FI118805B - Menetelmä ja kokoonpano kaasufaasireaktantin syöttämiseksi reaktiokammioon - Google Patents

Menetelmä ja kokoonpano kaasufaasireaktantin syöttämiseksi reaktiokammioon Download PDF

Info

Publication number
FI118805B
FI118805B FI20001166A FI20001166A FI118805B FI 118805 B FI118805 B FI 118805B FI 20001166 A FI20001166 A FI 20001166A FI 20001166 A FI20001166 A FI 20001166A FI 118805 B FI118805 B FI 118805B
Authority
FI
Finland
Prior art keywords
gas
reactant
container
tube
source
Prior art date
Application number
FI20001166A
Other languages
English (en)
Swedish (sv)
Other versions
FI20001166A (fi
Inventor
Janne Kesaelae
Original Assignee
Asm Int
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asm Int filed Critical Asm Int
Priority to FI20001166A priority Critical patent/FI118805B/fi
Priority to TW089111644A priority patent/TW524875B/zh
Priority to US09/854,706 priority patent/US6699524B2/en
Priority to JP2001145256A priority patent/JP5241982B2/ja
Publication of FI20001166A publication Critical patent/FI20001166A/fi
Priority to US10/695,269 priority patent/US20040086642A1/en
Application granted granted Critical
Publication of FI118805B publication Critical patent/FI118805B/fi

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C23C16/4481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment

Description

x 118805
MENETELMÄ JA KOKOONPANO KAASUFAASIREAKTANT1N SYÖTTÄMISEKSI REAKTIO KAMMIOON
5 Keksinnön tausta
Keksinnön ai»
Esillä oleva keksintö liittyy nestemäisten ja erityisesti kiinteiden aineiden käyttöön esi-10 asteina esim. ohutkalvojen kaasufaasiprosessoinnissa. Erityisesti keksintö koskee menetelmää ja kokoonpanoa, jossa nestemäinen tai kiinteä aine höyrystetään reaktanttiläh-teestä ja höyrystetty reaktantti syötetään kaasufaasiprosessin reaktiokammioon esimerkiksi ohutkalvon kasvattamiseksi puolijohdekomponentin alustalle.
15 Tekniikan tason kuvaus
Puolijohdekiekkojen työstämisen aikana reaktiokammioon syötetään monenlaisia kaasuja. Käytetyt kaasut ovat tyypillisesti kaasumaisessa muodossa reaktanttilähteessä. Ne ovat usein myös kaasumaisia ympäröivässä (so. normaalissa) paineessa ja lämpötilassa.
( a 20 Esimerkkeihin kuuluvat typpi, happi, vety ja ammoniakki. Joissakin tapauksissa käyte- • t » tään lähtökemikaalien kaasuja, jotka kemikaalit ovat nestemäisiä tai kiinteitä ympäröi- • · · vässä paineessa ja lämpötilassa. Näitä aineita täytyy kuumentaa, jotta tuotetaan riittävät • · kaasumäärät reaktiota varten. Joidenkin aineiden höyrynpaine on niin alhainen huoneen- • · .***. lämpötilassa, että niitä täytyy kuumentaa jopa useisiin satoihin asteisiin.
• · »·· 25 • » »··
Yleensä kiinteä esiaste on jauhemaisessa muodossa, joka mahdollisesti voi voimakkaas- ·/;*; ti hajota hienorakeisemmaksi, mikä tekee kiinteästä aineesta pölyävän jauheen. Pöly voi • ♦ : * * *: helposti kulkeutua reaktantin mukana ja pienet hiukkaset ja hienoaines voivat kulkeutua ··· diffusoitumalla. Jos hiukkaset päätyvät alustalle, ne voivat aiheuttaa ohutkalvoon pieniä • · . * · ·, 30 neulan kärjen kokoisia reikiä ja epämuodostumia, jotka voivat vaikuttaa kiekon toimin- • · • · · * . taan.
• · • «
Tavanomaisesti kiinteä esiastemateriaali on laitettu avoimiin säiliöihin, jotka ovat yhteydessä reaktiokammion kanssa. Pölyn erottamiseksi höyrystyneistä reaktanttikaasuista 2 118805 ei ole ollut taijolla mitään keinoja. Säiliöt on usein asennettu saman painekuoren sisään kuin reaktiokammio. Sen seurauksena painekuoren tai alipaineastian kokoa on täytynyt suurentaa. Lisäksi kemikaali on kosketuksissa ilman kanssa panostamisen ja huoltotoimenpiteiden aikana, mikä voi johtaa esiasteaineen kontaminoitumiseen. Kemikaalin 5 panostamisen aikana reaktiokammion alipaine rikkoutuu. Kun reaktanttilähde sijaitsee reaktorin sisällä, kemikaalia haihtuu jatkuvasti, ja ainakin osa höyrystyneestä esiasteesta poistuu ulostulokanavan kautta ja osa aineesta kerrostuu kanavan seinämiin.
Keksinnön yhteenveto 10
Esillä olevan keksinnön tarkoituksena on aikaisempien ratkaisujen haittojen poistaminen ja saada aikaan aivan uusi menetelmä ja kokoonpano kaasufaasipulssien syöttämiseksi nestemäisistä, tai erityisesti kiinteistä lähteistä kaasufäasireaktoriin.
1S Keksinnön lisäkohteena on saada aikaan uusi reaktanttilähdekokoonpano kaasufaasire-aktanttivirtauksen muodostamiseksi.
Nämä ja muut kohteet sekä niiden seuraavasta selityksestä ilmi tulevat edut tunnettuihin menetelmiin ja kokoonpanoihin nähden saavutetaan keksinnöllä kuten tämän jälkeen on . 20 kuvattuja kuten patenttivaatimuksissa on esitetty.
«»· • · · # · · • · ·
Esillä oleva keksintö perustuu siihen oivallukseen, että kaasufaasiprosessissa erotetaan •: · · · reaktanttikaasun tuottaminen kaasun käytöstä. Pohj immiltaan tätä periaatetta toteutetaan :" *: käyttämällä kahta erillistä yksikköä, nimittäin reaktanttilähdettä ja reaktiokammiota, t · · 25 jotka sijaitsevat erillisissä astioissa kukin oman painekuorensa sisäpuolella. Näin ollen • · · yksiköt voidaan tyhjentää erikseen ja yksitellen, jolloin kummankin itsenäinen toiminta :Y: ja huolto on mahdollista.
«•e • · • · *· ....: Reaktanttilähde on edullista varustaa kaasun sisäänviennillä kaasun syöttämiseksi reak- 30 tanttilähteeseen ja kaasun ulostulolla kaasumaisen reaktantin poistamiseksi. Sillä tavalla *·· ,, |. j kantajakaasua voidaan syöttää reaktanttilähteeseen, ja tarvittava kaasun virtaus reaktant- • ,...: tilähteestä reaktoriin voidaan saada aikaan höyrystynyttä reaktanttia sisältävän kantaja- • · kaasun avulla.
3 118805
Erityisen edullisen suoritusmuodon mukaisesti reaktanttilähde käsittää ensimmäisen säiliön, jossa on aukko ja joka on sijoitettu painekuoren sisäpuolelle ja jota kuumennetaan höyrystymislämpötilaan käyttämällä lämmityselimiä, jotka on asennettu painekuoren sisäpuolelle. Höyrystynyt reaktantti johdetaan säiliöstä ensimmäisen puhdistimen 5 läpi höyrystyneen reaktantin sisältämien epäpuhtauksien poistamiseksi; höyrystynyt reaktantti kerätään kaasutilaan; ja kaasufaasireaktantti syötetään kaasutilasta kaasufaasi-reaktiokammioon ensimmäisen putken kautta, joka yhdistää reaktanttilähteen ja reaktorin.
10 Edellä olevaan perustuen keksinnöllä saadaan aikaan myös uusi reaktanttilähdekokoon- pano kaasufaasireaktanttivirtauksen muodostamiseksi. Se käsittää ensimmäisen säiliön, jossa on aukko ja joka sisältää nestemäistä tai kiinteää reaktanttiainetta; toisen säiliön, jossa on kaasutiivis säiliöseinämä, joka sulkee sisäänsä ensimmäisen säiliön ja määrittää kaasuthan ensimmäisen säiliön ympärille; ainakin yhden ensimmäisen kaasusuuttimen 15 asennettuna toisen säiliön säiliöseinämään kaasun syöttämiseksi kaasutilaan; ja ainakin yhden toisen kaasusuuttimen asennettuna toisen säiliön säilöseinämään ensimmäisestä säiliöstä höyrystyneen ja kaasutilaan kerääntyneen reaktantin poistamiseksi.
Täsmällisemmin esillä olevan keksinnön mukaiselle menetelmälle on pääasiassa tun-20 nusomaista se, mikä on esitetty patenttivaatimuksen 1 tunnusmerkkiosassa.
* · * • · · “! Reaktanttilähdekokoonpanolle on tunnusomaista se, mikä on esitetty patenttivaatimuk- S · sen 37 tunnusmerkkiosassa.
· · , · · ·. 25 Esillä olevalla keksinnöllä saadaan huomattavia etuja. Keksintö mahdollistaa uuden • · ··* . * * *. reaktanttikemikaalin vaihtamisen ja lataamisen ilman reaktiokammion alipaineen rik- *· · komista. Reaktanttikemikaalin ja ilman välinen kosketus voidaan estää. Reaktanttiläh- dettä ja reaktiokammiota yhdistävän putken erillistä lämmitystä ei tarvita. Reaktantti- : * * *: kaasun vakio virtaus voidaan varmistaa. Pöly voidaan poistaa tehokkaasti reaktanttikaa- • · · ; V. 30 susta. Keksinnön moduuliperiaatetta voidaan laajentaa siten, että sallitaan useita reak- • · • · .···. tanttilähteitä, jotka on yhdistetty samaan reaktoriin.
*·· • m m m · · • ·* • · ··· • · * · ··· 4 118805
Keksintöä voidaan soveltaa lukuisiin kiinteisiin esiasteisiin, kuten metalliyhdisteet ja alkuainemetallit.
Seuraavassa keksintöä tarkastellaan lähemmin yksityiskohtaisen selityksen avulla ja 5 viitaten toimintasuoritusmuotoihin.
Lvhvt piirustusten kuvaus
Kuviossa 1 esitetään perspektiivikuvana reaktanttil ähdekokoonpano yhdistettynä reak-10 tiokammioon.
Kuviossa 2 esitetään keksinnön mukaisen reaktanttilähteen periaaterakenteen läpileik-kaussivukuva.
Kuviossa 3 esitetään perspektiivikuvana reaktanttilähteen rakenne.
Kuviossa 4 esitetään läpileikkaussivukuva kiinteän lähteen kokoonpanorakenteesta.
1S Kuvioissa Sa - Se esitetään erilaisia reaktanttisäiliön suoritusmuotoja.
KeksinnSn yksityiskohtainen kuvaus
Kuten edellä on selitetty, keksintö koskee menetelmää ja kokoonpanoa kaasufaasireak- : 20 tantin syöttämiseksi reaktanttilähteestä kaasufaasireaktiokammioon. Menetelmässä re- ·· · : aktantti, joka on nestemäinen tai kiinteä ympäröivässä lämpötilassa, höyrystetään reak- • •e •:·: tanttilähteestä höyrystymislämpötilassa; ja höyrystynyt reaktantti syötetään reak- *:**: tiokammioon. Keksinnön mukaisesti reaktanttilähde ja reaktiokammio sijaitsevat erilli- :§ ( : sissä astioissa, jotka voidaan tyhjentää toisistaan riippumatta. Edullisesti reaktanttilähde « · · 25 ja reaktiokammio on lämpöeristetty toisistaan. Tämä voidaan saada aikaan eristämällä ne aktiivisella lämpöeristeellä, joka käsittää erilliset jäähdytys-ja lämmityselimet, jotka • * V,: pitävät astioiden ulkopinnat ympäröivässä lämpötilassa ja jotka tuottavat tarvittavan • · · .. * lämmityksen astian sisällä.
• · 30 Lämmityselimet voivat käsittää putkivastuslämmityselementtejä.
• · ....: Reaktanttilähteen ja reaktiokammion kaasutilat on sovitettu olemaan yhteydessä, jotta sallitaan kaasufaasireaktantin syöttö reaktanttilähteestä reaktiokammioon. Yhteen liittä- 5 118805 vä ensimmäinen putki käsittää kuitenkin edullisesti myös ainakin yhden venttiilin, jota käytetään erottamaan ieaktanttilähteen ja reaktiokammion kaasutilat joko toisen tai molempien astioiden tyhjennyksen ja/tai huollon aikana. On myös mahdollista jäljestää inertin kaasun ventilointi putkeen estämään reaktantin virtaus reaktanttilähteestä reak-5 tiokammioon muodostamalla kaasufaasieste kaasusta, joka virtaa päinvastaiseen suuntaan kuin putkessa virtaava reaktantti.
Koska passiivista, edullisesti inerttiä kaasua syötetään reaktanttilähteeseen, reaktantti-lähdettä voidaan käyttää paineessa, joka ylittää reaktiokammion paineen. Tähän tarkoi-10 tukseen reaktanttilähde käsittää ainakin yhden sisäänviennin kaasun syöttämiseksi reaktanttilähteeseen ja ainakin yhden ulostulon kaasun poistamiseksi reaktanttilähteestä. Reaktanttilähteen ulostulo on edullisesti yhteydessä reaktiokammion kanssa.
Mahdollisesti dispergoituneiden pisaroiden tai kiinteiden hiukkasten poistamiseksi höy-15 rystetty reaktantti johdetaan puhdistimeen. Puhdistin voi käsittää puoliläpäisevän kalvon tai vastaavan suodattimen, joka kykenee oleellisesti täydellisesti poistamaan hienot ainekset, joiden koko on pienempi kuin 0,01 pm, edullisesti alle 0,005 pm.
Kuten yksityiskohtaisemmin on selitetty mukana olevien piirustusten yhteydessä, edul-20 lisen suoritusmuodon mukaisesti keksinnön mukainen menetelmä käsittää seuraavat vaiheet: # ;*; - höyrystetään reaktantti nestemäisestä tai kiinteästä reaktanttiaineesta, jota pide- ··· ;*· tään reaktanttilähteessä, joka käsittää ensimmäisen säiliön, jossa on aukko, maini-··· ·;··: tun ensimmäisen säiliön ollessa asetettu painekuoren sisäpuolelle ja ollessa kuu- *:**: 25 mennettu höyrystymislämpötilaan käyttämällä lämmityselimiä, jotka on asennettu ί***ϊ painekuoren sisäpuolelle; ··· \: - johdetaan höyrystynyt reaktantti säiliöstä ensimmäisen puhdistimen läpi höyrys tyneen reaktantin sisältämien epäpuhtauksien poistamiseksi; ♦ - kerätään höyrystynyt reaktantti kaasutilaan; ja ·«« ♦ · ···’ 30 - syötetään kaasufaasitilan kaasufaasireaktantti kaasufaasireaktiokammioon ensim- ' mäisen putken läpi.
• · · ··* ·· · Tässä suoritusmuodossa, höyrystyneen reaktantin vapauttamiseksi nestemäisestä tai ···· : ’ ·.: kiinteistä epäpuhtauksista, haihtunut reaktantti voidaan puhdistaa ensimmäisessä puh- 6 118805 distimessa ja sitten kerätä mainittuun kaasutilaan. Ensimmäinen puhdistin käsittää esim. suodattimen (minkä tahansa alla toisen suodattimen yhteydessä kuvatun kaltainen) peittäen säiliön aukon.
5 Esillä olevaa menetelmää voidaan käyttää missä tahansa kaasufaasiprosessissa mukaan lukien kemiallinen höyrystyskerrostaminen. Erityisesti se sopii atomikerroskasvatuk-seen (Atomic Layer Depositon, ALD, aikaisemmin tunnettu atomikerrosepitaksiana, Atomic Layer Epitaxy, lyhenne ALE). Kaupallisesti saatavilla olevan tekniikan tarjoaa ASM Microchemistry Oy, Espoo, Suomi, tavaramerkillä ALCVD. ALD-tekniikassa 10 reaktantit syötetään kaasufaasipulssien muodossa vuorotellen ja erikseen reaktiokammi- oon. ALD-suoritusmuotoa varten esillä olevaa menetelmää voidaan muokata keräämällä höyrystynyt reaktantti kaasutilaan, jonka kaasutilavuus on oleellisesti suurempi kuin kaasufaasipulssin tilavuus; ja syöttämällä yksi kaasufaasipulssi kerrallaan kaasutilasta kaasufaasireaktiokammioon ensimmäisen putken kautta.
15
Kaasutila, johon höyrystynyt reaktantti kerätään, voidaan muodostaa reaktanttisäiliön ympärille, esim. säiliön ja sitä ympäröivän toisen säiliön väliseen tilaan.
Kaasutilaa pidetään lämpötilassa, joka on yhtä suuri tai korkeampi kuin höyrystymis-20 lämpötila kondensoitumisen välttämiseksi. Kaasutilan kaasutilavuus on edullisesti vähintään 5 kertaa niin suuri kuin yhden kaasufaasipulssin kaasutilavuus.
* • * » · · ··· • · *: Töisen säiliön säiliöseinämä valmistetaan metallista, j oka valitaan ryhmästä ruostuma-*·· *:*·: ton teräs, titaani ja alumiini, kun taas ensimmäinen säiliö, jota seuraavassa kutsutaan *:**; 25 "ampulliksi", valmistetaan lasista.
··· • «
Oleellinen osa ensimmäisen putken, joka yhdistää reaktanttilähteen reaktiokammioon, pituudesta on painekuoren sisäpuolella. Näin ollen vähenee tai poistuu tarve lämmitys- * * elinten saamiseksi putken ympärille reaktanttihöyryjen kondensoitumisen estämiseksi.
·· » 30 ίs Toinen puhdistin voidaan sijoittaa ensimmäiseen putkeen. Toinen puhdistin käsittää * e· \.5 puhdistuselimen valittuna ryhmästä mekaaniset suodattimet, keraamiset molekyyliseulat »:· ja sähköstaattiset suodattimet, jotka kykenevät erottamaan dispergoituneet nestemäiset • · ·» • f • Il
• »I
• · 7 118805 tai kiinteä pisarat tai hiukkaset tai minimimolekyylikoon molekyylit reaktanttikaasuvir-tauksesta.
Jotta vältetään kaasun virtaus reaktanttilähteestä pulssien välillä, on mahdollista muo-5 dostaa passiivinen kaasueste, kuten edellä on mainittu. Käytännössä kaasueste voidaan muodostaa syöttämällä passiivista kaasua mainittuun ensimmäiseen putkeen toisen putken kautta, joka on liitetty ensimmäiseen putkeen liitoskohdassa, kaasutilasta syötettävien höyryfaasipulssien välisen aikavälin aikana. Passiivinen kaasu poistetaan mainitusta ensimmäisestä putkesta kolmannen putken kautta, joka on liitetty ensimmäiseen put-10 keen, jolloin mainittua kolmatta putkea pidetään lämpötilassa, joka on yhtä suuri tai korkeampi kuin höyryfaasireaktantin kondensoitumislämpötila ja se on liitetty ensimmäiseen putkeen kohdassa, joka on ylävirtaan toisesta putkesta. Siten saadaan aikaan passiivisen kaasun virtaus vastakkaiseen suuntaan kuin reaktanttikaasun virtaus.
15 Oleellinen osa toisen putken pituudesta on edullisesti sijoitettu painekuoren sisäpuolelle, jotta ei tarvita ulkoista lämmitystä.
Kolmatta putkea pidetään lämpötilassa, joka on yhtä suuri tai alempi kuin reaktiolämpö-tila. Kolmas putki käsittää avoimen kaasunvirtauskanavan sijoitettuna painekuoren sisä-20 puolelle.
. *. Kaikissa edellä olevissa suoritusmuodoissa passiivista kaasua, kuten typpeä tai argonia, . .·. käytetään kantajakaasuna höyrystyneelle kiinteälle tai nestemäiselle reaktantille. Passii- ·»· vista kaasua syötetään kaasullaan neljännen putken kautta.
25
Erityisen edullista on säädellä höyrystyneen reagenssin virtausta ja mahdollisesti passii-:***: visen kaasun virtausta ensimmäisen putken läpi venttiileillä, joiden säätelyelimet asete taan painekuoren ulkopuolelle.
• · * * · * 30 Käytännössä reaktanttilähdekokoonpano voidaan muodostaa erilliseen moduuliyksik- : köön, joka voidaan korvata vastaavalla yksiköllä, kun tarvitaan reaktanttikemikaalin uutta panosta. Tätä tarkoitusta varten edellä mainittu toinen putki on edullisesti liitetty . irrotettavasti ensimmäiseen ja neljänteen putkeen.
· · · • * • · · • ·· • · 8 118805
Yhteenvetona keksinnön mukainen reaktanttilähdekokoonpano käsittää ensimmäisen säiliön, jolla on aukko ja joka sisältää nestemäistä tai kiinteää reak-tanttiainettaja toisen säiliön, jolla on kaasutiivis säiliöseinämä, joka sulkee sisäänsä ensimmäi-S sen säiliön ja määrittää kaasutilan ensimmäisen säiliön ympärille.
Toisen säiliön säiliöseinämään on asennettu ainakin yksi kaasusuutin kaasun syöttämiseksi kaasutilaan; toisen säiliön säiliöseinämään on asennettu ainakin yksi toinen kaasusuutin ensimmäisestä säiliöstä höyrystyneen ja kaasutilaan kerääntyneen reaktantin 10 poistamiseksi. Ainakin yksi venttiili on kytketty ensimmäiseen kaasusuuttimeen kaasun virtauksen säätelemiseksi ensimmäisen kaasusuuttimen läpi kaasutilaan, ja ainakin yksi venttiini on asennettu toiseen kaasusuuttimeen säätelemään kaasunvirtausta kaasutilasta toisen kaasusuuttimen läpi.
1S Tarkasteltaessa nyt mukana olevissa piirustuksissa esitettyä suoritusmuotoa, voidaan kiinnittää huomiota siihen, että käytetään seuraavia viitenumerolta: I. Alipaineastia Γ. Venttiili 20 2. Lämmityselementit . 2*. Lämmönheijastuslaatikko **; 3. Lämmönheijastuslevy 3'. Lämmönheijastusovi 4. Kiinteän aineen lähde 25 4', Vesijäähdytys * * 5. Inerttikaasuventilointi ;[**: 6. Suodatin .·*·. 7. Kaasutila *···' 8. Sulkuventtiilit 30 9. Käyttölaite 9'. Linjaputki '·];* 10. Läpivienti II. Ampulli * . 12. Kansi *:**: 35 i3 Sintteri :***: 14. Läpivienti '·* 15. Paineenalennusventtiili f: 16. Sulkuventtiili 17. Sulkuventtiili 40 60. Reaktiokammio 9 118805
Reaktanttilähde on asennettu alipaineastiaan 1, jonka sisäosia kuumennetaan käyttämällä säteilylämmittimiä 2 ja lämpöheijastuslevyä 3. Astian painekuori on varustettu vesi-jäähdytyksellä 4 astian pinnan jäähdyttämiseksi ympäröivään lämpötilaan. Alipaineasti-assa on reaktanttilähdesäiliö, joka pystyy sisältämään riittävän määrän kemikaalia toi-S minnan mahdollistamiseksi pitkän ajan kuluessa, esim. kolme kuukautta. Reaktanttiläh-demoduulin toimintalämpotila on 20 - 400 °C.
Reaktanttisäiliö käsittää lasiampullin 11, joka estää suoran kosketuksen sen sisältämän kemikaalin ja ampullia ympäröivän terässäiliön välillä. Ampulli käsittää kotelon ja pääl-10 lyksen (kansi 12), jotka on yhdistetty yhteen kartiomaisella liitoksella, jossa on kiillotetut pinnat. Kannessa on keraaminen sintteri, jonka päätehtävä on estää astiaan syötettävän kantajakaasun virtauksen iskemästä jauhemaiseen reaktanttiin. Reaktanttilähdesäili-ön ja lasiampullin väliin on muodostettu kaasutila 7, jonka tilavuus on oleellisesti suurempi kuin yksittäisen kaasufaasipulssin tilavuus. Siten kaasutila kykenee laimentamaan 15 reaktanttipulssin pitoisuuden ja ylläpitämään kaasufaasipulssin vakiopitoisuuden.
Höyrystyneen reaktantin pulssitus lähteestä toteutetaan käyttämällä typpikaasuestettä S. Tässä tapauksessa on vain pulssitusventtiili, ja se on asennettu alipaineastian ulkopuolelle.
. .*. 20 • « · ·*· : On mahdollista liittää useita kiinteän lähteen kokoonpanoja reaktoripainekuoreen, mikä e*· :··· mahdollistaa toimimisen erilaisissa lämpötiloissa.
• ·
Alipaineastian sisäpuolella on kaupallinen suodatusyksikkö 6, jolla on sisäosa, joka kä-25 sittää keramiikasta tai teräksestä tehdyn kalvon. Suodatin voidaan puhdistaa toiminnan aikana kuumentamalla se lämpötilaan, joka ylittää käyttölämpötilan, ja pumppaamalla • · V,·’ pois höyrystynyt aine. Suodatin poistaa 99,9999999 % hiukkasista, jotka ovat suurem- ··· 5...: pia kuin 0,003 pm, toisin sanoen se kykenee pienentämään sellaisten hiukkasten pitoi- φ ·;··: suuden 9 logaritmisesti.
: : 30 ·♦·
Reaktanttilähdeampulli voidaan vaihtaa toiminnan aikana ilman, että kemikaalit ovat kosketuksissa ilman kanssa missään vaiheessa. Tämä tehdään täysmetallisten sulkuvent-tiilien 8 avulla ja putkissa olevan typpipaineen avulla. Reaktanttilähde voidaan vaihtaa ilman reaktorin alipaineen rikkomista. Tämä voidaan saada aikaan sulkemalla kaasuput- 118805 ίο ket, jotka ovat yhteydessä reaktoriin, sulkuventtiileillä ja muodostamalla inertin kaasun ventilointi reaktantti kaasun lähteestä reaktoriin päin kulkevaa virtausta vastaan. Ilmaa ei päästetä reaktiokammioon.
S Sulkuventtiilejä käytetään sulkemaan reaktanttilähde ja sulkemaan kunkin prosessoinnin jälkeen kaasuputki, joka liittää yhteen reaktanttilähteen ja reaktiokammion. Venttiilejä voidaan myös käyttää reaktanttilähteen kuumennuksen ja jäähdytyksen aikana. Korkein venttiilien rungon toimintalämpötila on esimerkiksi lähellä 500 °C:tta. Venttiilikokoon-pano rakennetaan siten, että paineilmakäyttölaite 9 asetetaan alipaineastian ulkopuolelle. 10 Venttiilin vaatima sulkuliike voidaan saada aikaan lineaarisella läpiviennillä 10. Koska venttiili valmistaan kokonaan metallista, se ei ole täysin vuototiivis. Tästä syystä venttiilin vastapuolelle on jäljestetty typpipaine, joka estää vuodot.
Piirustuksissa kuvatussa suoritusmuodossa kokoonpanon putkitus ja reaktanttilähdeastia 15 asetetaan alipaineastian painekuoren sisäpuolelle. Edullisesti putkissa on vakiotyppivir-taus ja/tai paineen vakiosäätely. Rakenne estää terveyshaitat, joita aiheutuu vuodoista ja prosessointiongelmista, jotka johtuvat ilman vuotamisesta laitteistoon.
Kuvioissa 5a - 5c esitetään reaktanttisäiliön kolme suoritusmuotoa. Ensimmäisessä suo- 20 ritusmuodossa säiliöllä 30 on keskusakseli ja rengasmainen poikkileikkaus kohtisuoraan keskusakseliin nähden. Aukko 31 muodostuu ainakin säiliön sisäpinnalle. Aukkoa peit- ( ;1· tää kalvo, edullisesti puoliläpäisevä kalvo (mukaan lukien sintterityyppinen keraaminen • · 1 : ·1: kalvo) poistaen pölyn. Siellä on kantajakaasuvirtauksen ja kantajakaasun + reaktantti- M· •; · ·: kaasuvirtauksen sisäänvienti- ja ulostulosuuttimet.
·:·: 25
Toisessa suoritusmuodossa säiliö 40 on sylinterimäinen ja sillä on aukko 41 yläpäässä.
•...: Tästä suoritusmuodosta on myös keskustelu edellä olevan toimintasuoritusmuodon yh teydessä. Kolmannessa suoritusmuodossa säiliö 50 on sylinterimäinen ja sillä on aukko *:: 51 sivuseinämillä, so. sivuseinämät on valmistettu huokoisesta aineesta, edullisesti ke- • · · ψ t 30 raamisesta sintteristä suodatustoiminnon aikaan saamiseksi.
• · · • · · • « · 1 · * · • · • · · *
»M
IM1 • 1 * · · • · · * ·

Claims (41)

118805 n
1. Menetelmä kaasufaasireaktantin syöttämiseksi reaktanttilähteestä kaasufaasireaktio-kammioon, jonka menetelmän mukaan 5. reaktantti, joka on nestemäinen tai kiinteä ympäröivässä lämpötilassa, höyryste- tään reaktanttilähteestä (11) höyry stymislämpötilassa, - höyrystetty reaktantti syötetään reaktiokammioon (60) ja - reaktanttilähde (11) ja reaktiokammio (60) sijaitsevat erillisissä astioissa, jotka voidaan tyhjentää toisistaan riippumatta, 10 tunnettu siitä, että - reaktantti höyrystetään nestemäisestä tai kiinteästä reaktanttiaineesta, jota pidetään reaktanttilähteessä (11), joka käsittää ensimmäisen säiliön, jossa on aukko, jolloin ensimmäinen säiliön on asetettu painekuoren (1) sisäpuolelle ja kuumennettu höyrystymislämpötilaan käyttämällä lämmityselimiä (2), jotka on sovitettu 15 painekuoren sisäpuolelle, - säiliöstä höyrystynyt reaktantti johdetaan ensimmäisen puhdistimen (13) läpi höyrystyneen reaktantin sisältämien epäpuhtauksien poistamiseksi, - höyrystynyt reaktantti kerätään kaasutilaan (7), ja - kaasufaasireaktantti syötetään kaasutilasta (7) kaasufaasireaktiokammioon (60) : 20 ensimmäisen putken (9’) kautta. f · • * * • •e
*!**: 2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että reaktanttilähde '" *! (11) ja reaktiokammio (60) on lämpöeristetty toisistaan. e · · • · * i ··· «•e
3. Patenttivaatimuksen 1 tai 2 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että reaktantti lähde (11) ja reaktiokammio (60) on yhdistetty ensimmäisellä putkella (9’), joka käsit- • · • · · *·*·* tää ainakin yhden venttiilin (Γ). • **· • e
··· *“*· 4. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen 1-3 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, • e· 30 että reaktanttilähde (11) ja reaktiokammio (60) on yhdistetty ensimmäisellä putkella *:**: (9’), jossa reaktantin virtaus reaktanttilähteestä reaktiokammioon estetään muodosta- * · * *! maila kaasufaasi-este kaasusta, joka virtaa vastakkaiseen suuntaan kuin reaktantin virta us putkessa. 118805
5. Patenttivaatimuksen 3 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että venttiiliä (Γ) käytetään erottamaan reaktanttilähteen (11) ja reaktiokammion (60) kaasutilat toisen tai molempien astioiden tyhjentämisen aikana.
6. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen 1-5 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että reaktanttilähdettä (11) käytetään paineessa, joka ylittää reaktiokammion (60) paineen.
7. Jonkin patenttivaatimuksen 1 - 6 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että reak-10 tanttilähde (11) käsittää ainakin yhden sisäänviennin kaasun syöttämiseksi reaktanttiläh- teeseen ja ainakin yhden ulostulon kaasun poistamiseksi reaktanttilähteestä.
8. Patenttivaatimuksen 7 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että reaktanttilähteen ulostulo on yhteydessä reaktiokammion kanssa. 15
9. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että höyrystynyt reaktantti johdetaan puhdistimeen (13) sen sisältämien dispergoituneiden nestemäisten pisaroiden tai kiinteiden hiukkasten poistamiseksi.
10. Patenttivaatimuksen 9 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että puhdistin (13) , ,·, käsittää puoliläpäisevän kalvon tai vastaavan suodattimen, joka kykenee oleellisesti • · » ··· , , *, täydellisesti poistamaan hienoainekset, joiden koko on alle 0,01 pm, edullisesti alle t 0,005 pm. • »
11. Patenttivaatimuksen 1 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että reaktantti syö- ·** : * * *: tetään reaktiokammioon (60) kaasufaasipulssien muodossa, jolloin höyrystynyt reak- ·· · tantti kerätään kaasutilaan (7), jonka kaasutilavuus on oleellisesti suurempi kuin kaasu-faasipulssin tilavuus, ja yksi kaasufaasipulssi syötetään kerrallaan kaasutilasta (7) kaa-sufaasireaktiokammioon ensimmäisen putken (9’) kautta. :·*.·. 30 * e a
·***; 12. Patenttivaatimuksen 11 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että säiliö on va- • i· . rustettu aktiivisella lämpöeristeellä (4'). ·*« • * • · M* 118805
13. Patenttivaatimuksen 12 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että höyrystynyt reaktantti puhdistetaan ensimmäisessä puhdistimessa (13) ja sitten kerätään kaasullaan (7).
14. Jonkin patenttivaatimuksen 11-13 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että ensimmäinen puhdistin käsittää mekaanisen suodattimen (13), joka peittää säiliön aukon.
15. Jonkin patenttivaatimuksen 11-14 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että 10 säiliöllä on keskusakseli ja rengasmainen poikkileikkaus kohtisuoraan keskusakseliin nähden, aukon muodostuessa ainakin säiliön sisäpinnalle.
16. Jonkin patenttivaatimuksen 11-14 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että säiliöllä on keskusakseli ja rengasmainen poikkileikkaus kohtisuoraan keskusakseliin 15 nähden, aukon muodostuessa säiliön yläpinnalle.
17. Jonkin patenttivaatimuksen 11-14 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että säiliöllä on keskusakseli ja rengasmainen poikkileikkaus kohtisuoraan keskusakseliin nähden, aukon muodostuessa säiliön sivuseinämille. 20
: 18. Jonkin patenttivaatimuksen 11-17 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että e·· : höyrystynyt reaktantti kerätään säiliötä ympäröivään kaasutilaan (7). m • ·
19. Patenttivaatimuksen 18 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että kaasutila • e · 25 muodostuu toisen säiliön ja sen ympäröimän ensimmäisen säiliön (11) välissä olevaan välitilaan (7). mm
: ** 20. Jonkin patenttivaatimuksen 11-19 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että • ·· • · * · ·· * kaasutilaa (7) pidetään lämpötilassa, joka on yhtä suuri tai korkeampi kuin höyrystymis- • 30 lämpötila. mmm m m m m mmm m m m mmm m mm m m mmm m m m m mmm 118805
21. Jonkin patenttivaatimuksen 11-20 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että kaasutilan (7) kaasutilavuus on ainakin 5 kertaa niin suuri kuin yhden kaasufaasipulssin kaasutilavuus.
22. Patenttivaatimuksen 1 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että oleellinen osa ensimmäisen putken (9’) pituudesta on painekuoren (1) sisällä.
23. Patenttivaatimuksen 1 tai patenttivaatimuksen 22 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että toinen puhdistin (6) asetetaan ensimmäiseen putkeen (9’). 10
24. Patenttivaatimuksen 23 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että toinen puhdistin (6) käsittää sellaisista mekaanisista suodattimista, keraamisista molekyyliseuloista ja sähköstaattisista suodattimista koostuvat puhdistuselimet, jotka kykenevät erottamaan dispergoituneet nestemäiset tai kiinteä pisarat tai hiukkaset tai minimimolekyylikoon 1S molekyylit reaktanttikaasuvirtauksesta.
25. Tonkin patenttivaatimuksen 1-24 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että - passiivista kaasua syötetään ensimmäiseen putkeen sellaisen toisen putken kautta, joka on liitetty ensimmäiseen putkeen liitoskohdassa, kaasutilasta syö- 20 tettävien höyryfaasipulssien välisen aikavälin aikana, siten, että muodostuu . .·. kaasufaasieste reaktanttilähteestä höyrystyneiden reaktanttien ensimmäisen . putken kautta reaktiokammioon virtausta vastaan, ja ·«* ;··· - passiivinen kaasu poistetaan ensimmäisestä putkesta kolmannen putken kaut- ·;·*· ta, joka on liitetty ensimmäiseen putkeen, jolloin kolmatta putkea pidetään 25 lämpötilassa, joka on yhtä suuri tai korkeampi kun höyryfaasireaktantin kon- : densoitumislämpötila, ja kolmas putki on liitetty ensimmäiseen putkeen koh dassa, joka on ylävirtaan toisesta putkesta. ·· • · • ·♦ ·«·
26. Patenttivaatimuksen 25 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että oleellinen osa ·*·*; 30 toisen putken pituudesta asetetaan painekuoren sisään. * · ··» • · m · «e· • · • « · • ·· • · 1 • · φ · ··» 118805
27. Patenttivaatimuksen 25 tai 26 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että ainakin osan ensimmäisen putken pituudelta toisen putken kautta syötettyä kaasua johdetaan reaktanttivirtauksen suunnan suhteen vastakkaiseen suuntaan.
28. Patenttivaatimuksen 25 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että kolmatta put kea pidetään lämpötilassa, joka on yhtä suuri tai alempi kuin reaktiolämpötila.
29. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen 25 - 28 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että kolmas putki käsittää avoimen kaasunvirtauskanavan asetettuna painekuoren 10 sisään.
30. Jonkin patenttivaatimuksen 25 - 29 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että passiivista kaasua syötetään ensimmäiseen putkeen kohdassa, joka on alavirtaan kohdasta, jossa toinen putki on liitetty ensimmäiseen putkeen, jotta saadaan aikaan passiivi- 15 sen kaasun virtaus, joka on suunnattu vastakkaiseen suuntaan kuin reaktanttivirtauksen suunta ensimmäisessä putkessa.
31. Jonkin patenttivaatimuksen 1 - 30 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että passiivista kaasua käytetään kantajakaasuna höyrystyneelle kiinteälle tai nestemäiselle 20 reaktantille. • · · • · · • •a .
.·. 32. Patenttivaatimuksen 31 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että passiivista ***** kaasua syötetään kaasutilaan neljännen putken kautta. * · ·***· 25
33. Jonkin patenttivaatimuksen 1-32 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että ·1 2 3 höyrystyneen reagenssin ja mahdollisesti passiivisen kaasun virtausta ensimmäisen putken läpi säädellään venttiileillä, joiden säätelyelimet on asetettu painekuoren ulkopuo- i'·.. lelle. *** • · • · • t» !1.·. 30
34. Patenttivaatimuksen 19 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että toinen säiliö • · • 1" · on liitetty irrotettavasti ensimmäiseen ja neljänteen putkeen. • · · · • « · • «· 2 • · • · · • · • · 3 16 1 1 8805
35. Patenttivaatimuksen 1 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että lämmityseli-met (2) käsittävät putkimaiset vastuslämmityselementit
36. Jonkin patenttivaatimuksen 1-35 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että 5 lämmityselimet asennetaan lähelle painekuorta (1).
37. Reaktanttilähdekokoonpano kaasufaasireaktanttivirtauksen luomiseksi, joka reak-tanttilähdekokoonpano on tarkoitettu käytettäväksi jonkin patenttivaatimuksen 1-36 mukaisen menetelmä toteuttamiseksi, tunnettu siitä, että se käsittää yhdistelmänä 10. ensimmäisen säiliön (11), jossa on aukko ja joka sisältää nestemäistä tai kiin teää reaktanttiainetta, - toisen säiliön, jolla on kaasutiivis säiliöseinämä, joka sulkee sisäänsä ensimmäisen säiliön ja määrittää kaasutilan (7) ensimmäisen säiliön (11) ympärille, - ainakin yhden kaasusuuttimen asennettuna toisen säiliön säiliönseinämään 15 kaasun syöttämiseksi kaasuillaan, ja - ainakin yhden toisen kaasusuuttimen asennettuna toisen säiliön säiliönseinä-mään ensimmäisestä säiliöstä höyrystyneen ja kaasuillaan kerääntyneen reak-tantin poistamiseksi.
38. Patenttivaatimuksen 37 mukainen reaktanttilähdekokoonpano, tunnettu siitä, . .*. että se käsittää edelleen ainakin yhden venttiilin (16) säätelemään kaasunvirtausta kaa- aaa . sutilaan ensimmäisen kaasusuuttimen läpi ja ainakin yhden venttiilin (17) säätelemään aaa kaasunvirtausta kaasutilasta toisen kaasusuuttimen läpi.
39. Patenttivaatimuksen 37 tai 38 mukainen reaktanttilähdekokoonpano, tunnettu • •a siitä, että toisen säiliön säiliöseinämä valmistetaan metallista, joka on ruostumaton teräs, aaa titaani tai alumiini. aa • a • aa • aaa
40. Jonkin patenttivaatimuksen 37 - 39 mukainen reaktanttilähdekokoonpano, t u n - ·*·*· 30 n e 11 u siitä, että ensimmäinen säiliö (11) on valmistettu lasista. • · ··· • a a
· ··· .♦* : 41. Jonkin patenttivaatimuksen 37 - 40 mukainen reaktanttilähdekokoonpano, t u n - #a #a • a· a a a a aaa 17 1 1 8805 n e 11 u siitä, että ensimmäisen säiliön aukko peitetään mekaanisella suodattimena (13) nestemäisestä tai kiinteästä aineesta höyrystyneen kaasun sisältämien epäpuhtauksien poistamiseksi. • · · • · · • · · • · · • 1 · • · * • · • · • · · • · • · · · • · · • · • · ΜΦ • · • · • · · • 1 · • · • Φ 1 • · · • · 1 • · • · * 1 · • · • · * · · • · * · « · · • · · · • · • · • · · 118805
FI20001166A 2000-05-15 2000-05-15 Menetelmä ja kokoonpano kaasufaasireaktantin syöttämiseksi reaktiokammioon FI118805B (fi)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI20001166A FI118805B (fi) 2000-05-15 2000-05-15 Menetelmä ja kokoonpano kaasufaasireaktantin syöttämiseksi reaktiokammioon
TW089111644A TW524875B (en) 2000-05-15 2000-06-14 Method and apparatus for feeding gas phase reactant into a reaction chamber
US09/854,706 US6699524B2 (en) 2000-05-15 2001-05-14 Method and apparatus for feeding gas phase reactant into a reaction chamber
JP2001145256A JP5241982B2 (ja) 2000-05-15 2001-05-15 気相反応物を反応室内へ供給するための方法および装置
US10/695,269 US20040086642A1 (en) 2000-05-15 2003-10-28 Method and apparatus for feeding gas phase reactant into a reaction chamber

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI20001166 2000-04-15
FI20001166A FI118805B (fi) 2000-05-15 2000-05-15 Menetelmä ja kokoonpano kaasufaasireaktantin syöttämiseksi reaktiokammioon

Publications (2)

Publication Number Publication Date
FI20001166A FI20001166A (fi) 2001-11-16
FI118805B true FI118805B (fi) 2008-03-31

Family

ID=8558400

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FI20001166A FI118805B (fi) 2000-05-15 2000-05-15 Menetelmä ja kokoonpano kaasufaasireaktantin syöttämiseksi reaktiokammioon

Country Status (4)

Country Link
US (2) US6699524B2 (fi)
JP (1) JP5241982B2 (fi)
FI (1) FI118805B (fi)
TW (1) TW524875B (fi)

Families Citing this family (87)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6765178B2 (en) 2000-12-29 2004-07-20 Applied Materials, Inc. Chamber for uniform substrate heating
US6825447B2 (en) 2000-12-29 2004-11-30 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for uniform substrate heating and contaminate collection
US6878206B2 (en) 2001-07-16 2005-04-12 Applied Materials, Inc. Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques
US6660126B2 (en) 2001-03-02 2003-12-09 Applied Materials, Inc. Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques
TW539822B (en) * 2001-07-03 2003-07-01 Asm Inc Source chemical container assembly
US20030198754A1 (en) * 2001-07-16 2003-10-23 Ming Xi Aluminum oxide chamber and process
US8110489B2 (en) 2001-07-25 2012-02-07 Applied Materials, Inc. Process for forming cobalt-containing materials
US9051641B2 (en) 2001-07-25 2015-06-09 Applied Materials, Inc. Cobalt deposition on barrier surfaces
US20090004850A1 (en) 2001-07-25 2009-01-01 Seshadri Ganguli Process for forming cobalt and cobalt silicide materials in tungsten contact applications
US7085616B2 (en) 2001-07-27 2006-08-01 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition apparatus
US6718126B2 (en) 2001-09-14 2004-04-06 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for vaporizing solid precursor for CVD or atomic layer deposition
US6916398B2 (en) 2001-10-26 2005-07-12 Applied Materials, Inc. Gas delivery apparatus and method for atomic layer deposition
US7780785B2 (en) 2001-10-26 2010-08-24 Applied Materials, Inc. Gas delivery apparatus for atomic layer deposition
US7204886B2 (en) * 2002-11-14 2007-04-17 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for hybrid chemical processing
US6773507B2 (en) 2001-12-06 2004-08-10 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for fast-cycle atomic layer deposition
US6729824B2 (en) 2001-12-14 2004-05-04 Applied Materials, Inc. Dual robot processing system
US7175713B2 (en) 2002-01-25 2007-02-13 Applied Materials, Inc. Apparatus for cyclical deposition of thin films
US6866746B2 (en) * 2002-01-26 2005-03-15 Applied Materials, Inc. Clamshell and small volume chamber with fixed substrate support
US6911391B2 (en) 2002-01-26 2005-06-28 Applied Materials, Inc. Integration of titanium and titanium nitride layers
US6998014B2 (en) 2002-01-26 2006-02-14 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for plasma assisted deposition
US6972267B2 (en) 2002-03-04 2005-12-06 Applied Materials, Inc. Sequential deposition of tantalum nitride using a tantalum-containing precursor and a nitrogen-containing precursor
US7601225B2 (en) 2002-06-17 2009-10-13 Asm International N.V. System for controlling the sublimation of reactants
US6955211B2 (en) 2002-07-17 2005-10-18 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for gas temperature control in a semiconductor processing system
US7186385B2 (en) * 2002-07-17 2007-03-06 Applied Materials, Inc. Apparatus for providing gas to a processing chamber
US7066194B2 (en) 2002-07-19 2006-06-27 Applied Materials, Inc. Valve design and configuration for fast delivery system
US6772072B2 (en) 2002-07-22 2004-08-03 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for monitoring solid precursor delivery
US6936086B2 (en) * 2002-09-11 2005-08-30 Planar Systems, Inc. High conductivity particle filter
US6821563B2 (en) * 2002-10-02 2004-11-23 Applied Materials, Inc. Gas distribution system for cyclical layer deposition
US20040069227A1 (en) 2002-10-09 2004-04-15 Applied Materials, Inc. Processing chamber configured for uniform gas flow
US6905737B2 (en) 2002-10-11 2005-06-14 Applied Materials, Inc. Method of delivering activated species for rapid cyclical deposition
US6868859B2 (en) * 2003-01-29 2005-03-22 Applied Materials, Inc. Rotary gas valve for pulsing a gas
US6994319B2 (en) * 2003-01-29 2006-02-07 Applied Materials, Inc. Membrane gas valve for pulsing a gas
US7198820B2 (en) * 2003-02-06 2007-04-03 Planar Systems, Inc. Deposition of carbon- and transition metal-containing thin films
US20040177813A1 (en) 2003-03-12 2004-09-16 Applied Materials, Inc. Substrate support lift mechanism
US7342984B1 (en) 2003-04-03 2008-03-11 Zilog, Inc. Counting clock cycles over the duration of a first character and using a remainder value to determine when to sample a bit of a second character
US20050000428A1 (en) * 2003-05-16 2005-01-06 Shero Eric J. Method and apparatus for vaporizing and delivering reactant
US8152922B2 (en) * 2003-08-29 2012-04-10 Asm America, Inc. Gas mixer and manifold assembly for ALD reactor
US20050056216A1 (en) * 2003-09-15 2005-03-17 Intel Corporation Precursor delivery system
US20050067103A1 (en) 2003-09-26 2005-03-31 Applied Materials, Inc. Interferometer endpoint monitoring device
US7156380B2 (en) * 2003-09-29 2007-01-02 Asm International, N.V. Safe liquid source containers
US20050252449A1 (en) 2004-05-12 2005-11-17 Nguyen Son T Control of gas flow and delivery to suppress the formation of particles in an MOCVD/ALD system
US8119210B2 (en) 2004-05-21 2012-02-21 Applied Materials, Inc. Formation of a silicon oxynitride layer on a high-k dielectric material
US8323754B2 (en) 2004-05-21 2012-12-04 Applied Materials, Inc. Stabilization of high-k dielectric materials
US20060019029A1 (en) * 2004-07-20 2006-01-26 Hamer Kevin T Atomic layer deposition methods and apparatus
US20060068098A1 (en) * 2004-09-27 2006-03-30 Tokyo Electron Limited Deposition of ruthenium metal layers in a thermal chemical vapor deposition process
US20060133955A1 (en) * 2004-12-17 2006-06-22 Peters David W Apparatus and method for delivering vapor phase reagent to a deposition chamber
KR100614656B1 (ko) * 2005-01-25 2006-08-22 삼성전자주식회사 밸브 어셈블리 및 이를 가지는 반도체 제조 장치, 그리고트랩을 세정하는 방법
JP5156621B2 (ja) 2005-03-17 2013-03-06 ノア プレシジョン リミテッド ライアビリティ カンパニー バブラー用温度制御装置
US7132128B2 (en) * 2005-03-31 2006-11-07 Tokyo Electron Limited Method and system for depositing material on a substrate using a solid precursor
US7566477B2 (en) * 2005-03-31 2009-07-28 Tokyo Electron Limited Method for saturating a carrier gas with precursor vapor
US7402534B2 (en) 2005-08-26 2008-07-22 Applied Materials, Inc. Pretreatment processes within a batch ALD reactor
US7464917B2 (en) 2005-10-07 2008-12-16 Appiled Materials, Inc. Ampoule splash guard apparatus
TW200737307A (en) 2005-11-04 2007-10-01 Applied Materials Inc Apparatus and process for plasma-enhanced atomic layer deposition
US8268078B2 (en) * 2006-03-16 2012-09-18 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for reducing particle contamination in a deposition system
US8951478B2 (en) * 2006-03-30 2015-02-10 Applied Materials, Inc. Ampoule with a thermally conductive coating
US7562672B2 (en) 2006-03-30 2009-07-21 Applied Materials, Inc. Chemical delivery apparatus for CVD or ALD
FI121430B (fi) * 2006-04-28 2010-11-15 Beneq Oy Kuuma lähde
US7798096B2 (en) 2006-05-05 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Plasma, UV and ion/neutral assisted ALD or CVD in a batch tool
US7601648B2 (en) 2006-07-31 2009-10-13 Applied Materials, Inc. Method for fabricating an integrated gate dielectric layer for field effect transistors
US8158526B2 (en) 2006-10-30 2012-04-17 Applied Materials, Inc. Endpoint detection for photomask etching
US7775508B2 (en) 2006-10-31 2010-08-17 Applied Materials, Inc. Ampoule for liquid draw and vapor draw with a continuous level sensor
US7833353B2 (en) * 2007-01-24 2010-11-16 Asm Japan K.K. Liquid material vaporization apparatus for semiconductor processing apparatus
US20080206987A1 (en) 2007-01-29 2008-08-28 Gelatos Avgerinos V Process for tungsten nitride deposition by a temperature controlled lid assembly
US8518484B2 (en) * 2007-01-29 2013-08-27 Praxair Technology, Inc. Bubbler apparatus and delivery method
US8297223B2 (en) * 2007-10-02 2012-10-30 Msp Corporation Method and apparatus for particle filtration and enhancing tool performance in film deposition
US20090214777A1 (en) * 2008-02-22 2009-08-27 Demetrius Sarigiannis Multiple ampoule delivery systems
US8343583B2 (en) 2008-07-10 2013-01-01 Asm International N.V. Method for vaporizing non-gaseous precursor in a fluidized bed
US8146896B2 (en) 2008-10-31 2012-04-03 Applied Materials, Inc. Chemical precursor ampoule for vapor deposition processes
US8012876B2 (en) 2008-12-02 2011-09-06 Asm International N.V. Delivery of vapor precursor from solid source
US8151814B2 (en) * 2009-01-13 2012-04-10 Asm Japan K.K. Method for controlling flow and concentration of liquid precursor
US9117773B2 (en) * 2009-08-26 2015-08-25 Asm America, Inc. High concentration water pulses for atomic layer deposition
WO2011060444A2 (en) * 2009-11-16 2011-05-19 Fei Company Gas delivery for beam processing systems
US20110256724A1 (en) * 2010-04-15 2011-10-20 Novellus Systems, Inc. Gas and liquid injection methods and apparatus
US8778204B2 (en) 2010-10-29 2014-07-15 Applied Materials, Inc. Methods for reducing photoresist interference when monitoring a target layer in a plasma process
US9790594B2 (en) 2010-12-28 2017-10-17 Asm Ip Holding B.V. Combination CVD/ALD method, source and pulse profile modification
US8524322B2 (en) 2010-12-28 2013-09-03 Asm International N.V. Combination CVD/ALD method and source
US8961804B2 (en) 2011-10-25 2015-02-24 Applied Materials, Inc. Etch rate detection for photomask etching
US8808559B2 (en) 2011-11-22 2014-08-19 Applied Materials, Inc. Etch rate detection for reflective multi-material layers etching
US8900469B2 (en) 2011-12-19 2014-12-02 Applied Materials, Inc. Etch rate detection for anti-reflective coating layer and absorber layer etching
JP5824372B2 (ja) * 2012-01-25 2015-11-25 東京エレクトロン株式会社 処理装置及びプロセス状態の確認方法
US8921207B2 (en) 2012-09-24 2014-12-30 Asm Ip Holding B.V., Inc. Tin precursors for vapor deposition and deposition processes
US9805939B2 (en) 2012-10-12 2017-10-31 Applied Materials, Inc. Dual endpoint detection for advanced phase shift and binary photomasks
US8778574B2 (en) 2012-11-30 2014-07-15 Applied Materials, Inc. Method for etching EUV material layers utilized to form a photomask
US9957612B2 (en) * 2014-01-17 2018-05-01 Ceres Technologies, Inc. Delivery device, methods of manufacture thereof and articles comprising the same
EP3162914A1 (en) * 2015-11-02 2017-05-03 IMEC vzw Apparatus and method for delivering a gaseous precursor to a reaction chamber
US10927459B2 (en) 2017-10-16 2021-02-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for atomic layer deposition
JP6425850B1 (ja) * 2017-11-22 2018-11-21 日本エア・リキード株式会社 固体材料容器およびその固体材料容器に固体材料が充填されている固体材料製品

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2378476A (en) * 1943-02-11 1945-06-19 American Optical Corp Coating apparatus
US3801294A (en) * 1971-12-15 1974-04-02 Corning Glass Works Method of producing glass
SE393967B (sv) 1974-11-29 1977-05-31 Sateko Oy Forfarande och for utforande av stroleggning mellan lagren i ett virkespaket
US4167915A (en) * 1977-03-09 1979-09-18 Atomel Corporation High-pressure, high-temperature gaseous chemical apparatus
US4389973A (en) * 1980-03-18 1983-06-28 Oy Lohja Ab Apparatus for performing growth of compound thin films
FR2569207B1 (fr) * 1984-08-14 1986-11-14 Mellet Robert Procede et dispositif d'obtention d'un courant gazeux contenant un compose a l'etat de vapeur, utilisable notamment pour introduire ce compose dans un reacteur d'epitaxie
JPH0726364Y2 (ja) * 1989-06-23 1995-06-14 日本酸素株式会社 気相成長装置用の固形原料供給装置
US5803976A (en) * 1993-11-09 1998-09-08 Imperial Chemical Industries Plc Vacuum web coating
FI97730C (fi) 1994-11-28 1997-02-10 Mikrokemia Oy Laitteisto ohutkalvojen valmistamiseksi
JP3967455B2 (ja) * 1998-03-30 2007-08-29 Ｄｏｗａホールディングス株式会社 カリウム含有薄膜及びその製法
US6107634A (en) * 1998-04-30 2000-08-22 Eaton Corporation Decaborane vaporizer
US6202591B1 (en) * 1998-11-12 2001-03-20 Flex Products, Inc. Linear aperture deposition apparatus and coating process
EP1079001B1 (en) * 1999-08-20 2005-06-15 Morton International, Inc. Dual fritted bubbler
US6444038B1 (en) * 1999-12-27 2002-09-03 Morton International, Inc. Dual fritted bubbler
US6830626B1 (en) * 1999-10-22 2004-12-14 Kurt J. Lesker Company Method and apparatus for coating a substrate in a vacuum
KR20010047128A (ko) 1999-11-18 2001-06-15 이경수 액체원료 기화방법 및 그에 사용되는 장치
US20030026601A1 (en) * 2001-07-31 2003-02-06 The Arizona Board Of Regents On Behalf Of The University Of Arizona Vapor deposition and in-situ purification of organic molecules
KR101183109B1 (ko) * 2002-07-30 2012-09-24 에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드 캐리어 가스를 이용하는 승화 시스템

Also Published As

Publication number Publication date
JP2001323374A (ja) 2001-11-22
JP5241982B2 (ja) 2013-07-17
TW524875B (en) 2003-03-21
FI20001166A (fi) 2001-11-16
US6699524B2 (en) 2004-03-02
US20040086642A1 (en) 2004-05-06
US20010042523A1 (en) 2001-11-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FI118805B (fi) Menetelmä ja kokoonpano kaasufaasireaktantin syöttämiseksi reaktiokammioon
US6783590B2 (en) Method of growing a thin film onto a substrate
JP2021115573A (ja) 反応器システム用汚染物質トラップシステム
KR101480971B1 (ko) 전구체 전달 시스템
RU2540618C2 (ru) Устройство и способ для получения трисилиламина
JP2500058B2 (ja) 汚染物トラップ装置
US20050000428A1 (en) Method and apparatus for vaporizing and delivering reactant
US8986456B2 (en) Precursor delivery system
CN110551989A (zh) 用于输送前体材料的容器和方法
KR101943099B1 (ko) 전구체 전달 시스템
US11859281B2 (en) Ampoule for a semiconductor manufacturing precursor
TWI599677B (zh) CVD apparatus and CVD apparatus Treatment chamber purification method
CN101448972B (zh) 热源
KR20120082399A (ko) 제조 공정으로부터 기체 시험 샘플을 방향전환시키기 위한 장치 및 이 장치의 용도
KR20220097430A (ko) 이차원 층을 증착하기 위한 방법 및 cvd-반응기
TW202315970A (zh) 用於半導體製造前驅物的安瓿
KR100258873B1 (ko) 반도체 유기금속 화합증착장비용 벤트라인의 막힘현상 방지장치

Legal Events

Date Code Title Description
MA Patent expired