TWI399800B

TWI399800B - 碟狀基板脫氣裝置

Info

Publication number: TWI399800B
Application number: TW096100292A
Authority: TW
Inventors: Scholte Van Mast Bart
Original assignee: Oc Oerlikon Balzers Ltd
Priority date: 2006-01-18
Filing date: 2007-01-04
Publication date: 2013-06-21
Also published as: KR20080091804A; CN101361164B; WO2007082396A9; EP1979930A1; EP1979930B1; WO2007082396A1; TW200733212A; JP2009524222A; JP5448456B2; US20070163143A1; CN101361164A

Description

碟狀基板脫氣裝置

本發明係一種如申請專利範圍第1項所述之碟狀基板脫氣裝置，以及一種如申請專利範圍第13項所述之碟狀基板脫氣方法。

現代化的真空操作設備是將圓形狀的扁平基板或工件(亦稱為晶圓)放置在全自動真空操作系統中進行表面處理，例如鍍膜、蝕刻、清潔、熱處理等。為了使處理過程完全自動化，並且能夠在不同的設備部分進行多階段的處理過程，因此現代化的真空操作設備需要裝設自動化的輸送系統，也就是裝設具有輸送功能的機器人設備。此點對於對處理品質要求很高的半導體晶圓而言更是如此，例如基板的表面處理對於純淨度及精確性的要求都特別高。為了滿足前面提及的高品質要求，這一類設備最好具有一個閘門室，以便將晶圓從大氣環境中轉換到真空環境，然後再將晶圓送到後面的處理室(可以是只有一個處理室，但通常是數個依序排列的處理室)接受表面處理。在這個過程中，最好是利用輸送裝置從一個水平的輸送面將晶圓從閘門室送到處理室，而且在輸送裝置在處理室中將晶圓放下後，處理室通常會立即關閉，以便能夠在所要求的真空條件下完成處理工作。如果晶圓必須接受好幾道處理步驟，則晶圓在第一個處理室內完成第一道處理步驟後，就會以同樣的方式被送到下一個處理室進行下一道處理步驟。此類處理設備的一種有利的實施方式是所謂的群組式系統(Cluster－System)。在這種系統中，閘門室及處理室都是圍繞在位於中心的輸送室周圍。如果有一個以上的閘門室及一個以上的處理室，則是將這些閘門室及處理室以星形排列方式設置在位於中心的輸送室周圍。輸送裝置位於輸送室內，且一邊連接至少一個閘門室，另外一邊則連接所有的處理室。在輸送室及其他的室(閘門室及處理室)之間通常設有一個所謂的閘式閥，以便在通過閘門或處理過程中，各個室之間可以彼此隔離開來。在輸送晶圓的過程中，輸送裝置會穿過打開的閘門抓取晶圓，以便將晶圓放置在要輸送到的位置。閘門室及可分離的處理室的任務是將不同的大氣環境彼此隔開，以及將可能在處理過程中造成污染的質運出。

在這一類的真空處理過程中，尤其是在基板表面鍍上薄層鍍膜的過程中，基板表面的潔淨度及品質扮演非常重要的角色，而且會對鍍膜的品質造成很大的影響。在真空環境可能出現的污染物質包括水/水蒸汽及有機材料。這些污染物質會在基板表面被吸附，而且通常是以提高這些污染物質的蒸汽壓(例如加熱以提高蒸汽壓)的方式將這些污染物質去除。例如以照射紅外線或是以電導傳熱的方式將基板加熱。當基板被加熱到預定的溫度時，需要另外起動一個高效率的抽吸裝置，以便將從基板表面逸出的氣態雜質/污染物抽出。通常是以很低的真空壓力將氣態雜質/污染物抽出。

第1圖顯示一個飽含水蒸汽的金屬表面的排氣行為。曲線(1)顯示水蒸汽在金屬表面上的停留時間(t₀ )與基板表面溫度(T_w )之間的關係。以基板表面溫度(T_w )為函數，可以用下列公式計算被吸附物在金屬表面上的停留時間(t₀ )：

其中N_A 代表亞弗加厥常數，K_b 代表波茲曼常數，τ₀ 代表固體材料的特徵振動週期(約為10^－ ¹ ³ 秒)，E_a _d _s 代表水在金屬表面上的吸附能量(約為10⁵ J)。基板在真空系統中的反應類似於第1圖的曲線。第2圖顯示的裝置具有兩片平行的板子，其中一片是這個裝置的基板(2)，另外一片是則是這個裝置的外圍板(3)。可以假定有氣流(4)向基板(2)流動，以及氣流(5)從基板(2)流出。當系統在經過一段停留時間後達到平衡狀態，則基板(2)及外圍板(3)之間的溫度差可以使系統達到最高的脫氣效率，而且從這個時候開始，不論脫氣過程繼續進行多久，都會以最高脫氣率進行脫氣。為了使平衡狀態往在基板上最低的被吸附物濃度移動，故以前面提及的抽氣裝置經由如第3圖顯示的抽氣開口(6)將氣流抽出。在這種情況下，被吸附物濃度會與溫度平衡及從確實被排出系統之外的被吸物物成正比。這個現象只會受到抽氣功率、抽氣開口(6)、以及抽氣時間的影響。提高抽氣功率或延長抽氣時間都可以達到更好的抽氣效果。但是如前面所述，這樣做需要設置較大的抽氣裝置、花費較長的時間、或是使用較高的溫度。因此這一類的系統常常會用到超高真空幫浦及400℃左右的溫度，以便將排氣循環的過程時間縮短到可以接受的程度(例如30秒)。

利用幅射加熱的系統必須耗費很高的能量才能抵銷這種系統所具有的熱效率很低的不利因素。這一類的系統如果是作為單一的脫氣單元尚可達到一定程度的脫氣效果，如果是作為一個較大的系統的脫氣組件或脫氣模組，則其對於冷卻的要求就會導致系統的造價變得很昂貴及很複雜。此外，在大多數情況下，基板在系統中的溫度通常是最低的，因此很難達到良好的脫氣效果。

電導式加熱裝置或熱導式加熱裝置是一種較好的選擇。使用這一類的加熱裝置時，基板通常是被夾在一個被加熱的構造體上，操作時氣流會通過構造體及基板之間，以便形成從構造體到基板的熱傳導。另外需以抽氣系統將系統未接觸到接觸氣體的那一面產生的污染物抽出。

以上提及的兩種已知技術均屬於高真空方法。使用這種方法的系統的工作效率主要取決於抽氣系統的效率。也就是說所能達到的空度愈高，系統的脫氣效果就愈好。因此這兩種已知技術都具有必須使用很大及很貴的抽氣系統的缺點。另外一個缺點是需要較處的處理時間才能將被吸附物排除，因此會導致操作時間變長，因而降低整個生產系統的經濟效益。使用較高的溫度雖然可以縮短操作時間，但在許多情況下卻會因為基板的敏感性的緣故而不希望或不可能使用較高的溫度。

本發明的目的是要提出一種沒有前面提及的已知技術之缺點的碟狀基板脫氣裝置及脫氣方法，尤其是一種適用於半導體基板的脫氣裝置及脫氣方法。本發明提出的碟狀基板脫氣裝置不但具有很高的工作效率，而且可以大幅縮短處理時間，因此能夠在生產過程中達到很高的經濟效益。

採用具有申請專利範圍第1項之特徵的碟狀基板脫氣裝置及具有申請專利範圍第13項之特徵的方法即可達到上述的目的。申請專利範圍中的其他附屬項目的內容均為本發明的其他改良方式及有利的實施方式。

本發明提出的碟狀基板脫氣裝置是一種將碟狀基板(尤其是半導體晶圓)置於被抽成真空的環境中脫氣的裝置，這種脫氣裝置具有兩個平坦且彼此平行的構造體，構造體之間的間距小於構造體的長度或直徑，構造體之間形成一個空隙，基板被置於構造體之間的空隙，且構造體的範圍略微超出基板(10)的邊緣部分，至少有一個構造體設有進氣開口，以便讓氣體進入構造體之間的空隙，並在空隙內沿著構造體及基板形成層狀氣流，此層狀氣流會朝徑向方向流到構造體的邊緣，且在構造體的邊緣具有一個將氣流抽出用的抽氣開口。

這種脫氣裝置的幾何形狀及氣流關係的調整要能夠在位於構造體之間的基板表面上方形成層狀氣流，而且在操作期間能夠多次更換位於構造體之間的氣體。只要使氣體沿著平行於基板表面的方向移動，以及沿著垂直於基板的方向以擴散方式進行氣體交換，就可以形成層狀氣流。只要基板的尺寸及構造體的尺寸(亦包括構造體的間距，也就是構造體之間的空隙寬度)均符合設計要求，以及與抽氣功率共同決定氣體量的進氣開口及壓縮比例能夠相互配合，就可以形成所需要的層狀氣流。為了加快脫氣過程，可以在一個構造體或兩個構造體內另外安裝加熱裝置，以便將基板加熱。這種脫氣裝置可以大幅改善脫氣效果及/或大幅縮短脫氣時間，例如達到2倍以上的改善效果。對典型的半導體晶圓處理設備而言，各單一處理步驟所需的處理時間對於該設備的產量及經濟效益具有很大的影響力，尤其是費時最長的處理步驟更是具有決定性的影響。到目前為止，半導體晶圓處理設備費時最長的處理步驟通常都是發生在將基板脫氣的步驟。像將基板脫氣這樣簡單的步驟實在不應該成為半導體晶圓處理設備的瓶頸步驟及對半導體晶圓處理設備的產量造成限制。例如應使半導體晶圓處理設備在30秒內完成脫氣步驟，這樣就可以用50秒的週期進行操作，也就是說另外20秒可以作為抽氣過程及移動或處理基板之用。

以下以配合圖式對本發明做進一步的說明。

本發明提出的能夠更有效的將被吸附物排出的改良方法是盡可能去除或減少如第2圖顯示的向基板(2)流動的被吸附物流(4)，因而使前面提及的平衡狀態發生移動，以便影響在基板表面上的被吸附物濃度。

此時非吸附的氣體(7)如果在基板(2)的表面區域形成一個層狀氣流或騷動氣流，則之前從平衡觀點出發想像的模型就會發生顯著的改變。第4圖以示意方式顯示此種裝置的斷面圖。如果位於兩片板子之間的是層狀氣流或騷動氣流，則氣體中氣體粒子的自由路徑長度會遠小於系統的特徵尺寸，也就是說會遠小於基板(2)及與其相對的外圍板(3)之間的間(8)。這個關係亦適用於從基板表面蒸發的被吸附物的較短的自由路徑長度，因此從基板(2)蒸發的材料(9)只要一離開基板表面就會成為氣流(7)的一部分。此時只要基板的溫度被加熱到被吸附物的停留時間比典型操作時間短很多的程度，就可以假定被吸附物與基板表面會產生彈性碰撞，因此成為基板周圍的惰性氣流的一部分。例如當操作時間為30秒，而停留時間只有百分之一秒時，就會出現這種情況。只要達到足夠的高溫，就可以達到這麼短的停留時間，例如根據第1圖中的曲線(1)，當溫度達到430°K至480°K(大約是160℃至200℃)，停留時間就會短到只有百分之一秒的程度。當溫度達到這個程度，以及蒸發的材料成為氣流(7)的一部分時，則這些材料的排出就只與氣流速度有關。因此基於這個原因，所形成的氣流必須能夠在所選擇的操作時間內完全將位於基板區域的氣體全部更新，而且最好是將此區域的氣體更換多次(最好是更換5次以上)，以確保能夠將被吸附物完全排出。最好是以惰性氣體形成氣流，而在所有的惰性氣體中又以氬氣為最佳。

如第5圖的斷面圖所示，本發明的一種有利的實施方式將要脫氣的基板(10)置於兩個長度(1)相同的構造體(11，12)之間，構造體(11，12)的間距(d)，且二者之間形成一個空隙(28)。脫氣時應利用加熱裝置將基板(10)加熱到適當的溫度(例如200℃)。在至少一個構造體(11，12)及基板(10)之間產生的氣流(13)要能夠在整個基板表面上方形成層狀氣流。在基板(10)或至少一個構造體(11，12)的邊緣部分設有一個最好是將基板環繞住的抽氣開口(14)，氣體和污染物會一起從抽氣開口(14)被抽出而離開系統。對於圓形的基板(10)，例如半導體晶圓或記憶板，產生氣流(13)的氣體可以經由一個帶有許多小孔(18)的構造體(15)被吸入，這些小孔(18)的設置方式能夠使被吸入的氣體形成從基板的圓心向周圍流動的徑向氣流(16)。這個帶有許多小孔(18)的構造體(15)可以和一個環繞基板的抽氣開口(17)或許多個小孔搭配使用。如第6圖的立體圖所示，這個環繞基板的抽氣開口(17)可以控制或限制抽氣裝置的抽氣速度，使得氣流的形成主要是由氣流本身決定，而不是由抽氣裝置的大小來決定。

應盡可能使基板(10)及構造體(11，12)之間的氣流是不受干擾的層狀氣流，以便將回流到基板(10)的受污染氣流降到最低。為了形成層狀氣流，基板(10)上方區域的氣體注入點的構造必需符合特殊的要求。第7圖的斷面圖顯示一種有利的氣體注入點的構造方式。由於這種氣體注入點要能夠形成一事先設定的氣流，因此每一個這種氣體注入點的構造都要使被注入的氣體能夠自行形成所要求的氣流。為了符合這個要求，每一個氣體注入點都具有一個很小的小孔(18)，以便使氣體在小孔(18)區域能夠達到很高的速度。由於氣體流動的速度很快，因此在小孔(18)區域的層狀氣流形成或層狀氣流分佈(19)會受到顯著的干擾。如前面所述，應避免發生這種干擾現象，因此應降低注入氣體通過小孔(18)的速度。為了降低氣體流動的速度，這種實施方式提出的辦法是使直徑很小的小孔(18)連接到一個直徑(20)很大的區域，也就是使高速通過小孔(18)的氣體先經過這個直徑較大的區域再流入層狀氣流(16)內。這種措施可以將被注入氣體的速度降低到不會對基板(10)上方的層狀氣流造成太大影響的程度。

如第8圖的斷面圖顯示的本發明的另外一種有利的實施方式，將基板(10)圍繞住的兩個構造體(11，12)都具有加熱裝置(23)，加熱裝置(23)的任務是將構造體(11，12)加熱，然後再由構造體(11，12)將基板(10)加熱。在如第9圖顯示的另外一種可行的實施方式中，只有與基板(10)接觸的構造體(11)具有加熱裝置(23)。在如第10圖顯示的另外一種可行的實施方式中，只有位於基板(10)對面的構造體(12)具有加熱裝置(23)，而基板(10)則是設置在位於下方且沒有裝設加熱裝置的構造體(11)上，這種實施方式的優點是可以使脫氣裝置的構造變得比較簡單。

第11圖顯示使用本發明的方法達到的脫氣效果。經過脫氣處理後，留在基板(10)上的殘留水分(RW)可以用基板溫度(T)的函數來表示，其中基板溫度(T)的單位是攝氏溫度(℃)，殘留水分(RW)則是以標準化方式表示，也就是以任意單位(U.A.)來表示。曲線(26)顯示已知技術(沒有使用氣體)達到的脫氣效果，曲線(27)顯示本發明的脫氣裝置(有使用層狀氣流(16))達到的脫氣效果。本發明的這種實施方式是以氬氣作為載運氣體。從第11圖可以清楚的看出，自溫度達到150℃起，本發明的脫氣裝置就能夠以比已知技術更有效率的方式將剩餘氣體從基板(10)排出，因此在其他條件相同的情況下，使用本發明的脫氣裝置留在基板(10)上的剩餘氣體會比使用已知技術少很多。

脫氣裝置或基板(10)的操作溫度可以由水分在晶圓表面上的停留時間及希望達到的操作時間決定。自操作溫度達到100℃以上起即可達到良好的脫氣效果，也就是說可以很快的將被基板表面吸附的物質轉移到層狀氣流中，然後再隨著層狀氣流被排出系統。至少操作溫度的上限值則是由實際的古條件、敏感的基板所能忍受的溫度、以及所希望達到的脫氣效果來決定。經驗顯示操作溫度的合理上限為400℃。從第11圖可以看出，當操作溫度超過400℃，本發明的脫氣裝置所能達到的脫氣效果並無明顯的提升。如前面所述，對氣流的工作區域的調整而言，最重要的是平行設置的加熱裝置和基板(10)要能夠提供形成層狀氣流的條件。另外需要注意的一點是，在古期間要能夠在構造體(11，12)之間的空隙達到一定程度的氣體更換率。此謂所謂的氣體更換率是指空隙(28)中的氣體被全部更新的次數。最佳化的氣流區主要是由脫氣裝置的結構決定。具有良好結構的脫氣裝置能夠使總氣流在300 sccm至1000 sccm之間，氣體更換率在5次至15次之間，而且操作時間最高不超過30秒。為了使層狀氣流維持在良好的狀態，氣流區的工作操力應保持在10 mbar至50 mbar之間。這個工作壓力的下限值(10 mbar)是由努森分子流動區(Knudsen/Molekularflussregion)決定，而工作壓力的上限值(50 mbar)則是由脫氣裝置的幾何結構的雷諾數(Reynolds-Zahl)決定。如果操作壓力超過上限值，在氣流區中就會出現騷動的氣流。如前面所述，層狀氣流區對於要達到完美的脫氣效果是十分重要的。本發明的脫氣裝置特別適於半導體晶圓的脫氣，對於直徑大於150 mm且厚度只有1/10 mm的碟狀記憶板也十分適合。本發明的脫氣裝置特別適於直徑在150 mm至300 mm之間的基板。本發明的脫氣裝置亦可應用於直徑大於300 mm的基板，不過在這種情況下不但脫氣的成本會大幅提高，而且效果也較差。為了形成適當的層狀氣流，構造體(11，12)之間的間距(d)應在5 mm至30 mm之間，而且最好是在8 mm至15 mm之間。為了操作上的方便，本發明的脫氣裝置最好是採水平配置，而且最好是將基板(10)置於下方的構造體(11)上，同時上方的構造體(12)具有一個進氣開口及一個加熱功率約1200瓦的加熱裝置。參照第12及13圖，最好用釘子(28)將基板(10)定位及支撐住，以便在基板(10)及下方的構造體(11)之間形成一個間隙。這樣留在基板(10)頂面及底面上的吸附劑就可以被清除掉。這個間隙的存在讓吸附劑可以從基板底面流出。在基板底面下方形成一個類似於基板頂面上方的層狀氣流可以強化基板底面的脫氣。這個位於下方的氣流(29)可以有效的將吸附劑從底部排出。這種在基板上下方均形成氣流的作法可以有效的對整個基板進行脫氣處理。

本發明的脫氣裝置可以應用在全自動半導體加工設備中，並配合適當的運送機器人系統，即可在每一個加工步驟之間對基板進行有效的脫氣處理，以達到提高半導體加工設備的產量的目的。

1‧‧‧曲線

2‧‧‧基板

3‧‧‧外圍板

4‧‧‧氣流/被吸附物流

5‧‧‧氣流

6‧‧‧抽氣開口

7‧‧‧氣體/氣流

8‧‧‧間距

9‧‧‧材料

10‧‧‧基板

11‧‧‧構造體

12‧‧‧構造體

13‧‧‧進氣開口/氣流

14‧‧‧抽氣開口

15‧‧‧構造體

16‧‧‧氣流

17‧‧‧抽氣開口

18‧‧‧小孔

19‧‧‧氣流形成或氣流分佈

20‧‧‧直徑

23‧‧‧加熱裝置

26‧‧‧曲線

27‧‧‧曲線

28‧‧‧空隙/釘子

29‧‧‧氣流

l‧‧‧長度

d‧‧‧間距

第1圖：顯示一個飽含水蒸汽的金屬表面的排氣行為。

第2圖：顯示的裝置具有兩片平行的板子，其中一片是這個裝置的基板(2)，另外一片是則是這個裝置的外圍板(3)。

第3圖：顯示的抽氣開口(6)將氣流抽出。

第4圖：平行設置的扁平基板及彼此間隔一定距離且其間有形成本發明所需之層狀氣流的構造體的部分斷面圖。

第5圖：以示意方式顯示本發明之脫氣裝置的一個斷面圖。

第6圖：進氣方式的一個例子。

第7圖：如第6圖之進氣方式的進氣開口的斷面圖。

第8圖：以示意方式顯示一種在兩個構造體內均有安裝加熱裝置的脫氣裝置的斷面圖。

第9圖：以示意方式顯示一種只有在與基板接觸的構造體內有安裝加熱裝置的脫氣裝置的斷面圖。

第10圖：以示意方式顯示一種只有在位於基板對面的構造體內有安裝加熱裝置的脫氣裝置的斷面圖。

第11圖：在具有本發明要求的層狀氣流及在按照已知技術不使用任何氣體的情況下，基板上的殘餘水分與溫度的關係曲線圖。

第12圖：本發明另一實施例類似第8圖的視圖。

第13圖：本發明另一實施例類似第8圖的視圖。

10．．．基板

11．．．構造體

12．．．構造體

13．．．進氣開口/氣流

14．．．抽氣開口

16．．．氣流

28．．．空隙/釘子

l．．．長度

d．．．間距

Claims

一種將碟狀基板(10)置於被抽成真空的環境中脫氣的裝置，該脫氣裝置具有兩個平坦且彼此平行的構造體(11，12)，構造體(11，12)的間距(d)小於構造體(11，12)的長度(l)，構造體(11，12)之間形成一個空隙(28)，基板(10)被置於構造體(11，12)之間，且構造體(11，12)的範圍略微超出基板(10)的邊緣部分，該脫氣裝置的特徵為：至少有一個構造體(11，12)設有進氣開口(13)，以便讓氣體進入空隙(28)並在空隙(28)內沿著構造體(11，12)及基板(10)形成層狀氣流，此層狀氣流會朝徑向方向流到構造體(11，12)的邊緣，且在構造體(11，12)的邊緣具有一個將氣流抽出用的抽氣開口(14)。
如申請專利範圍第1項的脫氣裝置，其中具有一個能夠將基板(10)加熱的加熱裝置(23)。
如申請專利範圍第2項的脫氣裝置，其中加熱裝置(23)是一種安裝在一個構造體(11或12)或兩個構造體(11，12)中的電阻加熱元件。
如申請專利範圍第2項的脫氣裝置，其中加熱裝置(23)將基板(10)加熱到100℃至400℃。
如申請專利範圍第1項的脫氣裝置，其中構造體的間距(d)在5 mm至30 mm之間。
如申請專利範圍第1項的脫氣裝置，其中構造體的間距(d)在8 mm至15 mm之間。
如申請專利範圍第1項的脫氣裝置，其中基板直徑大於150 mm。
如申請專利範圍第1項的脫氣裝置，其中基板直徑在150 mm至300 mm之間。
如申請專利範圍第8項的脫氣裝置，其中基板(10)為碟狀。
如申請專利範圍第8項的脫氣裝置，其中基板(10)是一種記憶板。
如申請專利範圍第8項的脫氣裝置，其中基板(10)是半導體晶圓。
如申請專利範圍第1項的脫氣裝置，其中扁平的構造體(11，12)係以水平方式設置，且基板(10)係設置在位於下方的構造體(11)上。
如申請專利範圍第1項的脫氣裝置，其中至少在一個構造體(11及/或12)的中央部分設有一個通往空隙(28)的進氣開口(13)。
如申請專利範圍第1項的脫氣裝置，其中至少在一個構造體(11及/或12)設有許多個進氣用的小孔(18)，而且這些小孔(18)是設置在位於上方的構造體(12)上。
如申請專利範圍第14項的脫氣裝置，其中這些小孔(18)係分佈在一個構造體(11或12)的表面上，而且這些小孔(18)面對空隙(28)的那一個面具有不同的孔徑。
如申請專利範圍第1項的脫氣裝置，其中進氣開口(13)、空隙(28)的尺寸、以及抽氣開口(14)彼此配合，以便在空隙(28)中形成層狀氣流，而且能夠在30秒的操作時間內將空隙(28)中的氣體全部更新5次至15次。
一種將碟狀基板(10)置於被抽成真空的環境中脫氣的方法，該方法所使用的脫氣裝置具有兩個平坦且彼此平行的構造體(11，12)，構造體(11，12)的間距(d)小於構造體(11，12)的長度(l)，構造體(11，12)之間形成一個空隙(28)，基板(10)被置於構造體(11，12)之間，該方法的特徵為：至少有一個構造體(11，12)設有進氣開口(13)，以便讓氣體進入空隙(28)並在空隙(28)內沿著構造體(11，12)及基板(10)形成層狀氣流，此層狀氣流會朝徑向方向流到構造體(11，12)的邊緣，且在構造體(11，12)的邊緣經由一個抽氣開口(14)將氣流抽出。
如申請專利範圍第17項的方法，其中以加熱裝置(23)將基板(10)加熱。
如申請專利範圍第18項的方法，其中加熱裝置(23)係一種裝設在一個構造體(11或12)或兩個構造體(11，12)內的電阻加熱元件。
如申請專利範圍第18項或第19項的方法，其中將基板(10)加熱到100℃至400℃。
如申請專利範圍第17項的方法，其中構造體的間距(d)在5 mm至30 mm之間。
如申請專利範圍第17項的方法，其中構造體的間距(d)在8 mm至15 mm之間。
如申請專利範圍第17項的方法，其中被脫氣的基板(10) 的直徑大於150 mm。
如申請專利範圍第17項的方法，其中被脫氣的基板(10)的直徑在150 mm至300 mm之間。