CN114857866A - 一种晶圆的干燥方法和清洗工艺 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种晶圆的干燥方法和晶圆的清洗工艺。该干燥方法包括：向干燥腔底部的槽体中注水，并使承托有晶圆的托片器完全没入水中；对槽体溢流注水，并向干燥腔顶部通入载气以进行预清洗，其中注水方式包括自槽体侧部的侧喷式注水、自槽体底部的第一流量注水和第二流量注水；自槽体底部向槽体内进行第三流量注水，并向干燥腔顶部通入携带有干燥剂的载气以进行预干燥；继续向干燥腔顶部通入携带有干燥剂的载气，并控制托片器分阶段上升以进行干燥；以及对干燥腔进行吹扫。该干燥方法能够避免深宽比大的沟槽干燥后残留水汽，产品良率高，且基本不增加作业时间。

Description

一种晶圆的干燥方法和清洗工艺

技术领域

本发明涉及半导体技术领域。更具体地，涉及一种晶圆的干燥方法和清洗工艺，特别涉及一种表面具有沟槽的晶圆的干燥方法及清洗工艺。

背景技术

在半导体器件制造过程中，几乎每一道工序都涉及晶圆清洗的步骤，并且由于不同的工序对晶圆表面状态的要求有所不同，因此清洗过程中所使用的化学品以及相应的清洗条件也不尽相同。但是无论使用何种酸抑或是表面活性剂对晶圆表面进行清洗后，都需要采用超纯水对晶圆表面进行再次清洗，以去除晶圆表面残存的化学品，最终再对晶圆进行干燥处理。

实践表明，干燥效果的优劣直接影响晶圆的表面状态，甚至影响后续工序的加工结果和产品良率。随着清洗干燥工艺的不断创新与发展，异丙醇(IPA) 干燥方式已经取代了传统采用离心力旋转干燥的方式。IPA干燥是利用IPA的低表面张力和易挥发的特性，取代晶圆表面的具有较高表面张力的水分，然后用载气吹干，达到彻底干燥晶圆的目的。这种干燥方式能够满足平面产品的工艺要求，但是应用在沟槽(Trench)产品上时，经常出现干燥不充分的问题，尤其是沟槽的深宽比(depth-to-width ratio)越大，越容易出现水汽残留的问题，造成后续成膜异常甚至产品失效。

目前解决沟槽产品干燥不良的方案通常为延长干燥时间，但是延长干燥时间不仅影响机台的作业效率，而且对干燥效果的改善程度有限，并不能彻底解决沟槽内水汽残留或干燥不良问题。

因此，特别需要提供一种能够解决制造沟槽产品时晶圆表面干燥不良问题的方法。

发明内容

为了解决以上问题，本发明采用下述技术方案：

本发明第一方面提供一种晶圆的干燥方法，包括：

向干燥腔底部的槽体中注水，并使承托有晶圆的托片器完全没入水中；

对槽体溢流注水，并向干燥腔顶部通入载气以进行预清洗，其中注水方式包括自槽体侧部的侧喷式注水、自槽体底部的第一流量注水和第二流量注水；

自槽体底部向槽体内进行第三流量注水，并向干燥腔顶部通入携带有干燥剂的载气以进行预干燥，其中携带有干燥剂的载气的流量为20mm/sec～ 80mm/sec；

继续向干燥腔顶部通入携带有干燥剂的载气，并控制托片器以 0.10mm/sec～4.0mm/sec的速度分阶段上升以进行干燥；以及

对干燥腔进行吹扫，

其中，分阶段上升包括依序进行的第一阶段和第二阶段，其中第一阶段的上升速度大于第二阶段的上升速度；在第一阶段，自槽体底部向槽体内进行第四流量注水并进行侧喷式注水，在第一阶段结束时大于50％的待干燥晶圆脱离水面，在第二阶段过程中开始排水，且第二阶段结束时待干燥晶圆完全脱离水面，

其中，侧喷式注水的流量为1.0lpm～4.0lpm，第一流量注水的流量大于等于10lpm，第二流量注水的流量、第三流量注水的流量以及第四流量注水的流量为1.0lpm～4.0lpm。

在一些可选的实施例中，向干燥腔的槽体中注水，包括：分别自所述槽体的侧部和底部向所述槽体内注水，

其中，槽体侧部的水流量为1.0lpm～4.0lpm，槽体底部的水流量大于等于10lpm。

在一些可选的实施例中，预清洗的时间大于等于5sec；预干燥的时间小于等于20sec。

在一些可选的实施例中，预清洗的时间为5sec～20sec；预干燥的时间为 5sec～20sec。

在一些可选的实施例中，干燥剂为气化的异丙醇，载气为氮气。

在一些可选的实施例中，在第一阶段结束时60％～80％的待干燥晶圆脱离水面。

在一些可选的实施例中，在第一阶段时，托片器以0.12mm/sec～ 3.0mm/sec的速度上升，在第二阶段时，托片器以0.10mm/sec～2.5mm/sec的速度上升。

在一些可选的实施例中，分阶段上升还包括：以0.15mm/sec～4.0mm/sec 的速度上升的第三阶段。

在一些可选的实施例中，在预清洗过程中，控制载气的流量为20lpm～ 80lpm。

本发明第二方面提供一种晶圆的清洗工艺，包括：

采用化学品对晶圆表面进行处理；

采用超纯水对晶圆表面进行清洗，以去除晶圆表面的化学品；

采用前述第一方面提供的干燥方法，对晶圆进行干燥。

本发明的有益效果如下：

本发明提供一种晶圆的干燥方法，通过在预清洗时进行侧喷式注水、以及来自槽体底部的高流量注水和低流量注水，在进行预干燥和干燥时保持槽体底部低流量注水，使得晶圆表面沟槽内的水始终处于涌动状态；在预干燥以及干燥过程中严格控制携带干燥剂的载气流量，使干燥腔顶部形成并维持干燥剂的氛围，并在水面形成含有干燥剂的薄膜；在干燥时控制托片器分阶段上升，并严格控制各阶段的上升速度，使得干燥剂能够充分置换沟槽内的水分，从而彻底解决沟槽内水汽残留问题，在不必增加作业时长的情况下提高了产品良率。

本发明还提供一种晶圆的清洗工艺，包括上述干燥方法。由于包括上述干燥方法，因此能够实现晶圆、尤其是表面具有沟槽的晶圆的彻底干燥，保证产品良率。

附图说明

图1为本申请实施例的晶圆表面沟槽的干燥方法的示意性流程图；

图2为应用本申请实施例的干燥设备所含干燥腔的示意图。

具体实施方式

为了更清楚地说明本发明，下面结合实施例和附图对本发明做进一步的说明。附图中相似的部件以相同或相似的附图标记进行表示。本领域技术人员应当理解，下面所具体描述的内容是说明性的而非限制性的，不应以此限制本发明的保护范围。

应理解，说明书中所用的“第一”、“第二”、“第三”等序数词只是为了方便描述和区分，而并不代表具体的数量或优先级。

如图1所示，本发明的实施例提供了一种晶圆的干燥方法，包括：

步骤S1、向干燥腔底部的槽体中注水，并使承托有晶圆的托片器完全没入水中；

步骤S2、对槽体溢流注水，并向干燥腔顶部通入载气以进行预清洗，其中注水方式包括自槽体侧部的侧喷式注水、自槽体底部的第一流量注水和第二流量注水；

步骤S3、自槽体底部向槽体内进行第三流量注水，并向干燥腔顶部通入携带有干燥剂的载气以进行预干燥；

步骤S4、继续向干燥腔顶部通入携带有干燥剂的载气，并控制托片器分阶段上升以进行干燥；

步骤S5、对干燥腔进行吹扫。

在上述过程中，分阶段上升包括依序进行的第一阶段和第二阶段，在第一阶段过程中，自槽体底部向槽体内进行第四流量注水并进行侧喷式注水，第一阶段结束时，超过50％的待干燥晶圆脱离水面；在第二阶段过程中开始排水，且第二阶段结束时，待干燥晶圆完全脱离水面；

第一阶段和第二阶段的上升速度均在0.10mm/sec～4.0mm/sec的范围内，且第一阶段的上升速度大于第二阶段的上升速度；

侧喷式注水的流量为1.0lpm～4.0lpm，第一流量注水的流量大于等于 10lpm，第二流量注水的流量为1.0lpm～4.0lpm、第三流量注水的流量为 1.0lpm～4.0lpm，第四流量注水的流量为1.0lpm～4.0lpm；携带干燥剂的载气的流量为20mm/sec～80mm/sec。

在本实施提供的晶圆干燥方法，包括依序进行的入腔、预清洗、预干燥、干燥和吹扫。通过在对槽体溢流注水以进行预清洗时进行包括侧喷式注水、底部高流量注水和低流量注水，并且在保持槽体底部低流量注水的情况下对待干燥晶圆进行预干燥和干燥，使得晶圆表面沟槽内的水始终处于涌动状态；在预干燥以及干燥过程中严格控制携带干燥剂的载气流量，使干燥腔顶部形成并维持干燥剂的氛围；在通入干燥剂进行干燥时控制托片器分阶段上升，严格控制各阶段的上升速度，使得干燥剂能够充分置换沟槽内的水分，从而彻底解决沟槽内水汽残留问题，在不必增加作业时长的情况下提高了产品良率。

为了便于理解本申请实施例的应用场景，以下结合图2描述应用本申请实施例的干燥设备的主体结构。

参照图2所示，干燥设备中用于完成干燥过程的主体结构为干燥腔1，干燥腔1包括用于容纳超纯水的槽体11和用于封闭槽体11顶部开口的弧形罩12；换言之，干燥腔1的底部为槽体11，干燥腔1的顶部是由弧形罩12的容腔以及槽体11内水面限定出的空间。其中，槽体11中设置有用于承载待干燥晶圆的托片器111，托片器111为可升降托片器，能够在干燥设备的控制下最高升至弧形罩12的容腔内，以方便载入待干燥晶圆，然后下降至槽体11中；并且托片器111还能够在干燥设备的控制下携带晶圆上升至弧形罩12的容腔内，以待干燥后晶圆出腔。弧形罩12相对于槽体11是可开闭的，用于载入待干燥晶圆和干燥后晶圆出腔。

本领域技术人员应理解，图2中的托片器111的结构仅为示意性地，本申请并不旨在限制其为支柱型支架结构，只要能够实现基于干燥设备的控制上升和下降的结构均是允许的；另外，本申请并不限制托片器111抬升的极限位置，不同的干燥设备，该极限位置可以不同。

具体地，干燥腔1还包括：设置在槽体11底部的多个注水口和至少一个排水口、设置在槽体11侧部的至少一个注水口、以及设置在槽体11顶部的至少一个溢流出水口。各注水口的流量是可控的，排水口可以打开和关闭；溢流出水口用于保证当槽体11注满水情况下继续注水时液面不高于槽体11和弧形罩12的交界面。图2中，溢流时多余的水按照箭头A和C指示沿槽体11 侧壁中的流出通道流出，溢流出水口位于流出通道的顶部；由槽体11底部注入的水按照箭头D和E所指示的方向进入槽体11内；由槽体11侧部注入的水(即侧喷式注水)按照箭头F所指示的方向进入槽体11内；箭头B示出了槽体11中水由底部排水口排出的方向。

此外，干燥腔1还包括多路气管，以用于向干燥腔1顶部通入气体，比如载体、携带干燥剂的载体。图2中为方便展示，以位于弧形罩12壁面的实心三角形表示气管末端的喷气嘴。

当然，本领域技术人员还应理解，以上描述干燥设备的结构仅用于方便阐释和理解本申请实施例中的干燥过程，并不旨在限定干燥设备。此外，干燥设备还可以包含触控显示器或操作面板，使得操作设备响应于操作人员在触控显示器或操作面板的操作，完成本申请实施例的晶圆的干燥方法，具体操作和控制执行过程在此不作赘述。

下面结合具体的示例进一步阐释本申请实施例的晶圆的干燥方法的具体流程。

在步骤S1中，干燥过程开始前，通常托片器111位于槽体11中；干燥过程开始时，托片器111上升以承托待干燥晶圆，同时向槽体11内注水；待托片器111成功承托待干燥晶圆后，下降至槽体11中以被水所浸没。需要说明的是，被托片器111所承载的待干燥晶圆在整个干燥过程中维持竖立状态，即晶圆表面平行于槽体11深度方向，且多片晶圆彼此平行设置。

优选地，注水时，分别自槽体11的侧部和底部向槽体11内注入超纯水。其中，底部的注水流量最好大于等于10lpm；侧部的注水为侧喷式注水，侧喷式注水的流量为大于等于1.0lpm且小于等于4.0lpm，即侧喷式注水的流量为 1.0lpm～4.0lpm。通过采用侧部和底部两种方式注水，能够快速将槽体11注满，有利于缩短干燥过程的总时间。

示例性地，托片器111在此步骤中的上升速度为15.0mm/sec～55.0mm/sec，下降速度为15.0mm/sec～55.0mm/sec。当然，本步骤中并不旨在特别限定托片器111的上升速度和下降速度，以能够快速且稳定地上升和下降为准。

需要说明的是，lpm是liter per minute的缩写，为表示气流量或水流量的单位，lpm与L/min(升/分钟)等价。sec是second的简写，表示秒。

待干燥晶圆具体可以为硅片或碳化硅片，该硅片或碳化硅片上已经于前序工艺形成有沟槽并完成了诸如酸、表面活性剂等化学品的清洗，并已经采用超纯水充分去除了晶圆表面残留的化学品。晶圆上的沟槽例如深宽比小于等于5：1的深沟槽，比如目前沟槽型VDMOS中沟槽的深宽比通常为3：1～ 5：1。当然，本申请并不旨在限制待干燥晶圆的具体类型，本申请的干燥方法也可以应用于其他材质的晶圆；本申请也并不旨在限定待干燥晶圆所用于加工器件的类别，只要晶圆表面形成有沟槽即可，且晶圆表面的沟槽的深宽比也不限于上述示例和范围。

在步骤S2的预清洗过程中，对槽体11溢流注水，是在槽体11内超纯水已满的情况下继续注水，溢出的水自槽体11顶部的溢流出水口溢出。

特别地，在本申请的实施例中，在溢流注水过程中，同时包括三种注水方式，分别为：自槽体11的侧部的侧喷式注水、自槽体11的底部的第一流量注水和第二流量注水。其中，侧喷式注水的流量为1.0lpm～4.0lpm；第一流量注水的流量不低于10lpm；第二流量注水的流量为1.0lpm～4.0lpm。

本申请中，发明人在大量试验过程中发现，在对待干燥晶圆进行预清洗时，通过采用侧喷式注水，并同时配合以底部的高流量注水和低流量注水，使槽体11内的水能够沿预设方向持续、稳定涌动。值得一提的是，发明人经过反复、大量的实验验证后，通过合理控制预清洗过程中的水流量和方向，能够确保晶圆表面深宽比较大(比如3：1～5：1)的沟槽内的水也能够始终处于涌动状态。

此外，考虑到整个干燥过程中，仅有预清洗过程中注入了多股不同流量的水，以使槽体11内的水整体发生涌动，为了避免后续步骤中待干燥晶圆还未完全出水，其沟槽内的水就回归静止，而导致沟槽内残留水汽，发明人设计了优选的预清洗时间。具体地，步骤S2的预清洗过程的时间大于等于5sec，通常为5sec～20sec。通过该设置，使得预清洗步骤能够与后续预干燥时间配合，确保沟槽内持续处于水流涌动状态。

在预清洗过程中，还通过位于弧形罩12顶部的喷气嘴向干燥腔1内通入载气，使得干燥腔处于一种相对低压的环境。可选地，此步骤中通入的载气的气流量为20lpm～80lpm。上述载气例如可以是氮气(N₂)，也可以是氦气等稀有气体。

在步骤S3中，自槽体11底部向槽体11内进行第三流量注水，并自干燥腔1顶部向干燥腔1内通入携带有干燥剂的载气。

具体地，关闭槽体11底部的高流量注水(即第一流量注水)和侧喷式注水，只保留槽体11底部的低流量注水，即第三流量注水。第三流量注水的流量为1.0lpm～4.0lpm。预干燥过程中的第三流量注水和预清洗过程中的第二流量注水的具体流量值可以相同也可以不同，只要满足上述流量范围即可。通过该设置，能够使得被超纯水浸没的待干燥晶圆表面的沟槽内的水能够继续保持涌动状态，避免后续步骤沟槽内残留水汽。

在持续进行第三流量注水的同时，通过弧形罩12顶部的喷气嘴向干燥腔 1内通入携带有干燥剂的载气，能够在水面形成含有干燥剂的薄膜。此时不难理解的是，弧形罩12的容腔中也充满了干燥剂和载气。

优选地，干燥剂为IPA，载气为N₂。进一步优选地，携带有干燥剂的载气的流量为：20mm/sec～80mm/sec，即载气与干燥剂的流量之和为 20mm/sec～80mm/sec。不难理解的是，IPA在常温下为液态，为了顺利通入干燥腔1内，需采用雾化发生器将其“雾化”，然后与载气混合并通入干燥腔1中，从而使干燥腔1顶部充满IPA和载气。

在实际生产中，可通过控制载体的流量实现干燥剂的用量的控制，而载气流量以及干燥剂的流量均可根据待干燥晶圆数量、晶圆尺寸、晶圆表面沟槽的情况(如沟槽尺寸、密度)等情况合理确定。比如对于8英寸晶圆，每批待干燥晶圆为45～50片，干燥过程中大约使用20cc～100cc(cc为立方厘米)的液态IPA。

需要说明的是，为了保证能够在水面形成完整和致密的干燥剂薄膜，在本步骤中需要使水面整体保持近乎静止状态，因而停止来自槽体11侧部的侧喷式注水和来自底部的高流量注水。在这种情况下，为了保证沟槽内有持续涌动的水流，本申请的实施例中，要求在该步骤中需要来自底部的第三流量注水。通过该设计，使得能够在水面干燥剂成膜过程中，沟槽内的水仍旧能够保持涌流状态。

进一步优选地，与预清洗步骤相配合地，预干燥时间不必过长，发明人经过实验验证得到使沟槽内的水保持涌动的时间范围，以不超过20sec为宜，避免在预清洗过程中沟槽内水流静止。但需要注意的是，预干燥时间仍需要尽可能充足，以使水面形成干燥剂薄膜且干燥腔1顶部充满载气和干燥剂为最终目标，优选地，预干燥时间不得低于5sec，通常为5sec～20sec。

在步骤S4中，继续向干燥腔1内通入携带有干燥剂的载气，并控制托片器111分阶段上升。

具体地，通过位于弧形罩12顶部的多个喷气嘴继续向干燥腔1内通入携带有干燥剂的载气，与此同时，位于槽体11底部的托片器111缓慢上升，直至完全脱离水面。

特别地，经过发明人的严格设计并经验证，对托片器上升速度和携带干燥剂的载气流量进行匹配设计，能够保证待干燥晶圆出水后表面的水分能够被干燥剂充分置换，确保沟槽的干燥效果。具体地，托片器111的分阶段上升至少包括先后进行的第一阶段和第二阶段，其中第一阶段结束时，待干燥晶圆50％以上的表面脱离水面，第二阶段结束时待干燥晶圆完全脱离水面；两个阶段的上升速度均控制在0.10mm/sec～4.0mm/sec的范围内，且第一阶段的上升速度相对较大、第二阶段的速度相对较小。携带干燥剂的载气的流量具体控制在20mm/sec～80mm/sec。通过上述设置，能够保证沟槽内的水分能够被干燥剂充分置换，保证干燥完成时沟槽内没有水汽残留。

特别的，上述第一阶段的上升速度最好控制在0.12mm/sec～3.0mm/sec，第二阶段的上升速度最好控制在0.10mm/sec～2.5mm/sec，以进一步保证干燥效果。

在具体实施过程中，第一阶段结束时，脱离水面的待干燥晶圆面积大约占整个待干燥晶圆总面积的60％～80％，通常为70％～80％。

需要说明的是，为了使干燥腔1内的水保持轻微幅度的涌动，确保待干燥晶圆的沟槽内的水流仍旧能够持续涌动，在第一阶段，自底部向槽体内进行低流量的第四流量注水并辅以自槽体11的侧部进行侧喷式注水；第四流量注水的流量为1.0lpm～4.0lpm，通常为1.5lpm～3.5lpm；侧喷式注水的流量为1.0lpm～4.0lpm，通常为1.5lpm～3.5lpm。第四流量注水可以与第二流量注水和第三流量注水中的一者或者两者不同，也可以与二者相同，在此不作特别限定。

优选地，为了避免槽体11内的超纯水带来不必要的水汽，在第二阶段，特别是在晶圆完全脱离水面后，停止向槽体11内注水并将水排空，即在第二阶段时开始排水，以在较短的时间内实现水面与待干燥晶圆的距离尽可能大。可选地，排水时间为10sec至60sec。

为了进一步确保待干燥晶圆与干燥剂充分接触，彻底去除沟槽内的水汽，分阶段上升还包括以0.15mm/sec～4.0mm/sec的速度上升的第三阶段，第三阶段过程中控制托片器111继续上升，直至升至托片器111的极限位置。当然，该极限位置位于弧形罩12内。

在步骤S5中，对干燥腔1进行吹扫(purge)。

本步骤中，可以采用本领域常规手段实施吹扫，以彻底去除干燥腔1内参与的水汽，准备下一批晶圆的干燥。具体地，可利用弧形罩12顶部的喷气嘴向干燥腔1内通入载气，即不携带干燥剂的载气，以充分排空干燥腔1内、特别是槽体11内残余的水汽。

本领域技术人员应理解，在吹扫过程中，控制干燥腔1顶部的弧形罩12 打开，托片器111携带干燥后的晶圆片上升直至移出干燥腔1以继续后续工艺步骤。随后，托片器111缓慢下降，回到干燥腔1底部，等待下一批晶圆的干燥。

本申请实施例提供的干燥方法，能够适合于平面产品和沟槽产品的清洗后干燥，特别是对沟槽产品，具有非常好的干燥效果，例如，沟槽深宽比为5： 1及以下(比如沟槽深度为6微米、宽度为1.2微米；再比如沟槽深度为1.2 微米、宽度为0.25微米)的晶圆均能够达到很好的干燥效果，得到的沟槽产品参数及性能稳定，提升了产品良率。

并且，经过实践统计，上述干燥过程的总时间大约在400sec至1000sec，与传统干燥过程的总时长基本相当，因此本发明 提供的干燥方法，在实现了沟槽产品充分干燥的情况下，还不增加作业时长。

本申请实施例还进一步提供一种晶圆的清洗工艺，其包括如下步骤：

采用化学品对晶圆表面进行处理；

采用超纯水对晶圆表面进行清洗，以去除晶圆表面的化学品；

采用上述干燥方法，对晶圆进行干燥处理。

上述晶圆尤其可以是表面具有沟槽的晶圆。比如在VDMOS(Vertical Double-diffusedMOSFET)的制作过程中，在对外延层进行刻蚀形成沟槽后，需对晶圆进行清洗，以去除刻蚀过程中形成的污染物，然后才可在沟槽内壁生长氧化层，因此上述晶圆为完成了沟槽刻蚀工艺后的晶圆。当然，上述晶圆还可以是其它类别产品以及其它制程后的晶圆，只要其表面具有沟槽、特别是深宽比为3：1～5：1的沟槽，即可适用于本清洗工艺。

上述用于处理晶圆表面的化学品比如可以是酸、表面活性剂等清洗工艺过程中的常用化学材料，具体可以根据晶圆表面污染物的情况合理选择适宜的化学品以及适宜的处理条件。

晶圆表面残留的化学品，以及可能的化学品与污染物的反应产物，一般可以通过采用超纯水清洗的方式予以去除。在具体实施过程中，为彻底去除上述化学品以及可能的反应产物，可采用超纯水反复清洗多次。清洗过程中或清洗完成后，可通过测量超纯水的电阻率，验证是否达到清洗目标。

上述化学品以及可能的反应产物被充分去除后，即可进行干燥处理，具体可以采用上述干燥方法，去除晶圆表面、特别是沟槽内的水分，即可进行下一步工序。

本发明针对现有的问题，提供一种晶圆的干燥方法以及晶圆的清洗工艺。该干燥方法通过在对槽体溢流注水以进行预清洗时进行包括侧喷式注水、来自槽体底部的高流量注水和低流量注水，并且在保持槽体底部低流量注水的情况下对待干燥晶圆进行预干燥和干燥，以使得晶圆表面沟槽内的水始终处于涌动状态；在预干燥以及干燥过程中严格控制携带干燥剂的载气流量，使干燥腔顶部形成并维持干燥剂的氛围，并在水面形成含有干燥剂的薄膜；此外，在干燥时控制托片器分阶段上升，并严格控制各阶段的上升速度，使得干燥剂能够充分置换沟槽内的水分，从而彻底解决沟槽内水汽残留问题，在不必增加作业时长的情况下提高了产品良率。

显然，本发明的上述实施例仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非是对本发明的实施方式的限定，对于本领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动，这里无法对所有的实施方式予以穷举，凡是属于本发明的技术方案所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之列。

Claims (10)

1.一种晶圆的干燥方法，其特征在于，包括：

向干燥腔底部的槽体中注水，并使承托有晶圆的托片器完全没入水中；

对所述槽体溢流注水，并向所述干燥腔顶部通入载气以进行预清洗，其中注水方式包括自所述槽体侧部的侧喷式注水、自所述槽体底部的第一流量注水和第二流量注水；

自所述槽体底部向所述槽体内进行第三流量注水，并向所述干燥腔顶部通入携带有干燥剂的载气以进行预干燥，其中所述携带有干燥剂的载气的流量为20mm/sec～80mm/sec；

继续向所述干燥腔顶部通入所述携带有干燥剂的载气，并控制所述托片器以0.10mm/sec～4.0mm/sec的速度分阶段上升以进行干燥；以及

对所述干燥腔进行吹扫，

其中，所述分阶段上升包括依序进行的第一阶段和第二阶段，所述第一阶段的上升速度大于第二阶段的上升速度；在所述第一阶段，自槽体底部向槽体内进行第四流量注水并进行侧喷式注水，在所述第一阶段结束时大于50％的所述待干燥晶圆脱离水面；在所述第二阶段过程中开始排水，且第二阶段结束时所述待干燥晶圆完全脱离水面，

其中，所述侧喷式注水的流量为1.0lpm～4.0lpm，所述第一流量注水的流量大于等于10lpm，所述第二流量注水的流量、所述第三流量注水的流量以及所述第四流量注水的流量为1.0lpm～4.0lpm。

2.根据权利要求1所述的干燥方法，其特征在于，所述向干燥腔底部的槽体中注水，包括：分别自所述槽体的侧部和底部向所述槽体内注水，

其中，槽体侧部的水流量为1.0lpm～4.0lpm，槽体底部的水流量不低于10lpm。

3.根据权利要求1所述的干燥方法，其特征在于，所述预清洗的时间大于等于5sec；所述预干燥的时间小于等于20sec。

4.根据权利要求3所述的干燥方法，其特征在于，所述预清洗的时间为5sec～20sec；所述预干燥的时间为5sec～20sec。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的干燥方法，其特征在于，所述干燥剂为气化的异丙醇，所述载气为氮气。

6.根据权利要求1所述的干燥方法，其特征在于，在所述第一阶段结束时60％～80％的所述待干燥晶圆脱离水面。

7.根据权利要求1或6所述的干燥方法，其特征在于，

在所述第一阶段时，所述托片器以0.12mm/sec～3.0mm/sec的速度上升，

在所述第二阶段时，所述托片器以0.10mm/sec～2.5mm/sec的速度上升。

8.根据权利要求1、6-7中任一项所述的干燥方法，其特征在于，所述分阶段上升还包括：以0.15mm/sec～4.0mm/sec的速度上升的第三阶段。

9.根据权利要求1或3所述的干燥方法，其特征在于，在所述预清洗过程中，控制所述载气的流量为20lpm～80lpm。

10.一种晶圆的清洗工艺，其特征在于，包括：

采用化学品对晶圆表面进行处理；

采用超纯水对晶圆表面进行清洗，以去除晶圆表面的化学品；

采用权利要求1-9中任一项所述的干燥方法，对晶圆进行干燥处理。

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