JP5053364B2 - 熱源装置 - Google Patents

Description

本発明は、反応容器中に原料物質を供給するための、ＡＬＤ（原子層堆積；Atomic Layer Deposition）及びＣＶＤ（化学気相成長；Chemical Vapor Deposition）プロセスに用いる熱源装置に関する。特に、請求項１にかかる発明は、原料物質を反応容器中に供給するための気相成長装置の熱源に関し、この熱源は、原料物質のための原料空間を含む原料容器を有する。

ＡＬＤやＣＶＤ法のような気相成長法により、ある構造を生成するとき、原料物質は、反応容器の反応空間の中に原料物質を供給する前にガス状態にしなければならない。なぜなら、これらのプロセスでは、気相における物質の表面との近接相互作用により反応が生じるからである。多くのプロセスにおいて、ＮＴＰ条件でガスである適当な原料物質は無いので、そのようなプロセスでは液体又は固体を使用しなければならない。液体及び固体は、対応するガス状の物質の圧力に比べて蒸気圧が低いので、それらは、しばしば十分な蒸気圧に達するまで加熱しなければならない。このような加熱は、熱源装置がいわゆるオーバーフロー原理の手段として用いられる場合、典型的には反応容器のシステム圧力に対して約１０％から約５０％に達する。もし必要であれば、温度は、熱源装置の圧力が反応容器のシステム圧を超えるまで温度を上げてもよく、ガスのオーバーフローは必要でなく、いわば、熱源装置はそれ自身の蒸気圧で用いられるといえる。ガス化した原料物質の凝縮を防止するために、これらの原料物質は、原料物質と接触する全ての装置表面が、原料物質がガス化される原料空間と同じ温度またはそれより高い温度になるように、反応容器に運搬されなければならない。

従来技術によれば、熱源装置は反応容器チャンバの内部に統合され、いわゆる不活性ガス弁を用いたロックとともに供給される。この解決法の問題点は、基板を取り換える場合、原料物質と同様に不活性ガスにより必要とされるロックを、基板を交換する前に冷却しなければならないということである。これは反応容器の運転を鈍化させ、原料物質に望ましくない温度変化を与え、高圧及び室内空気からの汚染を増加させる。さらに、そのような熱源装置が用いられる場合、反応容器のシステム圧は、熱源装置の蒸気圧より下がることは無い。これは、このような場合、原料物質は制御不能に反応容器中に放出されているからである。また、以上のような観点から、原料物質は、熱源装置の中に長時間保持することができない。

気相成長反応容器に熱源装置を搭載する他の従来技術による解決策は、弁とともに供給される金属ボトルを利用するのもであり、固体原料物質は、ボトルの内部に配置され、弁付きのボトルは真空状態で配置されるか、あるいは、対流炉が反応器の隣に配置または接続される。ボトルからの管は、例えば、前述の凝縮現象を避けるために、抵抗ワイヤが備えられる。この解決法は、固体の原料を備え付ける不活性な方法を提供するが、高い操作温度、すなわち約２００℃から２５０℃の温度、が弁により決定づけられ、耐用期間が高温では有意に短くなる。弁が炉の外側に配置されれば、いくつかの追加の導管を備えなければならず、その上、構造として冷却ブリッジが発生する。そのような冷却ブリッジは、例えばアクチュエータ接続を備える弁に発生する。また、このような目的の炉は大きく、場所をとり、また高価である。炉を用いる解決法は、ボトルが大きくまた重いので邪魔であり、ボトルを着脱するには道具が必要である。弁付きの金属ボトルはまた高価でもある。

それゆえ、本発明の目的は、上述の問題を解決するような方法で熱源装置を提供することである。

本発明の目的は、請求項１による特徴による熱源装置により達成され、この熱源装置は蓋を備え、この蓋は蓋を加熱するための手段を備え、この蓋は、原料容器に着脱可能に搭載され、第１加熱手段により発生された熱が、伝導により原料容器に伝達され、さらに、原料空間に伝達されて原料物質を加熱する。

本発明の好ましい実施態様は従属性請求項に開示される。
本発明は、原料物質のための原料空間を備える原料容器が原料容器から着脱可能な蓋とともに提供されるように、加熱される熱源装置の原料容器が形成される、という考えに基づいている。この蓋は、この文脈にいおいて、原料容器に着脱可能に取り付けできる任意の構造部分のことを意味する。好ましくは、蓋は原料容器の上に配置され、原料空間を閉じる。蓋はさらに第１加熱手段を備え、この第１加熱手段は、熱が蓋から蓋に着脱可能に取り付けられた原料容器へと伝導により伝達され、原料空間及びその中の原料物質が加熱されるように、蓋を加熱する。蓋はさらに、導管システム、及び蓋から反応容器に延びる供給チャネルを備え、原料物質を原料空間から導管システム及び蓋の供給チャネルを介して反応容器に運搬する。この供給チャネルは第２加熱手段を備え、この第２加熱手段は、好ましくは、原料物質の供給チャネルの内側に配置される。このようにして、あらゆる条件で原料空間と反応容器と間の温度勾配上昇を維持することが可能である構造が提供される。換言すれば、本発明の目的は、原料空間に着脱可能に取り付けられた加熱可能な蓋が原料空間のために形成される構造を提供することであり、この蓋は、原料物質を反応容器中に供給する加熱可能な供給チャネルを備える。この供給チャネルは、蓋の加熱手段及び供給チャネルの加熱手段によって、原料容器と反応容器との間の温度勾配の上昇が達成されるように、蓋の導管システムを介して原料容器の原料空間に流体連通する。アクチュエータのための熱源装置により必要とされる蓋は、表面取り付け弁（surface-mounting valves）を備える。

本発明の方法及び配置の利点は、原料容器および／または原料物質を、冷却せずにまたは反応容器を開けずに交換することができるということである。さらに、原料物質を加熱するのに高価な炉を必要とせず、反応容器に熱源装置を取り付けることが容易である。そのうえ、この構造は、冷えたポイントの発生を最小化する。これは、本発明の熱源装置により、簡易な様式で原料空間と反応容器との間の温度勾配の上昇が達成され、原料物質の凝縮が防止されるからである。また、さらに、熱源装置のモジュラー構造は、熱源装置を、それぞれの特定の用途の必要に応じて変更することを可能にし、それにより、本発明によれば、必要な数の熱源装置を、例えば熱源装置を並列または直列に取り付けることで、反応容器に接続することができる。また、加熱される蓋のために提供される表面取り付け部品によって、導管システムおよび熱源装置に取り付けられる弁は、簡易かつ信頼できる方法で、凝縮温度よりも高い温度に維持できる。

本発明を、好ましい実施形態とともに、添付の図面とともにより詳細に以下に説明する。
図１に関して、図１は、本発明の熱源装置１の実施形態の断面図を示している。熱源装置１は原料容器２を備え、原料物質の原料空間４がここに提供される。原料容器２は、アルミニウムのような熱をよく通す材料で製造される。従って、原料容器２は、原料空間４が機械加工された、または、材料空間２が鋳型成形された、好ましくは重い素材である。図１による実施形態では原料空間４は円筒形の空間であるが、他の形状としてもよい。原料空間４は、さらに、ガラスや他の不活性材料からなるカップまたはカップ状の容器として提供され、その内側に原料物質を配置可能である。好ましくは、図１に示すように原料空間４の１つの壁は開いている。図１において、この開いた壁は原料空間４の上方の壁である。また、この開いた空間は、開放可能な錠または弁状の構造を備えることができ、この手段によって、原料空間４を周囲から閉じ、または隔離することができる。このようにして、原料容器２の取り付け時と同様に原料空間が熱源装置から分離されたとき、原料空間は、閉じたままにすることができ、また、原料空間が所定の場所に取り付けられるとき、または原料物質が処理において使用されるとき、原料空間を開くことができる。原料容器は、さらに窓または窓に類似する構造を備えてもよく、それにより、原料容器が熱源装置に取り付けられたときに、原料物質を観察できるようになる。従って、原料物質の反応や分量を光学的に監視することができる。原料容器の上に、原料空間４の上に配置されるように蓋６が取り付けられる。蓋６および原料容器２は、好ましくは、ボルトのようなすばやく開放可能なロックにより互いに取り付け可能であり、原料容器２を蓋６から容易かつ迅速に取り外すことができる。原料空間のロック手段は、原料容器が所定の位置に取り付けられたときに原料空間４を開き、原料容器２が蓋から取り外されるときに原料空間を再び閉じるように、原料容器２の取り付けおよび取り外しに関連付けられる。ロック手段は、弁状の構造、ハッチ状の構造、またはそれら類似の構造とすることができ、原料容器２の蓋６への取り付け取り外しの操作は自動化されるか、または、それらの操作を独立に制御できるようにしてもよい。蓋６は蓋６を加熱するための第１加熱手段８（図２）を備える。第１加熱手段８は、例えば、蓋に備えることができる、交換可能な加熱カートリッジ、熱カートリッジ、または熱抵抗器とすることができる。原料容器２と同様に、蓋６は、好ましくは、熱伝導性の材料で製造され、ステンレス鋼、アルミニウム、またはそれらの合金、あるいは他の類似する材料で製造される。蓋６および原料容器２は、それらの間の接続と同様に、第１加熱手段８が発生させた熱が、蓋６から原料容器８に伝導により伝達されるように提供される。従って、原料容器２および蓋６は、互いに熱伝導できるように配置される。これは、本発明による解決法においては、原料空間４を別個に加熱する必要がなく、原料空間４は蓋６からの熱伝導により加熱される、ということを意味する。

蓋６は、アクチュエータおよび入口導管を熱源装置に取り付けられる他のコンポーネントに接続するための、表面取り付け手段および／または表面取り付け弁１２を備える。表面取り付け手段１２は、高温に耐えられるように設計され、その冷却ブリッジは最小化される。表面取り付け技術を使うことで、表面取り付け弁および他の表面取り付け手段が、蓋６の他の残りの部分の温度とほとんど同じ温度に保たれるようにすることができ、常に、原料容積４よりも高い温度に保たれるようにすることができる。これは、蓋６が第１加熱手段を備えるからである。蓋６はさらに、原料物質を原料容器２の原料空間４から、反応容器４（図示せず）に供給する、供給手段を備える。蓋６は導管システム（図示せず）を備え、これは、原料容器２が蓋６に取り付けられたとき、導管およびアクチュエータと同様に、表面取り付け手段１２から原料容器２の原料空間４まで接続される。さらに、蓋６は、原料物質を原料空間から供給手段まで、そしてそこからさらに反応容器まで供給するための、原料空間４から供給手段まで接続される導管システムを有する。蓋６は、好ましくは、重く、上述の導管システムは、蓋に、穿孔あるいはその他の類似の手法により機械加工により提供される。機械加工により提供される導管システムは、独立して加熱する必要はない。これは、導管システムの加熱は、蓋６に備えられた第１加熱手段により実行可能であるからである。この文脈において、反応容器は、ＣＶＤ，ＡＬＤまたはＭＣＶＤ装置等の反応容器のような、気相成長装置のあらゆる反応容器を指す。反応容器の内側は、反応容器の外側壁により形成される反応空間を備え、また、代替的に、反応容器の内側は、反応空間を形成する分離した反応室を備えてもよく、ここに原料物質が運ばれる。

蓋６はさらに、供給チャネル１４を備えており、これに沿って、原料物質が反応容器に流入する。図１によれば、供給チャネル１４の周りに、同軸の追加のチャネル２０が、供給チャネル１４と追加のチャネル２０との間にギャップが存在するように、取り付けられ、このギャップに沿って、弁制御の不活性ガスの窒素ガス流が供給され、窒素ガスが、供給チャネル１４と前述の追加のチャネル２０との間に流れる。供給チャネル１４および追加のチャネル２０は、ガラスから作られ、円形の断面を持つことが好ましい。必要であれば、供給チャネル１４の周りに、２つまたはそれ以上のこのような追加のチャネルを追加してもよい。蓋６の導管システムとしての供給チャネル１４は、原料容器の原料空間４に流体連通し、気化した原料物質は、原料空間から蓋６の導管システムを介して供給チャネル１４を流れて、さらに反応容器に入ることができる。窒素ガスまたは類似のガスが、さらに、蓋６に備えられた導管システムを介して表面に取り付けられたガス導管２２により、供給チャネル１４と追加のチャネル２０との間に提供されてもよい。供給チャネル１４および追加のチャネル２０は、その長さの一部に沿って、蓋６と反応容器との間に延びるケーシング２４によって、さらに囲まれまた支持される。ケーシング２４は、供給チャネル１４および追加のチャネル２０と同様に、蓋６の凹部に取り付けられ、フランジ構造のような固定手段２８により蓋６に固定される。ケーシング２４の反応容器側の端部は、逆に、反応容器に取り付けるためのフランジ２６が備えられる。供給チャネル１４および追加のチャネル２０はさらに、所定位置に取り付けられたときに反応容器の反応室に延びるように、フランジ２４からフランジ２６を越えて延びる。

凝縮を防止するために、気化した原料物質を供給チャネル１４中で十分に高温に保てるように、第２加熱手段１６が供給チャネル１４の内側に取り付けられ、また、保護管１８の内側に囲まれている。この第２加熱手段は、好ましくは、調整手段により調整可能に構成された抵抗であり、この抵抗の温度をそれぞれの特定の場合において所望のレベルに調整できるように構成される。第２加熱手段１６は、抵抗器以外の加熱手段としてもよい。これらの第２加熱手段１６は、供給チャネル１４、特にその内側の壁、そして供給チャネル１４を流れる原料物質を十分に高温に加熱し、または、原料物質の凝縮を防止するために温度を維持する。第２加熱手段１６は、好ましくは、反応容器の熱効果が供給チャネル中の原料物質が凝縮しないように、必要な温度を維持できる程度に供給チャネル中を延びる。第２加熱手段１６は、供給チャネル中に取り付けられ、原料物質は保護管１８と供給チャネル１４との間の空間を流れることができる。供給チャネル１４、追加のチャネル２０及び保護管１８は、好ましくはガラスのような不活性材料で形成される。図１によれば、蓋６は、蓋６の一方の側の供給チャネル１４の取り付け位置から、蓋を通って、蓋の他方の側まで延びるフィードスルーを備え、第２加熱手段は、第２加熱手段をフィードスルーを通って、蓋の一方の側から供給チャネル１４まで通すことで、供給チャネル１４の内側に取り付け可能である。第２加熱手段１６は、さらに、フランジ構造３２または他の類似の構造により蓋６に取り付け可能である。供給チャネル１４は第１加熱手段により加熱される蓋６から、反応容器まで延びるので、上昇温度勾配は、原料空間４と供給チャネルとの間で達成され、さらに、供給チャネル１４は第２加熱手段１６により加熱されるので、上昇温度勾配は、供給チャネル４と反応容器との間、または、蓋６と反応容器との間で達成される。従って、原料空間４から反応容器までの全ての経路で上昇温度勾配を達成することが可能であるか、または、少なくとも反応容器までの経路のあらゆる場所において、原料空間４の温度より下がることがないようにすることが可能である。

供給チャネル１４を取り付けるためのフィードスルー３０、および供給チャネルの内側に取り付けられる加熱手段を取り付けるための、蓋６の反対側の開口は、本発明によれば、２つまたはそれ以上熱源装置を、連続的に直列に取り付けることを可能にする。従って、例えば、図１に示される実施形態の熱源装置の後に、第２の熱源装置が、第２加熱手段の代わりに、この第２の熱源装置の供給チャネルが図示の熱源装置の供給チャネルの内側の反応容器に延びる。第２加熱手段は図１のように、しかし、供給チャネルの内側の第２の熱源装置のフィードスルーを通って連続的に延びるよう配置される。本発明によれば、２つまたはそれ以上の熱源装置を熱源装置が反応容器に延びる同一の供給チャネルを利用するように、並列に取り付けることも可能である。しかし、いくつかの熱源装置が並列または直列に取り付けられる場合、いずれの場合においても、熱源装置および供給チャネルの温度を、発生する温度勾配が、反応容器に向かって常に上昇するような温度にする必要がある。換言すれば、例えば、いくつかの熱源装置が直列に取り付けられる場合、反応容器に近い熱源装置の温度は、反応容器から遠い方の熱源装置の温度よりも常に高いことになる。従って、異なる蒸発温度を持つ異なる原料物質を、異なる熱源装置で気化させることができる。つまり、高い蒸発温度をもつ原料物質は、反応容器に最も近い熱源装置に配置される。こうして、反応容器に向かう温度勾配の上昇は、反応容器へ向かう経路において装置の表面で、気化した原料物質が凝縮しないことを保障する。

図１によれば、蓋６はさらにフィルタ３４を備えることができ、フィルタは、原料容器２が所定位置に取り付けられたときに、原料空間４の上にくるように配置される。フィルタ３４の目的は、埃っぽい原料物質の粒子が、供給チャネルに入りさらに反応容器に入ることを防止することである。例えば、容易に埃を発生させる固体原料物質を使う場合、フィルタ３４は、反応容器の供給導管システムに入って基板の表面に到達する可能性を防ぐために、原料容器４の上方に取り付けられる。このようなフィルタは、例えば、ワイヤメッシュ、焼結物、または図１のようないくつかの板を組み合わせた「ラビリンス」とすることができる。後の操作は、原料物質の表面から、供給導管システムに入るように移動させるという考えに基づいており、微粒子が、大きな表面積を有する曲がりくねった構造にしみ通ることができるようにしなければならない。この構造の各板は、穴または類似の開口を持ち、微粒子が最初にこの穴を通る。続いて、ガスがより大きな容積に到達したとき、微粒子のスピードはゆっくりになる。微粒子はこの容積の壁に付着する傾向がある。次の空間に進んだとき、絞り開口等を通ることが再び必要になる。実際、ラビリンスを通るガス流は、ほとんどの部分が、拡散流れであり、その微粒子の移動可能性は存在しない。動作中、上述の「ラビリンス」の容積の多く、および必要であればラビリンスの最上部の容積は、空にされる。開口は、有意な流れ抵抗を生じさせないように十分に大きく作られ、そのため、上の容積が動作時間の間、多くの焼結物やメッシュの解決法に比べて、より急速に満たされるようになる。これに関して、動作中、吸引により発生され、拡散流れより大きな流れにより運ばれる微粒子は、この構造にフィルタされる。さらに、いわゆるオーバーブロー（overblow）状態を用いる場合、熱源装置に流入するキャリアガスの、粉末拡散効果（powder-spreading effect）は、ラビリンスの最上部の板への流れを壊すことによって防止される。

本発明による構造、特に蓋６はさらに、逃がし弁、結晶水排出導管システム、動作により空にされる蓄積された原料物質蒸気の中間容積、および公知の類似物を備える。
図２は、図１の熱源装置の上面図を示している。同図によれば、蓋６は第１加熱手段８を備え、これは重い蓋内に埋め込まれる。さらに蓋６は、蓋６および／または蓋に取り付けられた原料容器の温度を測定するための温度測定手段１０を有する。温度測定手段により得られた温度に基づいて、第１加熱手段は、原料容器および原料空間内の適切な温度を達成するために調節される。温度測定手段１０は、単に温度を監視するためだけに用いられてもよい。図２は、また、アクチュエータおよび導管を蓋６に取り付けるための表面取り付け手段および表面取り付け弁１２を示している。これらの表面取り付け手段および表面取り付け弁１２は、好ましくは、蓋６に統合されている。原料物質のための供給チャネル１４およびケーシング２４の内側に配置される周囲の追加のチャネル２０は、蓋６から図の右側に延びている。前者はフランジ構造２８により蓋６に取り付けられる。ケーシング２４は、さらに、反応容器に取り付けるためのフランジ２６を備える。供給チャネルの反対側には、第２フランジ構造３２があり、これにより、第２加熱手段が蓋６に取り付けられ、第２フランジ構造３２からフィードスルーが蓋６を通って供給チャネルまで延びる。

図１、２および上述の解決法において、蓋６は、原料容器の上に取り付けられているが、熱源装置の構造は、蓋６が、原料容器の側部または下部に取り付けられるように構成することもでき、それにより、原料空間は水平方向の一方の側部に対して開くことができ、たとえば、蓋は、原料容器のこの開く側の側部に取り付けることができる。本発明の実質的な点は、原料容器に取り付けられる蓋が存在することであり、そして、この蓋は原料容器よりも高温であり、蓋を通って原料物質が供給チャネルに入り、供給チャネルは蓋よりも高温である。

技術の進歩とともに、本発明の基本的な考え方は、さまざま方法で実行可能であることが、当業者に明らかになるであろう。それゆえ、本発明およびその実施形態は、上述の例に限定されず、特許請求の範囲の記載の範囲内で変更可能である。

本発明の実施形態に関する熱源装置の断面図である。 図１に示す熱源装置の上面図である。

Claims (19)

1. 原料物質を反応容器に供給するための、気相成長装置の反応容器の外側に配置される加熱可能な熱源装置（１）であって、
   前記熱源装置（１）は、原料物質のための原料空間（４）を備える原料容器（２）を備え、前記原料容器（２）は、蓋（６）に取り外し可能に取り付け可能であり、前記蓋（６）は、原料物質を加熱するために、熱が伝導により前記原料容器（２）さらに前記原料空間（４）に伝達されるように、前記蓋（６）を加熱するための第１加熱手段（８）を備え、
   前記蓋（６）はさらに、前記原料容器（２）と前記反応容器との間で、上昇温度勾配が達成されるように、原料物質を前記原料空間（４）から前記反応容器へ供給するための、前記原料空間（４）に流体連通する供給チャネル（１４）を備える、ことを特徴とする熱源装置。
2. 請求項１に記載の熱源装置であって、前記第１加熱手段（８）は、取換え可能に前記蓋（６）に取り付けられる１つ以上の加熱カートリッジを備える、ことを特徴とする熱源装置。
3. 請求項１に記載の熱源装置であって、前記第１加熱手段（８）は、前記蓋（６）に取り付けられた１つ以上の加熱抵抗器を備える、ことを特徴とする熱源装置。
4. 請求項１乃至３のいずれか一項に記載の熱源装置であって、前記蓋（６）はさらに、前記原料容器（２）および前記原料空間（４）の温度を所望のレベルに調節するために、前記蓋（６）の温度を測定および調整するための温度計（１０）を備える、ことを特徴とする熱源装置。
5. 請求項１乃至４のいずれか一項に記載の熱源装置であって、前記蓋（６）はさらに、アクチュエータまたは入口導管を前記熱源装置に接続するための、１つ以上の表面取り付け手段および／または表面取り付け弁（１２）を備える、ことを特徴とする熱源装置。
6. 請求項１乃至５のいずれか一項に記載の熱源装置であって、前記蓋（６）はさらに、導管システムを備え、原料物質は、前記導管システムを通って、前記原料空間（４）から前記蓋（６）に取り付けられた前記供給チャネル（１４）さらに前記反応容器に入るように供給可能である、ことを特徴とする熱源装置。
7. 請求項６に記載の熱源装置であって、前記蓋（６）の前記導管システムの少なくとも一部は、穿孔または他の方法による機械加工により前記蓋（６）に提供される、ことを特徴とする熱源装置。
8. 請求項６または７に記載の熱源装置であって、前記供給チャネル（１４）は、前記供給チャネル（１４）および前記供給チャネル（１４）を通る物質を加熱するための、第２加熱手段（１６）を備える、ことを特徴とする熱源装置。
9. 請求項６または８に記載の熱源装置であって、前記供給チャネル（１４）は、原料物質を反応容器に供給するための第１管状チャネル部分（１４）と、キャリアガスまたは他のプロセスガスを供給するための、前記第１管状チャネル部分（１４）の周りに取り付けられる１つ以上の管状の追加チャネル部分（２０）とを備える、ことを特徴とする熱源装置。
10. 請求項８に記載の熱源装置であって、前記第２加熱手段（１６）は、前記供給チャネル（１４）の内側に取り付けられるように、細長く形成される、ことを特徴とする熱源装置。
11. 請求項９または１０に記載の熱源装置であって、前記第２加熱手段（１６）は、前記第２加熱手段（１６）の上に配置される保護管（１８）を備える、ことを特徴とする熱源装置。
12. 請求項８乃至１１のいずれか一項に記載の熱源装置であって、前記第２加熱手段（１６）は、前記第１加熱手段（８）および前記第２加熱手段（１６）により、前記蓋（６）および前記供給チャネル（１４）を通って、前記原料容器（２）と前記反応容器との間の上昇温度勾配が達成されるように、調整可能に備えられる、ことを特徴とする熱源装置。
13. 請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の熱源装置であって、前記熱源装置（１）は、前記原料容器（２）を前記蓋（６）から着脱するための、迅速解放手段を備える、ことを特徴とする熱源装置。
14. 請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の熱源装置であって、前記熱源装置（１）は、２つ以上の類似の熱源装置（１）を直列または並列に接続するための接続手段を備える、ことを特徴とする熱源装置。
15. 請求項１乃至１４のいずれか一項に記載の熱源装置であって、前記原料容器（２）は、原料物質の量および反応を光学的に観察するための窓または透明部分を備える、ことを特徴とする熱源装置。
16. 請求項１乃至１５のいずれか一項に記載の熱源装置であって、前記原料容器（２）は、アルミニウムまたは熱をよく通すその他の物質から製造される、ことを特徴とする熱源装置。
17. 請求項１乃至１６のいずれか一項に記載の熱源装置であって、前記蓋（６）は、アルミニウムまたはステンレス鋼とアルミニウムとの合金から製造される、ことを特徴とする熱源装置。
18. 請求項１乃至１７のいずれか一項に記載の熱源装置であって、前記熱源装置（１）はさらに、微粒子が前記原料空間から前記供給チャネルさらには前記反応容器に到達することを防止するためのフィルター（３４）を備える、ことを特徴とする熱源装置。
19. 請求項１８に記載の熱源装置であって、前記フィルター（３４）は、ラビリンス構造を備え、ガスが前記ラビリンス構造を流れるように配置される、ことを特徴とする熱源装置。

Images