JP5534979B2 - 基板処理装置及び基板処理装置のクリーニング方法 - Google Patents
基板処理装置及び基板処理装置のクリーニング方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5534979B2 JP5534979B2 JP2010148012A JP2010148012A JP5534979B2 JP 5534979 B2 JP5534979 B2 JP 5534979B2 JP 2010148012 A JP2010148012 A JP 2010148012A JP 2010148012 A JP2010148012 A JP 2010148012A JP 5534979 B2 JP5534979 B2 JP 5534979B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processing apparatus
- substrate processing
- gas
- inner tube
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 88
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 30
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims description 23
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 49
- ANSXAPJVJOKRDJ-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-f][2]benzofuran-1,3,5,7-tetrone Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC2=C1C(=O)OC2=O ANSXAPJVJOKRDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 40
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims description 34
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 31
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 claims description 23
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 12
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 11
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 11
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 54
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 29
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 16
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 14
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 13
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 description 13
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 description 10
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 9
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 7
- VUZPPFZMUPKLLV-UHFFFAOYSA-N methane;hydrate Chemical compound C.O VUZPPFZMUPKLLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 2
- 235000012489 doughnuts Nutrition 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 4-Aminophenyl ether Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011364 vaporized material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45578—Elongated nozzles, tubes with holes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
- B05D1/60—Deposition of organic layers from vapour phase
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
蒸着重合方式による成膜処理を行う基板処理装置においては、基板上での蒸着重合に寄与することのなかった原料モノマーは、ポリイミド膜の成膜に寄与することなくモノマーの状態で排出され、処理装置のチャンバー内を排気するための真空ポンプ内に到達する。このような原料モノマーは、真空ポンプに到達するまでの間に温度が低下し、気体から固体等の状態へと変化し、真空ポンプ内において固着等してしまい真空ポンプの故障の原因となることが知られている。このため、これら原料モノマーが真空ポンプ内に到達する前に除去する必要があり、このような装置としては、水冷コイルを備えたモノマートラップを有する真空重合装置が開示されている(例えば、特許文献1)。
本実施の形態は基板処理装置であり、原料モノマーとしてPMDAとODAを用いて、共蒸着重合によりポリイミドを得ることのできる成膜装置である。
次に、第1の実施の形態となる基板処理装置を用いた基板処理装置のクリーニング方法について説明する。
11 インナーチューブ(内部管)
12 ウエハボート
13 トラップ部
14 フィン
14a フィン
15 支柱部
16 ヒーター
17 排気口
18 開口部
21 インジェクター
22 インジェクター
23 PMDA気化器
24 ODA気化器
25 バルブ部
26 酸素ガス供給部
30 モノマートラップ部
40 バルブ
50 真空ポンプ
W ウエハ
Claims (14)
- 真空ポンプにより排気可能なチャンバーとなる外部管と、
前記外部管内に設けられており、内部に基板が設置される内部管と、
前記内部管内にガスを導入するためのガス供給部と、
前記基板、前記外部管、前記内部管を加熱するためのヒーターと、
前記外部管と前記内部管との間に設けられたトラップ部と、を有し、
前記基板を前記ヒーターにより第1の温度に加熱することにより、前記ガス供給部から供給されたガスが蒸着重合反応し、前記基板表面において前記蒸着重合反応によりに生成された膜が成膜され、
前記内部管に設けられた開口部から流入した前記ガスにより、前記トラップ部においても、前記蒸着重合反応により生成された膜が成膜されるものであって、
前記トラップ部は、複数のフィンを所定の間隔で配置した構成のものであって、
前記フィンは、中心部に前記内部管よりも大きな開口部が形成されており、
前記内部管は、前記フィンの開口部内に設置されていることを特徴とする基板処理装置。 - 前記フィンにおける開口部は円形であって、
開口部における内径は、前記内部管の外径よりも大きいことを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記外部管、前記内部管は、石英で形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の基板処理装置。
- 前記ヒーターは赤外線ヒーターであることを特徴とする請求項3に記載の基板処理装置。
- 前記フィンは石英、シリコン、アルミナにより形成されていることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記第1の温度は180℃以上、240℃以下に設定されていることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記ガスは、少なくともPMDAまたはODAのいずれかを含むことを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記ガス供給部に酸素を含むガスを導入する酸素ガス供給部を有しており、
前記ガスと前記酸素を含むガスとを切り換えて導入するためのバルブ部が設けられていることを特徴とする請求項1から7のいずれかに記載の基板処理装置。 - 真空ポンプにより排気可能なチャンバーとなる外部管と、
前記外部管内に設けられており、内部に基板が設置される内部管と、
前記内部管内にガスを導入するためのガス供給部と、
前記基板、前記外部管、前記内部管を加熱するためのヒーターと、
前記外部管と前記内部管との間に設けられたトラップ部と、を有し、
前記基板を前記ヒーターにより第1の温度に加熱することにより、前記ガス供給部から供給されたガスが蒸着重合反応し、前記基板表面において前記蒸着重合反応によりに生成された膜が成膜され、
前記内部管に設けられた開口部から流入した前記ガスにより、前記トラップ部においても、前記蒸着重合反応により生成された膜が成膜される基板処理装置のクリーニング方法において、
前記蒸着重合反応により生成された膜が成膜された基板を内部管より搬出する工程と、
前記ヒーターにより、前記トラップ部を前記第1の温度よりも高い温度である第2の温度に加熱する工程と、
前記ガス供給部より酸素を含むガスを供給する工程と、
を有し、前記トラップ部は、複数のフィンを所定の間隔で配置した構成のものであって、
前記フィンは、中心部に前記内部管よりも大きな開口部が形成されており、
前記内部管は、前記フィンの開口部内に設置されており、
前記トラップ部に成膜されている前記蒸着重合反応により生成された膜を前記酸素との熱化学反応により除去することを特徴とする基板処理装置のクリーニング方法。 - 前記外部管、前記内部管は、石英で形成されていることを特徴とする請求項9に記載の基板処理装置のクリーニング方法。
- 前記ヒーターは赤外線ヒーターであることを特徴とする請求項10に記載の基板処理装置のクリーニング方法。
- 前記フィンは石英、シリコン、アルミナにより形成されていることを特徴とする請求項9から11のいずれかに記載の基板処理装置のクリーニング方法。
- 前記ガスは、少なくともPMDAまたはODAのいずれかを含むことを特徴とする請求項9から12のいずれかに記載の基板処理装置のクリーニング方法。
- 前記第2の温度は400℃以上、800℃以下であることを特徴とする請求項9から13のいずれかに記載の基板処理装置のクリーニング方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010148012A JP5534979B2 (ja) | 2010-06-29 | 2010-06-29 | 基板処理装置及び基板処理装置のクリーニング方法 |
PCT/JP2011/063812 WO2012002159A1 (ja) | 2010-06-29 | 2011-06-16 | 基板処理装置及び基板処理装置のクリーニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010148012A JP5534979B2 (ja) | 2010-06-29 | 2010-06-29 | 基板処理装置及び基板処理装置のクリーニング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012015195A JP2012015195A (ja) | 2012-01-19 |
JP5534979B2 true JP5534979B2 (ja) | 2014-07-02 |
Family
ID=45401884
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010148012A Active JP5534979B2 (ja) | 2010-06-29 | 2010-06-29 | 基板処理装置及び基板処理装置のクリーニング方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5534979B2 (ja) |
WO (1) | WO2012002159A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6020239B2 (ja) | 2012-04-27 | 2016-11-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法及び成膜装置 |
JP6254459B2 (ja) | 2014-02-27 | 2017-12-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 重合膜の耐薬品性改善方法、重合膜の成膜方法、成膜装置、および電子製品の製造方法 |
JP7240557B2 (ja) * | 2020-03-24 | 2023-03-15 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラムおよびインナーチューブ |
WO2021192090A1 (ja) * | 2020-03-25 | 2021-09-30 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、記録媒体およびインナーチューブ |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05160029A (ja) * | 1991-12-02 | 1993-06-25 | Hitachi Ltd | 成膜装置およびその排気トラップ |
JPH10189465A (ja) * | 1996-12-26 | 1998-07-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板の熱処理装置およびそれを備える薄膜形成装置 |
JP2001308082A (ja) * | 2000-04-20 | 2001-11-02 | Nec Corp | 液体有機原料の気化方法及び絶縁膜の成長方法 |
JP4985449B2 (ja) * | 2008-02-13 | 2012-07-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
-
2010
- 2010-06-29 JP JP2010148012A patent/JP5534979B2/ja active Active
-
2011
- 2011-06-16 WO PCT/JP2011/063812 patent/WO2012002159A1/ja active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2012002159A1 (ja) | 2012-01-05 |
JP2012015195A (ja) | 2012-01-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10714331B2 (en) | Method to fabricate thermally stable low K-FinFET spacer | |
US7387968B2 (en) | Batch photoresist dry strip and ash system and process | |
TWI415188B (zh) | 半導體製程用之捕集單元 | |
US9139933B2 (en) | Semiconductor substrate manufacturing apparatus | |
JP4382750B2 (ja) | 被処理基板上にシリコン窒化膜を形成するcvd方法 | |
WO2004102650A1 (ja) | プラズマ処理装置 | |
KR20170121243A (ko) | 금속 질화물의 선택적 제거를 위해 알킬 아민들을 사용하기 위한 방법들 및 장치 | |
TW201804554A (zh) | 半導體薄膜製造之變頻微波製程及應用 | |
TWI754108B (zh) | 半導體裝置之製造方法及基板處理裝置 | |
JP5534979B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理装置のクリーニング方法 | |
JP2011146711A5 (ja) | ||
TWI550128B (zh) | 膜沉積裝置 | |
JP5281146B2 (ja) | 基板処理装置、トラップ装置、基板処理装置の制御方法及びトラップ装置の制御方法 | |
JP2016119343A (ja) | クリーニング方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム | |
JP3153190B2 (ja) | 高分子膜の製造装置とこの装置を用いた成膜方法 | |
JP2010056565A (ja) | 薄膜製造装置 | |
US20130008381A1 (en) | Trap apparatus and substrate processing apparatus | |
TWI657163B (zh) | 使用矽原料的成膜裝置 | |
TW200902746A (en) | Inductively heated trap | |
JP2005054252A (ja) | 薄膜製造装置及び製造方法 | |
JP4283911B2 (ja) | 半導体製造装置およびポリイミド膜の形成方法 | |
JP4620288B2 (ja) | バッチ式熱処理装置 | |
TWI801917B (zh) | 沉積低k介電膜的系統及方法 | |
JP2001230244A (ja) | 絶縁膜の形成方法および多層配線 | |
US20230094012A1 (en) | Rf pulsing assisted low-k film deposition with high mechanical strength |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130514 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131105 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131129 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140415 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140422 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5534979 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |