JP2695764B2 - 半導体製造設備の廃ガス処理装置 - Google Patents
半導体製造設備の廃ガス処理装置Info
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造設備の廃
ガス処理装置に関し、特に、多様な半導体素子の製造工
程において生じる廃ガスを撒水処理し、蒸気を含む残留
ガスが排気ダクトに流入する前に蒸気を取り除く手段を
備えた半導体製造設備の廃ガス処理装置に関する。
ガス処理装置に関し、特に、多様な半導体素子の製造工
程において生じる廃ガスを撒水処理し、蒸気を含む残留
ガスが排気ダクトに流入する前に蒸気を取り除く手段を
備えた半導体製造設備の廃ガス処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子の製造工程などを含む多くの
工業的製造工程では製造する目的物をガスで処理してお
り、この製造工程を終えた後は使用後の廃ガスを処理す
る次の処理工程に移る。これは廃ガスは金属物質に対す
る腐食性を帯びるガスを含む場合が多いので、特定の処
理を施す必要があるからである。
工業的製造工程では製造する目的物をガスで処理してお
り、この製造工程を終えた後は使用後の廃ガスを処理す
る次の処理工程に移る。これは廃ガスは金属物質に対す
る腐食性を帯びるガスを含む場合が多いので、特定の処
理を施す必要があるからである。
【０００３】図２は半導体素子製造工程で生じた廃ガス
を処理する経路上で使用される従来の半導体製造設備の
廃ガス処理装置の一例を示す概略図である。従来の廃ガ
ス処理装置は、廃ガスを加工チャンバ（図示せず）から
引き入れる流入管１１と、流入管１１と連通し、流入管
１１から流入する廃ガスに撒水処理を施す撒水装置を備
えた撒水チャンバ１０と、撒水処理後撒水チャンバ１０
の底部に溜る撒水液１４を排出させるために撒水チャン
バの下部に設置されたドレインホール１５と、撒水処理
された廃ガスを排気ダクトに排出するために、その一端
の排出口１６が撒水チャンバ１０内に位置し、他端が排
気ダクト１９に連結されている排出管１７と、排気ダク
ト１９とを備える。
を処理する経路上で使用される従来の半導体製造設備の
廃ガス処理装置の一例を示す概略図である。従来の廃ガ
ス処理装置は、廃ガスを加工チャンバ（図示せず）から
引き入れる流入管１１と、流入管１１と連通し、流入管
１１から流入する廃ガスに撒水処理を施す撒水装置を備
えた撒水チャンバ１０と、撒水処理後撒水チャンバ１０
の底部に溜る撒水液１４を排出させるために撒水チャン
バの下部に設置されたドレインホール１５と、撒水処理
された廃ガスを排気ダクトに排出するために、その一端
の排出口１６が撒水チャンバ１０内に位置し、他端が排
気ダクト１９に連結されている排出管１７と、排気ダク
ト１９とを備える。
【０００４】かかる構成の廃ガス処理装置による廃ガス
処理過程は次の通りである。すなわち、加工チャンバ内
で所定の反応を経た後、廃ガスは流入管１１を通じて撒
水チャンバ１０に引き込まれる。ここで、廃ガスに含ま
れ処理を要する、すなわち処理の対象となるガスの水に
対する溶解度が大きい場合は、対象ガスを取り除きまた
は希釈させるために、あるいは廃ガスの全体の温度を下
げるために、撒水チャンバ１０において流入した廃ガス
に撒水処理を施す。撒水チャンバ１０の底部に溜る撒水
液１４はドレインホール１５を通じて排出される。撒水
処理を通じて希釈されまた冷却された廃ガスはこの過程
で含まれる蒸気と共に撒水チャンバ１０内に位置する排
出口１６を通じて排出管１７に流入し、排出管１７に連
結された排気ダクト１９に流れ込む。
処理過程は次の通りである。すなわち、加工チャンバ内
で所定の反応を経た後、廃ガスは流入管１１を通じて撒
水チャンバ１０に引き込まれる。ここで、廃ガスに含ま
れ処理を要する、すなわち処理の対象となるガスの水に
対する溶解度が大きい場合は、対象ガスを取り除きまた
は希釈させるために、あるいは廃ガスの全体の温度を下
げるために、撒水チャンバ１０において流入した廃ガス
に撒水処理を施す。撒水チャンバ１０の底部に溜る撒水
液１４はドレインホール１５を通じて排出される。撒水
処理を通じて希釈されまた冷却された廃ガスはこの過程
で含まれる蒸気と共に撒水チャンバ１０内に位置する排
出口１６を通じて排出管１７に流入し、排出管１７に連
結された排気ダクト１９に流れ込む。
【０００５】この場合、排気ダクト１９に排出される廃
ガスに含まれた蒸気は排気ダクト１９を経ながら排気ダ
クトの壁に凝縮し、排気ダクト内の比較的低い部位に集
まって水溜りを生じさせる。また、この廃ガスに含まれ
た蒸気は、共に排気ダクトに流入したり、他の場所から
流入し排気ダクト内で混合される腐食性ガスと共に排気
ダクトの腐食を促進させる。この現象は結局排気ダクト
を劣化させてその取り替えを必要とし、場合によっては
劣化した排気ダクトから漏れ出た腐食性ガスは工場内の
他の装備を劣化させるおそれもあった。
ガスに含まれた蒸気は排気ダクト１９を経ながら排気ダ
クトの壁に凝縮し、排気ダクト内の比較的低い部位に集
まって水溜りを生じさせる。また、この廃ガスに含まれ
た蒸気は、共に排気ダクトに流入したり、他の場所から
流入し排気ダクト内で混合される腐食性ガスと共に排気
ダクトの腐食を促進させる。この現象は結局排気ダクト
を劣化させてその取り替えを必要とし、場合によっては
劣化した排気ダクトから漏れ出た腐食性ガスは工場内の
他の装備を劣化させるおそれもあった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このような問題点を解
決するために、従来は、廃ガス中の蒸気が排気ダクトに
流入しないように、排気ダクトに流入する前に通る排出
管の一部にデミスタ（ｄｅｍｉｓｔｅｒ）を設置してい
た。デミスタは、一般にガスに含有された水分を取り除
くための装置であって、細かい網目を多重に重ねたもの
である。しかし、デミスタは排出管を流れるガスの流速
を下げるが、蒸気の排気ダクト内への流入を十分防ぐこ
とはできなかった。したがって、蒸気が排気ダクト中で
凝縮し、排気ダクトを腐食、劣化させるという問題は依
然残されていた。
決するために、従来は、廃ガス中の蒸気が排気ダクトに
流入しないように、排気ダクトに流入する前に通る排出
管の一部にデミスタ（ｄｅｍｉｓｔｅｒ）を設置してい
た。デミスタは、一般にガスに含有された水分を取り除
くための装置であって、細かい網目を多重に重ねたもの
である。しかし、デミスタは排出管を流れるガスの流速
を下げるが、蒸気の排気ダクト内への流入を十分防ぐこ
とはできなかった。したがって、蒸気が排気ダクト中で
凝縮し、排気ダクトを腐食、劣化させるという問題は依
然残されていた。
【０００７】そこで、本発明は前述した従来の問題点を
解決するためになされたものであって、その目的は排気
ダクトに排出される蒸気を効率的に除去する手段を備え
た半導体製造設備の廃ガス処理装置を提供することにあ
る。
解決するためになされたものであって、その目的は排気
ダクトに排出される蒸気を効率的に除去する手段を備え
た半導体製造設備の廃ガス処理装置を提供することにあ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の装置は、加工チャンバから流入した廃ガス
に撒水処理を施す撒水チャンバと、撒水処理した後、撒
水チャンバ内の廃ガスを排気ダクトに排出させるために
撒水チャンバと排気ダクトを連通させる排出管とを備え
る半導体製造設備の廃ガス処理装置であって、排出管に
はデミスタとこのデミスタの設置位置近傍で排出管内部
に外部からのガスを導入させる外部ガス導入手段とが設
けられたことを特徴とする。
に、本発明の装置は、加工チャンバから流入した廃ガス
に撒水処理を施す撒水チャンバと、撒水処理した後、撒
水チャンバ内の廃ガスを排気ダクトに排出させるために
撒水チャンバと排気ダクトを連通させる排出管とを備え
る半導体製造設備の廃ガス処理装置であって、排出管に
はデミスタとこのデミスタの設置位置近傍で排出管内部
に外部からのガスを導入させる外部ガス導入手段とが設
けられたことを特徴とする。
【０００９】本発明において、デミスタは撒水処理され
た廃ガスが通過する経路の下流に位置する排気ダクトと
の連結位置近傍に配置するのが好ましく、これにより蒸
気が凝縮する機会が増加する。また、外部ガス導入手段
のガス導入口は、実験上デミスタの設置位置近傍の上流
側に、または、上流側及び下流側の両方に形成するのが
好ましい。
た廃ガスが通過する経路の下流に位置する排気ダクトと
の連結位置近傍に配置するのが好ましく、これにより蒸
気が凝縮する機会が増加する。また、外部ガス導入手段
のガス導入口は、実験上デミスタの設置位置近傍の上流
側に、または、上流側及び下流側の両方に形成するのが
好ましい。
【００１０】外部から導入されるガスとしては、空気や
窒素などのように不用な化学的反応などを起こさない活
性の低いガスを用いるのが好ましい。さらに、廃ガスと
混合させながら廃ガス内の蒸気をより効率的に取り除く
ために、外部から導入されるガスは排気管を通過する廃
ガスの温度よりも低くするとよい。
窒素などのように不用な化学的反応などを起こさない活
性の低いガスを用いるのが好ましい。さらに、廃ガスと
混合させながら廃ガス内の蒸気をより効率的に取り除く
ために、外部から導入されるガスは排気管を通過する廃
ガスの温度よりも低くするとよい。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、添付した図面を参照しなが
ら本発明の実施形態について説明する。
ら本発明の実施形態について説明する。
【００１２】図１は本発明の半導体製造設備の廃ガス処
理装置の好適な一実施形態を示す概略図である。図１に
おいて、加工チャンバ（図示せず）から流入する廃ガス
は流入管１１を通じて撒水チャンバ１０に入り込む。廃
ガスに含まれ処理を要する、すなわち、処理の対象とな
るガスの水に対する溶解度が大きい場合は、対象ガスを
取り除きまたは希釈させるために、あるいは廃ガスの全
体の温度を下げるために、撒水チャンバ１０に流入した
廃ガスに撒水処理を施す。撒水チャンバ１０の底部に溜
る撒水液１４はドレインホール１５を通じて設備の外に
排出される。
理装置の好適な一実施形態を示す概略図である。図１に
おいて、加工チャンバ（図示せず）から流入する廃ガス
は流入管１１を通じて撒水チャンバ１０に入り込む。廃
ガスに含まれ処理を要する、すなわち、処理の対象とな
るガスの水に対する溶解度が大きい場合は、対象ガスを
取り除きまたは希釈させるために、あるいは廃ガスの全
体の温度を下げるために、撒水チャンバ１０に流入した
廃ガスに撒水処理を施す。撒水チャンバ１０の底部に溜
る撒水液１４はドレインホール１５を通じて設備の外に
排出される。
【００１３】撒水処理を通じて希釈されまた冷却された
廃ガスは、この過程で含まれた蒸気と共に撒水チャンバ
１０内に位置する排出口１６を通じて排出管１７に流入
する。排出管１７を通る廃ガスは過飽和蒸気を有する場
合が多く、廃ガスに含まれた蒸気は排出管１７の垂直方
向に形成された部分を通りながら微細な水滴に凝縮され
る。
廃ガスは、この過程で含まれた蒸気と共に撒水チャンバ
１０内に位置する排出口１６を通じて排出管１７に流入
する。排出管１７を通る廃ガスは過飽和蒸気を有する場
合が多く、廃ガスに含まれた蒸気は排出管１７の垂直方
向に形成された部分を通りながら微細な水滴に凝縮され
る。
【００１４】多量の蒸気と凝縮した微細な水滴を含む廃
ガスは、デミスタ２１と外部ガス導入手段２２が設置さ
れた部分を通過する。この際、デミスタ２１と外部から
導入されたガスにより、この部分での排出管１７内の圧
力が高くなって、廃ガスの流速が低下し、これにより微
細な水滴は速度が落ちるとともにその重量は重いので、
排出管１７内で下降したり、デミスタ２１の前方部に累
積され、互いに衝突し合ってさらに大きくなり、また、
排出管１７の壁に付着する。排出管の内壁に付着した水
滴は集まって垂直方向に形成された排出管の内壁に沿っ
てゆっくり流下し、最終的に排出口１６に達して、ドレ
インホール１５から排出される撒水液１４と一緒にな
る。
ガスは、デミスタ２１と外部ガス導入手段２２が設置さ
れた部分を通過する。この際、デミスタ２１と外部から
導入されたガスにより、この部分での排出管１７内の圧
力が高くなって、廃ガスの流速が低下し、これにより微
細な水滴は速度が落ちるとともにその重量は重いので、
排出管１７内で下降したり、デミスタ２１の前方部に累
積され、互いに衝突し合ってさらに大きくなり、また、
排出管１７の壁に付着する。排出管の内壁に付着した水
滴は集まって垂直方向に形成された排出管の内壁に沿っ
てゆっくり流下し、最終的に排出口１６に達して、ドレ
インホール１５から排出される撒水液１４と一緒にな
る。
【００１５】このように蒸気が取り除かれた残りの廃ガ
スは外部から導入されたガスと共にデミスタ２１を通じ
て排出管１７に連結された排気ダクト１９に流れ込み、
その後、大気中に排気されたり他の処理装置に送られ
る。
スは外部から導入されたガスと共にデミスタ２１を通じ
て排出管１７に連結された排気ダクト１９に流れ込み、
その後、大気中に排気されたり他の処理装置に送られ
る。
【００１６】デミスタ２１は、撒水処理された廃ガスが
通る経路の後端側の排気ダクト１９と連結される付近、
すなわち、垂直方向に形成された排出管１７の上部部分
に配置され、従って、蒸気が凝縮する機会が増加する。
また、外部ガス導入手段２２のガス導入口は、デミスタ
２１の設置位置近傍の上流側及び下流側にそれぞれ形成
し、あるいは、デミスタ２１の設置位置近傍の上流側に
形成するのが好ましい。
通る経路の後端側の排気ダクト１９と連結される付近、
すなわち、垂直方向に形成された排出管１７の上部部分
に配置され、従って、蒸気が凝縮する機会が増加する。
また、外部ガス導入手段２２のガス導入口は、デミスタ
２１の設置位置近傍の上流側及び下流側にそれぞれ形成
し、あるいは、デミスタ２１の設置位置近傍の上流側に
形成するのが好ましい。
【００１７】外部から導入するガスとしては、空気や窒
素などのような不用の化学的反応を生じさせない活性の
低いガスを用いることが好ましい。また、廃ガスと混合
させながら廃ガス中の蒸気をより効率的に取り除くため
に、外部から導入されるガスの温度は少なくとも排出管
１７を通過する廃ガスの温度より低くするのが好まし
い。この目的のために、外部ガス導入手段２２に冷却ラ
インを付設してもよい。
素などのような不用の化学的反応を生じさせない活性の
低いガスを用いることが好ましい。また、廃ガスと混合
させながら廃ガス中の蒸気をより効率的に取り除くため
に、外部から導入されるガスの温度は少なくとも排出管
１７を通過する廃ガスの温度より低くするのが好まし
い。この目的のために、外部ガス導入手段２２に冷却ラ
インを付設してもよい。
【００１８】なお、本発明は上述の実施態様に限定され
ず、同一の技術的思想のもとで多様な変形が可能であ
る。
ず、同一の技術的思想のもとで多様な変形が可能であ
る。
【００１９】
【発明の効果】以上のように構成された本発明によれ
ば、撒水処理工程を経て排気ダクトに流入する廃ガス中
に含まれる蒸気の量は減少するので、排気ダクト内で蒸
気が凝縮して水が溜る現象や凝縮した蒸気に溶解した腐
食性ガスによって排気ダクトが腐食する現象を防止する
ことができる。さらに、腐食性ガスが排気ダクトから漏
れ出て他の装備を劣化させる問題を防止することができ
る。
ば、撒水処理工程を経て排気ダクトに流入する廃ガス中
に含まれる蒸気の量は減少するので、排気ダクト内で蒸
気が凝縮して水が溜る現象や凝縮した蒸気に溶解した腐
食性ガスによって排気ダクトが腐食する現象を防止する
ことができる。さらに、腐食性ガスが排気ダクトから漏
れ出て他の装備を劣化させる問題を防止することができ
る。
【図１】本発明による半導体製造設備の廃ガス処理装置
の一実施形態を示す概略図である。
の一実施形態を示す概略図である。
【図２】従来の半導体製造設備の廃ガス処理装置を示す
概略図である。
概略図である。
１０ 撒水チャンバ １１ 流入管 １４ 撒水液 １５ ドレインホール １６ 排出口 １７ 排出管 １９ 排気ダクト ２１ デミスタ ２２ 外部ガス導入手段
フロントページの続き (72)発明者 金 龍 浩 大韓民国京畿道水原市八達区牛満洞472 −11番地 (56)参考文献 特開 平７−8738（ＪＰ，Ａ)
Claims (5)
- 【請求項１】 加工チャンバから流入した廃ガスに撒水
処理を施す撒水チャンバと、撒水処理した後前記撒水チ
ャンバ内の廃ガスを排気ダクトに排出させるために前記
撒水チャンバと前記排気ダクトを連通させる排出管とを
備える半導体製造設備の廃ガス処理装置において、前記
排出管にはデミスタと前記デミスタの設置位置近傍で前
記排出管内部に外部からのガスを導入させる外部ガス導
入手段とが設けられたことを特徴とする半導体製造設備
の廃ガス処理装置。 - 【請求項２】 前記排出管に設けられた前記外部ガス導
入手段は前記デミスタの上流側でまたは上流側及び下流
側で外部からのガスを導入することを特徴とする請求項
１に記載の半導体製造設備の廃ガス処理装置。 - 【請求項３】 前記外部からのガスは窒素であることを
特徴とする請求項１に記載の半導体製造設備の廃ガス処
理装置。 - 【請求項４】 前記外部からのガスは空気であることを
特徴とする請求項１に記載の半導体製造設備の廃ガス処
理装置。 - 【請求項５】 前記外部ガス導入手段は前記外部からの
ガスが導入される部分での廃ガスの温度より低い温度を
有するガスを導入することを特徴とする請求項１に記載
の半導体製造設備の廃ガス処理装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950034994A KR0160391B1 (ko) | 1995-10-11 | 1995-10-11 | 반도체 제조설비의 폐가스 처리장치 |
| KR1995-34994 | 1995-10-11 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09103639A JPH09103639A (ja) | 1997-04-22 |
| JP2695764B2 true JP2695764B2 (ja) | 1998-01-14 |
Family
ID=19429899
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8019070A Expired - Fee Related JP2695764B2 (ja) | 1995-10-11 | 1996-02-05 | 半導体製造設備の廃ガス処理装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5743939A (ja) |
| JP (1) | JP2695764B2 (ja) |
| KR (1) | KR0160391B1 (ja) |
| TW (1) | TW336770U (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100242956B1 (ko) * | 1997-06-03 | 2000-02-01 | 윤종용 | 가스 배기 시스템의 잔류물 제거 및 차단장치 |
| US5972078A (en) * | 1997-07-31 | 1999-10-26 | Fsi International, Inc. | Exhaust rinse manifold for use with a coating apparatus |
| KR100708369B1 (ko) * | 2006-03-07 | 2007-04-19 | 안재혁 | 폐가스 배기 제어시스템 |
| DE102006052586B4 (de) * | 2006-11-08 | 2008-07-03 | Schott Solar Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Reinigung der Abgase einer Siliziumdünnschicht-Produktionsanlage |
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