FI121430B - Kuuma lähde - Google Patents

Kuuma lähde Download PDF

Info

Publication number
FI121430B
FI121430B FI20065275A FI20065275A FI121430B FI 121430 B FI121430 B FI 121430B FI 20065275 A FI20065275 A FI 20065275A FI 20065275 A FI20065275 A FI 20065275A FI 121430 B FI121430 B FI 121430B
Authority
FI
Finland
Prior art keywords
source
lid
hot
reactor
spring according
Prior art date
Application number
FI20065275A
Other languages
English (en)
Swedish (sv)
Other versions
FI20065275A (fi
FI20065275A0 (fi
Inventor
Pekka Soininen
Sami Sneck
Original Assignee
Beneq Oy
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beneq Oy filed Critical Beneq Oy
Priority to FI20065275A priority Critical patent/FI121430B/fi
Publication of FI20065275A0 publication Critical patent/FI20065275A0/fi
Priority to CN2007800187675A priority patent/CN101448972B/zh
Priority to JP2009507105A priority patent/JP5053364B2/ja
Priority to RU2008146103/02A priority patent/RU2439196C2/ru
Priority to EP07730719A priority patent/EP2013377A1/en
Priority to US12/297,342 priority patent/US20090078203A1/en
Priority to PCT/FI2007/050232 priority patent/WO2007125174A1/en
Publication of FI20065275A publication Critical patent/FI20065275A/fi
Application granted granted Critical
Publication of FI121430B publication Critical patent/FI121430B/fi

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C23C16/4485—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation without using carrier gas in contact with the source material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4402—Reduction of impurities in the source gas
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/4557—Heated nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45576—Coaxial inlets for each gas
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45578—Elongated nozzles, tubes with holes
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating
    • H05B3/78—Heating arrangements specially adapted for immersion heating

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Control Of Resistance Heating (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Description

Kuuma lähde
Keksinnön tausta
Keksintö liittyy ALD- (Atomic Layer Deposition) ja CVD-prosesseis-sa (Chemical Vapour Deposition) käytettävään kuumaan lähteeseen lähdeai-5 neen viemiseksi reaktoriin. Erityisesti keksintö liittyy patenttivaatimuksen 1 johdannon mukaiseen kuumaan lähteeseen kaasukasvatuslaitteita varten.
Tehtäessä rakenteita kaasukasvatusmenetelmillä, kuten ALD- ja muilla CVD-menetelmillä on lähdeaineet saatava kaasumaiseen muotoon ennen reaktorin reaktiotilaan syöttämistä, koska näissä prosesseissa reaktio talo pahtuu kaasufaasissa läheisessä vuorovaikutuksessa substraatin pinnan kanssa. Moniin prosesseihin ei ole olemassa sopivia NTP-olosuhteissa kaasuina olevia lähdeaineita, joten tällaisissa prosesseissa on hyödynnettävä nesteitä tai kiinteitä aineita. Koska nesteiden ja kiinteiden aineiden höyrynpaineet ovat kaasumaisten aineiden vastaaviin verrattuna alhaisia, pitää niitä usein lämmit-15 tää riittävän höyrynpaineen aikaansaamiseksi. Tämä lämmittäminen suoritetaan tyypillisesti noin 10-50%:n paineessa reaktorin systeemipaineeseen nähden, kun lähdettä käytetään niin sanotulla ylivirtausperiaatteella. Tarvittaessa lämpötila voidaan nostaa niin korkeaksi, että lähteen paine ylittää reaktorin systeemipaineen, jolloin ylikaasuvirtausta ei tarvita, vaan lähdettä voidaan 20 käyttää niin sanotusti omalla höyrynpaineella. Höyrystettyjen lähdeaineiden kondensoitumisen estämiseksi on nämä lähdeaineet pystyttävä siirtämään reaktoriin siten, että kaikki lähdeaineen kanssa kosketuksiin joutuvat laitteiston pinnat ovat joko samassa lämpötilassa tai korkeammassa lämpötilassa kuin lähdetila, jossa lähdeaine höyrystetään.
25 Tunnetun tekniikan mukaisesti kuumat lähteet on integroitu reaktio- kammion sisälle ja niihin on tehty sulut hyödyntäen ns. inerttiä kaasuventtilöin-tiä (inert gas valving). Ongelma tässä ratkaisussa on se, että haluttaessa vaihtaa substraattia on inertin kaasuventtilöinnin vaatimat sulut ja lähtöaine jäähdytettävä ennen substraatin vaihtamista. Tämä hidastaa reaktorin toimintaa, altis-30 taa lähdeaineen ei-toivotuille lämpötilanvaihteluille ja lisää kontaminaatioiden määrää korkeammasta paineesta ja huoneilmasta. Lisäksi tällaista lähdettä käytettäessä reaktorin systeemipaine ei saa koskaan laskea lähteen höyrynpaineen alapuolelle, koska silloin lähtöainetta purkautuu reaktoriin hallitsemattomasti. Edellä mainittujen seikkojen takia lähdeainetta ei myöskään voi säilyt-35 tää lähteessä pidempiä aikoja.
2
Eräs toinen tunnetun tekniikan mukainen ratkaisu kuuman lähteen asentamiseksi kaasukasvatusreaktoriin on hyödyntää venttiileillä varustettuja metallipulloja, joiden sisälle kiinteä lähdeaine asetetaan, ja joka pullo sijoitetaan venttiileineen vakuumi- tai kiertoilmauuniin, joka sijaitsi reaktorin vieressä 5 tai siihen kytkettynä. Pullosta lähtevät putket varustettiin esimerkiksi vastus-langalla edellä mainittujen kondenssi-ilmiöiden välttämiseksi. Tämä ratkaisu tarjoaa inertin tavan kiinteän lähteen asentamiseksi, mutta ylimmän mahdollisen käyttölämpötilan, noin 200 - 250 °C, määrittävät venttiilit, joiden käyttöikä lyhenee merkittävästi korkeissa lämpötiloissa. Mikäli venttiilit sijoitetaan 10 uunin ulkopuolelle, joudutaan aikaansaadaan ylimääräisiä yhteitä ja lisäksi rakenteeseen syntyy kylmäsiltoja. Tällaisia kylmäsiltoja syntyy esimerkiksi venttii-leihin, joissa on toimilaitteen kytkentöjä. Tarkoitukseen käytettävät uunit vievät myös paljon tilaa ja ovat kalliita. Uuniratkaisujen käyttö on myös hankalaa koska pullot ovat isoja ja painavia ja niiden asentaminen ja irrottaminen vaatii työ-15 kaluja . Venttiileillä varustetut metallipullot ovat myös kalliita.
Keksinnön lyhyt selostus
Keksinnön tavoitteena on siten kehittää kuuma lähde lähdeaineen viemiseksi reaktoriin siten, että yllä mainitut ongelmat saadaan ratkaistua. Keksinnön tavoite saavutetaan patenttivaatimuksen 1 tunnusmerkkiosan mu-20 kaisella kuumalla lähteellä.
Keksinnön edulliset suoritusmuodot ovat epäitsenäisten patenttivaatimusten kohteena.
Keksintö perustuu siihen, että kuuman lähteen lähdeastia muodostetaan siten, että lähdeastia, joka käsittää lähdetilan lähdeainetta varten, va-25 rustetaan lähdeastiasta irrotettavalla kannella. Kannella tarkoitetaan tässä yhteydessä mitä tahansa rakenteellista osaa, joka on irrotettavasti kiinnitettävissä lähdeastiaan. Edullisesti kansi asettuu lähdeastian päälle sulkien lähdetilan. Kansi on edelleen varustettu ensimmäisillä lämmitysvälineillä, jotka lämmittävät kantta siten, että lämpö pääsee siirtymään johtumalla kannesta siihen irro-30 tettavasti kiinnitettyyn lähdeastiaan lähdetilan ja siinä olevan lähdeaineen lämmittämiseksi. Kansi on edelleen varustettu putkituksilla sekä syöttökanaval-la, joka ulottuu kannesta reaktoriin lähdeaineen viemiseksi lähdetilasta kannen putkituksien ja syöttökanavan kautta reaktoriin. Syöttökanavaan on aikaansaatu toiset lämmitysvälineet, jotka on edullisesti sijoitettu lähdeaineen syöttö-35 kanavan sisälle. Näin aikaansaadaan rakenne, jossa kaikissa olosuhteissa on mahdollista ylläpitää nousevaa lämpötilagradienttia lähdetilan sekä reaktorin 3 välillä. Toisin sanoen esillä olevassa keksinnössä on tavoitteena aikaansaada rakenne, jossa lähdeastiaa varten on muodostettu siihen irrotettavasti kiinnitettävä lämmitettävä kansi, joka käsittää lämmitettävän syöttökanavan lähdeai-neen syöttämiseksi reaktoriin. Syöttökanava on täten kannen putkistojen väli-5 tyksellä virtausyhteydessä lähdeastian lähdetilan kanssa siten, että kannen lämmitysvälineiden ja syöttökanavan lämmitysvälineiden avulla lähdeastian ja reaktorin välille aikaansaadaan nouseva lämpötilagradientti. Lähteen toimilaitteita varten tarvitsema kansi on varustettu pintaliitosventtiileillä.
Keksinnön mukaisen menetelmän ja järjestelmän etuna on se, että 10 rakenne minimoi kylmien kohtien syntymisen, koska keksinnön mukainen lähde mahdollistaa yksinkertaisella tavalla nousevan lämpötilagradientin aikaansaamisen lähdetilan ja reaktorin välille, mikä estää lähdeaineen kondensoitumista.. Lisäksi lähdeaineen lämmittämiseen ei tarvita kalliita uuneja ja lähteen asentaminen reaktorin yhteyteen helpottuu. Lisäksi lähdeastia ja/tai lähdeaine 15 on vaihdettavissa jäähdyttämättä tai avaamatta reaktoria. Lisäksi lähteen modulaarinen rakenne mahdollistaa lähteen muuntelun kulloisenkin käytön tarpeiden mukaan, jolloin keksinnön mukaisia lähteitä voidaan liittää reaktoriin tarvittava määrä asentamalla lähteitä esimerkiksi rinnan tai sarjaan. Lisäksi lämmitettyyn kanteen aikaansaatujen pintaliitoskomponenttien avulla lähteeseen lii-20 tetyt putkistot ja venttiilit kyetään pitämään lämpötilaltaan kastepisteen yläpuolella yksinkertaisella ja luotettavalla tavalla.
Kuvioiden lyhyt selostus
Keksintöä selostetaan nyt lähemmin edullisten suoritusmuotojen yhteydessä, viitaten oheisiin piirroksiin, joista: 25 kuvio 1 esittää erään esillä olevan keksinnön mukaisen suoritus muodon kuuman lähteen poikkileikkausta; ja kuvio 2 esittää kuvion 1 kuumaa lähdettä ylhäältä päin tarkasteltuna.
Keksinnön yksityiskohtainen selostus
Viitaten kuvioon 1 on siinä esitetty poikkileikkauskuva esillä olevan 30 keksinnön mukaisen kuuman lähteen 1 eräästä suoritusmuodosta. Lähde 1 käsittää lähdeastian 2, johon on aikaansaatu lähdetila 4 lähdeainetta varten. Lähdeastia 2 on valmistettu hyvin lämpöä johtavasta materiaalista, kuten esimerkiksi alumiinista. Täten lähdeastia 2 on edullisesti massiivista materiaalia, johon lähdetila 4 on aikaansaatu työstämällä tai lähdeastia 2 voi olla valmistettu 35 valamalla. Tässä kuvion 1 mukaisessa suoritusmuodossa lähdetila 4 on sylin- 4 terimäinen tila, mutta se voi olla myös jonkin muun muotoinen tila. Lähdetila 4 on edelleen varustettu lasista tai muusta inertistä materiaalista valmistetulla kupilla tai vastaavalla astialla, jonka sisälle lähdeaine on asetettavissa. Lähde-tila 4 on edullisesti yhdeltä seinämältään avoin kuvion 1 mukaisesti. Kuviossa 5 1 tämä avoin seinämä on lähdetilan 4 yläseinämä. Tämä avoin seinämä on mahdollista varustaa myös avattavissa olevalla sululla tai venttiilimäisellä rakenteella, jonka avulla lähdetila 4 on mahdollista sulkea ja erottaa ympäristöstä. Näin lähdetila voidaan pitää suljettuna lähdeastian ollessa irrotettuna lähteestä sekä lähdeastian 2 asentamisen aikana, ja avata lähdeastian ollessa 10 asennettuna paikoilleen tai kun lähdeainetta halutaan käyttää prosessissa. Lähdeastia voi edelleen olla varustettu ikkunalla 5 tai vastaavalla rakenteella, joka mahdollistaa lähdeaineen tarkkailun lähdeastian ollessa asennettuna lähteeseen. Tällöin lähdeaineen käyttäytymistä ja riittävyyttä on mahdollista tarkkailla optisesti.
15 Lähdeastian päälle on asennettu kansi 6, joka asettuu lähdetilan 4 päälle. Kansi 6 ja lähdeastia 2 ovat edullisesti kiinnitettävissä toisiinsa pikalukituksella, kuten salparakenteella, joka mahdollistaa lähdeastian 2 irrottamisen kannesta 6 helposti ja nopeasti. Lähdetilan sulkuvälineet voidaan myös yhdistää lähdeastian 2 asentamiseen ja irrottamiseen siten, että sulkuvälineet avaa-20 vat lähdetilan 4, kun lähdeastia asennetaan paikoilleen, ja sulkevat lähdetilan uudelleen, kun lähdeastia 2 irrotetaan kannesta 6. Sulkuvälineet voivat olla venttiilimäinen rakenne tai luukkumainen rakenne tai vastaava, jonka toiminta voidaan automatisoida lähdeastian 2 kiinnittämiseen ja irrottamiseen kannesta 6, tai jonka toimintaa voidaan ohjata erillisesti. Kansi 6 on varustettu ensim-25 mäisillä lämmitysvälineillä 8 (kuvio 2), kannen 6 lämmittämiseksi. Ensimmäiset lämmitysvälineet 8 voivat olla esimerkiksi vaihdettavia lämmityspatruunoita tai lämmitysvastuksia, joita voi kannessa olla yksi tai useampia. Kansi 6 on lähdeastian 2 tavoin valmistettu edullisesti lämpöä johtavasta materiaalista, kuten ruostumattomasta teräksestä, alumiinista tai näiden seoksesta tai jostakin 30 muusta vastaavasta materiaalista. Kansi 6 ja lähdeastia 2 sekä niiden välinen kytkentä on aikaansaatu siten, että ensimmäisillä lämmitysvälineillä 8 synnytetty lämpö pääsee siirtymään johtumalla kannesta 6 lähdeastiaan 2. Tällöin lähdeastia 2 ja kansi 6 asettuvat vastakkain mahdollistaen lämmön johtumisen.
Kanteen 6 on aikaansaatu pintaliitosvälineitä ja/tai pintaliitosventtii-35 leitä 12 toimilaitteiden ja tuloyhteiden ja muiden lähteeseen asennettavien komponenttien liittämistä varten. Pintaliitosvälineet 12 on suunniteltu kestä- 5 mään korkeita lämpötiloja ja niiden kylmäsillat on minimoitu. Pintaliitostekniikan hyödyntäminen mahdollistaa pintaliitosventtiilien ja muiden pintaliitosvälineiden pitämisen lähes samassa lämpötilassa kuin kannen 6 muut osat, ja aina korkeammassa lämpötilassa kuin lähdetila 4, koska ensimmäiset lämmitysvälineet 5 8 on aikaansaatu kanteen 6. Kanteen 6 on edelleen aikaansaatu syöttövälineet lähdeaineen syöttämiseksi lähdeastian 2 lähdetilasta 4 reaktoriin (ei esitetty). Kanteen 6 on aikaansaatu putkistoja (ei esitetty), jotka ovat yhteydessä pintaliitoksista 12 sekä niihin tuoduista yhteistä ja toimilaitteista lähdeastian 2 lähdeti-laan 4 lähdeastian 2 ollessa asennettuna kanteen 6. Edelleen kansi 6 käsittää 10 putkistoja, jotka ovat yhteydessä lähdetilasta 4 syöttövälineisiin lähdeaineen viemiseksi lähdetilasta syöttövälineisiin ja sieltä edelleen reaktoriin. Kansi 6 on edullisesti massiivinen, jolloin siinä olevat edellä mainitut putkistot on aikaansaatu siihen työstämällä, kuten esimerkiksi poraamalla, tai jollakin muulla vastaavalla tavalla. Työstämällä aikaansaatuja putkistoja ei tarvitse täten lämmit-15 tää erikseen, koska niiden lämmitys on toteutettavissa kanteen 6 aikaansaatujen ensimmäisten lämmitysvälineiden 8 avulla.
Kanteen 6 asennettavissa olevat lämmitysvälineet käsittävät syöttö-kanavan 14, jota pitkin lähdeaine virtaa reaktoriin. Syöttökanavan 14 ympärille on kuvion 1 mukaisesti asennettu koaksiaalisesti lisäkanava 20 siten, että syöt-20 tökanavan 14 ja lisäkanavan 20 väliin jää rako, jota pitkin voidaan viedä inertin kaasuventtilöinnin typpikaasuvirta, jolloin se virtaa syöttökanavan 14 ja mainitun lisäkanavan 20 välissä. Syöttökanava 14 ja lisäkanava 20 on edullisesti valmistettu lasista ja niillä on ympyränmuotoinen poikkileikkaus. Tarvittaessa näitä lisäkanavia voidaan lisätä syöttökanavan 14 ympärille myös kaksi tai use-25 ampia. Syöttökanava 14 on kannen 6 putkistojen avulla virtausyhteydessä lähdeastian lähdetilaan 4, jolloin höyrystetty lähdeaine pääsee virtaamaan lähdetilasta kannen 6 putkistojen kautta syöttökanavaan 14 ja edelleen reaktoriin, typpikaasu tai jokin muu vastaava kaasu voidaan edelleen tuoda syöttökanavan 14 ja lisäkanavan 20 väliseen tilaan kanteen 6 pintaliitoksella aikaansaa-30 dun kaasuyhteen 22 avulla kanteen 6 aikaansaadun putkiston kautta. Syöttö-kanava 14 ja lisäkanava 20 on edelleen ympäröityjä tuettu osalla niiden pituutta vaipalla 24, joka ulottuu kannen 6 ja reaktorin välillä. Vaippa 24 sekä syöttö-kanava 14 ja lisäkanava 20 on asennettu kannessa 6 olevaan syvennykseen ja kiinnitetty kiinnitysvälineillä 28, kuten laipparakenteella, kanteen 6. Vaipan 35 24 reaktorin puoleinen pää on puolestaan varustettu laipalla 26 reaktoriin kiin nittämistä varten. Syöttökanava 14 sekä lisäkanava 20 ulottuvat edelleen ulos- 6 päin vaipasta 24 laipan 26 yli, jotta ne ulottuvat paikalleen asennettuna reaktorin reaktiokammioon saakka.
Höyrystetyn lähdeaineen pitämiseksi syöttökanavassa 14 riittävän korkeassa lämpötilassa kondensoitumisen välttämiseksi, on syöttökanavan si-5 sälle asennettu toiset lämmitysvälineet 16, jotka suljettu suojaputken 18 sisälle. Nämä toiset lämmitysvälineet 16 ovat edullisesti vastus, joka on sovitettu sää-tövälineillä säädettäväksi siten, että vastuksen lämpötilaa voidaan säätää kulloinkin halutuksi. Toiset lämmitysvälineet 16 voivat olla myös jonkin muunlaiset lämmitysvälineet kuin vastus. Nämä toiset lämmitysvälineet 16 lämmittävät 10 syöttökanavan 14 ja etenkin sen sisäseinämän ja siten myös syöttökanavassa 14 viilaavan lähdeaineen riittävän korkeaan lämpötilaan, tai ylläpitävät lähde-aineen lämpötilan, kondensoitumisen välttämiseksi. Toiset lämmitysvälineet 16 ulottuvat syöttökanavassa edullisesti niin pitkälle, että reaktorin lämpövaikutus kykenee ylläpitämään tarvittavan lähtöaineen lämpötilan syöttökanavassa kon-15 densoitumisen välttämiseksi. Toisten lämmitysvälineiden 16 ollessa asennettuna syöttökanavaan pääsee lähdeaine virtaamaan suojaputken 18 ja syöttö-kanavan 14 välisessä tilassa. Syöttökanava 14, lisäkanava 20 sekä suojaputki 18 on edullisesti valmistettu inertistä materiaalista, kuten lasista. Kanteen 6 on aikaansaatu kuvion 1 mukaisesti läpivienti, joka ulottuu kannen 6 toiselta puo-20 lelta syöttökanavan 14 asennuskohdasta kannen läpi sen toiselle puolelle siten, että toiset lämmitysvälineet 16 on asennettavissa syöttökanavan 14 sisälle viemällä ne läpiviennin 30 kautta kannen toiselta puolelta syöttökanavaan 14. Toisen lämmitysvälineet 16 on edelleen kiinnitettävissä kanteen 6 laipparaken-teella 32 tai jollakin muulla vastaavalla sovitelmalla.
25 Läpivienti 30 sekä kannen 6 vastakkaisilla puolilla olevat aukot vas taavasti syöttökanavan 14 asentamista varten sekä sen sisälle asennettavien lämmitysvälineiden asentamista varten mahdollistavat sen, että kaksi tai useampia keksinnön mukaisia lähteitä on mahdollista asentaa peräkkäisesti sarjaan. Tällöin esimerkiksi kuvion 1 mukaisessa suoritusmuodossa esitetyn läh-30 teen perään asetetaan toinen lähde siten, että tämän toisen lähteen syöttökanava ulottuu toisten lämmitysvälineiden sijaan esitetyn lähteen syöttökanavan sisällä reaktoriin asti. Toiset lämmitysvälineet asetetaan tällöin vastaavasti kuin kuviossa 1, mutta siten, että ne ulottuvat yhtäjaksoisesti molempien lähteiden syöttökanavien läpi niiden ollessa asennettuna toisen lähteen läpiviennin kaut-35 ta syöttökanavien sisälle. Keksinnön mukaisia kuumia lähteitä on mahdollista asentaa myös rinnan kaksi tai useampia siten, että lähteet hyödyntävät samaa 7 reaktoriin ulottuvaa syöttökanavaa. Liitettäessä useita lähteitä rinnan tai sarjaan on kaikissa tapauksissa kuitenkin käytettävä lähteissä ja syöttökanavissa sellaisia lämpötiloja, että syntyvä lämpötilagradientti on aina nouseva reaktoria kohti mentäessä. Toisin sanoen tämä toteutetaan esimerkiksi asennettaessa 5 useampia lähteitä sarjaan siten, että reaktoria lähempänä olevan lähteen lämpötila on aina korkeampi kuin etäämmällä reaktorista olevan lähteen. Näin eri lähteissä voidaan höyrystää eri lähdeaineita, joilla on eri höyrystymislämpö. Tällöin korkeamman höyrystymislämmön omaavat lähdeaineet sijoitetaan reaktoria lähinnä oleviin lähteisiin. Näin varmistetaan reaktoria kohti nouseva 10 lämpötilagradientti siten, että höyrystetyt lähdeaineet eivät kondensoidu laitteiston pinnoille matkalla reaktoriin.
Kuvion 1 mukaisesti kansi 6 voidaan edelleen varustaa suodattimel-la 34, joka on sijoittuu lähdeastian 2 ollessa asennettuna paikoilleen lähdetilan 4 yläpuolelle. Suodattimen 34 tarkoitus on estää pölyävien lähdeaineiden par-15 tikkelien kulkeutumista syöttökanavaan ja edelleen reaktoriin. Keksinnön mukainen rakenne, ja erityisesti kansi 6, voidaan edelleen varustaa ylipaineventtii-lillä, kidevedenpoistoputkistolla, pulssituksessa tyhjennettävällä varastoituneen lähdeainehöyryn välitilavuudella, sekä muilla vastaavilla tunnetuilla ominaisuuksilla.
20 Kuviossa 2 on esitetty kuvion 1 mukainen kuuma lähde ylhäältä päin tarkasteltuna. Kuvion mukaisesti kanteen 6 on sijoitettu ensimmäiset lämmitys-välineet 8, jotka on upotettu massiivisen kannen sisälle. Lisäksi kansi 6 käsittää lämpömittausvälineet 10 kannen ja/tai siihen asennetun lähdeastian lämmön mittaamiseksi. Saatujen lämmön mittausten perusteella ensimmäisiä 25 lämmitysvälineitä voidaan säätää sopivan lämpötilan aikaansaamiseksi läh-deastiaan ja lähdetilaan. Lämpömittausvälineitä 10 voidaan käyttää myös pelkästään lämpötilan tarkkailuun. Kuviosta 2 on nähtävissä myös pintaliitosväli-neet ja pintaliitosventtiilit 12 toimilaitteiden ja yhteiden asentamiseksi kanteen 6. Kannesta 6 ulottuu kuviossa oikealle lähdeaineen syöttökanava 14 ja sitä 30 ympäröivä lisäkanava 20, jotka on sijoitettu vaipan 24 sisälle. Edellä mainitut on kiinnitetty laipparakenteella 28 kanteen 6. Vaippa 24 sisältää lisäksi laipan 26 reaktorin kiinnittämistä varten. Syöttökanavaan nähden vastakkaiselle puolelle on aikaansaatu toinen laipparakenne 32, jonka avulla toiset lämmitysväli-neet on kiinnitettävissä kanteen 6, ja josta kannen 6 läpi ulottuu läpivienti syöt-35 tökanavaan.
8
Vaikka kuvioissa 1 ja 2 sekä selitetyissä ratkaisuissa kansi 6 on asennettu lähdeastian päälle, on lähteen rakenne mahdollista muodostaa myös sellaiseksi, että kansi 6 on asennettavissa lähdeastian sivulle tai jopa alle, jolloin lähdetila on ainakin osittain avoin kannen 6 suuntaa. Lähdetila voi ol-5 la avoin esimerkiksi vaakasuorassa suunnassa sivulle, jolloin kansi asennetaan lähdeastian sivulle tämän avonaisen sivun päälle. Olennaista keksinnössä on se, että lähdeastiaan on kiinnitettävissä kansi, joka on korkeammassa lämpötilassa kuin lähdeastia, ja jonka kannen kautta lähdeaine virtaa syöttökana-vaan, joka on edelleen korkeammassa lämpötilassa kuin kansi. Tällöin aikaan-10 saadaan reaktoria kohti nouseva lämpötilagradientti, joka estää lähdeaineen kondensoitumista.
Alan ammattilaiselle on ilmeistä, että tekniikan kehittyessä keksinnön perusajatus voidaan toteuttaa monin eri tavoin. Keksintö ja sen suoritusmuodot eivät siten rajoitu yllä kuvattuihin esimerkkeihin vaan ne voivat vaihdel-15 la patenttivaatimusten puitteissa.

Claims (17)

1. Kuuma lähde kaasukasvatuslaitteita varten lähdeaineen viemiseksi reaktoriin, joka lähde (1) käsittää lähdeastian (2), jossa on lähdetila (4) 5 lähdeainetta varten, sekä irrotettavasi!- lähdeastiaan (2) asennettavan kannen (6), jossa on ensimmäiset lämmitysvälineet (8) kannen (6) lämmittämiseksi siten, että lämpö siirtyy johtumalla lähdeastiaan (2) ja edelleen lähdetilaan (4) lähdeaineen lämmittämiseksi, tunnettu siitä, että kansi (6) käsittää lisäksi lähdetilaan (4) virtausyhteydessä olevan lämmitettävän syöttökanavan (14) 10 lähdeaineen viemiseksi lähdetilasta (4) reaktoriin siten, että lähdeastian (2) ja reaktorin välille on aikaansaatavissa nouseva lämpötilagradientti.
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen kuuma lähde, tunnettu siitä, että ensimmäiset lämmitysvälineet (8) käsittävät yhden tai useamman kanteen (6) vaihdettavasti asennettavissa olevan lämpöpatruunan.
3. Patenttivaatimuksen 1 mukainen kuuma lähde, tunnettu sii tä, että ensimmäiset lämmitysvälineet (8) käsittävät yhden tai useamman kanteen (6) asennetun lämmitysvastuksen.
4. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen 1 - 3 mukainen kuuma lähde, tunnettu siitä, että kansi (6) käsittää lisäksi lämpömittarin (10) kannen 20 (6) lämpötilan mittaamista ja säätämistä varten lähdeastian (2) ja lähdetilan (4) lämpötilan säätämiseksi halutuksi.
5. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen 1-4 mukainen kuuma lähde, tunnettu siitä, että kansi (6) käsittää lisäksi yhden tai useamman pin-taliitosvälineen ja/tai pintaliitosventtiilin (12) toimilaitteiden tai tuloyhteiden kyt- 25 kemiseksi lähteeseen (1).
6. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen 1 - 5 mukainen kuuma lähde, tunnettu siitä, että kansi (6) käsittää putkistoja, joiden kautta lähdeai-ne on syötettävissä lähdetilasta (4) kanteen (6) asennettuun syöttökanavaan (14) ja edelleen reaktoriin.
7. Patenttivaatimuksen 6 mukainen kuuma lähde, tunnettu sii tä, että ainakin osa kannen (6) putkistosta on aikaansaatu kanteen (6) poraamalla tai muuten työstämällä.
8. Patenttivaatimuksen 6 tai 7 mukainen kuuma lähde, tunnettu siitä, että syöttökanava (14) käsittää toiset lämmitysvälineet (16) syöttökana- 35 van (14) ja siinä viilaavan aineen lämmittämiseksi.
9. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen 6 - 8 mukainen kuuma lähde, tunnettu siitä, että syöttökanava käsittää ensimmäisen putkimaisen kanavaosan (14) lähdeaineen viemiseksi reaktoriin sekä ensimmäisen kana-vaosan (14) ympärille asennetun yhden tai useamman putkimaisen lisä- 5 kanavaosan (20) kantokaasun tai muun prosessikaasun viemistä varten.
10. Patenttivaatimuksen 8 mukainen kuuma lähde, tunnettu siitä, että toiset lämmitysvälineet (16) on muodostettu pitkänomaisiksi siten, että ne on asennettavissa syöttökanavan (14) sisälle.
11. Patenttivaatimuksen 9 tai 10 mukainen kuuma lähde, tun- 10. e 11 u siitä, että toiset lämmitysvälineet (16) on varustettu niiden päälle asetetulla suojaputkella (18).
12. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen 8-11 mukainen kuuma lähde, tunnettu siitä, että toiset lämmitysvälineet (16) on aikaansaatu säädettäviksi siten, että ensimmäisten ja toisten lämmitysvälineiden (8, 16) avulla 15 lähdeastian (2) ja reaktorin välille kannen (6) ja syöttökanavan (14) kautta aikaansaatavissa nouseva lämpötilagradientti.
13. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen 1-12 mukainen kuuma lähde, tunnettu siitä, että lähde (1) on varustettu pikalukitusvälineillä lähdeastian (2) kiinnittämiseksi ja irrottamiseksi kannesta (6).
14. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen 1-13 mukainen kuuma lähde, tunnettu siitä, että se käsittää liitäntävälineet kahden tai useamman vastaavanlaisen kuuman lähteen (1) kytkemiseksi sarjaan tai rinnan.
15. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen 1 - 14 mukainen kuuma lähde, tunnettu siitä, että lähdeastia (2) on varustettu ikkunalla tai vastaa- 25 valla läpinäkyvällä osiolla lähdeaineen määrän ja käyttäytymisen optista seuraamista varten.
16. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen 1-15 mukainen kuuma lähde, tunnettu siitä, että lähdeastia (2) on valmistettu alumiinista tai jostakin muusta hyvin lämpöä johtavasta materiaalista.
17. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen 1-16 mukainen kuuma lähde, tunnettu siitä, että kansi (6) on valmistettu alumiinista tai ruostumattoman teräksen ja alumiinin seoksesta.
FI20065275A 2006-04-28 2006-04-28 Kuuma lähde FI121430B (fi)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI20065275A FI121430B (fi) 2006-04-28 2006-04-28 Kuuma lähde
CN2007800187675A CN101448972B (zh) 2006-04-28 2007-04-26 热源
JP2009507105A JP5053364B2 (ja) 2006-04-28 2007-04-26 熱源装置
RU2008146103/02A RU2439196C2 (ru) 2006-04-28 2007-04-26 Термоисточник
EP07730719A EP2013377A1 (en) 2006-04-28 2007-04-26 Hot source
US12/297,342 US20090078203A1 (en) 2006-04-28 2007-04-26 Hot source
PCT/FI2007/050232 WO2007125174A1 (en) 2006-04-28 2007-04-26 Hot source

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI20065275 2006-04-28
FI20065275A FI121430B (fi) 2006-04-28 2006-04-28 Kuuma lähde

Publications (3)

Publication Number Publication Date
FI20065275A0 FI20065275A0 (fi) 2006-04-28
FI20065275A FI20065275A (fi) 2007-10-29
FI121430B true FI121430B (fi) 2010-11-15

Family

ID=36293869

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FI20065275A FI121430B (fi) 2006-04-28 2006-04-28 Kuuma lähde

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20090078203A1 (fi)
EP (1) EP2013377A1 (fi)
JP (1) JP5053364B2 (fi)
CN (1) CN101448972B (fi)
FI (1) FI121430B (fi)
RU (1) RU2439196C2 (fi)
WO (1) WO2007125174A1 (fi)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100282167A1 (en) * 2008-12-18 2010-11-11 Veeco Instruments Inc. Linear Deposition Source
US9598766B2 (en) 2012-05-27 2017-03-21 Air Products And Chemicals, Inc. Vessel with filter
CN114044626B (zh) * 2021-12-10 2023-05-02 中国电子科技集团公司第四十六研究所 一种基于fcvd的光纤预制棒稀土汽相掺杂方法

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6047202B2 (ja) * 1976-01-13 1985-10-21 東北大学金属材料研究所長 超硬高純度の配向多結晶質窒化珪素
JPS59156996A (ja) * 1983-02-23 1984-09-06 Koito Mfg Co Ltd 化合物結晶膜の製造方法とその装置
KR930007853B1 (ko) * 1986-12-10 1993-08-20 후지 세이끼 가부시기 가이샤 진공 증발장치
US5186120A (en) * 1989-03-22 1993-02-16 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Mixture thin film forming apparatus
US5204314A (en) * 1990-07-06 1993-04-20 Advanced Technology Materials, Inc. Method for delivering an involatile reagent in vapor form to a CVD reactor
JP2000252269A (ja) * 1992-09-21 2000-09-14 Mitsubishi Electric Corp 液体気化装置及び液体気化方法
US6051276A (en) * 1997-03-14 2000-04-18 Alpha Metals, Inc. Internally heated pyrolysis zone
JPH11236673A (ja) * 1998-02-20 1999-08-31 Mitsubishi Electric Corp 化学気相成長装置
US6210485B1 (en) * 1998-07-21 2001-04-03 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition vaporizer
US6454860B2 (en) * 1998-10-27 2002-09-24 Applied Materials, Inc. Deposition reactor having vaporizing, mixing and cleaning capabilities
US6228175B1 (en) * 1999-09-30 2001-05-08 Kent Ridgeway Apparatus for generating a wet oxygen stream for a semiconductor processing furnace
FI118805B (fi) * 2000-05-15 2008-03-31 Asm Int Menetelmä ja kokoonpano kaasufaasireaktantin syöttämiseksi reaktiokammioon
US20030111014A1 (en) * 2001-12-18 2003-06-19 Donatucci Matthew B. Vaporizer/delivery vessel for volatile/thermally sensitive solid and liquid compounds
JP3778851B2 (ja) * 2001-12-25 2006-05-24 Ｓｍｃ株式会社 ヒーター付きポペット弁
US6749906B2 (en) * 2002-04-25 2004-06-15 Eastman Kodak Company Thermal physical vapor deposition apparatus with detachable vapor source(s) and method
US7077388B2 (en) * 2002-07-19 2006-07-18 Asm America, Inc. Bubbler for substrate processing
KR100889758B1 (ko) * 2002-09-03 2009-03-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기박막 형성장치의 가열용기
JP2007500794A (ja) * 2003-05-16 2007-01-18 エスブイティー アソーシエイツ インコーポレイテッド 薄膜蒸着エバポレーター
KR20050004379A (ko) * 2003-07-02 2005-01-12 삼성전자주식회사 원자층 증착용 가스 공급 장치
US6837939B1 (en) * 2003-07-22 2005-01-04 Eastman Kodak Company Thermal physical vapor deposition source using pellets of organic material for making OLED displays
US20050022743A1 (en) * 2003-07-31 2005-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Evaporation container and vapor deposition apparatus
US7261118B2 (en) * 2003-08-19 2007-08-28 Air Products And Chemicals, Inc. Method and vessel for the delivery of precursor materials
US6924350B2 (en) * 2003-08-26 2005-08-02 General Electric Company Method of separating a polymer from a solvent

Also Published As

Publication number Publication date
FI20065275A (fi) 2007-10-29
RU2008146103A (ru) 2010-06-10
EP2013377A1 (en) 2009-01-14
FI20065275A0 (fi) 2006-04-28
RU2439196C2 (ru) 2012-01-10
JP5053364B2 (ja) 2012-10-17
CN101448972B (zh) 2011-11-16
US20090078203A1 (en) 2009-03-26
WO2007125174A1 (en) 2007-11-08
CN101448972A (zh) 2009-06-03
JP2009535502A (ja) 2009-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FI118805B (fi) Menetelmä ja kokoonpano kaasufaasireaktantin syöttämiseksi reaktiokammioon
KR100993028B1 (ko) 가스 분사 및 배출을 위한 대향 포켓을 구비하는 반응 챔버
US9777374B2 (en) Chemical vapor deposition device
US20180320266A1 (en) Chemical vapor deposition device
ES2429568T3 (es) Método para la producción de silicio policristalino granular utilizando un reactor de lecho fluidizado
EP3659175A1 (en) Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US4173944A (en) Silverplated vapor deposition chamber
US6162300A (en) Effusion cell
CN101203633B (zh) 将反应气体引入反应室的设备及应用该设备的外延反应器
EP0581496A2 (en) Molecular beam epitaxy (MBE) effusion source utilizing heaters to achieve temperature gradients
FI121430B (fi) Kuuma lähde
JP2010504434A (ja) 真空蒸着装置用の断熱クライオパネル
EP3056588B1 (en) Isothermal warm wall cvd reactor
JP2009299115A (ja) 蒸着装置
US20230304159A1 (en) Device and method for depositing thick metal nitride coatings by the supercritical fluid route
TW202227684A (zh) 用於晶體生產的改良式爐設備
US12000043B2 (en) Precursor source arrangement and atomic layer deposition apparatus
WO2020260767A1 (en) An atomic layer deposition apparatus
US20220220614A1 (en) Precursor supply chamber
CN113227449B (zh) 具有间隙和下部封闭元件的用于沉积反应器的反应室和反应器
US20220243320A1 (en) Precursor source arrangement and atomic layer deposition apparatus
JP4909613B2 (ja) 気相成長装置

Legal Events

Date Code Title Description
FG Patent granted

Ref document number: 121430

Country of ref document: FI