波的折射及反射，形成折射声波以及发射声波，从而降低进入清洗槽6内的声波能量，影响清洗效率及清洗均衡性。
因此，如何提供一种能够提高对晶片清洗效率的半导体清洗设备，成为本领域亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明旨在提供一种半导体清洗设备，该半导体清洗设备能够去除清洗槽底部的气泡，提高晶片清洗效率。
为实现上述目的，本发明提供一种半导体清洗设备，所述清洗设备包括浴槽、清洗槽和声波信号发生装置，其中，所述清洗槽用于容纳晶片且所述清洗槽的底部容置于所述浴槽中，所述声波信号发生装置设置在所述浴槽底部，所述声波信号发生装置用于提供声波信号，所述浴槽中的传导介质用于将所述声波信号向所述清洗槽传导，所述半导体清洗设备还包括传导介质喷射装置，所述传导介质喷射装置设置于所述浴槽中并位于所述清洗槽的一侧，用于向所述清洗槽的底部喷射所述传导介质，以在所述清洗槽的底部形成定向流动的传导介质层。
可选地，所述传导介质喷射装置包括介质输送管路和设置在所述介质输送管路上的多个喷头，所述介质输送管路设置在所述浴槽的底面上，所述多个喷头在所述介质输送管路上呈直线排布，且所述直线平行于所述浴槽的底面。
可选地，所述介质输送管路包括进液管以及与所述浴槽底面平行的横管，所述进液管的一端与所述横管连通，另一端穿过所述浴槽的底面，用于接收所述传导介质，所述横管上具有多个沿所述横管的延伸方向等间隔分布的安装孔，多个所述喷头一一对应地与多个所述安装孔连接，所述横管用于通过所述安装孔向所述喷头提供所述传导介质。
可选地，所述安装孔的轴向与所述浴槽底面之间存在夹角，且所述安装孔朝向所述清洗槽的底面设置。
可选地，所述清洗槽的底面与所述浴槽的底面之间存在夹角，所述传导介质喷射装置位于所述清洗槽底面距离所述浴槽底面较近的一侧，所述安装孔的轴向与所述浴槽底面之间的夹角大于所述清洗槽的底面与所述浴槽的底面之间的夹角。
可选地，所述传导介质喷射装置还包括多个连接部和多个角度调整部，多个所述连接部一一对应地安装在多个所述安装孔中，多个所述喷头一一对应地通过多个所述角度调整部与多个所述连接部活动连接，以使所述喷头与所述浴槽底面之间的角度可调。
可选地，所述角度调整部向不同方向调整所述喷头角度的极限位置之间的夹角大于等于10°。
可选地，所述喷头能够沿平面喷射所述传导介质，且多个所述喷头的喷射面共面。
可选地，所述喷头的宽度沿传导介质的出射方向逐渐增大。
可选地，所述清洗槽中具有用于放置晶片的晶片放置位，相邻两个所述喷头之间的间距L满足L≤2h﹒tan(α/2)，其中，h为所述喷头的根部至所述晶片放置位的边缘在所述浴槽底面上的投影之间的距离，α为所述喷头喷射所述传导介质形成的扇形水流对应的角度。
可选地，所述角度调整部包括第一碗状件和第二碗状件，所述第一碗状件的底部与所述连接部固定连接，所述第二碗状件的底部与所述喷头固定连接；
所述第二碗状件活动套设在所述第一碗状件上并与所述第一碗状件共同围成球形密封腔；所述第一碗状件的底部形成有进液孔，所述连接部中形成有沿轴线方向贯穿所述连接部的进液通道，所述进液通道的一端与所述横管的内部连通，另一端通过所述进液孔与所述球形密封腔连通；所述第二碗状件的底部形成有出液孔，所述球形密封腔通过所述出液孔与所述喷头连通。
可选地，所述进液管用于接收所述传导介质的一端的截面积大小等于多个所述连接部中的多个进液通道的截面积之和。
在本发明提供的半导体清洗设备中，浴槽中设置有传导介质喷射装置，清洗槽正中设置在浴槽中，传导介质喷射装置设置在清洗槽的一侧，从而在对晶片进行清洗工艺的过程中，传导介质喷射装置可以向清洗槽的底部喷射传导介质，从而在清洗槽的底部形成持续由清洗槽的一侧向另一侧流动的传导介质层，进而将清洗槽底部的气泡推向远离传导介质喷射装置的一侧直至其被推离清洗槽的底部，从而彻底除去清洗槽底部驻留的气泡，有效提高了声波信号发生装置提供的声波信号传导至清洗槽中的清洗液的能量利用率，进而提高了对晶片的清洗效率。
附图说明
附图是用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本发明，但并不构成对本发明的限制。在附图中：
图1是本发明实施例提供的半导体清洗设备的结构示意图；
图2是图1中半导体清洗设备的A-A向剖视图；
图3是本发明实施例提供的半导体清洗设备中介质输送管路的结构示意图；
图4是本发明实施例提供的半导体清洗设备中喷头的结构示意图；
图5是本发明实施例提供的半导体清洗设备中水管卡扣的结构示意图；
图6是本发明实施例提供的半导体清洗设备正常使用时的传导介质喷射效果示意图；
图7是本发明另一实施例提供的半导体清洗设备的结构示意图；
图8是现有技术中一种半导体清洗设备所使用的兆声组件的原理示意图；
图9是现有技术中一种提高换能器声波能量利用率的半导体清洗设备结构示意图；
图10是图9中清洗槽底板上的气泡的受力分析示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。
如图9所示为现有技术中一种提高换能器声波能量利用率的清洗设备结构，其中清洗槽6底板设计为与水平面成一定夹角σ，此时，附着在清洗槽6底板上的气泡7的受力情况如图10所示，其受到本身重力G，传导介质8对其施加的浮力F，清洗槽6底板对其所施加的正压力FN及平行底板向下的摩擦力f。而由于气泡本身重力G远小于其他受力，故可以忽略不计。将浮力F分解为垂直于工件清洗槽6底板向上的力F1及平行于工件清洗槽6底板向上的力F2，若F2>f，则气泡7会沿清洗槽6底板向上运动，最终浮出水面而破裂，从而去除清洗槽6底部气泡7，提高兆声清洗效率及均衡性。
然而，经发明人研究发现，采用图9所示底板倾斜方案对晶片进行清洗工艺时，若底板倾角σ较小，则浮力F沿底板方向分力F2较小，同时传导介质8与清洗槽6底板之间的亲和力较强，导致气泡7很难及时从工件清洗槽6底部排出。而增加清洗槽6底板倾斜角度虽然可以增加分力F2，有利于气泡7的排除，但伴随着清洗槽6底板倾斜角度σ增加，靠近右侧的声波能量损失与靠近左侧的声波能量损失差值将增加，导致对晶片的清洗均匀性变差，因此，现有的清洗设备结构仍无法彻底解决气泡问题，对清洗设备清洗效率的提升有限。
为解决上述技术问题，如图1、图2、图7所示，本发明提供一种半导体清洗设备，包括浴槽1、清洗槽6和声波信号发生装置5(如，兆声换能器)，清洗槽6用于容置晶片10，且清洗槽6的底部容置于浴槽1中，声波信号发生装置5设置在浴槽1的底部，用于提供声波信号，该声波信号通过浴槽1中的传导介质8向浴槽1中的清洗槽6传导，进而作用清洗槽6中的清洗液9。半导体清洗设备还包括设置在浴槽1中的传导介质喷射装置，该传导介质喷射装置设置在清洗槽6底部的一侧，用于向清洗槽6的底部喷射传导介质8，以在清洗槽6的底部形成定向流动的传导介质层11。
在本发明提供的半导体清洗设备中，浴槽1中设置有传导介质喷射装置，清洗槽6正中设置在浴槽1中，传导介质喷射装置设置在清洗槽6的一侧，从而在对晶片进行清洗工艺的过程中，传导介质喷射装置可以向清洗槽6的底部喷射传导介质8，从而在清洗槽6的底部形成持续由清洗槽6的一侧向另一侧流动的传导介质层11，进而将清洗槽6底部的气泡7推向远离传导介质喷射装置的一侧直至其被推离清洗槽6的底部，从而彻底除去清洗槽6底部驻留的气泡，有效提高了声波信号发生装置5提供的声波信号传导至清洗槽6中的清洗液9的能量利用率，进而提高了对晶片的清洗效率。并且，本发明提供的清洗设备结构简单、制造成本底，传导介质喷射装置仅通过喷射传导介质8即可去除气泡，使用过程中不需要额外增加气、液、电等其他辅助物质或能量，运行成本低。
本发明实施例对传导介质喷射装置的结构不作具体限定，例如，作为本发明的一种优选实施方式，如图1、图2所示，传导介质喷射装置包括介质输送管路2和设置在介质输送管路2上的多个喷头3，介质输送管路2设置在浴槽1的底面上，多个喷头3在介质输送管路上呈直线排布，且该直线平行于浴槽1的底面。
在本发明实施例中，传导介质喷射装置包括呈直线排布的多个喷头3，且喷头3的排布直线平行于浴槽1的底面，如图7所示，多个喷头3喷射出的传导介质流能够组成完整的传导介质流场，并在流动至清洗槽6底部后形成传导介质层11，从而提高传导介质流覆盖清洗槽6底部的均匀性，进而提高气泡的去除效率，并提高清洗效率。
本发明实施例对介质输送管路2的管路结构不作具体限定，例如，可选地，如图1、图2、图3、图7所示，介质输送管路2可以包括进液管21和与浴槽1底面平行的横管22，进液管21的一端与横管22连通，另一端穿过浴槽1的底面，用于接收传导介质8，横管22上具有多个沿横管22的延伸方向等间隔分布的安装孔23，多个喷头3一一对应地安装在多个安装孔23中，横管22用于通过安装孔23向喷头3提供传导介质8。
作为本发明的一种可选实施方式，进液管21的一端采用焊条焊接的方式与浴槽1底部的进水口焊接固定，如图3所示，进液管21与横管22焊接连接，横管22远离进液管21一侧的端口通过焊接堵头24焊接密封，实现介质输送管路2中的传导介质8仅由多个喷头3喷出。
为提高介质输送管路2位置的稳定性，优选地，如图1、图2、图5所示，浴槽1的侧壁上固定设置有水管卡扣4，水管卡扣4具有内凹的卡扣卡管面42，横管22(在焊接堵头24附近的部分)设置在该卡扣卡管面42围绕的空间中，且卡扣卡管面42与横管22的外圆柱面过盈配合。
作为本发明的一种可选实施方式，水管卡扣4通过卡扣焊接面41与浴槽1焊接固定。本发明实施例对介质输送管路2及水管卡扣4的材料不作具体限定，例如，可选地，介质输送管路2及水管卡扣4的材料可以与浴槽1保持一致，一般为NPP(NaturalPolypropylene，天然聚丙烯)。为便于制作，优选地，介质输送管路2可直接选通过NPP管材加工制得。
为进一步提高气泡去除效率，优选地，如图7所示，清洗槽6的底面与浴槽1的底面之间存在夹角σ，传导介质喷射装置位于清洗槽6的底面距离浴槽1的底面较近的一侧，也即在该侧清洗槽6底面相对另一侧更靠近浴槽1的底面。
在本发明实施例中，清洗槽6的底面倾斜设置，从而在通过传导介质流冲刷气泡时，传导介质流的裹挟作用与浮力F的分力F2共同克服摩擦力f，使气泡7更快地沿清洗槽6底板向上运动，最终浮出水面而破裂，从而去除清洗槽6底部气泡7，提高兆声清洗效率及均衡性。
本发明实施例对清洗槽6的底面与浴槽1的底面之间的夹角σ的大小不作具体限定，例如，为在提高气泡沿清洗槽6底面上升的速率的同时减小清洗槽6底面倾角引起的左右声波差异，可选地，清洗槽6的底面与浴槽1的底面之间的夹角σ可以为1～2°。
本发明实施例对传导介质8的成分不作具体限定，只要可实现传导高频兆声波即可，例如，可选地，传导介质8可以为去离子水。
为进一步提高晶片清洗效率，作为本发明的一种优选实施方式，如图3所示，安装孔23朝向清洗槽6的底面设置，且安装孔23的轴向与浴槽1底面之间存在夹角θ。
在本发明实施例中，通过横管22上的安装孔23朝向清洗槽6的底面，并通过将安装孔23的轴向与浴槽1底面之间设置为夹角θ，可实现安装孔均斜向上设置，从而使得安装在横管22上的喷头3能够沿斜向上的喷射面向清洗槽6的底部喷射传导介质，以保证最终形成的传导介质层11能够覆盖清洗槽6的底部，提高气泡的去除效率。
本发明实施例中夹角θ的大小不作具体限定，例如，可选地，安装孔23的轴向与浴槽1底面之间的夹角θ大于清洗槽6的底面与浴槽1的底面之间的夹角σ，为确保夹角θ大于夹角σ，优选地，夹角θ大于等于5°(夹角σ一般不会达到5°)。
为保证多个喷头3喷射形成的传导介质层11对清洗槽6底部的覆盖效果，优选地，喷头3能够沿平面喷射传导介质8，且多个喷头3的喷射面共面，即每个喷头3均相对于水平面斜向上喷射出多个共面的水帘，从而覆盖相邻喷头3之间的区域，并形成一个能够完全覆盖清洗槽6的平面流场。
本发明实施例对喷头3的结构不作具体限定，例如，为确保其喷射的传导介质沿平面传播，优选地，如图4所示，喷头3的宽度(由俯视角度，即图4视角中喷头3的宽度)沿传导介质的出射方向逐渐增大。当喷头3采用图4中所示扁平三角形形状设计时，其喷射的传导介质流呈扇形。
如图6所示为本发明实施例提供的清洗设备正常使用时的喷射效果示意图，其中h为喷头3的根部至清洗槽6中用于放置晶片的晶片放置位的边缘在浴槽1底面上的投影之间的距离，相邻两个喷头之间的间距L可通过喷头3两侧壁之间的夹角α(即喷头3喷射传导介质形成的扇形水流对应的角度)确定。为保证传导介质层11完全覆盖晶片放置位(即图中晶片10所在位置)，优选地，L≤2h×tan(α/2)。即，当进水管路横管22的轴线距浴槽1底面的垂直距离D＝L2-L3·tanθ时，可保证相邻扇形水柱在晶片10靠近喷头3一侧水平面投影边界位置相交于清洗槽6底面，实际设计中D值可略大于(L2-L3·tanθ)，使相邻扇形水柱稍微提前交汇，以保证传导介质层11对清洗槽6底面的覆盖效果。
为进一步保证多个喷头3喷射形成的传导介质层11对清洗槽6底部的覆盖效果，优选地，如图4所示，传导介质喷射装置还包括多个连接部31和多个角度调整部32，多个连接部31一一对应地安装在多个安装孔23中，多个喷头3一一对应地通过多个角度调整部32与多个连接部31活动连接，以使喷头3与浴槽1底面之间的角度可调。
本发明实施例对连接部31和角度调整部32的结构不作具体限定，只要能实现喷头3与浴槽1底面之间的角度可调即可，例如，角度调整部32可以具有铰接副，角度调整部32的一个部件能够相对于另一个部件转动，且两个部件分别与连接部31和喷头3固定连接。
为便于调整多个喷头3的角度使多个喷头3的喷头共面，优选地，角度调整部32包括球铰副，具体地，如图4所示，角度调整部32包括第一碗状件和第二碗状件，第一碗状件的底部与连接部固定连接，第二碗状件的底部与喷头固定连接。第二碗状件活动套设在第一碗状件上并与第一碗状件共同围成球形密封腔；第一碗状件的底部形成有进液孔，连接部31中形成有沿轴线方向贯穿连接部31的进液通道(图中虚线所示)，进液通道的一端与横管22的内部连通，另一端通过进液孔与球形密封腔连通；第二碗状件的底部形成有出液孔，球形密封腔通过出液孔与喷头3连通。
在本发明实施例中，传导介质喷射装置包括角度调整部32，当加工误差等原因导致部分喷头3形成的扇形水柱在晶片10水平面投影边界后相交于清洗槽6底面时(即，无法保证传导介质层11完全覆盖晶片10所在区域)，可调节角度调整部32中两部件之间的角度，使喷头3向上转动，以使得扇形水流提前交汇，从而提高了浴槽1、介质输送管路2及清洗槽6加工的容错率。
为提高传导介质的流量控制精度，优选地，进液管21用于接收传导介质的一端的截面积大小等于多个连接部31中的多个进液通道的截面积之和。在通过进液管21和横管22向喷头3提供传导介质时，传导介质在进液管21用于接收传导介质的一端的流速与传导介质在各个进液通道中的流速一致，从而便于根据传导介质在进液管21中的流速控制各喷头3喷射传导介质的速率。
本发明实施例对连接部31如何与安装孔23固定连接不作具体限定，例如，可选地，连接部31通过螺纹安装面与安装孔23之间由NPT(National Pipe Thread，管螺纹)螺纹螺装，二者的螺纹接合面之间优选缠绑有适量生料带，以提高密封效果。
本发明实施例对角度调整部32的角度调整范围不作具体限定，例如，可选地，角度调整部32向不同方向调整喷头3角度的极限位置之间的夹角大于等于10°，即，在夹角θ为5°时，喷头与水平面之间的夹角至少可在15°至-5°之间调整。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (12)

1.一种半导体清洗设备，其特征在于，所述清洗设备包括浴槽、清洗槽和声波信号发生装置，其中，所述清洗槽用于容纳晶片且所述清洗槽的底部容置于所述浴槽中，所述声波信号发生装置设置在所述浴槽底部，所述声波信号发生装置用于提供声波信号，所述浴槽中的传导介质用于将所述声波信号向所述清洗槽传导，所述半导体清洗设备还包括传导介质喷射装置，所述传导介质喷射装置设置于所述浴槽中并位于所述清洗槽的一侧，用于向所述清洗槽的底部喷射所述传导介质，以在所述清洗槽的底部形成定向流动的传导介质层。
2.根据权利要求1所述的半导体清洗设备，其特征在于，所述传导介质喷射装置包括介质输送管路和设置在所述介质输送管路上的多个喷头，所述介质输送管路设置在所述浴槽的底面上，所述多个喷头在所述介质输送管路上呈直线排布，且所述直线平行于所述浴槽的底面。
3.根据权利要求2所述的半导体清洗设备，其特征在于，所述介质输送管路包括进液管以及与所述浴槽底面平行的横管，所述进液管的一端与所述横管连通，另一端穿过所述浴槽的底面，用于接收所述传导介质，所述横管上具有多个沿所述横管的延伸方向等间隔分布的安装孔，多个所述喷头一一对应地与多个所述安装孔连接，所述横管用于通过所述安装孔向所述喷头提供所述传导介质。
4.根据权利要求3所述的半导体清洗设备，其特征在于，所述安装孔的轴向与所述浴槽底面之间存在夹角，且所述安装孔朝向所述清洗槽的底面设置。
5.根据权利要求4所述的半导体清洗设备，其特征在于，所述清洗槽的底面与所述浴槽的底面之间存在夹角，所述传导介质喷射装置位于所述清洗槽底面距离所述浴槽底面较近的一侧，所述安装孔的轴向与所述浴槽底面之间的夹角大于所述清洗槽的底面与所述浴槽的底面之间的夹角。
6.根据权利要求3至5中任意一项所述的半导体清洗设备，其特征在于，所述传导介质喷射装置还包括多个连接部和多个角度调整部，多个所述连接部一一对应地安装在多个所述安装孔中，多个所述喷头一一对应地通过多个所述角度调整部与多个所述连接部活动连接，以使所述喷头与所述浴槽底面之间的角度可调。
7.根据权利要求6所述的半导体清洗设备，其特征在于，所述角度调整部向不同方向调整所述喷头角度的极限位置之间的夹角大于等于10°。
8.根据权利要求6所述的半导体清洗设备，其特征在于，所述喷头能够沿平面喷射所述传导介质，且多个所述喷头的喷射面共面。
9.根据权利要求8所述的半导体清洗设备，其特征在于，所述喷头的宽度沿传导介质的出射方向逐渐增大。
10.根据权利要求9所述的半导体清洗设备，其特征在于，所述清洗槽中具有用于放置晶片的晶片放置位，相邻两个所述喷头之间的间距L满足L≤2h﹒tan(α/2)，其中，h为所述喷头的根部至所述晶片放置位的边缘在所述浴槽底面上的投影之间的距离，α为所述喷头喷射所述传导介质形成的扇形水流对应的角度。
11.根据权利要求6所述的半导体清洗设备，其特征在于，所述角度调整部包括第一碗状件和第二碗状件，所述第一碗状件的底部与所述连接部固定连接，所述第二碗状件的底部与所述喷头固定连接；
所述第二碗状件活动套设在所述第一碗状件上并与所述第一碗状件共同围成球形密封腔；所述第一碗状件的底部形成有进液孔，所述连接部中形成有沿轴线方向贯穿所述连接部的进液通道，所述进液通道的一端与所述横管的内部连通，另一端通过所述进液孔与所述球形密封腔连通；所述第二碗状件的底部形成有出液孔，所述球形密封腔通过所述出液孔与所述喷头连通。
12.根据权利要求11所述的清洗设备，其特征在于，所述进液管用于接收所述传导介质的一端的截面积大小等于多个所述连接部中的多个进液通道的截面积之和。
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