JP2002033315A

JP2002033315A - 成膜装置のクリーニング方法および装置

Info

Publication number: JP2002033315A
Application number: JP2000217700A
Authority: JP
Inventors: Atsutake Fukazawa; 篤毅深澤
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2000-07-18
Filing date: 2000-07-18
Publication date: 2002-01-31

Abstract

(57)【要約】【課題】クリーニングガスの利用率を向上させるとと
もに、成膜装置の排気系の除害装置を省略できるように
する。【解決手段】成膜装置５０の成膜処理室５２には、循
環パイプ７８が排気管７０と別に接続してある。循環パ
イプ７８には、クリーニングガス供給部１０２が接続し
てあり、成膜処理室７８にクリーニングガスを供給する
ことができる。また、循環パイプ７８には、循環ポンプ
８０が設けてあって、成膜処理室５２内のガスを循環さ
せることができるようにしてある。循環ポンプ８０の吐
出側に設けた反応生成物除去部８４は、タンク８６の入
口側と出口側とに設けたフィルタ部９０、９２によっ
て、循環するガスからガス状反応生成物を除去する。反
応生成物除去部８４のタンク８６内には、冷却器８８が
設けてあり、循環するガスを冷却してガス状の反応生成
物を凝固させることができるようになっている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、成膜装置のクリー
ニング方法に係り、特にＣ₂ Ｆ₆ などのパーフルオロ化
合物（ＰＦＣ）をプラズマ化して成膜装置内の付着物を
クリーニングする成膜装置のクリーニング方法および装
置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ
₂ ）などの絶縁膜、または多結晶シリコンやタングステ
ンなどの導電性の膜を形成する成膜工程と、これらの膜
を所定のパターンにエッチングするエッチング工程とを
多数回繰り返して行なうことにより製造される。ところ
が、成膜工程においては、プラズマＣＶＤなどの成膜装
置の電極や内部の壁面にも絶縁膜や導電膜が付着する。
このため、一般に各成膜工程を終了する都度、成膜装置
の内部をクリーニングして付着物を除去する必要があ
る。図２は、従来の成膜装置のクリーニング方法を説明
する図である。

【０００３】図２において、成膜装置であるプラズマＣ
ＶＤ装置１０は、マスフローコントローラ１２を有する
原料配管１４を介して原料ガス供給部１６が接続してあ
り、原料ガス供給部１６からモノシラン（ＳｉＨ₄ ）な
どの成膜原料ガスが供給される。また、プラズマＣＶＤ
装置１０には、排気管１８を介してドライポンプ（真空
ポンプ）２０が接続してあり、内部を真空にすることが
できるようになっている。

【０００４】排気管１８には、圧力制御器２２が設けて
あって、プラズマＣＶＤ装置１０の内部を所定の真空度
に保持できるようにしてあるとともに、排気バイパス２
４が圧力制御器２２と並列に接続してあり、プラズマＣ
ＶＤ装置１０の稼動初期時に、排気バイパス２４を介し
てプラズマＣＶＤ装置１０内を急速に排気できるように
してある。そして、プラズマＣＶＤ装置１０は、例えば
一酸化窒素（ＮＯ）の供給部（図示せず）から供給され
た一酸化窒素と、原料ガス供給部１６から供給されたモ
ノシランとをプラズマ化し、図示しないシリコンウエハ
の表面に二酸化ケイ素の膜を成膜する。

【０００５】さらに、プラズマＣＶＤ装置１０には、配
管２６を介してクリーニングガス供給部２８が接続して
あり、プラズマＣＶＤ装置１０の内部にＣ₂ Ｆ₆ などの
クリーニングガスを供給できるようにしてある。そし
て、配管２６には、マスフローコントローラ３０が設け
てあって、プラズマＣＶＤ装置１０に供給するクリーニ
ングガスの流量を制御できるようになっている。また、
ドライポンプ２０の排気側または吸気側（図２において
は排気側）には、燃焼式排気装置３２などの除害装置が
設けてあって、ドライポンプ２０から排出された未反応
のクリーニングガスを分解して大気中に放出するように
なっている。

【０００６】このようになっているプラズマＣＶＤ装置
１０においては、成膜工程の終了後、クリーニングガス
供給部２８からクリーニングガスをプラズマＣＶＤ装置
１０に供給し、これをプラズマ化してプラズマＣＶＤ装
置１０の電極や内壁面に付着している二酸化ケイ素など
の付着物と反応させる。そして、ガス状の反応生成物
は、排気管１８を介してドライポンプ２０によって、未
反応のクリーニングガスとともにプラズマＣＶＤ装置１
０の外部に抜き出される。また、ドライポンプ２０から
吐出された未反応のクリーニングガスは、地球温暖化の
原因となることから、燃焼式排気装置３２に送って高温
に加熱して分解したのち、大気中に放出する。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】上記したように、従来
のプラズマＣＶＤ装置１０の成膜後におけるクリーニン
グは、Ｃ₂ Ｆ₆ などのＰＦＣからなるクリーニングガス
をプラズマ化し、プラズマＣＶＤ装置１０内の付着物と
反応させることにより行なっている。そして、未反応の
クリーニングガスは、反応生成物とともにドライポンプ
２０によって吸引し、燃焼式排気装置３２によって分解
したのち、大気中に放出している。ところが、クリーニ
ングガスをプラズマ化して反応させる場合、反応に寄与
するクリーニングガスは、プラズマＣＶＤ装置１０に供
給される量の２０〜３０％にすぎず、残りの７０〜８０
％は未反応の状態でそのまま捨てられることになり、き
わめて不経済であり、半導体装置のコストを上昇させる
一因となっている。また、クリーニングガスは、地球温
暖化係数の高いＰＦＣであるところから、クリーニング
ガスを分解して除害する燃焼式排気装置３２をドライポ
ンプ２０の後段に設ける必要があり、設備コストやラン
ニングコストを増大させる。そこで、図３のようにして
プラズマＣＶＤ装置１０から排出されるガスを循環させ
てクリーニングガスをより有効に利用することが考えら
れる。

【０００８】すなわち、プラズマＣＶＤ装置１０のガス
流入側とドライポンプ２０の吸引側との間に循環路３４
を設け、この循環路３４に循環ポンプ３６を設置する。
そして、プラズマＣＶＤ装置１０から排気管１８に排出
されたガスを、循環ポンプ３６によって循環路３４に吸
引し、プラズマＣＶＤ装置１０に戻す。これにより、プ
ラズマＣＶＤ装置１０から排出された未反応のクリーニ
ングガスを再度プラズマＣＶＤ装置１０に供給すること
ができ、クリーニングガスの利用効率を向上することが
できる。

【０００９】ところが、プラズマＣＶＤ装置１０によっ
て成膜を行なうと、成膜原料のガスが排気管１８にも流
れるため、排気管１８の内面に０．１μｍ〜数μｍ程度
の非常に細かい付着物が生成される。このような微細な
付着物は、ガスの流れとともに飛散するとフィルタによ
って除去することが困難である。このため、排気管１８
に循環路３４を接続して排気管１８を流れるガスをプラ
ズマＣＶＤ装置１０に戻すと、排気管１８内の付着物が
循環させるガスとともに循環路３４内に流入して管壁に
付着することになり、循環路３４をクリーニングするた
めに多くの時間と費用とを必要とする。

【００１０】本発明は、前記従来技術の欠点を解消する
ためになされたもので、クリーニングガスの利用効率を
高めることができるとともに、排気管内の生成物の影響
を受けないようにすることを目的としている。また、本
発明は、成膜装置の排気系の除害装置を省略できるよう
にすることなどを目的としている。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明に係る成膜装置のクリーニング方法は、成
膜装置内にクリーニングガスを導入してプラズマ化し、
プラズマ化させたクリーニングガスと前記成膜装置内の
付着物とを反応させ、排気系と併設された循環経路によ
り反応生成物を前記クリーニングガスとともに成膜装置
の外部に取り出して除去したのち、前記クリーニングガ
スを前記成膜装置に戻すことを特徴としている。

【００１２】このように構成した本発明は、成膜装置に
供給したクリーニングガスを反応生成物とともに、排気
系と併設した循環経路により成膜装置の外部に取り出
し、反応生成物を除去して未反応のクリーニングガスを
成膜装置に戻すようにしているため、クリーニングガス
の利用率を向上することができる。また、循環経路を排
気系と別に設けているため、排気系の排気管などの内部
に堆積された生成物の影響を避けることができ、循環経
路のメンテナンスが容易となる。

【００１３】そして、ガスを循環させ、成膜装置に戻す
ガスによる反応が進行しなくなったときに、循環させて
いるガスを循環経路外に排出し、新たなクリーニングガ
スを成膜装置内に導入することにより、クリーニングガ
スをほぼ１００％利用することができる。また、反応生
成物の除去は、ガス状の反応生成物を捕集することがで
きるガスフィルタを使用してガス状態で除去してよい。
さらに、反応生成物を凝固させて固体にして除去しても
よい。反応生成物を凝固させるには、循環させるガスを
冷却することにより、容易に行なうことができる。そし
て、反応生成物の除去は、ガス状態での除去と、凝固さ
せて固体状態での除去とを併用することが望ましい。

【００１４】上記のクリーニング方法を実施する成膜装
置のクリーニング装置は、成膜装置内にクリーニングガ
スを供給するガス供給手段と、前記成膜装置内に供給さ
れた前記クリーニングガスをプラズマ化するプラズマ発
生手段と、前記成膜装置内のガスを外部に取り出し、再
び成膜装置に戻す排気系と併設されたガス循環手段と、
このガス循環手段によって前記成膜装置から取り出した
前記ガスから、プラズマ化した前記クリーニングガスと
前記成膜装置内の付着物との反応生成物を除去する反応
生成物除去手段とを有することを特徴としている。

【００１５】これにより、クリーニングガスをほぼ１０
０％利用することができるとともに、排気系に堆積した
生成物の影響を防ぐことができる。そして、反応生成物
除去手段は、ガス状の前記反応生成物を選択的に捕集す
るガスフィルタからなるフィルタ部を設けることができ
る。さらに、反応生成物除去手段は、ガス状の前記反応
生成物を凝固させる生成物凝固部を設けるようにしても
よい。クリーニングガスを循環させる経路に、循環させ
ているガスによる付着物との反応能力を検知する反応検
出センサを設けることにより、循環させるガスの有効性
（クリーニング能力）を把握することができ、必要以上
にクリーニング（清掃）時間がかかるのを防止したり、
クリーニングが完了したことを容易に知ることができ
る。

【００１６】

【発明の実施の形態】本発明に係る成膜装置のクリーニ
ング方法および装置の好ましい実施の形態を、添付図面
に従って詳細に説明する。

【００１７】図１は、本発明の実施の形態に係る成膜装
置のクリーニング装置の説明図である。図１において、
成膜装置であるプラズマＣＶＤ装置５０は、実施形態の
場合、枚葉式であって、成膜処理室５２内に上部電極５
４と下部電極５６とが配設してあり、下部電極５６の上
に図示しないシリコンウエハを配置するようになってい
る。そして、成膜処理室５２のガス導入口には、原料配
管５８を介して原料ガス供給部６０が接続してあって、
原料ガス供給部６０からモノシランなどの成膜用原料ガ
スを成膜処理室５２に供給できるようにしてある。ま
た、原料配管５８には、原料ガスの流量を調整するマス
フローコントローラ６２が設けてあるとともに、マスフ
ローコントローラ６２と原料ガス供給部６０との間に開
閉弁６４が設けてある。

【００１８】一方、成膜処理室５２の排気口は、実施形
態の場合、下部電極５６の中央部に形成してあって、こ
の排気口に、排気系を構成している排気管７０の一端が
接続してある。そして、排気管７０は、開閉弁６６と圧
力制御器６８とを有し、成膜処理室５２内のガスが排気
管７０に流入するのを阻止できるとともに、圧力制御器
６８によって成膜処理室５２内の圧力を所定の値に制御
できるようになっている。排気管７０の他端は、排気ポ
ンプ７２に接続してあって、排気ポンプ７２を駆動する
ことにより、成膜処理室５２の内部を排気して真空にす
ることができるようにしてある。また、排気管７０に
は、開閉弁７４を有する排気バイパス７６が開閉弁６
６、圧力制御器６８と並列に接続してあって、プラズマ
ＣＶＤ装置５０を稼動させる初期時に排気バイパス７６
を介して成膜処理室５２内を排気し、迅速に真空が得ら
れるようにしてある。なお、排気ポンプ７２は、実施形
態の場合、ドライポンプでなく、より小型のポンプを使
用している。

【００１９】また、成膜処理室５２には、排気管７０と
別に循環経路を構成する循環パイプ７８の一端が接続し
てある。この循環パイプ７８の他端は、原料配管５８の
マスフローコントローラ６２より下流側に接続してあ
る。そして、循環パイプ７８には、循環パイプ７８とと
もに循環手段を構成している循環ポンプ８０が設けてあ
って、循環ポンプ８０を作動させることにより、循環パ
イプ７８を介して成膜処理室５２内のガスを吸引し、さ
らに成膜処理室５２のガス供給側に戻すことができるよ
うにしてある。また、循環パイプ７８には、循環ポンプ
８０の吸引側に開閉弁８２が取り付けてあるとともに、
循環ポンプ８０の吐出側に反応生成物除去手段である反
応生成物除去部８４が設けてある。

【００２０】反応生成物除去部８４は、タンク８６を有
している。タンク８６は、生成物凝固部を構成してい
て、内部に冷却コイルや冷却フィンなどからなる冷却器
８８が配設され、タンク８６に流入したガスを冷却し、
後述するように、ガス内の反応生成物を凝固させること
ができるようになっている。そして、タンク８６のガス
流入口とガス流出口とには、フィルタ部９０、９２が設
けてある。このフィルタ部９０、９２には、ガス状の反
応生成物やガス状の成膜成分などの不純物を選択的に捕
集するガスフィルタ（図示せず）が配置してある。

【００２１】反応生成物除去部８４の下流側の循環パイ
プ７８には、開閉弁９４とマスフローコントローラ９６
とが直列に設けてある。また、開閉弁９４とマスフロー
コントローラ９６との間の循環パイプ７８には、開閉弁
９８を備えたクリーニングガス供給管１００を介してク
リーニングガス供給部（ガス供給手段）１０２が接続し
てある。なお、循環経路の一部をなす成膜処理室５２に
は、内部を観察できる図示しない覗き窓が設けてあっ
て、この覗き窓に反応検出センサであるプラズマ分光モ
ニタ１０４が配置してあり、成膜処理室５２内のクリー
ニングが終了したか否か、またクリーニングガスの反応
能力（クリーニング能力）があるか否かを検知すること
ができるようになっている。

【００２２】上記のごとく構成してある実施形態におい
ては、シリコンウエハに成膜する場合、プラズマＣＶＤ
装置５０の成膜処理室５２にシリコンウエハが搬入さ
れ、下部電極５６の上に配置される。そして、成膜処理
室５２には、原料ガス供給部６０からモノシランと一酸
化窒素などの原料ガスが供給される。これらの原料ガス
は、上部電極５４と下部電極５６とに供給される高周波
電力によってプラズマ化され、シリコンウエハの上に二
酸化ケイ素の膜が堆積される。そして、成膜が終了した
シリコンウエハは、図示しないカセットモジュール等に
搬送される。その後、排気管７０の開閉弁６６を閉じて
排気ポンプ７２を停止し、成膜処理室５２のクリーニン
グを開始する。

【００２３】すなわち、クリーニングガス供給管１００
に設けた開閉弁９８を開放し、クリーニングガス供給部
１０２からＣ₂ Ｆ₆ と酸素（Ｏ₂ ）との混合ガスなどの
クリーニングガスを、マスフローコントローラ９６を介
して成膜処理室５２に供給するとともに、循環パイプ７
８の開閉弁８２、９４を開放して循環ポンプ８０を駆動
する。また、成膜処理室５２に所定量のクリーニングガ
スを供給したのちは、開閉弁９８を閉じてクリーニング
ガス供給部１０２からのクリーニングガスの供給を停止
する。そして、上部電極５４と下部電極５６との間に高
周波電圧を印加してクリーニングガスをプラズマ化し、
成膜処理室５２内に付着している二酸化ケイ素などの付
着物と反応させる。

【００２４】クリーニングガスと付着物とが反応して生
じたガス状の反応生成物は、成膜処理室５２内の未反応
のクリーニングガスとともに、循環パイプ７８を介して
循環ポンプ８０によって吸引され、成膜処理室５２から
取り出されて反応生成物除去部８４に送られる。例え
ば、成膜処理室５２内の付着物が二酸化ケイ素であり、
クリーニングガスがＣ₂ Ｆ₆ とＯ₂ との混合ガスである
場合、係数を無視すると、

【００２５】

【化１】のような反応系となり、化学式１の右辺に示したような
成分からなる混合ガスが循環パイプ７８に流入する。

【００２６】また、シリコン窒化膜（Ｓｉ₃ Ｎ₄ 膜）の
成膜処理をし、成膜処理室５２内の付着物が窒化シリコ
ン（Ｓｉ₃ Ｎ₄ ）である場合、係数を無視すると、

【００２７】

【化２】のような反応系となり、化学式２の右辺に示したような
成分を含む混合ガスが循環パイプ７８に流入する。

【００２８】さらに、例えば配線層間絶縁プラグとして
タングステン（Ｗ）の膜を成膜すると、成膜処理室５２
の電極５４、５６や内壁にはタングステンが付着する。
この場合には、係数を無視すると、

【００２９】

【化３】のような反応系となって、化学式３の右辺に示したよう
な成分からなる混合ガスが循環パイプ７８に流入する。

【００３０】反応生成物除去部８４に送られたガスは、
タンク８６の入口側と出口側とに設けたフィルタ部９
０、９２によってガス状の反応生成物（例えば、四フッ
化ケイ素（ＳｉＦ₄ ）や六フッ化タングステン（ＷＦ
₆ ）など）や、ガス状の成膜成分などの不純物ガスが選
択的に捕集されるとともに、循環ガス中に含まれるパー
ティクルなどが除去される。また、タンク８６に流入し
たガスは、冷却器８８によって冷却され、気体状の反応
生成物などのガス状の不純物を凝固させて固体にすると
ともに、凝固させた生成物を大きく成長させて出口側の
フィルタ部９２を通過しないようにする。

【００３１】このようにして反応生成物とパーティクル
などの不純物が除去された未反応のクリーニングガス
は、マスフローコントローラ９６を介して再び成膜処理
室５２に戻し、プラズマ化して成膜処理室５２内の付着
物と反応させる。そして、このようなガスの循環は、循
環させているガスの反応能力がなくなるまで、または成
膜処理室５２のクリーニングが終了するまで行われる。
この循環させているガスの反応能力がなくなったことの
検出、または成膜処理室５２のクリーニングが終了した
ことの検出、いわゆるエンドポイントの検出は、成膜処
理室５２の覗き窓に配置したプラズマ分光モニタ１０４
によって行われる。

【００３２】すなわち、プラズマ分光モニタ１０４は、
プラズマ状態の原子の結合から発せられる光を検出でき
るようになっている。例えば、ケイ素と酸素とが結合し
たＳｉ−Ｏ結合のプラズマにおいては、７０４ｎｍの波
長のところに顕著なピークが現れる。従って、二酸化ケ
イ素のクリーニングを行なっている場合、７０４ｎｍの
ピークが現れなくなったことによってクリーニングガス
の反応能力がなくなって反応が進行しなくなったこと、
または付着していた二酸化ケイ素が除去されたことを検
知することができる。なお、プラズマ分光モニタ１０４
には、図示しないブザーなどの告知装置を接続し、循環
させているガスのクリーニング能力がなくなったとき
や、クリーニングが終了したときにプラズマ分光モニタ
１０４の出力に基づいて、その旨を告知させるようにす
ることが望ましい。

【００３３】上記のようにして循環させているガスの反
応能力がなくなり、反応が進行しなくなった場合には、
排気バイパス７６に設けた開閉弁７４を開放し、排気ポ
ンプ７２を駆動して循環させていたガスを大気中に放出
する。この循環させているガスの排出は、成膜処理室５
２の内部を高い真空度にしたり、窒素ガスなどの不活性
な置換ガスを成膜処理室５２に供給し、ガス置換をさせ
て行なうことができる。そして、循環させているガスの
排出が終了したならば、再びクリーニングガス供給部１
０２からクリーニングガスを成膜処理室５２に供給し、
前記したと同様にして成膜処理室５２のクリーニングを
続行する。そして、このクリーニングガスの供給、循
環、排出を成膜処理室５２に付着している付着物が除去
されるまで繰り返す。

【００３４】このように、実施の形態においては、クリ
ーニングガスを循環させて使用しているため、クリーニ
ングガスのほぼ１００％を反応に寄与させることがで
き、クリーニングガスの利用効率が高まって、半導体装
置などのコストを削減することができる。また、クリー
ニングガスをほぼ１００％反応に寄与させることができ
るため、従来のように排気ポンプ７２の吐出側に燃焼式
排出装置などの除害装置を設ける必要がなく、成膜装置
の簡素化とコストの削減とを図ることができる。

【００３５】なお、前記実施の形態においては、成膜装
置がプラズマＣＶＤ装置５０である場合について説明し
たが、熱ＣＶＤ装置などにも適用することができる。ま
た、前記実施の形態においては、クリーニングガスがＣ
₂ Ｆ₆ とＯ₂ との混合ガスである場合について説明した
が、クリーニングガスはこれに限定されず、ＮＦ₃ やＣ
Ｆ₄ などの他のガスを使用してもよい。

【００３６】

【発明の効果】以上に説明したように、本発明によれ
ば、成膜装置に供給したクリーニングガスを循環させて
使用することにより、クリーニングガスをほぼ１００％
利用することができ、成膜装置をクリーニングのための
費用を低減することができる。また、クリーニングガス
を循環させる循環経路を排気系と併設しているため、排
気系の生成物による影響を避けることができる。さら
に、クリーニングガスをほぼ１００％利用できるため、
成膜装置の排気系に設けていた除害装置を省略すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態に係る成膜装置のクリーニ
ング装置の説明図である。

【図２】従来の成膜装置をクリーニングする方法を説明
する図である。

【図３】クリーニングガスを循環させる方法の一例を示
す説明図である。

【符号の説明】

５０………成膜装置５２………成膜処理室５４、５６………プラズマ発生手段（上部電極、下部電
極）６０………原料ガス供給部６２、９６………マスフローコントローラ６８………圧力制御器７０………排気管７２………排気ポンプ７８、８０………循環手段（循環パイプ、循環ポンプ）８４………反応生成物除去手段（反応性生成物除去部）８６、８８………生成物凝固部（タンク、冷却器）９０、９２………フィルタ部１０２………クリーニングガス供給手段（クリーニング
ガス供給部）１０４………反応検出センサ（プラズマ分光モニタ）

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】成膜装置内にクリーニングガスを導入し
てプラズマ化し、プラズマ化させたクリーニングガスと
前記成膜装置内の付着物とを反応させ、排気系と併設さ
れた循環経路により反応生成物を前記クリーニングガス
とともに成膜装置の外部に取り出して除去したのち、前
記クリーニングガスを前記成膜装置に戻すことを特徴と
する成膜装置のクリーニング方法。
【請求項２】請求項１に記載の成膜装置のクリーニン
グ方法において、前記成膜装置に戻すガスによる反応が
進行しなくなったときに、循環させているガスを循環経
路外に排出し、新たなクリーニングガスを前記成膜装置
内に導入することを特徴とする成膜装置のクリーニング
方法。
【請求項３】請求項１または２に記載の成膜装置のク
リーニング方法において、前記反応生成物の除去は、ガ
ス状態で除去することを特徴とする成膜装置のクリーニ
ング方法。
【請求項４】請求項１ないし３のいずれかに記載の成
膜装置のクリーニング方法において、前記反応生成物を
凝固させて除去することを特徴とする成膜装置のクリー
ニング方法。
【請求項５】成膜装置内にクリーニングガスを供給す
るガス供給手段と、前記成膜装置内に供給された前記ク
リーニングガスをプラズマ化するプラズマ発生手段と、
前記成膜装置内のガスを外部に取り出し、再び成膜装置
に戻す排気系と併設されたガス循環手段と、このガス循
環手段によって前記成膜装置から取り出した前記ガスか
ら、プラズマ化した前記クリーニングガスと前記成膜装
置内の付着物との反応生成物を除去する反応生成物除去
手段とを有することを特徴とする成膜装置のクリーニン
グ装置。
【請求項６】請求項５に記載の成膜装置のクリーニン
グ装置において、前記反応生成物除去手段は、ガス状の
前記反応生成物を選択的に捕集するフィルタ部を有して
いることを特徴とする成膜装置のクリーニング装置。
【請求項７】請求項５または６に記載の成膜装置のク
リーニング装置において、前記反応生成物除去手段は、
ガス状の前記反応生成物を凝固させる生成物凝固部を有
していることを特徴とする成膜装置のクリーニング装
置。
【請求項８】請求項５ないし７のいずれかに記載の成
膜装置のクリーニング装置において、前記クリーニング
ガスを循環させる経路に、循環させているガスによる前
記付着物との反応能力を検知する反応検出センサを設け
たことを特徴とする成膜装置のクリーニング装置。