TW524875B - Method and apparatus for feeding gas phase reactant into a reaction chamber - Google Patents

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TW524875B TW089111644A TW89111644A TW524875B TW 524875 B TW524875 B TW 524875B TW 089111644 A TW089111644 A TW 089111644A TW 89111644 A TW89111644 A TW 89111644A TW 524875 B TW524875 B TW 524875B
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Janne Kesala
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Asm Microchemistry Oy
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    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C23C16/4481Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
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    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment

Description

524875 A7 B7 五、發明説明Ο ) 發明之背景 發明之範疇 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係有關使用液體,尤其是固體物質充當例如薄 膜之氣相加工之先驅者。本發明尤其係有關一種裝置及方 法,其中液體或固體物質係在一反應物源中汽化,而該汽 化反應物饌送入一氣相加工之反應室,以例如生長一薄膜 於一半導體裝置之基底上。 相關技藝之敘沭: 在加工半導體之晶片時,各種氣體被饌送入反應室中 。一般上採用之氣體在反應物源中係氣體形態。它們在周 遭(即正常)壓力及溫度下亦常爲氣體形態。它們包括氮 氣、氧氣、氫氣、及氨。在某些情形下,亦採用在周遭壓 力及溫度下爲液體或固體之化學源之氣體。這些物質或許 需加熱以產生足夠量供反應之氣體。對某些固體物質而言 ,因在室溫下之汽體壓力太低,故需加熱甚至高達攝氏數 百度。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 一般上固體先驅係以粉末狀構形,可能甚細緻,使固 體物質形成一細粉末。該細粉末易與反應物一齊傳導,而 小顆粒及粉末可經由擴散傳送。若顆粒降在基底上,它們 會在薄膜上形成小針點尺寸之孔及變形。 傳統上,固體先驅材料係置於與反應室相通之敞口容 器中,而未設置任何由汽化之反應物氣體中分離出粉末之 裝置。該容器通常是與反應室一般套置在相同的壓力殼體 -4 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 524875 A7 ______B7 五、發明説明(2 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 中。因此,壓力殼體或真空容器之尺寸需加大。此外,化 學物在承載及保養作業時與空氣相接觸,而可能會造成先 驅材料受污染。在載入化學物時,反應室之真空被中斷。 當反應物源置於反應器內時,化學物會持續的蒸發;故至 少有一些汽化之先驅會經一出口槽道排出,而一些材料會 澱積在槽壁上。 發明槪沭 本發明之一目的在於克服習知技藝之缺點,及提供一 種全新方法及裝置以饌送來自液體,或尤其是固體源之氣 相脈量進入一氣相反應室。 本發明之另一目的爲提供一種可產生一氣相反應物流 之反應物源總成。 本發明之上述及其他目的,及其與習知技藝相較之優 點將在參照下文說明而有進一步之認知。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明之觀念係源自在一氣相過程中將反應物氣體之 產物自所使用之氣體中分離出來。此觀念係藉提供兩各別 單元來實施,兩各別單元爲一反應物源及一反應室,各別 設於分開之容器中,各置於本身之壓力殼體中。因此,兩 單元可分離且各別淸空,以容許獨立作業及保養。 較佳者爲提供給反應物源一氣體入口以餵送氣體入反 應物源,及一氣體出口以抽出氣態反應物。因此,承載氣 體可餵送入反應物源中,而所需反應物源之氣體流入反應 室之流動可藉包含有已蒸發反應物之承載氣體來達成。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -5 - 524875 A7 B7 五、發明説明(3 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 根據本發明一較佳具體實施例,反應物源包含具有一 開□之第一容器,其置於一壓力殼體內,且藉套置在該壓 力殼體內之加熱裝置加熱至汽化溫度。該汽化之反應物係 由容器經一第一淨化器傳導以去除容裝在已汽化之反應物 內之不純物,該汽化反應物係收集在一氣體空間內,而氣 相反應物係藉與反應物源及反應室相連通之第一導管,由 虱體空間鶴送進入氣相反應室。 根據所述,本發明亦提供一種用以生產一氣相反應物 流之新穎反應物源總成。其包含具有一開口且容裝液體或 固體反應物物質之第一容器;具有一氣密容器壁圍繞第一 容器’及環繞第一容器界定一氣體空間之第二容器;至少 一第一氣體噴嘴套置在第二容器之容器壁內,以餵送氣體 進入氣體空間;及至少一第二氣體噴嘴套置在第二容器之 容器壁內,以將在第一容器內汽化之反應物抽出,並收集 在氣體空間內。 更具體言之,根據本發明之裝置其特點係如申請專利 範圍第1項之特徵部分所述者。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 根據本發明之裝置其特點係如申請專利範圍第1項之 特徵部分所述者。 裝置之特點係如申請專利範圍第3 8項之特徵部分所 述者。 氣相反應物流之反應物源總成之特點係如申請專利範 圍第4 5項之特徵部分所述者。 本發明提供顯著之優點。本發明可在不用中斷反應室 -6 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 524875 A7 B7 五、發明説明(4 ) 之真空下,改變及載入新的反應化學物。本發明可防止反 應化學物及空氣相接觸,亦不需對連接反應物源及反應室 之導管分別加熱,可保証反應物氣體之持續流動,粉末可 有效的自反應物氣體移除。本發明之觀念可擴大以允許複 數反應物源連接至相同的反應室。 本發明適用大數量之固體先驅,例如金屬化合物、例 如金屬鹵化物、包含金屬一碳鍵之有機金屬化合物、不包 含金屬一碳鍵、但包含碳(即thd化合物)之金屬有機化 合物、及元素金屬。 本發明將由下列說明就一較佳具體實施例詳加解說。 圖式之槪述 圖1顯示與反應室相組合之反應物源總成之立體圖; 圖2顯示依據本發明之反應物源主結構之剖視圖; 圖3顯示該反應物源結構之立體圖; 圖4顯示一固體源總成結構之片斷側視圖;及 圖5 a至5 c顯示反應物容器之各種具體實施例。 主要元件對照 J——!lltl. ~ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 真 空 容器/源頭 Γ 氣 體 出口活門 2 加 熱 元件 2, 熱 反 射盒 3 熱 反 射片 本紙張尺度適用中周國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -7 - 524875 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明 (5 ) 1 I 3, 熱 反 射 門 1 1 I 4 固 體 源 / 反 m 物 源 / 第 二 容 器 1 I 4, 水 冷卻 I 請 1 5 氣 體 入 P 活 門 先 閱 1 讀 1 I 6 cm 過 濾 器 / 第 二 淨 化 器 背 1 I 之 1 7 氣 體 空 間 注 意 1 I 事 1 8 閉 合 閥 項 再 1 9 啓 動 器 填 寫 S 本 | 9, 管 路 / 第 一 導 管 頁 、w^ 1 1 10 導 入 件 1 11 小 容 器 / 第 一 容 器 1 1 I 12 蓋 體 1 訂 13 燒 結 物 / 開 □ / 第 一 淨 化 器 1 1 14 導 入 件 1 1 15 壓 力 釋 放 閥 ! 丄 16 閉 合 閥 9 I 17 閉 合 閥 1 1 | 20 第 — 氣 嘴 1 22 第 二 氣 嘴 Ί 30 液 骨扭 或 固 體 源 化 學 物 之 空 間 1 31 燒 結 物 / 開 □ 1 1 I 40 液 體 或 固 骨拽 源 化 學 物 之 空 間 1 50 容 器 / 液 體 或 固 Η豆 源 化 學 物 之空間 1 1 51 開 □ / 燒 結 物 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -8 - 524875 A7 _________B7_ 五、發明説明(6 ) 60 反應室 62 真空容器(反應器) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 70 反應物質 8〇 第二導管 82 第三導管 曼J5之詳盡說明: 如上所述,本發明係有關一種將一反應物源中之氣相 反應物餵送入一氣相反應室之裝置及方法。在該方法中, 在周遭溫度下爲一液體或固體之反應物係在一反應物源中 在一汽化溫度下汽化,而該汽化反應物餵送入反應室內。 依據本發明,反應物源及反應室是設於可各別淸空之各別 容器中。反應物源及反應室最好是相互成熱隔絕。此可藉 爲其等提供包含分離之冷卻及加熱裝置之主動熱隔絕件使 容器外表面保持在周遭溫度下,及達成在容器內之所需加 熱而達成。 加熱裝置可包含管狀加熱器元件。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 反應物源及反應室之氣體空間係設計成相連通,以將 來自反應物源之氣相反應物餵送入反應室。惟相連通之第 一導管最好是包含至少一閥,以在一或兩容器淸空及/或 保養之際,可將反應物源及反應室之氣體空間分離。亦可 在導管內設置惰性氣體活門,藉形成與在導管中之反應物 流成相反方向流動之一氣體阻礙件,來防止反應物自反應 物源流至反應室。 -9- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 524875 Α7 Β7 五、發明説明(7 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 由於不活性的,最好是惰性氣體被餵送入反應物源, 故反應物源可在一大於反應室壓力之壓力下操作。爲了該 目的,該反應物源包含至少一入口以餵送氣體入反應物源 ,及至少一出口以自反應物源抽出氣體。該反應物源之出 口最好係與反應室相連通。 爲了去除任何散佈的液體滴或固體顆粒,汽化之反應 物被傳導至一淨化器。淨化器可包含一可半滲透之薄膜, 或可完全去除尺寸小於Ο.ΟΙμηι,最好是小於〇.〇〇5μΐΉ之細 顆粒之過濾器。 參證各附圖,根據本發明一較佳具體實施例,本發明 之方法包含下列步驟: 將保持在一反應物源中之液體或固體反應物物質內之 反應物加以汽化,該反應物源包含具有一開口之第一容器 ,該第一容器係置於一壓力殼體內,且藉套置在該壓力殼 體內之加熱裝置加熱至汽化溫度; 將來自容器之已汽化之反應物經第一淨化器傳導以去 除容裝在汽化反應物內之不純物; 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 將該汽化反應物收集在一氣體空間內;及 將來自氣體空間之氣相反應物經第一導管餵送進入氣 相反應物。 在本具體實施例中,爲了使汽化反應物由液體或固體 不純物中釋出,汽化反應物可經第一淨化器淨化,然後收 集在氣體空間內。第一淨化器包含覆蓋第一容器之開口之 過濾器(任何與下述之第二過濾器相關之種類均可)。 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X 297公釐) 524875 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α? Β7 五、發明説明(8 ) 本發明適用任何包括化學蒸汽澱積,C V D之氣相製 程。尤其特別適合原子層澱積,A L D (習知稱爲原子層 外延,簡稱ALE)。即有之商用技藝爲由芬蘭愛斯拍( Espoo)之ASM Microchemistry〇y公司所提供,商標名爲 A L C V D。在A L D技藝中,反應物係以氣相脈量之形 態輪替及各別的被餵送入反應室中。就A L D具體實施例 而言,本發明可加以修飾以適合其使用,即藉收集汽化反 應物於一氣體空間內,該氣體空間之氣體容積顯著的比氣 相脈量之體積爲大;且藉第一導管由該氣體空間每一次鶴 送一氣相脈量至氣相反應室中。 收集在氣體空間內之汽化反應物可圍繞反應物容器形 成,即介於容器及圍繞容器之第二容器之間的空間。 氣體空間係保持在等於或大於汽化溫度之溫度下,以 防反應物凝結。氣體空間之氣體容積最好是比一氣相脈量 之氣體容積大上五倍。 第二容器之容器壁係由選自不鏽鋼、鈦、及鋁之一金 屬所製成,而第一容器(下文又稱「小容器」)是由玻璃 製成。 第一容器亦可由具有一額外不反應之表面塗層之材料 所製成,以防材料腐蝕。 將反應物源及反應室相連通之第一導管之一實質長度 係容置於壓力殼體內,故不需在導管周圍設置加熱裝置來 防止反應物蒸汽之凝結。 第二淨化器可置於第一導管內,第二淨化器包含〜由 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ΜΙ . I 扯衣 Ί ... I ~~ 訂 ·* (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 524875 A7 B7 五、發明説明(9 ) (請先閱讀背面之注意事項存填寫本頁) 機械過濾器、陶瓷分子篩網、及靜電過濾器等選出之過濾 裝置,可由反應物氣流中分離出散佈的液體或固體滴或顆 粒或極小分子尺寸之分子。 爲了防止氣體在脈量之間由反應物源中流出,可如上 文述及般形成一不活性之氣體阻礙件。實務上,氣體阻礙 件之形成,可藉在由氣體空間餵入氣相脈量的間隔之間, 將不活性氣體經在一連接點處連接至第一導管之第二導管 餵入第一導管內。不活性氣體經連接至第一導管之第三導 管由第一導管內抽出。第三導管係保持在等於或大於氣相 反應物之凝結溫度之溫度下,且係在第二導管上游之一點 處連接至第一導管。因此,可獲得和反應物氣體流成相反 方向之不活性氣體流。 第二導管之一賓質長度最好是容置於壓力殻體內,以 免除外部加熱之必要。 第三導管係保持在等於或小於反應溫度之溫度下,第 三導管包含一容置於壓力殻體內之敞口氣流槽道。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在上述所有實施例中,不活性氣體如氮氣或氬充當汽 化固體或液體之承載氣體。不活性氣體經第四導管餵入氣 體空間內。 較佳者可利用閥來控制汽化試劑,或選擇性的加上不 活性氣體,通過第一導管、其中閥之調整裝置係置於壓力 殼體之外方。 實務上,反應物源總成可形成一分離之模組單元,當 需要載入新的反應化學物時,可以一相同的模組單元代替 本紙張尺度適用中國國家榇準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -12 - 524875 A7 B7 五、發明説明(1〇 ) 。爲了此目的,上述第二容器最好是以可移除方式連接至 第一及第四導管。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 綜言之,本發明之反應物源總成包含: 第一容器,具有一開口且容裝液體或固體反應物物質 ;及 第二容器,具有一氣密容器壁圍繞第一容器,及環繞 第一容器界定一氣體空間。 至少有一第一氣體噴嘴套置在第二容器之容器壁內, 以餵送氣體進入氣體空間;至少一第二氣體噴嘴套置在第 二容器之容器壁內,以將在第一容器內汽化之反應物抽出 ,並收集在氣體空間內。至少一閥連接至第一氣體噴嘴, 用以控制流通過第一氣體噴嘴進入氣體空間之氣體,及至 少一閥連接至第二氣體噴嘴,用以控制來自氣體空間流通 過第二氣體噴嘴之氣體。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 參考各附圖,反應物源設於真空容器1中,真空容器 1之內部藉輻射加熱器2及熱反射片3加熱。容器之壓力殼 體設有水冷卻4,4’以冷卻容器之表面至周遭溫度。真空 容器設有反應物源容器,反應物源容器包含足夠量之化學 物,以允許在一延展時間,例如三個月內作業。反應物源 模組之作業溫度係20至400°C。 反應物容器包含一玻璃小容器11,防止其內之化學物 與圍繞小容器之鋼容器直接接觸。小容器包含一殼體及一 蓋體12,其等藉具有打光表面之圓錐形接頭連接。蓋體有 一陶瓷燒結物,用以防止餵送入容器之承載氣體流打擊到 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 524875 A 7 B7 五、發明説明(11 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 粉末反應物。一氣體空間形成在反應物源容器及玻璃小容 器之間,氣體空間之容積比各別氣相脈量之容積大。因此 ’氣體空間可稀釋反應物脈量之濃度,.及維持氣相脈量之 固定濃度。 夾自反應物源之汽化反應物之脈衝係利用一氮氫阻礙 件5來實施。在本例中,只有一脈衝閥,且係套置於真空 容器外方。 亦可連接數個固體源總成至反應器壓力殻體,因而可 在不同壓力下作業。 在真空容器中有一商用過濾器6,其具有一內部,包 含由鋼、陶瓷、或惰性金屬製成之薄膜。該過濾器可在作 業時,藉將其加熱達超越使用溫度之一溫度,及將其泵離 .汽化物質下而潔淨之。該過濾器可去除99.9999999%之大 於0.003 μηι之顆粒。 經濟部智慧財產局8工消費合作社印製 在作業中,反應物源小容器可在任何階段中不接觸化 學物之情形下更換,此乃藉在管路中之全金屬閉合閥8及 氮氣壓力來實行。反應物源可在不中斷反應器內之真空下 加以更換。此可藉利用閉合閥來關閉與反應器相通之氣體 導管,及形成一阻擋由反應物源朝反應器流動之反應物氣 體流之惰性氣體活門而達成。空氣不會進入反應室內。 閉合閥乃用以在每次加工後閉合反應物源,及閉合將 反應物源及反應室相接之氣體導管,閥亦可在加熱及冷卻 時使用。閥之殼體之最高操作溫度係例如接近500°C。閥 總成乃構製成使氣體啓動器9乃置於真空容器外方。閥所 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) _ 14 - 524875 A7 B7 五、發明説明(12 ) 需求之封閉動作可利用一線性導入件10來達成。由於閥完 全是由金屬製成,故其完全不滲漏。爲此原因,在閥相反 側設有一氮氣壓力,以阻礙進入管路之洩漏。 在圖式所示實施例中,總成及反應物源容器之管路乃 置於真空器之壓力殻體內。最好係在管路中有一持續之氮 氣^荒’及/或不變的控制壓力。該結構防止任何洩漏造成 之健康危害’及防止任何洩漏至裝備所造成之加工問題。 圖5a-5c顯示反應物容器之三種實施例。在第一實施 例中’谷描:3 〇具有一中心軸線,及一垂直於中心軸線之環 形剖面。開口 3 1至少形成在容器之內表面上,由一薄膜覆 胃’最好是一可半滲透之薄膜(包括燒結型之陶瓷薄膜)以 移除粉末。承載氣體流及反應物氣體流均具有出口及入口 噴嘴。 在第一實施例中,容器4 0爲圓筒形,在頂端有一開口 4 1 °此實施例是在前文中已提及之工作實例。在第三實施 例中’容器5 0爲圓筒形,在側壁有一開口 5 1,即側壁爲由 透氣材料製成,最好是陶瓷燒結物,以配合過濾程序。 I,----i!f II * (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -15 -

Claims (1)

  1. 524875 A8 B8 C8 _ _ D8 六、申請專利範圍 2 6 ·根據申請專利範圍第1項之方法,其中該反應物 源係在一大於反應室壓力之壓力下加工。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 7 ·根據申請專利範圍第1項之方法,其中該反應物 源包含至少一入口以餵送氣體入反應物源,及至少一出口 以自反應物源抽出氣體。 8 .根據申請專利範圍第7項之方法,其中該反應物 源之出口係於反應室相連通。 9 ·根據申請專利範圍第1項之方法,其中該汽化之 反應物被傳導至一淨化器,以去除任何散佈其內的液體滴 或固體顆粒。 1 0 .根據申請專利範圍第1項之方法,其中該淨化 器包含一可半滲透之薄膜或相近之過濾器,以完全去除尺 寸小於0 . 0 1 // m,較佳者是小於0 · 0 0 5 // m之細 顆粒。 1 1 .根據申請專利範圍第1至1 0項中任一項之方 法,包含: 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 將保持在一反應物源中之液體或固體反應物物質內之 反應物加以汽化,該反應物源包含具有一開口之第一容器 ,該第一容器係置於一壓力殼體內,且藉套置在該壓力殻 體內之加熱裝置加熱抵汽化溫度; 將來自容器之已汽化之反應物經第一淨化器傳導以去 除容裝在汽化反應物內之不純物; 將該汽化反應物收集在一氣體空間內;及 將來自氣體空間之氣相反應物經第一導管饌送進入氣 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 524875 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 3 相反應物內。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 2 .根據申請專利範圍第1 1項之方法,其中該反 應物係以氣相脈量之形態餵送入反應室中,包含將該汽化 反應物收集在一氣體空間內,該氣體空間之氣體容積顯著 的比氣相脈量之體積爲大;及藉第一導管由該氣體空間每 次餵送一氣相脈量至氣相反應室中。 1 3 .根據申請專利範圍第1 1項之方法,其中該容 器設有活性熱隔絕。 1 4 ·根據申請專利範圍第1 1項之方法,其中該汽 化反應物係在第一淨化器內淨化,而後收集在氣體空間內 〇 1 5 ·根據申請專利範圍第1 1項之方法,其中該第 一淨化器包含一覆蓋容器開口之機械過濾器。 1 6 .根據申請專利範圍第1 1項之方法,其中該容 器具有一中心軸線,及一垂直於中心軸線之環形剖面,開 口係至少形成在容器之內表面上。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 7 ·根據申請專利範圍第1 1項之方法,其中該容 器具有一中心軸線,及一垂直於中心軸線之圓形剖面,開 口係形成在容器之頂表面上。 1 8 .根據申請專利範圍第1 1項之方法,其中該容 器具有一中心軸線,及一垂直於中心軸線之圓形剖面,開 口係形成在容器之側壁上。 1 9 .根據申請專利範圍第1 1項之方法,其中該汽 化反應物係收集在環繞容器之氣體空間內。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X:297公釐)-: - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 524875 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 4 2〇·根據申請專利範圍第1 1項之方法,其中該氣 體空間係形成在介於第一容器及圍繞第一容器之第二容器 間之空間內。 2 1 ·根據申請專利範圍第1 1項之方法,其中該氣 體空間係保持在等於或大於汽化溫度之溫度下。 2 2 ·根據申請專利範圍第1 2項之方法,其中該氣 體空間之氣體容積比一氣相脈量之氣體容積大上五倍。 2 3 ·根據申請專利範圍第1 1項之方法,其中該第 一導管之一實質長度係容置於該壓力殼體內。 . 2 4 .根據申請專利範圍第1 1項之方法,其中一第 二淨化器係容置於該第一導管內。 2 5 ·根據申請專利範圍第2 4項之方法,其中第二 淨化器包含一由機械過濾器、陶瓷分子篩網、及靜電過濾 器等選出之過濾裝置,可由反應物氣流中分離出散佈的液 體或固體滴或顆粒或極小分子尺寸之分子。 2 6 .根據申請專利範圍第1 1項之方法,其中: 在由氣體空間餵入氣相脈量的間隔之間,將不活性氣 體經在一連接點處連接至第一導管之第二導管餵入第一導 管內,以形成一氣體阻礙件,氣體阻礙件可抵制藉第一導 管將來自反應物源之汽化反應物流至反應室之流動; 不活性氣體經連接至第一導管之第三導管由第一導管 內抽出’第三導管係保持在等於或大於氣相反應物之凝結 溫度之溫度下,且係在第二導管上游之一點處連接至第一 導管。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
    524875 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 5 2 7 .根據申請專利範圍第2 6項之方法,其中第二 導管之一實質長度係容置於該壓力殼體內。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 2 8 .根據申請專利範圍第2 6項之方法,其中經第 二導管餵入之不活性氣體係和反應物流成相反方向傳導。 2 9 .根據申請專利範圍第2 6項之方法,其中第三 導管係保持在等於或低於反應溫度之一溫度。 3 0 .根據申請專利範圍第2 6項之方法,其中該第 三導管包含一容置於該壓力殻體內之敞口氣流槽道。 3 1 .根據申請專利範圍第2 6項之方法,其中該不 活性氣體係在第二導管連接至第一導管之一點之下游處之 一點餵送至第一導管內,以提供和在第一導管內之反應物 流成相反方向之不活性氣體流。 3 2 .根據申請專利範圍第1 1項之方法,其中不活 性氣體充當汽化之固體或液體反應物之承載氣體。 3 3 .根據申請專利範圍第1 1項之方法,其中不活 性氣體係由第四導管餵送至氣體空間內。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3 4 .根據申請專利範圍第1 1項之方法,其中汽化 試劑,或選擇性的加上不活性氣體通過第一導管之流動, 係由一其調整裝置係置於壓力殻體外方之閥來控制。 3 5 ·根據申請專利範圍第1 1項之方法,其中第二 容器是以可移除方式連接至第一及第四導管。 3 6 .根據申請專利範圍第1 1項之方法,其中加熱 裝置包含管狀抗阻加熱元件。 3 7 ·根據申請專利範圍第1 1項之方法,其中該加 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4現格(210X297公釐) 524875 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 6 熱裝置係緊鄰該壓力殼體套置。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 3 8 · —種將反應物源中之一氣相反應物餵送入一氣 相反應室之裝置,包含可保持在一汽化溫度下之反應物源 以汽化一液體或固體反應物,及 一反應室’其特徵爲: 反應物源4及反應室6 0包含可各別淸空之分離容器 9 反應物源4可藉配置於第一導管9 ’內的閉合閥8來 與反應室6 0相隔離;及 - 該氣相反應物經由淨化器6及1 3所選出的至少一淨 化器來傳導。 3 9 .根據申請專利範圍第3 8項之裝置,其中該反 應物源與反應室係相互成熱隔絕。 4 0 ·根據申請專利範圍第3 8項之裝置,其中該反 應物源及反應室係與包含有至少一閥之第一導管相連通。 4 1 ·根據申請專利範圍第3 8至4 0項中任一項之 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 裝置,其中該反應物源及反應室係與一第一導管相連通’ 其中可藉形成一氣體的氣相障礙物來防止反應物由該反應 物源流至該反應室,該氣體係與在該導管內流動的反應物 呈相反方向流動。 4 2 ·根據申請專利範圍第4 0項之裝置,其中該閥 可用以在一或兩容器淸空之際分離反應物源及反應室之氣 體空間。 4 3 ·根據申請專利範圍第3 8至4 0項中任一項之 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210Χ:297公釐) -21 - 524875 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 7 方法,其中該反應物源包含至少一入口以餵送氣體入反應 物源,及至少一出口以自反應物源抽出氣體。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 4 ·根據申請專利範圍第4 3項之方法,其中該反 應物源之出口係與反應室相連通。 4 5 · —種用以生產一氣相反應物流之反應物源總成 ,包含: 第一容器1 1,具有一開口 1 3且容裝液體或固體反 應物物質7 0 ; 第二容器4,具有一圍繞第一容器1 1的氣密容器壁 ,及界定一環繞第一容器11的氣體空間7; 至少一第一氣體噴嘴2 0套置在第二容器4之容器壁 內,以餵送氣體進入氣體空間7 ; 至少一第二氣體噴嘴2 2套置在第二容器4之容器壁 內,以將在第一容器1 1內汽化之反應物抽出,並收集在 氣體空間7內; 一閉合閥8設置在第一導管9’內,介於第二容器4 及反應室6 0之間;及 至少一由淨化器6及淨化器1 3中選出的淨化器。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 6 .根據申請專利範圍第4 5項之反應物源總成, 另包含至少一閥用以控制流通過第一氣體噴嘴進入氣體空 間之氣體,及至少一閥用以控制來自氣體空間流通過第二 氣體噴嘴之氣體。 4 7 ·根據申請專利範圍第4 5項之反應物源總成, 其中該第二容器之容器壁係由選自不鏽鋼、鈦、及鋁之一 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2丨〇X 297公嫠) =-22- 524875 8 8 8 8 ABCD 六、申請專利範圍 8 金屬所製成。 4 8 ·根據申請專利範圍第4 5至4 7項中任一項之 反應物源總成,其中該第一容器係由玻璃所製成。 4 9 ·根據申請專利範圍第4 5至4 7項中任一項之 反應物源總成,其中該第一容器係由金屬、石墨、陶瓷材 料所製成’該容器具有一不反應之表面層。 5 〇 ·根據申請專利範圍第4 5至4 7項中任一項之 反應物源總成,其中該第一容器之開口係以一機械過濾器 覆蓋’以去除由容裝其內之液體或固體物質汽化之氣體中 之不純物。 --------II (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 綉 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 公舌 第89111644號專利申請案中文說明書(含flfffJ範圍)修正本 申請曰期 89年 6月14日 案 號 89111644 類 別 (以上各攔由本局填註)
    524875 經濟部智慧財4局S工消費合作社印製 黍靈專利説明書 - 發明 一、新型名稱 中 文 將氣相反應物餵送入反應室之方法及裝置 英 文 Method and apparatus for feeding gas phase reactant into t reaction chamber (1)珍妮·凱莎技 Kesala,Janne 姓 名 國 籍 ⑴芬蘭 ^發明, —-' 人 創作 (1)芬蘭艾斯波伊斯汀萊克十六B二十號 Eestinlaakso 16 B 20, FIN-02280 Espoo, Finland 住、居所 姓 名 (名稱) (1) ASM撤相化學股份有限公司 ASM Microchemistry Oy 國 籍 (1)芬蘭 (1)芬蘭艾斯波郵政信箱第一三二號 三、申請人 住、居所 (事務所) Ρ·0· Box 132, FIN-02631 Espoo, Finland 代表人 姓 名 (1)梅堤•伊凡斯堤Ervasti, Maui 訂 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)
    f申請專利範圍1 ~ ~ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 · 一種將反應物源中之一氣相反應物餵送入一氣相 反應室之方法,其中在周遭溫度下爲液體或固體之一反應 物係在一反應物源中在一汽化溫度下汽化,且該汽化之反 應物被餵送入反應室內,其特徵爲: 反應物源4及反應室6 0分別設置於分離的真空容器 1及6 2內,該等真空容器可各別淸空; 反應物源4及反應室60係與第一導管9’相連接, 該第一導管9 ’配置有一閉合閥8以使反應物源4及反應 室Θ 0相互隔離;及 至少一淨化器,由第一淨化器1 3及第二淨化器6選 出,在將該汽化的反應物餵送入該反應室6 0之前,自該 汽化的反應物移除散佈的液體滴或固體顆粒。 2 .根據申請專利範圍第1項之方法,其中該反應物 源及反應室係相互熱隔絕。 3 ·根據申請專利範圍第1項之方法,其中該反應物 源及反應室係藉包含至少一閥之第一導管相互連接。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 .根據申請專利範圍第1項之方法,其中該反應物 源及反應室係藉第一導管相互連接,其中反應物由反應物 源至反應室之流動係藉形成一氣體阻礙件來翻防止之,在 導管內該氣體阻礙件之流動方向和反應物之流動方向成相 反。 5 ·根據申請專利範圍第1項之方法,其中該閥係在 一或兩容器淸空時,用以分離反應物源及反應室之氣體空 間。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2i〇X297公釐)
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