JPH09108532A - 排ガス処理装置 - Google Patents
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- JPH09108532A JPH09108532A JP7267500A JP26750095A JPH09108532A JP H09108532 A JPH09108532 A JP H09108532A JP 7267500 A JP7267500 A JP 7267500A JP 26750095 A JP26750095 A JP 26750095A JP H09108532 A JPH09108532 A JP H09108532A
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- B01D53/46—Removing components of defined structure
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- B01D53/68—Halogens or halogen compounds
- B01D53/70—Organic halogen compounds
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F23—COMBUSTION APPARATUS; COMBUSTION PROCESSES
- F23G—CREMATION FURNACES; CONSUMING WASTE PRODUCTS BY COMBUSTION
- F23G7/00—Incinerators or other apparatus for consuming industrial waste, e.g. chemicals
- F23G7/06—Incinerators or other apparatus for consuming industrial waste, e.g. chemicals of waste gases or noxious gases, e.g. exhaust gases
- F23G7/061—Incinerators or other apparatus for consuming industrial waste, e.g. chemicals of waste gases or noxious gases, e.g. exhaust gases with supplementary heating
- F23G7/065—Incinerators or other apparatus for consuming industrial waste, e.g. chemicals of waste gases or noxious gases, e.g. exhaust gases with supplementary heating using gaseous or liquid fuel
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- F23G2209/00—Specific waste
- F23G2209/14—Gaseous waste or fumes
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02C—CAPTURE, STORAGE, SEQUESTRATION OR DISPOSAL OF GREENHOUSE GASES [GHG]
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 装置の小型化を図りつつ、効率的に排ガスの
分解処理を行うことのできる燃焼式の排ガス処理装置を
提供すること。 【解決手段】 本発明の排ガス処理装置（１０）は、処
理筒（１８）と、この処理筒の一端に取り付けられ当該
処理筒の内部に燃焼用空気を導入する燃焼用空気導入管
（３２）と、燃焼用空気導入管の内側に配設され、処理
筒の内部に燃料ガスを導入する燃料ガス導入管（３０）
と、燃料ガス導入管の内側に配設され、処理筒の内部に
排ガスを導入する排ガス導入管（２８）と、燃焼用空気
導入管の空気出口側の端部から処理筒の他端側に延びる
炎導管（３４）と、処理筒の側壁及び炎導管の間の空間
に冷却用空気を導入するための冷却用空気導入口（４
２）とを備えている。炎導管の存在により燃料ガスの火
炎は長時間維持され、排ガスとの接触効率が向上する。
分解処理を行うことのできる燃焼式の排ガス処理装置を
提供すること。 【解決手段】 本発明の排ガス処理装置（１０）は、処
理筒（１８）と、この処理筒の一端に取り付けられ当該
処理筒の内部に燃焼用空気を導入する燃焼用空気導入管
（３２）と、燃焼用空気導入管の内側に配設され、処理
筒の内部に燃料ガスを導入する燃料ガス導入管（３０）
と、燃料ガス導入管の内側に配設され、処理筒の内部に
排ガスを導入する排ガス導入管（２８）と、燃焼用空気
導入管の空気出口側の端部から処理筒の他端側に延びる
炎導管（３４）と、処理筒の側壁及び炎導管の間の空間
に冷却用空気を導入するための冷却用空気導入口（４
２）とを備えている。炎導管の存在により燃料ガスの火
炎は長時間維持され、排ガスとの接触効率が向上する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造設備等
から排出される排ガスを処理するための排ガス処理装置
に関し、特に、排ガス中に含まれているＮＦ3 やＳＦ6
等の無機系フッ素化合物或いはＣＦ4 やＣ2 Ｆ6 等のフ
ロン系ガスを分解処理するための排ガス処理装置に関す
るものである。
から排出される排ガスを処理するための排ガス処理装置
に関し、特に、排ガス中に含まれているＮＦ3 やＳＦ6
等の無機系フッ素化合物或いはＣＦ4 やＣ2 Ｆ6 等のフ
ロン系ガスを分解処理するための排ガス処理装置に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体の製造においては、ＳｉＨ4 、Ｓ
ｉ2 Ｈ6 、ＰＨ3 、ＮＨ3 、ＮＦ3 、ＳＦ6 、ＣＦ4 、
Ｃ2 Ｆ6 等の有毒性ガスや環境汚染のおそれがあるガス
が含まれた排ガスが生ずる。そのため、このような排ガ
スが排出される場所には排ガス処理装置を設置し、法令
等が定める許容濃度（ＴＬＶ値）となるまで排ガスを分
解処理する必要がある。
ｉ2 Ｈ6 、ＰＨ3 、ＮＨ3 、ＮＦ3 、ＳＦ6 、ＣＦ4 、
Ｃ2 Ｆ6 等の有毒性ガスや環境汚染のおそれがあるガス
が含まれた排ガスが生ずる。そのため、このような排ガ
スが排出される場所には排ガス処理装置を設置し、法令
等が定める許容濃度（ＴＬＶ値）となるまで排ガスを分
解処理する必要がある。
【０００３】従来の排ガス処理装置としては、火炎によ
り排ガスを燃焼させて分解する燃焼式のものが知られて
いる。一般的な燃焼式排ガス処理装置は、排気ガスに対
してバーナーからの火炎を吹き付けて、その熱により排
気ガスを分解処理するものである。かかる燃焼式排ガス
処理装置は、ＳｉＨ4 、Ｓｉ2 Ｈ6 、ＰＨ3 、ＮＨ3等
の可燃性ガスに対しては有効に機能し得る。
り排ガスを燃焼させて分解する燃焼式のものが知られて
いる。一般的な燃焼式排ガス処理装置は、排気ガスに対
してバーナーからの火炎を吹き付けて、その熱により排
気ガスを分解処理するものである。かかる燃焼式排ガス
処理装置は、ＳｉＨ4 、Ｓｉ2 Ｈ6 、ＰＨ3 、ＮＨ3等
の可燃性ガスに対しては有効に機能し得る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
燃焼式排ガス処理装置では、火炎が短く、しかもＮ
Ｆ3、ＳＦ6 、ＣＦ4 、Ｃ2 Ｆ6 等は非常に安定なガス
であるため、これらのガスを分解処理するためには、大
容量で大型の装置を用いなければならず、且つ、大量の
燃料が必要となる。
燃焼式排ガス処理装置では、火炎が短く、しかもＮ
Ｆ3、ＳＦ6 、ＣＦ4 、Ｃ2 Ｆ6 等は非常に安定なガス
であるため、これらのガスを分解処理するためには、大
容量で大型の装置を用いなければならず、且つ、大量の
燃料が必要となる。
【０００５】本発明は、かかる事情に鑑みてなされたも
のであり、その目的は、装置の小型化を図りつつ、効率
的に排ガスの分解処理を行うことのできる燃焼式の排ガ
ス処理装置を提供することにある。
のであり、その目的は、装置の小型化を図りつつ、効率
的に排ガスの分解処理を行うことのできる燃焼式の排ガ
ス処理装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明による排ガス処理装置は、処理筒と、この処
理筒の一端に取り付けられ当該処理筒の内部に燃焼用空
気を導入する燃焼用空気導入管と、燃焼用空気導入管の
内側に配設され、処理筒の内部に燃料ガスを導入する燃
料ガス導入管と、燃料ガス導入管の内側に配設され、処
理筒の内部に排ガスを導入する排ガス導入管と、燃焼用
空気導入管の空気出口側の端部から処理筒の他端側に延
びる炎導管と、処理筒の側壁及び炎導管の間の空間に冷
却用空気を導入するための冷却用空気導入手段と、処理
筒の他端に設けられた、処理済み排ガスを排出するため
の出口ノズルとを備えることを特徴としている。
に、本発明による排ガス処理装置は、処理筒と、この処
理筒の一端に取り付けられ当該処理筒の内部に燃焼用空
気を導入する燃焼用空気導入管と、燃焼用空気導入管の
内側に配設され、処理筒の内部に燃料ガスを導入する燃
料ガス導入管と、燃料ガス導入管の内側に配設され、処
理筒の内部に排ガスを導入する排ガス導入管と、燃焼用
空気導入管の空気出口側の端部から処理筒の他端側に延
びる炎導管と、処理筒の側壁及び炎導管の間の空間に冷
却用空気を導入するための冷却用空気導入手段と、処理
筒の他端に設けられた、処理済み排ガスを排出するため
の出口ノズルとを備えることを特徴としている。
【０００７】このような構成において、燃料ガスと燃焼
用空気の混合ガスを点火すると、火炎は炎導管内を延び
ていき、高熱状態を保つことができる。従って、火炎と
排ガスとの接触が効率よく行われることとなる。また、
複数種の排ガスを同時に処理するため、排ガス導入管を
複数本設けてもよい。同様な観点から、１本の排気ガス
導入管の内部を複数の排ガス導入路に分割してもよい。
用空気の混合ガスを点火すると、火炎は炎導管内を延び
ていき、高熱状態を保つことができる。従って、火炎と
排ガスとの接触が効率よく行われることとなる。また、
複数種の排ガスを同時に処理するため、排ガス導入管を
複数本設けてもよい。同様な観点から、１本の排気ガス
導入管の内部を複数の排ガス導入路に分割してもよい。
【０００８】更に、ＳｉＨ4 等の排ガスを処理した際に
生ずる酸化物が排ガス導入管の先端で堆積しないよう、
排ガス導入管の排ガス出口側の端部の近傍に粉体払い落
とし手段を設けることが好適である。
生ずる酸化物が排ガス導入管の先端で堆積しないよう、
排ガス導入管の排ガス出口側の端部の近傍に粉体払い落
とし手段を設けることが好適である。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、図面と共に本発明の好適な
実施形態について詳細に説明する。なお、全図面中、同
一又は相当部分には同一符号を付することとする。
実施形態について詳細に説明する。なお、全図面中、同
一又は相当部分には同一符号を付することとする。
【００１０】図１は、本発明による排ガス処理装置を備
える排ガス処理設備の一例を示している。これらの図に
おいて、符号１０，１２，１４，１６は、それぞれ、排
ガス処理装置、フィルタ、排気用ブロワ及び湿式スクラ
バを示している。フィルタ１２、排気用ブロワ１４及び
湿式スクラバ１６については、一般的な排ガス処理設備
で通常用いられている型式のものである。
える排ガス処理設備の一例を示している。これらの図に
おいて、符号１０，１２，１４，１６は、それぞれ、排
ガス処理装置、フィルタ、排気用ブロワ及び湿式スクラ
バを示している。フィルタ１２、排気用ブロワ１４及び
湿式スクラバ１６については、一般的な排ガス処理設備
で通常用いられている型式のものである。
【００１１】本実施形態における排ガス処理装置１０
は、図示するように、円筒形の処理筒１８を備えてい
る。この処理筒１８は縦置き、即ちその軸線が鉛直方向
に向くようにして設置されている。
は、図示するように、円筒形の処理筒１８を備えてい
る。この処理筒１８は縦置き、即ちその軸線が鉛直方向
に向くようにして設置されている。
【００１２】処理筒１８の底板２０の中央部には出口ノ
ズル２２が形成されており、この出口ノズル２２は配管
２４を介してフィルタ１２に接続されている。また、処
理筒１８の上板２６の中心部には、排ガス導入管２８、
燃料ガス導入管３０及び燃焼用空気導入管３２から成る
ガス導入部が設けられている。このガス導入部は、内側
から順に排ガス導入管２８、燃料ガス導入管３０、燃焼
用空気導入管３２を同軸に配置して構成されたものであ
り、排ガス導入管２８の内部空間、排ガス導入管２８と
燃料ガス導入管３０との間の環状空間、及び、燃料ガス
導入管３０と燃焼用空気導入管３２との間の環状空間
が、それぞれ、排ガス導入路２９、燃料ガス導入路３１
及び燃焼用空気導入路３３として機能するようになって
いる。これらの導入管２８，３０，３２は処理筒１８の
上板２６を貫通し、処理筒１８内の上部の所定位置まで
延びている。また、燃焼用空気導入管３２の下端には炎
導管３４が接続され、この炎導管３４の下端は処理筒１
８の底板２０の近傍まで延びている。なお、図示しない
が、燃料ガス導入路３１の出口部分には、点火プラグ等
の適当な点火手段が設けられている。
ズル２２が形成されており、この出口ノズル２２は配管
２４を介してフィルタ１２に接続されている。また、処
理筒１８の上板２６の中心部には、排ガス導入管２８、
燃料ガス導入管３０及び燃焼用空気導入管３２から成る
ガス導入部が設けられている。このガス導入部は、内側
から順に排ガス導入管２８、燃料ガス導入管３０、燃焼
用空気導入管３２を同軸に配置して構成されたものであ
り、排ガス導入管２８の内部空間、排ガス導入管２８と
燃料ガス導入管３０との間の環状空間、及び、燃料ガス
導入管３０と燃焼用空気導入管３２との間の環状空間
が、それぞれ、排ガス導入路２９、燃料ガス導入路３１
及び燃焼用空気導入路３３として機能するようになって
いる。これらの導入管２８，３０，３２は処理筒１８の
上板２６を貫通し、処理筒１８内の上部の所定位置まで
延びている。また、燃焼用空気導入管３２の下端には炎
導管３４が接続され、この炎導管３４の下端は処理筒１
８の底板２０の近傍まで延びている。なお、図示しない
が、燃料ガス導入路３１の出口部分には、点火プラグ等
の適当な点火手段が設けられている。
【００１３】半導体製造装置等からの排ガスは排ガス導
入管２８の上端からその内部に導入されるようになって
いる。また、燃料ガス導入管３０の上部には、燃料ガ
ス、例えばメタンガス、天然ガス、都市ガス、プロパン
ガス、水素ガス若しくはブタンガス又はこれらの混合ガ
スの供給源３６が接続され、燃焼用空気導入管３２の上
部には燃焼用空気の供給源３８が接続されている。更
に、冷却用空気供給源４０が、処理筒１８の上板２６の
外周部分に設けられた冷却用空気導入口（冷却用空気導
入手段）４２に接続されている。
入管２８の上端からその内部に導入されるようになって
いる。また、燃料ガス導入管３０の上部には、燃料ガ
ス、例えばメタンガス、天然ガス、都市ガス、プロパン
ガス、水素ガス若しくはブタンガス又はこれらの混合ガ
スの供給源３６が接続され、燃焼用空気導入管３２の上
部には燃焼用空気の供給源３８が接続されている。更
に、冷却用空気供給源４０が、処理筒１８の上板２６の
外周部分に設けられた冷却用空気導入口（冷却用空気導
入手段）４２に接続されている。
【００１４】このような構成において、排ガスを処理す
る場合、排ガスを排ガス導入管２８内に送り込むと共
に、燃料ガス、燃焼用空気、冷却用空気の各供給源３
６，３８，４０及び排気用ブロワ１４を駆動する。供給
源３６，３８，４０の駆動により、燃料ガス及び燃焼用
空気がそれぞれ所定流量で燃料ガス導入路３１及び燃焼
用空気導入路３３に供給される。ここで、点火手段を作
動させて燃料ガスと燃焼用空気の混合ガスを発火させる
と、その火炎が排ガス導入管２８の下端から排出された
排ガスに接触し、排ガス中に含まれている物質の分解処
理が行われる。混合ガスの火炎は炎導管３４の存在によ
り処理筒１８の底板２０の近傍まで延び、その結果、排
ガスと火炎の接触効果が高められ、排ガス中の物質がフ
ロン系ガスのように安定な物質であっても熱分解が可能
となっている。
る場合、排ガスを排ガス導入管２８内に送り込むと共
に、燃料ガス、燃焼用空気、冷却用空気の各供給源３
６，３８，４０及び排気用ブロワ１４を駆動する。供給
源３６，３８，４０の駆動により、燃料ガス及び燃焼用
空気がそれぞれ所定流量で燃料ガス導入路３１及び燃焼
用空気導入路３３に供給される。ここで、点火手段を作
動させて燃料ガスと燃焼用空気の混合ガスを発火させる
と、その火炎が排ガス導入管２８の下端から排出された
排ガスに接触し、排ガス中に含まれている物質の分解処
理が行われる。混合ガスの火炎は炎導管３４の存在によ
り処理筒１８の底板２０の近傍まで延び、その結果、排
ガスと火炎の接触効果が高められ、排ガス中の物質がフ
ロン系ガスのように安定な物質であっても熱分解が可能
となっている。
【００１５】また、冷却用空気供給源４０を駆動する
と、大量の冷却用空気が処理筒１８と炎導管３４との間
の環状空間に導入され、処理筒１８の下部で炎導管３４
の下端から排出された処理済み排ガスと混合される。こ
れにより、炎導管３４内で高温となった排ガスの冷却が
行われると同時に、大量の空気と混合されるので排ガス
の希釈化も行われることとなる。この冷却用空気は炎導
管３４の周囲を通過するため、炎導管３４の熱的シール
ドとしても機能するものである。従って、断熱材を処理
筒１８の外周に設ける必要はない。
と、大量の冷却用空気が処理筒１８と炎導管３４との間
の環状空間に導入され、処理筒１８の下部で炎導管３４
の下端から排出された処理済み排ガスと混合される。こ
れにより、炎導管３４内で高温となった排ガスの冷却が
行われると同時に、大量の空気と混合されるので排ガス
の希釈化も行われることとなる。この冷却用空気は炎導
管３４の周囲を通過するため、炎導管３４の熱的シール
ドとしても機能するものである。従って、断熱材を処理
筒１８の外周に設ける必要はない。
【００１６】冷却用空気により冷却され且つ希釈された
処理済み排ガスは、排気用ブロワ１４の吸引力により処
理筒１８の出口ノズル２２から排出され、フィルタ１２
において排ガス中の塵埃等が除去される。処理済み排ガ
スは、フィルタ１２及び排気用ブロワ１４を通過した
後、湿式スクラバ１６において更に清浄化され、最終的
には外部に排出される。
処理済み排ガスは、排気用ブロワ１４の吸引力により処
理筒１８の出口ノズル２２から排出され、フィルタ１２
において排ガス中の塵埃等が除去される。処理済み排ガ
スは、フィルタ１２及び排気用ブロワ１４を通過した
後、湿式スクラバ１６において更に清浄化され、最終的
には外部に排出される。
【００１７】次に、上記構成の排ガス処理装置１０を用
いて実際に排ガスを処理した実験結果を下の表に示す。
この実験では、内径４００ｍｍの処理筒１８、長さ８０
０ｍｍの炎導管３４を備える排ガス処理装置を用いた。
また、対称ガスはＮＦ3 、ＮＨ3 、ＳｉＨ4 、ＰＨ3 と
した。なお、これらのガスは、半導体製造装置の排ガス
と同様、窒素ガスにより希釈されたものである。燃料ガ
スについてはメタンを流量１７リットル／分で用い、燃
焼用空気の流量は４８０リットル／分、冷却用空気の流
量２０，０００リットル／分とした。
いて実際に排ガスを処理した実験結果を下の表に示す。
この実験では、内径４００ｍｍの処理筒１８、長さ８０
０ｍｍの炎導管３４を備える排ガス処理装置を用いた。
また、対称ガスはＮＦ3 、ＮＨ3 、ＳｉＨ4 、ＰＨ3 と
した。なお、これらのガスは、半導体製造装置の排ガス
と同様、窒素ガスにより希釈されたものである。燃料ガ
スについてはメタンを流量１７リットル／分で用い、燃
焼用空気の流量は４８０リットル／分、冷却用空気の流
量２０，０００リットル／分とした。
【００１８】
【表１】
【００１９】この表から分かるように、安定なＮＦ3 で
あっても、本発明による排ガス処理装置１０により処理
した場合には、出口ノズル２２から排出された処理済み
排ガス中の濃度はＡＣＧＩＨ（American Conference of
Governmental Industrial Hygienists ）で定めるＴＬ
Ｖ値未満となった。一方、ＮＨ3 や可燃性ガスであるＳ
ｉＨ4 、ＰＨ3 についてはＴＶＬ値を大幅に下回る結果
が得られた。
あっても、本発明による排ガス処理装置１０により処理
した場合には、出口ノズル２２から排出された処理済み
排ガス中の濃度はＡＣＧＩＨ（American Conference of
Governmental Industrial Hygienists ）で定めるＴＬ
Ｖ値未満となった。一方、ＮＨ3 や可燃性ガスであるＳ
ｉＨ4 、ＰＨ3 についてはＴＶＬ値を大幅に下回る結果
が得られた。
【００２０】また、出口ノズル２２における処理済み排
ガスの温度は約５０℃であり、炎導管３４の内部温度が
８００〜１０００℃となることから、冷却も効率的に行
われたことが分かる。出口ノズル２２での温度が５０℃
程度である場合、特に冷却装置を設けずとも、後続の機
器に悪影響を及ぼすことはない。
ガスの温度は約５０℃であり、炎導管３４の内部温度が
８００〜１０００℃となることから、冷却も効率的に行
われたことが分かる。出口ノズル２２での温度が５０℃
程度である場合、特に冷却装置を設けずとも、後続の機
器に悪影響を及ぼすことはない。
【００２１】なお、上記実施形態では、排ガス処理装置
１０の各構成部材１８，２８，３０，３２は円筒形とな
っているが、形状は特に限定されず、例えば断面が四角
形状の処理筒、排ガス導入管、燃料ガス導入管、燃焼用
空気導入管及び炎導管から排ガス処理装置を構成しても
よい。また、炎導管３４も燃焼用空気導入管３２と別個
に設ける必要はなく、燃焼用空気導入管３２を延長し
て、その延長部分を炎導管として用いてもよい。更に、
上記実施形態では排ガス処理装置は縦置きとなっている
が、横置きでもよく、また、下方から上方に向けてガス
が流れるように設置してもよい。
１０の各構成部材１８，２８，３０，３２は円筒形とな
っているが、形状は特に限定されず、例えば断面が四角
形状の処理筒、排ガス導入管、燃料ガス導入管、燃焼用
空気導入管及び炎導管から排ガス処理装置を構成しても
よい。また、炎導管３４も燃焼用空気導入管３２と別個
に設ける必要はなく、燃焼用空気導入管３２を延長し
て、その延長部分を炎導管として用いてもよい。更に、
上記実施形態では排ガス処理装置は縦置きとなっている
が、横置きでもよく、また、下方から上方に向けてガス
が流れるように設置してもよい。
【００２２】図２及び図３は本発明による排ガス処理装
置１０′の第２の実施形態を示すものである。この実施
形態の構成は基本的には図１に示す第１の実施形態と同
様であるが、燃料ガス導入管３０の内側に複数本（図３
では４本）の排ガス導入管２８ａ，２８ｂ，２８ｃ，２
８ｄが配置されている点で第１の実施形態と異なってい
る。なお、この第２の実施形態においては、複数本の排
ガス導入管２８ａ〜２８ｄは１本の保持管５０内にて保
持されている。また、保持管５０内で排ガス導入管２８
ａ〜２８ｄの間に形成される空間を閉じるため、蓋板５
２を保持管５０の下端に取り付けておくのが好適であ
る。 なお、この実施形態では、燃料用空気導入管３２
の下部を延長し、その延長部分を炎導管として用いてい
る。
置１０′の第２の実施形態を示すものである。この実施
形態の構成は基本的には図１に示す第１の実施形態と同
様であるが、燃料ガス導入管３０の内側に複数本（図３
では４本）の排ガス導入管２８ａ，２８ｂ，２８ｃ，２
８ｄが配置されている点で第１の実施形態と異なってい
る。なお、この第２の実施形態においては、複数本の排
ガス導入管２８ａ〜２８ｄは１本の保持管５０内にて保
持されている。また、保持管５０内で排ガス導入管２８
ａ〜２８ｄの間に形成される空間を閉じるため、蓋板５
２を保持管５０の下端に取り付けておくのが好適であ
る。 なお、この実施形態では、燃料用空気導入管３２
の下部を延長し、その延長部分を炎導管として用いてい
る。
【００２３】半導体製造工場では、通常、複数種の排ガ
スが排出されるが、各排ガスを切換弁を用いて順番に排
ガス処理装置に導入することとしている。これに対し
て、図２及び図３に示す排ガス処理装置１０′において
は、複数種の排ガスを同時に取り入れ分解処理すること
ができ、処理効率が大幅に向上することになる。また、
各排ガス導入管２８ａ〜２８ｄは特定のガスの専用とす
ることができる。これにより、排ガス導入管内で種類の
異なる排ガス同士が混合し反応するおそれがなくなる。
スが排出されるが、各排ガスを切換弁を用いて順番に排
ガス処理装置に導入することとしている。これに対し
て、図２及び図３に示す排ガス処理装置１０′において
は、複数種の排ガスを同時に取り入れ分解処理すること
ができ、処理効率が大幅に向上することになる。また、
各排ガス導入管２８ａ〜２８ｄは特定のガスの専用とす
ることができる。これにより、排ガス導入管内で種類の
異なる排ガス同士が混合し反応するおそれがなくなる。
【００２４】図２及び図３の実施形態では、複数本の排
ガス導入管２８ａ〜２８ｄを保持管５０内に配置してい
るが、図４（ａ）〜（ｃ）に示すように、１本の排ガス
導入管２８に仕切り板５４を設けて、排ガス導入管２８
の内部に複数の排ガス導入路２９ａ，２９ｂ，２９ｃ，
２９ｄを形成することとしても、同様な効果を奏するこ
とができる。
ガス導入管２８ａ〜２８ｄを保持管５０内に配置してい
るが、図４（ａ）〜（ｃ）に示すように、１本の排ガス
導入管２８に仕切り板５４を設けて、排ガス導入管２８
の内部に複数の排ガス導入路２９ａ，２９ｂ，２９ｃ，
２９ｄを形成することとしても、同様な効果を奏するこ
とができる。
【００２５】ところで、半導体製造時に使用されるＳｉ
Ｈ4 、ＰＨ3 、Ｂ2 Ｈ6 等の排ガスを燃焼処理する場
合、多量の生成酸化物である粉体が発生する。この粉体
は、排ガス導入管２８の出口側端部に堆積する傾向があ
る。このような粉体の堆積が生じ成長していくと、正常
な火炎の形成を阻害し、処理能力の低下を招くこととな
る。
Ｈ4 、ＰＨ3 、Ｂ2 Ｈ6 等の排ガスを燃焼処理する場
合、多量の生成酸化物である粉体が発生する。この粉体
は、排ガス導入管２８の出口側端部に堆積する傾向があ
る。このような粉体の堆積が生じ成長していくと、正常
な火炎の形成を阻害し、処理能力の低下を招くこととな
る。
【００２６】そこで、排ガス導入管２８の出口側の端部
に粉体払い落とし手段を設けることが好ましい。図５
は、図２に示す排ガス処理装置１０′に粉体払い落とし
手段として羽根車６０を設けたものを示す断面図であ
る。図５に示すように、羽根車６０は、蓋板５２の中心
に回転自在に支持されており、排ガス導入管２８ａ〜２
８ｄからの排ガスの流れにより回転駆動されるようにな
っている。また、羽根車６０の羽根６２は排ガス導入管
２８ａ〜２８ｄの下端に極めて近接して配置されてい
る。従って、この羽根車６０が排ガスにより回転される
と、羽根６２が排ガス導入管２８ａ〜２８ｄの下端付近
を横切り、排ガス導入管２８ａ〜２８ｄの下端に付着し
た粉体を払い落とすことが可能となっている。勿論、粉
体払い落とし手段は羽根車６０に限られず、例えば、モ
ータ（図示せず）により回転される掻き板を羽根車に代
えて配設してもよい。
に粉体払い落とし手段を設けることが好ましい。図５
は、図２に示す排ガス処理装置１０′に粉体払い落とし
手段として羽根車６０を設けたものを示す断面図であ
る。図５に示すように、羽根車６０は、蓋板５２の中心
に回転自在に支持されており、排ガス導入管２８ａ〜２
８ｄからの排ガスの流れにより回転駆動されるようにな
っている。また、羽根車６０の羽根６２は排ガス導入管
２８ａ〜２８ｄの下端に極めて近接して配置されてい
る。従って、この羽根車６０が排ガスにより回転される
と、羽根６２が排ガス導入管２８ａ〜２８ｄの下端付近
を横切り、排ガス導入管２８ａ〜２８ｄの下端に付着し
た粉体を払い落とすことが可能となっている。勿論、粉
体払い落とし手段は羽根車６０に限られず、例えば、モ
ータ（図示せず）により回転される掻き板を羽根車に代
えて配設してもよい。
【００２７】また、羽根車６０は、図６に示すように、
未使用時には排ガス導入管２８ａ〜２８ｄの外側の蓋板
５２に密着収納されるようにするのが好ましい。このよ
うに収容することで、羽根車６０が排ガスの処理時に排
ガスの流路を乱す心配がなくなる。
未使用時には排ガス導入管２８ａ〜２８ｄの外側の蓋板
５２に密着収納されるようにするのが好ましい。このよ
うに収容することで、羽根車６０が排ガスの処理時に排
ガスの流路を乱す心配がなくなる。
【００２８】
【発明の効果】以上述べたように、本発明による燃焼式
の排ガス処理装置は炎導管を備えているため、火炎を長
時間維持することができ、排ガスとの接触を効率よく行
わせることができる。これにより、装置の小型化を図る
ことが可能となり、また、少量の燃料であっても、安定
な排ガス、例えばＮＦ3 やＳＦ6 等の無機系フッ素化合
物或いはＣＦ4 やＣ2 Ｆ6 等のフロン系ガス等を効率よ
く分解処理することができる。
の排ガス処理装置は炎導管を備えているため、火炎を長
時間維持することができ、排ガスとの接触を効率よく行
わせることができる。これにより、装置の小型化を図る
ことが可能となり、また、少量の燃料であっても、安定
な排ガス、例えばＮＦ3 やＳＦ6 等の無機系フッ素化合
物或いはＣＦ4 やＣ2 Ｆ6 等のフロン系ガス等を効率よ
く分解処理することができる。
【００２９】また、冷却空気を炎導管の周囲に流すた
め、排ガス処理装置の外周に断熱材を設ける必要がな
く、これによっても装置の小型化が可能となる。
め、排ガス処理装置の外周に断熱材を設ける必要がな
く、これによっても装置の小型化が可能となる。
【００３０】更に、排ガス処理装置内で冷却空気を処理
済み排ガスと混合させることとしているので、排ガスの
冷却と共に希釈処理も行われ、排ガス処理がより効果的
なものとなる。
済み排ガスと混合させることとしているので、排ガスの
冷却と共に希釈処理も行われ、排ガス処理がより効果的
なものとなる。
【図１】本発明による排ガス処理装置の第１の実施形態
を示す排ガス処理設備の概略図である。
を示す排ガス処理設備の概略図である。
【図２】本発明による排ガス処理装置の第２の実施形態
を部分的に示す縦断面図である。
を部分的に示す縦断面図である。
【図３】図２のIII-III 線に沿っての水平断面図であ
る。
る。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ、４本の排ガス導
入路を有する排ガス導入管を示す水平断面図である。
入路を有する排ガス導入管を示す水平断面図である。
【図５】図２の排ガス処理装置に粉体払い落とし手段と
して羽根車を取り付けた状態を示す縦断面図である。
して羽根車を取り付けた状態を示す縦断面図である。
【図６】羽根車を収容した状態を示す図３と同様な断面
図である。
図である。
１０，１０′…排ガス処理装置、１２…フィルタ、１４
…排気用ブロワ、１６…湿式スクラバ、１８…処理筒、
２０…底板、２２…出口ノズル、２４…配管、２６…上
板、２８，２８ａ，２８ｂ，２８ｃ，２８ｄ…排ガス導
入管、３０…燃料ガス導入管、３２…燃焼用空気導入
管、３４…炎導管、３６…燃料ガス供給源、３８…燃焼
用空気供給源、４０…冷却用空気供給源、４２…冷却用
空気導入口、６０…羽根車。
…排気用ブロワ、１６…湿式スクラバ、１８…処理筒、
２０…底板、２２…出口ノズル、２４…配管、２６…上
板、２８，２８ａ，２８ｂ，２８ｃ，２８ｄ…排ガス導
入管、３０…燃料ガス導入管、３２…燃焼用空気導入
管、３４…炎導管、３６…燃料ガス供給源、３８…燃焼
用空気供給源、４０…冷却用空気供給源、４２…冷却用
空気導入口、６０…羽根車。
Claims (4)
- 【請求項１】 処理筒と、 前記処理筒の一端に取り付けられ、前記処理筒の内部に
燃焼用空気を導入する燃焼用空気導入管と、 前記燃焼用空気導入管の内側に配設され、前記処理筒の
内部に燃料ガスを導入する燃料ガス導入管と、 前記燃料ガス導入管の内側に配設され、前記処理筒の内
部に排ガスを導入する排ガス導入管と、 前記燃焼用空気導入管の空気出口側の端部から前記処理
筒の他端の近傍まで延びる炎導管と、 前記処理筒の側壁及び前記炎導管の間の空間に冷却用空
気を導入するための冷却用空気導入手段と、 前記処理筒の他端に設けられた、処理済み排ガスを排出
するための出口ノズルと、を備える排ガス処理装置。 - 【請求項２】 前記排気ガス導入管が複数本、前記燃料
ガス導入管内に配設されている請求項１記載の排ガス処
理装置。 - 【請求項３】 前記排気ガス導入管の内部が複数の排ガ
ス導入路に分割されている請求項１記載の排ガス処理装
置。 - 【請求項４】 前記排ガス導入管の排ガス出口側の端部
の近傍に粉体払い落とし手段が設けられている請求項１
〜３のいずれか１項に記載の排ガス処理装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26750095A JP3486022B2 (ja) | 1995-10-16 | 1995-10-16 | 排ガス処理装置 |
| US08/730,580 US5891404A (en) | 1995-10-16 | 1996-10-15 | Exhaust gas treatment unit |
| DE69615303T DE69615303T2 (de) | 1995-10-16 | 1996-10-16 | Vorrichtung und Verfahren zur Abgasreinigung |
| EP96402217A EP0768109B1 (en) | 1995-10-16 | 1996-10-16 | Exhaust gas treatment unit and process |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26750095A JP3486022B2 (ja) | 1995-10-16 | 1995-10-16 | 排ガス処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09108532A true JPH09108532A (ja) | 1997-04-28 |
| JP3486022B2 JP3486022B2 (ja) | 2004-01-13 |
Family
ID=17445721
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26750095A Expired - Fee Related JP3486022B2 (ja) | 1995-10-16 | 1995-10-16 | 排ガス処理装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5891404A (ja) |
| EP (1) | EP0768109B1 (ja) |
| JP (1) | JP3486022B2 (ja) |
| DE (1) | DE69615303T2 (ja) |
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