JP2001262349A - 基板処理装置の排気方法 - Google Patents

基板処理装置の排気方法

Info

Publication number
JP2001262349A
JP2001262349A JP2000082639A JP2000082639A JP2001262349A JP 2001262349 A JP2001262349 A JP 2001262349A JP 2000082639 A JP2000082639 A JP 2000082639A JP 2000082639 A JP2000082639 A JP 2000082639A JP 2001262349 A JP2001262349 A JP 2001262349A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
trap
gas
exhaust pipe
exhaust
cooling unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000082639A
Other languages
English (en)
Inventor
Akihiko Yanagisawa
愛彦 柳沢
Takeji Ota
岳児 太田
Masayuki Tomita
雅之 富田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Kokusai Electric Inc
Original Assignee
Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Kokusai Electric Inc filed Critical Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority to JP2000082639A priority Critical patent/JP2001262349A/ja
Publication of JP2001262349A publication Critical patent/JP2001262349A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 トラップに既に前のガスからの捕獲物がある
場合にも、捕獲物と反応することを望まないガスを引き
続いて次に流すことができるようにする。 【解決手段】 反応室に接続された排気配管2の途中に
トラップ1を配設し、排気配管2内を流れるガスをトラ
ップ1の冷却部6で冷却することにより、ガス中の所定
成分を捕獲回収する基板処理装置の排気方法において、
トラップ1の冷却部6を、排気配管2の気密を保持した
状態で、排気配管2内を流れるガスに接する位置と接し
ない位置とに選択的に移動可能に設け、排気配管2内を
流れるガスの種類に応じて冷却部6の位置を切り換える
ことで、トラップ1を捕獲モードと非捕獲モードで使い
分ける。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、反応室内で基板の
処理を行う基板処理装置において、反応室から排出され
るガスを排気配管を通して系外に排気する際に、必要に
応じて所定成分をトラップで捕獲するようにした基板処
理装置の排気方法に関する。
【0002】
【従来の技術】CVD装置等の半導体製造装置(基板処
理装置)において、排気配管の途中にトラップを配設
し、排気配管内を流れるガスをトラップの冷却部で冷却
することにより、ガス中の所定成分を捕獲回収すること
が行われている。例えば、液体ソースを用いて反応室内
で基板の処理を行う半導体製造装置では、トラップの冷
却部で排気配管内の雰囲気温度を液体ソースの沸点以下
にして、反応室で反応し切らなかった排気ガス中の成分
を捕獲回収するようにしている。
【0003】図3及び図4を用いてトラップを備えた半
導体製造装置の排気系の従来例を説明する。
【0004】図3は特開平9−202972号公報に記
載された例を示している。この図3において、トラップ
20は排気配管21、22の途中に接続されている。ト
ラップ20は、T字形の円筒形状の管体で構成された装
置本体23と、この装置本体23の内部に挿入され装置
本体23に対して着脱自在に設けられた筒状のカートリ
ッジ24とからなる。カートリッジ24は、水冷式の冷
却部25と捕集部材26とを有した構成とされている。
【0005】この構造では、カートリッジ24を装置本
体23に挿入した状態で、装置本体23の内部にガスを
流すことになる。ガスが流れると、カートリッジ24の
冷却部25によりガスは冷却され、冷却により生成され
た生成物が捕集部材26によって捕集される。そして、
この捕集部材26から生成物を除去する場合、また、冷
却部25に付着した生成物を除去する場合などには、カ
ートリッジ24を装置本体23から取り外してメンテナ
ンスを行う。このとき、トラップ20の装置本体21自
体は排気配管21、22から取り外すことなく、上記メ
ンテナンスを行うことができる。
【0006】図4は特開平9−67673号公報に記載
された例を示している。この図4において、31は反応
室、32は排気配管、33はダストフィルタ、34は液
体窒素トラップ、35は真空ポンプである。液体窒素ト
ラップ34にはモレキュラシーブ(多孔質物質)37が
挿入され、排ガス中の未反応ガスを捕集できるようにな
っている。また、トラップ34には、仕切弁39を介し
てチャンバ38が設けられ、このチャンバ38にモレキ
ュラシーブ37を移動することで、モレキュラシーブ3
7に捕捉されたリン分を燃焼させることができるように
なっている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のトラッ
プを備えた排気系では、通常の運転時には常にガスをト
ラップに流しながら排気している。従って、前に流した
ガスによって既にトラップに捕獲物が存在している場合
にも、次に流れるガスが捕獲物に接触する条件で排気が
続けられていた。このため、捕獲物との反応を望まない
ガスを次に流したい場合には、引き続いて流すことがで
きないという問題があった。
【0008】本発明は、上記事情を考慮し、トラップに
既に前のガスからの捕獲物がある場合にも、捕獲物と反
応することを望まないガスを引き続いて次に流すことが
できるようにした基板処理装置の排気方法を提供するこ
とを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、反応
室に接続された排気配管の途中にトラップを配設し、排
気配管内を流れるガスをトラップの冷却部で冷却するこ
とにより、ガス中の所定成分を捕獲回収する基板処理装
置の排気方法において、前記トラップの冷却部を、排気
配管の気密を保持した状態で、排気配管内を流れるガス
に接する位置と接しない位置とに選択的に移動可能に設
け、排気配管内を流れるガスの種類に応じて前記冷却部
の位置を切り換えることで、前記トラップを捕獲モード
と非捕獲モードで使い分けることを特徴としている。
【0010】この発明において、トラップを捕獲モード
で使う場合には、冷却部を、排気配管内を流れるガスに
接する位置に移動する。そうすることで、排気配管を流
れるガスが冷却部に接触して冷却され、反応室で反応し
切らなかった排気ガス中の成分等がトラップにて捕獲回
収される。次に引き続いてトラップを非捕獲モードで使
う場合(=トラップ機能を使わない場合)には、冷却部
を、排気配管内を流れるガスに接しない位置に移動す
る。そうすることで、既に捕獲された生成物に接触しな
い条件下でガスを排気することができる。従って、トラ
ップに既に前のガスからの捕獲物がある場合にも、捕獲
物と反応することを望まないガスを引き続いて次に流す
ことができる。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。図1及び図2は本発明の実施形態の
排気方法の説明図で、図1はトラップを捕獲モードとし
た場合の断面図、図2はトラップを非捕獲モードとした
場合(トラップ機能を使用しないようにした場合)の断
面図である。
【0012】排気系の構成としては、図示しない反応室
からの排気配管2の途中にトラップ1が設けられてい
る。このトラップ1は、排気配管2がL字形に曲がった
部分に設けられており、垂直配管2Aから水平配管2B
への移行部の突き当たり壁2Cに開口3を開けて、そこ
に冷却部6を配置した構成となっている。
【0013】冷却部6は、内部に冷却水を循環させる略
螺旋状のパイプよりなり、突き当たり壁2Cに設けられ
た開口3から垂直配管2A内に挿入可能、及び、開口3
から排気配管2外に退避可能に設けられている。開口3
の外側(下側)には上下方向に伸縮可能な伸縮管(ベロ
ーズ)4が設けられ、伸縮管4の下端には、伸縮管4の
下端開口を閉鎖すると共に冷却部6を支持する底板5が
設けられている。
【0014】伸縮管4と底板5で囲まれる空間は、外部
に対して気密に保持されており、この空間が、冷却部6
で捕獲した物質(捕獲物S)を貯留する貯留部7となっ
ている。そして、底板5を上下させることにより、冷却
部6を排気配管2の垂直配管2A内に挿入したり、排気
配管2外に退避させたりできるようになっている。ま
た、冷却部6の上端には蓋材3Aが設けられており、冷
却部6を排気配管2外に退避させた際に、この蓋材3A
が開口3を気密に閉鎖することにより、冷却部6や貯留
部7に対して、排気配管2を流れるガスが接しないよう
にすることができようになっている。
【0015】即ち、冷却部6は、排気配管2の気密を保
持した状態で、ガスに接する位置と接しない位置とに選
択的に移動可能となっており、冷却部6をガスに接しな
い位置に移動したときに、貯留部7が、排気配管2の内
部から完全に遮断されるようになっている。
【0016】次に、この排気系で実行する排気方法を説
明する。まず、反応室からのガスをこの排気系に流す場
合には、トラップ1部分の排気配管2を加熱し、排気配
管2の壁面を、捕獲するガスの沸点よりも高い温度に保
つことで、捕獲物の壁面への付着を防止する。
【0017】この状態で、トラップ1を捕獲モードで使
用する場合には、図1に示すように底板5を上昇させ、
伸縮管4を縮めて、冷却部6を排気配管2の垂直配管2
A内に挿入固定しておく。そして、この状態でガス(G
AS)を流すと、ガスは冷却部6に接しながら流れるこ
とになり、冷却部6に接して沸点以下に冷却されたガス
成分が液体となって下方の貯留部7に流れ落ち捕獲物S
として貯留される。
【0018】一方、トラップ1を非捕獲モードで使用す
る場合(トラップ機能を使用しない場合)には、図2に
示すように底板5を下降させ、伸縮管4を伸ばして、冷
却部6を排気配管2内より排気配管2外に移動させ、冷
却部6が排気配管2内を流れるガスに接することのない
ように隔離しておく。こうすることで、蓋材3Aが開口
3を気密に閉鎖することにより、貯留部7内の捕獲物S
も排気配管2内を流れるガスから完全に隔離される。こ
の状態でガスを流すと、ガスは冷却部6や貯留部7内の
捕獲物Sに接触することなく排気されることになる。従
って、捕獲物Sと反応することを望まないガスを、トラ
ップ1を備えた排気配管2に通すことができるようにな
る。
【0019】また、この排気系の場合は、伸縮管4と底
板5で貯留部7を構成しながら、冷却部6を、排気配管
2内に対して挿脱自在に支持しているので、図4のモレ
キュラシーブ収納用のチャンバ38を別個に設ける場合
と比べて、装置を小型コンパクト化及び簡略化すること
ができ、コストアップにつながる。
【0020】なお、捕獲物S(液体)を貯留部7から分
離する場合には、底板5に設けたバルブ等(図示略)を
開栓することで、トラップ1を大気に開放することな
く、回収することができる。
【0021】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
トラップの冷却部を、排気配管の気密を保持した状態
で、排気配管内を流れるガスに接する位置と接しない位
置とに選択的に移動可能に設け、排気配管内を流れるガ
スの種類に応じて冷却部の位置を切り換えることで、ト
ラップを捕獲モードと非捕獲モードで使い分けるように
しているので、トラップに既に前のガスからの捕獲物が
ある場合にも、捕獲物と反応することを望まないガスを
引き続いて次に流すことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態の排気方法の説明図で、トラ
ップを捕獲モードとした場合の断面図である。
【図2】トラップを非捕獲モードとした場合(トラップ
機能を使用しないようにした場合)の断面図である。
【図3】従来の排気系の一例を示す図である。
【図4】従来の排気系の別の例を示す図である。
【符号の説明】
1 トラップ 2 排気配管 3 開口 3A 蓋材 4 伸縮管 5 底板 6 冷却部 7 貯留部 S 捕獲物
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 富田 雅之 東京都中野区東中野三丁目14番20号 国際 電気株式会社内 Fターム(参考) 4K030 EA12 5F045 EB05 EE11 EG01 EG08 EJ04

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 反応室に接続された排気配管の途中にト
    ラップを配設し、排気配管内を流れるガスをトラップの
    冷却部で冷却することにより、ガス中の所定成分を捕獲
    回収する基板処理装置の排気方法において、 前記トラップの冷却部を、排気配管の気密を保持した状
    態で、排気配管内を流れるガスに接する位置と接しない
    位置とに選択的に移動可能に設け、排気配管内を流れる
    ガスの種類に応じて前記冷却部の位置を切り換えること
    で、前記トラップを捕獲モードと非捕獲モードで使い分
    けることを特徴とする基板処理装置の排気方法。
JP2000082639A 2000-03-23 2000-03-23 基板処理装置の排気方法 Pending JP2001262349A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000082639A JP2001262349A (ja) 2000-03-23 2000-03-23 基板処理装置の排気方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000082639A JP2001262349A (ja) 2000-03-23 2000-03-23 基板処理装置の排気方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001262349A true JP2001262349A (ja) 2001-09-26

Family

ID=18599417

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000082639A Pending JP2001262349A (ja) 2000-03-23 2000-03-23 基板処理装置の排気方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001262349A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9067151B2 (en) 2010-06-29 2015-06-30 Tokyo Electron Limited Trap apparatus and substrate processing apparatus
CN106756879A (zh) * 2015-11-23 2017-05-31 中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司 一种半导体严苛工艺环境下的真空干泵氮气加热装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9067151B2 (en) 2010-06-29 2015-06-30 Tokyo Electron Limited Trap apparatus and substrate processing apparatus
CN106756879A (zh) * 2015-11-23 2017-05-31 中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司 一种半导体严苛工艺环境下的真空干泵氮气加热装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2012049446A (ja) 超臨界乾燥方法及び超臨界乾燥システム
JP2002530858A (ja) 物理蒸着室および化学蒸着室を共に処理システムに統合するためのバッファ室および統合方法
JPH0817165B2 (ja) 工作物を洗浄し乾燥する方法
EP0556193A1 (en) METHOD AND DEVICE FOR TRANSFERRING OBJECTS FROM A CONTROLLED ATMOSPHERE TO ANOTHER.
JPH02290223A (ja) 熱分解装置
EP0448700A1 (en) Vacuum vessel
JP2001262349A (ja) 基板処理装置の排気方法
JP2005521267A5 (ja)
JPH07218123A (ja) 水性溶媒含有試料の真空乾燥方法とその乾燥方法を実施するための真空ポンプ装置
JPH0641610A (ja) 真空脱脂焼結炉とそれを用いた脱脂方法
JP4371642B2 (ja) 放電ランプの製造方法
JP2005340243A (ja) 収納容器のガス置換装置およびそれを用いたガス置換方法
JP2004026521A (ja) フラーレンの製造設備及びフラーレンの製造方法
JP2003017416A (ja) 処理システム及び処理方法
JPH083627A (ja) 真空脱ガス設備の集塵設備
JP4127586B2 (ja) 半導体装置の製造方法および半導体製造装置
JP2002001047A (ja) Pfc回収装置及びpfc回収方法
JP3658117B2 (ja) 超臨界流体排気方法及び超臨界流体洗浄装置
JP4249469B2 (ja) ガラス粉・蛍光体除去装置
KR101869513B1 (ko) 할로겐 유기화합물 또는 할로겐 가스 처리 및 할로겐 알칼리 금속 제조 장치 및 방법
KR970023790A (ko) 반도체 제조 장비용 석영 튜브의 세정방법 및 그 장치
JP2635062B2 (ja) 真空排気系用微粒子捕集装置
JP4392118B2 (ja) 半導体製造装置及び半導体製造方法
KR20030046144A (ko) 냉각트랩 부분이 개선된 반도체소자 제조장치
JP2004286698A (ja) ダイオキシン類二次生成能測定装置および測定方法