KR0176734B1 - 고압분사식 에칭법 및 그 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 실리콘(Si) 또는 갈륨-비소(GA-As) 화합물등 반도체 웨이퍼(safer)를 에칭(etching)하는 공정에 사용되는 고압분사식(high pressuer spray) 에칭법 및 장치에 관한 것이다.
본 발명의 목적은 에칭액 또는 세척액등 액상체를 고압의 질소가스와 함께 분사하도록 하여 안개와 같은 극히 미세한 액상체 방울을 형성하여 에칭 또는 세정을 행하도록 함으로써 더 적은 양기 에칭액 또는 세척액을 사용하여 반도체 웨이퍼의 에칭작업을 더 짧은 시간내에 에칭작업이 완료되도록 하여 작업능률 향상 및 원가절감을 하도록 하고, 에칭작업의 각 공정에 쳄버내벽에 점착되는 에칭액 또는 현상액 방울이 생기지 않게 되는 극히 미세한 액체방울로서 에칭작업을 수행하도록 함으로써 에칭작업 수행을 원활하도록 하고 에칭 작업에 필요한 웨이퍼 건조 작업에 소요되는 에너지의 절약에 있는 것이다. 상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 고압분사식 에칭법 및 장치는 에칭액 또는 현상액등을 분사하는 방법에 있어서 종래와 달리 물리현상의 하나인 베르누이 정리를 이용한 것으로 분사노즐에 고압질소가스가 독립적으로 이송되어 분출되는 외부관을 설치하고 이 도관의 내부에 에칭액 또는 현상액등을 끌어내는 내부관을 설치하여 고압질소가 고속으로 분출되면 노즐의 분출구의 압력이 낮아지므로 에칭액등이 액체용기로 부터 빠져나와 노즐의 내도관으로 유입되고 분출되는 고압질소에 밀려 노즐의 분출구에서 미세한 액체방울을 형성하여 쳄버내부에 있는 웨이퍼에 점착되도록 하고 이때 쳄버내벽에 에칭액등이 점착되지 않고 쳄버내에 질소가스와 함께 흄가스를 형성하므로 이 흄가스를 즉시즉시 제거하도록 하였다.

Description

고압분사식 에칭(high pressure spray etching)법 및 그 장치
본 발명은 실리콘(Si) 또는 갈륨-비소(GA-As), 갈륨-인(GaP) 화합물 등 반도체 웨이퍼(wafer)를 에칭(etching)하는 공정에 사용되는 고압분사식(high pressure spray) 에칭법 및 장치에 관한 것이다.
에칭(etching)이라 함은 금속 또는 반도체를 침식시키는 것을 말하며 트렌지스터나 집적회로(集積回路, Integrated Circuit)및 표면 발광소자의 제조 공정에서 레지스터(Register, 감광수지)로 덮여 있지 않은 기판부분을 화학약품등으로 식각시키는 것을 말한다.
에칭의 종류에는 습식에칭법과 건식에칭법이 있는데 습식에칭법은 일명 액체에칭법이라고도 하는데 침적(Immersion)법과 분사(Spray)법이 있다.
상기 침적법은 가장 간단한 에칭법으로서 에칭액 또는 현상액 용기와 세척액 용기를 각각 두고 작업자는 반도체 웨이퍼(wafer)를 에칭액에 담궜다가 꺼내고, 다시 세척액에 담궜다가 꺼내어 건조시키는 방법이다.
상기 분사법은 보통 스피너(spinner)처럼 웨이퍼를 진공척에 올려놓고 하는 방법으로 첫째는 웨이퍼에 에칭액 또는 현상액을 분사하고 둘째는 세척액을 분사하고 마지막으로 웨이퍼를 고속으로 회전시켜 건조하는 방법이다.
상기 건식에칭법은 일명 기체에칭법 이라고도 하며, 에칭액을 사용하지 않고 에칭가스(etchant gas)를 사용하는 것으로 플라스마(plasma) 에칭법과 이온빔 밀링법(Ion Beam Milling)이 있다.
플라스마 에칭법은 에칭가스를 고에너지 준위를 갖는 이온 및 원자가스의 혼합가스 상태인 플라스마상태로 만들어 이 플라스마 가스를 웨이퍼의 표면에 충돌시켜 웨이퍼의 표면에 형성된 산화피막등을 제거하는 방법이다.
이와 같은 플라스마 에칭법에는 에칭용기의 형태에 따라 바렐(Barrel)법과 평판법이있다. 이온빔 밀링법은 아르곤(Ar)가스를 이온화시켜 전기적으로 접지되어 있는 웨이퍼를 향하여 가속(加涑)되어 웨이퍼에 충돌될 때 산화막 또는 패턴이 형성된 웨이퍼의 최상층을 물리적으로 제거하는 방법이다.
상기한 바와 같이 웨이퍼를 에칭하는 방법에는 여러방법이 제시되고 있다.
본 발명은 상기 에칭법중 습식(wetting)법에 해당하는 경우로서 분사법에 속하는 것이다. 종래의 분사식 에칭법에 대하여 제1도에서 개략도로서 분사에칭공정을 표현하였다. 제1도에서 보듯이 종래의 분사식 에칭법은 에칭액용기(100)와, 에칭실(200)로 이루어진 분사에칭장치에 의하여 웨이퍼(W)를 에칭하는데 상기 에칭액 용기(100)는 2개의 파이프(P1,P2)가 설치되는데 하나(P1)는 액체질소통으로 연결되어 고압의 질소가스가 에칭액용기(100)내로 유입되는 질소가스파이프이고, 다른 하나(P2)는 에칭실(200)의 분사노즐(210)에 연결되어 에칭액을 에칭실(200)로 이송하는 파이프이다. 이와 같은 종래의 분사식 에칭법 및 분사 에칭장치에서 에칭액 또는 현상액 그리고 세척액 분사노즐에 유입되어 에칭작업을 수행하는 원리는 상기한 바처럼 주용기에 고압의 질소가스를 주입시켜 용기내의 압력을 높여 용액을 분사노즐로 이송시켜 노즐로 하여금 분사하도록 하였다. 따라서 분사되는 에칭액 또는 현상액등의 액체 방울의 크기가 커서 상기 에칭액등의 소모가 컸을 뿐 아니라 에칭공정과 현상공정으로 이루어진 에칭작업에 있어서 분사에칭장치의 쳄버내에 잔류하는 에칭액 및 현상액의 양이 많으므로 에너지 소모가 많았고 상기 건조공정이 원활하지 못하였기에 전체적으로 에칭작업이 원할하지 못하였던 문제점이 있었다.
이와같은 종래의 분사에칭법에 있어서 문제점을 해결하고자 본 발명이 창안된 것으로, 본 발명의 목적은 에칭액 또는 세척액등 액상체를 고압의 질소가스와 함께 분사하도록 하여 안개와 같은 극히 미세한 액상체 방울을 형성하여 에칭 또는 세정을 행하도록 함으로서 더 적은 양의 에칭액 또는 세척액을 사용하여 반도체 웨이퍼의 에칭작업을 더 짧은 시간내에 에칭작업이 완료되도록 하여 작업능률의 향상 및 원가절감을 하도록 하고, 에칭작업의 각 공정에 쳄버내벽에 점착되는 에칭액 또는 현상액 방울이 생기지 않게 되는 극히 미세한 액체방울로서 에칭작업을 수행하도록 함으로써 에칭작업 수행을 원활하도록 하고 에칭작업에 필요한 웨이퍼 건조 작업에 소요되는 에너지의 절약에 있는 것이다. 상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 고압분사식 에칭법 및 장치는 에칭액 또는 현상액등을 분사하는 방법에 있어서 종래와 달리 물리현상의 하나인 베르누이 정리를 이용한 것으로 분사노즐에 고압질소가스가 독립적으로 이송되어 분출되는 외부관을 설치하고 이 도관의 내부에 에칭액 또는 현상액등을 끌어내는 내부관을 설치하여 고압질소가 고속으로 분출되면 노즐의 분출구의 압력이 낮아지므로 에칭액등이 액체용기로 부터 빠져나와 노즐의 내도관으로 유입되고 분출되는 고압질소에 밀려 노즐의 분출구에서 미세한 액체방울을 형성하여 쳄버내부에 있는 웨이퍼에 점착되도록 하고 이때 쳄버내벽에 에칭액등이 점착되지 않고 쳄버내에 질소가스와 함께 흄가스를 형성하므로 이 흄가스를 즉시즉시 제거하도록 하였다.
제1도는 종래의 분사 에칭법의 간단한 설명도.
제2도는 본 발명에 따른 고압분사식 에칭법의 간단한 공정 설명도.
제3도는 본 발명에 따른 고압분사식 에칭법에 사용되는 포그분사노즐의 단면도.
제4도는 본 발명에 따른 고압분사식 에칭법 장치의 쳄버 단면도.
제5도는 본 발명에 따른 고압분사식 에칭법의 사시도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 에칭액통 2 : 용제액통
3 : 액체질소통 4 : 쳄버
P,P′: 파이프 B : 솔레노이드벨브
W : 웨이퍼 41 : 뚜껑체
42 : 몸통체 43 : 포그분사노즐
44 : 웨이퍼홀더 45 : 이면분사노즐
411, 426 : 외연링 421 : 흄가스배기구
422 : 공기흡입구 423 : 축삽입구
424 : 에칭액배액구 425 : 용제액배액구
431 : 노즐외관 432 : 노즐내관
433 : 분사구 441 : 홀더축
D : 세정액통 g ; 삽입그루브
R : 팩킹링 G : 그릴
이하 본 발명에 따른 고압분사식 에칭방법 및 그 장치에 대하여 첨부도면과 함께 상세하게 설명하기로 한다.
제2도는 본 발명에 따른 고압분사식 에칭법을 수행하는 에칭장치의 공정 개략도이다. 제2도에 설명되어 있듯이 본 발명의 고압분사식 에칭장치는 에칭액통(1)과 용제액통(2) 및 고압의 질소(N2)가 들어있는 액체질소통(3)을 각각 따로 구비하고 웨이퍼의 에칭 및 세척 그리고 건조작업이 연속적으로 이루어지는 장치인 쳄버(4)로 구성되고 상기 각 통(1,2,3)은 상기 쳄버(4)에 각각 파이프(P,P′)로서 연결되어 각 파이프(P,P′)에는 솔레노이드벨브(B)가 각각 설치되어 있고 이 솔레노이드벨브의 작동은 마이콤이 내장된 컨트롤부의 지시에 따라 파이프의 개폐동작을 하도록 되어 있다.
상기 쳄버(4)는 대략 원통상을 하면서 상부 중앙에 포그분사노즐(43)이 형성되어 있으며 상기 포그분사노즐(43)은 상기 각 통(1,2,3)과 연결하는 각 파이프(P,P′)의 바닥면 중앙위에는 웨이퍼 홀더(WAFER HOLDER)(44)가 설치되고 이 웨이퍼홀더(44)는 홀더축(441)에 연결되어 모터(M)에 의해 회전하도록 되어 있다.
그리고 상기 홀더축(441) 일측쪽에 쳄버(4)의 바닥면에 이면(裏面) 분사노즐(45)이 형성되어 있으며 상기 바닥면의 가장자리에 대각선 방향으로는 후술하게 될 2개의 배액구가 형성되어 있다.
이와 같은 구성으로 이루어진 본 발명의 고압분사식 에칭장치에 의하여 웨이퍼(W)를 에칭하는 방법에 대하여 이하에서 살펴보기로 한다.
먼저, 웨이퍼홀더(44)에 웨이퍼(W)를 파지시키고 컨트롤부의 작동스위치를 눌러 본 발명의 에칭장치를 작동시키면 모터(M)가 구동되면서 웨이퍼홀더(44)가 회전하면서 포그분사노즐(43)로부터 제1단계로 고압의 질소가스와 함께 에칭액이 분사되어 웨이퍼홀더(44)에 홀딩된 웨이퍼(W)에 점착하여 포토레지스트(PHOTO-REGIST)가 층을 형성하지 않는 부분을 침식 또는 식각(ETCHING)하게 되고 제2단계로 동일한 포그분사노즐(43)로부터 고압의 액체질소가스와 함께 세정액이 분사되어 웨이퍼(W)를 세척하고 제3단계로 고운고압의 질소가스가 상기 포그분사노즐(43)로 부터 분리되어 웨이퍼(W)를 건조시킨다.
제4단계는 포그분사노즐(43)으로부터 용제용액이 고압의 질소가스와 함께 분무되어 웨이퍼(W)에 정착되어 포토레지스트층을 용해 제거하는 현상공정을 수행한다.
제5단계는 상기 제2단계와 같은 단계로 세정액이 고압질소가스로 분사되어 웨이퍼(W)가 세척되고 제6단계는 상기 제3단계와 같은 방법으로 고온고압 질소가스에 의해 웨이퍼(W)가 건조된다.
이상과 같은 공정순서는 필요에 따라 두번이상의 에칭처리 또는 두번이상의 레지스트 용해 용제 처리를 할 수도 있을 것이다. 또한 상기 공정은 미리 정보가 입력된 컨트롤부의 마이콤의 지시에 따라 순서대로 이루어진다.
그런데 상기한 본 발명의 고압분사 에칭법의 첫 번째 특징은 상기 공정중 제1단계와 제2단계 그리고 제4단계와 제5단계에 있어서 에칭액, 용제용액, 세정액을 포그분사노즐(43)에 의해 미세한 방울로 만들어 고속으로 웨이퍼(W)에 점착시키는데 있다. 이와 같은 포그분사노즐(43)의 측단면도를 제3도에 도시하고 있는데 포그분사노즐(43)은 제3도에 도시된 바와 같이 노즐외관(431)과 노즐내관(432)로 구성되고 노즐외관(431)의 상단부는 밀봉되고 그 일부에 액체질소통(3)과 솔레노이드벨브(B)가 설치된 파이프(P′)로서 연결되어 있으며 노즐내관(432)상단부는 에칭액통(1), 용제액통(2), 세정액통(D)과 솔레노이드밸브(B)가 설치된 파이프(P)로서 연결하고 있고 상기 노즐외관(431)과 노즐내관(432)의 하부는 점차 좁아지면서 끝단부에 작은 구멍의 형태를 취하면서 분사구(433)를 이루고 있다.
이와 같은 구성으로 이루어진 포그분사노즐(43)에 의하여 에칭액과 용제용액 및 세정액이 분사되는 거동을 살펴보면 컨트롤부의 지시에 따라 솔레노이드벨브(B)가 액체질소통(3)에 연결된 파이프(P′)를 개통시키면 액제질소가 기화(氣化)되어 고압(高壓)의 질소(N2)가스를 노즐외관(431)으로 불어내어 질소(N2)가스를 쳄버(4) 내부로 분출되게 되는데 이때 상기 포그분사노즐(43)의 하단부에 형성된 분사구(賁射口)(433)의 압력(P1)이 대기압 이하로 떨어지게 되는데 상기 에칭액통(1) 또는 용제액통(2) 세정액통(D)내의 압력은 항상 대기압으로 유지되는 상태에 있으므로 질소가스분출시 분사구(433)의 압력(P1)보다 항상 높은 상태에 있게 되기 때문에 컨트롤부의 지시에 의해 선택된 솔레노이드벨브(B)가 작동되어 에칭액 또는 용제액이나 세정액이 파이프(P)를 통과하여 상기 분사구(433)에 이르게 되고 동시에 분출되는 고압질소가스(N2)에 의해 밀려 분사구(433) 밖으로 누설되어 안개처럼 미세한 방울이 되어 고속으로 분무되는 것인데 이와 같은 포그분사노즐(43)의 분사방법은 물리현상의 하나인 베르누이정리를 이용한 방법인 것이다.
그리고 본 발명의 고압분사 에칭법의 두 번째 특징은 에칭액 온도를 관리함에 있는데, 제2도에 도시된 바와 같이 고압 질소가스가 통과하는 질소파이프(P′)에 가열장치(h)를 설치하여 질소가스를 가열시키도록 하고 온도를 온도감지센서로 측정하여 가열장치(h)를 작동하도록 하고 이 가열된 고온고압 질소가스를 상술한 바처럼 에칭액과 함께 분사하도록 하여 에칭액의 온도를 조정하도록 하였다. 이상에서 상술한 바와 같은 구성작용으로 이루어진 본 발명의 고압분사식 에칭법은 에칭액 또는 용제액이 고압의 질소가스와 함께 안개처럼 미세한 방울이 되어 고속으로 분무되어 웨이퍼(W)를 에칭하도록 되어 있기 때문에 종래의 분사 에칭법에 비하여 적은양의 에칭액 또는 용제액으로도 에칭작업을 할 수 있을 뿐 아니라 에칭작업에 소요되는 시간 또한 짧아지므로 전체적으로 원가절감에 도움이 된다.
또한 에칭액(etchant)의 온도를 질소가스에 의하여 조절하도록 되어 있으므로 온도조절이 용이하고 편리하며 에칭액의 증발에 따른 에칭액 낭비 및 작업 공간의 공기오염을 줄이는 방법이라 할 수 있을 것이다.
제4도는 상기한 바와 같이 본 발명의 고압분사식 에칭법을 구현하는 본 발명의 고압분사장치의 에칭작업이 이루어지는 쳄버(chamber)(4)의 단면도를 도시한 것이다. 상기 쳄버(4)는 대략 원통상을 하면서 뚜껑체(41)와 몸통체(42)로 구성되고 뚜껑체(41)와 몸통체(42)를 개폐할 수 있도록 힌지결합하여 있는데 상기 뚜껑체(41)의 상부면 중앙은 돌출되어 내부에 원통상 홈을 형성하고 이 원통상 홈의 중앙에 상기 파이프(P,P´)와 연결된 포그분사노즐(43)이 형성되어 있으며 이 포그분사노즐(43)은 상기 각 통(1,2,3,D)의 내용물이 유입되어 쳄버(4) 내부에 분사될 수 있도록 구성되어 있다.
상기 뚜껑체(41)와 몸통체(42)가 결합되는 부분에서 뚜껑체(41)의 하단 외연에 뚜껑체(41)의 측벽에 직각으로 외연링(411)이 형성되고 몸통체(42)의 상단 외연에 몸통체(42)의 측면벽에 직각으로 외연링(426)이 형성되며 상기 몸통체(42)의 외연링(426)에는 팩킹링 삽입그루부(g)가 형성된 둥근홈이 형성되어 있다.
그리고 뚜껑체(41)와 몸통체(42)의 외연링(411)과 외연링(426)이 접하여 쳄버(4)를 밀폐시킬 때 팩킹링 삽입그루브(g)에 팩킹링(R)(바이톤(Viton)오링)이 삽입되므로서 쳄버(4)를 완전 밀폐시키게 된다.
그리고 상기 뚜껑체(41)가 열리는 동작은 제5도에서 도시된 바와 같이 2개의 에어실린더(C,C´)에 의해 들려지고 닫혀지도록 되어 있다.
상기 몸통체(42)는 저면이 막힌 원통상을 하고 있는데 몸통체(42)의 측면 외주면에 파이프가 연결되는 2개구멍이 형성되어 있는데 그 중 하나는 흄가스배기구(421)이고 다른 하나는 공기흡입구(422)인데 흄가스배기구(421)는 에칭작업시 발생되는 흄가스(hume gas)를 강제로 배기시키는 구멍으로서 강제배기장치(도시생략)와 파이프로 연결되어 있고, 외부 공기흡입구(422)는 외부에서 쳄버내부로 공기가 유입되는 구멍으로서 외부 공기흡입구(422)에는 구멍을 가로질러 막고 있는 망상의 그릴(G)이 형성되어 외부공기가 유입될 때 먼지등 이물질의 쳄버(4) 내부로 들어가는 것을 막고 있다. 그리고 몸통체(42)의 막힌 바닥면에도 3개의 구멍이 형성되어 있는데 그 중 하나는 웨이퍼홀더(44)의 홀더(441)이 삽입되는 축삽입구(423)로서 바닥면의 중앙에 형성되어 있고, 다른 2개의 구멍은 원반상의 바닥면 가장자리에 각각 대칭하여 형성되는데 그 중 하나는 에칭액배액구(424)이고 다른 하나는 용제액배액구(425)이다.
상기 에칭액배액구(424)는 상술한 에칭공정에 있어서 제1단계 부터 3단계가 끝나면 쳄버(4)의 내부에 고인 에칭액을 배출시키는 배액구로서 파이프에 연결된 것으로 구멍 입구에 솔레노이드밸브(B)를 장착하여 상기 제3단계가 끝나면 구멍을 개방하여 에칭액을 배액하도록 컨트롤부에 의해 조절된다.
그리고, 용제액배액구(425)는 상술한 에칭공정에 있어서 제4단계부터 제5단계가 끝나면 챔버(4)내부에 고인 용제액을 배출시키는 배액구로서 파이프가 연결되고 구멍의 입구에 솔레노이드 밸브(B)를 장착하여 상기 제6단계가 끝나면 구멍을 개방하도록하여 용제액을 배액하도록 컨트롤부에 의해 조절된다.
그리고, 상기 축삽입구(423)에는 웨이퍼홀더(44)의 홀더축(441)이 삽입되고 상기 홀더축(441)은 모터(도시생략)에 의하여 회전구동되는 회전축(도시생략)과 결합하고 있고 상기 웨이퍼 홀더(44)는 웨이퍼(W)를 클램핑(CLAMPING)하고 에칭작업을 수행하도록 하는 구조로 되어 있다.
이와 같은 구성으로 이루어진 본 발명의 고압분사장치의 쳄버(4)는 뚜껑체(41)의 상부 중앙에 형성된 포그분사노즐(43)에서 에칭액 또는 용제액등이 분사되어 웨이퍼홀더(44)에 클램핑 된 웨이퍼(W)에 점착되어 에칭작업을 하게 되는데 웨이퍼홀더(44)는 모터의 구동으로 회전하는 회전축에 의하여 회전되어 웨이퍼(W)에 점착되는 액체가 고루 퍼져 에칭작업을 효과적으로 할 수 있도록 하고 이와 같은 과정중에 쳄버(4) 내부에 축적되는 질소가스나 가라앉지 않고 쳄버(4) 내부공간에 떠다니는 액체방울등으로 이루어진 흄가스나 흄가스배기구(421)를 통하여 배기되고 흄가스나 배기된 공간에 공기흡입구(422)로 부터 흡기되는 새로운 외부공기로 채워지게 되는 것이다.
또한 상기 에칭작업시 웨이퍼(W)를 에칭 또는 세정 그리고 포토레지스트 제거공정을 수행하고 쳄버(4)에 고인 에칭액과 용제액을 분리하여 이미 기술한 바와 같은 방법으로 에칭액배액구(424)를 통해 에칭액을 배액시키고 용제액배액구(425)를 통해 용제액을 배액시키는 것이다.
이상과 같은 구성 및 작동을 하는 쳄버를 구비한 본 발명의 고압분사 에칭장치에 의하여 웨이퍼를 에칭 또는 현상 공정을 수행하게 되면 각 공정을 수행하는 동안 흄가스가 즉시 배기되므로 다음 공정 수행작업을 하는데 있어 어떤 영향도 미치지 않게 되어 종래와 달리 건조공정에 소요되는 에너지 소비량이 적게 들고 에칭액과 용제액을 분리하여 수거하도록 되어 있으므로 이들을 정제하여 재사용이 가능하게 되어 전체적으로 원가절감에 일익을 한다 할 것이다.

Claims (5)

  1. 금속 또는 반도체를 에칭하는 분사식 에칭법에 있어서, 분사노즐의 구조를 외관(431)과 내관(432)으로 된 2중간을 형성하도록 한 포그분사노즐(43)로 하고, 외관에는 액체질소통(3)에 연결되어 고압의 질소개스가 유입되고 내관(432)에는 에칭액(etchant)또는 현상액이 유입되며 외관(431)의 분사구에서 고압의 질소가스가 분사되면 내관(432)의 분사구(433)의 압력이 대기압보다 낮아지게 되어 내관(432)내로 에칭액등이 유입되어 배관분사구에 이르르면 고압으로 분사되는 질소가스가 에칭액등이 내관분사구에서 잘게 잘려 안개와 같은 미세한 액체방울을 형성하면서 고속으로 분사되어 웨이퍼를 에칭하는 고압분사식 에칭법.
  2. 고압분사식 에칭법을 수행하는 에칭장치는 에칭액과 용제액, 그리고 세정액 및 액체질소를 각각 독빌하여 담고 있는 다수의 액체통(1,2,3,D)과 에칭작업을 수행하는 쳄버(4)로 구성되고 상기 액체통(1,2,3,D)은 쳄버(4)의 포그분사노즐(43)과 다수의 파이프(P,P´)로서 연결되고 각 파이프(P,P´)에는 솔레노이드벨브(B)가 설치되고, 이 솔레노이드 벨브(B)는 조절박스내에 있는 정보가 입력된 마이콤의 지시에 의해 각 파이프(P,P´)를 개폐하도록 된 고압분사식 에칭장치.
  3. 제2항에 있어서, 쳄버(4)는 뚜껑체(41)과 몸통체(42)로 이루어지고 뚜껑체(41)는 몸통체(42)에 힌지결합하여 에어실린더(C,C´)에 의하여 몸통체(42)를 덮어 쳄버(4)를 밀봉시키며 들어올려져 개방시키고, 뚜껑체(41) 중앙에 다수의 액체통(1,2,3,D)과 파이프(P,P´)로 연결되어 있는 포그분사노즐(43)이 설치되고, 몸통체(42)의 측벽에 흄가스배기구(421)와 외부 공기흡입구(422)가 형성되고, 쳄버(4)의 바닥면의 중앙에는 모터의 구동으로 회전되는 웨이퍼홀더(44)가 형성되며, 쳄버(4)의 바닥면 일측에는 에칭액배액구(424)와 용제액배액구(425)가 설치된 고압분사식 에칭장치.
  4. 제3항에 있어서, 흄가스 배기구(421)는 에칭작업시 쳄버(4)내부에 생기는 질소가스와 액체알갱이로 이루어진 흄가스(hume gas)를 에칭작업시 계속 작동되는 강제 배기장치에 의해 쳄버(4)밖으로 배출하도록 되어 있고, 외부 공기흡입구(422)는 상기 흄가스가 쳄버(4)에서 빠져나감에 따른 쳄버(4)내 공간에 외부공기를 자연적으로 유입시키도록 형성된 것으로, 외부 공기흡입구(422)에 망상의 그릴(G)이 조립되어 있는 고압분사식 에칭장치.
  5. 제3항에 있어서, 에칭액 배액구(424)는 웨이퍼(W)를 에칭하는 공정에서 발생되며 쳄버(4)의 바닥면에 고이게 되는 에칭액을 쳄버(4)밖으로 배출시키는 것이고, 용제액배액구(425)는 용제액을 쳄버밖으로 배출시키는 것이며, 에칭액 배액구(424)와 용제액배액구(425)의 입구에는 조절부의 마이콤 지시에 따라 작동되는 솔레노이드벨브(B)가 설치되어 순차적 또는 교호적으로 입구를 개폐하는 동작을 취하여 에칭액과 용제액을 분리하여 수거할 수 있도록 된 고압분사식 에칭장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100852025B1 (ko) * 2006-01-26 2008-08-13 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리장치
KR100876987B1 (ko) * 2007-11-01 2009-01-07 주식회사 해진아이엠피 이중관 노즐을 가지는 글라스 식각 장치

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