JP2000034566A - 金属・有機ガススクラバ― - Google Patents
金属・有機ガススクラバ―Info
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
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- B01D—SEPARATION
- B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
- B01D53/34—Chemical or biological purification of waste gases
- B01D53/46—Removing components of defined structure
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 プロセス装置と真空装置との間に取り付ける
ことができかつ装置の設計に取り入れられる金属収集パ
ターンがコンダクタンスを最大にすると同時に大きな収
集容量を維持できる、金属・有機プロセスで金属・有機
ガスを使用した後にあらゆる未反応の金属・有機ガスか
ら金属成分を除去する装置を提供することにある。 【解決手段】 入口および該入口から間隔を隔てた出口
を備えた主本体と、該主本体内に配置された要素と、管
状要素の外面と主本体の内面との間に延びかつ前記内面
および外面と協働して、入口と出口との間に未反応金属
・有機ガス用の曲りくねった通路を設けるための１つ以
上のチャンネルを形成する１つ以上のベーンと、管状要
素の温度を制御する手段とを有することを特徴とする金
属・有機ガス蒸着プロセスでの金属・有機ガスの使用後
にあらゆる未反応金属・有機ガスから金属成分を除去す
る装置。
ことができかつ装置の設計に取り入れられる金属収集パ
ターンがコンダクタンスを最大にすると同時に大きな収
集容量を維持できる、金属・有機プロセスで金属・有機
ガスを使用した後にあらゆる未反応の金属・有機ガスか
ら金属成分を除去する装置を提供することにある。 【解決手段】 入口および該入口から間隔を隔てた出口
を備えた主本体と、該主本体内に配置された要素と、管
状要素の外面と主本体の内面との間に延びかつ前記内面
および外面と協働して、入口と出口との間に未反応金属
・有機ガス用の曲りくねった通路を設けるための１つ以
上のチャンネルを形成する１つ以上のベーンと、管状要
素の温度を制御する手段とを有することを特徴とする金
属・有機ガス蒸着プロセスでの金属・有機ガスの使用後
にあらゆる未反応金属・有機ガスから金属成分を除去す
る装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、金属・有機プロセ
ス（metal-organic process)の単一または数種類の廃棄
ガスから金属成分を除去する装置に関し、より詳しく
は、半導体製造プロセスからの廃棄ガスの金属成分と反
応して該金属成分を分離させる真空システムに組み込ま
れる装置に関する。
ス（metal-organic process)の単一または数種類の廃棄
ガスから金属成分を除去する装置に関し、より詳しく
は、半導体製造プロセスからの廃棄ガスの金属成分と反
応して該金属成分を分離させる真空システムに組み込ま
れる装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば半導体製造工業では、シリコンウ
ェーハ上に金属層間配線またはバリヤ層を化学気相成長
（chemical vapour deposition; ＣＶＤ）するのに、種
々の金属・有機前駆物質が使用されている。これらの金
属・有機前駆物質の好ましい２つの特徴は、ａ）製造装
置への前駆物質の正確かつ反復可能な供給を可能にする
合理的な蒸気圧と、ｂ）低温での高い金属蒸着速度とに
ある。これらのＣＶＤ技術は低圧で遂行され、従って真
空システムを効率的にさせる必要がある。設計により、
一般的な用途では金属・有機プロセスガスの一部のみを
消費する。未反応ガスおよび他のプロセス副生物は、製
造装置に連結された真空システムによりポンプ排出され
なくてはならない。
ェーハ上に金属層間配線またはバリヤ層を化学気相成長
（chemical vapour deposition; ＣＶＤ）するのに、種
々の金属・有機前駆物質が使用されている。これらの金
属・有機前駆物質の好ましい２つの特徴は、ａ）製造装
置への前駆物質の正確かつ反復可能な供給を可能にする
合理的な蒸気圧と、ｂ）低温での高い金属蒸着速度とに
ある。これらのＣＶＤ技術は低圧で遂行され、従って真
空システムを効率的にさせる必要がある。設計により、
一般的な用途では金属・有機プロセスガスの一部のみを
消費する。未反応ガスおよび他のプロセス副生物は、製
造装置に連結された真空システムによりポンプ排出され
なくてはならない。
【０００３】或る状況下では、プロセス廃棄ガスが製造
装置および真空装置と反応して、これらの製造装置およ
び真空装置の種々の表面上に蒸着してしまう。真空シス
テム内での金属蒸着の主な悪影響は、コンダクタンスの
損失および回転機構への干渉である。また、未反応金属
・有機ガスは、大気中への排出を許容される場合でも金
属汚染を引き起こす。この問題の１つの解決法は、製造
装置と真空装置との間に配置される低圧サーマルリアク
タ内で廃棄ガスを完全に反応させることである。低圧サ
ーマルリアクタの最も重要な必要条件は、高い反応効率
と、サーマルリアクタ内部に金属が蒸着するときに高い
コンダクタンスを維持できることである。このようなリ
アクタのコンダクタンスは、リアクタ内部に金属が蒸着
するにつれて低下する。また、一例として、連続流をな
す長い円筒状チューブの場合には、コンダクタンスは、
チューブの直径の４乗に比例しかつチューブの長さに反
比例する。金属蒸着によりチューブ直径が縮小すると、
コンダクタンスの急激な損失を引き起こす。長さに比べ
て直径が非常に小さく、高い体積対表面積比をもつリア
クタの場合には、コンダクタンスの急激な損失という犠
牲を払って高い効率が得られる。
装置および真空装置と反応して、これらの製造装置およ
び真空装置の種々の表面上に蒸着してしまう。真空シス
テム内での金属蒸着の主な悪影響は、コンダクタンスの
損失および回転機構への干渉である。また、未反応金属
・有機ガスは、大気中への排出を許容される場合でも金
属汚染を引き起こす。この問題の１つの解決法は、製造
装置と真空装置との間に配置される低圧サーマルリアク
タ内で廃棄ガスを完全に反応させることである。低圧サ
ーマルリアクタの最も重要な必要条件は、高い反応効率
と、サーマルリアクタ内部に金属が蒸着するときに高い
コンダクタンスを維持できることである。このようなリ
アクタのコンダクタンスは、リアクタ内部に金属が蒸着
するにつれて低下する。また、一例として、連続流をな
す長い円筒状チューブの場合には、コンダクタンスは、
チューブの直径の４乗に比例しかつチューブの長さに反
比例する。金属蒸着によりチューブ直径が縮小すると、
コンダクタンスの急激な損失を引き起こす。長さに比べ
て直径が非常に小さく、高い体積対表面積比をもつリア
クタの場合には、コンダクタンスの急激な損失という犠
牲を払って高い効率が得られる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、金属
・有機プロセスで金属・有機ガスを使用した後にあらゆ
る未反応の金属・有機ガスから金属成分を除去する装置
であって、プロセス装置と真空装置との間に取り付ける
ことができかつ装置の設計に取り入れられる金属収集パ
ターンが、コンダクタンスを最大にすると同時に大きな
収集容量を維持できる装置を提供することにある。
・有機プロセスで金属・有機ガスを使用した後にあらゆ
る未反応の金属・有機ガスから金属成分を除去する装置
であって、プロセス装置と真空装置との間に取り付ける
ことができかつ装置の設計に取り入れられる金属収集パ
ターンが、コンダクタンスを最大にすると同時に大きな
収集容量を維持できる装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、金属・
有機ガス蒸着プロセスでの金属・有機ガスの使用後にあ
らゆる未反応金属・有機ガスから金属成分を除去する装
置は、入口および該入口から間隔を隔てた出口を備えた
主本体と、該主本体内に配置された要素と、該要素の外
面と主本体の内面との間に延びかつ前記内面および外面
と協働して入口と出口との間に未反応金属・有機ガスの
曲りくねった通路のための１つ以上のチャンネルを形成
する１つ以上のベーンと、管状要素の温度を制御する手
段とを有している。好ましくは、要素は中空管状要素で
あり、該中空管状要素には複数のベーンが取り付けられ
ており、該ベーンは中空管状要素の外面から半径方向外
方に延びかつ主本体の内面と接触しており、ベーンは管
状要素の長さ方向に沿って延びかつ相互連通する複数の
長手方向チャンネルを形成している。
有機ガス蒸着プロセスでの金属・有機ガスの使用後にあ
らゆる未反応金属・有機ガスから金属成分を除去する装
置は、入口および該入口から間隔を隔てた出口を備えた
主本体と、該主本体内に配置された要素と、該要素の外
面と主本体の内面との間に延びかつ前記内面および外面
と協働して入口と出口との間に未反応金属・有機ガスの
曲りくねった通路のための１つ以上のチャンネルを形成
する１つ以上のベーンと、管状要素の温度を制御する手
段とを有している。好ましくは、要素は中空管状要素で
あり、該中空管状要素には複数のベーンが取り付けられ
ており、該ベーンは中空管状要素の外面から半径方向外
方に延びかつ主本体の内面と接触しており、ベーンは管
状要素の長さ方向に沿って延びかつ相互連通する複数の
長手方向チャンネルを形成している。
【０００６】好ましくは、装置は使い捨て可能な物とし
て設計される。
て設計される。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
の一実施形態を説明する。最初に図１を参照すると、こ
こには、低圧（真空）金属・有機化学気相成長プロセス
に使用するための、単一または複数のウェーハを収容す
る真空プロセスチャンバ２が示されている。使用に際
し、例えば、Cu(hfac)(vtms)のような銅前駆物質と不活
性キャリヤガスとのガス混合物は、ウェーハ上に銅成分
を蒸着するため、プロセスチャンバ２に通される。未反
応銅前駆物質、反応した銅前駆物質副生物および不活性
キャリヤガスは、廃棄ガスがフォアライン（fore-line)
４および真空ポンプ６を通って排気ライン８に流入する
とき、真空プロセスチャンバ２を出る。
の一実施形態を説明する。最初に図１を参照すると、こ
こには、低圧（真空）金属・有機化学気相成長プロセス
に使用するための、単一または複数のウェーハを収容す
る真空プロセスチャンバ２が示されている。使用に際
し、例えば、Cu(hfac)(vtms)のような銅前駆物質と不活
性キャリヤガスとのガス混合物は、ウェーハ上に銅成分
を蒸着するため、プロセスチャンバ２に通される。未反
応銅前駆物質、反応した銅前駆物質副生物および不活性
キャリヤガスは、廃棄ガスがフォアライン（fore-line)
４および真空ポンプ６を通って排気ライン８に流入する
とき、真空プロセスチャンバ２を出る。
【０００８】ここで図２および図３を参照すると、これ
らの図面には、金属・有機蒸着プロセスに使用後にあら
ゆる未反応金属・有機ガスの金属成分を除去するための
本発明による装置１０が示されている。装置１０は、フ
ォアライン４内すなわち真空ポンプ６の前に挿入され、
かつ例えばステンレス鋼で作られた主本体１２を有して
いる。該主本体１２は、入口１４と、これから間隔を隔
てた出口１６とを有している。図示のように、主本体１
２、入口１４および出口１６の各々は円形の断面形状を
有し、入口１４と出口１６とは隣接して配置されてい
る。細長い中空チューブの形態をなす要素１８が、主本
体１２内でその長手方向軸線に沿って、主本体１２と同
心状に取り付けられている。要素１８の断面形状は、主
本体１２の断面形状よりかなり小さい。管状要素１８
は、例えばステンレス鋼で作られる。管状要素１８内に
は、該要素１８の温度を制御するためのヒータ１９の形
態をなす手段（図示せず）が配置される。要素１８に
は、該要素１８に対して平行に配置された複数の短ベー
ン２２が取り付けられており、１つ以上の長ベーン２４
も要素１８に対して平行に配置されている。ベーン２
２、２４は、例えばステンレス鋼のような金属材料で作
られ、かつこれらのベーンの長さに沿う全ての点で主本
体１２の内面に接触するように管状要素１８から半径方
向に配置される寸法的構成を有している。管状要素１８
には、例えばステンレス鋼で作られた１つ以上の板２８
も取り付けられている。図示のように、板２８は、入口
１４および出口１６に隣接して、１つの短ベーン２２お
よび１つの長ベーン２４に取り付けられている。図示の
ように、短ベーン２２および長ベーン２４は、短ベーン
と長ベーンとが管状要素１８の回りで交互に配置された
構成を有している。
らの図面には、金属・有機蒸着プロセスに使用後にあら
ゆる未反応金属・有機ガスの金属成分を除去するための
本発明による装置１０が示されている。装置１０は、フ
ォアライン４内すなわち真空ポンプ６の前に挿入され、
かつ例えばステンレス鋼で作られた主本体１２を有して
いる。該主本体１２は、入口１４と、これから間隔を隔
てた出口１６とを有している。図示のように、主本体１
２、入口１４および出口１６の各々は円形の断面形状を
有し、入口１４と出口１６とは隣接して配置されてい
る。細長い中空チューブの形態をなす要素１８が、主本
体１２内でその長手方向軸線に沿って、主本体１２と同
心状に取り付けられている。要素１８の断面形状は、主
本体１２の断面形状よりかなり小さい。管状要素１８
は、例えばステンレス鋼で作られる。管状要素１８内に
は、該要素１８の温度を制御するためのヒータ１９の形
態をなす手段（図示せず）が配置される。要素１８に
は、該要素１８に対して平行に配置された複数の短ベー
ン２２が取り付けられており、１つ以上の長ベーン２４
も要素１８に対して平行に配置されている。ベーン２
２、２４は、例えばステンレス鋼のような金属材料で作
られ、かつこれらのベーンの長さに沿う全ての点で主本
体１２の内面に接触するように管状要素１８から半径方
向に配置される寸法的構成を有している。管状要素１８
には、例えばステンレス鋼で作られた１つ以上の板２８
も取り付けられている。図示のように、板２８は、入口
１４および出口１６に隣接して、１つの短ベーン２２お
よび１つの長ベーン２４に取り付けられている。図示の
ように、短ベーン２２および長ベーン２４は、短ベーン
と長ベーンとが管状要素１８の回りで交互に配置された
構成を有している。
【０００９】主本体１２の各端部に設けられたそれぞれ
の端板２６には、管状要素１８の内部へのヒータ１９の
挿入を可能にするアクセス開口２０が設けられている。
各端板２６は、例えばステンレス鋼のような金属材料で
作られている。また、図４から、両ベーン２２、２４
は、管状要素１８の外面および主本体１２の内面と協働
して複数のチャンネル３０、３４、３８、４２を形成し
ており、これらのチャンネルは、入口１４と出口１６と
の間の廃棄ガスの流れのための曲がりくねった流路を形
成すべく相互連通している。使用に際し、装置１０は、
真空フォアライン４の所定位置に、フランジ（図示せ
ず）を介して着脱可能に取り付けられる。次に、管状要
素１８の内部に配置されたヒータ１９が付勢される。管
状要素１８は、ベーン２２、２４および板２８と一緒に
温度制御され、装置１０を通って流れる廃棄ガスから、
単一または数種類の金属成分が蒸着できる温度調節可能
な反応表面を形成する。単一または数種類の金属成分は
最初はベーン２２、２４の根元部に蒸着され、従って、
フォアライン４を通る廃棄ガスの流れに殆ど抵抗を及ぼ
さない。装置１０の作動中の全ての時点で、主本体１２
の温度は大気温度、すなわち、管状要素１８およびベー
ン２２、２４に比べて比較的低い温度に維持される。上
記実施形態で説明したベーン２２、２４の特定形態は、
入口１４と出口１６との間に長い流路を形成し、このた
め廃棄ガスがかなり長い滞留時間を有し、廃棄ガスの金
属成分の蒸着を増進させる。上記特定構造は、多量の金
属成分の蒸着を可能にする大きい内部体積を形成すると
同時に、装置１０を通る廃棄ガスの流れに対する抵抗を
最小にすることが判明している。
の端板２６には、管状要素１８の内部へのヒータ１９の
挿入を可能にするアクセス開口２０が設けられている。
各端板２６は、例えばステンレス鋼のような金属材料で
作られている。また、図４から、両ベーン２２、２４
は、管状要素１８の外面および主本体１２の内面と協働
して複数のチャンネル３０、３４、３８、４２を形成し
ており、これらのチャンネルは、入口１４と出口１６と
の間の廃棄ガスの流れのための曲がりくねった流路を形
成すべく相互連通している。使用に際し、装置１０は、
真空フォアライン４の所定位置に、フランジ（図示せ
ず）を介して着脱可能に取り付けられる。次に、管状要
素１８の内部に配置されたヒータ１９が付勢される。管
状要素１８は、ベーン２２、２４および板２８と一緒に
温度制御され、装置１０を通って流れる廃棄ガスから、
単一または数種類の金属成分が蒸着できる温度調節可能
な反応表面を形成する。単一または数種類の金属成分は
最初はベーン２２、２４の根元部に蒸着され、従って、
フォアライン４を通る廃棄ガスの流れに殆ど抵抗を及ぼ
さない。装置１０の作動中の全ての時点で、主本体１２
の温度は大気温度、すなわち、管状要素１８およびベー
ン２２、２４に比べて比較的低い温度に維持される。上
記実施形態で説明したベーン２２、２４の特定形態は、
入口１４と出口１６との間に長い流路を形成し、このた
め廃棄ガスがかなり長い滞留時間を有し、廃棄ガスの金
属成分の蒸着を増進させる。上記特定構造は、多量の金
属成分の蒸着を可能にする大きい内部体積を形成すると
同時に、装置１０を通る廃棄ガスの流れに対する抵抗を
最小にすることが判明している。
【００１０】上記実施形態では中空管状要素について説
明したが、ベーンが直接取り付けられた任意の形式また
は形状の温度制御要素を使用できることは明らかであ
る。ここで図５を参照すると、ここには、プロセス条件
に従って選択できる、装置１０内に種々の流路長さおよ
び体積を与える種々の構造のベーンが示されている。上
記実施形態は低圧金属・有機化学気相成長プロセスに関
連して説明したが、上記説明に係る装置は、他のプロセ
ス、例えば、可変温度で金属成分の除去を行なう装置１
０の中を廃棄ガスが流れる形式のプラズマ増強形化学気
相成長プロセスにも同様に有効であることは明白であ
る。
明したが、ベーンが直接取り付けられた任意の形式また
は形状の温度制御要素を使用できることは明らかであ
る。ここで図５を参照すると、ここには、プロセス条件
に従って選択できる、装置１０内に種々の流路長さおよ
び体積を与える種々の構造のベーンが示されている。上
記実施形態は低圧金属・有機化学気相成長プロセスに関
連して説明したが、上記説明に係る装置は、他のプロセ
ス、例えば、可変温度で金属成分の除去を行なう装置１
０の中を廃棄ガスが流れる形式のプラズマ増強形化学気
相成長プロセスにも同様に有効であることは明白であ
る。
【図１】低圧金属・有機蒸着プロセス用の真空プロセス
チャンバおよび補助装置を示す概略ブロック図である。
チャンバおよび補助装置を示す概略ブロック図である。
【図２】本発明による図１の真空プロセスチャンバ内の
ガスの使用後にあらゆる未反応の金属・有機ガスから金
属成分を除去する装置の一部を破断した斜視図である。
ガスの使用後にあらゆる未反応の金属・有機ガスから金
属成分を除去する装置の一部を破断した斜視図である。
【図３】図２に示した装置の細部を示す斜視図である。
【図４】未反応金属・有機ガスが図２の装置を通る流れ
を示す図面である。
を示す図面である。
【図５】図２に示した装置に使用できるベーン構造のセ
レクションを示す図面である。
レクションを示す図面である。
２ 真空プロセスチャンバ ４ フォアライン ６ 真空ポンプ １２ 主本体 １８ 管状要素 １９ ヒータ ２２ 短ベーン ２４ 長ベーン ２６ 端板 ２８ 板 ３０、３４、３８、４２ チャンネル
フロントページの続き (72)発明者 ジョン クラーク イギリス ウェスト サセックス アール エイチ19 ３ビーダブリュー イースト グリンスティード チェッカー ロード 21 (72)発明者 アリスター ワトソン イギリス スコットランド ケイワイ２ ６エヌエヌ ファイフ カークコルディー グリーン ローニングス 176 (72)発明者 パトリック ディヴィス イギリス ウェスト サセックス アール エイチ12 ５イーユー ホーシャム パー ク ファーム クローズ 31
Claims (8)
- 【請求項１】 入口および該入口から間隔を隔てた出口
を備えた主本体と、該主本体内に配置された要素と、管
状要素の外面と主本体の内面との間に延びかつ前記内面
および外面と協働して入口と出口との間に未反応金属・
有機ガス用の曲りくねった通路を設けるための１つ以上
のチャンネルを形成する１つ以上のベーンと、管状要素
の温度を制御する手段とを有することを特徴とする金属
・有機ガス蒸着プロセスでの金属・有機ガスの使用後に
あらゆる未反応金属・有機ガスから金属成分を除去する
装置。 - 【請求項２】 前記要素は中空管状要素であり、複数の
ベーンは中空管状要素に取り付けられかつ該中空管状要
素から半径方向外方に延びかつ主本体の内面と接触して
おり、前記ベーンは管状要素の長さ方向に沿って延びか
つ相互連通する複数の長手方向チャンネルを形成してい
ることを特徴とする請求項１に記載の装置。 - 【請求項３】 前記管状要素には、長手方向チャンネル
を通る未反応金属・有機ガスを主本体の長手方向に沿う
複数の通路内で案内する板が設けられていることを特徴
とする請求項２に記載の装置。 - 【請求項４】 前記管状要素の温度を制御する手段は、
管状要素内に配置される着脱可能なヒータであることを
特徴とする請求項２または３に記載の装置。 - 【請求項５】 前記ヒータは、使用時に、管状要素およ
びベーンの温度を上昇させ、主本体の温度を大気温度に
維持することを特徴とする請求項４に記載の装置。 - 【請求項６】 装置を真空ラインに取り付けるためのフ
ランジが設けられていることを特徴とする請求項１〜５
のいずれか１項に記載の装置。 - 【請求項７】 使い捨て可能であることを特徴とする請
求項１〜６のいずれか１項に記載の装置。 - 【請求項８】 添付図面に示されかつ該添付図面に関連
して説明したものと実質的に同様に構成され、配置され
かつ作動できることを特徴とする金属・有機ガス蒸着プ
ロセスでの金属・有機ガスの使用後にあらゆる未反応金
属・有機ガスから金属成分を除去する装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GBGB9812497.7A GB9812497D0 (en) | 1998-06-10 | 1998-06-10 | Metal-organic gas scrubber |
| GB9812497:7 | 1998-06-10 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000034566A true JP2000034566A (ja) | 2000-02-02 |
| JP4452345B2 JP4452345B2 (ja) | 2010-04-21 |
Family
ID=10833517
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16343699A Expired - Lifetime JP4452345B2 (ja) | 1998-06-10 | 1999-06-10 | 金属・有機ガススクラバー |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0964075B1 (ja) |
| JP (1) | JP4452345B2 (ja) |
| GB (1) | GB9812497D0 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0972291A (ja) * | 1995-09-04 | 1997-03-18 | Ulvac Japan Ltd | ドライ真空ポンプ前段用のトラップ |
| JPH1094715A (ja) * | 1996-08-08 | 1998-04-14 | Novellus Syst Inc | Ｃｖｄ、ｐｅｃｖｄまたはプラズマエッチング反応器からの排出ガスを処理する方法および装置 |
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| US6332925B1 (en) * | 1996-05-23 | 2001-12-25 | Ebara Corporation | Evacuation system |
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1998
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1999
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- 1999-06-10 EP EP19990304538 patent/EP0964075B1/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
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| GB9812497D0 (en) | 1998-08-05 |
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| EP0964075A1 (en) | 1999-12-15 |
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