JP2003329233A - 排ガス処理装置 - Google Patents
排ガス処理装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体製造プロセスから排出される三沸化窒
素を含む排ガスを燃焼したときに発生するＮＯＸの発生
量を低減すること、及びそれに加えてモノシランを含む
排ガスを燃焼したときに発生するシリカ粉が搬送配管内
に付着することを回避する。 【解決手段】 半導体製造プロセスから排出される排ガ
スを燃焼処理する燃焼炉１０と、該燃焼炉１０の燃焼排
ガスに水を噴霧して冷却する冷却塔１２と、該冷却塔１
２から排出される燃焼排ガスに吸収液を噴霧してガス中
の有害物を吸収する吸収塔１４とを備えてなる排ガス処
理装置において、前記燃焼炉２０に導入される前記排ガ
スに水素を添加し、また前記冷却塔１２の底部と前記吸
収塔１４の底部をタンク１６を介して連通させ、該タン
ク１６内の液面位置を設定レベルに制御する液面制御手
段２６を設けて構成する。
素を含む排ガスを燃焼したときに発生するＮＯＸの発生
量を低減すること、及びそれに加えてモノシランを含む
排ガスを燃焼したときに発生するシリカ粉が搬送配管内
に付着することを回避する。 【解決手段】 半導体製造プロセスから排出される排ガ
スを燃焼処理する燃焼炉１０と、該燃焼炉１０の燃焼排
ガスに水を噴霧して冷却する冷却塔１２と、該冷却塔１
２から排出される燃焼排ガスに吸収液を噴霧してガス中
の有害物を吸収する吸収塔１４とを備えてなる排ガス処
理装置において、前記燃焼炉２０に導入される前記排ガ
スに水素を添加し、また前記冷却塔１２の底部と前記吸
収塔１４の底部をタンク１６を介して連通させ、該タン
ク１６内の液面位置を設定レベルに制御する液面制御手
段２６を設けて構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、排ガス処理装置に
関し、具体的には半導体製造プロセスから排出される排
ガスを処理するものに関する。
関し、具体的には半導体製造プロセスから排出される排
ガスを処理するものに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造プロセスから排出される排ガ
スには、有害成分たとえばフロンやモノシランが含まれ
る場合がある。フロンは、その地球温暖化係数が二酸化
炭素の１０００倍から１００００倍といわれており、地
球環境に悪影響を及ぼす可能性がある。また、モノシラ
ンは、毒性が強く、さらに空気に触れると、発火する性
質を有する。したがって、通常、排ガス中のフロンやモ
ノシランを分解処理して無害化した後、大気に放出する
ようにしている。
スには、有害成分たとえばフロンやモノシランが含まれ
る場合がある。フロンは、その地球温暖化係数が二酸化
炭素の１０００倍から１００００倍といわれており、地
球環境に悪影響を及ぼす可能性がある。また、モノシラ
ンは、毒性が強く、さらに空気に触れると、発火する性
質を有する。したがって、通常、排ガス中のフロンやモ
ノシランを分解処理して無害化した後、大気に放出する
ようにしている。
【０００３】従来、排ガス中のフロンやモノシランを分
解処理する装置として、溶液を用いて処理する湿式装置
や、触媒で燃焼させて処理する触媒式装置や、たとえば
９００℃〜２０００℃の燃焼炉内で分解させて処理する
燃焼式処理装置が知られている。
解処理する装置として、溶液を用いて処理する湿式装置
や、触媒で燃焼させて処理する触媒式装置や、たとえば
９００℃〜２０００℃の燃焼炉内で分解させて処理する
燃焼式処理装置が知られている。
【０００４】燃焼式の排ガス処理装置は、比較的コンパ
クトでランニングコストを抑えることができるため、広
く利用されている。すなわち、半導体製造プロセスから
排出されるフロンやモノシランなどの有害成分を含む排
ガスを燃焼炉で燃焼処理し、燃焼炉に連通した冷却器で
燃焼排ガスを噴霧水によって冷却し、冷却器に配管を介
して連通した吸収器で燃焼排ガス中の有害成分を吸収液
によって吸収し有害成分を除去して無害化するようにし
ている。
クトでランニングコストを抑えることができるため、広
く利用されている。すなわち、半導体製造プロセスから
排出されるフロンやモノシランなどの有害成分を含む排
ガスを燃焼炉で燃焼処理し、燃焼炉に連通した冷却器で
燃焼排ガスを噴霧水によって冷却し、冷却器に配管を介
して連通した吸収器で燃焼排ガス中の有害成分を吸収液
によって吸収し有害成分を除去して無害化するようにし
ている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体
プロセスの排ガスであるフロンガスのうち三沸化窒素Ｎ
Ｆ３を燃焼炉で燃焼すると、ＮＦ３の窒素Ｎと酸素Ｏと
が反応し、ＮＯＸが生成されるという問題がある。
プロセスの排ガスであるフロンガスのうち三沸化窒素Ｎ
Ｆ３を燃焼炉で燃焼すると、ＮＦ３の窒素Ｎと酸素Ｏと
が反応し、ＮＯＸが生成されるという問題がある。
【０００６】また、排ガスに含まれているモノシランを
燃焼炉で燃焼分解すると、分解されてシラン粉末が生成
される。シラン粉末は、燃焼炉、冷却部、吸収塔へと順
次配管を介して燃焼ガスとともに搬送される。その搬送
過程の主として配管の水平部等に、シリカ粉が付着堆積
し、配管が閉塞するという問題がある。
燃焼炉で燃焼分解すると、分解されてシラン粉末が生成
される。シラン粉末は、燃焼炉、冷却部、吸収塔へと順
次配管を介して燃焼ガスとともに搬送される。その搬送
過程の主として配管の水平部等に、シリカ粉が付着堆積
し、配管が閉塞するという問題がある。
【０００７】本発明の課題は、半導体製造プロセスから
排出される三沸化窒素を含む排ガスを燃焼したときに発
生するＮＯＸの発生量を低減することにある。
排出される三沸化窒素を含む排ガスを燃焼したときに発
生するＮＯＸの発生量を低減することにある。
【０００８】また、本発明の他の課題は、上記課題に加
えて、モノシランを含む排ガスを燃焼したときに発生す
るシリカ粉が搬送配管内に付着することを回避すること
にある。
えて、モノシランを含む排ガスを燃焼したときに発生す
るシリカ粉が搬送配管内に付着することを回避すること
にある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の排ガス処理装置は、半導体製造プロセスか
ら排出される少なくとも三沸化窒素を含む排ガスを燃焼
処理する燃焼炉を備えてなる排ガス処理装置において、
前記燃焼炉に導入される前記排ガスに水素を添加するこ
とを特徴とする。
め、本発明の排ガス処理装置は、半導体製造プロセスか
ら排出される少なくとも三沸化窒素を含む排ガスを燃焼
処理する燃焼炉を備えてなる排ガス処理装置において、
前記燃焼炉に導入される前記排ガスに水素を添加するこ
とを特徴とする。
【００１０】このように、半導体製造プロセスから排出
される三沸化窒素を含む排ガスに水素を添加すれば、そ
の添加した排ガスを燃焼炉で燃焼すると、排ガス中の三
沸化窒素ＮＦ３と水素Ｈ２が燃焼により反応して、窒素
Ｎ２と沸化水素ＨＦが生成される。すなわち、燃焼炉に
おいて、三沸化窒素ＮＦ３のＮは、添加した水素によっ
て、酸化窒素ＮＯＸとはならずに、窒素Ｎ２となるの
で、ＮＯＸの発生量を低減することができる。
される三沸化窒素を含む排ガスに水素を添加すれば、そ
の添加した排ガスを燃焼炉で燃焼すると、排ガス中の三
沸化窒素ＮＦ３と水素Ｈ２が燃焼により反応して、窒素
Ｎ２と沸化水素ＨＦが生成される。すなわち、燃焼炉に
おいて、三沸化窒素ＮＦ３のＮは、添加した水素によっ
て、酸化窒素ＮＯＸとはならずに、窒素Ｎ２となるの
で、ＮＯＸの発生量を低減することができる。
【００１１】一方、他の課題を解決する本発明の排ガス
処理装置は、半導体製造プロセスから排出される排ガス
を燃焼処理する燃焼炉と、該燃焼炉の燃焼排ガスに水を
噴霧して冷却する冷却塔と、該冷却塔から排出される燃
焼排ガスに吸収液を噴霧してガス中の有害物を吸収する
吸収塔とを備え、前記冷却塔の底部と前記吸収塔の底部
をタンクを介して連通させ、該タンク内の液面位置を設
定レベルに制御する液面制御手段を設けて構成した。
処理装置は、半導体製造プロセスから排出される排ガス
を燃焼処理する燃焼炉と、該燃焼炉の燃焼排ガスに水を
噴霧して冷却する冷却塔と、該冷却塔から排出される燃
焼排ガスに吸収液を噴霧してガス中の有害物を吸収する
吸収塔とを備え、前記冷却塔の底部と前記吸収塔の底部
をタンクを介して連通させ、該タンク内の液面位置を設
定レベルに制御する液面制御手段を設けて構成した。
【００１２】このように構成すれば、冷却塔の底部から
排出される燃焼排ガスは、タンク内の液面上に形成され
る空間を水平方向に通過して、吸収塔の底部へ流入する
ことになる。このとき、タンク内の空間を通過する燃焼
排ガスの流れから燃焼排ガス中のシリカ粉は分離してタ
ンク内の液面に落下する。すなわち、燃焼ガス搬送用の
配管を省略することで、配管内にシリカ粉が付着堆積し
て配管が閉塞するという問題を回避できる。
排出される燃焼排ガスは、タンク内の液面上に形成され
る空間を水平方向に通過して、吸収塔の底部へ流入する
ことになる。このとき、タンク内の空間を通過する燃焼
排ガスの流れから燃焼排ガス中のシリカ粉は分離してタ
ンク内の液面に落下する。すなわち、燃焼ガス搬送用の
配管を省略することで、配管内にシリカ粉が付着堆積し
て配管が閉塞するという問題を回避できる。
【００１３】この場合において、燃焼炉に導入される排
ガスに水素を添加することが好ましい。また、前記燃焼
炉と前記冷却塔とを一体化して形成するのが好ましい。
さらに、吸収塔に充填層を設ければ、上昇する気体と噴
霧水との気液接触を促進することができる。
ガスに水素を添加することが好ましい。また、前記燃焼
炉と前記冷却塔とを一体化して形成するのが好ましい。
さらに、吸収塔に充填層を設ければ、上昇する気体と噴
霧水との気液接触を促進することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面に基づ
いて説明する。図１は、本発明を適用した燃焼式の排ガ
ス処理装置の一実施形態を示す系統図である。図に示す
とおり、半導体製造プロセスから排出される排ガスを燃
焼処理する燃焼炉１０と、燃焼炉１０の燃焼排ガスに水
を噴霧して冷却する冷却塔１２と、冷却塔１２から排出
される燃焼排ガスに吸収液を噴霧してガス中の有害物を
吸収する吸収塔１４とを有している。また、冷却塔１２
の底部と吸収塔１４の底部に連通させてタンク１６が設
けられている。
いて説明する。図１は、本発明を適用した燃焼式の排ガ
ス処理装置の一実施形態を示す系統図である。図に示す
とおり、半導体製造プロセスから排出される排ガスを燃
焼処理する燃焼炉１０と、燃焼炉１０の燃焼排ガスに水
を噴霧して冷却する冷却塔１２と、冷却塔１２から排出
される燃焼排ガスに吸収液を噴霧してガス中の有害物を
吸収する吸収塔１４とを有している。また、冷却塔１２
の底部と吸収塔１４の底部に連通させてタンク１６が設
けられている。
【００１５】燃焼炉１０は筒状に形成されて設けられ、
上部にバーナ１８が取り付けられている。バーナ１８の
周囲に排ガスノズル２０ａ〜２０ｄが配設されている。
排ガスノズル２０ａ〜２０ｄに水素ノズル２１が接続さ
れている。また、燃焼炉１０の下部に一体化して冷却塔
１２が形成されている。冷却塔１２部分の上部に噴霧ノ
ズル２２が取り付けられている。冷却塔１２の底部に連
通されたタンク１６は、下方に絞られたほぼ逆円錐台状
に形成されており、側壁にレベル計２４が取り付けら
れ、底部下端に排水管２５を介して排水ポンプ２８が設
けられている。そして、レベル計２４に制御装置２６が
接続され、制御装置２６は排水ポンプ２８を制御するよ
うになっている。また、吸収塔１４には、中空に充填層
３０が設けられ、充填層３０の上方に噴霧ノズル３２が
取り付けられている。さらに、吸収塔１４の上部に排気
管３４が取り付けられており、排気管３４を介してバグ
フィルタ方式の集塵装置３６が接続されている。集塵装
置３６には、誘引装置である誘引ファン（ＩＤＦ）３８
が接続されている。
上部にバーナ１８が取り付けられている。バーナ１８の
周囲に排ガスノズル２０ａ〜２０ｄが配設されている。
排ガスノズル２０ａ〜２０ｄに水素ノズル２１が接続さ
れている。また、燃焼炉１０の下部に一体化して冷却塔
１２が形成されている。冷却塔１２部分の上部に噴霧ノ
ズル２２が取り付けられている。冷却塔１２の底部に連
通されたタンク１６は、下方に絞られたほぼ逆円錐台状
に形成されており、側壁にレベル計２４が取り付けら
れ、底部下端に排水管２５を介して排水ポンプ２８が設
けられている。そして、レベル計２４に制御装置２６が
接続され、制御装置２６は排水ポンプ２８を制御するよ
うになっている。また、吸収塔１４には、中空に充填層
３０が設けられ、充填層３０の上方に噴霧ノズル３２が
取り付けられている。さらに、吸収塔１４の上部に排気
管３４が取り付けられており、排気管３４を介してバグ
フィルタ方式の集塵装置３６が接続されている。集塵装
置３６には、誘引装置である誘引ファン（ＩＤＦ）３８
が接続されている。
【００１６】このように構成される半導体排ガス処理装
置の動作について説明する。まず、三沸化窒素ＮＦ３と
モノシランを含む排ガスは、排ガスノズル２０ａ〜２０
ｄから燃焼炉１０に導入されて、燃焼される。燃焼によ
り排ガス中のＮＦ３は沸化水素ＨＦに分解され、またモ
ノシランは微粉状のシリカに分解される。生成されたＨ
Ｆとシリカ粉が共存する燃焼排ガスは、冷却塔１４に導
かれて、噴霧ノズル２２から噴霧されるスプレ水によっ
て冷却される。これにより、燃焼排ガス中のＨＦの一部
が除去される。
置の動作について説明する。まず、三沸化窒素ＮＦ３と
モノシランを含む排ガスは、排ガスノズル２０ａ〜２０
ｄから燃焼炉１０に導入されて、燃焼される。燃焼によ
り排ガス中のＮＦ３は沸化水素ＨＦに分解され、またモ
ノシランは微粉状のシリカに分解される。生成されたＨ
Ｆとシリカ粉が共存する燃焼排ガスは、冷却塔１４に導
かれて、噴霧ノズル２２から噴霧されるスプレ水によっ
て冷却される。これにより、燃焼排ガス中のＨＦの一部
が除去される。
【００１７】冷却された燃焼排ガスは、タンク５内の液
面上に形成される空間を通って、吸収塔１４に流入す
る。このとき、燃焼排ガス中のシリカ粉は、燃焼排ガス
の流れから分離されてタンク５の液中に落下する。シリ
カ粉が分離された燃焼排ガスは、吸収塔３０の塔内を上
昇し、噴霧ノズル３２から噴霧されるスプレ水と充填層
３０で気液接触が促進され、燃焼排ガス中のＨＦが吸収
除去される。ＨＦが除去された燃焼排ガスは、排気管３
４を介して集塵装置３６に導かれ、集塵装置３６で未捕
集のシリカ粉が捕集されて無害化される。そして、無害
化された排ガスは、誘引ファン３８によって系外へ排出
される。
面上に形成される空間を通って、吸収塔１４に流入す
る。このとき、燃焼排ガス中のシリカ粉は、燃焼排ガス
の流れから分離されてタンク５の液中に落下する。シリ
カ粉が分離された燃焼排ガスは、吸収塔３０の塔内を上
昇し、噴霧ノズル３２から噴霧されるスプレ水と充填層
３０で気液接触が促進され、燃焼排ガス中のＨＦが吸収
除去される。ＨＦが除去された燃焼排ガスは、排気管３
４を介して集塵装置３６に導かれ、集塵装置３６で未捕
集のシリカ粉が捕集されて無害化される。そして、無害
化された排ガスは、誘引ファン３８によって系外へ排出
される。
【００１８】この場合において、噴霧ノズル２２、３２
から噴出されたスプレ水は、落下してタンク１６に貯留
される。貯留された液面が設定レベルに達すると、レベ
ル計２４が検知し、その検知信号を制御装置２６に入力
する。そして、制御装置２６は、排水ポンプ２８を駆動
してタンク１６内の貯留水を配水管２５から排水する。
このように、タンク１６内の水面レベルはレベル計２４
によって監視され、一定レベルになるよう排水ポンプ２
８で調整される。
から噴出されたスプレ水は、落下してタンク１６に貯留
される。貯留された液面が設定レベルに達すると、レベ
ル計２４が検知し、その検知信号を制御装置２６に入力
する。そして、制御装置２６は、排水ポンプ２８を駆動
してタンク１６内の貯留水を配水管２５から排水する。
このように、タンク１６内の水面レベルはレベル計２４
によって監視され、一定レベルになるよう排水ポンプ２
８で調整される。
【００１９】このような動作において、三沸化窒素ＮＦ
３を含む排ガスを燃焼炉１０で燃焼すると、排ガス中の
ＮＦ３と酸素Ｏが反応してＮＯＸが発生することにな
る。そこで、本実施形態では、三沸化窒素ＮＦ３を含む
排ガスに水素導入管２１から水素を添加している。すな
わち、水素を添加された排ガスは、燃焼炉１０で例えば
６００℃以上の高温場に導入されると、２ＮＦ３＋３Ｈ
２＝Ｎ２＋６ＨＦの反応が起こる。つまり、排ガス中の
三沸化窒素ＮＦ３と水素Ｈ２が反応して、窒素Ｎ ２と沸
化水素ＨＦが生成される。したがって、燃焼炉における
三沸化窒素ＮＦ３の窒素Ｎは、添加した水素によって、
酸化窒素ＮＯＸとはならずに、窒素Ｎ２となるので、Ｎ
ＯＸの発生量を低減することができる。
３を含む排ガスを燃焼炉１０で燃焼すると、排ガス中の
ＮＦ３と酸素Ｏが反応してＮＯＸが発生することにな
る。そこで、本実施形態では、三沸化窒素ＮＦ３を含む
排ガスに水素導入管２１から水素を添加している。すな
わち、水素を添加された排ガスは、燃焼炉１０で例えば
６００℃以上の高温場に導入されると、２ＮＦ３＋３Ｈ
２＝Ｎ２＋６ＨＦの反応が起こる。つまり、排ガス中の
三沸化窒素ＮＦ３と水素Ｈ２が反応して、窒素Ｎ ２と沸
化水素ＨＦが生成される。したがって、燃焼炉における
三沸化窒素ＮＦ３の窒素Ｎは、添加した水素によって、
酸化窒素ＮＯＸとはならずに、窒素Ｎ２となるので、Ｎ
ＯＸの発生量を低減することができる。
【００２０】また、モノシランを含む排ガスを燃焼炉１
０で燃焼すると、シラン粉末が生成される。生成された
シラン粉末が、燃焼排ガスとともに搬送され、その搬送
過程で配管の水平部等に付着堆積すると、配管が閉塞す
ることになるが、本実施形態では、燃焼炉１０と冷却塔
１２を一体に形成し、冷却塔１２の底部から排出される
燃焼排ガスを、吸収塔１４に導く管路に代えて、バッフ
ァ水のタンク１６により連結したのである。これによ
り、燃焼排ガスは、タンク１６内の液面上に形成される
空間を通って吸収塔１４に流入されるから、シラン粉末
が付着堆積する炉管路をなくすことができる。
０で燃焼すると、シラン粉末が生成される。生成された
シラン粉末が、燃焼排ガスとともに搬送され、その搬送
過程で配管の水平部等に付着堆積すると、配管が閉塞す
ることになるが、本実施形態では、燃焼炉１０と冷却塔
１２を一体に形成し、冷却塔１２の底部から排出される
燃焼排ガスを、吸収塔１４に導く管路に代えて、バッフ
ァ水のタンク１６により連結したのである。これによ
り、燃焼排ガスは、タンク１６内の液面上に形成される
空間を通って吸収塔１４に流入されるから、シラン粉末
が付着堆積する炉管路をなくすことができる。
【００２１】つまり、タンク１６内に流入した燃焼排ガ
スは、水平方向に通流するが、燃焼排ガス中のシリカ粉
は、燃焼排ガスの流れから分離し、液面中に落下する。
したがって、シリカ粉が配管内に付着堆積して搬送用配
管が閉塞するという問題が回避される。その結果、配管
内に付着堆積したシリカ粉の除去作業をする必要がない
ので、装置のメンテナンスが容易になり、長い時間に渡
って安定に燃焼することができる。
スは、水平方向に通流するが、燃焼排ガス中のシリカ粉
は、燃焼排ガスの流れから分離し、液面中に落下する。
したがって、シリカ粉が配管内に付着堆積して搬送用配
管が閉塞するという問題が回避される。その結果、配管
内に付着堆積したシリカ粉の除去作業をする必要がない
ので、装置のメンテナンスが容易になり、長い時間に渡
って安定に燃焼することができる。
【００２２】図２に、ＮＦ３のＨ２Ｏによる分解特性と
Ｈ２による分解特性を示す。横軸は、燃焼炉１０内のガ
ス温度であり、縦軸は、燃焼炉１０内で燃焼分解される
ＮＦ ３の分解率である。図に示すように、雰囲気温度に
対する分解率はＨ２ＯでもＨ ２でもほぼ同じであること
がわかる。
Ｈ２による分解特性を示す。横軸は、燃焼炉１０内のガ
ス温度であり、縦軸は、燃焼炉１０内で燃焼分解される
ＮＦ ３の分解率である。図に示すように、雰囲気温度に
対する分解率はＨ２ＯでもＨ ２でもほぼ同じであること
がわかる。
【００２３】図３に、Ｈ２を添加することによるＮＯＸ
の低減効果を雰囲気温度が調整可能な基礎反応管で実験
した結果を示す。横軸は、Ｈ２の量論比であり、縦軸は
ＮＯ Ｘ濃度である。図に示すように、Ｈ２を添加しない
場合、ＮＯＸ濃度は５０００ｐｐｍ以上である。通常の
燃焼場でＮＦ３＝２％の排ガスを燃焼した場合、燃料た
とえばＬＰＧなどが燃焼して水蒸気が発生し、その水蒸
気中の酸素ＯとＮＦ３が反応し、ＮＦ３中の全Ｎ分の約
１／３がＮＯＸとなり、数１０００ｐｐｍオーダの高い
濃度となることがわかっている。このとき、Ｈ２を量論
比で１以上の添加量で添加すると、発生するＮＯＸの濃
度を数百ｐｐｍまで低減できることがわかる。
の低減効果を雰囲気温度が調整可能な基礎反応管で実験
した結果を示す。横軸は、Ｈ２の量論比であり、縦軸は
ＮＯ Ｘ濃度である。図に示すように、Ｈ２を添加しない
場合、ＮＯＸ濃度は５０００ｐｐｍ以上である。通常の
燃焼場でＮＦ３＝２％の排ガスを燃焼した場合、燃料た
とえばＬＰＧなどが燃焼して水蒸気が発生し、その水蒸
気中の酸素ＯとＮＦ３が反応し、ＮＦ３中の全Ｎ分の約
１／３がＮＯＸとなり、数１０００ｐｐｍオーダの高い
濃度となることがわかっている。このとき、Ｈ２を量論
比で１以上の添加量で添加すると、発生するＮＯＸの濃
度を数百ｐｐｍまで低減できることがわかる。
【００２４】図４は、Ｈ２を添加することによるＮＯＸ
の低減効果を燃焼炉で測定した結果を示している。横軸
は、空気比であり、縦軸はＮＯＸ濃度である。図に示す
ように、ＬＰＧを燃焼させている燃焼炉においても、Ｈ
２を添加すれば、Ｈ２を添加しない場合に比べて、発生
するＮＯＸの濃度を半分以下に低減できることがわか
る。
の低減効果を燃焼炉で測定した結果を示している。横軸
は、空気比であり、縦軸はＮＯＸ濃度である。図に示す
ように、ＬＰＧを燃焼させている燃焼炉においても、Ｈ
２を添加すれば、Ｈ２を添加しない場合に比べて、発生
するＮＯＸの濃度を半分以下に低減できることがわか
る。
【００２５】以上、図１の実施形態に基づいて本発明を
説明したが、本発明に係る排ガス処理装置の構成はこれ
に限るものではない。例えば、図１では、吸収塔１４の
後流にバグフィルタ式の集塵装置３６及び誘引ファン３
８を設置しているが、集塵装置３６と誘引ファン３８を
省略してもよい。また、誘引装置としてＩＤＦ、つまり
誘引ファン３８を設置しているが、これに代えてエジェ
クタによる吸引装置を用いてもよい。
説明したが、本発明に係る排ガス処理装置の構成はこれ
に限るものではない。例えば、図１では、吸収塔１４の
後流にバグフィルタ式の集塵装置３６及び誘引ファン３
８を設置しているが、集塵装置３６と誘引ファン３８を
省略してもよい。また、誘引装置としてＩＤＦ、つまり
誘引ファン３８を設置しているが、これに代えてエジェ
クタによる吸引装置を用いてもよい。
【００２６】
【発明の効果】以上述べたとおり、本発明によれば、半
導体製造プロセスから排出される三沸化窒素を含む排ガ
スを燃焼したときに発生するＮＯＸの発生量を低減する
ことができる。
導体製造プロセスから排出される三沸化窒素を含む排ガ
スを燃焼したときに発生するＮＯＸの発生量を低減する
ことができる。
【００２７】また、上記効果に加えて、排ガス中のモノ
シランを燃焼したときに発生するシリカ粉が、搬送配管
内に付着することを回避することができる。
シランを燃焼したときに発生するシリカ粉が、搬送配管
内に付着することを回避することができる。
【図１】本発明を適用した燃焼式の排ガス処理装置の一
実施形態を示す系統図である。
実施形態を示す系統図である。
【図２】ＮＦ３のＨ２Ｏによる分解特性とＨ２による分
解特性を示す線図である。
解特性を示す線図である。
【図３】Ｈ２を添加することによるＮＯＸの低減効果を
基礎反応管で実験した結果を示す線図である。
基礎反応管で実験した結果を示す線図である。
【図４】Ｈ２を添加することによるＮＯＸの低減効果を
燃焼炉で実験した結果を示す線図である。
燃焼炉で実験した結果を示す線図である。
１０ 燃焼炉
１２ 冷却塔
１４ 吸収塔
１６ タンク
２０ａ 排ガスノズル
２１ 水素ノズル
２４ レベル計
２６ 制御装置
─────────────────────────────────────────────────────
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(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｆ２３Ｊ 15/04
(72)発明者 馬場 彰
広島県呉市宝町３番36号 バブコック日立
株式会社呉研究所内
(72)発明者 寳山 登
広島県呉市宝町６番９号 バブコック日立
株式会社呉事業所内
(72)発明者 熊谷 健志
広島県呉市宝町６番９号 バブコック日立
株式会社呉事業所内
Ｆターム(参考） 3K065 TA01 TB13 TB15 TC08 TD05
TF08 TG02 TH10 TH11 TL08
3K070 DA05 DA09 DA24 DA27 DA36
DA37 DA38 DA64
3K078 BA17 BA26 CA03 CA07 CA24
4D002 AA22 AA26 AC10 BA02 BA05
BA13 BA14 CA07 DA35 DA54
EA02 EA05 EA09 GA03 GB06
GB20
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体製造プロセスから排出される少な
くとも三沸化窒素を含む排ガスを燃焼処理する燃焼炉を
備えてなる排ガス処理装置において、 前記燃焼炉に導入される前記排ガスに水素を添加するこ
とを特徴とする排ガス処理装置。 - 【請求項２】 半導体製造プロセスから排出される排ガ
スを燃焼処理する燃焼炉と、該燃焼炉の燃焼排ガスに水
を噴霧して冷却する冷却塔と、該冷却塔から排出される
燃焼排ガスに吸収液を噴霧してガス中の有害物を吸収す
る吸収塔とを備えてなる排ガス処理装置において、 前記冷却塔の底部と前記吸収塔の底部をタンクを介して
連通させ、該タンク内の液面位置を設定レベルに制御す
る液面制御手段を設けたことを特徴とする排ガス処理装
置。 - 【請求項３】 前記燃焼炉と前記冷却塔とを一体化して
形成したことを特徴とする請求項２に記載の排ガス処理
装置。 - 【請求項４】 前記燃焼炉に導入される前記排ガスに水
素を添加することを特徴とする請求項２又は３に記載の
排ガス処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002139490A JP2003329233A (ja) | 2002-05-15 | 2002-05-15 | 排ガス処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002139490A JP2003329233A (ja) | 2002-05-15 | 2002-05-15 | 排ガス処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003329233A true JP2003329233A (ja) | 2003-11-19 |
Family
ID=29700614
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002139490A Pending JP2003329233A (ja) | 2002-05-15 | 2002-05-15 | 排ガス処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003329233A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005075890A1 (ja) * | 2004-02-05 | 2005-08-18 | Bussan Nanotech Research Institute, Inc. | 気相法炭素繊維製造装置の排ガス処理装置 |
| KR100711940B1 (ko) | 2005-10-27 | 2007-05-02 | 주식회사 글로벌스탠다드테크놀로지 | 폐가스 정화처리장치용 습식유닛 |
| KR100874666B1 (ko) | 2007-10-25 | 2008-12-18 | 주식회사 케이피씨 | 난분해성 가스 처리장치 |
| JP2009236460A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-15 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 排ガス処理装置 |
| CN108619876A (zh) * | 2018-07-09 | 2018-10-09 | 安徽京仪自动化装备技术有限公司 | 一种半导体制程废气中氟化物的净化装置 |
| CN114210161A (zh) * | 2021-11-20 | 2022-03-22 | 江苏富乐德石英科技有限公司 | 一种石英砂加工废气回收处理工艺 |
-
2002
- 2002-05-15 JP JP2002139490A patent/JP2003329233A/ja active Pending
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