JP2006216864A - 化合物半導体製造装置 - Google Patents

Abstract

【課題】化合物半導体製造装置を使用し続ける中で、エピタキシャルウェハにおける電気的特性の変動を低減することのできる化合物半導体製造装置を提供する。
【解決手段】ガス流路４を形成する上壁の一部として板状のサセプタ１を設ける一方、このサセプタ１に対向してガス流路４の下面側に対向板７を設けると共に、対向板７の下側に冷却ジャケット８を設け、対向板７の温度を対向板表面に堆積物が生じにくいように制御する為、冷却ジャケット８に、ヒータ９と温調器を設け、板状のサセプタ１に、複数の基板３をサセプタ中心から少し離れた位置にて周方向に配設し且つその成長面をガス流路４側に向けて支持し、その基板３の裏面側からサセプタ１をヒータ５で加熱し、サセプタ中心部分から放射状に原料ガス６を流し、加熱された基板３上で半導体結晶を気相エピタキシャル成長させる。
【選択図】図１

Description

本発明は化合物半導体製造装置、特に多数枚成長可能な化合物半導体製造装置に関するものである。

ＧａＡｓ（ガリウム砒素）やＩｎＧａＡｓ（インジウムガリウム砒素）などの化合物半導体はＳｉ（シリコン）半導体に比べて、電子移動度が高いという特長がある。この特長をいかして、ＧａＡｓやＩｎＧａＡｓは高速動作や高効率動作を要求されるデバイスに多く用いられている。代表例としてＨＥＭＴ（Ｈｉｇｈ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｏｂｉｌｉｔｙ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が挙げられ、携帯電話の送信用マイクロ波増幅器や衛星放送用受信アンテナの高周波増幅器に用いられている。

ＨＥＭＴ用エピタキシャルウェハの概略構造を図３に示す。ＨＥＭＴ用エピタキシャルウェハは、半絶縁性基板上に結晶成長したバッファ層、電子走行層、スペーサ層、電子供給層及びコンタクト層よりなる。基板は単結晶成長するための下地である。バッファ層は基板表面の残留不純物によるデバイス特性劣化を防ぐ働きや、電子走行層からのリーク電流を防ぐ働きがある。電子走行層は自由電子が流れる層であり、高純度である必要がある。スペーサ層は、電子走行層の自由電子が電子供給層のｎ型不純物によってイオン散乱されるのを抑止する働きがある。電子供給層はｎ型不純物がドーピングされており、発生した自由電子を電子走行層へ供給する。コンタクト層は電極を形成するための層である。

表１はＨＥＭＴ用エピタキシャルウェハの構造例を示す表である。

エピタキシャル層の名称の（ｎ−）、（ｉ−）はそれぞれエピタキシャル層がｎ型、半絶縁性であることを表している。厚さの単位は「ｎｍ（１０^-9ｍ）」である。キャリア濃度の単位は「ｃｍ^-3」である。
図４は、表１に示したＨＥＭＴ用エピタキシャルウェハの成長に用いられる従来の化合物半導体製造装置（有機金属気相成長装置）の構成を示す。この化合物半導体製造装置は、板状のサセプタ１に、複数の基板３を、サセプタ中心から少し離れた位置にて周方向に配設し且つ成長面をガス流路４側に向けて支持し、その基板３の裏面側からサセプタ１をヒータ５で加熱し、ガス流路４においてサセプタ中心部分から放射状に原料ガス６を流し、加熱された基板３上で半導体結晶をエピタキシャル成長させる構成となっている。

すなわち、ガス流路４を形成する反応管１０の上壁には、その一部として板状のサセプタ１が設けられ、回転軸２により回転される構造となっている。基板３はその成長面を下向き（フェイスダウン）にしてサセプタ１の開口内にセットされ、真上にある基板加熱用のヒータ５で加熱される。ガス流路４の下面側には、サセプタ１に対向して対向板７が配置され、さらにこの対向板７の下側には、部材を保護するため、冷却水のみが通っている冷却ジャケット８が設けられている。

成長中、サセプタ１は回転軸２を中心として矢印方向に回転（基板３が公転）すると共に、基板自身もサセプタ１に対して回転（基板３が自転）する。下側中央の原料ガス供給口１０ａから供給された原料ガス６は、サセプタ中心部分から放射状に外側へ流れ、加熱された基板３の表面（成長面）上で熱分解し、基板３上にエピタキシャル成長する。

表１に示したＨＥＭＴ用エピタキシャルウェハの成長方法を以下に述べる。

エピタキシャル層を成長させる半絶縁性基板をサセプタにセットし、成長炉内で加熱する。成長炉内に原料ガスを供給すると、原料ガスが熱により分解し、基板上にエピタキシャル層を成長する。

ｉ−ＧａＡｓを成長する場合には、Ｇａ原料のＧａ（ＣＨ₃）₃（トリメチルガリウムとＡｓ原料のＡｓＨ₃（アルシン）を基板に供給する。なお、Ｇａ原料として他にＧａ（ＣＨ₃ＣＨ₂）₃（トリエチルガリウム）がある。Ａｓ原料としては他にＡｓ（ＣＨ₃）₃（トリメチル砒素）、ＴＢＡ（ターシャリーブチルアルシン）がある。

ｉ−Ａｌ_0.25Ｇａ_0.75Ａｓを成長する場合には、Ｇａ（ＣＨ₃）₃、ＡｓＨ₃、及びＡｌ原料のＡｌ（ＣＨ₃）₃（トリメチルアルミニウム）を基板に供給する。なお、Ａｌ原料として他にＡｌ（ＣＨ₃ＣＨ₂）₃（トリエチルアルミニウム）がある。

ｉ−Ｉｎ_0.20Ｇａ_0.80Ａｓを成長する場合には、Ｇａ（ＣＨ₃）₃、ＡｓＨ₃、及びＩｎ原料のｈ（ＣＨ₃）₃（トリメチルインジウム）を基板に供給する。なお、Ｉｎ原料として他にＩｎ（ＣＨ₃ＣＨ₂）₃（トリエチルインジウム）がある。

ｎ−ＧａＡｓを成長する場合には、Ｇａ（ＣＨ₃）₃、ＡｓＨ₃及びｎ型ドーパントを基板に供給する。ｎ型ドーパントの元素としてはＳｉ（珪素）やＳｅ（セレン）がある。Ｓｉ原料としてＳｉＨ₄（モノシラン）、Ｓｉ₂Ｈ₆（ジシラン）がある。Ｓｅ原料としてはＨ₂Ｓｅ（セレン化水素）がある。

ｎ−Ａｌ_0.25Ｇａ_0.75Ａｓを成長する場合には、Ａｌ（ＣＨ₃）₃、Ｇａ（ＣＨ₃）₃、ＡｓＨ₃及びＳｉ₂Ｈ₆を基板に供給する。

なお、基板の加熱源の設け方については、上記のように基板の上方に設けるタイプの他、基板の下側にウェハ加熱用のヒータを設けるタイプ（例えば、特許文献１、２参照）や、基板の上側と下側の両方に設けるタイプ（例えば、特許文献３参照）などが知られている。
特開２００４−５５６３６号公報 特開平５−２１３６３号公報 特開平８−３２１４６８号公報

しかしながら、図４の化合物半導体製造装置を使用し続けると、反応管１０とヒータ５から主に構成される反応炉内に化合物半導体結晶が堆積していく。特に、サセプタ１の表面とその向かい側に位置する対向板７の表面に化合物半導体結晶が堆積する。

従来技術では、対向板７の下側にある冷却ジャケット８は冷却水のみが通っている。エピタキシャル成長中も対向板７は冷却水により約２５℃と十分に冷却されているため、対向板表面には化合物半導体結晶が堆積しやすい。このままで化合物半導体製造装置を使用し続けると、多くの種類の化合物半導体結晶をエピタキシャル成長していくため、対向板７の表面に堆積していく化合物半導体結晶の状態が変化してしまう。対向板７の表面の状態が変化すると、反応炉内の温度条件などが変化してしまい、成長膜厚やキャリア濃度が僅かずつではあるが経時変化を起こすことになる。

このことを確認するため、表１のような構造のＨＥＭＴ用エピタキシャルウェハを、化合物半導体製造装置を使用し続ける中（反応炉メンテナンス後〜メンテナンス直前の間）で、同一成長条件にて１０回作製した。図５に、このときのＨＥＭＴ用エピタキシャルウェハにおける特性（シートキャリア濃度と電子移動度）の変動の具体例を示した。シートキャリア濃度とは、自由電子の面密度であり、単位は［ｃｍ^-2］である。電子移動度とは半導体結晶中での電子の動きやすさを表し、単位は［ｃｍ²・Ｖ^-1・ｓ^-1］である。また、シートキャリア濃度と電子移動度はｖａｎ ｄｅｒ Ｐａｕｗ法によるホール測定で求めた。

図５から、化合物半導体製造装置を使用し続けていくと、シートキャリア濃度ｎsが徐々に高くなっていくことが分かる。シートキャリア濃度が高くなるのは、電子供給層などの成長膜厚が厚くなることや、キャリア濃度が高くなることが原因として挙げられる。

従来技術における反応炉メンテナンス後からメンテナンス直前までの間でのシートキャリア濃度ｎsの変動率は、図５に示す通り６．８％と大きく経時変化を起こしている。これでは同じ成長条件で成長しても、同じ電気的特性のエピタキシャルウェハが作製できないため、その都度、各エピタキシャル層の成長膜厚やキャリア濃度を求めて、電気的特性の合わせ込みを行わなければならない。この電気的特性の合わせ込みには約２４時間という長時間が必要であり、その分、生産性が低下してしまうという問題がある。

そこで、本発明の目的は、上記課題を解決し、化合物半導体製造装置を使用し続ける中（反応炉メンテナンス後〜メンテナンス直前の間）で、エピタキシャルウェハにおける電気的特性の変動を低減することのできる化合物半導体製造装置を提供することにある。

上記目的を達成するため、本発明は、次のように構成したものである。

請求項１の発明に係る化合物半導体製造装置は、ガス流路を形成する上壁の一部として板状のサセプタを設ける一方、このサセプタに対向してガス流路の下面側に対向板を設けると共に、該対向板の下側に冷却ジャケットを設け、上記板状のサセプタに、複数の基板をサセプタ中心から少し離れた位置にて周方向に配設し且つその成長面をガス流路側に向けて支持し、その基板の裏面側からサセプタをヒータで加熱し、サセプタ中心部分から放射状に原料ガスを流し、加熱された基板上で半導体結晶を気相エピタキシャル成長させる化合物半導体製造装置において、上記対向板の下側にある冷却ジャケットに、ヒータと該ヒータを電力制御する温調器を設け、該ヒータと温調器により、対向板の温度を対向板表面に堆積物が生じにくいように制御する構成としたことを特徴とする。

請求項２の発明は、請求項１記載の化合物半導体製造装置において、上記サセプタを回転（基板を公転）させる機構と、該サセプタにセットされた基板自身を各々回転（基板を自転）させる機構を有することを特徴とする。

請求項３の発明は、請求項１又は２記載の化合物半導体製造装置において、上記ヒータと温調器が、対向板の温度を２０〜２００℃の範囲で任意に制御できることを特徴とする。

請求項４の発明は、請求項１又は２記載の化合物半導体製造装置において、上記ヒータと温調器が、対向板の温度を約１００℃に制御することを特徴とする。

＜発明の要点＞
反応炉メンテナンス後からメンテナンス直前までの間において、製造するＨＥＭＴ用エピタキシャルウェハに電気的な特性変動を起こさせないためには、サセプタの向かい側に位置する対向板表面に堆積する化合物半導体結晶の状態を変化させないことが重要である。

従来技術では、対向板の下側にある冷却ジャケットは冷却水のみが通っているため、エピタキシャル成長中も対向板は冷却水により約２５℃と十分に冷却されており、対向板表面には化合物半導体結晶が堆積しやすい。このままで化合物半導体製造装置を使用し続けると、多くの種類の化合物半導体結晶をエピタキシャル成長していくため、対向板表面に堆積していく化合物半導体結晶の状態が変化してしまう。

対向板表面の状態が変化すると、反応炉内の温度条件などが変化してしまい、ＨＥＭＴ用エピタキシャルウェハにおける電気的特性が経時変化を起こしてしまう。変動があるとその都度、電気的特性の合わせ込みを行わなければならず、この合わせ込みには約２４時間という長時間が必要であり、その分生産性が低下してしまうという問題がある。

そこで本発明では、サセプタの向かい側に位置する対向板表面に堆積する化合物半導体結晶の状態を変化させないために、対向板の温度を任意に制御できるよう、図１に示すように、対向板の下側にある冷却ジャケットにヒータと該ヒータを電力制御する温調器を設けた反応炉構造とした。

本発明によれば、対向板の下側にある冷却ジャケットにヒータとこれを電力制御する温調器を設けたので、対向板の温度を任意に制御できるようになり、対向板表面に化合物半導体結晶を堆積させにくくすること、つまり対向板表面の状態を変化させないようにすることが可能になった。この作用効果については、対向板の温度を約１００℃に定めることで良好な原料効率が得られる。冷却ジャケットの冷却水の水量調整などにより、このような温度制御をなすことは実際上不可能である。

本発明により、対向板表面の堆積物の状態が変化しなくなれば、化合物半導体製造装置を使用し続けてもＨＥＭＴ用エピタキシャルウェハにおける電気的特性の変動は起こらず、生産性の向上が期待できる。

以下、本発明を図示の実施の形態に基づいて説明する。

図１に本実施形態に係る化合物半導体製造装置（有機金属気相成長装置）を示す。この化合物半導体製造装置は、ガス流路４を形成する反応管１０の上壁の一部として板状のサセプタ１を有しており、このサセプタ１は図示してないモータにより、回転軸２を中心として矢印方向に回転される構成となっている。

上記板状のサセプタ１には、複数の基板３が、サセプタ中心から少し離れた位置にて周方向に配設され、且つ、基板自身が回転（自転）する構成となっている。各基板３は、その成長面をガス流路４側に向けて、つまり下向き（フェイスダウン）にして、サセプタ１の開口内に収納され、且つ、開口内に突出するツメにより下面周縁を支持されて、成長面がガス流路４の上壁内面と同じ面一となるようにセットされている。

またサセプタ１の上方にはヒータ５が配設されており、基板３の裏面側をサセプタ１と一緒にヒータ５で加熱する構成となっている。反応炉はこのヒータ５と反応管１０とから主に構成される。

一方、ガス流路４の下面側には、上記サセプタ１に対向してカーボンなどから成る対向板７が設けられており、更にこの対向板７の下側には冷却ジャケット８が設けられている。図中に矢印１１にて冷却水の流れを示す。

成長中、サセプタ１は回転軸２を中心として矢印方向に回転（基板が公転）すると共に、基板自身もサセプタ１に対して回転（基板が自転）する。下側中央の原料ガス供給口１０ａから供給された原料ガス６は、サセプタ中心部分から放射状に外側へ流れ、加熱された基板３の表面（成長面）上で熱分解し、基板上にエピタキシャル成長する。

上記対向板７の下側にある冷却ジャケット８内にはヒータ９が設けられると共に、これを電力制御する温調器が設けられている。この温調器はヒータ９に通電する電力を制御して、対向板７の温度を、対向板表面に堆積物が生じにくいように制御する。従って、このヒータ９及び温調器は、対向板表面の状態を変化させないように作用する。

従来技術の化合物半導体製造装置（図４）の場合、表１のような構造のＨＥＭＴ用エピタキシャルウェハを、化合物半導体製造装置を使用し続ける中（反応炉メンテナンス後〜メンテナンス直前の間）で同一成長条件にて１０回作製した場合、図５に示すように、反応炉メンテナンス後からメンテナンス直前までの間でのシートキャリア濃度の変動率は６．８％と大きく経時変化を起こしている。

これは、図４の場合、対向板は冷却水により約２５℃と十分に冷却されており、対向板表面には化合物半導体結晶が堆積しやすくなっているため、多くの種類の化合物半導体結晶をエピタキシャル成長して行くと、対向板表面に堆積していく化合物半導体結晶の状態が変化してしまうことが原因である。

これに対し、本実施例の化合物半導体製造装置（図１）によれば、表１のような構造のＨＥＭＴ用エピタキシャルウェハを、化合物半導体製造装置を使用し続ける中（反応炉メンテナンス後〜メンテナンス直前の間）で同一成長条件にて１０回作製した場合、図２に示すように、反応炉メンテナンス後からメンテナンス直前までの間でのシートキャリア濃度の変動率は１．５％となり、従来技術の変動率６．８％よりも大きく低減することができ、ＨＥＭＴ用エピタキシャルウェハを再現性良く作製することができた。

従って、本実施例の化合物半導体製造装置によれば、反応炉メンテナンス後〜メンテナンス直前の間で、ＨＥＭＴ用エピタキシャルウェハにおける電気的特性の変動を低減することができ、その都度、電気的特性の合わせ込みを行うことは不要となり、生産性向上の効果が期待できる。

＜最適条件について＞
上述したヒータ９と温調器による温度制御において、サセプタ１の向かい側に位置する対向板７の温度設定を２５℃、５０℃、１００℃、１５０℃と変化させた。この場合の、反応炉メンテナンス後〜メンテナンス直前の間におけるシートキャリア濃度ｎsの変動率を、それぞれ表２に示した。

表２に示すように、対向板７の温度設定を２５℃、５０℃、１００℃、１５０℃と変化させると、シートキャリア濃度ｎsの変動率は、６．８％、３．２％、１．５％、１．４％と小さくなった。従って、対向板温度を上げていくことで、変動率が低減できることが分かる。ただし１００℃を超えた所では、原料が消費される度合いの方が増すため、原料効率が悪化してしまう。このことから対向板温度は１００℃に設定することが最適であると言える。

上記のように１００℃を超えた所で原料効率が悪化してしまう理由は、対向板７の温度を１５０℃まで上げると、炉内の上流部分の温度が上がってしまい、成長速度が低下する（原料効率が悪くなる）ためである。１００℃であれば成長速度の低下が大きくなく、かつ安定して生産も行うことができる。

［実施例］
本発明の効果を確認するため、図１の化合物半導体製造装置を使用し続ける中（反応炉メンテナンス後〜メンテナンス直前の間）で、表１のＨＥＭＴ用エピタキシャルウェハを作製した。

ヒータ９と温調器による温度制御において、対向板７の温度を１００℃に設定した。これにより対向板７の表面の温度は、実際には１００℃以上であると考えられる。

成長時の基板温度は６６０℃、成長炉内圧力は７０Ｔｏｒｒ、希釈用ガスは水素である。基板３には、半絶縁性ＧａＡｓウェハを用いた。

ｉ−ＧａＡｓ層の成長にはＧａ（ＣＨ₃）₃とＡｓＨ₃を用いた。Ｇａ（ＣＨ₃）₃の流量は７０ｃｃ／分である。ＡｓＨ₃の流量は２５０ｃｃ／分である。

ｉ−Ａｌ_0.25Ｇａ_0.75Ａｓ層の成長にはＧａ（ＣＨ₃）₃、Ａｌ（ＣＨ₃）₃及びＡｓＨ₃を用い、それらの流量はそれぞれ３０ｃｃ／分、６０ｃｃ／分及び５００ｃｃ／分である。

ｉ−Ｉｎ_0.20Ｇａ_0.80Ａｓ層の成長にはＧａ（ＣＨ₃）₃、Ｉｎ（ＣＨ₃）₃及びＡｓＨ₃を用い、それらの流量はそれぞれ４０ｃｃ／分、１５０ｃｃ／分及び５００ｃｃ／分である。

スペーサ層のｉ−Ａｌ_0.25Ｇａ_0.75Ａｓ層の成長にはｉ−Ａｌ_0.25Ｇａ_0.75Ａｓ層と同じＧａ（ＣＨ₃）₃、Ａｌ（ＣＨ₃）₃、ＡｓＨ₃を用い、それらの流量はそれぞれ３０ｃｃ／分、６０ｃｃ／分及び５００ｃｃ／分である。

ｎ−Ａｌ_0.25Ｇａ_0.75Ａｓ層の成長には、ｉ−Ａｌ_0.25Ｇａ_0.75Ａｓの成長に使用したＧａ（ＣＨ₃）₃、Ａｌ（ＣＨ₃）₃、ＡｓＨ₃に加えてＳｉ₂Ｈ₆を使用した。Ｓｉ₂Ｈ₆の流量は５０ｃｃ／分である。Ｓｉ₂Ｈ₆以外の流量はｉ−Ａｌ_0.25Ｇａ_0.75Ａｓ層の場合と同じである。

ｎ−ＧａＡｓ層の成長には、ｉ−ＧａＡｓの成長に使用したＧａ（ＣＨ₃）₃、ＡｓＨ₃に加えてＳｉ₂Ｈ₆を用いた。Ｓｉ₂Ｈ₆の流量は１００ｃｃ／分である。Ｓｉ₂Ｈ₆以外の流量はｉ−ＧａＡｓ層の場合と同じである。

上記条件で成長したＨＥＭＴ用エピタキシャルウェハを、化合物半導体製造装置を使用し続ける中（反応炉メンテナンス後〜メンテナンス直前の間）で同一成長条件にて１０回作製した。

この場合のＨＥＭＴ用エピタキシャルウェハにおける特性変動の具体例を図２に示した。反応炉メンテナンス後〜メンテナンス直前の間でのシートキャリア濃度の変動率は、図２に示す通り１．５％となり、従来技術の変動率６．８％よりも大きく低減でき、ＨＥＭＴ用エピタキシャルウェハが再現性良く作製できていることが分かる。

＜他の実施例、変形例＞
本発明は化合物半導体製造装置についてであるので、実施例で適用したＨＥＭＴ用エピタキシャルウェハ以外の他のエピタキシャルウェハの製造にも適用することができる。ＨＥＭＴと同様に電子デバイスであるＦＥＴ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、ＨＢＴ（Ｈｅｔｅｒｏ Ｊｕｎｃｔｉｏｎ Ｂｉｐｏｌａｒ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）のエピタキシャルウェハの製造にも適用可能である。

＜使用方法、応用システムなど＞
本発明の長所は、化合物半導体製造装置を使用し続ける中（反応炉メンテナンス後〜メンテナンス直前の間）でＨＥＭＴ用エピタキシャルウェハにおける電気的特性の変動を低減することができる点である。反応炉メンテナンス後からメンテナンス直前までの間で、ＨＥＭＴ用エピタキシャルウェハにおける電気的特性の変動が低減できれば、その都度、電気的特性の合わせ込みを行うことは不要となり、生産性向上の効果が期待できる。

本発明の化合物半導体製造装置の断面を表した図である。 本発明の化合物半導体製造装置を用いた場合のシートキャリア濃度の経時変化を表した図である。 ＨＥＭＴ用エピタキシャルウェハの概略構造を示す縦断面図である。 従来技術の化合物半導体製造装置の断面を表した図である。 従来技術の化合物半導体製造装置を用いた場合のシートキャリア濃度の経時変化を表した図である。

符号の説明

１ サセプタ
２ 回転軸
３ 基板
４ ガス流路
５ ヒータ
６ 原料ガス
７ 対向板
８ 冷却ジャケット
９ ヒータ・温調器
１０ 反応管
１０ａ 原料ガス供給口
１０ｂ ガス排気口
１１ 矢印

Claims (4)

1. ガス流路を形成する上壁の一部として板状のサセプタを設ける一方、このサセプタに対向してガス流路の下面側に対向板を設けると共に、該対向板の下側に冷却ジャケットを設け、上記板状のサセプタに、複数の基板をサセプタ中心から少し離れた位置にて周方向に配設し且つその成長面をガス流路側に向けて支持し、その基板の裏面側からサセプタをヒータで加熱し、サセプタ中心部分から放射状に原料ガスを流し、加熱された基板上で半導体結晶を気相エピタキシャル成長させる化合物半導体製造装置において、
   上記対向板の下側にある冷却ジャケットに、ヒータと該ヒータを電力制御する温調器を設け、該ヒータと温調器により、対向板の温度を対向板表面に堆積物が生じにくいように制御する構成としたことを特徴とする化合物半導体製造装置。
2. 請求項１記載の化合物半導体製造装置において、
   上記サセプタを回転させる機構と、該サセプタにセットされた基板自身を各々回転させる機構を有することを特徴とする化合物半導体製造装置。
3. 請求項１又は２記載の化合物半導体製造装置において、
   上記ヒータと温調器が、対向板の温度を２０〜２００℃の範囲で任意に制御できることを特徴とする化合物半導体製造装置。
4. 請求項１又は２記載の化合物半導体製造装置において、
   上記ヒータと温調器が、対向板の温度を約１００℃に制御することを特徴とする化合物半導体製造装置。

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