JP2002217160A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 密閉された処理容器内におけるパーティクル
等の発生源や洗浄（エッチング）むら等の原因となる溶
媒蒸気の結露を抑制して処理効率の向上を図れるように
すること。 【解決手段】 密閉された処理容器１０内に収容された
ウエハＷにオゾンガスと水蒸気を供給して、ウエハＷを
処理する基板処理装置において、処理容器１０内にオゾ
ンガスを供給するオゾンガス生成手段４０と、処理容器
１０内に水蒸気を供給する水蒸気生成手段３０と、処理
容器１０内に配設されると共に、水蒸気生成手段３０に
接続される水蒸気供給ノズル３５とを具備し、水蒸気供
給ノズル３５は、適宜間隔をおいて穿設される複数の水
蒸気噴射孔３５ｆを有するノズル本体３５ａと、このノ
ズル本体３５ａ内の水蒸気の結露を防止するヒータ３５
ｈとを具備する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、基板処理方法及
び基板処理装置に関するもので、更に詳細には、例えば
半導体ウエハやＬＣＤ用ガラス基板等の被処理基板を密
封雰囲気の処理容器内に収容して処理ガス例えばオゾン
ガス等を供給して処理を施す基板処理装置に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】一般に、半導体デバイスの製造工程にお
いては、被処理基板としての半導体ウエハやＬＣＤ基板
等（以下にウエハ等という）にフォトレジストを塗布
し、フォトリソグラフィ技術を用いて回路パターンを縮
小してフォトレジストに転写し、これを現像処理し、そ
の後、ウエハ等からフォトレジストを除去する一連の処
理が施されている。

【０００３】前記レジスト除去の手段として洗浄装置が
用いられている。従来の洗浄装置では、一般に、ＳＰＭ
（Ｈ_２ＳＯ_４／Ｈ_２Ｏ_２の混合液）と称される薬液が充
填された洗浄槽内にウエハ等を浸漬させてレジストの剥
離を行っている。一方、近年では、環境保全の観点から
廃液処理が容易なオゾン（Ｏ_３）が溶解した溶液を用い
てレジスト除去を行うことが要望されている。この場
合、オゾンが溶解した溶液が充填された洗浄槽内にウエ
ハ等を浸漬させる、いわゆるディップ方式の洗浄によ
り、溶液中の酸素原子ラジカルによってレジストを酸化
反応させて二酸化炭素や水等に分解する。

【０００４】ところで、一般に、高濃度のオゾンガスを
純水にバブリングして溶解させることにより前記溶液を
生成し、その後、この溶液を洗浄槽内に充填しているた
め、その間に溶液中のオゾンが消滅していきオゾン濃度
が低下し、レジスト除去が十分に行えない場合があっ
た。更に、ウエハ等を前記溶液に浸漬させた状態では、
レジストと反応してオゾンが次々と消滅する一方で、レ
ジスト表面へのオゾン供給量が不十分となり、高い反応
速度を得ることができなかった。

【０００５】そこで、ウエハ等をオゾンが溶解された溶
液に浸漬させるディップ方式の洗浄方法の代わりに、処
理ガス例えばオゾンガスと溶媒の蒸気例えば水蒸気を用
いて、ウエハ等からレジストを除去する洗浄（エッチン
グ）方法が新規に提案されている。この洗浄（エッチン
グ）方法は、密閉された処理容器内に収容されたウエハ
等に、処理ガス例えばオゾンガスを供給して、ウエハ等
のレジストを除去する方法である。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
この種の基板処理装置においては、処理容器内に配設さ
れる溶媒蒸気供給ノズル内に溶媒蒸気の結露が発生し、
これがバクテリアやパーティクルの発生源となるばかり
か、溶媒蒸気の吐出時に結露水が飛散し、ウエハ等に付
着して洗浄（エッチング）むらを起こすという問題があ
った。また、従来のこの種の基板処理装置においては、
処理容器の上部内面に、溶媒蒸気の結露した水滴が付着
し、この水滴がウエハ等に落下して、パーティクルの発
生源となるばかりか、結露水が飛散して洗浄（エッチン
グ）むらを起こすという問題もあった。

【０００７】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、処理容器内におけるパーティクル等の発生源や洗浄
（エッチング）むら等の原因となる溶媒蒸気の結露を抑
制して処理効率の向上を図れるようにした基板処理装置
を提供することを目的とするものである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１記載の発明は、処理容器内に収容された被
処理基板に処理ガスと溶媒蒸気を供給して、被処理基板
を処理する基板処理装置であって、 前記処理容器内に
前記処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、前記処理
容器内に供給するための溶媒蒸気を生成する溶媒蒸気生
成手段と、前記処理容器内に配設されると共に、前記溶
媒蒸気生成手段に接続される溶媒蒸気供給ノズルとを具
備し、 前記溶媒蒸気供給ノズルは、適宜間隔をおいて
穿設される複数のノズル孔を有するノズル本体と、この
ノズル本体内の内部空間を加熱する加熱体とを具備する
ことを特徴とする。

【０００９】請求項２記載の発明は、請求項１記載の発
明と同様に、処理容器内に収容された被処理基板に処理
ガスと溶媒蒸気を供給して、被処理基板を処理する基板
処理装置であって、 前記処理容器内に前記処理ガスを
供給する処理ガス供給手段と、 前記処理容器内に供給
するための溶媒蒸気を生成する溶媒蒸気生成手段と、前
記処理容器内に配設されると共に、前記溶媒蒸気生成手
段に接続される溶媒蒸気供給ノズルとを具備し、 前記
溶媒蒸気供給ノズルは、適宜間隔をおいて穿設される複
数のノズル孔を有するノズル本体と、このノズル本体の
底部に設けられる排液孔とを具備することを特徴とす
る。

【００１０】請求項２記載の発明において、前記ノズル
本体内に、このノズル本体の内周面との間に隙間をおい
て溶媒蒸気生成手段に接続するインナーパイプを挿入
し、このインナーパイプにおけるノズル本体のノズル孔
と反対側に、適宜間隔をおいて連通孔を穿設する方が好
ましい（請求項３）。この場合、前記インナーパイプの
連通孔の間隔を、ノズル本体のノズル孔の間隔より長く
する方が好ましく（請求項４）、更に好ましくは、前記
連通孔の孔径を、ノズル孔の孔径より大径に形成する方
がよい（請求項５）。

【００１１】請求項６記載の発明は、請求項２記載の基
板処理装置において、 前記排液孔を、ノズル本体の先
端側に設けたことを特徴とする。

【００１２】請求項７記載の発明は、請求項２又は６記
載の基板処理装置において、 前記ノズル本体を、処理
容器内に収容され、適宜間隔をおいて配列された複数の
被処理基板被処理基板の側方に並設すると共に、排液孔
を、配列の端部に位置する前記被処理基板の配置範囲外
に設けたことを特徴とする。

【００１３】請求項８記載の発明は、請求項２、６又は
７記載の基板処理装置において、前記排液孔を、ノズル
本体の底部側周方向に複数設けたことを特徴とする。

【００１４】請求項９記載の発明は、請求項１ないし５
のいずれかに記載の基板処理装置にいて、 前記ノズル
本体のノズル孔を処理容器の内壁面に向かって開口させ
ことを特徴とする。

【００１５】請求項１０記載の発明は、請求項１又は２
記載の基板処理装置において、前記ノズル本体内に加熱
体を配設してなることを特徴とする。

【００１６】請求項１１記載の発明は、請求項１又は２
記載の発明と同様に、処理容器内に収容された被処理基
板に処理ガスと溶媒蒸気を供給して、被処理基板を処理
する基板処理装置であって、 前記処理容器内に前記処
理ガスを供給する処理ガス供給手段と、 前記処理容器
内に供給するための溶媒蒸気を生成する溶媒蒸気生成手
段と、 前記処理容器内に配設されると共に、前記溶媒
蒸気生成手段に接続される溶媒蒸気供給ノズルとを具備
し、 前記処理容器の上部内面を、中央から両側に向か
って下り傾斜状に形成してなることを特徴とする。この
場合、前記処理容器の上部にヒータを配設する方が好ま
しい（請求項１２）。

【００１７】前記請求項１、２又は１１記載の発明にお
いて、前記処理容器は、上部に被処理基板の搬入・搬出
口を有する容器本体と、シール部材を介して前記容器本
体の搬入・搬出口を密閉する容器カバーと、前記容器本
体と容器カバーを係脱可能に締結するロック機構とを具
備するものにて形成する方が好ましい（請求項１３）。
この場合、前記ロック機構は、容器本体及び容器カバー
に設けられたフランジの外方を囲繞するフレームと、こ
のフレームを直線方向に進退移動する移動手段と、前記
フレームの各辺部に取り付けられてフレームの進退移動
に伴って前記両フランジを密接又は接離移動可能にする
係脱部とを具備する方が好ましい（請求項１４）。

【００１８】請求項１，１０記載の発明によれば、溶媒
蒸気供給ノズルは、適宜間隔をおいて穿設される複数の
ノズル孔を有するノズル本体と、ノズル本体内の内部空
間を加熱する加熱体とを具備するので、ノズル本体内に
溶媒蒸気が結露するのを防止することができる。また、
溶媒蒸気の吐出時に結露水が飛散して被処理基板に付着
する恐れもない。したがって、ノズル本体内に結露が発
生することによるバクテリアの発生を抑制することがで
きると共に、溶媒蒸気の吐出時に結露水が飛散すること
によるパーティクルの発生を抑制することができる。

【００１９】請求項２記載の発明によれば、溶媒蒸気供
給ノズルは、適宜間隔をおいて穿設される複数のノズル
孔を有するノズル本体と、このノズル本体の底部に設け
られる排液孔とを具備するので、ノズル本体内の結露水
を排液孔から速やかにノズル本体の外部に排出すること
ができ、溶媒蒸気の噴出時に結露水が飛散するのを抑制
することができる。この場合、ノズル本体内に、このノ
ズル本体の内周面との間に隙間をおいて溶媒蒸気生成手
段に接続するインナーパイプを挿入し、このインナーパ
イプにおけるノズル本体のノズル孔と反対側に、適宜間
隔をおいて連通孔を穿設することにより、溶媒蒸気生成
手段から供給される溶媒蒸気がインナーパイプの連通孔
からノズル本体とインナーパイプとの隙間に流れた後、
ノズル孔から噴射される。したがって、各ノズル孔から
溶媒蒸気を均一に噴射することができる。また、排液孔
を、ノズル本体の先端側に設けることにより、インナー
パイプの連通孔から噴出する溶媒蒸気の勢いでノズル本
体の底部に溜まった結露水やインナーパイプの底部に溜
まった結露水がノズル本体の先端側に押されて行くの
で、結露水が先端側に溜まり易くなり、その位置から結
露水を容易に排出することができる（請求項６）。この
場合、ノズル本体を、処理容器内に収容され、適宜間隔
をおいて配列された複数の被処理基板被処理基板の側方
に並設すると共に、排液孔を、配列の端部に位置する被
処理基板の配置範囲外に設けることにより、排出された
結露水が処理容器内に発生する気流によって被処理体に
付着するのを防止することができる（請求項７）。

【００２０】また、ノズル体のノズル孔を処理容器の内
壁面に向かって開口させることにより、溶媒蒸気が直接
被処理体に接触するのを回避することができるので、更
にパーティクルの発生を抑制することができると共に、
洗浄（エッチング）の均一化を図ることができる（請求
項９）。

【００２１】請求項１１記載の発明によれば、処理容器
の上部内面を、中央から両側に向かって下り傾斜状に形
成することにより、処理容器の上部内面に付着した溶媒
蒸気の結露水を傾斜面にそって両側に流すことができる
ので、処理容器の上部内面に付着した溶媒蒸気の結露水
の水滴が落下して被処理基板に付着するのを防止するこ
とができる。したがって、パーティクルの発生を抑制す
ることができると共に、洗浄（エッチング）の均一性の
向上を図ることができる。この場合、処理容器の上部に
ヒータを配設することにより、処理容器の上部内面に付
着する溶媒蒸気の結露水の発生を抑制することができ
る。したがって、更にパーティクルの発生を抑制するこ
とができると共に、洗浄（エッチング）の均一性の向上
を図ることができる。

【００２２】請求項１３記載の発明によれば、処理容器
は、上部に被処理基板の搬入・搬出口を有する容器本体
と、シール部材を介して前記容器本体の搬入・搬出口を
密閉する容器カバーと、容器本体と容器カバーを係脱可
能に締結するロック機構とを具備するので、処理容器を
確実に密閉状態に維持することができ、処理効率の向上
を図ることができる。この場合、ロック機構は、容器本
体及び容器カバーに設けられたフランジの外方を囲繞す
るフレームと、このフレームを直線方向に進退移動する
移動手段と、フレームの各辺部に取り付けられてフレー
ムの進退移動に伴って両フランジを密接又は接離移動可
能にする係脱部とを具備することにより、容器本体と容
器カバーの締結及び締結解除を直線方向の進退移動によ
って容易に行うことができる（請求項１４）。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下に、この発明の実施の形態を
図面に基づいて詳細に説明する。この実施形態ではオゾ
ンガスを利用して半導体ウエハＷ（以下にウエハＷとい
う）からレジストを除去する場合について説明する。

【００２４】図１は、この発明に係る基板処理装置の一
例を示す概略断面図、図２は、基板処理装置の要部を示
す断面図、図３は、この発明における溶媒蒸気生成手段
を示す概略断面図、図４は、この発明における処理容器
の概略側面図である。

【００２５】前記基板処理装置は、ウエハＷの処理が行
われる処理容器１０と、処理容器１０内でウエハＷを保
持する保持手段としてのウエハガイド２０と、処理容器
１０内に溶媒の蒸気である水蒸気１を供給する溶媒蒸気
供給手段である水蒸気供給手段３０と、処理容器１０内
に処理ガスとして例えばオゾン（Ｏ_３）ガス２を供給す
る処理ガス供給手段であるオゾンガス供給手段４０と、
処理容器１０内にエアを供給するエア供給手段５０と、
処理容器１０の内部雰囲気を排気する内部排気手段６０
と、処理容器１０の周囲雰囲気を排気する周囲雰囲気排
出手段７０と、処理容器１０内から排気された内部雰囲
気中のオゾンを除去する後処理機構としてのオゾンキラ
ー８０と、処理容器１０内の液滴を排液する排液手段９
０とを具備している。

【００２６】処理容器１０は、複数例えば５０枚のウエ
ハＷを収容可能な大きさを有する容器本体１１と、この
容器本体１１の上端に形成された搬入・搬出口１４を開
放又は閉鎖する容器カバー１２と、容器本体１１と容器
カバー１２とを密閉状態に締結するロック機構２００と
で主に構成されている。

【００２７】容器カバー１２は、中央から両側に向かっ
て下り傾斜面１３を有する断面略逆Ｖ字状に形成されて
いる。このように、容器カバー１２の上部内面に、中央
から両側に向かって下り傾斜面１３を形成することによ
り、容器カバー１２の上部内面に水蒸気１の結露水が付
着するのを防止することができると共に、水蒸気１の液
滴が下部のウエハＷに落下してウエハＷに液滴が付着す
るのを防止することができる。

【００２８】また、容器カバー１２は、昇降機構１５に
よって昇降可能に形成されている。昇降機構１５は、制
御手段例えば中央演算処理装置１００（以下にＣＰＵ１
００という）に接続されている。ＣＰＵ１００からの制
御信号により、昇降機構１５が作動して、容器カバー１
２が開放又は閉鎖されるように構成されている。そし
て、容器カバー１２が上昇した際には、搬入・搬出口１
４は開放され、容器本体１１に対してウエハＷを搬入で
きる状態となる。容器本体１１にウエハＷを搬入して収
容した後、容器カバー１２が下降することで、搬入・搬
出口１４が塞がれる。この場合、容器本体１１の上端に
設けられたフランジ１１ａと容器カバー１２の下端に設
けられたフランジ１２ａの間の隙間は、エアの注入によ
って膨らむ伸縮式のシール部材１６によって密封され、
ロック機構２００によって容器カバー１２の閉塞状態が
保持されるように構成されている。したがって、処理容
器１０内は密封雰囲気となり、外部に気体が漏れない状
態となっている。

【００２９】このロック機構２００は、図５〜図８に示
すように、容器本体１１の上部外周側を包囲するように
配設される矩形状のフレーム２１０と、このフレーム２
１０を水平方向に移動する移動手段であるエアーシリン
ダ２２０とを具備し、フレーム２１０の各辺部にそれぞ
れ容器本体１１のフランジ１１ａと容器カバー１２のフ
ランジ１２ａに係脱可能に係合する第１〜第４の係脱部
２３０〜２６０が設けられている。

【００３０】このうち、第１の係脱部２３０は、フレー
ム２１０の先端側辺部２１１の両側２箇所に設けられて
いる。この場合、フレーム２１０に突設された取付ブラ
ケット２３１の先端に連結ピン２３２をもって略Ｈ字状
の連結リンク２３３が取り付けられ、この連結リンク２
３３の先端部にヒンジピン２３４をもって揺動リンク２
３５の下端部が枢着されると共に、枢支ピン２３６をも
って揺動リンク２３５の中間部が容器本体１１のフラン
ジ１１ａに設けられた取付溝１１ｂの両側に枢着されて
垂直方向に揺動可能に形成され、更に、揺動リンク２３
５の上端部の側方に取付ピン２３７をもって係止ローラ
２３８が回転可能に取り付けられている。なお、容器カ
バー１２のフランジ１２ａにおける揺動リンク２３５と
対向する部位には、揺動リンク２３５が侵入可能な切欠
き溝１２ｂが設けられている。このように構成すること
により、前記エアーシリンダ２２０の駆動に伴ってフレ
ーム２１０が先端側に移動することによって揺動リンク
２３５が処理容器１０側に回転（傾倒）して、揺動リン
ク２３５が切欠き溝１２ｂ内に侵入すると同時に容器カ
バー１２のフランジ１２ａの上面を係止ローラ２３８が
押圧することで、容器カバー１２のフランジ１２ａの先
端側を容器本体１１のフランジ１１ａに密接することが
できる。

【００３１】また、第２の係脱部２４０は、フレーム２
１０の基端側辺部２１２の両側２箇所に設けられてい
る。この場合、フレーム２１０に突設された二又状ブラ
ケット２４１の上部突出部２４２及び下部突出部２４３
の側方部にそれぞれ連結ピン２４４をもって係止ローラ
２４５が回転可能に取り付けられている（図８参照）。
このように構成することにより、前記エアーシリンダ２
２０の駆動に伴ってフレーム２１０が先端側に移動する
ことによって、両係止ローラ２４５が容器カバー１２の
フランジ１２ａの上面と容器本体１１のフランジ１１ａ
の下面に係合して、両フランジ１１ａ，１２ａを密接状
態に挟持することができる。

【００３２】また、第３及び第４の係脱部２５０，２６
０は、フレーム２１０の両側辺部２１３の３箇所の内側
に、容器カバー１２のフランジ１２ａの上面と容器本体
１１のフランジ１１ａの下面に係合可能に設けられてい
る。この場合、第３及び第４の係脱部２５０，２６０
は、側辺部２１３の先端部位２１４、中間部位２１５及
び基端部位２１６の３箇所の上下位置にそれぞれ連結ピ
ン２５１をもって回転可能に取り付けられる３組（６
個）の係止ローラ２５２，２５３，２５４にて形成され
ている。なお、フレーム２１０が後退した位置における
容器カバー１２のフランジ１２ａには、上部側の３個の
係止ローラ２５２，２５３，２５４との係合を回避する
切欠き溝１２ｃが設けられている。また、先端部位２１
４と中間部位２１５に取り付けられる係止ローラ２５
２，２５３の基端側近傍部位には、それぞれ切欠き溝１
２ｃ内に位置して容器本体１１のフランジ１１ａの上面
に係合するガイドローラ２５５が連結ピン２５６をもっ
て回転可能に取り付けられている。このように構成する
ことにより、前記エアーシリンダ２２０の駆動に伴って
フレーム２１０が先端側に移動することによって、フレ
ーム２１０の移動前に切欠き溝１２ｃの上方に位置して
いた係止ローラ２５２，２５３，２５４が切欠き溝１２
ｃからずれた容器カバー１２のフランジ１２ａの上面と
容器本体１１のフランジ１１ａの下面に係合して、両フ
ランジ１１ａ，１２ａを密接状態に挟持することができ
る。

【００３３】次に、上記ロック機構２００の動作態様に
ついて、図４〜図８を参照して説明する。まず、容器カ
バー１２が上方に位置しているときは、図７（ａ）に示
すように、エアーシリンダ２２０は収縮されてフレーム
２１０は基端側に位置している。この状態で、容器カバ
ー１２が下降されて、容器カバー１２のフランジ１２ａ
が容器本体１１のフランジ１１ａ上に当接し、容器本体
１１の開口部を閉塞する（図７（ｂ）参照）。容器カバ
ー１２が閉塞した後、エアーシリンダ２２０が伸長して
フレーム２１０が先端側に移動すると、フレーム２１０
の移動に伴って第１の係脱部２３０の揺動リンク２３５
が回転すると共に、揺動リンク２３５の上端部に取り付
けられた係止ローラ２３８が容器カバー１２のフランジ
１２aの先端部上面に係合する（図５、図７（ｃ）参
照）。また、第２の係脱部２４０の上下の係止ローラ２
４５が、容器カバー１２のフランジ１２ａの基部側の上
面と容器本体１１のフランジ１１ａの基部側の下面に係
合して、両フランジ１１ａ，１２ａを密接状態に挟持す
る（図４、図５参照）。また、第３及び第４の係脱部２
５０，２６０の３組（６個）の上下の係止ローラ２５
２，２５３，２５４が、容器カバー１２のフランジ１２
ａの両側の上面と容器本体１１のフランジ１１ａの両側
の下面に係合して、両フランジ１１ａ，１２ａを密接状
態に挟持する（図５、図７（ｃ）参照）。この状態にお
いて、容器カバー１２は容器本体１１の開口部に密閉状
態にロックされる。

【００３４】なお、ロック状態を解除する場合は、エア
ーシリンダ２２０を収縮側に作動して、フレーム２１０
を基端側に移動すればよい。すなわち、エアーシリンダ
２２０を収縮側に作動して、フレーム２１０を基端側に
移動すると、第１の係脱部２３０の揺動リンク２３５
は、反対方向に回転して、係止ローラ２３８を容器カバ
ー１２のフランジ１２ａの上面から後退する（図７
（ｂ）参照）。また、第２の係脱部２４０の上下の係止
ローラ２４５は、容器カバー１２のフランジ１２ａの基
部側の上面と容器本体１１のフランジ１１ａの基部側の
下面から後退する（図８（ｂ）参照）。また、第３及び
第４の係脱部２５０，２６０の３組（６個）の上下の係
止ローラ２５２，２５３，２５４は、容器カバー１２の
フランジ１２ａの両側に設けられた切欠き溝１２ｃの上
方に移動する。これにより、容器カバー１２は開閉可能
となり、上記昇降機構１５の作動によって上方に移動さ
れて容器本体１１を開放する。

【００３５】なお、容器本体１１の外周面にはラバーヒ
ータ１７が取り付けられ、容器カバー１２の外周面及び
容器本体１１の底面にはラバーヒータ１８，１９が取り
付けられている。これらラバーヒータ１７，１８，１９
は、図示しない電源に接続されて、電源からの給電によ
って発熱し、処理容器１０の内部雰囲気を所定温度（例
えば８０℃〜１２０℃の範囲内）に維持し得るように構
成されている。この場合、処理容器１０内の温度を温度
センサＴＳ1にて検出し、その検出温度に基づいてＣＰ
Ｕ１００からの制御信号によってラバーヒータ１７，１
８，１９が発熱することで、処理容器１０の内部雰囲気
を所定温度（例えば８０℃〜１２０℃の範囲内）に加熱
することができる。また、ラバーヒータ１７，１８，１
９によって処理容器１０内の結露防止が図られる。この
場合、容器カバー１２の外周面に配設されるラバーヒー
タ１８によって容器カバー１２の内面に付着する結露水
を抑制してウエハＷへの結露水の付着を更に抑制してい
る。

【００３６】前記ウエハガイド２０は、図４に示すよう
に、ガイド部２１と、このガイド部２１に水平状態に固
着された互いに平行な３本の保持部材２２とで主に構成
されている。この場合、各保持部材２２に、ウエハＷの
周縁下部を保持する溝（図示せず）が等間隔に５０箇所
形成されている。したがって、ウエハガイド２０は、５
０枚（ウエハキャリア２個分）のウエハＷを等間隔で配
列させた状態で保持することができる。また、ウエハガ
イド２０は、ガイド部２１に連なるシャフト２３が容器
カバー１２の頂部に設けられた透孔（図示せず）内に摺
動可能に貫通されており、透孔とシャフト２３との間に
は、エアの注入により膨らむ伸縮式のシール部材２４が
介在されて、処理容器１０内の気水密が維持できるよう
に構成されている。

【００３７】前記水蒸気供給手段３０は、純水供給源３
１に接続する純水供給管路３２と、純水供給管路３２か
ら供給された純水を気化して水蒸気１を発生させる溶剤
蒸気生成手段である水蒸気発生器３３と、水蒸気発生器
３３内の水蒸気１を供給する水蒸気供給管路３４と、水
蒸気供給管路３４から供給された水蒸気１を処理容器１
０内に吐出する水蒸気ノズル３５とで主に構成されてい
る。

【００３８】この場合、純水供給管路３２の一端は純水
供給源３１に接続されている。また、純水供給管路３２
には、純水供給源３１側から順に開閉弁Ｖ０と流量コン
トローラＦＭ０が介設されている。これら開閉弁Ｖ０と
流量コントローラＦＭ０は、制御手段であるＣＰＵ１０
０からの制御信号に基づいて制御されるようになってい
る。すなわち、開閉弁Ｖ０は、純水を流すか否かの開閉
制御され、また、流量コントローラＦＭ０は、純水の流
量を調整すべく開度が制御されるようになっている。

【００３９】また、水蒸気発生器３３は、図３に示すよ
うに、純水を供給する容器である密閉式のタンク３６
と、このタンク３６内の中央部にタンク３６の深さ方向
すなわち垂直状に配設されるヒータ３７と、タンク３６
内の水蒸気の圧力を検出する圧力検出手段である圧力セ
ンサＰＳ2と、タンク３６内の純水の液面を検出する補
充開始センサ３８ａ、補充停止センサ３８ｂ及び上限セ
ンサ３８ｃを具備している。このように構成される水蒸
気発生器３３において、タンク３６内に供給される純水
は、その量に応じて加熱調節されて所定量の水蒸気１が
生成されるようになっている。すなわち、タンク３６内
に供給される純水とヒータ３７との接触面積に応じたヒ
ータ３７の熱により純水が気化されて水蒸気１の生成
（発生）量が調節されるようになっている。

【００４０】この場合、前記各センサ３８ａ〜３８ｃは
ＣＰＵ１００に接続されており、タンク３６内の純水の
液面が補充開始センサ３８ａによって検出されたとき、
その検出信号をＣＰＵ１００に伝達し、ＣＰＵ１００か
らの制御信号によって開閉弁Ｖ０が開放してタンク３６
内に純水が補充される。また、補充停止センサ３８ｂに
よってタンク３６内の純水の液面が検出されたとき、そ
の検出信号をＣＰＵ１００に伝達し、ＣＰＵ１００から
の制御信号によって開閉弁Ｖ０が閉止してタンク３６内
への純水の補充が停止される。したがって、タンク３６
内に常時所定量の純水が収容されるようになっている。
なお、上限センサ３８ｃは、タンク３６内に純水が満杯
になった際の異常事態を検出するものであり、この上限
センサ３８ｃの検出信号に基づいてＣＰＵ１００からの
制御信号が例えばアラーム（図示せず）に伝達されるよ
うになっている。また、タンク３６内には、液体状態の
溶媒である水の温度を検出する第１の温度センサＴＳａ
が配設されると共に、ヒータ３７の温度調整用の第２の
温度センサＴＳｂと、ヒータ３７の過昇温を検知する過
昇温防止用の第３の温度センサＴＳｃが配設されてい
る。これら第１〜第３の温度センサＴＳａ〜ＴＳｃはＣ
ＰＵ１００に接続されており、第２の温度センサＴＳｂ
は水蒸気の発生量を監視でき、また、第１、第３の温度
センサＴＳａ，ＴＳｃは、後述するように、水蒸気の圧
力を監視できるようになっている。

【００４１】また、水蒸気発生器３３において、生成さ
れた水蒸気の圧力が圧力検出手段である圧力センサＰＳ
2にて検出され、その検出信号が前記ＣＰＵ１００に伝
達されるようになっている。この圧力センサＰＳ2によ
って検出される圧力によって純水の沸騰状態が検出され
る。圧力が高い程水蒸気１が増量するので、水蒸気発生
器３３のヒータ３７の発熱容量を最大にしておく方が望
ましい。所定量の水蒸気１の供給を円滑にすることがで
きるからである。

【００４２】また、水蒸気発生器３３と水蒸気ノズル３
５とを接続する水蒸気供給管路３４の途中には第１の開
閉手段である第１の開閉弁Ｖ１（以下に第１開閉弁Ｖ１
という）が介設されている。この水蒸気供給管路３４に
おける第１開閉弁Ｖ１の上流側（タンク３６側）には、
後述するミストトラップ９５に接続される排出管路３９
が分岐されており、この排出管路３９に第２の開閉手段
である第２の開閉弁Ｖ２（以下に第２開閉弁Ｖ２とい
う）が介設されている。なお、第２開閉弁Ｖ２の上流側
と下流側にはバイパス管路３９Ａが接続され、このバイ
パス管路３９Ａに水蒸気発生部３３内の圧力が所定値よ
り高くならないように圧力開放弁（安全弁）ＣＶ０が介
設されている。例えば、この所定値とは、タンク３６の
耐圧値又は開閉弁Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３等の耐圧値の限界値
より小さく設定される。また、第１及び第２開閉弁Ｖ
１，Ｖ２の上流側には、開閉弁Ｖ３及びフィルタＦ０を
介して大気側に連通する大気連通管路３９ｂが接続され
ており、水蒸気発生器３３内の水を抜く時に空気の取入
口となるように構成されている。なお、排出管路３９
は、前述の圧力開放弁ＣＶ０を通ってきた水蒸気１や、
後述するように第２の開閉弁Ｖ２を開閉させて水蒸気発
生器３３内の熱気圧力を所定範囲に維持する際に開閉弁
Ｖ２を通過した水蒸気１をミストトラップ９５に排気す
るように構成されている。

【００４３】前記第１及び第２開閉弁Ｖ１，Ｖ２は、そ
れぞれＣＰＵ１００に接続されており、ＣＰＵ１００か
らの制御信号に基づいて開閉動作が制御されるように構
成されている。この場合、処理容器１０内に供給される
水蒸気１の供給量の最低量（しきい値）に応じて第１，
第２開閉弁Ｖ１，Ｖ２が開閉制御される。また、ＣＰＵ
１００は、処理容器１０内に配設された容器圧力検出手
段である圧力センサＰＳ2とも接続されており、圧力セ
ンサＰＳ2によって検出される処理容器１０内の圧力
と、水蒸気発生器３３にて生成された水蒸気の圧力とを
比較して、第１及び第２開閉弁Ｖ1，Ｖ2が開閉制御され
る。このように構成することによって、処理容器１０内
の圧力と同等以上の圧力の水蒸気１を処理容器１０内に
供給することができる。なお、予め、ＣＰＵ１００に処
理時の処理容器１０内の圧力をデータとして記憶させて
おけば、このデータと、水蒸気発生器３３にて生成され
た水蒸気の圧力とを比較して、第１及び第２開閉弁Ｖ
1，Ｖ2を開閉制御することができる。

【００４４】前記水蒸気ノズル３５は、図９に示すよう
に、内部にスペーサ３５ｉを介して加熱体であるヒータ
３５ｈが挿入されたパイプ状のノズル本体３５ａの一端
部に、水蒸気供給管路３４を接続する雌ねじ部３５ｂ
と、取付フランジ３５ｃを設け、先端部に、Ｏリング３
５ｄの嵌合溝３５ｅを周設してなり、ノズル本体３５ａ
の一側面に適宜間隔をおいて多数の水蒸気噴射孔３５ｆ
（ノズル孔）を穿設し、かつ、他側面側に適宜間隔を置
いて複数例えば３個の排液孔３５ｊを穿設した構造とな
っている。この水蒸気ノズル３５は、先端部にＯリング
３５ｄを介してキャップ３５ｇを閉塞すると共に、図示
しない取付ねじをもって取付フランジ３５ｃを処理容器
１０の容器本体１１に固定することで、処理容器１０内
に水平状に配設される。この際、水蒸気噴射孔３５ｆは
処理容器１０の内壁面側に向かって所定の傾斜角度例え
ば、鉛直上向きを中心点として約４５度の位置に設定さ
れている。このように、水蒸気噴射孔３５ｆを処理容器
１０の内壁面側に向けた理由は、水蒸気が直接ウエハＷ
に吹き付けられてウエハＷ上に液滴が発生することを防
止するようにしたためである。また、ノズル孔３５ｆを
内壁面側でかつ斜め上側に向けたことにより、水蒸気が
内壁を上昇して行き、処理容器１０の上部において、後
述するオゾンガスノズル４３から噴射されるオゾンガス
と混合され、かつ混合されたガスが下向きの気流となっ
てウエハＷに供給される。

【００４５】前記のようにノズル本体３５ａ内にヒータ
３５ｈを挿入することにより、ヒータ３５ｈによってノ
ズル本体３５ａ内の内部空間を加熱するので、ノズル本
体３５ａ内に水蒸気が結露するのを防止することができ
ると共に、水蒸気の吐出時に結露水が飛散してウエハＷ
に付着する恐れもない。したがって、ノズル本体内に結
露が発生することによるバクテリアの発生を抑制するこ
とができると共に、水蒸気の吐出時に結露水が飛散する
ことによるパーティクルの発生を抑制することができ
る。

【００４６】また、水蒸気ノズル３５の水蒸気噴射孔３
５ｆを処理容器１０の内壁面に向かって開口させること
により、水蒸気が直接ウエハＷに接触するのを回避する
ことができるので、更にパーティクルの発生を抑制する
ことができると共に、洗浄（エッチング）の均一化を図
ることができる。更にまた、ノズル本体３５ａの底部に
結露水の排液孔３５ｊが設けられているので、ノズル本
体３５ａ内に貯留した結露水を速やかにノズル本体３５
ａの外部に排出することができ、水蒸気の吐出時に結露
水が飛散するのを更に抑制することができる。

【００４７】一方、オゾンガス供給手段４０は、オゾン
ガス生成手段４１と、オゾンガス生成手段４１からのオ
ゾンガス２を供給するオゾンガス供給管路４２と、オゾ
ンガス供給管路４２からのオゾンガス２を処理容器１０
内に吐出するオゾンガスノズル４３とで主に構成されて
いる。

【００４８】この場合、オゾンガス生成手段４１は、図
２に示すように、原料となる基ガスとしての酸素
（Ｏ_２）を、高周波電源４４に接続されて高周波電圧が
印加される放電電極４５，４６間を通過させることで、
オゾン（Ｏ_３）を生成している。これら高周波電源４４
と放電電極４５，４６とを接続する電気回路４７には、
スイッチ４８が介設されている。スイッチ４８は、制御
手段であるＣＰＵ１００からの制御信号に基づいて制御
されるようになっている。すなわち、スイッチ４８は、
オゾンを生成するか否か制御されるようになっている。
また、オゾンガス供給管路４２には、オゾンガス生成手
段４１側に開閉弁Ｖ４が介設されている。この開閉弁Ｖ
４は、制御手段であるＣＰＵ１００からの制御信号に基
づいて制御されるようになっている。すなわち、開閉弁
Ｖ４は、オゾンガスを流すか否かによって開閉制御され
るようになっている。

【００４９】前記オゾンガスノズル４３は、図１０及び
図１１に示すように、一側面に適宜間隔をおいて多数の
オゾン噴射孔４３ａを穿設したアウターパイプ４３ｂ
と、一側面に適宜間隔をおいて複数例えば３個の連通孔
４３ｃを穿設し、アウターパイプ４３ｂ内に隙間をおい
て挿入されるインナーパイプ４３ｄとで主に構成されて
いる。この場合、インナーパイプ４３ｄは、一端が開口
し、他端が閉塞するオゾンガス通路４３ｅを有し、オゾ
ンガス通路４３ｅに前記３個の連通路４３ｃが連通され
ている。また、インナーパイプ４３ｄの一端部は、アウ
ターパイプ４３ｂの外方に突出しており、オゾンガス供
給管路４２と接続する雌ねじ部４３ｇと、取付フランジ
４３ｈが設けられ、また、他端部には、アウターパイプ
４３ｂとの間の隙間を閉塞する塞ぎ板４３ｉが装着され
ている。

【００５０】このように構成されるインナーパイプ４３
ｄは、オゾン噴射孔４３ａに対して反対側に連通孔４３
ｃが位置するようにアウターパイプ４３ｂ内に挿入され
て固定された状態で、図示しない取付ねじをもって取付
フランジ４３ｈを処理容器１０の容器本体１１に固定す
ることで、オゾン噴射孔４３ａが処理容器１０の内壁面
側に向かって所定の傾斜角度例えば約４５度の位置に設
定された状態で処理容器１０内に水平状に配設される。

【００５１】このように、オゾン噴射孔４３ａに対して
反対側に連通孔４３ｃが位置するようにした理由は、オ
ゾンガス生成手段４１から供給されるオゾンガスを、連
通路４３ｆから連通孔４３ｃを介してアウターパイプ４
３ｂとインナーパイプ４３ｄとの隙間４３ｊ内に流して
隙間４３ｊ内を迂回させた後に、オゾン噴射孔４３ａか
ら処理容器１０内に噴射することで、各オゾン噴射孔４
３ａから均一にオゾンガスを噴射できるようにしたため
である。

【００５２】また、オゾン噴射孔４３ａを処理容器１０
の内壁面側に向かって所定の傾斜角度例えば約４５度の
位置に設定した理由は、オゾンガスが直接ウエハＷ表面
に吹き付けられるのを防止するためである。

【００５３】一方、エア供給手段５０は、エアを供給す
る第１のエア供給管路５１と、この第１のエア供給管路
５１から供給されたエアを加熱してホットエア３を発生
させるホットエアジェネレータ５２と、ホットエアジェ
ネレータ５２内のホットエア３を供給する第２のエア供
給管路５３と、第２のエア供給管路５３から供給された
ホットエア３を吐出するエアノズル５４とを具備してい
る。また、エア供給手段５０には、前記第１のエア供給
管路５１と第２のエア供給管路５３に接続されるパージ
用のエア供給管路５１Ａと、エジェクタ６３を作動させ
てパージする際のエア供給管路５１Ｂとが平行に配設さ
れている。

【００５４】この場合、第１のエア供給管路５１の一端
には、エア供給源５５が接続されいる。また、第１のエ
ア供給管路５１には、エア供給源５５側から順に流量コ
ントローラＦＭ１、フィルタＦ１及び開閉弁Ｖ５とが介
設されている。これら開閉弁Ｖ５と流量コントローラＦ
Ｍ１は、制御手段であるＣＰＵ１００に接続されて、Ｃ
ＰＵ１００からの制御信号に基づいてエアの供給の正否
が制御されると共に、エアの供給量が制御されるように
なっている。また、ホットエアジェネレータ５２の内部
には、エアを加熱するヒータ５６が配設されている。ま
た、第２のエア供給管路５３には、開閉弁Ｖ６が介設さ
れている。この開閉弁Ｖ６は、制御手段であるＣＰＵ１
００によって制御されるようになっている。

【００５５】また、パージ用のエア供給管路５１Ａとエ
ジェクタパージ用のエア供給管路５１Ｂには、それぞれ
エア供給源５５側から順に流量コントローラＦＭ２，Ｆ
Ｍ３、フィルタＦ２，Ｆ３及び開閉弁Ｖ７，Ｖ８とが介
設されている。これら開閉弁Ｖ７，Ｖ８と流量コントロ
ーラＦＭ２，ＦＭ３は、制御手段であるＣＰＵ１００に
接続されて、ＣＰＵ１００からの制御信号に基づいてエ
アの供給の正否が制御されると共に、エアの供給量が制
御されるようになっている。なお、エジェクタ６３を動
作させて処理容器１０内をパージさせる場合は、通常エ
ジェクタ６３の流量が決まっているので、それに合わせ
た流量をエジェクタパージ用のエア供給管路５１Ｂから
送っている。なお、通常のパージ用のエア供給管路５１
Ａを流れるクールエアの流量がエジェクタの流量と合う
場合は、エア供給管路５１Ｂを設けなくてもよい。

【００５６】前記エアノズル５４は、図１２及び図１３
に示すように、一側面に適宜間隔をおいて多数のエア噴
射孔５４ａを穿設したアウターパイプ５４ｂと、このア
ウターパイプ５４ｂ内に隙間をおいて挿入されるインナ
ーパイプ５４ｃとを具備している。この場合、インナー
パイプ５４ｃには、アウターパイプ５４ｂに設けられた
エア噴射孔５４ａと対向する一側面にスリット孔５４ｄ
が穿設されている。また、インナーパイプ５４ｃの一端
部は、アウターパイプ５４ｂの外方に突出しており、こ
の突出側の端部に第２のエア供給管路５３を接続する雌
ねじ部５４ｅが設けられると共に、取付フランジ５４ｆ
が設けられている。また、インナーパイプ５４ｃの他端
部は、処理容器１０の容器本体１１の側壁に固定される
固定部材５４ｇに設けられた貫通孔５４ｈ内に挿入され
る連結ねじ５４ｉをもって連結されている。

【００５７】このように構成されるエアノズル５４は、
図示しない取付ねじをもって取付フランジ５４ｆを処理
容器１０の容器本体１１に固定すると共に、連結ねじ５
４ｉを調節することで、エア噴射孔５４ａが処理容器１
０の内壁面側に向かって所定の傾斜角度例えば約４５度
の位置に設定された状態で、処理容器１０内のウエハＷ
の下部両側に水平状に配設される。なお、エア噴射孔５
４ａを処理容器１０の内壁面側に向かって所定の傾斜角
度例えば約４５度の位置に設定した理由は、エアが直接
ウエハＷ表面に吹き付けられるのを防止するためであ
る。

【００５８】排気手段９０は、処理容器１０の底部に接
続される第１の排気管路９１と、この第１の排気管路９
１に接続する冷却部９２と、この冷却部９２の下流側に
接続する液溜部９５ａとからなるミストトラップ９５
と、液溜部９５ａの底部に接続された第２の排液管路９
３とを具備している。また、排気管路９１には、開閉弁
Ｖ９が介設されており、この開閉弁Ｖ９の上流側及び下
流側に接続するバイパス管路９４に開閉弁Ｖ９と反対の
開閉動作を行う補助開閉弁Ｖ10が介設されている。ま
た、第２の排液管路９３には、開閉弁Ｖ11が介設されて
いる。なお、液中にオゾンが残存する恐れがあるので、
第２の排液管路９３は、工場内の酸専用の排液系１２３
（ＡＣＩＤ ＤＲＡＩＮ）に連通されている。

【００５９】なお、ミストトラップ９５には、下から順
に、空防止センサ９６、排液開始センサ９７、排液停止
センサ９８、液オーバーセンサ９９が配置されている。
この場合、図示しないが、前記開閉弁Ｖ９，Ｖ10，Ｖ11
及び各センサ９６，９７，９８，９９は、制御手段であ
るＣＰＵ１００に接続されている。そして、センサ９
６，９７，９８，９９からの検出信号に基づいて開閉弁
Ｖ９，Ｖ10，Ｖ11が開閉制御されるようになっている。
すなわち、処理時には、開閉弁Ｖ９が閉じる一方、開閉
弁Ｖ10が開いて処理容器１０内から少量のオゾンガス、
水蒸気を排気して処理容器１０内の圧力を調整する。ま
た、処理後には、開閉弁Ｖ10が閉じる一方、開閉弁Ｖ９
が開いて排気する。また、液滴がミストトラップ９５内
にある程度溜められ、液面が排液開始センサ９７にて検
出されると、排液開始センサ９７からの検出信号がＣＰ
Ｕ１００に伝達され、ＣＰＵ１００からの制御信号によ
って開閉弁Ｖ11を開放して排液が開始され、液面が排液
停止センサ９８にて検出されると、排液停止センサ９８
からの検出信号がＣＰＵ１００に伝達され、ＣＰＵ１０
０からの制御信号によって開閉弁Ｖ11を閉止して排液が
停止される。また、液面の高さが液オーバーセンサ９９
まで達すると、液オーバーセンサ９８からの警告信号が
ＣＰＵ１００に入力される。一方、液面が空防止センサ
９６より下回っている場合には、空防止センサ９６から
禁止信号がＣＰＵ１００に入力され、ＣＰＵ１００から
の制御信号によって開閉弁Ｖ11を閉じるように構成され
ている。この空防止センサ９６によって液滴が全て流れ
てミストトラップ９５内が空になり、オゾンガス２が工
場内の酸専用の排液系に漏出する事態を防止することが
できる。

【００６０】また、ミストトラップ９５の上部には排気
管路１１０が接続されており、この排気管路１１０に順
次オゾンキラー８０と排気マニホールド８１が介設され
ている。

【００６１】前記ミストトラップ９５は、気体と液体と
を分離して排出するように構成されている。すなわち、
第１の排気管路９１を介して処理容器１０内から排出さ
れる水蒸気１及びオゾンガス２が、冷却部９２を介して
ミストトラップ９５に流れるようになっている。この場
合、冷却部９２には、冷却水供給管路９２ａにより冷却
水が供給されているので、処理容器１０内から排気され
た水蒸気１は、冷却部９２内を通過する間に冷却されて
凝縮される。水蒸気１が凝縮して液化した液滴は、ミス
トトラップ９５に滴下される。一方、オゾンガス２は、
そのままミストトラップ９５内に導入される。このよう
にして、処理容器１０から排気された内部雰囲気を、オ
ゾンガス２と液滴に分離し、分離されたオゾンガス２
は、排気管路１１０に排気され、液滴は、第２の排液管
路９３に排液されるようになっている。また、水蒸気発
生器３３から排出された水蒸気１及び純水は、開閉弁Ｖ
12を介設して排出管路３９に接続する排出管路３９ｃ
と、逆止弁ＣＶ１介設した排出管路３９を介してミスト
トラップ９５に導入される。純水は、そのまま排出管路
３９内を流れてミストトラップ９５に滴下される。水蒸
気１は、冷却部９２内を通過する間に冷却されて凝縮さ
れ、液滴になってミストトラップ９５に滴下される。な
お、開閉弁Ｖ12は、制御手段であるＣＰＵ１００に接続
され、ＣＰＵ１００からの制御信号によって開閉制御さ
れるように構成されている。

【００６２】オゾンキラー８０は、加熱によりオゾンを
酸素に熱分解するように構成されている。このオゾンキ
ラー８０の加熱温度は、例えば４００℃以上に設定され
ている。なお、オゾンキラー８０は、工場内の無停電電
源装置（図示せず）に接続され、停電時でも、無停電電
源装置から安定的に電力供給が行われるように構成する
方が好ましい。停電時でも、オゾンキラー８０が作動
し、オゾンを除去して安全を図ることができるからであ
る。

【００６３】また、オゾンキラー８０には、オゾンキラ
ー８０の作動状態を検出する作動検出手段としての温度
センサ（図示せず）が設けられている。この温度センサ
は、オゾンキラー８０の加熱温度を検出するように構成
されている。また、温度センサは、制御手段であるＣＰ
Ｕ１００に接続されており、温度センサからの検出信号
がＣＰＵ１００に伝達され、温度センサからの検出信号
に基づいて、オゾンを除去するのにオゾンキラー８０に
十分な準備が整っているか判断するようになっている。
オゾンキラー８０によって熱分解されたホットエアは、
工場のホットエア専用の排気系１２０（ＨＯＴ ＡＩＲ
ＥＸＡＵＳＴ）から排気される。また、オゾンキラー
８０によって熱分解された液は、工場の専用の排液系１
２１（ＣＯＯＬＩＮＧ ＷＡＴＥＲ ＯＵＴ）から排液
される。

【００６４】排気マニホールド８１は、装置全体の排気
を集合して行うように構成されている。また、排気マニ
ホールド８１には、処理装置背面の雰囲気を取り込むた
めの配管（図示せず）が複数設置され、処理装置からオ
ゾンガス２が周囲に拡散するのを防止している。更に、
排気マニホールド８１は、工場内の酸専用の排気系１２
２（ＡＣＩＤ ＥＸＴＨＡＵＳＴ）に接続されており、
酸専用の排気系に流す前の各種排気の合流場所として機
能するようになっている。

【００６５】また、排気マニホールド８１には、オゾン
濃度を検出する濃度センサ（図示せず）が設けられてい
る。排気マニホールド８１に設けられた濃度センサは、
制御手段であるＣＰＵ１００に接続されており、濃度セ
ンサからの検出信号がＣＰＵ１００に伝達され、ＣＰＵ
１００にて、濃度センサにより検出されたオゾン濃度に
基づいて、オゾンキラー８０のオゾン除去能力を把握
し、例えばオゾンキラー８０の故障によるオゾンガス２
の漏洩を監視するようになっている。

【００６６】内部排気手段６０は、処理容器１０内に設
けられた排気部６１と、この排気部６１と前記排気管路
１１０を接続する強制排気管路６２と、強制排気管路６
２に介設される第１の排気開閉弁Ｖ13と、この第１の排
気開閉弁Ｖ13の下流側に介設されるエジェクタ機構を具
備する強制排気機構６３とで主に構成されている。ま
た、処理容器１０の下部と強制排気管路６２の第１の排
気開閉弁Ｖ13の下流側には万一処理容器１０の圧力が異
常に高くなったときに処理容器１０内の雰囲気を解放さ
せるための安全弁ＣＶ２を介設した補助排気管路６８が
接続されている。また、強制排気管路６２の第１の排気
開閉弁Ｖ13の上流側と前記排気管路１１０におけるオゾ
ンキラー８０とマニホールド８１との間には分岐排気管
路６４が接続されており、この分岐排気管路６４には、
第２の排気開閉弁Ｖ14とダンパ６５が介設され、また、
ケース７１内の排気を行うための排気管路６４ａも介設
されている（図１参照）。

【００６７】この場合、前記第１の排気開閉弁Ｖ13、第
２の排気開閉弁Ｖ14及びダンパ６５は、制御手段である
ＣＰＵ１００に接続されて、ＣＰＵ１００からの制御信
号に基づいて作動制御されるように構成されている。

【００６８】また、強制排気機構６３は、前記エア供給
手段５０のエア供給源５５から供給されるエアを強制排
気管路６２の一部に供給することによって生じる負圧を
利用して処理容器１０内の水蒸気及びオゾンガスを強制
的に吸引排気し得るように構成されている。このように
構成される強制排気機構６３は、制御手段であるＣＰＵ
１００に接続されて、ＣＰＵ１００からの制御信号に基
づいて作動制御されるように構成されている。

【００６９】排液手段７０は、処理容器１０の周囲を包
囲するケース７１と、このケース７１の下部に一端が接
続され、他端が工場内の酸専用の排液系１２３（ＡＣＩ
ＤＤＲＡＩＮ）に接続される排液管路７２を具備してい
る。

【００７０】この場合、ケース７１では、上方から清浄
なエアのダウンフローが供給されており、このダウンフ
ローにより、ケース７１の内部雰囲気、すなわち処理容
器１０の周囲雰囲気が外部に漏れるのを防止すると共
に、下方に押し流されて排気管路６４ａ並びに排液管路
７２に流入し易いようにしている。なお、ケース７１に
は、処理容器１０の周囲雰囲気中のオゾン濃度を検出す
る周囲の濃度検出手段としての濃度センサ（図示せず）
が設けられている。この濃度センサは、制御手段である
ＣＰＵ１００に接続されており、濃度センサからの検出
信号がＣＰＵ１００に伝達され、濃度センサにより検出
されたオゾン濃度に基づいてオゾンガス２の漏れを感知
するようになっている。

【００７１】また、排液管路７２には、前記強制排気管
路６２の強制排気機構６３の下流側に介設されたミスト
セパレータ６６によって分離された排液を流す排液管６
７が接続されている。なお、この排液管６７には、開閉
弁Ｖ15が介設されている。また、排液管路７２には、前
記ミストトラップ９５に接続する第２の排液管路９３が
接続されている。

【００７２】次に、この発明に係る基板処理装置の作動
態様について説明する。まず、図示しないウエハ搬送手
段によって搬送された複数例えば５０枚のウエハＷを、
処理容器１０の容器本体１１の上方に上昇するウエハガ
イド２０に受け渡し、次いで、ウエハガイド２０が下降
した後、容器カバー１２が閉鎖してウエハＷを処理容器
１０内に密封状態に収容する。

【００７３】処理容器１０内にウエハＷを収容した状態
において、最初に、エア供給手段５０の開閉弁Ｖ６が開
放されると共に、ホットエアジェネレータ５２が作動し
て、処理容器１０内に約２８０℃に加熱されたホットエ
ア３が供給され、ウエハＷ及び処理容器１０の雰囲気温
度を常温（２５℃）から所定の温度（例えば８０℃〜９
０℃）に昇温する。

【００７４】次に、オゾンガス供給手段であるオゾンガ
ス生成手段４１が作動して供給される酸素（Ｏ_２）に高
周波電圧を印加してオゾン（Ｏ_３）ガスを生成すると共
に、開閉弁Ｖ４が開放して、オゾンガス２を処理容器１
０内に供給することで、ウエハＷ及び処理容器１０内の
雰囲気を予備加圧する。このとき、オゾン濃度が約９％
ｗｅｔ（体積百分率）のオゾンガス２を、約１０リット
ル／分供給することで、処理容器１０内の圧力を、零調
整された大気圧（０．１ＭＰａ）より０．０１ＭＰａ〜
０．０３ＭＰａ高い圧力とすることができる。これによ
り、処理容器１０内をオゾンガス２のみの雰囲気にする
ことができるので、ウエハＷの表面に安定した酸化膜が
形成され、金属腐食を防止することができる。

【００７５】処理容器１０内の予備加圧を所定時間（例
えば１〜２分）行った後、オゾンガス供給手段すなわち
オゾンガス生成手段４１を作動した状態で、水蒸気供給
手段３０を作動させて、処理容器１０内に水蒸気１を供
給して、水蒸気１（溶媒蒸気）とオゾンガス（処理ガ
ス）との反応により生じた反応物質によってウエハＷの
処理すなわちレジストの除去のための処理を行う。この
際、水蒸気供給手段３０を作動させてから処理容器１０
内に水蒸気を供給するまでの間、例えば、処理容器１０
内の圧力センサＰＳ１の値Ｐ１と、水蒸気発生器３３内
の圧力センサＰＳ２の値Ｐ２とを比較して、処理容器１
０内の圧力の方が水蒸気発生器３３内の圧力より高い場
合（Ｐ１＞Ｐ２）、水蒸気発生器３３内の圧力の方を高
くして（Ｐ１＞Ｐ２）、水蒸気を処理容器１０内に供給
できるよう開閉弁Ｖ１，Ｖ２の開閉を制御する。具体的
には、水蒸気発生器３３内の圧力を圧力センサＰＳ２で
モニタしながら、第１の圧力値Ｐｘまで開閉弁Ｖ１，Ｖ
２共に閉じておく、これによって次第に水蒸気発生器３
３内で水蒸気量が増加していき、第１の圧力値Ｐｘに到
達する。ここで、開閉弁Ｖ１は閉じたまま、例えば開閉
弁Ｖ２を一定時間（例えば１ｓｅｃ）開放し、水蒸気発
生器３３内の圧力（水蒸気）を放出して水蒸気発生器３
３内の圧力を第２の圧力値Ｐｙまで低下させる。なお、
この場合、排出管路３９には オソフィス３９ａが介設
されているので、水蒸気発生器３３内の圧力が急激に低
下するのを抑制することができる。また、処理容器１０
内に水蒸気を供給するときまで、開閉弁Ｖ１を閉じたま
まにして、上記作動（制御）を繰り返して、水蒸気発生
器３３内の圧力値ＰｘからＰｙの間に維持する。ここ
で、第１の圧力値Ｐｘと第２の圧力値Ｐｙの値は、共に
処理容器１０内に圧力Ｐ１よりも高く設定されており、
Ｐ１＜Ｐｙ＜Ｐｘの関係が成り立つ。また、処理容器１
０内への水蒸気の供給開始以降の制御は、まず、ＣＰＵ
１００によって開閉弁Ｖ１を開くと共に開閉弁Ｖ２を閉
じた状態にする。このとき、水蒸気発生器３３内の圧力
値はＰｘからＰｙの間にあるので、容易に、かつ一瞬で
処理容器１０内に水蒸気が流れ込む。しかも、水蒸気発
生器３３内で水蒸気は大量に発生していたので、一気に
処理容器１０内に大量の水蒸気が流れ込み、予め処理容
器１０内に供給されていたオゾンガスと混合して、ウエ
ハＷの処理が素早く開始される。また、水蒸気発生器３
３内は圧力が高い状態であったことから、当然水蒸気も
高い温度であったため、高い温度雰囲気の中で、オゾン
を利用した処理を行うことができるので、処理能力の向
上を図ることができる。また、水蒸気とオゾンガスが処
理容器１０内に供給される間、開閉弁Ｖ１０が開いた状
態に制御されると共に、開閉弁Ｖ１０の上流の流量調整
部で圧損を作り、処理容器１０内の圧力の大気圧よりも
高い状態に維持しながらウエハＷのレジスト除去処理が
行われる。

【００７６】前記実施形態では水蒸気供給の際にＰ１＜
Ｐ２としたが、これに限るものではなく、Ｐ１＝Ｐ２で
も、実質的には、水蒸気発生器３３内によって、水蒸気
が発生している間は、処理容器１０側に送り込まれるこ
とはいうまでもない。

【００７７】処理を所定時間（例えば３〜６分）、レジ
ストの種類によっても異なるが、その際の処理容器１０
内の圧力を、零調整された大気圧（０．１ＭＰａ）より
例えば約０．０５ＭＰａ高い圧力として処理を行った
後、水蒸気供給手段３０からの水蒸気の供給を停止する
と共に、オゾンガス生成手段４１の作動を停止し、基ガ
スの酸素（Ｏ_２）のみを処理容器１０内に供給して、処
理容器１０内の急激な減圧及び湿度の低下を防止する。
したがって、処理容器１０内の水蒸気が結露して、その
水滴がウエハＷに付着するのを防止することができる。

【００７８】酸素の供給を所定時間（例えば１分）行っ
た後、酸素の供給を停止し、次いで、強制排気機構６３
を作動させて、処理容器１０内に残留する水蒸気及びオ
ゾンガスを強制的に排気し、更に開閉弁Ｖ７を開放し
て、クールエアを供給し、処理容器１０内の雰囲気を強
制的に追い出して、処理を終了する。

【００７９】その後、昇降機構１５を作動させて、容器
カバー１２を上昇して、容器本体１１の搬入・搬出口１
４を開放した後、ウエハガイド２０を上昇して、ウエハ
Ｗを処理容器１０の上方に搬出する。そして、図示しな
いウエハ搬送手段にウエハＷを受け渡して、ウエハＷを
次の純水等の洗浄処理部に搬送して、洗浄処理部におい
て、レジストを洗い流す。

【００８０】したがって、前記基板処理によれば、配線
工程を有するウエハＷのレジスト除去、金属腐食の防止
及びパーティクルの防止は勿論、配線工程を有しないそ
の他のウエハＷのレジスト除去、金属腐食の防止及びパ
ーティクルの防止にも適用できるものである。

【００８１】前記実施形態では、水蒸気発生器３３によ
って生成された水蒸気の圧力を検出し、この検出圧力に
基づいて処理容器１０内に供給する水蒸気１のタイミン
グ及び供給量を制御する場合について説明したが、前記
検出圧力に代えて水蒸気発生器３３内の液体状態の溶媒
である水の温度を検出して、処理容器１０内に供給する
水蒸気のタイミング及び供給量を制御することもでき
る。

【００８２】この場合、予め、処理時における処理容器
１０内の圧力のデータをＣＰＵ１００に記憶させること
により、このデータと、温度センサ（図示せず）にて検
出された検出温度に基づいて、第１及び第２開閉弁Ｖ
1，Ｖ2を開閉制御することにより、処理容器１０内の圧
力と同等以上の圧力の水蒸気１を供給することができ、
水分子の層に対するオゾン分子の混合量を増加させて水
酸基ラジカルの発生量を増やすことができるので、レジ
スト除去能力を向上することができる。

【００８３】また、前記実施形態では、水蒸気ノズル３
５が、パイプ状のノズル本体３５ａと、このノズル本体
３５ａ内に挿入（配設）されるヒータ３５ｈとを具備す
る場合について説明したが、図１４に示すようなヒータ
３５ｈを具備しない構造の水蒸気ノズル３５Ａとするこ
とができる。

【００８４】すなわち、前記水蒸気ノズル３５Ａは、図
１４に示すように、前記水蒸気ノズル３５と同様に、適
宜間隔を置いて穿設される多数のノズル孔３５ｆを有す
るパイプ状のノズル本体３５ｋと、このノズル本体３５
ｋの内周面との間に隙間おいて挿入され、かつ水蒸気発
生器（図示せず）に接続されるインナーパイプ３５ｍと
で主に構成されている。このように構成される一対の水
蒸気ノズル３５Ａは、前記水蒸気ノズル３５と同様に、
処理容器１０内に収容された複数枚例えば５０枚のウエ
ハＷの側方に並設されており、ノズル孔３５ｆはウエハ
Ｗの少なくとも配置範囲内に位置している。つまり、ノ
ズル孔３５ｆは、適宜間隔をおいて配列された５０枚の
ウエハＷの両端部のウエハＷの位置より少なくとも内方
側に位置している。

【００８５】また、インナーパイプ３５ｍにおけるノズ
ル本体３５ｋのノズル孔３５ｆと反対側には、ノズル孔
３５ｆの孔径よりも大径で、かつノズル孔３５ｆの間隔
より長い間隔をおいて複数の連通孔３５ｐが穿設されて
いる。このように、インナーパイプ３５ｍにおけるノズ
ル本体３５ｋのノズル孔３５ｆと反対側に、ノズル孔３
５ｆの孔径よりも大径で、かつノズル孔３５ｆの間隔よ
り長い間隔をおいて複数の連通孔３５ｐを設けることに
より、水蒸気発生器からインナーパイプ３５ｍに供給さ
れた水蒸気が、連通孔３５ｐを通ってノズル本体３５ｋ
とインナーパイプ３５ｍとの隙間内に流れた後、ノズル
孔３５ｆから処理容器１０の内壁面に向かって噴射され
る。したがって、各ノズル孔３５ｆから水蒸気を均一に
噴射することができる。

【００８６】また、インナーパイプ３５ｍにおけるウエ
ハＷの配置範囲外の先端側の底部側周方向には、複数例
えば３個の連通小孔３５ｑが穿設されている。この場
合、これら連通小孔３５ｑは、前記ノズル孔３５ｆの孔
径と略同径に形成されており、中央の連通小孔３５ｑ
は、鉛直方向に位置し、残りの２個の連通小孔３５ｑ
は、鉛直線に対して４５度の位置に形成されている。

【００８７】一方、ノズル本体３５ｋにおけるウエハＷ
の配置範囲外の先端側の底部周方向には、複数例えば５
個の排液孔３５ｎが穿設されている。これら排液孔３５
ｎは、インナーパイプ３５ｍに設けられた連通小孔３５
ｑと略同径に形成されると共に、連通小孔３５ｑと対向
する位置に設けられている。この場合、中央の排液孔３
５ｎは、鉛直方向に位置し、残りの４個の排液孔３５ｎ
は、鉛直線に対して２２．５度、４５度の位置に形成さ
れている。

【００８８】このように、排液孔３５ｎを、ノズル本体
３５ｋの先端側に設けることにより、インナーパイプ３
５ｍの連通孔３５ｐ，連通小孔３５ｑから噴出する水蒸
気の勢いでノズル本体３５ｋの底部に溜まった結露水や
インナーパイプ３５ｍの底部に溜まった結露水がノズル
本体３５ｋの先端側に押されて行くので、結露水が先端
側に溜まり易くなり、その位置から結露水を容易に排出
することができる。この場合、ノズル本体３５ｋを、処
理容器１０内に収容されたウエハＷの側方に並設すると
共に、排液孔３５ｎを、ウエハＷの配置範囲外（ウエハ
Ｗの配列端部外）に設けることにより、排液孔３５ｎか
ら落ちた液滴が、万一処理容器１０内に発生する気流に
よって上昇したとしてもウエハＷに接触させないように
することができ、ウエハＷへの液滴の付着を防止するこ
とができる。また、排液孔３５ｎを複数個（図面では５
個の場合を示す）設けることにより、ノズル孔３５ｆの
角度を変えた場合においても、排液孔３５ｎが最底部に
位置して、結露水の排出を効果的に行うことができる。

【００８９】また、連通小孔３５ｑと排液孔３５ｎとを
対向させて設けることにより、連通小孔３５ｑから噴射
される水蒸気が直接排液孔３５ｎを介して排出されるの
で、この際、インナーパイプ３５ｍ及びノズル本体３５
ｋの底部に溜まっている結露水を積極的に排出すること
ができる。

【００９０】

【発明の効果】以上に説明したように、この発明によれ
ば、上記のように構成されているので、以下のような効
果が得られる。

【００９１】１）請求項１，１０記載の発明によれば、
溶媒蒸気供給ノズルは、適宜間隔をおいて穿設される複
数のノズル孔を有するノズル本体と、ノズル本体内の内
部空間を加熱する加熱体とを具備することにより、ノズ
ル本体内に溶媒蒸気が結露するのを防止することができ
ると共に、溶媒蒸気の吐出時に結露水が飛散して被処理
基板に付着する恐れもないので、ノズル本体内に結露が
発生することによるバクテリアの発生を抑制することが
できると共に、溶媒蒸気の吐出時に結露水が飛散するこ
とによるパーティクルの発生を抑制することができ、処
理効率の向上を図ることができる。

【００９２】２）請求項２記載の発明によれば、溶媒蒸
気供給ノズルは、適宜間隔をおいて穿設される複数のノ
ズル孔を有するノズル本体と、このノズル本体の底部に
設けられる排液孔とを具備するので、ノズル本体内の結
露水を排液孔から速やかにノズル本体の外部に排出する
ことができ、溶媒蒸気の噴出時に結露水が飛散するのを
抑制することができる。

【００９３】３）請求項３記載の発明によれば、ノズル
本体内に、このノズル本体の内周面との間に隙間をおい
て溶媒蒸気生成手段に接続するインナーパイプを挿入
し、このインナーパイプにおけるノズル本体のノズル孔
と反対側に、適宜間隔をおいて連通孔を穿設することに
より、溶媒蒸気生成手段から供給される溶媒蒸気がイン
ナーパイプの連通孔からノズル本体とインナーパイプと
の隙間に流れた後、ノズル孔から噴射される。したがっ
て、前記２）に加えて各ノズル孔から溶媒蒸気を均一に
噴射することができる。

【００９４】４）請求項６記載の発明によれば、排液孔
を、ノズル本体の先端側に設けることにより、インナー
パイプの連通孔から噴出する溶媒蒸気の勢いでノズル本
体の底部に溜まった結露水やインナーパイプの底部に溜
まった結露水がノズル本体の先端側に押されて行くの
で、結露水が先端側に溜まり易くなり、その位置から結
露水を容易に排出することができる。この場合、ノズル
本体を、処理容器内に収容され、適宜間隔をおいて配列
された複数の被処理基板被処理基板の側方に並設すると
共に、排液孔を、配列の端部に位置する被処理基板の配
置範囲外に設けることにより、排出された結露水が処理
容器内に発生する気流によって被処理体に付着するのを
防止することができる（請求項７）。

【００９５】５）請求項９記載の発明によれば、ノズル
体のノズル孔を処理容器の内壁面に向かって開口させる
ことにより、溶媒蒸気が直接被処理体に接触するのを回
避することができるので、更にパーティクルの発生を抑
制することができると共に、洗浄（エッチング）の均一
化を図ることができる。

【００９６】６）請求項１１記載の発明によれば、処理
容器の上部内面を、溶媒蒸気の結露水の付着を防止すべ
く中央から両側に向かって下り傾斜状に形成することに
より、処理容器の上部内面に付着した溶媒蒸気の結露水
を傾斜面にそって両側に流すことができるので、処理容
器の上部内面に付着した溶媒蒸気の結露水の水滴が落下
して被処理基板に付着するのを防止することができる。
したがって、パーティクルの発生を抑制することができ
ると共に、洗浄（エッチング）の均一性の向上を図るこ
とができる。

【００９７】７）請求項１３記載の発明によれば、処理
容器は、上部に被処理基板の搬入・搬出口を有する容器
本体と、シール部材を介して前記容器本体の搬入・搬出
口を密閉する容器カバーと、容器本体と容器カバーを係
脱可能に締結するロック機構とを具備するので、前記
１）〜６）に加えて処理容器を確実に密閉状態に維持す
ることができ、処理効率の向上を図ることができる。

【００９８】８）請求項１４記載の発明によれば、ロッ
ク機構は、容器本体及び容器カバーに設けられたフラン
ジの外方を囲繞するフレームと、このフレームを直線方
向に進退移動する移動手段と、フレームの各辺部に取り
付けられてフレームの進退移動に伴って両フランジを密
接又は接離移動可能にする係脱部とを具備するので、前
記７）に加えて容器本体と容器カバーの締結及び締結解
除を直線方向の進退移動によって容易に行うことができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明に係る基板処理装置の一例を示す概略
断面図である。

【図２】前記基板処理装置の要部を示す断面図（ａ）及
び（ａ）のＡ部拡大断面図（ｂ）である。

【図３】この発明における溶媒蒸気生成手段の第一実施
形態を示す概略断面図である。

【図４】この発明における処理容器の概略側面図であ
る。

【図５】この発明における処理容器のロック機構を示す
概略平面図である。

【図６】前記ロック機構の一部を断面で示す側面図であ
る。

【図７】前記ロック機構の分解状態（ａ）、ロック前の
状態（ｂ）及びロック状態（ｃ）を示す概略斜視図であ
る。

【図８】前記ロック機構における第２の係脱部の係合状
態及び非係合状態を示す概略側面図である。

【図９】この発明における水蒸気ノズルを示す断面図
（ａ）及び（ａ）のＩ−Ｉ線に沿う拡大断面図（ｂ）で
ある。

【図１０】この発明におけるオゾンガスノズルを示す断
面図である。

【図１１】図１０のII−II線に沿う拡大断面図である。

【図１２】この発明におけるエアノズルを示す断面図で
ある。

【図１３】前記エアノズルの一部を断面で示す平面図で
ある。

【図１４】この発明における別の実施形態の水蒸気ノズ
ルを示す断面図（ａ）、（ａ）のIII−III線に沿う拡大
断面図（ｂ）及び（ａ）のIV−IV線に沿う拡大断面図
（ｃ）である。

【符号の説明】

Ｗ 半導体ウエハ（被処理基板） １ 水蒸気（溶媒蒸気） ２ オゾンガス（処理ガス） ３ ホットエア １０ 処理容器 １１ 容器本体 １２ 容器カバー １３ 下り傾斜面 ３０ 水蒸気供給手段 ３３ 水蒸気発生器（溶媒蒸気生成手段） ３４ 水蒸気供給管路 ３５，３５Ａ 水蒸気ノズル ３５ａ，３５ｋ ノズル本体 ３５ｆ 水蒸気噴射孔（ノズル孔） ３５ｈ ヒータ（加熱体） ３５ｊ，３５ｎ 排液孔 ３５ｍ インナーパイプ ３５ｐ 連通孔 ３５ｑ 連通小孔 ４０ オゾンガス供給手段（処理ガス供給手段） ４１ オゾンガス生成手段 １００ ＣＰＵ（制御手段） ２００ ロック機構 ２１０ フレーム ２２０ エアーシリンダ（移動手段） ２３０〜２６０ 第１〜第４の係脱部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０３Ｆ 7/42 Ｇ０３Ｆ 7/42 Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５７２Ｂ 21/3065 21/302 Ｈ Ｆターム(参考） 2H096 AA25 AA28 LA06 LA30 3B201 AA03 AB08 AB43 BB13 BB82 BB89 BB92 BB93 BB98 CC01 CD11 CD36 5F004 AA14 BA19 BC07 CA02 CA04 DA27 DB26 EA34 5F046 MA03 MA05 MA10

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 処理容器内に収容された被処理基板に処
   理ガスと溶媒蒸気を供給して、被処理基板を処理する基
   板処理装置であって、 前記処理容器内に前記処理ガスを供給する処理ガス供給
   手段と、 前記処理容器内に供給するための溶媒蒸気を生成する溶
   媒蒸気生成手段と、 前記処理容器内に配設されると共に、前記溶媒蒸気生成
   手段に接続される溶媒蒸気供給ノズルとを具備し、 前記溶媒蒸気供給ノズルは、適宜間隔をおいて穿設され
   る複数のノズル孔を有するノズル本体と、このノズル本
   体内の内部空間を加熱する加熱体とを具備することを特
   徴とする基板処理装置。
2. 【請求項２】 処理容器内に収容された被処理基板に処
   理ガスと溶媒蒸気を供給して、被処理基板を処理する基
   板処理装置であって、 前記処理容器内に前記処理ガスを供給する処理ガス供給
   手段と、 前記処理容器内に供給するための溶媒蒸気を生成する溶
   媒蒸気生成手段と、 前記処理容器内に配設されると共に、前記溶媒蒸気生成
   手段に接続される溶媒蒸気供給ノズルとを具備し、 前記溶媒蒸気供給ノズルは、適宜間隔をおいて穿設され
   る複数のノズル孔を有するノズル本体と、このノズル本
   体の底部に設けられる排液孔とを具備することを特徴と
   する基板処理装置。
3. 【請求項３】 請求項２記載の基板処理装置において、 前記ノズル本体内に、このノズル本体の内周面との間に
   隙間をおいて溶媒蒸気生成手段に接続するインナーパイ
   プを挿入し、このインナーパイプにおけるノズル本体の
   ノズル孔と反対側に、適宜間隔をおいて連通孔を穿設し
   てなることを特徴とする基板処理装置。
4. 【請求項４】 請求項３記載の基板処理装置において、 前記インナーパイプの連通孔の間隔を、ノズル本体のノ
   ズル孔の間隔より長くしたことを特徴とする基板処理装
   置。
5. 【請求項５】 請求項４記載の基板処理装置において、 前記連通孔の孔径を、ノズル孔の孔径より大径に形成し
   たことを特徴とする基板処理装置。
6. 【請求項６】 請求項２記載の基板処理装置において、 前記排液孔を、ノズル本体の先端側に設けたことを特徴
   とする基板処理装置。
7. 【請求項７】 請求項２又は６記載の基板処理装置にお
   いて、 前記ノズル本体を、処理容器内に収容され、適宜間隔を
   おいて配列された複数の被処理基板の側方に並設すると
   共に、排液孔を、配列の端部に位置する前記被処理基板
   の配置範囲外に設けたことを特徴とする基板処理装置。
8. 【請求項８】 請求項２、６又は７記載の基板処理装置
   において、 前記排液孔を、ノズル本体の底部側周方向に複数設けた
   ことを特徴とする基板処理装置。
9. 【請求項９】 請求項１ないし８のいずれかに記載の基
   板処理装置において、 前記ノズル本体のノズル孔を処理容器の内壁面に向かっ
   て開口させことを特徴とする基板処理装置。
10. 【請求項１０】 請求項１又は２記載の基板処理装置に
    おいて、 前記ノズル本体内に加熱体を配設してなることを特徴と
    する基板処理装置。
11. 【請求項１１】 処理容器内に収容された被処理基板に
    処理ガスと溶媒蒸気を供給して、被処理基板を処理する
    基板処理装置であって、 前記処理容器内に前記処理ガスを供給する処理ガス供給
    手段と、 前記処理容器内に供給するための溶媒蒸気を生成する溶
    媒蒸気生成手段と、 前記処理容器内に配設されると共に、前記溶媒蒸気生成
    手段に接続される溶媒蒸気供給ノズルとを具備し、 前記処理容器の上部内面を、中央から両側に向かって下
    り傾斜状に形成してなることを特徴とする基板処理装
    置。
12. 【請求項１２】 請求項１１記載の基板処理装置におい
    て、 前記処理容器の上部にヒータを配設してなることを特徴
    とする基板処理装置。
13. 【請求項１３】 請求項１、２又は１１記載の基板処理
    装置において、 前記処理容器は、上部に被処理基板の搬入・搬出口を有
    する容器本体と、シール部材を介して前記容器本体の搬
    入・搬出口を密閉する容器カバーと、前記容器本体と容
    器カバーを係脱可能に締結するロック機構とを具備する
    ことを特徴とする基板処理装置。
14. 【請求項１４】 請求項１３記載の基板処理装置におい
    て、 前記ロック機構は、容器本体及び容器カバーに設けられ
    たフランジの外方を囲繞するフレームと、このフレーム
    を直線方向に進退移動する移動手段と、前記フレームの
    各辺部に取り付けられてフレームの進退移動に伴って前
    記両フランジを密接又は接離移動可能にする係脱部とを
    具備することを特徴とする基板処理装置。