JP4452345B2 - 金属・有機ガススクラバー - Google Patents
金属・有機ガススクラバー Download PDFInfo
- Publication number
- JP4452345B2 JP4452345B2 JP16343699A JP16343699A JP4452345B2 JP 4452345 B2 JP4452345 B2 JP 4452345B2 JP 16343699 A JP16343699 A JP 16343699A JP 16343699 A JP16343699 A JP 16343699A JP 4452345 B2 JP4452345 B2 JP 4452345B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- tubular element
- main body
- hollow tubular
- organic gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
- B01D53/34—Chemical or biological purification of waste gases
- B01D53/46—Removing components of defined structure
- B01D53/64—Heavy metals or compounds thereof, e.g. mercury
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
- B01D53/34—Chemical or biological purification of waste gases
- B01D53/74—General processes for purification of waste gases; Apparatus or devices specially adapted therefor
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Biomedical Technology (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Treating Waste Gases (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、金属・有機プロセス(metal-organic process)の単一または数種類の廃棄ガスから金属成分を除去する装置に関し、より詳しくは、半導体製造プロセスからの廃棄ガスの金属成分と反応して該金属成分を分離させる真空システムに組み込まれる装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
例えば半導体製造工業では、シリコンウェーハ上に金属層間配線またはバリヤ層を化学気相成長(chemical vapour deposition; CVD)するのに、種々の金属・有機前駆物質が使用されている。これらの金属・有機前駆物質の好ましい2つの特徴は、a)製造装置への前駆物質の正確かつ反復可能な供給を可能にする合理的な蒸気圧と、b)低温での高い金属蒸着速度とにある。これらのCVD技術は低圧で遂行され、従って真空システムを効率的にさせる必要がある。設計により、一般的な用途では金属・有機プロセスガスの一部のみを消費する。未反応ガスおよび他のプロセス副生物は、製造装置に連結された真空システムによりポンプ排出されなくてはならない。
【0003】
或る状況下では、プロセス廃棄ガスが製造装置および真空装置と反応して、これらの製造装置および真空装置の種々の表面上に蒸着してしまう。真空システム内での金属蒸着の主な悪影響は、コンダクタンスの損失および回転機構への干渉である。また、未反応金属・有機ガスは、大気中への排出を許容される場合でも金属汚染を引き起こす。
この問題の1つの解決法は、製造装置と真空装置との間に配置される低圧サーマルリアクタ内で廃棄ガスを完全に反応させることである。
低圧サーマルリアクタの最も重要な必要条件は、高い反応効率と、サーマルリアクタ内部に金属が蒸着するときに高いコンダクタンスを維持できることである。このようなリアクタのコンダクタンスは、リアクタ内部に金属が蒸着するにつれて低下する。また、一例として、連続流をなす長い円筒状チューブの場合には、コンダクタンスは、チューブの直径の4乗に比例しかつチューブの長さに反比例する。金属蒸着によりチューブ直径が縮小すると、コンダクタンスの急激な損失を引き起こす。長さに比べて直径が非常に小さく、高い体積対表面積比をもつリアクタの場合には、コンダクタンスの急激な損失という犠牲を払って高い効率が得られる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、金属・有機プロセスで金属・有機ガスを使用した後にあらゆる未反応の金属・有機ガスから金属成分を除去する装置であって、プロセス装置と真空装置との間に取り付けることができかつ装置の設計に取り入れられる金属収集パターンが、コンダクタンスを最大にすると同時に大きな収集容量を維持できる装置を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、金属・有機ガス蒸着プロセスでの金属・有機ガスの使用後にあらゆる未反応金属・有機ガスから金属成分を除去する装置は、入口および該入口から間隔を隔てた出口を備えた主本体と、該主本体内に配置された要素と、該要素の外面と主本体の内面との間に延びかつ前記内面および外面と協働して入口と出口との間に未反応金属・有機ガスの曲りくねった通路のための1つ以上のチャンネルを形成する1つ以上のベーンと、管状要素の温度を制御する手段とを有している。
好ましくは、要素は中空管状要素であり、該中空管状要素には複数のベーンが取り付けられており、該ベーンは中空管状要素の外面から半径方向外方に延びかつ主本体の内面と接触しており、ベーンは管状要素の長さ方向に沿って延びかつ相互連通する複数の長手方向チャンネルを形成している。
【0006】
好ましくは、装置は使い捨て可能な物として設計される。
【0007】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して本発明の一実施形態を説明する。
最初に図1を参照すると、ここには、低圧(真空)金属・有機化学気相成長プロセスに使用するための、単一または複数のウェーハを収容する真空プロセスチャンバ2が示されている。使用に際し、例えば、Cu(hfac)(vtms)のような銅前駆物質と不活性キャリヤガスとのガス混合物は、ウェーハ上に銅成分を蒸着するため、プロセスチャンバ2に通される。未反応銅前駆物質、反応した銅前駆物質副生物および不活性キャリヤガスは、廃棄ガスがフォアライン(fore-line)4および真空ポンプ6を通って排気ライン8に流入するとき、真空プロセスチャンバ2を出る。
【0008】
ここで図2および図3を参照すると、これらの図面には、金属・有機蒸着プロセスに使用後にあらゆる未反応金属・有機ガスの金属成分を除去するための本発明による装置10が示されている。装置10は、フォアライン4内すなわち真空ポンプ6の前に挿入され、かつ例えばステンレス鋼で作られた主本体12を有している。該主本体12は、入口14と、これから間隔を隔てた出口16とを有している。図示のように、主本体12、入口14および出口16の各々は円形の断面形状を有し、入口14と出口16とは隣接して配置されている。
細長い中空チューブの形態をなす要素18が、主本体12内でその長手方向軸線に沿って、主本体12と同心状に取り付けられている。要素18の断面形状は、主本体12の断面形状よりかなり小さい。管状要素18は、例えばステンレス鋼で作られる。管状要素18内には、該要素18の温度を制御するためのヒータ19の形態をなす手段(図示せず)が配置される。要素18には、該要素18に対して平行に配置された複数の短ベーン22が取り付けられており、1つ以上の長ベーン24も要素18に対して平行に配置されている。ベーン22、24は、例えばステンレス鋼のような金属材料で作られ、かつこれらのベーンの長さに沿う全ての点で主本体12の内面に接触するように管状要素18から半径方向に配置される寸法的構成を有している。管状要素18には、例えばステンレス鋼で作られた1つ以上の板28も取り付けられている。図示のように、板28は、入口14および出口16に隣接して、1つの短ベーン22および1つの長ベーン24に取り付けられている。図示のように、短ベーン22および長ベーン24は、短ベーンと長ベーンとが管状要素18の回りで交互に配置された構成を有している。
【0009】
主本体12の各端部に設けられたそれぞれの端板26には、管状要素18の内部へのヒータ19の挿入を可能にするアクセス開口20が設けられている。各端板26は、例えばステンレス鋼のような金属材料で作られている。
また、図4から、両ベーン22、24は、管状要素18の外面および主本体12の内面と協働して複数のチャンネル30、34、38、42を形成しており、これらのチャンネルは、入口14と出口16との間の廃棄ガスの流れのための曲がりくねった流路を形成すべく相互連通している。
使用に際し、装置10は、真空フォアライン4の所定位置に、フランジ(図示せず)を介して着脱可能に取り付けられる。次に、管状要素18の内部に配置されたヒータ19が付勢される。管状要素18は、ベーン22、24および板28と一緒に温度制御され、装置10を通って流れる廃棄ガスから、単一または数種類の金属成分が蒸着できる温度調節可能な反応表面を形成する。単一または数種類の金属成分は最初はベーン22、24の根元部に蒸着され、従って、フォアライン4を通る廃棄ガスの流れに殆ど抵抗を及ぼさない。装置10の作動中の全ての時点で、主本体12の温度は大気温度、すなわち、管状要素18およびベーン22、24に比べて比較的低い温度に維持される。上記実施形態で説明したベーン22、24の特定形態は、入口14と出口16との間に長い流路を形成し、このため廃棄ガスがかなり長い滞留時間を有し、廃棄ガスの金属成分の蒸着を増進させる。上記特定構造は、多量の金属成分の蒸着を可能にする大きい内部体積を形成すると同時に、装置10を通る廃棄ガスの流れに対する抵抗を最小にすることが判明している。
【0010】
上記実施形態では中空管状要素について説明したが、ベーンが直接取り付けられた任意の形式または形状の温度制御要素を使用できることは明らかである。
ここで図5を参照すると、ここには、プロセス条件に従って選択できる、装置10内に種々の流路長さおよび体積を与える種々の構造のベーンが示されている。
上記実施形態は低圧金属・有機化学気相成長プロセスに関連して説明したが、上記説明に係る装置は、他のプロセス、例えば、可変温度で金属成分の除去を行なう装置10の中を廃棄ガスが流れる形式のプラズマ増強形化学気相成長プロセスにも同様に有効であることは明白である。
【図面の簡単な説明】
【図1】低圧金属・有機蒸着プロセス用の真空プロセスチャンバおよび補助装置を示す概略ブロック図である。
【図2】本発明による図1の真空プロセスチャンバ内のガスの使用後にあらゆる未反応の金属・有機ガスから金属成分を除去する装置の一部を破断した斜視図である。
【図3】図2に示した装置の細部を示す斜視図である。
【図4】未反応金属・有機ガスが図2の装置を通る流れを示す図面である。
【図5】図2に示した装置に使用できるベーン構造のセレクションを示す図面である。
【符号の説明】
2 真空プロセスチャンバ
4 フォアライン
6 真空ポンプ
12 主本体
18 管状要素
19 ヒータ
22 短ベーン
24 長ベーン
26 端板
28 板
30、34、38、42 チャンネル
Claims (4)
- 入口および該入口から間隔を隔てた出口を備えた主本体と、該主本体内に配置された中空管状要素と、中空管状要素に取り付けられるとともに、該中空管状要素から半径方向外方に延びて主本体の内面と接触している複数のベーンであって、入口と出口との間に未反応金属・有機ガス用の曲りくねった通路を設けるために、中空管状要素の長さ方向に沿って延びて相互連通する複数の長手方向チャンネルを形成している複数のベーンと、中空管状要素内に配置される着脱可能なヒータであって、使用時に、中空管状要素およびベーンの温度を上昇させ、主本体の温度を大気温度に維持するヒータとを有することを特徴とする金属・有機ガス蒸着プロセスでの金属・有機ガスの使用後にあらゆる未反応金属・有機ガスから金属成分を除去する装置。
- 前記中空管状要素には、長手方向チャンネルを通る未反応金属・有機ガスを主本体の長手方向に沿う複数の通路内で案内する板が設けられていることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 装置を真空ラインに取り付けるためのフランジが設けられていることを特徴とする請求項1または2に記載の装置。
- 使い捨て可能であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GBGB9812497.7A GB9812497D0 (en) | 1998-06-10 | 1998-06-10 | Metal-organic gas scrubber |
GB9812497:7 | 1998-06-10 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000034566A JP2000034566A (ja) | 2000-02-02 |
JP4452345B2 true JP4452345B2 (ja) | 2010-04-21 |
Family
ID=10833517
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16343699A Expired - Lifetime JP4452345B2 (ja) | 1998-06-10 | 1999-06-10 | 金属・有機ガススクラバー |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0964075B1 (ja) |
JP (1) | JP4452345B2 (ja) |
GB (1) | GB9812497D0 (ja) |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4735633A (en) * | 1987-06-23 | 1988-04-05 | Chiu Kin Chung R | Method and system for vapor extraction from gases |
JP3540064B2 (ja) * | 1995-09-04 | 2004-07-07 | 株式会社アルバック | ドライ真空ポンプ前段用のトラップ |
US6332925B1 (en) * | 1996-05-23 | 2001-12-25 | Ebara Corporation | Evacuation system |
US5928426A (en) * | 1996-08-08 | 1999-07-27 | Novellus Systems, Inc. | Method and apparatus for treating exhaust gases from CVD, PECVD or plasma etch reactors |
-
1998
- 1998-06-10 GB GBGB9812497.7A patent/GB9812497D0/en not_active Ceased
-
1999
- 1999-06-10 EP EP19990304538 patent/EP0964075B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-06-10 JP JP16343699A patent/JP4452345B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0964075B1 (en) | 2005-05-11 |
GB9812497D0 (en) | 1998-08-05 |
JP2000034566A (ja) | 2000-02-02 |
EP0964075A1 (en) | 1999-12-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN112176318B (zh) | 用于基板处理装置的温度控制组件及其使用方法 | |
JP2021115573A (ja) | 反応器システム用汚染物質トラップシステム | |
EP2227576B1 (en) | Apparatus for delivering precursor gases to an epitaxial growth substrate | |
JP3246708B2 (ja) | トラップ装置及びこれを用いた未反応処理ガス排気機構 | |
JP6007715B2 (ja) | トラップ機構、排気系及び成膜装置 | |
CN104756232A (zh) | 用于具有再循环的空间原子层沉积的设备及其使用方法 | |
JP2000256856A (ja) | 処理装置及び処理装置用真空排気システム及び減圧cvd装置及び減圧cvd装置用真空排気システム及びトラップ装置 | |
KR100683441B1 (ko) | 원자층 증착 장치 및 방법 | |
KR20000000946A (ko) | 기화기 및 이를 사용한 화학 기상 증착장치 | |
WO1999032686A1 (en) | Gas trap for cvd apparatus | |
WO2014134481A1 (en) | Metal amide deposition precursors and their stabilization with an inert ampoule liner | |
KR20010034942A (ko) | 화학기상증착(cvd) 장치 | |
US20070107595A1 (en) | Method and apparatus for collecting chemical compounds from semiconductor processing | |
JP2008535642A (ja) | トラップ装置 | |
EP1885917B1 (en) | Epitaxial reactor with device for introducing reaction gases | |
JP2008542532A (ja) | Ald反応物による真空ポンプの損傷を防止する方法及び装置 | |
US20220349052A1 (en) | Apparatus for trapping multiple reaction by-products for semiconductor process | |
KR20050057618A (ko) | 원자층 증착 방법 및 수단 | |
US8808453B2 (en) | System for abating the simultaneous flow of silane and arsine | |
JP4452345B2 (ja) | 金属・有機ガススクラバー | |
US20080124670A1 (en) | Inductively heated trap | |
US11221182B2 (en) | Apparatus with multistaged cooling | |
US20220235466A1 (en) | Porous inlet | |
WO2021091715A1 (en) | High temperature dual channel showerhead | |
TWI836110B (zh) | 溫度控制總成、及控制氣相反應器之溫度控制總成的溫度之方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060515 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20071119 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080205 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090617 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090622 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20090917 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20090925 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091221 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100125 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100201 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4452345 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130205 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140205 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |