JPH08323138A - 半導体製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 プロセス処理後の排気ガスに含まれる異物の
除去効果の向上を図る半導体製造装置を提供する。 【構成】 モノシランガスなどの処理ガスを用いて半導
体ウェハ上に単結晶層を成長させるエピタキシャル成長
装置と、エピタキシャル成長装置に接続されかつ排気ガ
ス５の排気通路である第１ダクト６または第２ダクト８
に排気ガス５を濾過する前処理塔７が設置された排気部
３と、排気部３に接続されかつ前処理塔７を通過した排
気ガス５を洗浄する排気洗浄装置とからなり、排気ガス
５を排気する際、前処理塔７によって排気ガス５を濾過
した後に前記排気洗浄装置で洗浄して排気を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェハのプロセ
ス処理部からの排気ガスを洗浄する半導体製造技術に関
し、特に排気ガスの排気部に前処理塔を設置することに
より洗浄効果を向上する半導体製造装置に関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】以下に説明する技術は、本発明を研究、
完成するに際し、本発明者によって検討されたものであ
り、その概要は次のとおりである。

【０００３】半導体製造工程においては、排気ガス中に
多くの粉塵を含むものがあるため、排気ガスを洗浄する
排気洗浄部、すなわち排気洗浄装置（排ガス処理装置と
も呼ぶ）内にミストキャッチャーなどを設けることがあ
る。

【０００４】また、エピタキシャル反応工程用の排気洗
浄装置では、薬剤との化学反応によって粉塵などの異物
を除去する充填塔方式が使用されている場合が多い。

【０００５】なお、半導体製造装置における種々の排気
ガス処理技術については、株式会社プレスジャーナル発
行「月刊Semiconductor World 」１９９１年１月号、１
９９０年１２月２０日発行、１３３〜１３７頁に記載さ
れている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところが、前記した技
術における半導体製造装置では、排気洗浄装置内に設け
られた吸入ファンが汚れやすく、また、フィルタが目詰
まりしやすい。

【０００７】その結果、粉塵などの異物の除去効果が低
下し、半導体の製造工程に悪影響を及ぼすことが問題と
される。

【０００８】そこで、本発明の目的は、プロセス処理後
の排気ガスに含まれる異物の除去効果の向上を図る半導
体製造装置を提供することにある。

【０００９】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００１１】すなわち、本発明による半導体製造装置
は、シランガスなどの処理ガスを用いて被処理物に処理
を行うプロセス処理部と、前記プロセス処理部に接続さ
れかつプロセス処理後の排気ガスの排気通路に前記排気
ガスを濾過する濾過材が設けられた排気部と、前記排気
部に接続されかつ前記濾過材を通過した排気ガスを洗浄
する排気洗浄部とを有し、前記排気ガスを排気する際、
前記濾過材を通過させた後に前記排気洗浄部で洗浄して
排気を行うものである。

【００１２】また、本発明による半導体製造装置は、シ
ランガスなどの処理ガスを用いて被処理物に処理を行う
プロセス処理部と、前記プロセス処理部に接続されかつ
プロセス処理後の排気ガスの排気通路に前記排気ガスを
濾過する濾過手段が設置された排気部と、前記排気部に
接続されかつ前記濾過手段を通過した排気ガスを洗浄す
る排気洗浄部とを有し、前記濾過手段は、アルカリ溶液
などの洗浄液を噴流するノズルと前記洗浄液が噴流され
た排気ガスを濾過する第１濾過部材と濾過後の洗浄液を
収容しかつ前記洗浄液の液面を露出させた液槽とを有
し、前記排気ガスを排気する際、前記濾過手段によって
前記排気ガスを濾過した後に前記排気洗浄部で洗浄して
排気を行うものである。

【００１３】さらに、本発明による半導体製造装置に設
けられた前記濾過材または前記第１濾過部材は多数の細
い繊維状部材によって形成されている。

【００１４】また、本発明による半導体製造装置に設け
られた前記液槽は、給水ポンプが接続され、前記給水ポ
ンプによって給水された洗浄液が前記ノズルから噴流さ
れる循環槽である。

【００１５】なお、本発明による半導体製造装置は、前
記液槽に接続された排水管および給水管にそれぞれ排水
弁または給水弁が設けられかつ前記液槽内の洗浄液の濃
度を計測するペーハー計が設置され、前記ペーハー計に
よる濃度の情報に基づいて前記排水弁が開閉動作を行
い、前記洗浄液の水量の増減によって前記給水弁が開閉
動作を行うものである。

【００１６】また、本発明による半導体製造装置は、前
記濾過手段に、第１濾過部材の通過前の箇所と通過後の
箇所との圧力差を計測する差圧計が設置されているもの
である。

【００１７】

【作用】上記した手段によれば、プロセス処理後の排気
ガスを排気する際、濾過材もしくは濾過手段を通過させ
た後に排気洗浄部で洗浄して排気することにより、排気
洗浄部での洗浄前に排気ガスを濾過するため、排気ガス
に含まれる粉塵などの異物を予め除去することができ
る。

【００１８】その結果、排気洗浄部内の吸入ファンへの
異物付着を低減することができ、異物の除去効果の向上
を図ることができる。

【００１９】また、第１濾過部材から滴下する洗浄液を
収容する液槽において、洗浄液の液面を露出させること
により、第１濾過部材を通過した排気ガスが前記液面に
接触し、液面に異物を付着させることができる。

【００２０】さらに、濾過材または第１濾過部材が多数
の細い繊維状部材によって形成されていることにより、
排気ガスを含んだ洗浄液が濾過材または第１濾過部材を
通過する際に、洗浄液と濾過材または第１濾過部材との
接触面積を増加させることができる。

【００２１】なお、液槽に給水ポンプが接続され、前記
液槽が給水ポンプによって給水された洗浄液をノズルか
ら噴流させて、再び液槽に収容する循環槽であることに
より、洗浄液を効率良く使用することができる。

【００２２】また、液槽に接続された排水管および給水
管にそれぞれ排水弁または給水弁が設けられかつ液槽内
の洗浄液の濃度を計測するペーハー計が設置され、前記
ペーハー計による濃度の情報に基づいて排水弁が開閉動
作を行い、前記洗浄液の水量の増減によって給水弁が開
閉動作を行うことにより、液槽のブローを自動的に行う
ことができる。

【００２３】さらに、濾過手段に、第１濾過部材の通過
前の箇所と通過後の箇所との圧力差を計測する差圧計が
設置されていることにより、粉塵などによって第１濾過
部材が目詰まりした場合に、排気部の内部の異常を直ち
に検知することができる。

【００２４】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。

【００２５】図１は本発明による半導体製造装置の構造
の一実施例を示す構成概念図、図２は本発明による半導
体製造装置の前処理塔の構造の一実施例を示す部分拡大
構成図、図３は本発明による半導体製造装置の前処理塔
に設置される第１または第２濾過部材の構造の一実施例
を示す断面図である。

【００２６】本実施例による半導体製造装置は、プロセ
ス処理後の排気ガス５を洗浄して排気するものであり、
その具体的な一例として、プロセス処理部が被処理物で
ある半導体ウェハ１上に単結晶層を成長させるエピタキ
シャル成長装置２の場合について説明する。

【００２７】まず、前記半導体製造装置の構成について
説明すると、モノシランガスなどの処理ガス２８を用い
て半導体ウェハ１上に単結晶層を成長させるプロセス処
理部であるエピタキシャル成長装置２と、エピタキシャ
ル成長装置２に接続されかつ排気ガス５の排気通路であ
る第１ダクト６または第２ダクト８に排気ガス５を濾過
する濾過手段である前処理塔７が設置された排気部３
と、排気部３に接続されかつ前処理塔７を通過した排気
ガス５を洗浄する排気洗浄部である排気洗浄装置４とか
らなり、排気ガス５を排気する際、前処理塔７によって
排気ガス５を濾過した後に排気洗浄装置４で洗浄して排
気を行うものである。

【００２８】さらに、排気部３は、エピタキシャル成長
装置２と前処理塔７とを接続する第１ダクト６と、前処
理塔７と、前処理塔７と排気洗浄装置４とを接続する第
２ダクト８とから構成されている。

【００２９】なお、本実施例のエピタキシャル成長装置
２はクリーンルームなどに設置されるものであり、さら
に、排気ガス５に含まれる異物はＳｉＯ₂ などの粉塵が
主である。

【００３０】また、前処理塔７はアルカリ溶液や水道水
または純水などの洗浄液１０を噴流するノズル１１と、
洗浄液１０が噴流された排気ガス５を濾過する第１濾過
部材１２と、第１濾過部材１２から滴下する洗浄液１０
を収容しかつ収容された洗浄液１０の液面１０ａを露出
させた液槽１３とを有している。

【００３１】さらに、ノズル１１は、例えばスプレー式
のものであり、ノズル１１からは霧状の洗浄液１０をシ
ャワーのように噴流させる。

【００３２】また、本実施例による排気洗浄装置４は、
エピタキシャル反応工程用のものであり、薬剤２５との
化学反応によって排気ガス５に含まれる粉塵などの異物
を除去するものである。

【００３３】なお、本実施例による前処理塔７の内部７
ａにおける中央付近の上方（液槽１３を下方とした場合
のその反対方向）には、仕切り板９が設置され、前処理
塔７の内部７ａの前記上方が仕切り板９によって２つに
区切られている。そこに、それぞれノズル１１が設けら
れ、また、それぞれのノズル１１の直下に第１濾過部材
１２と第２濾過部材１４とがそれぞれ設置されている。

【００３４】つまり、前処理塔７のガス導入口７ｂから
導入された排気ガス５は、第１濾過部材１２と第２濾過
部材１４とを通過し、ガス排出口７ｃから排出されて、
第２ダクト８へ向かう。

【００３５】また、前処理塔７の液槽１３には給水ポン
プ１５が接続され、給水ポンプ１５によって給水された
洗浄液１０がノズル１１から再び噴流される。

【００３６】すなわち、本実施例による液槽１３は繰り
返して洗浄液１０を使用する循環槽である。ただし、ノ
ズル１１から噴流させる洗浄液１０は、液槽１３内の洗
浄液１０を給水して使用するのではなく、他のタンクな
どに収容された洗浄液１０を給水してノズル１１から噴
流させるものであってもよい。

【００３７】また、本実施例による液槽１３には、排水
管１６および給水管１７が接続され、排水管１６には排
水弁１６ａが、また、給水管１７には給水弁１７ａがそ
れぞれ設置されている。

【００３８】さらに、液槽１３内の洗浄液１０の水素イ
オン濃度を計測するペーハー計１８が設置され、ペーハ
ー計１８による水素イオン濃度の情報に基づいて排水弁
１６ａが開閉動作を行い、洗浄液１０の水量の増減によ
って給水弁１７ａが開閉動作を行う。

【００３９】なお、液槽１３内の洗浄液１０の水量は、
液槽１３内に球状のフロート１９を浮かべフロート１９
の移動に基づいて給水弁１７ａの開閉を行う。

【００４０】したがって、液槽１３内の洗浄液１０のペ
ーハー値が所定値より大きくなる（液槽１３内の洗浄液
１０が汚れる）と、自動的に排水弁１６ａが開き、所定
量の洗浄液１０を排水するとともに、フロート１９の降
下に連動して給水弁１７ａが開き、液槽１３内に所定量
の洗浄液１０を給水する。

【００４１】さらに、液槽１３内のブローされた洗浄液
１０を給水ポンプ１５によって給水し、ノズル１１から
洗浄液１０を噴流させる。

【００４２】また、本実施例の濾過手段である前処理塔
７の内部７ａには、第１濾過部材１２の通過前の箇所す
なわち濾過前段部２０と、第２濾過部材１４の通過後の
箇所すなわち濾過終了部２１との圧力差を計測する警報
接点付きの差圧計２２が設置されている。

【００４３】なお、前処理塔７の内部７ａに１つのノズ
ル１１と１つの第１濾過部材１２だけが設置されている
場合、第１濾過部材１２の通過後の箇所が濾過終了部２
１に相当する。

【００４４】また、本実施例による第１濾過部材１２お
よび第２濾過部材１４は、図３に示すように、ポリプロ
ピレン系の樹脂などから成る多数の細い繊維状部材２３
を絡ませて形成させたものである。

【００４５】次に、図１、図２および図３を用いて、本
実施例の半導体製造装置による排気ガス５の洗浄方法に
ついて説明する。

【００４６】まず、エピタキシャル成長装置２におい
て、処理が終了したモノシランガスなどの排気ガス５を
排気通路である第１ダクト６を通し、ガス導入口７ｂを
介して濾過手段である前処理塔７に導入する。

【００４７】この時、ガス導入口７ｂから導入された排
気ガス５は、仕切り板９に衝突し、その流速が落ちる。
ここで、スプレー式のノズル１１から霧状の洗浄液１０
を噴流することにより、洗浄液１０と排気ガス５とが混
ざり合って、下方、すなわち液槽１３の方向へ向かう。

【００４８】その後、排気ガス５と洗浄液１０とが一緒
に第１濾過部材１２を通過し、そこで、排気ガス５に含
まれるＳｉＯ₂ などの粉塵を濾過して除去する。

【００４９】ここで、第１濾過部材１２を通過した洗浄
液１０は液槽１３内に滴下する。

【００５０】また、第１濾過部材１２を通過した排気ガ
ス５は下降し、液槽１３内に収容された洗浄液１０の液
面１０ａに接触するため、そこで、排気ガス５に含まれ
る残りのＳｉＯ₂ などの粉塵または異物を除去する。

【００５１】なお、排気洗浄装置４内に設置された吸入
ファン２４によって、排気ガス５がガス排出口７ｃの方
向に案内されるため、液面１０ａに接触した排気ガス５
は、第２濾過部材１４が設置された方向に上昇し、第２
濾過部材１４を通過する。

【００５２】その後、第２濾過部材１４を通過した排気
ガス５は、そこで、再び、ノズル１１から噴流される霧
状の洗浄液１０と混ざり合い、洗浄液１０は第２濾過部
材１４を通過して液槽１３内に滴下する。

【００５３】これにより、前記粉塵などの異物がほぼ除
去された排気ガス５が、ガス排出口７ｃを介して、排気
通路である第２ダクト８を通った後、排気洗浄装置４内
に導入される。

【００５４】なお、排気洗浄装置４内に導入された排気
ガス５に含まれる粉塵などの異物を、排気洗浄装置４内
に設けられた薬剤２５と化学反応させることにより除去
し、その後、洗浄を終えた排気ガス５を外部に排気す
る。

【００５５】次に、本実施例の半導体製造装置によって
得られる作用効果について説明する。

【００５６】すなわち、エピタキシャル成長装置２にお
ける処理後の排気ガス５を排気する際、濾過手段である
前処理塔７を通過させた後に排気洗浄装置４で洗浄して
排気することにより、排気洗浄装置４での洗浄前に排気
ガス５を濾過するため、排気ガス５に含まれるＳｉＯ₂
の粉塵などの異物を予め除去することができる（例え
ば、前処理塔７において、排気ガス５に含まれる異物の
うちの約８０％を除去できる）。

【００５７】その結果、排気洗浄装置４内に設置されか
つ排気ガス５を排気洗浄装置４内に吸入する吸入ファン
２４への異物付着を低減することができ、前記異物の除
去効果の向上を図ることができる。

【００５８】また、吸入ファン２４への異物付着を低減
することができるため、吸入ファン２４のメンテナンス
の回数を低減することができる（例えば、吸入ファン２
４のメンテナンス頻度を１回／６か月から１回／１年に
低減することができる）。

【００５９】これにより、メンテナンス費用を削減する
ことができ、さらに、エピタキシャル成長装置２や排気
洗浄装置４の稼働率を向上させることが可能になる。

【００６０】また、粉塵などの異物の除去効果の向上を
図ることができるため、大気の汚染を防止することがで
きる。

【００６１】さらに、洗浄液１０を収容する液槽１３に
おいて、洗浄液１０の液面１０ａを露出させることによ
り、第１濾過部材１２を通過した排気ガス５が液面１０
ａに接触し、液面１０ａに前記異物を付着させることが
できる。

【００６２】その結果、排気ガス５の洗浄効果の向上を
さらに図ることができる。

【００６３】なお、第１濾過部材１２および第２濾過部
材１４が多数の細い繊維状部材２３によって形成されて
いることにより、排気ガス５を含んだ洗浄液１０が第１
濾過部材１２または第２濾過部材１４を通過する際に、
洗浄液１０と第１濾過部材１２または第２濾過部材１４
との接触面積を増加させることができる。

【００６４】これにより、第１濾過部材１２または第２
濾過部材１４を通過させる際の異物の除去効果をさらに
向上させることができる。

【００６５】また、液槽１３が循環槽であることによ
り、洗浄液１０を効率良く使用することができる。

【００６６】さらに、ペーハー計１８による水素イオン
濃度の情報に基づいて排水弁１６ａが開閉動作を行い、
洗浄液１０の水量の増減によって給水弁１７ａが開閉動
作を行うことにより、液槽１３のブローを自動的に行う
ことができる。

【００６７】したがって、液槽１３内の洗浄液１０の濃
度過上昇を防止できる。

【００６８】また、濾過手段である前処理塔７の内部７
ａに、第１濾過部材１２の通過前の箇所である濾過前段
部２０と、第２濾過部材１４の通過後の箇所である濾過
終了部２１との圧力差を計測する警報接点付きの差圧計
２２が設置されていることにより、粉塵などによって第
１濾過部材１２または第２濾過部材１４が目詰まりした
場合に、前処理塔７内の異常を直ちに検知することがで
き、警報によって異常を伝達することができる。

【００６９】その結果、前処理塔７を含めた排気部３に
おけるトラブルを低減することができ、半導体製造装置
の長寿命化を図ることができる。

【００７０】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。

【００７１】例えば、前記実施例においては、濾過手段
である前処理塔に、２つのノズルと第１および第２濾過
部材が設置されていたが、前処理塔に設置されるノズル
は１つであってもよく、また３つ以上であってもよい。
さらに、ノズルが１つの場合には、第１濾過部材だけが
設置されていてもよく、第１および第２濾過部材の両者
が設置されていてもよい。

【００７２】また、前記実施例においては、濾過手段が
前処理塔の場合であったが、前処理塔ではなく、図４に
示す他の実施例の半導体製造装置のように、排気ガス５
の排気通路である第３ダクト２６にフィルタなどの濾過
材２７が設置されていてもよい。

【００７３】ここで、濾過材２７は、前記実施例で説明
した第１または第２濾過部材と同様のものである。

【００７４】なお、この場合においても前記実施例とほ
ぼ同様の作用効果が得られる。

【００７５】また、前記実施例で説明した第１または第
２濾過部材１２，１４、さらに、図４に示す濾過材２７
は、細い繊維状部材によって形成されるものだけでな
く、濾過機能を有する多孔質部材などであってもよい。

【００７６】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以
下のとおりである。

【００７７】（１）．プロセス処理後の排気ガスを排気
する際、濾過材もしくは濾過手段を通過させた後に排気
洗浄部で洗浄して排気することにより、排気洗浄部での
洗浄前に排気ガスを濾過するため、排気ガスに含まれる
粉塵などの異物を予め除去することができる。その結
果、排気洗浄部内の吸入ファンへの異物付着を低減する
ことができ、異物の除去効果の向上を図ることができ
る。

【００７８】（２）．排気洗浄部内の吸入ファンへの異
物付着を低減することができるため、前記吸入ファンの
メンテナンスの回数を低減することができる。

【００７９】これにより、メンテナンス費用を削減する
ことができ、さらに、プロセス処理部や排気洗浄部の稼
働率を向上させることが可能になる。

【００８０】（３）．粉塵などの異物の除去効果の向上
を図ることができるため、大気の汚染を防止することが
できる。

【００８１】（４）．第１濾過部材から滴下する洗浄液
を収容する液槽において、洗浄液の液面を露出させるこ
とにより、第１濾過部材を通過した排気ガスが前記液面
に接触し、液面に異物を付着させることができる。

【００８２】その結果、排気ガスの洗浄効果の向上をさ
らに図ることができる。

【００８３】（５）．濾過材または第１濾過部材が多数
の細い繊維状部材によって形成されていることにより、
洗浄液と濾過材または第１濾過部材との接触面積を増加
させることができる。これにより、濾過材または第１濾
過部材を通過させる際の異物の除去効果をさらに向上さ
せることができる。

【００８４】（６）．液槽に給水ポンプが接続され、液
槽が給水ポンプによって給水された洗浄液をノズルから
噴流させて、再び液槽に収容する循環槽であることによ
り、洗浄液を効率良く使用することができる。

【００８５】（７）．液槽に接続された排水管および給
水管にそれぞれ排水弁または給水弁が設けられかつ液槽
内の洗浄液の濃度を計測するペーハー計が設置され、前
記ペーハー計による濃度の情報に基づいて排水弁が開閉
動作を行い、前記洗浄液の水量の増減によって給水弁が
開閉動作を行うことにより、液槽のブローを自動的に行
うことができる。これにより、液槽内の洗浄液の濃度過
上昇を防止できる。

【００８６】（８）．前記濾過手段に、第１濾過部材の
通過前の箇所と通過後の箇所との圧力差を計測する差圧
計が設置されていることにより、粉塵などによって第１
濾過部材が目詰まりした場合に、濾過手段の内部の異常
を直ちに検知することができる。その結果、濾過手段を
含めた排気部におけるトラブルを低減することができ、
半導体製造装置の長寿命化を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による半導体製造装置の構造の一実施例
を示す構成概念図である。

【図２】本発明による半導体製造装置の前処理塔の構造
の一実施例を示す部分拡大構成図である。

【図３】本発明による半導体製造装置の前処理塔に設置
される第１または第２濾過部材の構造の一実施例を示す
断面図である。

【図４】本発明の他の実施例である半導体製造装置の構
造の一例を示す構成概念図である。

【符号の説明】

１ 半導体ウェハ（被処理物） ２ エピタキシャル成長装置（プロセス処理部） ３ 排気部 ４ 排気洗浄装置（排気洗浄部） ５ 排気ガス ６ 第１ダクト（排気通路） ７ 前処理塔（濾過手段） ７ａ 内部 ７ｂ ガス導入口 ７ｃ ガス排出口 ８ 第２ダクト（排気通路） ９ 仕切り板 １０ 洗浄液 １０ａ 液面 １１ ノズル １２ 第１濾過部材 １３ 液槽 １４ 第２濾過部材 １５ 給水ポンプ １６ 排水管 １６ａ 排水弁 １７ 給水管 １７ａ 給水弁 １８ ペーハー計 １９ フロート ２０ 濾過前段部 ２１ 濾過終了部 ２２ 差圧計 ２３ 繊維状部材 ２４ 吸入ファン ２５ 薬剤 ２６ 第３ダクト（排気通路） ２７ 濾過材 ２８ 処理ガス

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 プロセス処理後の排気ガスを洗浄して排
   気する半導体製造装置であって、 シランガスなどの処理ガスを用いて被処理物に処理を行
   うプロセス処理部と、 前記プロセス処理部に接続され、かつ前記排気ガスの排
   気通路に前記排気ガスを濾過する濾過材が設けられた排
   気部と、 前記排気部に接続され、かつ前記濾過材を通過した排気
   ガスを洗浄する排気洗浄部とを有し、 前記排気ガスを排気する際、前記濾過材を通過させた後
   に前記排気洗浄部で洗浄して排気を行うことを特徴とす
   る半導体製造装置。
2. 【請求項２】 プロセス処理後の排気ガスを洗浄して排
   気する半導体製造装置であって、 シランガスなどの処理ガスを用いて被処理物に処理を行
   うプロセス処理部と、 前記プロセス処理部に接続され、かつ前記排気ガスの排
   気通路に前記排気ガスを濾過する濾過手段が設置された
   排気部と、 前記排気部に接続され、かつ前記濾過手段を通過した排
   気ガスを洗浄する排気洗浄部とを有し、 前記濾過手段は、アルカリ溶液などの洗浄液を噴流する
   ノズルと前記洗浄液が噴流された排気ガスを濾過する第
   １濾過部材と濾過後の洗浄液を収容しかつ前記洗浄液の
   液面を露出させた液槽とを有し、前記排気ガスを排気す
   る際、前記濾過手段によって前記排気ガスを濾過した後
   に前記排気洗浄部で洗浄して排気を行うことを特徴とす
   る半導体製造装置。
3. 【請求項３】 請求項１または２記載の半導体製造装置
   であって、前記濾過材または前記第１濾過部材は、多数
   の細い繊維状部材によって形成されていることを特徴と
   する半導体製造装置。
4. 【請求項４】 請求項２または３記載の半導体製造装置
   であって、前記液槽は給水ポンプが接続され、前記給水
   ポンプによって給水された洗浄液が前記ノズルから噴流
   される循環槽であることを特徴とする半導体製造装置。
5. 【請求項５】 請求項２，３または４記載の半導体製造
   装置であって、前記液槽に接続された排水管および給水
   管にそれぞれ排水弁または給水弁が設けられ、かつ前記
   液槽内の洗浄液の濃度を計測するペーハー計が設置さ
   れ、前記ペーハー計による濃度の情報に基づいて前記排
   水弁が開閉動作を行い、前記洗浄液の水量の増減によっ
   て前記給水弁が開閉動作を行うことを特徴とする半導体
   製造装置。
6. 【請求項６】 請求項２，３，４または５記載の半導体
   製造装置であって、前記濾過手段には、前記第１濾過部
   材の通過前の箇所と通過後の箇所との圧力差を計測する
   差圧計が設置されていることを特徴とする半導体製造装
   置。