JP2003021315A - 排ガス除害装置及び方法 - Google Patents
排ガス除害装置及び方法Info
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- F23G7/00—Incinerators or other apparatus for consuming industrial waste, e.g. chemicals
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Abstract
(57)【要約】
【課題】成膜装置等の半導体あるいは液晶モジュールの
製造装置において発生する排ガスの除害工程において、
メインテナンス作業を抑制し、あるいはその作業の安全
性を向上させる。 【解決手段】Ｓｉ成分を含有する成膜排ガスの除害方法
において、排ガスの燃焼処理工程と、燃焼処理によって
生成した燃焼排ガスからＳｉ含有粉塵を除塵する工程
と、除塵した燃焼排ガスを水性洗浄する工程、とを備え
るようにする。この方法によれば、除塵工程によりＳｉ
含有粉塵が除去されるため、洗浄工程で析出物の析出が
抑制される。このため、安定的に工程が稼動され、メイ
ンテナンス作業は軽減される。また、大量の洗浄水を要
することなく洗浄工程を実施できる。
製造装置において発生する排ガスの除害工程において、
メインテナンス作業を抑制し、あるいはその作業の安全
性を向上させる。 【解決手段】Ｓｉ成分を含有する成膜排ガスの除害方法
において、排ガスの燃焼処理工程と、燃焼処理によって
生成した燃焼排ガスからＳｉ含有粉塵を除塵する工程
と、除塵した燃焼排ガスを水性洗浄する工程、とを備え
るようにする。この方法によれば、除塵工程によりＳｉ
含有粉塵が除去されるため、洗浄工程で析出物の析出が
抑制される。このため、安定的に工程が稼動され、メイ
ンテナンス作業は軽減される。また、大量の洗浄水を要
することなく洗浄工程を実施できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、排ガスの除害装置
に関し、詳しくは、半導体や液晶ディスプレイのモジュ
ールの製造工程ないしは成膜工程で使用される排ガスを
除害化するのに有効な装置及び方法に関する。
に関し、詳しくは、半導体や液晶ディスプレイのモジュ
ールの製造工程ないしは成膜工程で使用される排ガスを
除害化するのに有効な装置及び方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体や液晶ディスプレイのモジ
ュールの成膜工程で使用されるガスとしては、例えば、
成膜用のシラン（ＳｉＨ4）及びアンモニア（ＮＨ3）、
クリーニング用のフッ素系ガスがある。シランやアンモ
ニア等の成膜用ガス（可燃系ガスともいう。）は、例え
ば、チャンバー内においてプラズマ放電されることによ
って、基板上にＳｉ膜やＳｉＮ膜を形成し、クリーニン
グ用のＮＦ3等のフッ素系ガス（支燃系ガスともい
う。）は、チャンバー内に残留するＳｉをＳｉＦ4とし
て系外へ放出することができる。
ュールの成膜工程で使用されるガスとしては、例えば、
成膜用のシラン（ＳｉＨ4）及びアンモニア（ＮＨ3）、
クリーニング用のフッ素系ガスがある。シランやアンモ
ニア等の成膜用ガス（可燃系ガスともいう。）は、例え
ば、チャンバー内においてプラズマ放電されることによ
って、基板上にＳｉ膜やＳｉＮ膜を形成し、クリーニン
グ用のＮＦ3等のフッ素系ガス（支燃系ガスともい
う。）は、チャンバー内に残留するＳｉをＳｉＦ4とし
て系外へ放出することができる。
【０００３】このような成膜ガスやクリーニング用ガス
を含む排ガスは、従来、図５に示すように、成膜装置の
真空チャンバー後段に備えられる、燃焼式除害手段、洗
浄式集塵手段によって順に処理されている。燃焼式除害
手段の前段であって真空チャンバーの直後には、クリー
ニング排ガスからＳｉＦ4を除去する手段が備えられる
ことも多い。ＳｉＦ4除去手段は、成膜用のチャンバー
からのガス排出口付近に備えられ、排ガスに水分を補給
して、ＳｉＦ4をＳｉＯ2（シリカ）として捕集しろ過す
ることにより、ＳｉＦ4を排ガス系から排除するもので
ある。排ガスの燃焼式除害手段では、可燃系ガスや支燃
系ガスを燃焼により酸化してそれぞれ式（１）〜（３）
に示すような化学反応を生じさせるようにする。 ＳｉＨ4＋２Ｏ2→ＳｉＯ2＋２Ｈ2Ｏ・・・・・・・・・（１） ４ＮＨ3＋７Ｏ2→４ＮＯ2＋６Ｈ2Ｏ・・・・・・・・・（２） ２ＮＦ3＋２Ｏ2→２ＮＯ2＋３Ｆ2・・・・・・・・・・（３） さらに、洗浄式集塵手段では、この燃焼ガスをアルカリ
を添加した水により中和洗浄しつつ集塵することによ
り、ＳｉＯ2を捕集するとともに、酸性成分（ＮＯ2やＦ
2）を廃液として分離するようになっている。
を含む排ガスは、従来、図５に示すように、成膜装置の
真空チャンバー後段に備えられる、燃焼式除害手段、洗
浄式集塵手段によって順に処理されている。燃焼式除害
手段の前段であって真空チャンバーの直後には、クリー
ニング排ガスからＳｉＦ4を除去する手段が備えられる
ことも多い。ＳｉＦ4除去手段は、成膜用のチャンバー
からのガス排出口付近に備えられ、排ガスに水分を補給
して、ＳｉＦ4をＳｉＯ2（シリカ）として捕集しろ過す
ることにより、ＳｉＦ4を排ガス系から排除するもので
ある。排ガスの燃焼式除害手段では、可燃系ガスや支燃
系ガスを燃焼により酸化してそれぞれ式（１）〜（３）
に示すような化学反応を生じさせるようにする。 ＳｉＨ4＋２Ｏ2→ＳｉＯ2＋２Ｈ2Ｏ・・・・・・・・・（１） ４ＮＨ3＋７Ｏ2→４ＮＯ2＋６Ｈ2Ｏ・・・・・・・・・（２） ２ＮＦ3＋２Ｏ2→２ＮＯ2＋３Ｆ2・・・・・・・・・・（３） さらに、洗浄式集塵手段では、この燃焼ガスをアルカリ
を添加した水により中和洗浄しつつ集塵することによ
り、ＳｉＯ2を捕集するとともに、酸性成分（ＮＯ2やＦ
2）を廃液として分離するようになっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来、
前記ＳｉＯ2捕集手段やそれ以降の配管の他、洗浄式集
塵手段やその後段の配管において析出物が生成し、配管
の閉塞や洗浄装置内での目詰まりを起こしていた。この
ため、頻繁に洗浄式集塵手段の洗浄や配管洗浄などを要
していた。また、これらの析出物は、フッ酸でないと洗
浄できないため安全に留意する必要があった。さらに、
かかる洗浄などのメインテナンス作業のために工程の稼
働率が低下するという問題も生じていた。本発明は、こ
のような成膜装置等の半導体あるいは液晶モジュールの
製造装置において発生する排ガスの除害工程において、
メインテナンス作業を抑制し、あるいはその作業の安全
性を向上させることを目的してなされたものである。
前記ＳｉＯ2捕集手段やそれ以降の配管の他、洗浄式集
塵手段やその後段の配管において析出物が生成し、配管
の閉塞や洗浄装置内での目詰まりを起こしていた。この
ため、頻繁に洗浄式集塵手段の洗浄や配管洗浄などを要
していた。また、これらの析出物は、フッ酸でないと洗
浄できないため安全に留意する必要があった。さらに、
かかる洗浄などのメインテナンス作業のために工程の稼
働率が低下するという問題も生じていた。本発明は、こ
のような成膜装置等の半導体あるいは液晶モジュールの
製造装置において発生する排ガスの除害工程において、
メインテナンス作業を抑制し、あるいはその作業の安全
性を向上させることを目的してなされたものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らが、上記した
排ガス処理工程における析出物を分析したところ、それ
は、洗浄式集塵手段以降では、主としてケイフッ化カル
シウム（ＣａＳｉＦ6）であり、成膜装置〜燃焼式除害
手段の経路では、主としてケイフッ化アンモニウム
（（ＮＨ4）2ＳｉＦ6）であることがわかった。さらに
かかる析出物の析出原因を探索したところ、ケイフッ化
カルシウムは、排ガスや燃焼ガス中に含まれるＳｉＯ2
と、燃焼時等に発生するフッ酸と、洗浄水や工程水に利
用する水に含まれるカルシウムに起因することがわかっ
た。また、ケイフッ化アンモニウムは、排ガス中のＳｉ
Ｏ2とフッ酸（ＨＦ）とアンモニアガスに起因すること
がわかった。
排ガス処理工程における析出物を分析したところ、それ
は、洗浄式集塵手段以降では、主としてケイフッ化カル
シウム（ＣａＳｉＦ6）であり、成膜装置〜燃焼式除害
手段の経路では、主としてケイフッ化アンモニウム
（（ＮＨ4）2ＳｉＦ6）であることがわかった。さらに
かかる析出物の析出原因を探索したところ、ケイフッ化
カルシウムは、排ガスや燃焼ガス中に含まれるＳｉＯ2
と、燃焼時等に発生するフッ酸と、洗浄水や工程水に利
用する水に含まれるカルシウムに起因することがわかっ
た。また、ケイフッ化アンモニウムは、排ガス中のＳｉ
Ｏ2とフッ酸（ＨＦ）とアンモニアガスに起因すること
がわかった。
【０００６】これらの析出物は、いずれも、排ガス中に
含まれるＳｉＯ2であることから、洗浄式集塵手段で
は、ＳｉＯ2が効率よく捕集されずに内部に残留してい
ること、燃焼式除害手段の前段においては、ＳｉＦ4除
去手段が有効に機能しておらず、水との化学反応により
生成したＳｉＯ2が捕集されきれずに排ガス中にもれて
いることがわかった。特に、洗浄式集塵手段では、粒径
が０．１〜１μｍ程度の微粒子のＳｉＯ2が残留しやす
く、集塵率が５０％程度しかないこともわかった。
含まれるＳｉＯ2であることから、洗浄式集塵手段で
は、ＳｉＯ2が効率よく捕集されずに内部に残留してい
ること、燃焼式除害手段の前段においては、ＳｉＦ4除
去手段が有効に機能しておらず、水との化学反応により
生成したＳｉＯ2が捕集されきれずに排ガス中にもれて
いることがわかった。特に、洗浄式集塵手段では、粒径
が０．１〜１μｍ程度の微粒子のＳｉＯ2が残留しやす
く、集塵率が５０％程度しかないこともわかった。
【０００７】排ガス処理工程において、成膜装置直後の
Ｓｉ除去手段と燃焼式除害手段直後の洗浄式集塵手段を
備えながら、Ｓｉ成分（ＳｉＨ4、ＳｉＦ4、および／ま
たはＳｉＯ2）の捕集が有効に機能していないことは当
業者においては予想外のことであった。また、本発明者
らは、工程水中のＣａ濃度が高く析出物の生成が促進さ
れたことによって、Ｓｉ成分の残留をはじめて検知する
ことができた。以上のことから、本発明者らは、上記し
た本発明の課題は、洗浄式集塵手段の前段に除塵手段を
設けることにより解決されることを見出した。また、本
発明の課題は、成膜装置から燃焼式除害手段に至る配管
内部を当該部位で析出しうる析出物が析出しない温度に
維持することによって解決されることを見出し、本発明
を完成した。
Ｓｉ除去手段と燃焼式除害手段直後の洗浄式集塵手段を
備えながら、Ｓｉ成分（ＳｉＨ4、ＳｉＦ4、および／ま
たはＳｉＯ2）の捕集が有効に機能していないことは当
業者においては予想外のことであった。また、本発明者
らは、工程水中のＣａ濃度が高く析出物の生成が促進さ
れたことによって、Ｓｉ成分の残留をはじめて検知する
ことができた。以上のことから、本発明者らは、上記し
た本発明の課題は、洗浄式集塵手段の前段に除塵手段を
設けることにより解決されることを見出した。また、本
発明の課題は、成膜装置から燃焼式除害手段に至る配管
内部を当該部位で析出しうる析出物が析出しない温度に
維持することによって解決されることを見出し、本発明
を完成した。
【０００８】よって、本発明によれば、以下の手段が提
供される。 （１）Ｓｉ成分を含有する成膜排ガスの除害方法であっ
て、排ガスの燃焼処理工程と、燃焼処理によって生成し
た燃焼排ガスからＳｉ含有粉塵を除塵する工程と、除塵
した燃焼排ガスを水性洗浄する工程、とを備える方法。 （２）前記除塵工程では、除塵手段としてバグフィルタ
ーを用いることを特徴とする、(1)記載の方法。 （３）前記バグフィルターの粉塵払い落とし工程におい
て、フィルターに対して圧縮ガスを供給すると同時に、
フィルターの外部に対して、フィルター表面近傍から粉
塵排出側を指向するガス流を付与することを特徴とす
る、（２）記載の方法。 （４）前記除塵工程には、少なくともｍ台（ｍは３以上
の整数である。）の除塵手段を備えるようにし、それぞ
れの除塵手段は、少なくとも１台の除塵手段で粉塵払い
落とし工程を実施し、最大で（ｍ−１）台の除塵手段で
集塵工程を実施するように切替使用することを特徴とす
る、（２）又は（３）に記載の方法。 （５）前記除塵工程で除塵されたガスを、当該ガスの排
出圧力に応じた風量で排出することを特徴とする、
（１）〜（５）記載の方法。 （６）前記洗浄工程で洗浄用に導入される水は、純水〜
硬度０の水を用いることを特徴とする、（１）〜（５）
のいずれかに記載の方法。 （７）前記燃焼処理工程に導入される前記排ガスは、前
記燃焼処理工程よりも前の段階で析出する可能性のある
析出物が析出しない温度に維持されている、（１）〜
（６）のいずれかに記載の方法。 （８）Ｓｉ成分を含有する成膜排ガスの除害方法であっ
て、排ガスの燃焼処理工程と、燃焼処理によって生成し
た燃焼排ガスからＳｉ含有粉塵を除塵する工程、とを備
え、前記燃焼処理工程に導入される前記排ガスは、前記
燃焼処理工程よりも前の段階で析出する可能性のある析
出物が析出しない温度に維持されている、方法。 （９）Ｓｉ成分を含有する成膜排ガスの除害装置であっ
て、排ガスの燃焼処理手段と、燃焼処理によって生成し
た燃焼排ガスからＳｉ含有粉塵を除塵する手段と、除塵
した燃焼排ガスを水性洗浄する手段、とを備える装置。 （１０）前記除塵工程では、除塵手段としてバグフィル
ターを用いることを特徴とする、（９）記載の装置。 （１１）前記バグフィルターの粉塵払い落とし手段とし
て、フィルターに対して圧縮ガスを供給すると同時に、
フィルターの外部に対して、フィルター表面近傍から粉
塵排出側を指向するガス流を付与するガス導入手段を備
えることを特徴とする、（１０）記載の装置。 （１２）前記除塵手段は、少なくともｍ台（ｍは３以上
の整数である。）の除塵手段を備えられており、それぞ
れの除塵手段は、少なくとも１台の除塵手段で粉塵払い
落とし工程を実施し、最大で（ｍ−１）台の除塵手段で
集塵工程を実施するように切替可能に設けられているこ
とを特徴とする、（１０）又は（１１）記載の装置。 （１３）前記洗浄手段で洗浄用に導入される水は、純水
〜硬度０の水を用いることを特徴とする、（９）〜（１
２）のいずれかに記載の装置。 （１４）前記燃焼処理手段に導入される前記排ガスを、
前記燃焼処理手段よりも前の段階で析出する可能性のあ
る析出物が析出しない温度に維持する手段を備えること
を特徴とする、（９）〜（１３）のいずれかに記載の装
置。 （１５）前記除塵手段から排出されるガスの圧力に応じ
て風量を変量可能な排気手段を備えることを特徴とす
る、（９）〜（１４）のいずれかに記載の装置。 （１６）Ｓｉ成分を含有する成膜排ガスの除害装置であ
って、排ガスの燃焼処理手段と、燃焼処理によって生成
した燃焼排ガスからＳｉ含有粉塵を除塵する手段、とを
備え、前記燃焼処理手段に導入される前記排ガスを、前
記燃焼処理手段よりも前の段階で析出する可能性のある
析出物が析出しない温度に維持する手段を備えることを
特徴とする、装置。
供される。 （１）Ｓｉ成分を含有する成膜排ガスの除害方法であっ
て、排ガスの燃焼処理工程と、燃焼処理によって生成し
た燃焼排ガスからＳｉ含有粉塵を除塵する工程と、除塵
した燃焼排ガスを水性洗浄する工程、とを備える方法。 （２）前記除塵工程では、除塵手段としてバグフィルタ
ーを用いることを特徴とする、(1)記載の方法。 （３）前記バグフィルターの粉塵払い落とし工程におい
て、フィルターに対して圧縮ガスを供給すると同時に、
フィルターの外部に対して、フィルター表面近傍から粉
塵排出側を指向するガス流を付与することを特徴とす
る、（２）記載の方法。 （４）前記除塵工程には、少なくともｍ台（ｍは３以上
の整数である。）の除塵手段を備えるようにし、それぞ
れの除塵手段は、少なくとも１台の除塵手段で粉塵払い
落とし工程を実施し、最大で（ｍ−１）台の除塵手段で
集塵工程を実施するように切替使用することを特徴とす
る、（２）又は（３）に記載の方法。 （５）前記除塵工程で除塵されたガスを、当該ガスの排
出圧力に応じた風量で排出することを特徴とする、
（１）〜（５）記載の方法。 （６）前記洗浄工程で洗浄用に導入される水は、純水〜
硬度０の水を用いることを特徴とする、（１）〜（５）
のいずれかに記載の方法。 （７）前記燃焼処理工程に導入される前記排ガスは、前
記燃焼処理工程よりも前の段階で析出する可能性のある
析出物が析出しない温度に維持されている、（１）〜
（６）のいずれかに記載の方法。 （８）Ｓｉ成分を含有する成膜排ガスの除害方法であっ
て、排ガスの燃焼処理工程と、燃焼処理によって生成し
た燃焼排ガスからＳｉ含有粉塵を除塵する工程、とを備
え、前記燃焼処理工程に導入される前記排ガスは、前記
燃焼処理工程よりも前の段階で析出する可能性のある析
出物が析出しない温度に維持されている、方法。 （９）Ｓｉ成分を含有する成膜排ガスの除害装置であっ
て、排ガスの燃焼処理手段と、燃焼処理によって生成し
た燃焼排ガスからＳｉ含有粉塵を除塵する手段と、除塵
した燃焼排ガスを水性洗浄する手段、とを備える装置。 （１０）前記除塵工程では、除塵手段としてバグフィル
ターを用いることを特徴とする、（９）記載の装置。 （１１）前記バグフィルターの粉塵払い落とし手段とし
て、フィルターに対して圧縮ガスを供給すると同時に、
フィルターの外部に対して、フィルター表面近傍から粉
塵排出側を指向するガス流を付与するガス導入手段を備
えることを特徴とする、（１０）記載の装置。 （１２）前記除塵手段は、少なくともｍ台（ｍは３以上
の整数である。）の除塵手段を備えられており、それぞ
れの除塵手段は、少なくとも１台の除塵手段で粉塵払い
落とし工程を実施し、最大で（ｍ−１）台の除塵手段で
集塵工程を実施するように切替可能に設けられているこ
とを特徴とする、（１０）又は（１１）記載の装置。 （１３）前記洗浄手段で洗浄用に導入される水は、純水
〜硬度０の水を用いることを特徴とする、（９）〜（１
２）のいずれかに記載の装置。 （１４）前記燃焼処理手段に導入される前記排ガスを、
前記燃焼処理手段よりも前の段階で析出する可能性のあ
る析出物が析出しない温度に維持する手段を備えること
を特徴とする、（９）〜（１３）のいずれかに記載の装
置。 （１５）前記除塵手段から排出されるガスの圧力に応じ
て風量を変量可能な排気手段を備えることを特徴とす
る、（９）〜（１４）のいずれかに記載の装置。 （１６）Ｓｉ成分を含有する成膜排ガスの除害装置であ
って、排ガスの燃焼処理手段と、燃焼処理によって生成
した燃焼排ガスからＳｉ含有粉塵を除塵する手段、とを
備え、前記燃焼処理手段に導入される前記排ガスを、前
記燃焼処理手段よりも前の段階で析出する可能性のある
析出物が析出しない温度に維持する手段を備えることを
特徴とする、装置。
【０００９】（１７）Ｓｉ含有粉塵用のバグフィルター
であって、前記フィルターの粉塵払い落とし手段とし
て、フィルターに対して圧縮ガスを供給すると同時に、
フィルターの外部に対して、フィルター表面近傍から粉
塵排出側を指向するガス流を付与するガス導入手段を備
えることを特徴とする、バグフィルター。 （１８）前記バグフィルターにおける粉塵排出口は、開
閉式バルブを備えており、フィルターへの粉塵集塵時に
おいては閉口されており、前記圧縮ガス及びガス流が付
与されて粉塵払い落とし時においては開口されるように
なっている、（１７）記載のバグフィルター。
であって、前記フィルターの粉塵払い落とし手段とし
て、フィルターに対して圧縮ガスを供給すると同時に、
フィルターの外部に対して、フィルター表面近傍から粉
塵排出側を指向するガス流を付与するガス導入手段を備
えることを特徴とする、バグフィルター。 （１８）前記バグフィルターにおける粉塵排出口は、開
閉式バルブを備えており、フィルターへの粉塵集塵時に
おいては閉口されており、前記圧縮ガス及びガス流が付
与されて粉塵払い落とし時においては開口されるように
なっている、（１７）記載のバグフィルター。
【００１０】前記（１）〜（７）ないし（９）〜（１
５）に係る発明によれば、除塵工程ないし手段によりＳ
ｉ含有粉塵が除去されるため、洗浄工程ないし手段で析
出物の析出が抑制される。このため、安定的に工程ない
し装置が稼動され、メインテナンス作業は軽減される。
また、大量の洗浄水を要することなく洗浄工程を実施で
きる。特に、除塵工程ないし手段でバグフィルターを用
いることにより０．１〜１μｍ程度の微細なＳｉＯ2粒
子を効率的に捕捉できる。さらに、フィルターの粉塵払
い落とし工程を、圧縮ガスの供給に加えて、前記ガス流
を付与することにより、圧縮ガスにより粉塵手段内部の
雰囲気に浮遊する微細な粉塵を効果的に集塵・排出する
ことができる。また、当該ガス流の付与により、除塵手
段内を雰囲気ガスを置換してＳｉ含有粉塵が捕捉されや
すい環境が形成される。さらに、当除塵後のガスの排出
圧力に応じた風量で排出することにより、常に除塵工程
ないし手段での圧力損失に応じた適切な排出量が確保さ
れる。洗浄工程ないし手段では、洗浄用として純水〜硬
度０の水を用いることにより、洗浄工程ないし手段ある
いはそれ以後の工程ないし手段においてＳｉ含有析出物
の生成を抑制し、安定的に稼動可能となり、メインテナ
ンス作業が簡略化される。
５）に係る発明によれば、除塵工程ないし手段によりＳ
ｉ含有粉塵が除去されるため、洗浄工程ないし手段で析
出物の析出が抑制される。このため、安定的に工程ない
し装置が稼動され、メインテナンス作業は軽減される。
また、大量の洗浄水を要することなく洗浄工程を実施で
きる。特に、除塵工程ないし手段でバグフィルターを用
いることにより０．１〜１μｍ程度の微細なＳｉＯ2粒
子を効率的に捕捉できる。さらに、フィルターの粉塵払
い落とし工程を、圧縮ガスの供給に加えて、前記ガス流
を付与することにより、圧縮ガスにより粉塵手段内部の
雰囲気に浮遊する微細な粉塵を効果的に集塵・排出する
ことができる。また、当該ガス流の付与により、除塵手
段内を雰囲気ガスを置換してＳｉ含有粉塵が捕捉されや
すい環境が形成される。さらに、当除塵後のガスの排出
圧力に応じた風量で排出することにより、常に除塵工程
ないし手段での圧力損失に応じた適切な排出量が確保さ
れる。洗浄工程ないし手段では、洗浄用として純水〜硬
度０の水を用いることにより、洗浄工程ないし手段ある
いはそれ以後の工程ないし手段においてＳｉ含有析出物
の生成を抑制し、安定的に稼動可能となり、メインテナ
ンス作業が簡略化される。
【００１１】また、前記（７）及び（８）ないし（１
５）及び（１６）に係る発明によれば、燃焼処理工程な
いし手段に導入される排ガスが、燃焼処理工程ないし手
段よりも前の段階で析出する可能性のある析出物が析出
しない温度に維持されることにより、燃焼処理工程ない
し手段までの排ガス配管におけるＳｉ含有析出物の生成
が回避され、安定した排ガス除害工程を実施できる。
５）及び（１６）に係る発明によれば、燃焼処理工程な
いし手段に導入される排ガスが、燃焼処理工程ないし手
段よりも前の段階で析出する可能性のある析出物が析出
しない温度に維持されることにより、燃焼処理工程ない
し手段までの排ガス配管におけるＳｉ含有析出物の生成
が回避され、安定した排ガス除害工程を実施できる。
【００１２】また、本発明のバグフィルターによれば、
バグフィルターのハウジング内に浮遊する微細な粒径
（特に、０．１〜１μｍ程度）のＳｉ含有粉塵を効果的
に除塵できる。
バグフィルターのハウジング内に浮遊する微細な粒径
（特に、０．１〜１μｍ程度）のＳｉ含有粉塵を効果的
に除塵できる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て詳細に説明する。本発明の除害方法及び装置、ないし
はバグフィルターは、いずれもＳｉ成分含有排ガスに適
用することができる。通常、このような排ガスは、半導
体あるいは液晶モジュールの製造工程ないし装置、特
に、成膜工程ないし装置において発生するものであり、
本発明の方法及び装置並びにバグフィルターはこのよう
な工程ないし装置に適用されることが好ましい。特に、
成膜工程においても、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ等の気相
蒸着工程ないし装置で発生する排ガスに適用することが
好ましい。
て詳細に説明する。本発明の除害方法及び装置、ないし
はバグフィルターは、いずれもＳｉ成分含有排ガスに適
用することができる。通常、このような排ガスは、半導
体あるいは液晶モジュールの製造工程ないし装置、特
に、成膜工程ないし装置において発生するものであり、
本発明の方法及び装置並びにバグフィルターはこのよう
な工程ないし装置に適用されることが好ましい。特に、
成膜工程においても、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ等の気相
蒸着工程ないし装置で発生する排ガスに適用することが
好ましい。
【００１４】〔第１の実施形態〕本発明の一実施形態の
排ガス除害装置のないし排ガス除害工程の全体構成を図
１に示す。本形態の除害装置２は、燃焼処理（除害）手
段４と、除塵手段１４と、洗浄手段４４とを備えてい
る。なお、図１には、本除害装置が装着あるいは配設さ
れる薄膜等の製造装置が付随して記載されているが、本
形態においては特にプラズマＣＶＤの成膜装置である。
排ガス除害装置のないし排ガス除害工程の全体構成を図
１に示す。本形態の除害装置２は、燃焼処理（除害）手
段４と、除塵手段１４と、洗浄手段４４とを備えてい
る。なお、図１には、本除害装置が装着あるいは配設さ
れる薄膜等の製造装置が付随して記載されているが、本
形態においては特にプラズマＣＶＤの成膜装置である。
【００１５】燃焼式除害手段４は、従来公知の酸化燃焼
装置を利用できる。燃焼用ガスとして酸素を外部から供
給し、かつバーナー等で火焔を供給して高熱で排ガス成
分を燃焼し酸化するようにする。当該除害手段４におい
ては、前述のように、各種可燃系ガス（シラン、アンモ
ニア、ホスフィン等）や支燃系ガス（三フッ化窒素等）
の排ガスは、それぞれ、ＳｉＯ2（シリカ）や、ＮＯ2等
の対応する元素の酸化物、や、水あるいはフッ素等を生
じる。したがって、燃焼排ガスは、ＳｉＯ2粒子の他、
これらの各種燃焼排ガスを含んでいる。
装置を利用できる。燃焼用ガスとして酸素を外部から供
給し、かつバーナー等で火焔を供給して高熱で排ガス成
分を燃焼し酸化するようにする。当該除害手段４におい
ては、前述のように、各種可燃系ガス（シラン、アンモ
ニア、ホスフィン等）や支燃系ガス（三フッ化窒素等）
の排ガスは、それぞれ、ＳｉＯ2（シリカ）や、ＮＯ2等
の対応する元素の酸化物、や、水あるいはフッ素等を生
じる。したがって、燃焼排ガスは、ＳｉＯ2粒子の他、
これらの各種燃焼排ガスを含んでいる。
【００１６】燃焼式除害手段４から排出される燃焼排ガ
スは、除塵手段１４に導入されるようになっている。除
塵手段１４は、従来公知の各種の除塵装置を使用するこ
とができる。例えば、遠心分離、スクラバー、バグフィ
ルター等を用いることができるが、好ましくは、バグフ
ィルターである。バグフィルターは、特に、０．１〜１
μｍ程度の微粒子の除塵効果が高いからである。
スは、除塵手段１４に導入されるようになっている。除
塵手段１４は、従来公知の各種の除塵装置を使用するこ
とができる。例えば、遠心分離、スクラバー、バグフィ
ルター等を用いることができるが、好ましくは、バグフ
ィルターである。バグフィルターは、特に、０．１〜１
μｍ程度の微粒子の除塵効果が高いからである。
【００１７】バグフィルターには、従来各種方式のもの
がある。通常は、フィルターからの粉塵の払い落とし機
構により、機械的振動方式、逆流洗浄方式、超音波洗浄
方式、リバースジェット方式、パルスエアー方式などの
各種形態があり、これらのうちから必要に応じて所要の
ものを採用することができる。好ましくは、パルスエア
ー方式のバグフィルターである。
がある。通常は、フィルターからの粉塵の払い落とし機
構により、機械的振動方式、逆流洗浄方式、超音波洗浄
方式、リバースジェット方式、パルスエアー方式などの
各種形態があり、これらのうちから必要に応じて所要の
ものを採用することができる。好ましくは、パルスエア
ー方式のバグフィルターである。
【００１８】図２に、本発明において使用するのに好ま
しいバグフィルターの一形態を示す。通常、パルスエア
ー方式のバグフィルターは、フィルター１８を保持する
ハウジング１６と、ハウジング上部において区画されて
備えられるトッププレナム２０と、ハウジング下部に備
えられる集塵部３０とを備えている。さらに、本発明の
除塵装置１４は、ガス導入手段４０を備えている。
しいバグフィルターの一形態を示す。通常、パルスエア
ー方式のバグフィルターは、フィルター１８を保持する
ハウジング１６と、ハウジング上部において区画されて
備えられるトッププレナム２０と、ハウジング下部に備
えられる集塵部３０とを備えている。さらに、本発明の
除塵装置１４は、ガス導入手段４０を備えている。
【００１９】ハウジング１６内には、フィルター１８が
適数本保持されており、フィルター１８は、通常、円筒
形等の筒状に形成されている。フィルター１６内部は、
チューブシート２１を介してトッププレナム２０内部に
連通されている。ハウジング１６のフィルター１８の保
持部位には、外部から処理すべき燃焼排ガスが導入され
る導入部を供えている。導入部１９は、排ガス導入時に
は開口されているが、粉塵払い落とし時には、閉口され
るようになっている。
適数本保持されており、フィルター１８は、通常、円筒
形等の筒状に形成されている。フィルター１６内部は、
チューブシート２１を介してトッププレナム２０内部に
連通されている。ハウジング１６のフィルター１８の保
持部位には、外部から処理すべき燃焼排ガスが導入され
る導入部を供えている。導入部１９は、排ガス導入時に
は開口されているが、粉塵払い落とし時には、閉口され
るようになっている。
【００２０】トッププレナム２０は、ハウジング１６と
チューブシート２１を介して備えられており、フィルタ
ー１６内部と連通されることにより、フィルター１８を
介して清浄化ガスが導入されるようになっているととも
に、フィルター１８内部に圧縮ガスを導入できるように
なっている。すなわち、フィルター１８で除塵された清
浄化ガスを排出する排出部２２と、フィルター１８への
圧縮ガスの噴射装置２４とを備えている。
チューブシート２１を介して備えられており、フィルタ
ー１６内部と連通されることにより、フィルター１８を
介して清浄化ガスが導入されるようになっているととも
に、フィルター１８内部に圧縮ガスを導入できるように
なっている。すなわち、フィルター１８で除塵された清
浄化ガスを排出する排出部２２と、フィルター１８への
圧縮ガスの噴射装置２４とを備えている。
【００２１】排出部２２は、排ガスが導入されて除塵が
実施されている間は開口されているが、粉塵払い落とし
時には閉口されるようになっている。また、圧縮ガスの
噴射装置２４には、外部から圧縮ガス（圧縮空気）が供
給されるようになっている。圧縮ガスの供給経路にはパ
ルス弁が備えられており、パルス弁の開閉により瞬間的
に圧縮ガスをフィルター１８内部に対して供給できるよ
うになっている。さらに、図示はしないが、フィルター
１８内部には、圧縮ガス供給と同じにフィルター１８を
膨張させる誘引ガスを導入できるようになっている。
実施されている間は開口されているが、粉塵払い落とし
時には閉口されるようになっている。また、圧縮ガスの
噴射装置２４には、外部から圧縮ガス（圧縮空気）が供
給されるようになっている。圧縮ガスの供給経路にはパ
ルス弁が備えられており、パルス弁の開閉により瞬間的
に圧縮ガスをフィルター１８内部に対して供給できるよ
うになっている。さらに、図示はしないが、フィルター
１８内部には、圧縮ガス供給と同じにフィルター１８を
膨張させる誘引ガスを導入できるようになっている。
【００２２】さらに、ハウジング１６の下部には、下方
に行くにつれて徐々に口径が小さくなるテーパー状の集
塵部３０が形成されている。集塵部３０の一部、好まし
くは底部には、粉塵排出部３２を備え、粉塵排出経路３
６に連絡されている。粉塵排出部３２は、その開閉を手
動あるいは自動に制御できるようになっている。通常
は、開閉式バルブ３４が備えられている。粉塵排出部３
２は、燃焼排ガスが導入されている間は閉口されてお
り、粉塵払い落とし時には、開口されるようになってい
る。また、粉塵払い落とし時には、粉塵排出経路３６に
は、搬送用のガス（空気）が排出方向に向けて導入され
るようになっている。このため、粉塵払い落とし時に粉
塵排出部３２が開口されると、ハウジング１６内の雰囲
気ガスが一気に当該排出部３２から排出経路３６側に抜
けるようになっている。すなわち、ハウジング１６内か
ら粉塵排出方向を指向するガス流がフィルター１８の表
面近傍に付与されやすくなっている。
に行くにつれて徐々に口径が小さくなるテーパー状の集
塵部３０が形成されている。集塵部３０の一部、好まし
くは底部には、粉塵排出部３２を備え、粉塵排出経路３
６に連絡されている。粉塵排出部３２は、その開閉を手
動あるいは自動に制御できるようになっている。通常
は、開閉式バルブ３４が備えられている。粉塵排出部３
２は、燃焼排ガスが導入されている間は閉口されてお
り、粉塵払い落とし時には、開口されるようになってい
る。また、粉塵払い落とし時には、粉塵排出経路３６に
は、搬送用のガス（空気）が排出方向に向けて導入され
るようになっている。このため、粉塵払い落とし時に粉
塵排出部３２が開口されると、ハウジング１６内の雰囲
気ガスが一気に当該排出部３２から排出経路３６側に抜
けるようになっている。すなわち、ハウジング１６内か
ら粉塵排出方向を指向するガス流がフィルター１８の表
面近傍に付与されやすくなっている。
【００２３】さらに、本除塵装置１４は、ガス導入手段
４０を備えている。ガス流付与手段４０は、ハウジング
１６内部に外部からガスを導入できるガス導入装置であ
る。構成は特に限定しない。ガス導入量及びガス導入時
間等を調整できることが好ましい。ガス導入手段４０
は、ハウジング１６内の、好ましくは、フィルター１８
設置部位に対応して設けられており、当該部位にガスを
供給できるようになっている。すなわち、フィルター１
８の外側からガスを供給できるようになっている。な
お、フィルター１８に対しては、その側方からでも上方
からでも、フィルター１８の外方からガスを導入できる
ようになっていればよい。装置の構成上からは、フィル
ター１８の側方からガスを導入できるようになっている
ことが好ましい。ガス導入手段４０は、粉塵払い落とし
時に作動するようになっており、粉塵排出部３２が開口
状態であって、圧縮ガス噴射装置２４による圧縮ガスの
噴射とほぼ同時期にガスを導入するようになっている。
ガスの導入は、特に限定しないが、開閉制御可能な開閉
式バルブの作動によってコントロールされるようになっ
ている。導入するガスは、特に限定しないが、好ましく
は空気である。
４０を備えている。ガス流付与手段４０は、ハウジング
１６内部に外部からガスを導入できるガス導入装置であ
る。構成は特に限定しない。ガス導入量及びガス導入時
間等を調整できることが好ましい。ガス導入手段４０
は、ハウジング１６内の、好ましくは、フィルター１８
設置部位に対応して設けられており、当該部位にガスを
供給できるようになっている。すなわち、フィルター１
８の外側からガスを供給できるようになっている。な
お、フィルター１８に対しては、その側方からでも上方
からでも、フィルター１８の外方からガスを導入できる
ようになっていればよい。装置の構成上からは、フィル
ター１８の側方からガスを導入できるようになっている
ことが好ましい。ガス導入手段４０は、粉塵払い落とし
時に作動するようになっており、粉塵排出部３２が開口
状態であって、圧縮ガス噴射装置２４による圧縮ガスの
噴射とほぼ同時期にガスを導入するようになっている。
ガスの導入は、特に限定しないが、開閉制御可能な開閉
式バルブの作動によってコントロールされるようになっ
ている。導入するガスは、特に限定しないが、好ましく
は空気である。
【００２４】洗浄手段４４は、従来公知の排ガスの液洗
浄装置を使用できる。通常は、排ガス中の有害成分を溶
解可能な洗浄媒体（水性）を利用して有害成分を洗浄媒
体に溶解させて除害し、清浄化したガスを排出できるよ
うになっている。かかる排ガス処理手段としては各種利
用できる。排ガスと洗浄媒体との接触形態は各種採用す
ることができる。洗浄媒体の入った洗浄槽に排ガスを導
入する方式、排ガスに対してシャワー形式で洗浄媒体を
供給する方式を採用することもできる。
浄装置を使用できる。通常は、排ガス中の有害成分を溶
解可能な洗浄媒体（水性）を利用して有害成分を洗浄媒
体に溶解させて除害し、清浄化したガスを排出できるよ
うになっている。かかる排ガス処理手段としては各種利
用できる。排ガスと洗浄媒体との接触形態は各種採用す
ることができる。洗浄媒体の入った洗浄槽に排ガスを導
入する方式、排ガスに対してシャワー形式で洗浄媒体を
供給する方式を採用することもできる。
【００２５】本発明においては、好ましくは、排ガス中
の粉塵も除去できる手段を用いることが好ましい。これ
により、より一層後段の手段あるいは工程において安定
的な稼動が確保されるからである。かかる洗浄集塵手段
としては、具体的には、洗浄集塵装置（スクラバー）が
ある。排ガスと洗浄媒体との接触形態から各種採用する
ことができる。好ましくは、排ガスに対してシャワー形
式で洗浄媒体を供給する方式（ジェットスクラバー、ス
プレー塔、ロートクロン、ベンチュリスクラバー）、所
定の担体が充てんされたカラムにガスと洗浄媒体とを導
入する形式（典型的には充てん塔）等を採用できるが、
好ましくは、充てん塔である。
の粉塵も除去できる手段を用いることが好ましい。これ
により、より一層後段の手段あるいは工程において安定
的な稼動が確保されるからである。かかる洗浄集塵手段
としては、具体的には、洗浄集塵装置（スクラバー）が
ある。排ガスと洗浄媒体との接触形態から各種採用する
ことができる。好ましくは、排ガスに対してシャワー形
式で洗浄媒体を供給する方式（ジェットスクラバー、ス
プレー塔、ロートクロン、ベンチュリスクラバー）、所
定の担体が充てんされたカラムにガスと洗浄媒体とを導
入する形式（典型的には充てん塔）等を採用できるが、
好ましくは、充てん塔である。
【００２６】洗浄手段４４には、洗浄媒体として水が使
用されることが好ましい。より好ましくは硬度１０以下
の軟水であり、特に好ましくは、純水〜硬度０の水であ
る。かかる水であれば、洗浄手段４４内においてＳｉ成
分を含有していても、Ｓｉ含有析出物の生成が回避され
る。当該析出物は、Ｓｉ成分（典型的にはシリカ）と、
燃焼排ガスで生成するフッ酸の他、カルシウムを始めと
する周期表１族〜２族の金属元素イオンが存在しないと
生成しないからである。かかる金属元素イオンは、カル
シウム、ナトリウム、カリウム等であり、典型的にはカ
ルシウムである。なお、硬度は、水１００ｃｍ2中に酸
化カルシウムとして１ｍｇを含むとき１度とする。ま
た、通常、フッ酸等が燃焼排ガスに生成しているため
に、洗浄媒体は、水酸化ナトリウム等のアルカリの水溶
液とともに供給されるようになっていることが好まし
い。
用されることが好ましい。より好ましくは硬度１０以下
の軟水であり、特に好ましくは、純水〜硬度０の水であ
る。かかる水であれば、洗浄手段４４内においてＳｉ成
分を含有していても、Ｓｉ含有析出物の生成が回避され
る。当該析出物は、Ｓｉ成分（典型的にはシリカ）と、
燃焼排ガスで生成するフッ酸の他、カルシウムを始めと
する周期表１族〜２族の金属元素イオンが存在しないと
生成しないからである。かかる金属元素イオンは、カル
シウム、ナトリウム、カリウム等であり、典型的にはカ
ルシウムである。なお、硬度は、水１００ｃｍ2中に酸
化カルシウムとして１ｍｇを含むとき１度とする。ま
た、通常、フッ酸等が燃焼排ガスに生成しているため
に、洗浄媒体は、水酸化ナトリウム等のアルカリの水溶
液とともに供給されるようになっていることが好まし
い。
【００２７】次に、このような除害装置４４により実施
する排ガスの除害工程について説明する。まず、成膜装
置で発生した可燃系ガスおよび／または支燃系ガスは、
そのまま、あるいは、水分が供給されてＳｉＯ2を生成
させ、ＳｉＯ2を捕集するフィルターを介した後、排ガ
ス用配管を通じて燃焼式処理手段４に導入されて、燃焼
処理工程が実施される。燃焼式処理手段４では、燃焼性
ガスや火焔等による高温が供給されて、排ガス中の可燃
性ガスおよび／または支燃系ガスは燃焼される。
する排ガスの除害工程について説明する。まず、成膜装
置で発生した可燃系ガスおよび／または支燃系ガスは、
そのまま、あるいは、水分が供給されてＳｉＯ2を生成
させ、ＳｉＯ2を捕集するフィルターを介した後、排ガ
ス用配管を通じて燃焼式処理手段４に導入されて、燃焼
処理工程が実施される。燃焼式処理手段４では、燃焼性
ガスや火焔等による高温が供給されて、排ガス中の可燃
性ガスおよび／または支燃系ガスは燃焼される。
【００２８】次に、燃焼排ガスは、除塵手段１４に導入
されて除塵工程が実施される。除塵手段１４によって除
塵が実施されたガスは、従来に比して粉塵量の低い状態
で洗浄手段４４に導入され、洗浄工程が実施される。除
塵工程で効果的に除塵されていれば、洗浄手段４４で
は、除塵を実施しなくてよい場合もありうる。洗浄手段
において同じに除塵も実施すればより効果的である。洗
浄工程において、洗浄媒体として、純水〜硬度０の水を
用いることにより、洗浄工程においてＳｉ成分が存在し
ていても、析出物の生成が有効に回避され、メインテナ
ンス作業は回避され安定的運転が確保される。
されて除塵工程が実施される。除塵手段１４によって除
塵が実施されたガスは、従来に比して粉塵量の低い状態
で洗浄手段４４に導入され、洗浄工程が実施される。除
塵工程で効果的に除塵されていれば、洗浄手段４４で
は、除塵を実施しなくてよい場合もありうる。洗浄手段
において同じに除塵も実施すればより効果的である。洗
浄工程において、洗浄媒体として、純水〜硬度０の水を
用いることにより、洗浄工程においてＳｉ成分が存在し
ていても、析出物の生成が有効に回避され、メインテナ
ンス作業は回避され安定的運転が確保される。
【００２９】以下、図２に示す除塵手段を用いた除塵工
程について特に説明する。まず、除塵工程は、集塵工程
と粉塵払い落とし工程とからなる。燃焼排ガス導入時に
は、排ガス導入部１９が開口されるとともに、排出部２
２も開口状態とされる。一方、粉塵排出部３２において
は、バルブ３４が閉じられて、閉口状態となっている。
このような状態で導入された燃焼排ガスは、フィルター
１８の外面から内方へと通過し、フィルター１８内部、
及びトッププレナム２０内部を介して、排出部２２から
清浄化されて排出される。ハウジング１６内において
は、集塵部３０の粉塵排出部３２が閉口状態なので、微
細な粒子状の粉塵（典型的には、０．１〜１μｍ程度の
シリカ粒子）の多くはハウジング内で浮遊した状態が形
成されている。
程について特に説明する。まず、除塵工程は、集塵工程
と粉塵払い落とし工程とからなる。燃焼排ガス導入時に
は、排ガス導入部１９が開口されるとともに、排出部２
２も開口状態とされる。一方、粉塵排出部３２において
は、バルブ３４が閉じられて、閉口状態となっている。
このような状態で導入された燃焼排ガスは、フィルター
１８の外面から内方へと通過し、フィルター１８内部、
及びトッププレナム２０内部を介して、排出部２２から
清浄化されて排出される。ハウジング１６内において
は、集塵部３０の粉塵排出部３２が閉口状態なので、微
細な粒子状の粉塵（典型的には、０．１〜１μｍ程度の
シリカ粒子）の多くはハウジング内で浮遊した状態が形
成されている。
【００３０】排出部２２からの排出ガスの排出圧力が一
定以下、あるいは圧力損失が一定以上となった場合、集
塵工程を停止し、除塵工程を開始する。除塵工程に先立
って、燃焼排ガスの導入を停止し、導入部１９及び排出
部２２を閉口する。除塵工程は、まず、排出バルブ３４
を開いて、集塵部３０の粉塵排出部３２を開口させる。
このとき、粉塵排出経路３６では、粉塵の排出方向へと
ガスが供給されている。したがって、ハウジング１６内
を下方へ向かうガス流が形成され、あるいはされやすく
なっている。すなわち、フィルター１８の表面近傍から
粉塵排出方向へ向かうガス流が付与されやすい状態が形
成されている。
定以下、あるいは圧力損失が一定以上となった場合、集
塵工程を停止し、除塵工程を開始する。除塵工程に先立
って、燃焼排ガスの導入を停止し、導入部１９及び排出
部２２を閉口する。除塵工程は、まず、排出バルブ３４
を開いて、集塵部３０の粉塵排出部３２を開口させる。
このとき、粉塵排出経路３６では、粉塵の排出方向へと
ガスが供給されている。したがって、ハウジング１６内
を下方へ向かうガス流が形成され、あるいはされやすく
なっている。すなわち、フィルター１８の表面近傍から
粉塵排出方向へ向かうガス流が付与されやすい状態が形
成されている。
【００３１】次いで、圧縮ガス噴射装置のバルブ調整に
より、フィルター１８に圧縮ガスをパルス状に供給す
る。圧縮ガスのフィルター１８への供給と同時に、ある
いはこれより少しタイムラグをおいて、ガス導入手段４
０を作動させて、フィルター１８の表面に対して、その
外方から外部ガスを供給する。このガスの供給により、
もとからハウジング１６内を粉塵排出方向へ向かうガス
流が形成されやすくなっているところ、より強力にその
ようなガス流が形成されることになる。特に、フィルタ
ー１８の表面近傍においてはそのような方向性を有する
安定したガス流が形成されることになる。このようなガ
ス流により、ハウジング内に浮遊する微粒粉塵が集塵部
３０の排出部３２から排出されるようになる。かかるガ
ス流により、ハウジング内の雰囲気ガスがに置換され、
かつ雰囲気ガスから微粒粉塵が排出される。
より、フィルター１８に圧縮ガスをパルス状に供給す
る。圧縮ガスのフィルター１８への供給と同時に、ある
いはこれより少しタイムラグをおいて、ガス導入手段４
０を作動させて、フィルター１８の表面に対して、その
外方から外部ガスを供給する。このガスの供給により、
もとからハウジング１６内を粉塵排出方向へ向かうガス
流が形成されやすくなっているところ、より強力にその
ようなガス流が形成されることになる。特に、フィルタ
ー１８の表面近傍においてはそのような方向性を有する
安定したガス流が形成されることになる。このようなガ
ス流により、ハウジング内に浮遊する微粒粉塵が集塵部
３０の排出部３２から排出されるようになる。かかるガ
ス流により、ハウジング内の雰囲気ガスがに置換され、
かつ雰囲気ガスから微粒粉塵が排出される。
【００３２】本除塵手段１４では、燃焼排ガス導入時に
は、排出部３２が閉口状態であり、ハウジング内に浮遊
する微粒粉塵を排出する能力はなく、浮遊粉塵は集塵工
程中蓄積するが、粉塵払い落とし工程において、フィル
ター１８に付着した粉塵もろともハウジング１６内から
排出される。このような排出形態としたことにより、相
乗的にフィルター１８及び雰囲気から良好に粉塵が排出
されるようになる。
は、排出部３２が閉口状態であり、ハウジング内に浮遊
する微粒粉塵を排出する能力はなく、浮遊粉塵は集塵工
程中蓄積するが、粉塵払い落とし工程において、フィル
ター１８に付着した粉塵もろともハウジング１６内から
排出される。このような排出形態としたことにより、相
乗的にフィルター１８及び雰囲気から良好に粉塵が排出
されるようになる。
【００３３】このような除塵手段１４によれば、効果的
に燃焼排ガスから除塵することができ。本除塵手段１４
や工程のみならず、後段の処理手段や工程におけるメイ
ンテナンス作業を軽減し、安定稼動を確保できるように
なる。特に、微細シリカ粒子を排除できるため、除塵手
段１４におけるフィルターの長寿命化も達成されるとと
もに、後段の洗浄手段や工程における析出物生成を効果
的に回避させることができる。
に燃焼排ガスから除塵することができ。本除塵手段１４
や工程のみならず、後段の処理手段や工程におけるメイ
ンテナンス作業を軽減し、安定稼動を確保できるように
なる。特に、微細シリカ粒子を排除できるため、除塵手
段１４におけるフィルターの長寿命化も達成されるとと
もに、後段の洗浄手段や工程における析出物生成を効果
的に回避させることができる。
【００３４】なお、本形態の除塵手段ないしは工程にお
いて分離排出された粉塵は、別途、集塵手段ないし工程
により、集塵される。集塵は、従来公知の方法によって
実施することができる。また、除塵手段ないしは工程か
らの清浄化ガスの圧力を検知して、この検知した圧力に
基づいて、排出手段、典型的には排出用ブロアの風量を
調整することが好ましい。フィルターの圧力損失に応じ
た風量を供給して清浄化ガスを排出するようにすること
により、適切な集塵工程を省コスト（運転コストおよび
／または設置コスト）で実施できる。また、清浄化ガス
の組成も安定化する。
いて分離排出された粉塵は、別途、集塵手段ないし工程
により、集塵される。集塵は、従来公知の方法によって
実施することができる。また、除塵手段ないしは工程か
らの清浄化ガスの圧力を検知して、この検知した圧力に
基づいて、排出手段、典型的には排出用ブロアの風量を
調整することが好ましい。フィルターの圧力損失に応じ
た風量を供給して清浄化ガスを排出するようにすること
により、適切な集塵工程を省コスト（運転コストおよび
／または設置コスト）で実施できる。また、清浄化ガス
の組成も安定化する。
【００３５】〔第２の実施形態〕次に、本発明の別の実
施形態について説明する。本形態の除害装置ないし工程
は、特に、成膜装置から燃焼処理手段に導入する排ガス
に関連するものである。成膜装置内の残留ケイ素（Ｓ
ｉ）は、成膜後に、ＮＦ3等のクリーニングガスが供給
されてＳｉＦ4等とされる場合がある。かかるガスは、
そのまま排ガスとして、あるいは排ガス系から除去され
るように構成される場合もある。本形態では、かかるガ
スが排ガスとともに排出されるか、あるいは系外に排出
されるか否かにかかわらず、クリーニング手段ないしは
工程を備える成膜装置ないしは工程に適用できるもので
ある。
施形態について説明する。本形態の除害装置ないし工程
は、特に、成膜装置から燃焼処理手段に導入する排ガス
に関連するものである。成膜装置内の残留ケイ素（Ｓ
ｉ）は、成膜後に、ＮＦ3等のクリーニングガスが供給
されてＳｉＦ4等とされる場合がある。かかるガスは、
そのまま排ガスとして、あるいは排ガス系から除去され
るように構成される場合もある。本形態では、かかるガ
スが排ガスとともに排出されるか、あるいは系外に排出
されるか否かにかかわらず、クリーニング手段ないしは
工程を備える成膜装置ないしは工程に適用できるもので
ある。
【００３６】本形態の典型例を図３に基づいて説明す
る。クリーニング手段を備える成膜装置では、クリーニ
ング工程によって生じたＳｉＦ4等のクリーニング排ガ
スが、そのままあるいは系外排出手段を介して燃焼処理
手段に導入されるようになっている。図３に示す成膜装
置５２においては、系外排出手段５４を備える形態が示
されてているが、本形態は必ずしも当該排出手段５４を
備えていることを要しない。系外排出手段５４は、成膜
装置５２のチャンバーから吸引したクリーニング排ガス
に冷却水を供給して、ＳｉＦ4等と水とを反応させてＳ
ｉＯ2さらにはケイフッ化水素化合物を析出させて、こ
れらをフィルターで捕捉しようとするものである。しか
しながら、このような手段５４を備えていても、完全に
はこれらの析出物は捕捉しえず、また、同時に生成する
フッ酸やＳｉＦ4自体がそのままフィルターを通過する
こともある。なお、かかる排出手段５４を備えていなく
ても、成膜装置５２から排出されて燃焼処理手段６４に
至る間に、排ガスが冷却されて水蒸気が液化することに
より、同様の析出物がフッ酸が生成することもある。
る。クリーニング手段を備える成膜装置では、クリーニ
ング工程によって生じたＳｉＦ4等のクリーニング排ガ
スが、そのままあるいは系外排出手段を介して燃焼処理
手段に導入されるようになっている。図３に示す成膜装
置５２においては、系外排出手段５４を備える形態が示
されてているが、本形態は必ずしも当該排出手段５４を
備えていることを要しない。系外排出手段５４は、成膜
装置５２のチャンバーから吸引したクリーニング排ガス
に冷却水を供給して、ＳｉＦ4等と水とを反応させてＳ
ｉＯ2さらにはケイフッ化水素化合物を析出させて、こ
れらをフィルターで捕捉しようとするものである。しか
しながら、このような手段５４を備えていても、完全に
はこれらの析出物は捕捉しえず、また、同時に生成する
フッ酸やＳｉＦ4自体がそのままフィルターを通過する
こともある。なお、かかる排出手段５４を備えていなく
ても、成膜装置５２から排出されて燃焼処理手段６４に
至る間に、排ガスが冷却されて水蒸気が液化することに
より、同様の析出物がフッ酸が生成することもある。
【００３７】本形態では、図３に示すように、成膜装置
５２から燃焼処理手段６４に至る配管５５内を、析出す
る可能性のある析出物が析出しない温度に維持する手段
５６を備えている。ここで析出する可能性のある析出物
とは、排ガスの種類等から当該成膜系において予測され
る析出物を意味する。当該手段５６は、配管を積極的に
加温する手段であってもよいし、また排ガスの温度を保
温することにより一定温度を維持する手段であってもよ
い。あるいはこれらの双方であってもよい。加温手段と
しては、配管５５内に加温したガスを供給する手段や、
配管５５の外部あるいは内部に設けられる加温手段を例
示できる。図３に示す形態においては、配管５５内に加
温したガスを供給する手段５６と配管５５の周囲に備え
られた加温手段５７とを示す。
５２から燃焼処理手段６４に至る配管５５内を、析出す
る可能性のある析出物が析出しない温度に維持する手段
５６を備えている。ここで析出する可能性のある析出物
とは、排ガスの種類等から当該成膜系において予測され
る析出物を意味する。当該手段５６は、配管を積極的に
加温する手段であってもよいし、また排ガスの温度を保
温することにより一定温度を維持する手段であってもよ
い。あるいはこれらの双方であってもよい。加温手段と
しては、配管５５内に加温したガスを供給する手段や、
配管５５の外部あるいは内部に設けられる加温手段を例
示できる。図３に示す形態においては、配管５５内に加
温したガスを供給する手段５６と配管５５の周囲に備え
られた加温手段５７とを示す。
【００３８】配管５５内に加温ガスを供給する手段５６
には、ガスは不活性ガスである必要があり、典型的には
窒素ガスを用いる。また、外部加温手段５７としては、
加熱源のみでもよく、また、加熱源と保温部材との双方
を兼ね備えていてもよい。加熱源や保温部材は特に限定
しないで使用できる。また、排出されたガスの温度の保
温手段を採用する場合における保温部材も特に限定しな
いで各種使用できる。
には、ガスは不活性ガスである必要があり、典型的には
窒素ガスを用いる。また、外部加温手段５７としては、
加熱源のみでもよく、また、加熱源と保温部材との双方
を兼ね備えていてもよい。加熱源や保温部材は特に限定
しないで使用できる。また、排出されたガスの温度の保
温手段を採用する場合における保温部材も特に限定しな
いで各種使用できる。
【００３９】これらの加温手段ないしは保温手段によっ
て配管５５内を維持する温度は、予測される析出物の析
出を回避するのに有効な温度である。予測される析出物
は、排ガス成分や、クリーニングガスによっても異なる
が、Ｓｉ膜生成において発生するＳｉ成分含有排ガスの
場合には、典型的にはケイフッ化化合物である。特に、
可燃系ガスとしてシラン、アンモニアが使用され、支燃
系ガスとしてＮＦ3のフッ素系ガスが使用されるばあい
には、ケイフッ化アンモニウム（（ＮＨ4）2ＳｉＦ6）
が予測される。ケイフッ化アンモニウムの析出（昇華）
温度は、１３７℃であるため、これを超える温度に配管
５５内を維持することにより、本化合物の析出を回避で
きる。好ましくは、１５０℃以上とする。
て配管５５内を維持する温度は、予測される析出物の析
出を回避するのに有効な温度である。予測される析出物
は、排ガス成分や、クリーニングガスによっても異なる
が、Ｓｉ膜生成において発生するＳｉ成分含有排ガスの
場合には、典型的にはケイフッ化化合物である。特に、
可燃系ガスとしてシラン、アンモニアが使用され、支燃
系ガスとしてＮＦ3のフッ素系ガスが使用されるばあい
には、ケイフッ化アンモニウム（（ＮＨ4）2ＳｉＦ6）
が予測される。ケイフッ化アンモニウムの析出（昇華）
温度は、１３７℃であるため、これを超える温度に配管
５５内を維持することにより、本化合物の析出を回避で
きる。好ましくは、１５０℃以上とする。
【００４０】なお、成膜装置５４から燃焼処理手段６４
に至る配管５５は、好ましくは、その全体が温度維持手
段により温度維持されていることが好ましい。特に、成
膜装置から排出される部位及びその近傍の配管部位は、
急激に排ガス温度が低下する部位であるので、当該部位
を含めて温度維持することが好ましい。
に至る配管５５は、好ましくは、その全体が温度維持手
段により温度維持されていることが好ましい。特に、成
膜装置から排出される部位及びその近傍の配管部位は、
急激に排ガス温度が低下する部位であるので、当該部位
を含めて温度維持することが好ましい。
【００４１】本形態の除害装置ないし工程によれば、成
膜装置５４から燃焼処理手段６４に至る配管に温度維持
手段を備えているために、当該配管部位で析出物の析出
が抑制されており、メインテナンス作業が軽減され、ま
た、危険が洗浄剤の使用も回避され安全性が向上されて
いる。さらに、燃焼処理手段ないし工程の後段に備えら
れる除塵手段ないしは工程における、除塵除去の負担を
軽減できる。
膜装置５４から燃焼処理手段６４に至る配管に温度維持
手段を備えているために、当該配管部位で析出物の析出
が抑制されており、メインテナンス作業が軽減され、ま
た、危険が洗浄剤の使用も回避され安全性が向上されて
いる。さらに、燃焼処理手段ないし工程の後段に備えら
れる除塵手段ないしは工程における、除塵除去の負担を
軽減できる。
【００４２】なお、本形態では、特に、成膜手段５４か
ら燃焼処理手段６４との間の配管、ないしは燃焼処理工
程に供給される排ガスについて説明し、たが、本形態
は、第１の実施形態で包含される各種形態の装置２や工
程にも当然に適用することができるものである。特に、
バグフィルターの除塵手段、なかでも、ガス導入手段４
０による粉塵払い落とし工程を実施できるバグフィルタ
ーを除塵手段として用いる場合には、成膜装置５４に系
外排出手段を備えていなくても、燃焼処理手段に至るま
でに析出が有効に防止され、さらに除塵手段により効果
的に除塵されるようになる。
ら燃焼処理手段６４との間の配管、ないしは燃焼処理工
程に供給される排ガスについて説明し、たが、本形態
は、第１の実施形態で包含される各種形態の装置２や工
程にも当然に適用することができるものである。特に、
バグフィルターの除塵手段、なかでも、ガス導入手段４
０による粉塵払い落とし工程を実施できるバグフィルタ
ーを除塵手段として用いる場合には、成膜装置５４に系
外排出手段を備えていなくても、燃焼処理手段に至るま
でに析出が有効に防止され、さらに除塵手段により効果
的に除塵されるようになる。
【００４３】[第３の実施形態]次に、本発明の第３の実
施形態について説明する。本形態では、特に、除塵手段
ないしは工程において、少なくともｍ台（ｍは３以上の
整数である。）の除塵手段を備えるようにし、それぞれ
の除塵手段は、少なくとも１台の除塵手段で粉塵払い落
とし工程を実施し、最大で（ｍ−１）台の除塵手段で集
塵工程を実施するように切替使用するように構成されて
いる。なお、ｍは、好ましくは６台以下でありより好ま
しくは３台である。
施形態について説明する。本形態では、特に、除塵手段
ないしは工程において、少なくともｍ台（ｍは３以上の
整数である。）の除塵手段を備えるようにし、それぞれ
の除塵手段は、少なくとも１台の除塵手段で粉塵払い落
とし工程を実施し、最大で（ｍ−１）台の除塵手段で集
塵工程を実施するように切替使用するように構成されて
いる。なお、ｍは、好ましくは６台以下でありより好ま
しくは３台である。
【００４４】本形態の典型例について、図４を参照して
説明する。図４には、除塵手段７２として３台の除塵手
段７４、７６、７８を備える形態が示されている。本形
態においては、除塵手段７４、７６、７８の種類は問わ
ずに、公知の除塵装置をそれぞれ使用することができる
が、好ましくは、全ての除塵手段は、バグフィルター形
式であり、より好ましくは、粉塵払い落とし手段がパル
スエアー方式のバグフィルターである、さらに好ましく
は、フィルターに対して圧縮ガスを供給すると同時に、
フィルターの外部に対して、フィルター表面近傍から粉
塵排出側を指向するガス流を形成可能なバグフィルター
である。本形態において適用する最も好ましい形態は、
第１の実施形態において明示される形態である。
説明する。図４には、除塵手段７２として３台の除塵手
段７４、７６、７８を備える形態が示されている。本形
態においては、除塵手段７４、７６、７８の種類は問わ
ずに、公知の除塵装置をそれぞれ使用することができる
が、好ましくは、全ての除塵手段は、バグフィルター形
式であり、より好ましくは、粉塵払い落とし手段がパル
スエアー方式のバグフィルターである、さらに好ましく
は、フィルターに対して圧縮ガスを供給すると同時に、
フィルターの外部に対して、フィルター表面近傍から粉
塵排出側を指向するガス流を形成可能なバグフィルター
である。本形態において適用する最も好ましい形態は、
第１の実施形態において明示される形態である。
【００４５】少なくとも３台の除塵手段７４、７６、７
８は、燃焼排ガスの供給経路に対して並列に配列されて
いる。そして、燃焼処理手段に連結される燃焼排ガスの
供給経路は、各除塵手段７４、７６、７８に対応して分
岐され、分岐された配管には、燃焼排ガスの供給量ない
しは供給の有無を調節するバルブ８４、８６、８８が備
えられている。さらに、除塵手段７４、７６、７８から
清浄化されたガスの排出用配管がそれぞれ備えられてお
り、排出を調節するバルブ９４、９６、９８が備えられ
ている。
８は、燃焼排ガスの供給経路に対して並列に配列されて
いる。そして、燃焼処理手段に連結される燃焼排ガスの
供給経路は、各除塵手段７４、７６、７８に対応して分
岐され、分岐された配管には、燃焼排ガスの供給量ない
しは供給の有無を調節するバルブ８４、８６、８８が備
えられている。さらに、除塵手段７４、７６、７８から
清浄化されたガスの排出用配管がそれぞれ備えられてお
り、排出を調節するバルブ９４、９６、９８が備えられ
ている。
【００４６】各除塵手段７４，７６，７８は、いずれか
１台が粉塵払い落とし工程ないしはメインテナンスを実
施していても、残りの２台あるいは１台で必要除塵能力
が確保できるようになっている。備えられるｍ台の各除
塵手段は、それぞれが同じ除塵能力、すなわち、同じろ
過面積を有していることが好ましい。本形態において
は、各除塵手段７４、７６、７８は、それぞれが同じ除
塵能力、すなわち、同じろ過面積を有するように設計さ
れている。同時に、最大で（ｍ−１）台で（好ましくは
（ｍ−１）台で）必要な除塵能力、すなわち、必要な全
ろ過面積を確保できるように設計されていることが好ま
しい。したがって、本形態においては、各除塵手段は、
必要な除塵能力（ろ過面積）を１とすると、それぞれ
０．５の除塵能力（ろ過面積）を備え、全体として１．
５の除塵能力（ろ過面積）を備えるようになっている。
すなわち、２台（ｍ＝３のときの（ｍ−１）である）で
必要な除塵能力を備えている。
１台が粉塵払い落とし工程ないしはメインテナンスを実
施していても、残りの２台あるいは１台で必要除塵能力
が確保できるようになっている。備えられるｍ台の各除
塵手段は、それぞれが同じ除塵能力、すなわち、同じろ
過面積を有していることが好ましい。本形態において
は、各除塵手段７４、７６、７８は、それぞれが同じ除
塵能力、すなわち、同じろ過面積を有するように設計さ
れている。同時に、最大で（ｍ−１）台で（好ましくは
（ｍ−１）台で）必要な除塵能力、すなわち、必要な全
ろ過面積を確保できるように設計されていることが好ま
しい。したがって、本形態においては、各除塵手段は、
必要な除塵能力（ろ過面積）を１とすると、それぞれ
０．５の除塵能力（ろ過面積）を備え、全体として１．
５の除塵能力（ろ過面積）を備えるようになっている。
すなわち、２台（ｍ＝３のときの（ｍ−１）である）で
必要な除塵能力を備えている。
【００４７】次に、このように構成した除塵手段３２を
使用して実施する燃焼排ガスの除塵工程について説明す
る。図３では、燃焼処理手段から導入される燃焼排ガス
は、除塵手段７６、７８に導入されて除塵工程が実施さ
れる。このためバルブ８４、９４は閉状態であり、バル
ブ８６，８８、９６，９８が開状態となっている。この
場合、除塵手段７６，７８は、それぞれあるいは合計で
必要な除塵能力を備えているため、適切な除塵工程が実
施される。いずれか一方の除塵手段で必要な除塵能力を
備えている場合には、１台の稼動でもよい。一方、除塵
手段７４の使用は、必要な除塵能力を超えているため、
必要に応じて、当該除塵手段７４においては粉塵払い落
とし工程やメインテナンスを実施できる。
使用して実施する燃焼排ガスの除塵工程について説明す
る。図３では、燃焼処理手段から導入される燃焼排ガス
は、除塵手段７６、７８に導入されて除塵工程が実施さ
れる。このためバルブ８４、９４は閉状態であり、バル
ブ８６，８８、９６，９８が開状態となっている。この
場合、除塵手段７６，７８は、それぞれあるいは合計で
必要な除塵能力を備えているため、適切な除塵工程が実
施される。いずれか一方の除塵手段で必要な除塵能力を
備えている場合には、１台の稼動でもよい。一方、除塵
手段７４の使用は、必要な除塵能力を超えているため、
必要に応じて、当該除塵手段７４においては粉塵払い落
とし工程やメインテナンスを実施できる。
【００４８】さらに、除塵手段７６，７８のいずれかが
所定の圧力損失を超えるなどの稼動の停止を要する事態
が発生したら、その除塵手段への燃焼排ガスの導入を停
止し、粉塵払い落とし工程ないしはメインテナンスを実
施し、除塵手段７４への燃焼排ガスの導入を開始して、
除塵工程を実施するようにする。このように、除塵手段
を複数備え、その一部において必要な除塵能力を備える
ようにすると、残部の除塵手段を、粉塵払い落とし工程
等に使用することにより、従来、除塵手段の圧力損失の
許容範囲まで運転を継続し、粉塵払い落とし工程やメイ
ンテナンスにかかる時間をできるだけ少なくするように
しなくても、必要に応じて容易に粉塵払い落とし工程や
メインテナンスを実施できる。このため、常に圧力損失
が低い状態で安定運転が可能となり、さらには、安定し
た除塵が達成され、安定した組成の清浄化ガスを排出で
きるようになっている。
所定の圧力損失を超えるなどの稼動の停止を要する事態
が発生したら、その除塵手段への燃焼排ガスの導入を停
止し、粉塵払い落とし工程ないしはメインテナンスを実
施し、除塵手段７４への燃焼排ガスの導入を開始して、
除塵工程を実施するようにする。このように、除塵手段
を複数備え、その一部において必要な除塵能力を備える
ようにすると、残部の除塵手段を、粉塵払い落とし工程
等に使用することにより、従来、除塵手段の圧力損失の
許容範囲まで運転を継続し、粉塵払い落とし工程やメイ
ンテナンスにかかる時間をできるだけ少なくするように
しなくても、必要に応じて容易に粉塵払い落とし工程や
メインテナンスを実施できる。このため、常に圧力損失
が低い状態で安定運転が可能となり、さらには、安定し
た除塵が達成され、安定した組成の清浄化ガスを排出で
きるようになっている。
【００４９】特に、本形態においては、全除塵手段ｍ台
を全て同じ除塵能力とし、（ｍ−１）台で必要除塵能力
を備えるようにしたために、全体として最小限の全除塵
能力で効率的な除塵工程の実施が可能となっている。す
なわち、少なくとも１台の除塵手段で粉塵払い落とし工
程を実施し、最大で（ｍ−１）台の除塵手段で集塵工程
を実施するように切り替え使用することにより、圧力損
失を低く維持しつつ、効率的かつ良好な除塵工程を実施
することができる。
を全て同じ除塵能力とし、（ｍ−１）台で必要除塵能力
を備えるようにしたために、全体として最小限の全除塵
能力で効率的な除塵工程の実施が可能となっている。す
なわち、少なくとも１台の除塵手段で粉塵払い落とし工
程を実施し、最大で（ｍ−１）台の除塵手段で集塵工程
を実施するように切り替え使用することにより、圧力損
失を低く維持しつつ、効率的かつ良好な除塵工程を実施
することができる。
【００５０】なお、当然に、必要に応じて、除塵能力を
超えて存在する除塵手段を用いて他の除塵手段と同時に
除塵工程を実施することもできる。
超えて存在する除塵手段を用いて他の除塵手段と同時に
除塵工程を実施することもできる。
【００５１】本形態では、特に、除塵手段ないしは工程
について説明したが、本形態の除塵手段ないしは工程
は、第１の実施形態ないしは第２の実施形態に包含され
る各種態様に適用することができる。特に、第２の実施
形態で説明した、除塵手段から排出される清浄化ガスの
圧力に対応して風量を変化可能な排出用ブロアを備える
ことにより、最適な圧力状態での除塵工程、特に、集塵
工程を省コストで実施することができる。
について説明したが、本形態の除塵手段ないしは工程
は、第１の実施形態ないしは第２の実施形態に包含され
る各種態様に適用することができる。特に、第２の実施
形態で説明した、除塵手段から排出される清浄化ガスの
圧力に対応して風量を変化可能な排出用ブロアを備える
ことにより、最適な圧力状態での除塵工程、特に、集塵
工程を省コストで実施することができる。
【００５２】以上、各種実施形態について説明したが、
本発明はこれらの実施形態に限定されることなく、特許
請求の範囲に記載した範囲内の態様を包含するものであ
る。また、特許請求の範囲内において包含される態様に
おける各手段や工程は、上記実施形態において具体的に
説明される態様を包含するものである。
本発明はこれらの実施形態に限定されることなく、特許
請求の範囲に記載した範囲内の態様を包含するものであ
る。また、特許請求の範囲内において包含される態様に
おける各手段や工程は、上記実施形態において具体的に
説明される態様を包含するものである。
【００５３】
【発明の効果】本発明によれば、半導体あるいは液晶モ
ジュール等の製造装置において発生する排ガスの除害工
程において、メインテナンス作業を軽減し、あるいはそ
の作業の安全性を向上させることができる。
ジュール等の製造装置において発生する排ガスの除害工
程において、メインテナンス作業を軽減し、あるいはそ
の作業の安全性を向上させることができる。
【図１】本発明の第１の実施形態の概略を示す図であ
る。
る。
【図２】本発明のバグフィルターの一実施形態を示す図
である。
である。
【図３】本発明の第２実施形態の概略を示す図である。
【図４】本発明の第３の実施形態の概略を示す図であ
る。
る。
【図５】従来の排ガス除害工程を示す図である。
２ 除害装置
４ 燃焼処理手段
１４、７４、７６、７８ 除塵手段
１６ ハウジング
１８ フィルター
１９ 燃焼排ガス導入部
２０ トッププレナム
２１ チューブシート
２２ 排出部
２４ 圧縮ガス噴出装置
３０ 集塵部
３２ 粉塵排出部
３４ バルブ
３６ 粉塵排出経路
４０ ガス導入手段
５２ 成膜装置
５５ 配管
６４ 燃焼処理手段
４４ 洗浄手段
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｂ０１Ｄ 53/77 Ｆ２３Ｊ 15/00 Ｄ
Ｆ２３Ｊ 15/04
(72)発明者 林 和幸
石川県能美郡川北町字山田先出25 松下環
境空調エンジニアリング株式会社石川セク
ション内
(72)発明者 土本 利明
富山県魚津市東山字上森42番４号 松下環
境空調エンジニアリング株式会社魚津セク
ション内
(72)発明者 沢田 博明
石川県能美郡川北町字山田先出25 松下環
境空調エンジニアリング株式会社内
(72)発明者 中川 秋夫
石川県能美郡川北町字山田先出26番２号
松下電器産業株式会社ディスプレイデバイ
ス部門内
Ｆターム(参考） 3K070 DA01 DA32 DA37 DA58 DA64
DA83
3K078 AA01 AA07 AA08 BA17 BA21
CA01 CA07 CA24
4D002 AA26 AC10 BA02 BA05 BA14
CA01 CA03 CA07 DA02 DA12
DA35 EA01 EA02
4D058 JA04 MA15 RA03 RA15 SA20
Claims (18)
- 【請求項１】Ｓｉ成分を含有する成膜排ガスの除害方法
であって、 排ガスの燃焼処理工程と、 燃焼処理によって生成した燃焼排ガスからＳｉ含有粉塵
を除塵する工程と、 除塵した燃焼排ガスを水性洗浄する工程、とを備える方
法。 - 【請求項２】前記除塵工程では、除塵手段としてバグフ
ィルターを用いることを特徴とする、請求項１記載の方
法。 - 【請求項３】前記バグフィルターの粉塵払い落とし工程
において、フィルターに対して圧縮ガスを供給すると同
時に、フィルターの外部に対して、フィルター表面近傍
から粉塵排出側を指向するガス流を付与することを特徴
とする、請求項２記載の方法。 - 【請求項４】前記除塵工程には、少なくともｍ台（ｍは
３以上の整数である。）の除塵手段を備えるようにし、
それぞれの除塵手段は、少なくとも１台の除塵手段で粉
塵払い落とし工程を実施し、最大で（ｍ−１）台の除塵
手段で集塵工程を実施するように切替使用することを特
徴とする、請求項２又は３に記載の方法。 - 【請求項５】前記除塵工程で除塵されたガスを、当該ガ
スの排出圧力に応じた風量で排出することを特徴とす
る、請求項１〜４のいずれかに記載の方法。 - 【請求項６】前記洗浄工程で洗浄用に導入される水は、
純水〜硬度０の水を用いることを特徴とする、請求項１
〜５のいずれかに記載の方法。 - 【請求項７】前記燃焼処理工程に導入される前記排ガス
は、前記燃焼処理工程よりも前の段階で析出する可能性
のある析出物が析出しない温度に維持されている、請求
項１〜６のいずれかに記載の方法。 - 【請求項８】Ｓｉ成分を含有する成膜排ガスの除害方法
であって、 排ガスの燃焼処理工程と、 燃焼処理によって生成した燃焼排ガスからＳｉ含有粉塵
を除塵する工程、 とを備え、 前記燃焼処理工程に導入される前記排ガスは、前記燃焼
処理工程よりも前の段階で析出する可能性のある析出物
が析出しない温度に維持されている、方法。 - 【請求項９】Ｓｉ成分を含有する成膜排ガスの除害装置
であって、 排ガスの燃焼処理手段と、 燃焼処理によって生成した燃焼排ガスからＳｉ含有粉塵
を除塵する手段と、 除塵した燃焼排ガスを水性洗浄する手段、とを備える装
置。 - 【請求項１０】前記除塵工程では、除塵手段としてバグ
フィルターを用いることを特徴とする、請求項９記載の
装置。 - 【請求項１１】前記バグフィルターの粉塵払い落とし手
段として、フィルターに対して圧縮ガスを供給すると同
時に、フィルターの外部に対して、フィルター表面近傍
から粉塵排出側を指向するガス流を付与するガス導入手
段を備えることを特徴とする、請求項１０記載の装置。 - 【請求項１２】前記除塵手段は、少なくともｍ台（ｍは
３以上の整数である。）の除塵手段を備えられており、
それぞれの除塵手段は、少なくとも１台の除塵手段で粉
塵払い落とし工程を実施し、最大で（ｍ−１）台の除塵
手段で集塵工程を実施するように切替可能に設けられて
いることを特徴とする、請求項１０又は１１記載の装
置。 - 【請求項１３】前記洗浄手段で洗浄用に導入される水
は、純水〜硬度０の水を用いることを特徴とする、請求
項９〜１２のいずれかに記載の装置。 - 【請求項１４】前記燃焼処理手段に導入される前記排ガ
スを、前記燃焼処理手段よりも前の段階で析出する可能
性のある析出物が析出しない温度に維持する手段を備え
ることを特徴とする、請求項９〜１３のいずれかに記載
の装置。 - 【請求項１５】前記除塵手段から排出されるガスの圧力
に応じて風量を変量可能な排気手段を備えることを特徴
とする、請求項９〜１４のいずれかに記載の装置。 - 【請求項１６】Ｓｉ成分を含有する成膜排ガスの除害装
置であって、 排ガスの燃焼処理手段と、 燃焼処理によって生成した燃焼排ガスからＳｉ含有粉塵
を除塵する手段、とを備え、 前記燃焼処理手段に導入される前記排ガスを、前記燃焼
処理手段よりも前の段階で析出する可能性のある析出物
が析出しない温度に維持する手段を備えることを特徴と
する、装置。 - 【請求項１７】Ｓｉ含有粉塵用のバグフィルターであっ
て、 前記フィルターの粉塵払い落とし手段として、フィルタ
ーに対して圧縮ガスを供給すると同時に、フィルターの
外部に対して、フィルター表面近傍から粉塵排出側を指
向するガス流を付与するガス導入手段を備えることを特
徴とする、バグフィルター。 - 【請求項１８】前記バグフィルターにおける粉塵排出口
は、開閉式バルブを備えており、 フィルターへの粉塵集塵時においては閉口されており、 前記圧縮ガス及びガス流が付与されて粉塵払い落とし時
においては開口されるようになっている、請求項１７記
載のバグフィルター。
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