RU2008146103A - Термоисточник - Google Patents

Термоисточник Download PDF

Info

Publication number
RU2008146103A
RU2008146103A RU2008146103/02A RU2008146103A RU2008146103A RU 2008146103 A RU2008146103 A RU 2008146103A RU 2008146103/02 A RU2008146103/02 A RU 2008146103/02A RU 2008146103 A RU2008146103 A RU 2008146103A RU 2008146103 A RU2008146103 A RU 2008146103A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
source
source according
container
heat source
reactor
Prior art date
Application number
RU2008146103/02A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2439196C2 (ru
Inventor
Пекка СОИНИНЕН (FI)
Пекка Соининен
Сами СНЕК (FI)
Сами Снек
Original Assignee
Бенек Ой (Fi)
Бенек Ой
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Бенек Ой (Fi), Бенек Ой filed Critical Бенек Ой (Fi)
Publication of RU2008146103A publication Critical patent/RU2008146103A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2439196C2 publication Critical patent/RU2439196C2/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C23C16/4485—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation without using carrier gas in contact with the source material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4402—Reduction of impurities in the source gas
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/4557—Heated nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45576—Coaxial inlets for each gas
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45578—Elongated nozzles, tubes with holes
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating
    • H05B3/78—Heating arrangements specially adapted for immersion heating

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Control Of Resistance Heating (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

1. Термоисточник, расположенный за пределами реактора устройств для осаждения из паровой фазы, для подачи исходного вещества в реактор, где источник (1) содержит контейнер (2) для источника, имеющий полость (4) источника для исходного вещества, причем контейнер (2) для источника выполнен с возможностью съемного присоединения к крышке (6), имеющей первое нагревательное устройство (8) для нагревания крышки (6) таким образом, что тепло за счет теплопроводности передается контейнеру (2) для источника и далее полости (4) источника для нагревания исходного вещества, отличающийся тем, что крышка (6) дополнительно включает в себя обогреваемый подводящий канал (14), находящийся в жидкостной связи с полостью (4) источника, для подачи исходного вещества из полости (4) источника в реактор таким образом, что между контейнером (2) для источника и реактором достигается возрастающий градиент температуры. ! 2. Термоисточник по п.1, отличающийся тем, что первое нагревательное устройство (8) включает в себя один или несколько термических картриджей, устанавливаемых в крышке (6) с возможностью съема. ! 3. Термоисточник по п.1, отличающийся тем, что первое нагревательное устройство (8) включает в себя один или несколько терморезисторов, установленных в крышке (6). ! 4. Термоисточник по п.1, отличающийся тем, что крышка (6) дополнительно включает в себя термометр (10) для измерения и регулирования температуры крышки (6) с целью регулирования температуры контейнера (2) для источника и полости (4) источника до требуемого уровня. ! 5. Термоисточник по п.1, отличающийся тем, что крышка (6) дополнительно включает в себя один или несколько устройств, устанавливаемых на пов�

Claims (19)

1. Термоисточник, расположенный за пределами реактора устройств для осаждения из паровой фазы, для подачи исходного вещества в реактор, где источник (1) содержит контейнер (2) для источника, имеющий полость (4) источника для исходного вещества, причем контейнер (2) для источника выполнен с возможностью съемного присоединения к крышке (6), имеющей первое нагревательное устройство (8) для нагревания крышки (6) таким образом, что тепло за счет теплопроводности передается контейнеру (2) для источника и далее полости (4) источника для нагревания исходного вещества, отличающийся тем, что крышка (6) дополнительно включает в себя обогреваемый подводящий канал (14), находящийся в жидкостной связи с полостью (4) источника, для подачи исходного вещества из полости (4) источника в реактор таким образом, что между контейнером (2) для источника и реактором достигается возрастающий градиент температуры.
2. Термоисточник по п.1, отличающийся тем, что первое нагревательное устройство (8) включает в себя один или несколько термических картриджей, устанавливаемых в крышке (6) с возможностью съема.
3. Термоисточник по п.1, отличающийся тем, что первое нагревательное устройство (8) включает в себя один или несколько терморезисторов, установленных в крышке (6).
4. Термоисточник по п.1, отличающийся тем, что крышка (6) дополнительно включает в себя термометр (10) для измерения и регулирования температуры крышки (6) с целью регулирования температуры контейнера (2) для источника и полости (4) источника до требуемого уровня.
5. Термоисточник по п.1, отличающийся тем, что крышка (6) дополнительно включает в себя один или несколько устройств, устанавливаемых на поверхности, и/или клапанов (12), устанавливаемых на поверхности, для подсоединения приводов или впускных трубопроводов к источнику (1).
6. Термоисточник по п.1, отличающийся тем, что крышка (6) дополнительно включает в себя систему труб, через которые исходное вещество может подаваться из полости (4) источника в подводящий канал (14), установленный в крышке (6), и далее в реактор.
7. Термоисточник по п.6, отличающийся тем, что по меньшей мере часть системы труб крышки (6) установлена в крышке (6) при помощи расточки или при помощи иной механической обработки.
8. Термоисточник по п.6, отличающийся тем, что подводящий канал (14) включает в себя нагревательные устройства (16) для нагревания подводящего канала (14) и протекающего по нему вещества.
9. Термоисточник по п.6, отличающийся тем, что подводящий канал включает в себя первую трубчатую часть (14) канала для подачи исходного вещества в реактор, и одну или несколько трубчатых дополнительных частей (20) канала, установленных вокруг первой части (14) канала, для подачи газа-носителя или технологического газа.
10. Термоисточник по п.8, отличающийся тем, что вторые нагревательные устройства (16) имеют вытянутую форму так, что они могут устанавливаться внутри подводящего канала (14).
11. Термоисточник по п.8, отличающийся тем, что вторые нагревательные устройства (16) снабжены защитной трубой (18), расположенной на них.
12. Термоисточник по п.8, отличающийся тем, что имеются вторые нагревательные устройства (16), регулируемые таким образом, что между контейнером (2) для источника и реактором через крышку (6) и подводящий канал (14) при помощи первых и вторых нагревательных устройств (8, 16) достигается возрастающий градиент температуры.
13. Термоисточник по п.1, отличающийся тем, что источник (1) снабжен быстроразъемным устройством для присоединения и отсоединения контейнера (2) для источника к крышке (6).
14. Термоисточник по п.1, отличающийся тем, что он включает в себя соединительные устройства для соединения двух или более соответствующих термоисточников (1) последовательно или параллельно.
15. Термоисточник по п.1, отличающийся тем, что контейнер (2) для источника снабжен окном или аналогичным прозрачным участком для визуального наблюдения за количеством и состоянием исходного вещества.
16. Термоисточник по п.1, отличающийся тем, что контейнер (2) для источника изготовлен из алюминия или другого материала, хорошо проводящего тепло.
17. Термоисточник по п.1, отличающийся тем, что крышка (6) изготовлена из алюминия или сплава нержавеющей стали и алюминия.
18. Термоисточник по п.1, отличающийся тем, что он дополнительно включает в себя фильтр (34) для предотвращения попадания частиц из полости источника в подводящий канал и далее в реактор.
19. Термоисточник по п.18, отличающийся тем, что фильтр (34) включает в себя лабиринтную конструкцию, через которую протекает газ.
RU2008146103/02A 2006-04-28 2007-04-26 Термоисточник RU2439196C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI20065275 2006-04-28
FI20065275A FI121430B (fi) 2006-04-28 2006-04-28 Kuuma lähde

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2008146103A true RU2008146103A (ru) 2010-06-10
RU2439196C2 RU2439196C2 (ru) 2012-01-10

Family

ID=36293869

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2008146103/02A RU2439196C2 (ru) 2006-04-28 2007-04-26 Термоисточник

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20090078203A1 (ru)
EP (1) EP2013377A1 (ru)
JP (1) JP5053364B2 (ru)
CN (1) CN101448972B (ru)
FI (1) FI121430B (ru)
RU (1) RU2439196C2 (ru)
WO (1) WO2007125174A1 (ru)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011065998A1 (en) * 2008-12-18 2011-06-03 Veeco Instruments Inc. Linear deposition source
US9598766B2 (en) 2012-05-27 2017-03-21 Air Products And Chemicals, Inc. Vessel with filter
CN114044626B (zh) * 2021-12-10 2023-05-02 中国电子科技集团公司第四十六研究所 一种基于fcvd的光纤预制棒稀土汽相掺杂方法

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6047202B2 (ja) * 1976-01-13 1985-10-21 東北大学金属材料研究所長 超硬高純度の配向多結晶質窒化珪素
JPS59156996A (ja) * 1983-02-23 1984-09-06 Koito Mfg Co Ltd 化合物結晶膜の製造方法とその装置
DE3786237T2 (de) * 1986-12-10 1993-09-23 Fuji Seiki Kk Vorrichtung fuer vakuumverdampfung.
US5186120A (en) * 1989-03-22 1993-02-16 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Mixture thin film forming apparatus
US5204314A (en) * 1990-07-06 1993-04-20 Advanced Technology Materials, Inc. Method for delivering an involatile reagent in vapor form to a CVD reactor
JP2000252269A (ja) * 1992-09-21 2000-09-14 Mitsubishi Electric Corp 液体気化装置及び液体気化方法
US6051276A (en) * 1997-03-14 2000-04-18 Alpha Metals, Inc. Internally heated pyrolysis zone
JPH11236673A (ja) * 1998-02-20 1999-08-31 Mitsubishi Electric Corp 化学気相成長装置
US6210485B1 (en) * 1998-07-21 2001-04-03 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition vaporizer
US6454860B2 (en) * 1998-10-27 2002-09-24 Applied Materials, Inc. Deposition reactor having vaporizing, mixing and cleaning capabilities
US6228175B1 (en) * 1999-09-30 2001-05-08 Kent Ridgeway Apparatus for generating a wet oxygen stream for a semiconductor processing furnace
FI118805B (fi) * 2000-05-15 2008-03-31 Asm Int Menetelmä ja kokoonpano kaasufaasireaktantin syöttämiseksi reaktiokammioon
US20030111014A1 (en) * 2001-12-18 2003-06-19 Donatucci Matthew B. Vaporizer/delivery vessel for volatile/thermally sensitive solid and liquid compounds
JP3778851B2 (ja) * 2001-12-25 2006-05-24 Ｓｍｃ株式会社 ヒーター付きポペット弁
US6749906B2 (en) * 2002-04-25 2004-06-15 Eastman Kodak Company Thermal physical vapor deposition apparatus with detachable vapor source(s) and method
US7077388B2 (en) * 2002-07-19 2006-07-18 Asm America, Inc. Bubbler for substrate processing
KR100889758B1 (ko) * 2002-09-03 2009-03-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기박막 형성장치의 가열용기
JP2007500794A (ja) * 2003-05-16 2007-01-18 エスブイティー アソーシエイツ インコーポレイテッド 薄膜蒸着エバポレーター
KR20050004379A (ko) * 2003-07-02 2005-01-12 삼성전자주식회사 원자층 증착용 가스 공급 장치
US6837939B1 (en) * 2003-07-22 2005-01-04 Eastman Kodak Company Thermal physical vapor deposition source using pellets of organic material for making OLED displays
US20050022743A1 (en) * 2003-07-31 2005-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Evaporation container and vapor deposition apparatus
US7261118B2 (en) * 2003-08-19 2007-08-28 Air Products And Chemicals, Inc. Method and vessel for the delivery of precursor materials
US6924350B2 (en) * 2003-08-26 2005-08-02 General Electric Company Method of separating a polymer from a solvent

Also Published As

Publication number Publication date
CN101448972B (zh) 2011-11-16
US20090078203A1 (en) 2009-03-26
RU2439196C2 (ru) 2012-01-10
WO2007125174A1 (en) 2007-11-08
CN101448972A (zh) 2009-06-03
JP5053364B2 (ja) 2012-10-17
FI20065275A0 (fi) 2006-04-28
FI121430B (fi) 2010-11-15
FI20065275A (fi) 2007-10-29
JP2009535502A (ja) 2009-10-01
EP2013377A1 (en) 2009-01-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2010062575A5 (ru)
CN106104222B (zh) 热式质量流量计和使用该热式质量流量计的质量流量控制装置
RU2010146303A (ru) Устройство и способ для реакторов осаждения
RU2010143559A (ru) Системы и способы распределения газа в реакторе для химического осаждения из паровой фазы
MX2018007505A (es) Planta termica de servidor y un metodo para controlar la misma.
RU2008146103A (ru) Термоисточник
RU2011133560A (ru) Терморегулятор давления
RU2011123882A (ru) Вставка для проточного нагревателя
RU2017111260A (ru) Управление температурой на основе вихревой трубки для устройств управления технологическим процессом
CN202137358U (zh) 一种定向凝固设备
TW201338854A (zh) 有機材料之精製裝置
MX2009008655A (es) Procedimiento y aparato para transferir calor de un primer medio a un segundo medio.
RU2572274C1 (ru) Устройство и способ защиты приборов для измерения давления и/или расхода влажных газов
GB0722350D0 (en) Apparatus, system and method
RU2007125650A (ru) Интерфейс с регулированием температуры для сопряжения с технологической установкой
GB201114800D0 (en) Device
NO20092169L (no) Fremgangsmate og anordning for termisk behandling av substrater
CN211005714U (zh) 一种金刚石薄膜的制备装置
CN205582332U (zh) 一种可用于成岩成矿过程模拟的实验装置
JP4132965B2 (ja) 熱交換器の汚れ最適化方法に使用する汚れ測定装置
CN204903411U (zh) 一种金相观测装置
CN220110439U (zh) 一种冷却结晶切片机
CN108671577B (zh) 一种蒽结晶防堵塞放料装置
CN106289954B (zh) 一种高温实验釜的进出水装置
RU145784U1 (ru) Устройство защиты приборов для измерения давления и/или расхода влажных газов