CN110010520B - 基板处理装置和基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法。抑制基板从支承槽脱落。实施方式的基板处理装置具备基板保持部和处理槽。基板保持部保持多个基板。处理槽积存处理液。另外，基板保持部具备支承体、升降机构以及限制部。支承体具有多个支承槽，从下方将立起状态的多个基板分别支承于多个支承槽中。升降机构使支承体在处理槽的上方的待机位置与处理槽的内部的处理位置之间升降。限制部与支承体一起利用升降机构升降，限制基板相对于支承体向上方移动。

Description

基板处理装置和基板处理方法
技术领域
公开的实施方式涉及基板处理装置和基板处理方法。
背景技术
以往，公知有一种如下基板处理装置：通过使由多个基板形成的批次浸渍于积存有处理液的处理槽，来对1批次量的基板进行成批处理。多个基板以利用具有多个支承槽的支承体从下方支承为垂直地立起姿势的状态被浸渍于处理槽(参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平8-107137号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而，在上述基板处理装置中，例如，在为了处理槽内产生处理液的流动而使处理液循环、或向处理槽导入非活性气体的情况下，若要使基板浸渍于处理槽，则基板有可能浮起而从支承槽脱落。
实施方式的一形态的目的在于提供一种能够抑制基板从支承槽脱落的基板处理装置和基板处理方法。
用于解决问题的方案
实施方式的一形态的基板处理装置具备基板保持部和处理槽。基板保持部保持多个基板。处理槽积存处理液。另外，基板保持部具备支承体、升降机构以及限制部。支承体具有多个支承槽，从下方将立起状态的多个基板分别支承于多个支承槽中。升降机构使支承体在处理槽的上方的待机位置与处理槽的内部的处理位置之间升降。限制部利用升降机构与支承体一起升降，限制基板相对于支承体向上方移动。
发明的效果
根据实施方式的一形态，能够抑制基板从支承槽脱落。
附图说明
图1是第1实施方式的基板处理装置的示意俯视图。
图2是表示第1实施方式的蚀刻用的处理槽的结构的图。
图3是表示第1实施方式的基板保持部的结构的图。
图4是表示第1实施方式的支承体的结构的图。
图5是表示第1实施方式的限制部的结构的图。
图6是图5所示的H部的放大图。
图7是基板保持部的动作说明图。
图8是基板保持部的动作说明图。
图9A是第2实施方式的蚀刻处理装置的动作说明图。
图9B是第2实施方式的蚀刻处理装置的动作说明图。
图9C是第2实施方式的蚀刻处理装置的动作说明图。
图9D是第2实施方式的蚀刻处理装置的动作说明图。
图9E是第2实施方式的蚀刻处理装置的动作说明图。
图10是表示第3实施方式的蚀刻用的处理槽的结构的图。
图11是表示第3实施方式中的基板保持部的控制顺序的流程图。
图12是表示第4实施方式中的第1变形例的限制构件的结构的图。
图13是表示第4实施方式中的第2变形例的限制构件的结构的图。
图14是表示第4实施方式中的第3变形例的限制构件的结构的图。
附图标记说明
1、基板处理装置；8、基板；23、蚀刻处理装置；27、处理槽；29、基板保持部；50、循环部；52、处理液供给喷嘴；60、气体供给部；62、气体供给喷嘴；70、磷酸水溶液供给部；80、纯水供给部；100、控制部；101、支承体；102、升降机构；103、限制部；111、支承槽；131、限制构件；132、支承臂；135、限制槽。
具体实施方式
以下，参照附图，同时详细地说明用于实施本申请的基板处理装置和基板处理方法的形态(以下，记载为“实施方式”)。此外，本申请的基板处理装置和基板处理方法并不被该实施方式限定。另外，各实施方式能够在不使处理内容矛盾的范围内适当组合。另外，在以下的各实施方式中，对相同的部位标注相同的附图标记，省略重复的说明。
(第1实施方式)
〔1.基板处理装置的结构〕
首先，参照图1对第1实施方式的基板处理装置的结构进行说明。图1是第1实施方式的基板处理装置的示意俯视图。以下，为了使位置关系明确，规定相互正交的X轴、Y轴和Z轴，将Z轴正方向设为铅垂朝上方向。
如图1所示，第1实施方式的基板处理装置1具有承载件输入输出部2、批次形成部3、批次载置部4、批次输送部5、批次处理部6以及控制部100。
承载件输入输出部2进行以水平姿势沿着上下排列而收容有多张(例如、25张)基板(硅晶圆)8的承载件9的输入和输出。
在承载件输入输出部2设置有：承载件台10，其载置多个承载件9；承载件输送机构11，其进行承载件9的输送；承载件存放部12、13，其暂时保管承载件9；以及承载件载置台14，其载置承载件9。
承载件输入输出部2使用承载件输送机构11将从外部输入到承载件台10的承载件9向承载件存放部12、承载件载置台14输送。即、承载件输入输出部2将承载件9向承载件存放部12、承载件载置台14输送，该承载件9用于收容利用批次处理部6进行处理之前的多张基板8。
承载件存放部12暂时保管承载件9，该承载件9用于收容利用批次处理部6进行处理之前的多张基板8。
多张基板8被随后论述的基板输送机构15从承载件9输出，该承载件9向承载件载置台14输送且收容用于利用批次处理部6进行处理之前的多张基板8。
另外，从基板输送机构15将利用批次处理部6进行了处理之后的多张基板8向载置于承载件载置台14且未收容有基板8的承载件9输入。
承载件输入输出部2使用承载件输送机构11将承载件9向承载件存放部13、承载件台10输送，该承载件9载置于承载件载置台14且用于收容利用批次处理部6进行了处理之后的多张基板8。
承载件存放部13暂时保管利用批次处理部6进行了处理之后的多张基板8。使输送到承载件台10的承载件9向外部输出。
在批次形成部3设置有输送多张(例如、25张)基板8的基板输送机构15。批次形成部3进行两次基板输送机构15对多张(例如、25张)基板8的输送，形成由多张(例如、50张)基板8构成的批次。
批次形成部3使用基板输送机构15从载置到承载件载置台14的承载件9向批次载置部4输送多张基板8，将多张基板8载置于批次载置部4，从而形成批次。
形成批次的多张基板8被批次处理部6同时处理。形成批次时，既可以以多张基板8的图案形成面彼此相对的方式形成批次，另外，也可以以多张基板8的图案形成面全部朝向一方的方式形成批次。
另外，批次形成部3使用基板输送机构15将多张基板8从利用批次处理部6进行处理且载置到批次载置部4的批次向承载件9输送。
基板输送机构15具有支承处理前的多张基板8的处理前基板支承部(未图示)和支承处理后的多张基板8的处理后基板支承部(未图示)这两种作为用于支承多张基板8的基板支承部。由此，能够防止已附着到处理前的多张基板8等的微粒等向处理后的多张基板8等转移。
基板输送机构15在多张基板8的输送中途将多张基板8的姿势从水平姿势变更成垂直姿势、以及从垂直姿势变更成水平姿势。此外，水平姿势是指使基板8躺倒后的状态，垂直姿势是指使基板8立起后的状态。
批次载置部4将由批次输送部5在批次形成部3与批次处理部6之间输送的批次暂时载置到批次载置台16(待机)。
在批次载置部4设置有输入侧批次载置台17和输出侧批次载置台18。
处理前的批次载置于输入侧批次载置台17。处理后的批次载置于输出侧批次载置台18。
在输入侧批次载置台17和输出侧批次载置台18中，1批次量的多张基板8以垂直姿势前后排列地载置。
批次输送部5在批次载置部4与批次处理部6之间、批次处理部6的内部间进行批次的输送。
在批次输送部5设置有进行批次的输送的批次输送机构19。批次输送机构19具有：轨道20，其沿着批次载置部4和批次处理部6配置；以及移动体21，其一边保持批次一边沿着轨道20移动。
在移动体21设置有保持由以垂直姿势前后排列的多张基板8形成的批次的基板保持体22。
批次输送部5利用批次输送机构19的基板保持体22接收被载置到输入侧批次载置台17的批次、或将所接收到的批次向批次处理部6交接。
另外，批次输送部5利用批次输送机构19的基板保持体22接收被批次处理部6处理后的批次，或将所接收到的批次向输出侧批次载置台18交接。
而且，批次输送部5使用批次输送机构19在批次处理部6的内部进行批次的输送。
批次处理部6对由以垂直姿势前后排列的多张基板8形成的批次进行蚀刻、清洗、干燥等处理。
在批次处理部6排列设置有：蚀刻处理装置23，其对批次进行蚀刻处理；清洗处理装置24，其进行批次的清洗处理；基板保持体清洗处理装置25，其进行基板保持体22的清洗处理；以及干燥处理装置26，其进行批次的干燥处理。此外，蚀刻处理装置23的台数并不限于1台，也可以是两台以上。
蚀刻处理装置23具有蚀刻用的处理槽27、冲洗用的处理槽28以及基板保持部29、30。
蚀刻用的处理液(以下称为“蚀刻液”)被积存于蚀刻用的处理槽27。冲洗用的处理液(纯水等)被积存于冲洗用的处理槽28。此外，随后论述蚀刻用的处理槽27的详细情况。
基板保持部29、30将形成批次的多张基板8以垂直姿势沿着前后排列地保持。
蚀刻处理装置23利用基板保持部29从批次输送机构19的基板保持体22接收批次并使基板保持部29下降，从而使批次浸渍于处理槽27的蚀刻液而进行蚀刻处理。
之后，蚀刻处理装置23通过使基板保持部29上升，将批次从处理槽27取出，并从基板保持部29向批次输送机构19的基板保持体22交接批次。
并且，利用基板保持部30从批次输送机构19的基板保持体22接收批次并使基板保持部30下降，从而使批次浸渍于处理槽28的冲洗用的处理液而进行冲洗处理。
之后，蚀刻处理装置23通过使基板保持部30上升，将批次从处理槽28取出，并从基板保持部30向批次输送机构19的基板保持体22交接批次。
清洗处理装置24具有清洗用的处理槽31、冲洗用的处理槽32以及基板保持部33、34。
清洗用的处理液(SC1等)被积存于清洗用的处理槽31。冲洗用的处理液(纯水等)被积存于冲洗用的处理槽32。基板保持部33、34将1批次量的多张基板8以垂直姿势前后排列地保持。
干燥处理装置26具有处理槽35和相对于处理槽35升降的基板保持部36。
干燥用的处理气体(IPA(异丙醇)等)被向处理槽35供给。基板保持部36将1批次量的多张基板8以垂直姿势前后排列地保持。
干燥处理装置26利用基板保持部36从批次输送机构19的基板保持体22接收批次并使基板保持部36下降，从而将批次输入处理槽35并利用供给到处理槽35的干燥用的处理气体进行批次的干燥处理。然后，干燥处理装置2使基板保持部36上升，从基板保持部36向批次输送机构19的基板保持体22交接进行了干燥处理的批次。
基板保持体清洗处理装置25具有处理槽37，能够向处理槽37供给清洗用的处理液和干燥气体，在向批次输送机构19的基板保持体22供给了清洗用的处理液之后，供给干燥气体，从而进行基板保持体22的清洗处理。
控制部100对基板处理装置1的各部(承载件输入输出部2、批次形成部3、批次载置部4、批次输送部5、批次处理部6)的动作进行控制。控制部100基于来自开关等的信号对基板处理装置1的各部的动作进行控制。
控制部100由例如计算机构成，包括具有例如CPU(中央处理单元，CentralProcess ingUnit)、ROM(只读存储器，Read Only Memory)、RAM(随机存取存储器，RandomAccess Memory)、输入输出端口等的微型计算机、各种电路。控制部100具有计算机能够读取的存储介质38。在存储介质38储存有对在基板处理装置1中执行的各种处理进行控制的程序。
控制部100通过CPU将ROM用作作业区域而执行被存储到存储介质38的程序，来对基板处理装置1的动作进行控制。此外，程序既可以是存储到由计算机能够读取的存储介质38的程序，也可以是从其他存储介质安装到控制部100的存储介质38的程序。
作为由计算机能够读取的存储介质38，存在例如硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。
〔2.处理槽的结构〕
接着，参照图2对蚀刻用的处理槽27的结构进行说明。图2是表示第1实施方式的蚀刻用的处理槽27的结构的图。
在蚀刻用的处理槽27中，使用蚀刻液而选择性地仅蚀刻在基板8上形成的氮化膜(SiN)和氧化膜(SiO2)中的氮化膜。在氮化膜的蚀刻处理中，使用磷酸(H3PO4)作为蚀刻液。
蚀刻用的处理槽27具备内槽45和外槽46。另外，处理槽27具备循环部50、气体供给部60、磷酸水溶液供给部70以及纯水供给部80。
内槽45的上方敞开，在内部积存蚀刻液。批次(多个基板8)被浸渍于内槽45。
外槽46的上方敞开，并配置于内槽45的上部周围。从内槽45溢流出来的蚀刻液流入外槽46。另外，从随后论述的磷酸水溶液供给部70和纯水供给部80向外槽46分别供给磷酸水溶液和纯水。
循环部50使蚀刻液在内槽45与外槽46之间循环。循环部50具备循环管线51、处理液供给喷嘴52、泵53、加热器54以及过滤器55。
循环管线51将外槽46和内槽45连接。循环管线51的一端与外槽46连接，循环管线51的另一端与配置到内槽45的内部的处理液供给喷嘴52连接。
泵53、加热器54以及过滤器55设置于循环管线51。泵53将外槽46内的蚀刻液向循环管线51送出。加热器54将在循环管线51流动的蚀刻液加热成适于蚀刻处理的温度。过滤器55将杂质从在循环管线51流动的蚀刻液去除。此外，泵53、加热器54以及过滤器55从上游侧以泵53、加热器54以及过滤器55的顺序设置。
循环部50将蚀刻液从外槽46经由循环管线51向内槽45内输送。输送到内槽45内的蚀刻液由于从内槽45溢流，再次向外槽46流出。如此一来，蚀刻液在内槽45与外槽46之间循环。
此外，也可以是，循环部50利用加热器54对蚀刻液进行加热，将蚀刻液设为沸腾状态。
气体供给部60通过向内槽45的内部供给气体，在内槽45内的蚀刻液产生气泡。
气体供给部60具备气体供给源61、气体供给喷嘴62、气体供给管线63以及第1流量调整器64。气体供给源61是积存气体的罐。在此，气体供给源61设为积存氮，但积存于气体供给源61的气体既可以是除了氮以外的非活性气体(氦、氩等)，也可以是除了非活性气体以外的气体。
气体供给喷嘴62配置于内槽45的内部。气体供给管线63将气体供给源61和气体供给喷嘴62连接。气体供给管线63构成为包括例如开闭阀、流量控制阀以及流量计等，对从气体供给源61向气体供给喷嘴62供给的氮的流量进行调整。
气体供给部60如上述那样构成，积存到气体供给源61的氮经由气体供给管线63向气体供给喷嘴62供给。然后，供给到气体供给喷嘴62的氮从气体供给喷嘴62成为氮的气泡而向内槽45内的蚀刻液供给。如此一来，气体供给部60使内槽45内的蚀刻液产生气泡。
此外，气体供给部60为了产生更细的气泡，也可以具备由例如多孔质构件构成的气泡产生部。
磷酸水溶液供给部70具备磷酸水溶液供给源71、磷酸水溶液供给管线72以及第2流量调整器73。磷酸水溶液供给源71是积存磷酸水溶液的罐。磷酸水溶液供给管线72与磷酸水溶液供给源71连接，从磷酸水溶液供给源71向外槽46供给磷酸水溶液。
第2流量调整器73构成为包括例如开闭阀、流量控制阀以及流量计等，对从磷酸水溶液供给源71向外槽46供给的磷酸水溶液的流量进行调整。
纯水供给部80为了补充由于加热而从蚀刻液蒸发掉的水分，将纯水(DIW：Deionized Water)向外槽46供给。纯水供给部80具备纯水供给源81、纯水供给管线82以及第3流量调整器83。
纯水供给源81是积存纯水的罐。纯水供给管线82将纯水供给源81和外槽46连接，并从纯水供给源81向外槽46供给纯水。第3流量调整器83构成为包括例如开闭阀、流量控制阀以及流量计等，对从纯水供给源81向外槽46供给的纯水的流量进行调整。
〔3.基板保持部的结构〕
接着，参照图3对基板保持部29的结构进行说明。图3是表示第1实施方式的基板保持部29的结构的图。
如图3所示，基板保持部29具备支承体101、升降机构102、限制部103以及移动机构104。基板保持部29配置于上述的处理槽27的上方。
支承体101具有多个支承槽111，从下方将立起状态的多个基板8支承于各支承槽111中。在此，参照图4对支承体101的结构进行说明。图4是表示第1实施方式的支承体101的结构的图。
如图4所示，支承体101所具有的多个支承槽111沿着水平方向(在此，Y轴方向)以恒定的间隔设置。各支承槽111具有朝向下方逐渐成为窄幅的大致V字形状。如此，支承体101具有由多个支承槽111形成的梳齿构造。
多个基板8被逐张支承于各支承槽111。由此，多个基板8以沿着与支承槽111的排列方向相同的方向(Y轴方向)隔开恒定的间隔而排列起来的状态支承于支承体101。
升降机构102具备主体部121、升降轴122以及驱动部123。主体部121与升降轴122连结。升降轴122是例如滚珠丝杠机构中的丝杠轴，沿着铅垂方向延伸。驱动部123是例如电动机，沿着升降轴122使主体部121升降。
升降机构102通过使用驱动部123来使主体部121升降，使固定到主体部121的下部的支承体101升降。具体而言，升降机构102使支承体101在处理槽27的上方的待机位置与处理槽27的内部的处理位置之间升降。
限制部103配置于比支承体101靠上方的位置，限制基板8相对于支承体101向上方移动。
限制部103具备限制构件131和在一端部支承限制构件131的支承臂132，支承臂132的另一端部与移动机构104连接。随后论述限制部103的具体结构。
移动机构104构成为包括例如电动机等。该移动机构104使限制构件131在能够限制基板8向上方移动的限制位置(在图3中，以实线所示的位置)与不同于限制位置的非限制位置(在图3中，以虚线所示的位置)之间移动。在此，如图3所示，将比限制位置靠上方的位置设为非限制位置，但非限制位置是不阻碍多个基板8向基板保持部29的交接的位置即可，未必需要是比限制位置靠上方的位置。
在第1实施方式中，移动机构104通过使支承臂132绕水平轴(Y轴)旋转预定角度，使支承到支承臂132的限制构件131在限制位置与非限制位置之间移动。
例如移动机构104通过在限制部103配置到非限制位置的状态下使限制部103逆时针旋转预定角度，使限制构件131向限制位置移动。另外，移动机构104通过在限制部103配置到限制位置的状态下使限制部103顺时针旋转预定角度，使限制构件131向非限制位置移动。
移动机构104与支承体101同样地被固定于升降机构102的主体部121。因而，被支承于移动机构104的限制部103与支承体101一体地利用升降机构102升降。
此外，移动机构104不需要是必须使限制部103旋转的结构。例如，移动机构104也可以是如下结构：利用使限制部103沿着铅垂轴线升降，使限制构件131在限制位置与非限制位置之间移动。
接着，参照图5和图6来对限制部103的结构成进行说明。图5是表示第1实施方式的限制部103的结构的图。另外，图6是图5所示的H部的放大图。
如图5所示，限制构件131是沿着水平方向延伸的棒状的构件。限制构件131沿着与支承体101中的多个支承槽111的排列方向、换言之多个基板8的排列方向相同的作为水平方向的Y轴方向延伸。
支承臂132是水平地支承限制构件131的棒状的构件，沿着与限制构件131正交的方向延伸。优选限制构件131和支承臂132由耐热性和强度优异的构件形成。例如限制构件131和支承臂132由石英形成。
限制构件131具有多个限制槽135。多个限制槽135在限制构件131配置到限制位置(在图3中，以实线所示的位置)的情况下，通过收容被支承到支承体101的多个基板8的各上部，限制多个基板8向上方移动。
多个限制槽135沿着限制构件131的延伸方向(即Y轴方向)形成。另外，多个限制槽135以与支承体101中的多个支承槽111相同的间隔形成。各限制槽135具有朝向上方逐渐成为窄幅的大致V字形状。
如图6所示，在限制构件131配置到限制位置的状态下，多个基板8的各上部成为分别配置到多个限制槽135的内部的状态。限制构件131配置于与如图6中的左侧的基板8那样被恰当地支承到支承体101的基板8未接触的位置。
具体而言，在限制构件131配置到限制位置的状态下，限制槽135的上表面配置于作为比被恰当地支承到支承体101的基板8的上端位置(以下，记载为支承位置P0)靠上方距离D的位置的抵接位置P1。另外，限制槽135的倾斜面也配置于与被恰当地支承到支承体101的基板8分开预定距离的位置。
支承到支承体101的基板8与支承体101分开而向上方移动(上浮)(参照图6中的右侧的基板8)。在该情况下，基板8在从支承位置P0浮起距离D的时间点、即在基板8的上端到达了抵接位置P1的时间点与限制槽135的上表面抵接而被限制向比抵接位置P1靠上方的位置的移动。此外，距离D被设定成小于在支承体101形成的支承槽111的深度的距离。
如此，第1实施方式的基板保持部29具备对基板8相对于支承体101的向上方移动进行限制的限制部103。由此，在使多个基板8浸渍于处理槽27之际或者浸渍后的处理中，能够抑制基板8浮起而从支承槽111脱落。
另外，限制部103具有在配置到限制位置的情况下收容被支承到支承体101的多个基板8的各上部的多个限制槽135。通过设为该结构，除了能够限制基板8向上方移动之外，也能够限制基板8倾斜。由此，能够抑制因基板8倾斜而基板8间的距离变窄或基板8彼此接触。即、能够将基板8彼此的间隔保持恒定。
另外，限制位置是未与支承到支承体101的多个基板8接触的位置，配置到限制位置的限制部103在基板8与支承体101分开而移动到上方时与该基板8的上部抵接，从而来限制基板8向上方移动。如此，限制部103在基板8被恰当地支承于支承体101的情况下未与基板8接触。因而，与例如将基板8始终压紧的情况相比较，能够抑制由基板8和限制部103接触导致的微粒的产生。
〔4.基板保持部的动作〕
接着，参照图7和图8对上述的基板保持部29的具体的动作进行说明。图7和图8是基板保持部29的动作说明图。此外，基板保持部29所具备的升降机构102和限制部103的动作由控制部100控制。
如图7所示，在蚀刻处理装置23中，多个基板8从批次输送机构19(图1参照)向基板保持部29交接。由此，多个基板8成为支承到支承体101的状态、即以垂直地立起姿势沿着水平方向以恒定的间隔排列起来的状态。之后，控制部100对移动机构104进行控制而使限制部103从非限制位置向限制位置移动。
如此，基板保持部29具备使限制部103在非限制位置与限制位置之间移动的移动机构104。由此，在多个基板8相对于基板保持部29的交接之际，能够使限制部103向不会成为交接的障碍的非限制位置退避。因而，能够容易地进行多个基板8相对于基板保持部29的交接。
之后，如图8所示，控制部100对升降机构102进行控制而使基板保持部29向处理槽27的内部的处理位置移动。
若处理槽27中的处理结束，则控制部100对升降机构102进行控制而使基板保持部29从处理位置向待机位置移动。之后，控制部100对移动机构104进行控制而使限制部103从限制位置向非限制位置移动。之后，多个基板8从基板保持部29向批次输送机构19交接。
如此，控制部100在使支承到支承体101的多个基板8浸渍于积存到处理槽27的蚀刻液之前对移动机构104进行控制，使限制部103从非限制位置向限制位置移动。由此，在从多个基板8与蚀刻液接触至到达处理位置为止的期间内也能够抑制多个基板8的排列紊乱。
此外，控制部100也可以在多个基板8交接到批次输送机构19之后、直到开始下一处理为止的期间内使限制部103浸渍于处理槽27内的蚀刻液。通过如此设置，能够抑制由限制部103的干燥导致的硅的析出。
在此，在使多个基板8浸渍于蚀刻液之前使限制部103向限制位置移动，但使限制部103向限制位置移动的时刻并不限定于上述的例子。例如控制部100也可以在从多个基板8与蚀刻液接触至到达处理位置为止的期间内使限制部103向限制位置移动。另外，控制部100也可以在多个基板8到达了处理位置之后使限制部103向限制位置移动。
如上所述，第1实施方式的蚀刻处理装置23(基板处理装置的一个例子)具备基板保持部29和处理槽27。基板保持部29保持多个基板8。处理槽27积存蚀刻液(处理液的一个例子)。另外，基板保持部29具备支承体101、升降机构102以及限制部103。支承体101具有多个支承槽111，从下方将立起状态的多个基板8分别支承于多个支承槽111中。升降机构102使支承体101在处理槽27的上方的待机位置与处理槽的内部的处理位置之间升降。限制部103与支承体101一起利用升降机构102进行升降，限制基板8相对于支承体101向上方移动。
因而，根据第1实施方式的蚀刻处理装置23，能够抑制基板8从支承槽111脱落。尤其是，能够恰当地抑制基板8因由循环部50形成的蚀刻液的流动、由从气体供给喷嘴62供给的气体导致的发泡或者由加热器54导致的蚀刻液的沸腾而从支承槽111脱落。
而且，根据第1实施方式的蚀刻处理装置23，通过将限制部103设置于基板保持部29，即使是在使多个基板8浸渍于处理槽27内的处理液之前也能够限制基板8相对于支承体101向上方移动。因而，能够抑制从多个基板8与蚀刻液接触至到达处理位置为止的期间内的多个基板8的排列的紊乱。
(第2实施方式)
接着，对第2实施方式进行说明。图9A～图9E是第2实施方式的蚀刻处理装置23的动作说明图。此外，在以下的说明中，对与已经说明的部分同样的部分标注与已经说明的部分相同的附图标记，省略重复的说明。
如图9A所示，在处理槽27中，因由循环部50(参照图2)形成的蚀刻液的流动、由从气体供给喷嘴62(参照图2)供给的气体导致的发泡而成为积存到内槽45的蚀刻液晃动的状态。
因此，如图9B所示，也可以是，控制部100在使多个基板8浸渍于蚀刻液之前对循环部50和气体供给部60进行控制，使由循环部50形成的蚀刻液的流动和由气体供给部60导致的发泡停止。具体而言，控制部100使设置到循环部50的泵53停止。另外，控制部100对设置到气体供给部60的第1流量调整器64进行控制而将从气体供给源61供给的气体的流量设为0。
之后，在经过了作为直到蚀刻液的晃动复原为止的所用时间的预先决定的时间之后，如图9C所示，控制部100对升降机构102进行控制，使多个基板8从待机位置向处理位置移动。此时，限制部103设为配置到非限制位置的原样的状态。并且，若多个基板8到达处理位置，则如图9D所示，控制部100对移动机构104进行控制而使限制部103从非限制位置向限制位置移动。
并且，如图9E所示，控制部100对循环部50和气体供给部60进行控制，使由循环部50进行的蚀刻液的循环和由气体供给部60导致的发泡再次开始。
如此，也可以是，控制部100在使支承到支承体101的多个基板8浸渍于积存到处理槽27的蚀刻液之前对循环部50和气体供给部60(供给部的一个例子)进行控制，使向处理槽27的内部供给的流体的流量降低。
由此，即使不依赖于限制部103，也能够抑制从多个基板8与蚀刻液接触至到达处理位置为止的期间内的基板8向上方移动。此外，在此，在多个基板8到达了处理位置之后，使限制部103向限制位置移动，但控制部100也可以与第1实施方式同样地在使多个基板8浸渍之前使限制部103向限制位置移动。由此，能够更可靠地抑制从多个基板8与蚀刻液接触至到达处理位置为止的期间内的多个基板8的排列的紊乱。
此外，由循环部50进行的蚀刻液的流动和由气体供给部60导致的发泡未必需要完全停止。即、也可以是，控制部100对循环部50进行控制，以比处理中的蚀刻液的循环流量少的流量、具体而言基板8未晃动的程度的流量使蚀刻液循环。另外，也可以是，控制部100对气体供给部60进行控制，以比处理中的气体的供给流量少的流量、具体而言基板8未晃动的程度的流量供给气体。
另外，在此，设为对循环部50和气体供给部60这两者进行控制，但也可以是，控制部100仅对循环部50和气体供给部60中的一者进行控制。在对例如蚀刻液的循环和发泡进行了比较的情况下，发泡的情况存在使蚀刻液更激烈地晃动的倾向。因此，也可以是，控制部100在使多个基板8向蚀刻液浸渍之前对气体供给部60进行控制，从而使蚀刻液以与处理中相同的流量循环，同时仅使发泡停止或减弱。
在仅使发泡停止或减弱的情况下，也可以是，控制部100在使发泡停止或减弱的期间内对循环部50的加热器54进行控制，以比处理中的蚀刻液的加热温度低的温度对蚀刻液进行加热。由此，能够抑制由使发泡停止或减弱导致的蚀刻液的温度上升，能够均匀地保持处理槽27内部的蚀刻液的温度。此外，也可以在内槽45设置加热器来替代循环部50的加热器54，对该加热器进行控制。
另外，也可以是，控制部100在使处理后的多个基板8从处理位置向待机位置移动之际，也在使蚀刻液的循环、发泡停止或减弱了之后对升降机构102进行控制，而使多个基板8向待机位置移动。
(第3实施方式)
接着，对第3实施方式进行说明。在第3实施方式中，也可以是，在使蚀刻液的循环、发泡停止或减弱了之后，待机直到处理槽27内的蚀刻液的晃动复原为止，对蚀刻液的运动进行监视，基于监视结果开始多个基板8的浸渍。
图10是表示第3实施方式的蚀刻用的处理槽的结构的图。此外，在图10中，局部省略循环部50、气体供给部60、磷酸水溶液供给部70以及纯水供给部80等的结构来表示。
如图10所示，第3实施方式的处理槽27A具备对积存到内槽45的蚀刻液的水头压进行检测的水头压传感器90。
水头压传感器90是对积存到处理槽27A的蚀刻液的运动进行监视的监视部的一个例子，具备气泡管91、气体供给源92、供气管93以及检测部94。
气泡管91以使顶端部从蚀刻液的液面暴露着的状态插入内槽45的内部。气体供给源92是积存气体的罐。例如气体供给源92积存氮。供气管93将从气体供给源92供给的氮(吹扫气体)向气泡管91的顶端部供给。检测部94与供气管93的中途部连接，对相当于施加在气泡管91的顶端部的水头压(内槽45内的蚀刻液的水头压)的吹扫气体的背压进行测定。检测部94的检测结果向控制部100A输出。
此外，水头压传感器90未必需要是上述的结构，只要能够对积存到处理槽27A的蚀刻液的水头压进行检测，就也可以是其他结构。
图11是表示第3实施方式中的基板保持部29的控制顺序的流程图。此外，在图11中示出有直到使多个基板8的下降开始为止的控制顺序。
如图11所示，首先，控制部100A进行使蚀刻液的循环和发泡中的至少一者停止或减弱的供给控制处理(步骤S101)。
接下来，控制部100A基于水头压传感器90的检测结果对基板8是否能够浸渍于积存到处理槽27A的处理液进行判定(步骤S102)。例如控制部100A在从检测部94输入的背压的值成为阈值以下的情况下，或在从检测部94输入的背压的值的每单位时间的变动量(最大值与最小值之差)成为阈值以下的情况下，判定为能够浸渍。控制部100A反复进行步骤S102的判定处理(步骤S102，否)，直到从检测部94输入的背压的值成为阈值以下为止，或直到从检测部94输入的背压的值的每单位时间的变动量成为阈值以下为止。
另一方面，在步骤S102中判定为能够浸渍的情况下(步骤S102，是)，控制部100A对升降机构102进行控制而使多个基板8的下降开始(步骤S103)。
此外，在此，列举了水头压传感器90作为对积存到处理槽27A的蚀刻液的运动进行监视的监视部的一个例子，但监视部也可以是例如CCD照相机等拍摄部。在该情况下，拍摄部从处理槽27A的上方对处理槽27A内的蚀刻液的液面进行拍摄。控制部100A基于从拍摄部输入的图像数据对基板8是否能够浸渍于积存到处理槽27A的处理液进行判定。例如控制部100A能够在蚀刻液的液面的图像的每单位时间的变化量成为阈值以下的情况下判定为能够浸渍。
如此，也可以是，控制部100A在基于水头压传感器90或拍摄部(监视部的一个例子)的监视结果判定为能够将多个基板8浸渍于积存到处理槽27A的处理液的情况下，对升降机构102进行控制而使支承到支承体101的多个基板8向处理位置移动。由此，能够防止在处理槽27A内的蚀刻液的晃动充分地复原之前多个基板8开始向处理位置下降。
(第4实施方式)
接着，对第4实施方式进行说明。在第4实施方式中，参照图12～图14对限制部103所具有的限制构件131的其他形态进行说明。图12～图14是表示第4实施方式中的第1～第3变形例的限制构件的结构的图。
如图12所示，第4实施方式中的第1变形例的限制部103B具备限制构件131B。限制构件131B具备抵接构件133、支承构件134以及多个紧固构件136。
抵接构件133具有多个限制槽135，与自支承体101(参照图3)分开而移动到上方的基板8的上部抵接。抵接构件133由树脂形成。作为树脂，使用例如PTFE(聚四氟乙烯，polytetrafluoroethylene)。
支承构件134被支承臂132水平地支承，且水平地支承抵接构件133。支承构件134由石英形成。
紧固构件136是例如螺钉，通过贯穿于在抵接构件133和支承构件134形成的螺纹孔(未图示)，将抵接构件133固定于支承构件134。
如此，在第1变形例的限制构件131B中，设为与基板8的上部抵接的部分由树脂形成。由此，相比较与基板8的上部抵接的部分由石英形成的情况，能够抑制由抵接构件133与基板8的上部接触导致的微粒的产生。另外，限制构件131B设为利用由石英形成的支承构件134支承由树脂形成的抵接构件133的结构，因此，与限制构件131B的全部由树脂形成的情况相比较，能够维持限制构件131B的强度，同时抑制微粒的产生。
如图13所示，第2变形例的限制部103C具备限制构件131C。限制构件131C具备抵接构件137和支承构件138。
抵接构件137具有多个限制槽135，与自支承体101(参照图3)分开而移动到上方的基板8的上部抵接。抵接构件137具有沿着多个限制槽135的排列方向延伸的贯穿孔137a。贯穿孔137a的截面形状在此设为圆形，但并不限于此，也可以是方形。抵接构件137由PTFE等树脂形成。
支承构件138被支承臂132水平地支承，通过贯穿于抵接构件137的贯穿孔137a，水平地支承抵接构件137。支承构件138与抵接构件137的贯穿孔137a的形状相应地形成为圆棒状或方棒状。另外，支承构件134由石英形成。
如此，第2变形例的限制构件131C通过使支承构件138贯穿于在抵接构件137设置的贯穿孔137a，将抵接构件137固定于支承构件138。由此，与利用紧固构件136固定两者的第1变形例的限制构件131B相比较，能够使抵接构件137所受到的负荷向支承构件138整体分散，能够难以使热变形产生。
如图14所示，第3变形例的限制部103D具备限制构件131D。限制构件131D具备抵接构件140、支承构件139以及多个紧固构件141。
抵接构件140与上述的抵接构件133、137不同，不具有多个限制槽135。该抵接构件140在配置到限制位置的状态下的作为下表面的抵接面处与自支承体101分开而移动到上方的基板8的上部抵接。抵接面既可以是例如平坦面，也可以向下方突出来的弯曲面。抵接构件140由PTFE等树脂形成。
支承构件139被支承臂132水平地支承，且水平地支承抵接构件140。支承构件139由石英形成。紧固构件141是例如螺钉，通过贯穿于在抵接构件140和支承构件139形成的螺纹孔(未图示)，将抵接构件140固定于支承构件139。
如此，在第3变形例的限制构件131D中，设为不具有多个限制槽135的结构。根据该结构，也可防止基板8浮起而向旁边的基板8的载置场所移动。另外，与具有限制槽135的结构相比较，能够将由与基板8之间的接触导致的微粒的产生抑制得较少。
在此，列举从第1变形例的抵接构件133去除了多个限制槽135而成的形状为例进行了说明，但不具有多个限制槽135的限制构件的结构并不限定于上述的例子。例如不具有多个限制槽135的限制构件也可以是从第2变形例的抵接构件137去除了多个限制槽135而成的结构，也可以是从第1实施方式的限制构件131去除了多个限制槽135而成的结构。
(其他实施方式)
在上述的各实施方式中，限制构件在限制位置配置于与恰当地支承到支承体101的基板8隔离开的位置，但限制构件也可以配置于与恰当地支承到支承体101的基板8的上部抵接的位置。由此，能够更可靠地限制基板8向上方移动。
另外，在此，设为在使多个基板8浸渍于蚀刻处理用的处理槽27的基板保持部29设置了限制部103，但也可以针对使多个基板8浸渍于冲洗用的处理槽28的基板保持部30、清洗处理装置24所具备的基板保持部33、34设置限制部103。另外，在此，列举使用磷酸水溶液来仅对在基板8上形成的氮化膜(SiN)和氧化膜(SiO2)中的氮化膜选择性地蚀刻的处理作为蚀刻处理的一个例子来进行了说明，但蚀刻处理并不限定于上述的例子。
进一步的效果、变形例能够由本领域技术人员容易地导出。因此，本发明的更广泛的形态并不被限定于如以上那样表示且所叙述的特定的详细和代表性的实施方式。因而，不脱离由所附的权利要求书及其等效物定义的总结性的发明的概念的精神或范围，就可进行各种变更。

Claims (8)

1.一种基板处理装置，其特征在于，
该基板处理装置具备保持多个基板的基板保持部和积存处理液的处理槽、向所述处理槽的内部供给流体的供给部、以及控制所述供给部的控制部，
所述基板保持部具备：
支承体，其具有多个支承槽，从下方将立起状态的所述多个基板分别支承于所述多个支承槽；
升降机构，其使所述支承体在所述处理槽的上方的待机位置与所述处理槽的内部的处理位置之间升降；以及
限制部，其与所述支承体一起利用所述升降机构升降，该限制部限制所述基板相对于所述支承体向上方移动，
所述控制部在使支承到所述支承体的所述多个基板浸渍于积存到所述处理槽的所述处理液之前对所述供给部进行控制，使向积存有所述处理液的所述处理槽的内部的所述流体的供给停止，之后，在所述处理槽内积存有能够浸渍所述多个基板的所述处理液的状态下将所述多个基板浸渍到所述处理液中，在所述多个基板到达所述处理位置之后，使向所述处理槽的内部的所述流体的供给再次开始，来对所述多个基板进行处理。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述基板保持部还具备移动机构，该移动机构使所述限制部在能够限制所述基板向上方移动的限制位置与不同于该限制位置的非限制位置之间移动。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述限制位置是未与支承到所述支承体的所述多个基板接触的位置，
所述限制部在所述基板自所述支承体分开而移动到上方时与该基板的上部抵接，从而限制该基板向上方移动。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
所述限制部中的与所述基板的上部抵接的部分由树脂形成。
5.根据权利要求2~4中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述限制部具有多个限制槽，在所述限制部配置到所述限制位置的情况下，该多个限制槽供支承到所述支承体的所述多个基板的各上部配置。
6.根据权利要求2~4中任一项所述的基板处理装置，其中，
所述控制部还控制所述移动机构，
所述控制部在使支承到所述支承体的所述多个基板浸渍于积存到所述处理槽的所述处理液之前控制所述移动机构，使所述限制部从所述非限制位置向所述限制位置移动。
7.根据权利要求1~4中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制部还控制所述升降机构，
该基板处理装置具备：
监视部，其对积存到所述处理槽的所述处理液的运动进行监视，
所述控制部在基于所述监视部的监视结果判定为能够使所述多个基板浸渍于积存到所述处理槽的所述处理液的情况下，对所述升降机构进行控制而使所述支承体向所述处理位置移动。
8.一种基板处理方法，其特征在于，
该基板处理方法包括如下工序：
保持工序，通过从下方支承立起状态的多个基板来保持所述多个基板；
浸渍工序，使在所述保持工序中所保持的所述多个基板从积存处理液的处理槽的上方的待机位置朝向所述处理槽的内部的处理位置下降而使所述多个基板浸渍于所述处理液；以及
配置工序，在所述保持工序中所保持的所述多个基板到达所述处理位置之前，使限制在所述保持工序中所保持的所述多个基板向上方移动的限制部配置于能够限制所述移动的限制位置，
其中，在使所述多个基板浸渍于积存到所述处理槽的所述处理液之前，使向积存有所述处理液的所述处理槽的内部的流体的供给停止，之后，在所述处理槽内积存有能够浸渍所述多个基板的所述处理液的状态下将所述多个基板浸渍到所述处理液中，在所述多个基板到达所述处理位置之后，使向所述处理槽的内部的所述流体的供给再次开始，来对所述多个基板进行处理。
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