JP2943794B1 - ガス処理装置 - Google Patents
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Abstract
【要約】
【課題】 シリコンを含む排ガスからシリコンを容易に
回収することが困難であった。 【解決手段】 容器１１と粉体収容箱１２とガス導入管
１３とガス排出管１４とを設ける。ガス導入管１３から
温度の高いシリコンを含む排ガスを容器１１の中に放出
する。排ガスの温度が下がることによって気相のシリコ
ンがシリコン酸化物の粉体となり、自重で収容箱１２に
落下する。シリコンが除去された残留ガスはガス排出管
１４から送り出される。
回収することが困難であった。 【解決手段】 容器１１と粉体収容箱１２とガス導入管
１３とガス排出管１４とを設ける。ガス導入管１３から
温度の高いシリコンを含む排ガスを容器１１の中に放出
する。排ガスの温度が下がることによって気相のシリコ
ンがシリコン酸化物の粉体となり、自重で収容箱１２に
落下する。シリコンが除去された残留ガスはガス排出管
１４から送り出される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置等の製
造に使用されるＣＶＤ（Chemical Vapor Deposit）装
置の排ガス等の処理に好適な装置に関する。
造に使用されるＣＶＤ（Chemical Vapor Deposit）装
置の排ガス等の処理に好適な装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＣＶＤ装置等の半導体製造装置の反応管
から排出されるガス（反応ガス及び未反応ガス）は、有
害なガス成分を含むと共に、ガスが冷却されるとその構
成元素が化合してシリコン酸化物等の粉体状の化合物が
生成される。従って、有害なガス成分については吸着剤
等を用いて無害化してから排出する必要があり、また化
合物（粉体）については有害ガスを無害化する工程に至
る前に予め捕獲、収集しておく必要がある。
から排出されるガス（反応ガス及び未反応ガス）は、有
害なガス成分を含むと共に、ガスが冷却されるとその構
成元素が化合してシリコン酸化物等の粉体状の化合物が
生成される。従って、有害なガス成分については吸着剤
等を用いて無害化してから排出する必要があり、また化
合物（粉体）については有害ガスを無害化する工程に至
る前に予め捕獲、収集しておく必要がある。
【０００３】図１は、従来のこの種の排ガス処理装置
（処理システム）１の概念図である。この排ガス処理装
置１は、メカニカルブースタポンプ２、ドライポンプ
３、及び除害装置５から構成されている。ここで、メカ
ニカルブースタポンプ２はＣＶＤ装置６の反応管内を速
いスピードで低圧に引くためのメカニカルポンプであ
る。ドライポンプ３は、大気圧下から動作してメカニカ
ルブースタポンプが駆動可能となる低圧を作り出すと共
に補助排気を司るものである。除害装置５は、排ガス中
に含まれる有害ガス成分を吸着剤等を用いて取り除くも
のである。これによって、除害装置５からは無害化した
ガスが排出される。なお、除害装置５のガス導入口に
は、粉体を収集するためのフィルターが取り付けられて
いる。また、ＣＶＤ装置６とメカニカルブースタポンプ
２との間、メカニカルブースタポンプ２とドライポンプ
３との間、ドライポンプ３と除害装置５との間はそれぞ
れ連結管７、８、９によって接続されており、これらの
系は図示されていない吸引装置によって全体として引圧
されており、排ガスは管７、８、９を介してメカニカル
ブースタポンプ２、ドライポンプ３、及び除害装置５を
順次通って外部に排出される。
（処理システム）１の概念図である。この排ガス処理装
置１は、メカニカルブースタポンプ２、ドライポンプ
３、及び除害装置５から構成されている。ここで、メカ
ニカルブースタポンプ２はＣＶＤ装置６の反応管内を速
いスピードで低圧に引くためのメカニカルポンプであ
る。ドライポンプ３は、大気圧下から動作してメカニカ
ルブースタポンプが駆動可能となる低圧を作り出すと共
に補助排気を司るものである。除害装置５は、排ガス中
に含まれる有害ガス成分を吸着剤等を用いて取り除くも
のである。これによって、除害装置５からは無害化した
ガスが排出される。なお、除害装置５のガス導入口に
は、粉体を収集するためのフィルターが取り付けられて
いる。また、ＣＶＤ装置６とメカニカルブースタポンプ
２との間、メカニカルブースタポンプ２とドライポンプ
３との間、ドライポンプ３と除害装置５との間はそれぞ
れ連結管７、８、９によって接続されており、これらの
系は図示されていない吸引装置によって全体として引圧
されており、排ガスは管７、８、９を介してメカニカル
ブースタポンプ２、ドライポンプ３、及び除害装置５を
順次通って外部に排出される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の排ガ
ス処理装置１では、粉体が管９や除害装置５のフィルタ
ーに留まり、これも清掃除去しなければならず、作業上
問題があった。
ス処理装置１では、粉体が管９や除害装置５のフィルタ
ーに留まり、これも清掃除去しなければならず、作業上
問題があった。
【０００５】そこで、本発明はガスに基づいて生じる粉
体を良好に捕獲、収集でき且つ収集された粉体の除去も
容易に行えるガス処理装置を提供することを目的とす
る。
体を良好に捕獲、収集でき且つ収集された粉体の除去も
容易に行えるガス処理装置を提供することを目的とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明は、温度が低下した時に粉体が生成されるガス
を排出する半導体製造装置の反応管に連結管を介して接
続されるガス処理装置であって、前記ガスの温度を下げ
ることができるように形成されている外囲体と、前記外
囲体の底面上に着脱自在に配置され且つ少なくとも上方
の一部が開放されている粉体収容箱と、温度が低下した
時に粉体が生成される前記ガスを前記外囲体の中に導入
するガス導入管と、前記粉体が生成された後に残ったガ
スを前記外囲体から排出させる残留ガス排出管とを備
え、前記外囲体は上面板と底面板と第１、第２、第３及
び第４の側面板とを有する箱状容器であり、前記第１の
側面板は下側に開口を有し、前記粉体収容箱は前記第１
の側面板の前記開口を介して着脱するように構成され、
前記ガス導入管は前記容器の前記第１、第２、第３及び
第４の側面板から選択された１つに対して直交するよう
に貫通している第１の部分とこの第１の部分から前記上
面板の方向に屈曲している第２の部分とを有し、前記ガ
ス導入管の前記第2の部分のガス出口は前記上面板に当
てることができるように前記上面板に対向配置され、前
記残留ガス排出管は前記第1、第２、第3及び第4の側面
板から選択された1つに対して直交するように貫通し且
つ前記ガス導入管と前記上面板との間に配置され、前記
残留ガス排出管のガス入口が前記ガス導入管のガス出口
よりも高い位置に配置され、前記残留ガス排出管のガス
入口は平面的に見て前記ガス導入管のガス出口から離れ
た位置に配置されていることを特徴とするガス処理装置
に係るものである。
の本発明は、温度が低下した時に粉体が生成されるガス
を排出する半導体製造装置の反応管に連結管を介して接
続されるガス処理装置であって、前記ガスの温度を下げ
ることができるように形成されている外囲体と、前記外
囲体の底面上に着脱自在に配置され且つ少なくとも上方
の一部が開放されている粉体収容箱と、温度が低下した
時に粉体が生成される前記ガスを前記外囲体の中に導入
するガス導入管と、前記粉体が生成された後に残ったガ
スを前記外囲体から排出させる残留ガス排出管とを備
え、前記外囲体は上面板と底面板と第１、第２、第３及
び第４の側面板とを有する箱状容器であり、前記第１の
側面板は下側に開口を有し、前記粉体収容箱は前記第１
の側面板の前記開口を介して着脱するように構成され、
前記ガス導入管は前記容器の前記第１、第２、第３及び
第４の側面板から選択された１つに対して直交するよう
に貫通している第１の部分とこの第１の部分から前記上
面板の方向に屈曲している第２の部分とを有し、前記ガ
ス導入管の前記第2の部分のガス出口は前記上面板に当
てることができるように前記上面板に対向配置され、前
記残留ガス排出管は前記第1、第２、第3及び第4の側面
板から選択された1つに対して直交するように貫通し且
つ前記ガス導入管と前記上面板との間に配置され、前記
残留ガス排出管のガス入口が前記ガス導入管のガス出口
よりも高い位置に配置され、前記残留ガス排出管のガス
入口は平面的に見て前記ガス導入管のガス出口から離れ
た位置に配置されていることを特徴とするガス処理装置
に係るものである。
【０００７】
【発明の効果】本発明は次の効果を有する。 （イ） ガスに基づいて生成される粉体を着脱自在な粉
体収容箱に直接捕獲することができるので、粉体の捕獲
が容易になり、且つ捕獲後の粉体の処分を容易に行うこ
とができる。 （ロ） 粉体収容箱が容器の開口を介して着脱可能であ
るので、捕獲された粉体の処分を能率的に行うことがで
きる。 （ハ） ガス導入管のガス出口が上面板に対向し、ガス
が上面板に当るので、ガスの冷却効果が良く、粉体が効
率良く生成される。 （ニ） ガス排出管の入口がガス導入管の出口から離れ
ているので、粉体生成物質を含むガス輩出管への流入を
抑制することができる。
体収容箱に直接捕獲することができるので、粉体の捕獲
が容易になり、且つ捕獲後の粉体の処分を容易に行うこ
とができる。 （ロ） 粉体収容箱が容器の開口を介して着脱可能であ
るので、捕獲された粉体の処分を能率的に行うことがで
きる。 （ハ） ガス導入管のガス出口が上面板に対向し、ガス
が上面板に当るので、ガスの冷却効果が良く、粉体が効
率良く生成される。 （ニ） ガス排出管の入口がガス導入管の出口から離れ
ているので、粉体生成物質を含むガス輩出管への流入を
抑制することができる。
【０００８】
【実施形態及び実施例】以下、本発明の実施形態及び実
施例を図２〜図６を参照して説明する。
施例を図２〜図６を参照して説明する。
【０００９】本実施例の排ガス処理装置（システム）１
ａは、図２に示すように、メカニカルブースタポンプ
２、ドライポンプ３、粉体捕獲装置４、除害装置５、及
びこれらの相互間を接続する連結管７、８、９、１０で
構成されている。図２において、粉体捕獲装置４及びこ
の出力側の連結管１０以外の部分は図１において同一符
号で示すものと実質的に同一であるので、これ等の説明
は省略する。
ａは、図２に示すように、メカニカルブースタポンプ
２、ドライポンプ３、粉体捕獲装置４、除害装置５、及
びこれらの相互間を接続する連結管７、８、９、１０で
構成されている。図２において、粉体捕獲装置４及びこ
の出力側の連結管１０以外の部分は図１において同一符
号で示すものと実質的に同一であるので、これ等の説明
は省略する。
【００１０】本発明に従うガス処理装置としての粉体捕
獲装置４は、例えば、ＣＶＤ装置６においてシリコン基
体上にシリコン単結晶層又はシリコン酸化物層をＣＶＤ
法（化学的気相成長法）によって形成する時に生じるシ
リコン又はシリコン化合物を気相状態で含む排ガスを処
理するものであり、排ガスの温度が低下すると排ガスに
含まれている気相のシリコン又はこの化合物がシリコン
酸化物に変換することに着目して構成したものである。
獲装置４は、例えば、ＣＶＤ装置６においてシリコン基
体上にシリコン単結晶層又はシリコン酸化物層をＣＶＤ
法（化学的気相成長法）によって形成する時に生じるシ
リコン又はシリコン化合物を気相状態で含む排ガスを処
理するものであり、排ガスの温度が低下すると排ガスに
含まれている気相のシリコン又はこの化合物がシリコン
酸化物に変換することに着目して構成したものである。
【００１１】図３〜図６は図２の粉体捕獲装置４を詳し
く示す。この粉体捕獲装置４は、図３及び図４に示すよ
うに外囲体としての箱状容器１１と、粉体収容箱１２
と、ガス導入手段としてのガス導入管１３と、残留ガス
排出手段としてのガス排出管１４とから成る。
く示す。この粉体捕獲装置４は、図３及び図４に示すよ
うに外囲体としての箱状容器１１と、粉体収容箱１２
と、ガス導入手段としてのガス導入管１３と、残留ガス
排出手段としてのガス排出管１４とから成る。
【００１２】箱状容器１１は、上面板１１ａ、底面板１
１ｂ、第１、第２、第３及び第４の側面板１１ｃ、１１
ｄ、１１ｅ，１１ｆを有し、６面体に構成されている。
第１の側面板１１ｃの下側に開口１５が設けられ、第１
の側面版１１ｃに対向する第２の側面版１１ｄに第１及
び第２の貫通孔１６、１７が設けられている。第１の側
面版１１ｃの開口１５には粉体収容箱１２が挿入されて
いる。第２の側面板１１ｄの第１の貫通孔１６にはガス
導入管１３が挿入されている。第２の貫通孔１７にはガ
ス排出管１４が挿入されている。
１ｂ、第１、第２、第３及び第４の側面板１１ｃ、１１
ｄ、１１ｅ，１１ｆを有し、６面体に構成されている。
第１の側面板１１ｃの下側に開口１５が設けられ、第１
の側面版１１ｃに対向する第２の側面版１１ｄに第１及
び第２の貫通孔１６、１７が設けられている。第１の側
面版１１ｃの開口１５には粉体収容箱１２が挿入されて
いる。第２の側面板１１ｄの第１の貫通孔１６にはガス
導入管１３が挿入されている。第２の貫通孔１７にはガ
ス排出管１４が挿入されている。
【００１３】ガス導入管１３は、第２の側面板１１ｄに
直交するように延びている第１の部分１３ａと、この第
１の部分１３ａから上方に円弧状に屈曲している第２の
部分１３ｂと連結管９を取付けるための第３の部分１３
ｃとを有する。第２の側面板１１ｄの下半分よりも少し
上の第１の貫通孔１６に対してガス導入管１３の第１の
部分１３ａが嵌合し、第１の部分１３ａの一部及び第２
の部分１３ｂが容器１１の内部の空間に突出している。
第２の部分１３ｂは第２の側面板１１ｄの近くに配置さ
れ、ガス出口１３ｄは上面板１１ａに対向している。
直交するように延びている第１の部分１３ａと、この第
１の部分１３ａから上方に円弧状に屈曲している第２の
部分１３ｂと連結管９を取付けるための第３の部分１３
ｃとを有する。第２の側面板１１ｄの下半分よりも少し
上の第１の貫通孔１６に対してガス導入管１３の第１の
部分１３ａが嵌合し、第１の部分１３ａの一部及び第２
の部分１３ｂが容器１１の内部の空間に突出している。
第２の部分１３ｂは第２の側面板１１ｄの近くに配置さ
れ、ガス出口１３ｄは上面板１１ａに対向している。
【００１４】ガス排出管１４は直線状に延びている管で
あって、上面板１１ａに平行に配置されている。このガ
ス排出管１４のガス入口１４ａは第１の側面板１１ｃの
近くに配置され、ガス導入管１３の出口１３ｄから十分
に離間している。ガス排出管１４はガス導入管１３と同
様に第２の側面板１１ｄを直交するように貫通し、ガス
導入管１３よりも長く容器１１内に突出している。な
お、このガス排出管１４は容器１１の外側に取付部１４
ｂを有し、ここに除害装置５に至る連結管１０が取付け
られる。
あって、上面板１１ａに平行に配置されている。このガ
ス排出管１４のガス入口１４ａは第１の側面板１１ｃの
近くに配置され、ガス導入管１３の出口１３ｄから十分
に離間している。ガス排出管１４はガス導入管１３と同
様に第２の側面板１１ｄを直交するように貫通し、ガス
導入管１３よりも長く容器１１内に突出している。な
お、このガス排出管１４は容器１１の外側に取付部１４
ｂを有し、ここに除害装置５に至る連結管１０が取付け
られる。
【００１５】ガス導入管１３及びガス排出管１４は平面
的に見て図３のＡ−Ａ線で示す容器１１の中心に一致す
るように配置され、ガス導入管１３はガス排出管１４と
粉体収容箱１２との間に配置されている。また、容器１
１はガス導入管１３及びガス排出管１４のガス通路（内
径）の断面積よりも十分に大きい断面積を有し、ガス導
入管１３から導入されたガスを大きな空間によって自然
冷却し、粉体を生成させることができるように形成され
ている。
的に見て図３のＡ−Ａ線で示す容器１１の中心に一致す
るように配置され、ガス導入管１３はガス排出管１４と
粉体収容箱１２との間に配置されている。また、容器１
１はガス導入管１３及びガス排出管１４のガス通路（内
径）の断面積よりも十分に大きい断面積を有し、ガス導
入管１３から導入されたガスを大きな空間によって自然
冷却し、粉体を生成させることができるように形成され
ている。
【００１６】粉体収容箱１２はトレイ構成であって、第
１、第２、第３び第４の側面板１２ａ、１２ｂ、１２
ｃ、１２ｄと底面板１２ｅと、取っ手１２ｆとから成
り、上方が開放されている。この粉体収容箱１２の互い
に対向する第３及び第４の側面板１２ｃ、１２ｄの外側
面の相互間隔Ｗは容器１１の第３及び第４の側面板１１
ｅ、１１ｄの内側面の相互間隔と同一又はこれよりも幾
らか小さい。また、粉体収容箱１２の第１の側面板１２
ａの内側面と第２の側面板１２ｂの外側面との間隔Ｌは
容器１１の第１の側面板１１ｃの外側面と第２の側面板
１１ｄの内側面との間隔と同一又はこれより幾らか小さ
い。また、粉体収容箱１２の第２、第３及び第４の側面
板１２ｂ、１２ｃ、１２ｃの高さＨは図５に示す開口１
５の高さと同一又はこれよりも幾らか低い。また、粉体
収容箱１２の第１の側面板１２ａは容器１１の開口１５
のに全部を覆うようにこれよりも幾らか大きい。従っ
て、粉体収容箱１２を容器１１に完全に装着した時に
は、容器１１の内部空間の下部に粉体収容箱１２が配置
され、且つ開口１５は第１の側面板１２ａで閉塞され
る。なお、容器１１の底面板１１ｂにキャスタ１８が取
付けられている。
１、第２、第３び第４の側面板１２ａ、１２ｂ、１２
ｃ、１２ｄと底面板１２ｅと、取っ手１２ｆとから成
り、上方が開放されている。この粉体収容箱１２の互い
に対向する第３及び第４の側面板１２ｃ、１２ｄの外側
面の相互間隔Ｗは容器１１の第３及び第４の側面板１１
ｅ、１１ｄの内側面の相互間隔と同一又はこれよりも幾
らか小さい。また、粉体収容箱１２の第１の側面板１２
ａの内側面と第２の側面板１２ｂの外側面との間隔Ｌは
容器１１の第１の側面板１１ｃの外側面と第２の側面板
１１ｄの内側面との間隔と同一又はこれより幾らか小さ
い。また、粉体収容箱１２の第２、第３及び第４の側面
板１２ｂ、１２ｃ、１２ｃの高さＨは図５に示す開口１
５の高さと同一又はこれよりも幾らか低い。また、粉体
収容箱１２の第１の側面板１２ａは容器１１の開口１５
のに全部を覆うようにこれよりも幾らか大きい。従っ
て、粉体収容箱１２を容器１１に完全に装着した時に
は、容器１１の内部空間の下部に粉体収容箱１２が配置
され、且つ開口１５は第１の側面板１２ａで閉塞され
る。なお、容器１１の底面板１１ｂにキャスタ１８が取
付けられている。
【００１７】粉体捕獲装置４によってＣＶＤ工程の排ガ
スを処理する時には、容器１１に粉体収容箱２を装着し
且つガス導入管１３及びガス排出管１４に連結管９、１
０を結合させて図２に示す排ガス処理装置１ａを構成
し、図１で説明した場合と同様にＣＶＤ装置６の排ガス
をメカニカルブースタポンプ２及びドライポンプ３で吸
引し、更に図２で矢印で示すようにガスに流れを与えて
粉体捕獲装置４に被処理ガス即ち排ガスを導入する。Ｃ
ＶＤ装置６から粉体捕獲装置４までの経路においては、
排ガスは外気から遮断されており且つメカニカルブース
タポンプ２やドライポンプ３のモータの回転等に伴う発
熱のために粉体捕獲装置４の入口におけるガスの温度
は、ＣＶＤ装置６の反応管内で加熱された状態のガスの
温度と大幅には相違していない。従って、粉体捕獲装置
４に至る前に排ガスに基づくシリコン酸化物等の粉体の
生成は実質的に生じない。比較的高い温度に保たれた排
ガスがＣＶＤ装置６よりも十分に低い温度（例えば２０
℃等の常温）に保たれている容器１１の中にガス導入管
１３から放出されると、排ガスが冷却され、この温度が
低下し、排ガス中の元素（例えばシリコン）の化合物
（例えばシリコン酸化物）から成る粉体（粒子）が生
じ、この粉体が自重によって降下し、粉体収容体１２に
収容される。即ち、排ガスに基づいて生成された粉体の
みが収集され、残留ガスは排出管１４から送り出され
る。本実施例の粉体捕獲装置４においては、排ガスがガ
ス導入管１３の上方に屈曲している第２の部分１３ｂか
ら上面板１１ａに向って放出され、ここに当ってから比
較的広い容器１１内に拡散してからガス排出管１４に取
り込まれるので、排ガスの温度が効果的に低下する。こ
のため、排ガス中に含まれている粉体生成物質のほとん
ど全部を粉体に変換することができる。なお、ガス排出
管１４はガスを吸引するように作用しているが、この吸
引の力はさほど強くなく且つガス排出管１４の入口１４
ａがガス導入管１３の出口１３ｄから十分に離れている
ので、ガス排出管１４に流入する残留ガスには、粉体生
成物質がほとんど含まれない。従って、図２に示す粉体
捕獲装置４の後段の連結管１０及び除害装置５において
粉体がほとんど発生しない。粉体収容箱１２にある程度
の量の粉体が捕獲されたら、粉体収容箱１２を容器１１
から取り出し、粉体を捨てた後に再び容器１１に装着す
る。
スを処理する時には、容器１１に粉体収容箱２を装着し
且つガス導入管１３及びガス排出管１４に連結管９、１
０を結合させて図２に示す排ガス処理装置１ａを構成
し、図１で説明した場合と同様にＣＶＤ装置６の排ガス
をメカニカルブースタポンプ２及びドライポンプ３で吸
引し、更に図２で矢印で示すようにガスに流れを与えて
粉体捕獲装置４に被処理ガス即ち排ガスを導入する。Ｃ
ＶＤ装置６から粉体捕獲装置４までの経路においては、
排ガスは外気から遮断されており且つメカニカルブース
タポンプ２やドライポンプ３のモータの回転等に伴う発
熱のために粉体捕獲装置４の入口におけるガスの温度
は、ＣＶＤ装置６の反応管内で加熱された状態のガスの
温度と大幅には相違していない。従って、粉体捕獲装置
４に至る前に排ガスに基づくシリコン酸化物等の粉体の
生成は実質的に生じない。比較的高い温度に保たれた排
ガスがＣＶＤ装置６よりも十分に低い温度（例えば２０
℃等の常温）に保たれている容器１１の中にガス導入管
１３から放出されると、排ガスが冷却され、この温度が
低下し、排ガス中の元素（例えばシリコン）の化合物
（例えばシリコン酸化物）から成る粉体（粒子）が生
じ、この粉体が自重によって降下し、粉体収容体１２に
収容される。即ち、排ガスに基づいて生成された粉体の
みが収集され、残留ガスは排出管１４から送り出され
る。本実施例の粉体捕獲装置４においては、排ガスがガ
ス導入管１３の上方に屈曲している第２の部分１３ｂか
ら上面板１１ａに向って放出され、ここに当ってから比
較的広い容器１１内に拡散してからガス排出管１４に取
り込まれるので、排ガスの温度が効果的に低下する。こ
のため、排ガス中に含まれている粉体生成物質のほとん
ど全部を粉体に変換することができる。なお、ガス排出
管１４はガスを吸引するように作用しているが、この吸
引の力はさほど強くなく且つガス排出管１４の入口１４
ａがガス導入管１３の出口１３ｄから十分に離れている
ので、ガス排出管１４に流入する残留ガスには、粉体生
成物質がほとんど含まれない。従って、図２に示す粉体
捕獲装置４の後段の連結管１０及び除害装置５において
粉体がほとんど発生しない。粉体収容箱１２にある程度
の量の粉体が捕獲されたら、粉体収容箱１２を容器１１
から取り出し、粉体を捨てた後に再び容器１１に装着す
る。
【００１８】上述から明らかなように、本実施例によれ
ば次の作用効果が得られる。 （１） 粉体を良好に捕獲、収集でき、粉体捕獲装置４
以外に粉体がたまることが実質的にない。このため、除
害装置５のフィルターの清掃もほとんど必要がない程度
となる。 （２） 粉体収容箱１２を容器１１に容易に着脱するこ
とができ、粉体は上面が開放された粉体収容箱１２内に
粉体状のままたまるので、粉体の除去作業が容易にな
る。 （３） ガス導入管１３の出口１３ｄが上面板１１ａに
向って排ガスを当てるような方向性を有するので、冷却
効果が良く、粉体の生成を効率良く行うことができる。 （４） ガス導入管１３の出口１３ｄとガス排出管１４
の入口１４ａが図４で左右に十分離間しているので、粉
体生成物質を含むガスの排出管１４への流入を抑制する
ことができる。
ば次の作用効果が得られる。 （１） 粉体を良好に捕獲、収集でき、粉体捕獲装置４
以外に粉体がたまることが実質的にない。このため、除
害装置５のフィルターの清掃もほとんど必要がない程度
となる。 （２） 粉体収容箱１２を容器１１に容易に着脱するこ
とができ、粉体は上面が開放された粉体収容箱１２内に
粉体状のままたまるので、粉体の除去作業が容易にな
る。 （３） ガス導入管１３の出口１３ｄが上面板１１ａに
向って排ガスを当てるような方向性を有するので、冷却
効果が良く、粉体の生成を効率良く行うことができる。 （４） ガス導入管１３の出口１３ｄとガス排出管１４
の入口１４ａが図４で左右に十分離間しているので、粉
体生成物質を含むガスの排出管１４への流入を抑制する
ことができる。
【００１９】
【変形例】本発明は上述の実施例に限定されるものでな
く、例えば次の変形が可能なものである。 （１） 実施例では粉体捕獲装置４において排ガスを自
然冷却しているが、強制的冷却手段を設けることもでき
る。 （２） 粉体収容箱１２のための開口１５を第２、第３
又は第４の側面板１１ｄ、１１ｅ、１１ｆに設けること
ができる。また、貫通孔１６、１７を第１、第３又は第
４の側面板１１ｃ、１１ｅ、１１ｆに設けることができ
る。 （３） シリコン以外の物質の回収にも本発明を適用す
ることができる。
く、例えば次の変形が可能なものである。 （１） 実施例では粉体捕獲装置４において排ガスを自
然冷却しているが、強制的冷却手段を設けることもでき
る。 （２） 粉体収容箱１２のための開口１５を第２、第３
又は第４の側面板１１ｄ、１１ｅ、１１ｆに設けること
ができる。また、貫通孔１６、１７を第１、第３又は第
４の側面板１１ｃ、１１ｅ、１１ｆに設けることができ
る。 （３） シリコン以外の物質の回収にも本発明を適用す
ることができる。
【図１】従来のＣＶＤ装置の排ガス処理装置を概略的に
示す図である。
示す図である。
【図２】本発明の実施例の排ガス処理装置を概略的に示
す図である。
す図である。
【図３】図２の粉体捕獲装置を詳しく示す平面図であ
る。
る。
【図４】図３のＡ−Ａ線断面図である。
【図５】図４の容器を示す左側面図である。
【図６】図４の粉体収容箱を示す平面図である。
４ 粉体捕獲装置 １１ 容器 １２ 粉体収容箱 １３ ガス導入管 １４ ガス排出管
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C23C 16/00 - 16/56 H01L 21/205 B01D 50/00 B01D 53/34
Claims (1)
- 【請求項１】 温度が低下した時に粉体が生成されるガ
スを排出する半導体製造装置の反応管に連結管を介して
接続されるガス処理装置であって、 前記ガスの温度を下げることができるように形成されて
いる外囲体と、前記外囲体の底面上に着脱自在に配置さ
れ且つ少なくとも上方の一部が開放されている粉体収容
箱と、温度が低下した時に粉体が生成される前記ガスを
前記外囲体の中に導入するガス導入管と、前記粉体が生
成された後に残ったガスを前記外囲体から排出させる残
留ガス排出管とを備え、前記外囲体は上面板と底面板と第１、第２、第３及び第
４の側面板とを有する箱状容器であり、 前記第１の側面板は下側に開口を有し、 前記粉体収容箱は前記第１の側面板の前記開口を介して
着脱するように構成され、 前記ガス導入管は前記容器の前記第１、第２、第３及び
第４の側面板から選択された１つに対して直交するよう
に貫通している第１の部分とこの第１の部分から前記上
面板の方向に屈曲している第２の部分とを有し、 前記ガス導入管の前記第2の部分のガス出口は前記ガス
を前記上面板に当てることができるように前記上面板に
対向配置され、 前記残留ガス排出管は前記第1、第２、第3及び第4の側
面板から選択された1つに対して直交するように貫通し
且つ前記ガス導入管と前記上面板との間に配置され、 前記残留ガス排出管のガス入口が前記ガス導入管のガス
出口よりも高い位置に配置され、 前記残留ガス排出管のガス入口は平面的に見て前記ガス
導入管のガス出口から離れた位置に配置されていること
を特徴とするガス処理装置 。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12423698A JP2943794B1 (ja) | 1998-04-17 | 1998-04-17 | ガス処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12423698A JP2943794B1 (ja) | 1998-04-17 | 1998-04-17 | ガス処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2943794B1 true JP2943794B1 (ja) | 1999-08-30 |
| JPH11302852A JPH11302852A (ja) | 1999-11-02 |
Family
ID=14880349
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12423698A Expired - Fee Related JP2943794B1 (ja) | 1998-04-17 | 1998-04-17 | ガス処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2943794B1 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4527595B2 (ja) * | 2005-05-09 | 2010-08-18 | 株式会社 テクノ・バンダリー | ゲル状物質の処理方法、および処理装置 |
| DE102014105294A1 (de) * | 2014-04-14 | 2015-10-15 | Aixtron Se | Vorrichtung und Verfahren zur Abgasreinigung an einem CVD-Reaktor |
| JP6624442B2 (ja) * | 2016-01-22 | 2019-12-25 | 株式会社デンソー | 真空ダイカスト装置 |
-
1998
- 1998-04-17 JP JP12423698A patent/JP2943794B1/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11302852A (ja) | 1999-11-02 |
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