JPH06132271A - ベーパー洗浄装置 - Google Patents

ベーパー洗浄装置

Info

Publication number
JPH06132271A
JPH06132271A JP28294492A JP28294492A JPH06132271A JP H06132271 A JPH06132271 A JP H06132271A JP 28294492 A JP28294492 A JP 28294492A JP 28294492 A JP28294492 A JP 28294492A JP H06132271 A JPH06132271 A JP H06132271A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
nozzle
vapor
solvent
tank
wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP28294492A
Other languages
English (en)
Inventor
Tsutomu Aoyanagi
勉 青柳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Steel Corp
Original Assignee
Sumitomo Metal Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Metal Industries Ltd filed Critical Sumitomo Metal Industries Ltd
Priority to JP28294492A priority Critical patent/JPH06132271A/ja
Publication of JPH06132271A publication Critical patent/JPH06132271A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 【構成】 洗浄室11に薬液と溶媒との混合ベーパーを
噴出させるノズル40を備えたベーパー洗浄装置におい
て、ノズル40に薬液タンク21及び溶媒タンク22が
それぞれ直接的に接続され、ノズル40内部に薬液ベー
パーと溶媒ベーパーとを混合する混合部43が形成され
る一方、ノズル40に加熱手段としてのヒータ44a、
44bが埋設あるいは外装されているベーパー洗浄装
置。 【効果】 薬液ベーパーや溶媒ベーパーの遮断、凝集を
抑制することができ、薬液ベーパーと溶媒ベーパーとを
所望の比率に、かつ均一に混合してウエハ表面に噴出さ
せることができる。したがって、ウエハ12の洗浄側面
12aにパーティクルや残留物が生成するのを抑制する
ことができ、ウエハ12の洗浄側面12aのエッチング
処理を均一的に行うことができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はベーパー洗浄装置に関
し、より詳細には、例えば半導体製造工程における酸化
膜の除去、プリシリサイドクリーン、プリディフュージ
ョンクリーン、プリゲートオキサイディションクリーン
あるいはプリデポジションクリーン等の際に用いられる
ベーパー洗浄装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体の製造工程において、ウエハの洗
浄工程が占める割合は約40%といわれており、洗浄工
程の重要性は極めて高い。現在、ウエハの洗浄はウエッ
ト処理が主流であるが、ウエット処理には除去された金
属や化学物質がウエハに再付着したり、ウエット処理後
に施す純水リンス工程中において自然酸化膜がウエハ上
に再成長する等の問題があった。これらの問題に対処す
るために、近年、弗化水素(以下、HFと記す)ベーパー
を用いてウエハの洗浄を行うドライ処理が用いられ始め
ている。図4は従来のドライ洗浄処理に用いられる装置
を模式的に示した断面図であり、図中11はシリコンカ
ーバイドを用いて形成された略中空球体形状の洗浄室を
示している。洗浄室11内には洗浄側面12aが正面視
左側になるようにしてウエハ12が垂架され、洗浄室1
1上部にはウエハ12を挿脱するための挿入口13が形
成され、挿入口13上部はカバー13aで封止されてい
る。洗浄室11の左右両側には略円形状の排気口11
a、11bが形成され、排気口11a、11bには略円
筒形状の連結部14a、15aを介して略中空直方体形
状に形成された排気室14、15がそれぞれ接続され、
排気室14、15下部には真空ポンプ(図示せず)等の
排気装置がそれぞれ接続されている。
【0003】また連結部14aの中心軸上にはノズル3
0が配設されており、ノズル30はノズル先端部31a
が洗浄室11内の所定箇所に開口するように、テフロン
等の樹脂を用いて略パイプ形状に形成されたノズル前部
31と、略中空円柱体形状に形成されたノズル後部32
とが一体形成されて構成されている。またノズル後部の
32前面が排気室14の側壁面14bに密着されること
によりノズル30が排気室14側に固定されるとともに
排気室14が封止されている。
【0004】一方、図中21、22は内部にHF、水(以
下、H2O と記す)がそれぞれ充填された薬液タンク、溶
媒タンクを示しており、薬液タンク21、溶媒タンク2
2の外周にはヒータ21a、22aがそれぞれ配設さ
れ、薬液タンク21、溶媒タンク22の上部にはキャリ
アガス導入管27、28がそれぞれ接続され、キャリア
ガス導入管27、28にはマスフローコントローラー2
9a、29bを介して窒素ガス等のキャリアガスボンベ
(図示せず)がそれぞれ接続されている。また、薬液タ
ンク21には薬液管24が接続され、溶媒タンク22に
は溶媒管25が接続されており、接続部24aにおいて
薬液管24と溶媒管25とが混合管26に接続され、混
合管26はノズル後部32に形成された孔部32aに接
続されている。そしてマスフローコントローラー29
a、29b及びキャリアガス導入管27、28を介して
薬液タンク21、溶媒タンク22にそれぞれ導入された
窒素ガスが、HFベーパー及びH2O ベーパーを伴いながら
薬液管24、溶媒管25を介して混合管26に導入さ
れ、さらにノズル30を介して洗浄室11内に導入され
るようになっている。
【0005】このように構成された装置を用いてウエハ
12の洗浄側面12a上に形成された酸化膜を洗浄・除
去する場合、まず挿入口13からウエハ12を挿入し、
洗浄側面12aがノズル30側に向くようにして垂架
し、カバー13aを挿入口13に装着して封止する。次
に、排気装置を駆動させて洗浄室11内の圧力を略150T
orr に設定し、またヒータ21a、22aに通電して薬
液タンク21、溶媒タンク22を略60℃に加熱してHF及
びH2O のベーパーを発生させる。次に、マスフローコン
トローラー29a、29bを用いて所定流量に調整され
た窒素ガスを薬液タンク21、溶媒タンク22内に流
し、薬液管24に導入されたHFベーパーと溶媒管25に
導入された水蒸気とを混合管26において混合してノズ
ル30に導入し、薬液と溶媒との混合ベーパーをノズル
先端部31aからウエハ12の洗浄側面12aに噴出さ
せてウエハ12a面の酸化膜を洗浄・除去している。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上記したベーパー洗浄
装置においては、HFベーパーの混合比を増加させる目的
でキャリアガス導入管27の窒素ガス流量を増大させた
場合、水蒸気が接続部24aにおいて遮断されて混合管
26へ流入するのが阻害され、あるいはHFベーパーの混
合比を減少させる目的でキャリアガス管28の窒素ガス
流量を増大させた場合、HFベーパーが接続部24aにお
いて遮断されて混合管26へ流入するのが阻害され、所
望するHFべーパと水蒸気との混合比を得にくいという課
題があった。また、HFベーパーまたは水蒸気が薬液管2
4、溶媒管25の接続点24a近傍において凝集して薬
液管24、溶媒管25を閉塞し、所望するHFべーパーと
水蒸気との混合比を得にくいという課題があった。その
結果、ウエハ12の洗浄側面12a上にパーティクル
(Particle) や残留物が生成されたり、ウエハ12の洗
浄側面12aのエッチングが不均一になるおそれがある
という課題があった。
【0007】本発明はこのような課題に鑑みなされたも
のであり、薬液や溶媒の遮断及び凝集を抑制することが
でき、薬液と溶媒とを所望の比率に、かつ均一に混合し
て被処理物表面に噴出させることができるベーパー洗浄
装置を提供することを目的としている。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係るベーパー洗浄装置は、洗浄室に薬液と溶
媒との混合ベーパーを噴出させるノズルを備えたベーパ
ー洗浄装置において、前記ノズルに薬液タンク及び溶媒
タンクがそれぞれ直接的に接続され、前記ノズル内部に
薬液ベーパーと溶媒ベーパーとを混合する混合部が形成
される一方、前記ノズルに加熱手段が埋設あるいは外装
されていることを特徴としている。
【0009】
【作用】本発明に係るベーパー洗浄装置によれば、ノズ
ルに薬液タンク及び溶媒タンクがそれぞれ直接的に接続
され、前記ノズル内部に薬液ベーパーと溶媒ベーパーと
を混合する混合部が形成される一方、前記ノズルに加熱
手段が埋設あるいは外装されているので、薬液ベーパー
と溶媒ベーパーとが容積を有する前記混合部内に直接的
に導入されるため、薬液管あるいは溶媒管内で溶媒ベー
パーあるいは薬液ベーパーが遮断されるのが抑制される
こととなる。また前記ノズルが加熱されているためにベ
ーパーの凝集が抑制されることとなる。また薬液ベーパ
ーと溶媒ベーパーとが前記混合部内で混合され、所望の
比率で均一に混合された薬液及び溶媒の混合ベーパーが
ウエハ表面へ噴出し得ることとなる。したがって、ウエ
ハの洗浄面にパーティクルや残留物が生成するのが抑制
されることとなり、ウエハの洗浄面のエッチング処理を
均一に施し得ることとなる。
【0010】
【実施例及び比較例】以下、本発明に係るベーパー洗浄
装置の実施例を図面に基づいて説明する。なお、従来例
のものと同一の機能を有する構成部品には同一の符号を
付すこととする。図1は実施例に係るベーパー洗浄装置
を模式的に示した断面図であり、図中11はシリコンカ
ーバイドを用いて形成された略中空球体形状の洗浄室を
示している。洗浄室11内には洗浄側面12aが正面視
左側になるようにしてウエハ12が垂架され、洗浄室1
1上部にはウエハ12を挿脱するための挿入口13が形
成され、挿入口13上部はカバー13aで封止されてい
る。洗浄室11の左右両側には略円形状の排気口11
a、11bが形成され、排気口11a、11bには略円
筒形状の連結部14a、15aを介して略中空直方体形
状に形成された排気室14、15がそれぞれ接続され、
排気室14、15下部には真空ポンプ(図示せず)等の
排気装置がそれぞれ接続されている。
【0011】また連結部14aの中心軸上にはノズル4
0が配設されており、ノズル40はノズル先端部41a
が洗浄室11内の所定箇所に開口するように、テフロン
等の樹脂を用いて略パイプ形状に形成されたノズル前部
41と略中空円柱体形状に形成されたノズル後部42と
が一体形成されて構成されている。またノズル後部42
の前面が排気室14の側壁面14bに密着されることに
よりノズル40が排気室14側に固定されるとともに排
気室14が封止されている。ノズル後部42内には有底
円筒形状の隔壁42aにより混合部43が形成されてお
り、またノズル前部41、ノズル後部42の外周にはヒ
ータ44a、ヒータ44bが外装されている。
【0012】一方、図中21、22は内部にHF、H2O が
それぞれ充填された薬液タンク、溶媒タンクをそれぞれ
示しており、薬液タンク21、溶媒タンク22の外周に
はヒータ21a、22aがそれぞれ配設され、薬液タン
ク21、溶媒タンク22の上部にはキャリアガス導入管
27、28がそれぞれ接続され、キャリアガス導入管2
7、28にはマスフローコントローラー29a、29b
を介して窒素ガス等のキャリアガスボンベ(図示せず)
がそれぞれ接続されている。また薬液タンク21には薬
液管24を介してノズル後部42に形成された孔部42
bが接続され、溶媒タンク22には溶媒管25を介して
ノズル後部42に形成された孔部42cが接続されてい
る。そしてマスフローコントローラー29a、29b及
びキャリアガス導入管27、28を介して薬液タンク2
1、溶媒タンク22に導入された窒素ガスが、HFベーパ
ー、H2O ベーパーを伴いながら薬液管24、溶媒管25
を介してノズル混合部43内にそれぞれ導入され、ノズ
ル後部42内面と隔壁42a外面との隙間sを通り、ノ
ズル前部41を介して洗浄室11内に導入されるように
なっている。
【0013】このように構成された装置を用いてウエハ
12の洗浄側面12a上に形成された酸化膜を洗浄・除
去する場合、まず挿入口13からウエハ12を挿入し、
洗浄側面12aがノズル40側に向くようにして垂架
し、カバー13aを挿入口13に装着して封止する。次
に、排気装置を駆動させて洗浄室11内の圧力を略150T
orr に設定し、ヒータ21a、22aに通電して薬液タ
ンク21、溶媒タンク22を略60℃に加熱してHF及びH2
O のベーパーを発生させ、またヒータ44a、44bに
通電してノズル40を略90℃に加熱する。次に、マスフ
ローコントローラー29a、29bを用いて所定流量に
調整された窒素ガスを薬液タンク21、溶媒タンク22
内に流し、薬液管24に導入されたHFベーパーと溶媒管
25に導入された水蒸気とをノズル後部42内における
隔壁42aに衝突させて混合し、さらにノズル後部42
内面と隔壁42a外面との隙間sを通過させることによ
りHFとH2O との混合ベーパーをより一層混合し、ノズル
先端部41aからウエハ12に向けて噴出させて洗浄側
面12a上の酸化膜を洗浄・除去する。洗浄処理後は真
空乾燥を施し、純水リンス工程は行なわない。
【0014】以下に、実施例に係るベーパー洗浄装置を
用いてウエハ12の洗浄側面12a上に形成された酸化
膜を洗浄・除去した際、洗浄側面12a上に生成された
パーティクル数及び洗浄側面12a上のエッチング深さ
を測定した結果について説明する。洗浄条件としては、
洗浄室11内の圧力を150Torr 、HFを0.6slm、H2O を4.
4slm、薬液タンク21及び溶媒タンク22の温度を60
℃、ノズル前部41及びノズル後部42の温度を90℃に
設定した。また、比較例として図4に示した従来のベー
パー洗浄装置を使用し、実施例と同様の条件でウエハ1
2の洗浄側面12a上に形成された酸化膜の洗浄・除去
を行い、パーティクル数及びエッチング深さを測定し
た。
【0015】図2は酸化膜を洗浄・除去した後にウエハ
12の洗浄側面12a上に生成されたパーティクルの分
布を示した図であり、(a)は実施例の場合、(b)は
比較例の場合を示しており、図中Lはパーティクルサイ
ズが略 0.3μm 、Mはパーティクルサイズが略 0.2μm
、Sはパーティクルサイズが略 0.1μm のものを示し
ている。図2から明らかなように、比較例の場合におけ
るパーティクル数が 189個に比べて実施例の場合に
おけるパーティクル数は18個であり、実施例の装置を
用いた場合にはパーティクルの生成を大幅に抑制するこ
とができる。
【0016】図3は酸化膜を洗浄・除去した後における
ウエハ12の洗浄側面12a上のエッチング深さを等高
線で示した図であり、(a)は実施例の場合、(b)は
比較例の場合を示している。図3から明らかなように、
比較例の場合における等高線が密に分布しているのに比
べて実施例の場合における等高線の分布は粗になってお
り、実施例の装置を用いた場合にはエッチング処理をよ
り一層均一に行うことができる。
【0017】なおノズル前部41、ノズル後部42の温
度は、実施例においては90℃に設定したが、ウエハの材
質、薬液管24及び溶媒管25の長さ及び保温方法、キ
ャリアガスの流量等により、60〜200 ℃の範囲内で任意
に設定することが可能である。また、実施例におけるヒ
ータ44a、44bはノズル前部41、ノズル後部42
に外装されているが、ノズル前部41、ノズル後部42
内に埋設されたものを用いても同様の効果を得ることが
できる。
【0018】上記結果から明らかなように、本実施例に
係るベーパー洗浄装置では、ノズル40に薬液タンク2
1及び溶媒タンク22がそれぞれ直接的に接続され、ノ
ズル40内部に薬液ベーパーと溶媒ベーパーとを混合す
る混合部43が形成される一方、ノズル40に加熱手段
であるヒータ44a、44bが外装されているので、薬
液ベーパーと溶媒ベーパーとが大きい容積を有する混合
部43内に直接に導入されて混合される。このため薬液
管24内あるいは溶媒管25内で溶媒ベーパーあるいは
薬液ベーパーが遮断されるのを抑制することができ、ま
たノズル40が加熱されているためにノズル40内にお
ける凝集を抑制することができる。また薬液ベーパーと
溶媒ベーパーとが混合部43内の隔壁42aに衝突して
混合され、さらにノズル後部42内面と隔壁42a外面
との隙間sを通過する際により一層混合されるため、所
望の比率で均一に混合された薬液及び溶媒の混合ベーパ
ーをウエハ表面に噴出させることができる。したがっ
て、ウエハの洗浄面にパーティクルや残留物が生成する
のを抑制することができ、ウエハの洗浄面のエッチング
処理を均一的に施すことができる。
【0019】
【発明の効果】以上詳述したように本発明に係るベーパ
ー洗浄装置にあっては、ノズルに薬液タンク及び溶媒タ
ンクがそれぞれ直接的に接続され、前記ノズル内部に薬
液ベーパーと溶媒ベーパーとを混合する混合部が形成さ
れる一方、前記ノズルに加熱手段が埋設あるいは外装さ
れているので、薬液ベーパーと溶媒ベーパーとが容積を
有する前記混合部内に直接に導入されるため、薬液管あ
るいは溶媒管内でベーパーが遮断されるのを抑制するこ
とができ、また前記ノズルを加熱することにより該ノズ
ル内における凝集を抑制することができる。また薬液ベ
ーパーと溶媒ベーパーとが前記混合部内で混合されるた
めに所望の比率で均一に混合された薬液及び溶媒の混合
ベーパーをウエハ表面に噴出させることができる。した
がって、ウエハの洗浄面にパーティクルや残留物が生成
するのを抑制することができ、ウエハの洗浄面のエッチ
ング処理を均一的に施すことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例に係るベーパー洗浄装置を模式
的に示した断面図である。
【図2】酸化膜を洗浄・除去した後にウエハ面上に生成
されたパーティクルの分布を示した図であり、(a)は
実施例の場合、(b)は比較例の場合を示している。
【図3】酸化膜を洗浄・除去した後におけるウエハ面上
のエッチング深さを等高線で示した図であり、(a)は
実施例の場合、(b)は比較例の場合を示している。
【図4】従来のベーパー洗浄装置を模式的に示した断面
図である。
【符号の説明】
11 洗浄室 21 薬液タンク 22 溶媒タンク 40 ノズル 43 混合部 44a、44b ヒータ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 洗浄室に薬液と溶媒との混合ベーパーを
    噴出させるノズルを備えたベーパー洗浄装置において、
    前記ノズルに薬液タンク及び溶媒タンクがそれぞれ直接
    的に接続され、前記ノズル内部に薬液ベーパーと溶媒ベ
    ーパーとを混合する混合部が形成される一方、前記ノズ
    ルに加熱手段が埋設あるいは外装されていることを特徴
    とするベーパー洗浄装置。
JP28294492A 1992-10-21 1992-10-21 ベーパー洗浄装置 Pending JPH06132271A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP28294492A JPH06132271A (ja) 1992-10-21 1992-10-21 ベーパー洗浄装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP28294492A JPH06132271A (ja) 1992-10-21 1992-10-21 ベーパー洗浄装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH06132271A true JPH06132271A (ja) 1994-05-13

Family

ID=17659140

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP28294492A Pending JPH06132271A (ja) 1992-10-21 1992-10-21 ベーパー洗浄装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH06132271A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6212789B1 (en) 1998-06-19 2001-04-10 Canon Sales Co., Inc. Semiconductor device manufacturing system
JP2002217160A (ja) * 2001-01-17 2002-08-02 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
CN104438206A (zh) * 2014-12-26 2015-03-25 朱冠宇 一种用于中药的洗药机

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6212789B1 (en) 1998-06-19 2001-04-10 Canon Sales Co., Inc. Semiconductor device manufacturing system
JP2002217160A (ja) * 2001-01-17 2002-08-02 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
JP4562109B2 (ja) * 2001-01-17 2010-10-13 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
CN104438206A (zh) * 2014-12-26 2015-03-25 朱冠宇 一种用于中药的洗药机

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100423771B1 (ko) 반도체웨이퍼의세정,에칭,건조장치및그사용방법
JP2631092B2 (ja) 半導体ウエハーの湿式処理装置
JP3080834B2 (ja) 半導体基板洗浄処理装置
JP3177736B2 (ja) 処理装置
JPH10508986A (ja) 半導体の超微粒子洗浄装置
JPH0712035B2 (ja) 噴流式液処理装置
KR19990003266A (ko) 반도체장치 제조용 습식 식각장치 및 습식 식각장치내의 식각액 순환방법
JPH06132271A (ja) ベーパー洗浄装置
JPS61148820A (ja) 処理方法
JPS58106186A (ja) トラツプ装置
US20020104556A1 (en) Controlled fluid flow and fluid mix system for treating objects
JP3544329B2 (ja) 基板処理装置
JPH0824503A (ja) コールドトラップ及び半導体装置の製造装置
KR0176734B1 (ko) 고압분사식 에칭법 및 그 장치
JPH06196469A (ja) ベーパー洗浄装置
JPH07335563A (ja) プラズマcvd装置
JPH0474420A (ja) 洗浄装置及び洗浄方法
KR200238123Y1 (ko) 반도체의웨트스테이션
KR0161865B1 (ko) 제트노즐을 이용한 반도체웨이퍼 세정장치
KR20040032200A (ko) 반도체 웨이퍼 세정 및 건조장치와 이를 이용한 세정 및건조방법
JPH06338487A (ja) ウエハ洗浄装置
JPH0239530A (ja) ドライエッチング装置
CN117497444A (zh) 用于供应化学品的单元以及利用该单元处理衬底的设备
JP4054284B2 (ja) 基板処理装置
JPH06168920A (ja) 薄膜の除去方法