RU2010143559A - Системы и способы распределения газа в реакторе для химического осаждения из паровой фазы - Google Patents

Системы и способы распределения газа в реакторе для химического осаждения из паровой фазы Download PDF

Info

Publication number
RU2010143559A
RU2010143559A RU2010143559/02A RU2010143559A RU2010143559A RU 2010143559 A RU2010143559 A RU 2010143559A RU 2010143559/02 A RU2010143559/02 A RU 2010143559/02A RU 2010143559 A RU2010143559 A RU 2010143559A RU 2010143559 A RU2010143559 A RU 2010143559A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
reaction chamber
reactor system
filament element
vertical pipe
reactor
Prior art date
Application number
RU2010143559/02A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2499081C2 (ru
Inventor
Вэньцзюнь ЦИНЬ (US)
Вэньцзюнь ЦИНЬ
Original Assignee
ДжиТи СОЛАР, ИНКОРПОРЕЙТЕД (US)
ДжиТи СОЛАР, ИНКОРПОРЕЙТЕД
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ДжиТи СОЛАР, ИНКОРПОРЕЙТЕД (US), ДжиТи СОЛАР, ИНКОРПОРЕЙТЕД filed Critical ДжиТи СОЛАР, ИНКОРПОРЕЙТЕД (US)
Publication of RU2010143559A publication Critical patent/RU2010143559A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2499081C2 publication Critical patent/RU2499081C2/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/24—Deposition of silicon only
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02—Silicon
    • C01B33/021—Preparation
    • C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
    • C01B33/035—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds in the presence of heated filaments of silicon, carbon or a refractory metal, e.g. tantalum or tungsten, or in the presence of heated silicon rods on which the formed silicon is deposited, a silicon rod being obtained, e.g. Siemens process
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B28/00—Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C30B28/12—Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure directly from the gas state

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

1. Реакторная система, включающая: ! реакционную камеру, включающую по меньшей мере одну опорную плиту, закрепленную в реакционной камере, и кожух, функционально соединенный с опорной плитой; ! по меньшей мере один накальный элемент, прикрепленный к опорной плите; ! источник электрического тока для подведения тока по меньшей мере к одному накальному элементу; ! источник газа, функционально связанный с реакционной камерой для создания газового потока через реакционную камеру; и ! вертикальную трубу, функционально соединенную с источником газа, для ввода газового потока в реакционную камеру. !2. Реакторная система по п.1, в которой ток подводят непосредственно к накальному элементу через электрический подвод в опорной плите. ! 3. Реакторная система по п.1, в которой реакционная камера дополнительно включает смотровое окно для наблюдения за внутренней частью реакционной камеры. ! 4. Реакторная система по п.1, в которой вертикальная труба сделана из кремния. ! 5. Реакторная система по п.1, дополнительно включающая по меньшей мере одну дополнительную вертикальную трубу, введенную в реакционную камеру. ! 6. Реакторная система по п.1, в которой вертикальная труба выполнена с возможностью приема отложений из поликристаллического кремния в реакционной камере. ! 7. Реакторная система по п.1, в которой вертикальная труба дополнительно включает соединительный наконечник и корпус трубы, причем соединительный наконечник предназначен для соединения с источником газа. ! 8. Реакторная система по п.7, в которой диаметр корпуса трубы выбирают на основе по меньшей мере желательной величины расхода газового потока. ! 9. Реакторная систем

Claims (23)

1. Реакторная система, включающая:
реакционную камеру, включающую по меньшей мере одну опорную плиту, закрепленную в реакционной камере, и кожух, функционально соединенный с опорной плитой;
по меньшей мере один накальный элемент, прикрепленный к опорной плите;
источник электрического тока для подведения тока по меньшей мере к одному накальному элементу;
источник газа, функционально связанный с реакционной камерой для создания газового потока через реакционную камеру; и
вертикальную трубу, функционально соединенную с источником газа, для ввода газового потока в реакционную камеру.
2. Реакторная система по п.1, в которой ток подводят непосредственно к накальному элементу через электрический подвод в опорной плите.
3. Реакторная система по п.1, в которой реакционная камера дополнительно включает смотровое окно для наблюдения за внутренней частью реакционной камеры.
4. Реакторная система по п.1, в которой вертикальная труба сделана из кремния.
5. Реакторная система по п.1, дополнительно включающая по меньшей мере одну дополнительную вертикальную трубу, введенную в реакционную камеру.
6. Реакторная система по п.1, в которой вертикальная труба выполнена с возможностью приема отложений из поликристаллического кремния в реакционной камере.
7. Реакторная система по п.1, в которой вертикальная труба дополнительно включает соединительный наконечник и корпус трубы, причем соединительный наконечник предназначен для соединения с источником газа.
8. Реакторная система по п.7, в которой диаметр корпуса трубы выбирают на основе по меньшей мере желательной величины расхода газового потока.
9. Реакторная система по п.7, в которой соединительный наконечник дополнительно включает прокладку для уплотнения вертикальной трубы с источником газа.
10. Реакторная система по п.1, в которой реакторная система представляет собой реакторную систему для химического осаждения из паровой фазы.
11. Реакторная система по п.1, дополнительно включающая систему охлаждения, имеющую по меньшей мере один впуск для текучей среды и выпуск для текучей среды, функционально связанные с реакторной системой.
12. Способ осаждения материала в реакторе, включающий стадии, на которых:
предоставляют реакционную камеру, включающую по меньшей мере одну опорную плиту, закрепленную в реакционной камере, и кожух, функционально соединенный с опорной плитой;
присоединяют по меньшей мере один накальный элемент к опорной плите;
подсоединяют источник электрического тока к реакционной камере для подведения тока к накальному элементу;
подсоединяют источник газа к реакционной камере для обеспечения протекания газа через реакционную камеру;
подсоединяют вертикальную трубу к источнику газа для распределения газового потока внутри реакционной камеры; и
обеспечивают работу реактора для осаждения материала на по меньшей мере одном накальном элементе в реакционной камере.
13. Способ по п.12, в котором материал, осаждаемый на накальном элементе, представляет собой поликристаллический кремний.
14. Способ по п.12, в котором накальный элемент включает кремний.
15. Способ по п.12, в котором реактор представляет собой реактор для химического осаждения из паровой фазы.
16. Способ по п.12, дополнительно включающий стадию, на которой:
подводят электрический ток непосредственно к накальному элементу через электрический подвод в опорной плите.
17. Способ по п.12, в котором реакционная камера дополнительно включает смотровое окно для наблюдения за внутренней частью реакционной камеры.
18. Способ по п.12, в котором вертикальная труба сделана из кремния.
19. Реакционная камера, содержащая:
по меньшей мере одну опорную плиту, закрепленную в реакционной камере;
по меньшей мере один накальный элемент, прикрепленный к опорной плите, причем реакционная камера функционально соединена с источником электрического тока и источником газа для обеспечения осаждения материала на по меньшей мере одном накальном элементе; и
вертикальную трубу, функционально прикрепленную к источнику газа, для распределения газового потока внутри реакционной камеры.
20. Реакционная камера по п.19, в которой электрический ток подводят к накальному элементу с помощью источника электрического тока.
21. Реакционная камера по п.20, в которой электрический ток подводят непосредственно к накальному элементу через электрический подвод в опорной плите.
22. Реакционная камера по п.19, дополнительно включающая по меньшей мере один газовпуск и газовыпуск, функционально связанные с реакционной камерой, для создания газового потока через реакционную камеру.
23. Реакционная камера по п.19, дополнительно включающая смотровое окно для наблюдения за внутренней частью реакционной камеры.
RU2010143559/02A 2008-03-26 2009-03-26 Системы и способы распределения газа в реакторе для химического осаждения из паровой фазы RU2499081C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US3975808P 2008-03-26 2008-03-26
US61/039,758 2008-03-26
PCT/US2009/038393 WO2009120862A2 (en) 2008-03-26 2009-03-26 Systems and methods for distributing gas in a chemical vapor deposition reactor

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2010143559A true RU2010143559A (ru) 2012-05-10
RU2499081C2 RU2499081C2 (ru) 2013-11-20

Family

ID=40998593

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2010143559/02A RU2499081C2 (ru) 2008-03-26 2009-03-26 Системы и способы распределения газа в реакторе для химического осаждения из паровой фазы

Country Status (9)

Country Link
US (1) US8961689B2 (ru)
EP (1) EP2271788A2 (ru)
JP (1) JP5727362B2 (ru)
KR (1) KR101623458B1 (ru)
CN (2) CN104357807B (ru)
MY (1) MY156940A (ru)
RU (1) RU2499081C2 (ru)
TW (1) TWI494458B (ru)
WO (1) WO2009120862A2 (ru)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8961689B2 (en) * 2008-03-26 2015-02-24 Gtat Corporation Systems and methods for distributing gas in a chemical vapor deposition reactor
KR101678661B1 (ko) 2009-11-18 2016-11-22 알이씨 실리콘 인코포레이티드 유동층 반응기
US8993056B2 (en) * 2009-12-17 2015-03-31 Savi Research, Inc. Method of gas distribution and nozzle design in the improved chemical vapor deposition of polysilicon reactor
US9315895B2 (en) * 2010-05-10 2016-04-19 Mitsubishi Materials Corporation Apparatus for producing polycrystalline silicon
KR101146864B1 (ko) 2011-10-27 2012-05-16 웅진폴리실리콘주식회사 폴리실리콘 제조용 반응기
DE102013206236A1 (de) * 2013-04-09 2014-10-09 Wacker Chemie Ag Gasverteiler für Siemens-Reaktor
RU2582077C2 (ru) * 2014-09-04 2016-04-20 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе Сибирского отделения Российской академии наук (ИТ СО РАН) Устройство для нанесения функциональных слоёв тонкоплёночных солнечных элементов на подложку путём осаждения в плазме низкочастотного индукционного разряда трансформаторного типа низкого давления
KR101895526B1 (ko) * 2015-08-28 2018-09-05 한화케미칼 주식회사 폴리실리콘 제조 장치
FR3044023B1 (fr) * 2015-11-19 2017-12-22 Herakles Dispositif pour le revetement d'un ou plusieurs fils par un procede de depot en phase vapeur
FR3044024B1 (fr) * 2015-11-19 2017-12-22 Herakles Dispositif pour le revetement d'un ou plusieurs fils par un procede de depot en phase vapeur
AT518081B1 (de) * 2015-12-22 2017-07-15 Sico Tech Gmbh Injektor aus Silizium für die Halbleiterindustrie
CN112342529B (zh) * 2020-09-24 2022-12-06 杭州盾源聚芯半导体科技有限公司 一种具有连接头的喷射管

Family Cites Families (73)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL238464A (ru) * 1958-05-29
DE1123300B (de) * 1960-06-03 1962-02-08 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Silicium oder Germanium
US3293950A (en) * 1965-01-15 1966-12-27 Dow Corning Wire drawing die
DE2050076C3 (de) * 1970-10-12 1980-06-26 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Vorrichtung zum Herstellen von Rohren aus Halbleitermaterial
BE806098A (fr) * 1973-03-28 1974-02-01 Siemens Ag Procede de fabrication de silicium ou autre matiere semi-conductrice tres pure
DE2324365C3 (de) * 1973-05-14 1978-05-11 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Reaktionsgefäß zum Abscheiden von Halbleitermaterial auf erhitzte Trägerkörper
DE2508802A1 (de) * 1975-02-28 1976-09-09 Siemens Ag Verfahren zum abscheiden von elementarem silicium
DE2518853C3 (de) * 1975-04-28 1979-03-22 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Vorrichtung zum Abscheiden von elementarem Silicium aus einem Reaktionsgas
DE2541215C3 (de) * 1975-09-16 1978-08-03 Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fuer Elektronik-Grundstoffe Mbh, 8263 Burghausen Verfahren zur Herstellung von Siliciumhohlkörpern
DE2609564A1 (de) * 1976-03-08 1977-09-15 Siemens Ag Verfahren zum abscheiden von elementarem silicium aus der gasphase
US4148931A (en) * 1976-03-08 1979-04-10 Siemens Aktiengesellschaft Process for depositing elemental silicon semiconductor material from a gas phase
JPS53106626A (en) * 1977-03-02 1978-09-16 Komatsu Mfg Co Ltd Method of making high purity rod silicon and appratus therefor
JPS53108029A (en) * 1977-03-03 1978-09-20 Komatsu Mfg Co Ltd Method of making high purity silicon having uniform shape
US4173944A (en) * 1977-05-20 1979-11-13 Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fur Elektronik-Grundstoffe Mbh Silverplated vapor deposition chamber
US4179530A (en) * 1977-05-20 1979-12-18 Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fur Elektronik-Grundstoffe Mbh Process for the deposition of pure semiconductor material
DE2831816A1 (de) * 1978-07-19 1980-01-31 Siemens Ag Verfahren zum abscheiden von silicium in feinkristalliner form
DE2831819A1 (de) * 1978-07-19 1980-01-31 Siemens Ag Verfahren zum abscheiden von silicium in feinkristalliner form
DE2912661C2 (de) * 1979-03-30 1982-06-24 Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fuer Elektronik-Grundstoffe Mbh, 8263 Burghausen Verfahren zur Abscheidung von reinem Halbleitermaterial und Düse zur Durchführung des Verfahrens
JPS56105622A (en) * 1980-01-25 1981-08-22 Koujiyundo Silicon Kk Manufacture of silicon stick for semiconductor
US4681652A (en) * 1980-06-05 1987-07-21 Rogers Leo C Manufacture of polycrystalline silicon
US4374110A (en) * 1981-06-15 1983-02-15 Motorola, Inc. Purification of silicon source materials
US4481232A (en) * 1983-05-27 1984-11-06 The United States Of America As Represented By The Department Of Energy Method and apparatus for producing high purity silicon
JPS61101410A (ja) * 1984-10-24 1986-05-20 Hiroshi Ishizuka 多結晶珪素の製造法及びそのための装置
JPS6374909A (ja) * 1986-09-19 1988-04-05 Shin Etsu Handotai Co Ltd 大直径多結晶シリコン棒の製造方法
US4805556A (en) * 1988-01-15 1989-02-21 Union Carbide Corporation Reactor system and method for forming uniformly large-diameter polycrystalline rods by the pyrolysis of silane
US5064367A (en) 1989-06-28 1991-11-12 Digital Equipment Corporation Conical gas inlet for thermal processing furnace
JPH0729874B2 (ja) * 1989-11-04 1995-04-05 コマツ電子金属株式会社 多結晶シリコン製造装置の芯線間接続用ブリッジ
RU2023050C1 (ru) 1991-09-17 1994-11-15 Валентин Михайлович Шитов Смотровое окно для вакуумной камеры
DE4133885C2 (de) * 1991-10-12 1996-03-21 Bosch Gmbh Robert Dreidimensionale Silizium-Struktur
JP2867306B2 (ja) * 1991-11-15 1999-03-08 三菱マテリアルポリシリコン株式会社 半導体級多結晶シリコンの製造方法とその装置
US5478396A (en) * 1992-09-28 1995-12-26 Advanced Silicon Materials, Inc. Production of high-purity polycrystalline silicon rod for semiconductor applications
US5382419A (en) * 1992-09-28 1995-01-17 Advanced Silicon Materials, Inc. Production of high-purity polycrystalline silicon rod for semiconductor applications
US5382412A (en) * 1992-10-16 1995-01-17 Korea Research Institute Of Chemical Technology Fluidized bed reactor heated by microwaves
GB2271518B (en) * 1992-10-16 1996-09-25 Korea Res Inst Chem Tech Heating of fluidized bed reactor by microwave
CZ317694A3 (en) 1993-04-16 1995-08-16 Libbey Owens Ford Co Method of producing a coating on a glass substrate and apparatus for making the same
US6418318B1 (en) * 1995-12-12 2002-07-09 At&T Wireless Services, Inc. Method for selecting a preferable wireless communications service provider in a multi-service provider environment
US5885358A (en) 1996-07-09 1999-03-23 Applied Materials, Inc. Gas injection slit nozzle for a plasma process reactor
DE19735378A1 (de) * 1997-08-14 1999-02-18 Wacker Chemie Gmbh Verfahren zur Herstellung von hochreinem Siliciumgranulat
US6221155B1 (en) * 1997-12-15 2001-04-24 Advanced Silicon Materials, Llc Chemical vapor deposition system for polycrystalline silicon rod production
US6544333B2 (en) * 1997-12-15 2003-04-08 Advanced Silicon Materials Llc Chemical vapor deposition system for polycrystalline silicon rod production
US6073577A (en) * 1998-06-30 2000-06-13 Lam Research Corporation Electrode for plasma processes and method for manufacture and use thereof
WO2000049199A1 (en) * 1999-02-19 2000-08-24 Gt Equipment Technologies Inc. Method and apparatus for chemical vapor deposition of polysilicon
US6365225B1 (en) * 1999-02-19 2002-04-02 G.T. Equipment Technologies, Inc. Cold wall reactor and method for chemical vapor deposition of bulk polysilicon
US6123775A (en) * 1999-06-30 2000-09-26 Lam Research Corporation Reaction chamber component having improved temperature uniformity
JP2003529926A (ja) 2000-03-30 2003-10-07 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理システム内への調整可能なガス注入のための方法及び装置
JP2001351871A (ja) 2000-06-09 2001-12-21 Asm Japan Kk 半導体製造装置
US6797639B2 (en) 2000-11-01 2004-09-28 Applied Materials Inc. Dielectric etch chamber with expanded process window
DE10101040A1 (de) * 2001-01-11 2002-07-25 Wacker Chemie Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines polykristallinen Siliciumstabes
US6902622B2 (en) 2001-04-12 2005-06-07 Mattson Technology, Inc. Systems and methods for epitaxially depositing films on a semiconductor substrate
US6623801B2 (en) * 2001-07-30 2003-09-23 Komatsu Ltd. Method of producing high-purity polycrystalline silicon
US6864480B2 (en) * 2001-12-19 2005-03-08 Sau Lan Tang Staats Interface members and holders for microfluidic array devices
US7217336B2 (en) 2002-06-20 2007-05-15 Tokyo Electron Limited Directed gas injection apparatus for semiconductor processing
US7645341B2 (en) * 2003-12-23 2010-01-12 Lam Research Corporation Showerhead electrode assembly for plasma processing apparatuses
US7480974B2 (en) * 2005-02-15 2009-01-27 Lam Research Corporation Methods of making gas distribution members for plasma processing apparatuses
US20060185589A1 (en) * 2005-02-23 2006-08-24 Raanan Zehavi Silicon gas injector and method of making
US7722719B2 (en) 2005-03-07 2010-05-25 Applied Materials, Inc. Gas baffle and distributor for semiconductor processing chamber
US7323047B2 (en) 2005-03-25 2008-01-29 Kyocera Corporation Method for manufacturing granular silicon crystal
EP1893529A2 (en) * 2005-04-10 2008-03-05 Rec Silicon, Inc. Production of polycrystalline silicon
US20070187363A1 (en) 2006-02-13 2007-08-16 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate processing method
US9683286B2 (en) * 2006-04-28 2017-06-20 Gtat Corporation Increased polysilicon deposition in a CVD reactor
KR100768147B1 (ko) * 2006-05-11 2007-10-18 한국화학연구원 혼합된 코어수단을 이용한 다결정 실리콘 봉의 제조방법과그 제조장치
KR100768148B1 (ko) * 2006-05-22 2007-10-17 한국화학연구원 금속 코어수단을 이용한 다결정 실리콘 봉의 제조방법
JP4464949B2 (ja) * 2006-11-10 2010-05-19 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び選択エピタキシャル膜成長方法
JP5119856B2 (ja) * 2006-11-29 2013-01-16 三菱マテリアル株式会社 トリクロロシラン製造装置
KR101811872B1 (ko) * 2007-09-20 2017-12-22 미츠비시 마테리알 가부시키가이샤 다결정 실리콘 반응로 및 다결정 실리콘의 제조 방법
US8043470B2 (en) * 2007-11-21 2011-10-25 Lam Research Corporation Electrode/probe assemblies and plasma processing chambers incorporating the same
US20090191336A1 (en) * 2008-01-30 2009-07-30 Mohan Chandra Method and apparatus for simpified startup of chemical vapor deposition of polysilicon
US8961689B2 (en) * 2008-03-26 2015-02-24 Gtat Corporation Systems and methods for distributing gas in a chemical vapor deposition reactor
WO2009120859A1 (en) * 2008-03-26 2009-10-01 Gt Solar, Inc. Gold-coated polysilicon reactor system and method
JP5651104B2 (ja) * 2009-02-27 2015-01-07 株式会社トクヤマ 多結晶シリコンロッド及びその製造装置
US8931431B2 (en) * 2009-03-25 2015-01-13 The Regents Of The University Of Michigan Nozzle geometry for organic vapor jet printing
KR20130049184A (ko) * 2010-03-19 2013-05-13 지티에이티 코포레이션 다결정 실리콘 증착 시스템 및 방법
MY163182A (en) * 2011-01-21 2017-08-15 Shinetsu Chemical Co Apparatus for producing polycrystalline silicon and method for producing polycrystalline silicon

Also Published As

Publication number Publication date
EP2271788A2 (en) 2011-01-12
CN104357807B (zh) 2019-06-28
US8961689B2 (en) 2015-02-24
US20110129621A1 (en) 2011-06-02
RU2499081C2 (ru) 2013-11-20
KR101623458B1 (ko) 2016-05-23
KR20100126569A (ko) 2010-12-01
MY156940A (en) 2016-04-15
TWI494458B (zh) 2015-08-01
JP5727362B2 (ja) 2015-06-03
WO2009120862A2 (en) 2009-10-01
TW201002853A (en) 2010-01-16
JP2011515590A (ja) 2011-05-19
WO2009120862A3 (en) 2010-01-28
CN104357807A (zh) 2015-02-18
CN102027156A (zh) 2011-04-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2010143559A (ru) Системы и способы распределения газа в реакторе для химического осаждения из паровой фазы
RU2010143546A (ru) Реакторная система с золотым покрытием для осаждения поликристаллического кремния и способ
CN105493230B (zh) 具有冷却真空密闭体的热壁反应器
CN106148916A (zh) 高温衬底基座模块及其组件
SG138547A1 (en) High flow gacl3 delivery
CN103569998B (zh) 碳纳米管制备装置及方法
TW201447966A (zh) 用於在原地形成中間反應物種的方法和系統
WO2008039465A3 (en) Method for removing surface deposits in the interior of a chemical vapor deposition reactor
JP2010062575A5 (ru)
CN102369589A (zh) 在基板上成长薄膜的方法及装置
WO2013016208A3 (en) Reactant delivery system for ald/cvd processes
TW201425635A (zh) 熱絲化學氣相沉積腔室之噴頭設計
CN110529736B (zh) 一种化学气相沉积系统及供气装置和供气方法
WO2006093037A1 (ja) 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
CN106435527A (zh) 一种碳化硅沉积设备及其进气装置
CN103938185B (zh) 一种管状零件内孔涂层的制备方法
JP2013163841A (ja) 炭素膜成膜装置および炭素膜成膜方法
TW201129501A (en) Manufacturing apparatus for depositing a material and an electrode for use therein
TW201120237A (en) Gas supply apparatus
TWI661487B (zh) 液體汽化裝置及使用該液體汽化裝置的半導體處理系統
CN205662597U (zh) 金属有机化学气相沉积设备反应腔体结构
TW201544173A (zh) 用於氨氧化反應器的進料分佈器設計（一）
CN211170883U (zh) 气体供应系统
TW201020445A (en) Gas supply system, pumping system, coating system, gas supply method, and pumping method
CN205313663U (zh) 一种金属有机化学气相沉积设备

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20140327