RU2010143546A - Реакторная система с золотым покрытием для осаждения поликристаллического кремния и способ - Google Patents
Реакторная система с золотым покрытием для осаждения поликристаллического кремния и способ Download PDFInfo
- Publication number
- RU2010143546A RU2010143546A RU2010143546/05A RU2010143546A RU2010143546A RU 2010143546 A RU2010143546 A RU 2010143546A RU 2010143546/05 A RU2010143546/05 A RU 2010143546/05A RU 2010143546 A RU2010143546 A RU 2010143546A RU 2010143546 A RU2010143546 A RU 2010143546A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- reaction chamber
- reactor system
- base
- gold
- coated
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/08—Reaction chambers; Selection of materials therefor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/021—Preparation
- C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
- C01B33/035—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds in the presence of heated filaments of silicon, carbon or a refractory metal, e.g. tantalum or tungsten, or in the presence of heated silicon rods on which the formed silicon is deposited, a silicon rod being obtained, e.g. Siemens process
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4404—Coatings or surface treatment on the inside of the reaction chamber or on parts thereof
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
1. Реакторная система, содержащая: ! - реакционную камеру, содержащую по меньшей мере одно основание, установленное в реакционной камере, и корпус, в рабочем состоянии соединенный с основанием, причем по меньшей мере часть реакционной камеры покрыта слоем золота, имеющим толщину по меньшей мере примерно 0,1 мкн; ! - по меньшей мере одну нить, прикрепленную к основанию; ! - источник электрического тока для подвода тока к нити; и ! - источник газа, при работе соединенный с реакционной камерой для прохождения газа через реакционную камеру. ! 2. Реакторная система по п.1, в которой ток подается непосредственно к нити по токовводу в основании. ! 3. Реакторная система по п.1, в которой реакционная камера содержит также, смотровое окно для рассматривания внутренней части реакционной камеры. ! 4. Реакторная система по п.1, в которой реакционная камера покрыта слоем золота, имеющим толщину примерно от 0,5 до 3,0 мкн. ! 5. Реакторная система по п.1, в которой по меньшей мере одна нить содержит кремний. ! 6. Реакторная система по п.1, содержащая также систему охлаждения, имеющую по меньшей мере один вход для жидкости и один выход для жидкости, при работе соединенные с реакторной системой. ! 7. Реакторная система по п.1, в которой реакторная система является реакторной системой для химического осаждения из паровой фазы. ! 8. Реакторная система по п.1, в которой реакционная камера, покрытая слоем золота, имеет коэффициент излучения примерно от 0,01 до 0,03. ! 9. Реакционная камера для применения в реакторе химического осаждения из паровой фазы, содержащая: ! - по меньшей мере одно основание, установленное в реакционной камере; ! - по меньшей мере одну нить, п
Claims (23)
1. Реакторная система, содержащая:
- реакционную камеру, содержащую по меньшей мере одно основание, установленное в реакционной камере, и корпус, в рабочем состоянии соединенный с основанием, причем по меньшей мере часть реакционной камеры покрыта слоем золота, имеющим толщину по меньшей мере примерно 0,1 мкн;
- по меньшей мере одну нить, прикрепленную к основанию;
- источник электрического тока для подвода тока к нити; и
- источник газа, при работе соединенный с реакционной камерой для прохождения газа через реакционную камеру.
2. Реакторная система по п.1, в которой ток подается непосредственно к нити по токовводу в основании.
3. Реакторная система по п.1, в которой реакционная камера содержит также, смотровое окно для рассматривания внутренней части реакционной камеры.
4. Реакторная система по п.1, в которой реакционная камера покрыта слоем золота, имеющим толщину примерно от 0,5 до 3,0 мкн.
5. Реакторная система по п.1, в которой по меньшей мере одна нить содержит кремний.
6. Реакторная система по п.1, содержащая также систему охлаждения, имеющую по меньшей мере один вход для жидкости и один выход для жидкости, при работе соединенные с реакторной системой.
7. Реакторная система по п.1, в которой реакторная система является реакторной системой для химического осаждения из паровой фазы.
8. Реакторная система по п.1, в которой реакционная камера, покрытая слоем золота, имеет коэффициент излучения примерно от 0,01 до 0,03.
9. Реакционная камера для применения в реакторе химического осаждения из паровой фазы, содержащая:
- по меньшей мере одно основание, установленное в реакционной камере;
- по меньшей мере одну нить, прикрепленную к основанию, причем реакционная камера при работе соединена с источником электрического тока и источником газа для обеспечения осаждения материала на нить; причем
- по меньшей мере часть реакционной камеры покрыта слоем золота, имеющим толщину по меньшей мере примерно 0,1 мкн.
10. Реакционная камера по п.9, в которой ток подается к нити посредством источника электрического тока.
11. Реакционная камера по п.10, в которой ток подается прямо к нити по токовводу в основании.
12. Реакционная камера по п. 9, содержащая также по меньшей мере один впуск газа и выпуск газа, при работе соединенные с реакционной камерой для прохождения газа через реакционную камеру.
13. Реакционная камера по п.9, содержащая также смотровое окно для рассматривания внутренней части реакционной камеры.
14. Реакционная камера по п.9, в которой по меньшей мере одна нить содержит кремний.
15. Реакционная камера по п.9, в которой реакционная камера, покрытая слоем золота, имеет коэффициент излучения примерно от 0,01 до 0,03.
16. Способ осаждения материала в реакторе, включающий этапы, на которых
- обеспечивают реакционную камеру, содержащую по меньшей мере одно основание, установленное в реакционной камере, и корпус, при работе соединенный с основанием, причем по меньшей мере часть реакционной камеры покрыта слоем золота, имеющим толщину по меньшей мере примерно 0,1 мкн;
- прикрепляют по меньшей мере одну нить к основанию;
- подсоединяют источник электрического тока к реакционной камере для подачи тока к нити;
- соединяют источник газа с реакционной камерой для прохождения газа через реакционную камеру; и
- приводят в действие реактор для осаждения материала на нить в реакционной камере.
17. Способ по п.16, в котором материал, осажденный на нить, является поликристаллическим кремнием.
18. Способ по п.16, в котором нить содержит кремний.
19. Способ по п.16, в котором реактор является реактором химического осаждения из паровой фазы.
20. Способ по п.16, включающий, также, этап подачи тока прямо к нити по токовводу в основании.
21. Способ по п.16, в котором реакционная камера покрыта слоем золота, имеющим толщину примерно от 0,5 до 3,0 мкн.
22. Способ по п.16, в котором реакционная камера покрыта слоем золота, имеющим коэффициент излучения примерно от 0,01 до 0,03.
23. Способ по п.16, в котором реакционная камера содержит также смотровое окно для рассматривания внутренней части реакционной камеры.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US3975608P | 2008-03-26 | 2008-03-26 | |
US61/039,756 | 2008-03-26 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2010143546A true RU2010143546A (ru) | 2012-05-10 |
Family
ID=40911091
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2010143546/05A RU2010143546A (ru) | 2008-03-26 | 2009-03-26 | Реакторная система с золотым покрытием для осаждения поликристаллического кремния и способ |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20110159214A1 (ru) |
EP (1) | EP2271587A1 (ru) |
KR (1) | KR20100139092A (ru) |
CN (1) | CN101980959A (ru) |
RU (1) | RU2010143546A (ru) |
TW (1) | TWI464292B (ru) |
WO (1) | WO2009120859A1 (ru) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2717450C2 (ru) * | 2015-11-19 | 2020-03-23 | Сафран Серамикс | Устройство для нанесения покрытия на одну или несколько нитей методом осаждения из паровой фазы |
RU2717620C2 (ru) * | 2015-11-19 | 2020-03-24 | Сафран Серамикс | Устройство для нанесения покрытия на одну или несколько нитей методом осаждения из паровой фазы |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101623458B1 (ko) * | 2008-03-26 | 2016-05-23 | 지티에이티 코포레이션 | 화학 증착 반응기의 가스 분배 시스템 및 방법 |
US20110318909A1 (en) * | 2010-06-29 | 2011-12-29 | Gt Solar Incorporated | System and method of semiconductor manufacturing with energy recovery |
KR20130044326A (ko) | 2010-07-19 | 2013-05-02 | 알이씨 실리콘 인코포레이티드 | 다결정 실리콘 제조 |
JP5496828B2 (ja) * | 2010-08-27 | 2014-05-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
KR101440049B1 (ko) * | 2010-11-08 | 2014-09-12 | 주식회사 엘지화학 | 반사기 및 이를 이용한 폴리실리콘 제조용 cvd 반응기 |
RU2457177C1 (ru) * | 2011-02-28 | 2012-07-27 | Открытое акционерное общество "Красноярский машиностроительный завод" | Реактор для получения стержней поликристаллического кремния |
KR101145014B1 (ko) * | 2011-09-15 | 2012-05-11 | 웅진폴리실리콘주식회사 | 내벽에 복사열 반사 및 불순물 확산 방지용 니켈-망간 합금층을 구비한 화학기상증착 반응기와 그 제조방법 |
DE102011115782B4 (de) * | 2011-10-12 | 2013-04-25 | Centrotherm Sitec Gmbh | Reaktor mit beschichtetem Reaktorgefäß und Beschichtungsverfahren |
KR101370310B1 (ko) * | 2011-10-13 | 2014-03-06 | 한닢테크(주) | 반도체 실리콘잉곳 제조용 반응로의 내부표면 도금방법 |
CN103540914B (zh) * | 2013-09-24 | 2016-06-15 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 一种使用射频加热的桶式cvd设备反应室 |
US11015244B2 (en) | 2013-12-30 | 2021-05-25 | Advanced Material Solutions, Llc | Radiation shielding for a CVD reactor |
US10450649B2 (en) | 2014-01-29 | 2019-10-22 | Gtat Corporation | Reactor filament assembly with enhanced misalignment tolerance |
DE102014115691A1 (de) * | 2014-10-29 | 2016-05-04 | Puerstinger High Purity Systems Gmbh | Reaktor zur Abscheidung von Silicium aus einem Prozessgas |
US10208381B2 (en) * | 2014-12-23 | 2019-02-19 | Rec Silicon Inc | Apparatus and method for managing a temperature profile using reflective energy in a thermal decomposition reactor |
DE102015200070A1 (de) | 2015-01-07 | 2016-07-07 | Wacker Chemie Ag | Reaktor zur Abscheidung von polykristallinem Silicium |
KR102340294B1 (ko) * | 2018-01-17 | 2021-12-15 | 한화솔루션 주식회사 | 폴리실리콘 제조용 cvd 반응기의 벨자 코팅 장비 및 이를 이용한 코팅 방법 |
WO2022123078A1 (en) * | 2020-12-11 | 2022-06-16 | Zadient Technologies SAS | Method and device for producing a sic solid material |
Family Cites Families (94)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2805565A (en) * | 1954-03-29 | 1957-09-10 | Racek Alfred | Pyrophoric lighter |
NL238464A (ru) * | 1958-05-29 | |||
US3635757A (en) * | 1965-07-29 | 1972-01-18 | Monsanto Co | Epitaxial deposition method |
NL6513928A (ru) * | 1965-10-27 | 1967-04-28 | ||
US3647530A (en) * | 1969-11-13 | 1972-03-07 | Texas Instruments Inc | Production of semiconductor material |
DE2050076C3 (de) * | 1970-10-12 | 1980-06-26 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Vorrichtung zum Herstellen von Rohren aus Halbleitermaterial |
BE806098A (fr) * | 1973-03-28 | 1974-02-01 | Siemens Ag | Procede de fabrication de silicium ou autre matiere semi-conductrice tres pure |
DE2324365C3 (de) * | 1973-05-14 | 1978-05-11 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Reaktionsgefäß zum Abscheiden von Halbleitermaterial auf erhitzte Trägerkörper |
US3916822A (en) * | 1974-04-26 | 1975-11-04 | Bell Telephone Labor Inc | Chemical vapor deposition reactor |
DE2508802A1 (de) * | 1975-02-28 | 1976-09-09 | Siemens Ag | Verfahren zum abscheiden von elementarem silicium |
DE2518853C3 (de) * | 1975-04-28 | 1979-03-22 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Vorrichtung zum Abscheiden von elementarem Silicium aus einem Reaktionsgas |
US4082414A (en) * | 1976-03-03 | 1978-04-04 | Pyreflex Corporation | Heat recuperation |
JPS53106626A (en) * | 1977-03-02 | 1978-09-16 | Komatsu Mfg Co Ltd | Method of making high purity rod silicon and appratus therefor |
US4179530A (en) * | 1977-05-20 | 1979-12-18 | Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fur Elektronik-Grundstoffe Mbh | Process for the deposition of pure semiconductor material |
US4173944A (en) * | 1977-05-20 | 1979-11-13 | Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fur Elektronik-Grundstoffe Mbh | Silverplated vapor deposition chamber |
DE2831819A1 (de) * | 1978-07-19 | 1980-01-31 | Siemens Ag | Verfahren zum abscheiden von silicium in feinkristalliner form |
DE2912661C2 (de) * | 1979-03-30 | 1982-06-24 | Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fuer Elektronik-Grundstoffe Mbh, 8263 Burghausen | Verfahren zur Abscheidung von reinem Halbleitermaterial und Düse zur Durchführung des Verfahrens |
NZ196041A (en) * | 1980-02-04 | 1984-04-27 | Eng Management Serv Ltd | Refrigerating liquid by batch cooling in recirculating loop |
GB8324271D0 (en) * | 1983-09-10 | 1983-10-12 | Micropore International Ltd | Thermal cut-out device |
GB8328858D0 (en) * | 1983-10-28 | 1983-11-30 | Atomic Energy Authority Uk | Metal vapour deposition |
US4579080A (en) * | 1983-12-09 | 1986-04-01 | Applied Materials, Inc. | Induction heated reactor system for chemical vapor deposition |
JPH0641369B2 (ja) | 1985-06-05 | 1994-06-01 | 高純度シリコン株式会社 | 多結晶シリコンの製造装置 |
US4632057A (en) * | 1985-08-05 | 1986-12-30 | Spectrum Cvd, Inc. | CVD plasma reactor |
US4837052A (en) * | 1986-03-03 | 1989-06-06 | Applied Materials, Inc. | Process for forming reflective gold coatings |
US4938815A (en) * | 1986-10-15 | 1990-07-03 | Advantage Production Technology, Inc. | Semiconductor substrate heater and reactor process and apparatus |
US4805556A (en) * | 1988-01-15 | 1989-02-21 | Union Carbide Corporation | Reactor system and method for forming uniformly large-diameter polycrystalline rods by the pyrolysis of silane |
KR910006743B1 (ko) * | 1988-07-05 | 1991-09-02 | 한국과학기술원 | 디렉트 모니터링(Direct Monitoring)전기로를 이용한 수평브리지만(Bridgman)단결정성장장치 |
US5156820A (en) * | 1989-05-15 | 1992-10-20 | Rapro Technology, Inc. | Reaction chamber with controlled radiant energy heating and distributed reactant flow |
US5064367A (en) * | 1989-06-28 | 1991-11-12 | Digital Equipment Corporation | Conical gas inlet for thermal processing furnace |
JPH0729874B2 (ja) * | 1989-11-04 | 1995-04-05 | コマツ電子金属株式会社 | 多結晶シリコン製造装置の芯線間接続用ブリッジ |
IT1246772B (it) * | 1989-12-26 | 1994-11-26 | Advanced Silicon Materials Inc | ''mandrino di grafite avente uno strato esterno di rivestimento __impermeabile all'idrogeno'' |
US5108512A (en) * | 1991-09-16 | 1992-04-28 | Hemlock Semiconductor Corporation | Cleaning of CVD reactor used in the production of polycrystalline silicon by impacting with carbon dioxide pellets |
US5478396A (en) * | 1992-09-28 | 1995-12-26 | Advanced Silicon Materials, Inc. | Production of high-purity polycrystalline silicon rod for semiconductor applications |
US5382419A (en) * | 1992-09-28 | 1995-01-17 | Advanced Silicon Materials, Inc. | Production of high-purity polycrystalline silicon rod for semiconductor applications |
GB2271518B (en) * | 1992-10-16 | 1996-09-25 | Korea Res Inst Chem Tech | Heating of fluidized bed reactor by microwave |
US5382412A (en) * | 1992-10-16 | 1995-01-17 | Korea Research Institute Of Chemical Technology | Fluidized bed reactor heated by microwaves |
US5345534A (en) * | 1993-03-29 | 1994-09-06 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor wafer heater with infrared lamp module with light blocking means |
IT1271233B (it) * | 1994-09-30 | 1997-05-27 | Lpe | Reattore epitassiale munito di suscettore discoidale piano ed avente flusso di gas parallelo ai substrati |
JP3824675B2 (ja) * | 1995-03-03 | 2006-09-20 | 有限会社デジタル・ウェーブ | 結晶製造装置 |
US5885358A (en) * | 1996-07-09 | 1999-03-23 | Applied Materials, Inc. | Gas injection slit nozzle for a plasma process reactor |
US6198074B1 (en) * | 1996-09-06 | 2001-03-06 | Mattson Technology, Inc. | System and method for rapid thermal processing with transitional heater |
US6067931A (en) * | 1996-11-04 | 2000-05-30 | General Electric Company | Thermal processor for semiconductor wafers |
US6110289A (en) * | 1997-02-25 | 2000-08-29 | Moore Epitaxial, Inc. | Rapid thermal processing barrel reactor for processing substrates |
US6217662B1 (en) * | 1997-03-24 | 2001-04-17 | Cree, Inc. | Susceptor designs for silicon carbide thin films |
US5792273A (en) * | 1997-05-27 | 1998-08-11 | Memc Electric Materials, Inc. | Secondary edge reflector for horizontal reactor |
US6021152A (en) * | 1997-07-11 | 2000-02-01 | Asm America, Inc. | Reflective surface for CVD reactor walls |
DE19735378A1 (de) * | 1997-08-14 | 1999-02-18 | Wacker Chemie Gmbh | Verfahren zur Herstellung von hochreinem Siliciumgranulat |
JP4812938B2 (ja) * | 1997-12-15 | 2011-11-09 | レック シリコン インコーポレイテッド | 多結晶シリコン棒製造用化学的蒸気析着方式 |
US6544333B2 (en) * | 1997-12-15 | 2003-04-08 | Advanced Silicon Materials Llc | Chemical vapor deposition system for polycrystalline silicon rod production |
US6073577A (en) * | 1998-06-30 | 2000-06-13 | Lam Research Corporation | Electrode for plasma processes and method for manufacture and use thereof |
WO2000004746A1 (en) * | 1998-07-16 | 2000-01-27 | The Board Of Regents, The University Of Texas System | Method and apparatus for rapid drying of coated materials with close capture of vapors |
US6258228B1 (en) * | 1999-01-08 | 2001-07-10 | Tokyo Electron Limited | Wafer holder and clamping ring therefor for use in a deposition chamber |
US6365225B1 (en) * | 1999-02-19 | 2002-04-02 | G.T. Equipment Technologies, Inc. | Cold wall reactor and method for chemical vapor deposition of bulk polysilicon |
AU3375000A (en) * | 1999-02-19 | 2000-09-04 | Gt Equipment Technologies Inc. | Method and apparatus for chemical vapor deposition of polysilicon |
DE19927735B4 (de) * | 1999-06-17 | 2005-10-06 | Eads Space Transportation Gmbh | Schubkammer-Anordnung für Raumfahrt-Triebwerke |
US6123775A (en) * | 1999-06-30 | 2000-09-26 | Lam Research Corporation | Reaction chamber component having improved temperature uniformity |
US6436796B1 (en) * | 2000-01-31 | 2002-08-20 | Mattson Technology, Inc. | Systems and methods for epitaxial processing of a semiconductor substrate |
US6191399B1 (en) * | 2000-02-01 | 2001-02-20 | Asm America, Inc. | System of controlling the temperature of a processing chamber |
JP2003529926A (ja) * | 2000-03-30 | 2003-10-07 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理システム内への調整可能なガス注入のための方法及び装置 |
US6554905B1 (en) * | 2000-04-17 | 2003-04-29 | Asm America, Inc. | Rotating semiconductor processing apparatus |
DE10040591C1 (de) * | 2000-08-15 | 2001-11-08 | Heraeus Gmbh W C | Verfahren zur Herstellung einer Beschichtung auf einem feuerfesten Bauteil und deren Verwendung |
US6362095B1 (en) * | 2000-10-05 | 2002-03-26 | Advanced Micro Devices, Inc. | Nickel silicide stripping after nickel silicide formation |
FR2815395B1 (fr) * | 2000-10-13 | 2004-06-18 | Joint Industrial Processors For Electronics | Dispositif de chauffage rapide et uniforme d'un substrat par rayonnement infrarouge |
US6716302B2 (en) * | 2000-11-01 | 2004-04-06 | Applied Materials Inc. | Dielectric etch chamber with expanded process window |
US6660095B2 (en) * | 2001-01-15 | 2003-12-09 | Jusung Engineering Co., Ltd. | Single wafer LPCVD apparatus |
US6902622B2 (en) * | 2001-04-12 | 2005-06-07 | Mattson Technology, Inc. | Systems and methods for epitaxially depositing films on a semiconductor substrate |
US6626188B2 (en) * | 2001-06-28 | 2003-09-30 | International Business Machines Corporation | Method for cleaning and preconditioning a chemical vapor deposition chamber dome |
US6623801B2 (en) * | 2001-07-30 | 2003-09-23 | Komatsu Ltd. | Method of producing high-purity polycrystalline silicon |
US6753506B2 (en) * | 2001-08-23 | 2004-06-22 | Axcelis Technologies | System and method of fast ambient switching for rapid thermal processing |
US6864480B2 (en) * | 2001-12-19 | 2005-03-08 | Sau Lan Tang Staats | Interface members and holders for microfluidic array devices |
US7217336B2 (en) * | 2002-06-20 | 2007-05-15 | Tokyo Electron Limited | Directed gas injection apparatus for semiconductor processing |
US7041931B2 (en) * | 2002-10-24 | 2006-05-09 | Applied Materials, Inc. | Stepped reflector plate |
US7115837B2 (en) * | 2003-07-28 | 2006-10-03 | Mattson Technology, Inc. | Selective reflectivity process chamber with customized wavelength response and method |
US20050022743A1 (en) * | 2003-07-31 | 2005-02-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Evaporation container and vapor deposition apparatus |
US7645341B2 (en) * | 2003-12-23 | 2010-01-12 | Lam Research Corporation | Showerhead electrode assembly for plasma processing apparatuses |
US7480974B2 (en) * | 2005-02-15 | 2009-01-27 | Lam Research Corporation | Methods of making gas distribution members for plasma processing apparatuses |
US20060185589A1 (en) * | 2005-02-23 | 2006-08-24 | Raanan Zehavi | Silicon gas injector and method of making |
US7722719B2 (en) * | 2005-03-07 | 2010-05-25 | Applied Materials, Inc. | Gas baffle and distributor for semiconductor processing chamber |
US7323047B2 (en) * | 2005-03-25 | 2008-01-29 | Kyocera Corporation | Method for manufacturing granular silicon crystal |
US20080206970A1 (en) * | 2005-04-10 | 2008-08-28 | Franz Hugo | Production Of Polycrystalline Silicon |
US7691204B2 (en) * | 2005-09-30 | 2010-04-06 | Applied Materials, Inc. | Film formation apparatus and methods including temperature and emissivity/pattern compensation |
US8372203B2 (en) * | 2005-09-30 | 2013-02-12 | Applied Materials, Inc. | Apparatus temperature control and pattern compensation |
US20070187363A1 (en) * | 2006-02-13 | 2007-08-16 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
US9683286B2 (en) * | 2006-04-28 | 2017-06-20 | Gtat Corporation | Increased polysilicon deposition in a CVD reactor |
KR100768148B1 (ko) * | 2006-05-22 | 2007-10-17 | 한국화학연구원 | 금속 코어수단을 이용한 다결정 실리콘 봉의 제조방법 |
US20080072820A1 (en) * | 2006-06-30 | 2008-03-27 | Applied Materials, Inc. | Modular cvd epi 300mm reactor |
JP5119856B2 (ja) * | 2006-11-29 | 2013-01-16 | 三菱マテリアル株式会社 | トリクロロシラン製造装置 |
US20090071403A1 (en) * | 2007-09-19 | 2009-03-19 | Soo Young Choi | Pecvd process chamber with cooled backing plate |
EP2039653B1 (en) * | 2007-09-20 | 2015-12-23 | Mitsubishi Materials Corporation | Reactor for polycrystalline silicon and polycrystalline silicon production method |
US8043470B2 (en) * | 2007-11-21 | 2011-10-25 | Lam Research Corporation | Electrode/probe assemblies and plasma processing chambers incorporating the same |
US20090191336A1 (en) * | 2008-01-30 | 2009-07-30 | Mohan Chandra | Method and apparatus for simpified startup of chemical vapor deposition of polysilicon |
US8931431B2 (en) * | 2009-03-25 | 2015-01-13 | The Regents Of The University Of Michigan | Nozzle geometry for organic vapor jet printing |
KR101115697B1 (ko) * | 2009-12-02 | 2012-03-06 | 웅진폴리실리콘주식회사 | 에너지 효율을 높여주는 복사열 차단막을 갖는 화학기상증착 반응기 |
US20110318909A1 (en) * | 2010-06-29 | 2011-12-29 | Gt Solar Incorporated | System and method of semiconductor manufacturing with energy recovery |
-
2009
- 2009-03-26 RU RU2010143546/05A patent/RU2010143546A/ru unknown
- 2009-03-26 TW TW098109851A patent/TWI464292B/zh not_active IP Right Cessation
- 2009-03-26 EP EP20090724761 patent/EP2271587A1/en not_active Ceased
- 2009-03-26 KR KR1020107023991A patent/KR20100139092A/ko not_active Application Discontinuation
- 2009-03-26 WO PCT/US2009/038389 patent/WO2009120859A1/en active Application Filing
- 2009-03-26 CN CN2009801107751A patent/CN101980959A/zh active Pending
- 2009-03-26 US US12/934,160 patent/US20110159214A1/en not_active Abandoned
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2717450C2 (ru) * | 2015-11-19 | 2020-03-23 | Сафран Серамикс | Устройство для нанесения покрытия на одну или несколько нитей методом осаждения из паровой фазы |
RU2717620C2 (ru) * | 2015-11-19 | 2020-03-24 | Сафран Серамикс | Устройство для нанесения покрытия на одну или несколько нитей методом осаждения из паровой фазы |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2009120859A1 (en) | 2009-10-01 |
EP2271587A1 (en) | 2011-01-12 |
US20110159214A1 (en) | 2011-06-30 |
TW201002848A (en) | 2010-01-16 |
CN101980959A (zh) | 2011-02-23 |
TWI464292B (zh) | 2014-12-11 |
KR20100139092A (ko) | 2010-12-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2010143546A (ru) | Реакторная система с золотым покрытием для осаждения поликристаллического кремния и способ | |
RU2010143559A (ru) | Системы и способы распределения газа в реакторе для химического осаждения из паровой фазы | |
US20090277386A1 (en) | Catalytic chemical vapor deposition apparatus | |
CN104962876B (zh) | 石墨表面掺硼金刚石薄膜材料及其制备方法 | |
RU2006135178A (ru) | Способ нанесения металлического покрытия на волокна жидким методом | |
JP2006319301A (ja) | 触媒化学気相蒸着装置 | |
JP5372816B2 (ja) | 成膜装置および成膜方法 | |
KR102474132B1 (ko) | Cvd 반응기 및 cvd 반응기를 세정하기 위한 방법 | |
RU2011133919A (ru) | Процесс получения поликристаллического кремния | |
TW201300562A (zh) | 使用熱線化學氣相沉積腔室清潔基材表面之方法 | |
US20140137799A1 (en) | Deposition apparatus and method of forming thin film | |
JP2001247965A (ja) | 保護被膜、半導体ウェーハの処理装置、及び薄フィルムダイヤモンド被膜の生成方法 | |
CN103938185B (zh) | 一种管状零件内孔涂层的制备方法 | |
JP2001358077A (ja) | 薄膜作製装置 | |
US20080187685A1 (en) | Method of preparing vertically-aligned carbon nanotube under atmospheric and cold-wall heating treatments and making the same | |
JP4099270B2 (ja) | 触媒化学蒸着装置 | |
Bahlawane et al. | Alcohol‐Assisted CVD of Silver Using Commercially Available Precursors | |
US20110250367A1 (en) | Deposition apparatus with preheating chamber having thermal hood | |
CN107641796B (zh) | 制程设备及化学气相沉积制程 | |
US20240023204A1 (en) | Coated conductor for heater embedded in ceramic | |
RU2653036C2 (ru) | Способ осаждения алмазных плёнок из термически активированной смеси газов и реактор для его реализации | |
TWI353391B (ru) | ||
US20050214459A1 (en) | Diamond and aggregated carbon fiber and production methods | |
RU2012114734A (ru) | Технологическое устройство для осаждения материала и электрод для использования в таком устройстве | |
WO2013168747A1 (ja) | 複合発熱体並びにそれを用いた薄膜を備える成形体の製造方法及び発熱体cvd装置 |