JP2003243318A - 気相エピタキシャル成長装置 - Google Patents
気相エピタキシャル成長装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】デバイスのさらなる性能向上、主に電気特性の
均一性向上、電子移動度の向上の為に、気相エピタキシ
ャル成長装置において結晶中への不純物混入を抑えるこ
とを可能にする。 【解決手段】加熱した基板４上にIII族およびＶ族原料
ガス、ドーピング原料及びキャリアガスを供給し、基板
４上に化合物半導体結晶を気相成長する気相エピタキシ
ャル成長装置において、基板４がセットされる部分周辺
の治具、例えば均熱板７の表面に、III−Ｖ族化合物半
導体結晶薄膜７１をコートする。
均一性向上、電子移動度の向上の為に、気相エピタキシ
ャル成長装置において結晶中への不純物混入を抑えるこ
とを可能にする。 【解決手段】加熱した基板４上にIII族およびＶ族原料
ガス、ドーピング原料及びキャリアガスを供給し、基板
４上に化合物半導体結晶を気相成長する気相エピタキシ
ャル成長装置において、基板４がセットされる部分周辺
の治具、例えば均熱板７の表面に、III−Ｖ族化合物半
導体結晶薄膜７１をコートする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＦＥＴ(Field Eff
ect Transistor)やＨＥＭＴ(High Electron Mobility T
ransistor)、ＨＢＴ(Hetero junction Bipolar Transis
tor)などの電子デバイスに用いられる化合物半導体結晶
成長用の気相エピタキシャル成長装置に関するものであ
る。
ect Transistor)やＨＥＭＴ(High Electron Mobility T
ransistor)、ＨＢＴ(Hetero junction Bipolar Transis
tor)などの電子デバイスに用いられる化合物半導体結晶
成長用の気相エピタキシャル成長装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】化合物半導体結晶を用いたＦＥＴやＨＥ
ＭＴは、シリコン半導体に比べて電子移動度が高いた
め、近年携帯電話や衛星放送受信機などの高速動作や高
効率が要求される高周波機器の増幅器などに幅広く使用
され、その需要はさらに伸びると思われる。
ＭＴは、シリコン半導体に比べて電子移動度が高いた
め、近年携帯電話や衛星放送受信機などの高速動作や高
効率が要求される高周波機器の増幅器などに幅広く使用
され、その需要はさらに伸びると思われる。
【０００３】化合物半導体結晶を成長する方法の一つに
有機金属気相成長法（MetalorganicVapor Phase Epitax
y 、以下ＭＯＶＰＥ法）がある。ＭＯＶＰＥ法は、III
族有機金属原料ガスとＶ族原料ガスを、高純度水素キャ
リアガスとの混合ガスとして反応炉内に導入し、反応炉
内で加熱された基板付近で原料が熱分解され、基板上に
化合物半導体結晶がエピタキシャル成長する。
有機金属気相成長法（MetalorganicVapor Phase Epitax
y 、以下ＭＯＶＰＥ法）がある。ＭＯＶＰＥ法は、III
族有機金属原料ガスとＶ族原料ガスを、高純度水素キャ
リアガスとの混合ガスとして反応炉内に導入し、反応炉
内で加熱された基板付近で原料が熱分解され、基板上に
化合物半導体結晶がエピタキシャル成長する。
【０００４】基板上に半導体結晶をエピタキシャル成長
させた基板（以下エピウェハと呼ぶ）の代表例としてＨ
ＥＭＴの構造を図９に示す。
させた基板（以下エピウェハと呼ぶ）の代表例としてＨ
ＥＭＴの構造を図９に示す。
【０００５】このＨＥＭＴ構造を得るには、まず半絶縁
性基板上に高抵抗の単層以上のバッファ層を成長する。
バッファ層は基板上の残留不純物によるデバイス特性劣
化を抑える働きがある。その上に高純度のチャネル層の
結晶を成長する。その上に自由電子を発生し、チャネル
層に電子を供給するキャリア供給層を成長する。チャネ
ル層とキャリア供給層の間にはスペーサ層を成長する。
スペーサ層はチャネル層を流れる自由電子が、キャリア
供給層のｎ型不純物によって散乱されるのを防ぐ働きを
持つ。更に、ソース・ドレイン電極とオーミック接合す
るコンタクト層を成長する。ＨＥＭＴはキャリア供給層
に隣接したチャネル層に二次元電子ガス（2 Dimension
Electron Gas：２ＤＥＧ）を形成することによりイオン
化不純物散乱を受けにくい高移動度の電子を利用する。
性基板上に高抵抗の単層以上のバッファ層を成長する。
バッファ層は基板上の残留不純物によるデバイス特性劣
化を抑える働きがある。その上に高純度のチャネル層の
結晶を成長する。その上に自由電子を発生し、チャネル
層に電子を供給するキャリア供給層を成長する。チャネ
ル層とキャリア供給層の間にはスペーサ層を成長する。
スペーサ層はチャネル層を流れる自由電子が、キャリア
供給層のｎ型不純物によって散乱されるのを防ぐ働きを
持つ。更に、ソース・ドレイン電極とオーミック接合す
るコンタクト層を成長する。ＨＥＭＴはキャリア供給層
に隣接したチャネル層に二次元電子ガス（2 Dimension
Electron Gas：２ＤＥＧ）を形成することによりイオン
化不純物散乱を受けにくい高移動度の電子を利用する。
【０００６】ここで従来の主なＭＯＶＰＥ装置が採用し
ているリアクター（反応炉）を構成する方式を図１０に
示す。図１０（ａ）はサセプタ３１の角錐斜面に半導体
基板（ウェハ）４を保持したバレル型、図１０（ｂ）は
ガスが反応管２の一側から他側に向かって一方向に流
れ、且つ基板４がサセプタ３２の開口部内にフェイスダ
ウンで設けられるタイプ（横型フェイスダウン）、図１
０（ｃ）は上から下に向かうガスがサセプタ３３の中央
から半径方向外側に流れ、且つ基板４がサセプタ３３の
開口部内にフェイスアップで設けられるタイプ（自転公
転型フェイスアップ）、そして図１０（ｄ）は下から上
に向かうガスがサセプタ３４中央から半径方向外側に流
れ、且つ基板４がサセプタ３４の開口部内にフェイスダ
ウンで設けられるタイプ（自転公転型フェイスダウン）
を示す。
ているリアクター（反応炉）を構成する方式を図１０に
示す。図１０（ａ）はサセプタ３１の角錐斜面に半導体
基板（ウェハ）４を保持したバレル型、図１０（ｂ）は
ガスが反応管２の一側から他側に向かって一方向に流
れ、且つ基板４がサセプタ３２の開口部内にフェイスダ
ウンで設けられるタイプ（横型フェイスダウン）、図１
０（ｃ）は上から下に向かうガスがサセプタ３３の中央
から半径方向外側に流れ、且つ基板４がサセプタ３３の
開口部内にフェイスアップで設けられるタイプ（自転公
転型フェイスアップ）、そして図１０（ｄ）は下から上
に向かうガスがサセプタ３４中央から半径方向外側に流
れ、且つ基板４がサセプタ３４の開口部内にフェイスダ
ウンで設けられるタイプ（自転公転型フェイスダウン）
を示す。
【０００７】これらの反応炉内で、基板４をセットする
部分周辺には主にカーボン・石英等の治具が用いられて
いる。図１０（ｂ）〜図１０（ｄ）に示すように、基板
４を均一に熱するために、均熱板７と呼ぶ治具を基板に
隣接してセットする場合もある。成長する結晶の純度に
は、これら治具の純度も影響を及ぼす。
部分周辺には主にカーボン・石英等の治具が用いられて
いる。図１０（ｂ）〜図１０（ｄ）に示すように、基板
４を均一に熱するために、均熱板７と呼ぶ治具を基板に
隣接してセットする場合もある。成長する結晶の純度に
は、これら治具の純度も影響を及ぼす。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、デバイ
スのさらなる高性能化・特性の安定化の為に、高純度な
結晶が求められている。先に述べた炉内治具の純度が低
い時、特に意図しない酸素が多く混入している場合は、
アンドープエピタキシャル成長のバックグラウンドの
不安定性、エピウェハの電気特性のバラツキ増大、
ＨＥＭＴ構造における移動度の低下等、様々な悪影響が
出てくる。
スのさらなる高性能化・特性の安定化の為に、高純度な
結晶が求められている。先に述べた炉内治具の純度が低
い時、特に意図しない酸素が多く混入している場合は、
アンドープエピタキシャル成長のバックグラウンドの
不安定性、エピウェハの電気特性のバラツキ増大、
ＨＥＭＴ構造における移動度の低下等、様々な悪影響が
出てくる。
【０００９】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、デバイスのさらなる性能向上、主に電気特性の均一
性向上、電子移動度の向上の為に、結晶中への不純物混
入を抑えることを可能にした気相エピタキシャル成長装
置を提供することにある。
し、デバイスのさらなる性能向上、主に電気特性の均一
性向上、電子移動度の向上の為に、結晶中への不純物混
入を抑えることを可能にした気相エピタキシャル成長装
置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、次のように構成したものである。
め、本発明は、次のように構成したものである。
【００１１】請求項１の発明に係る気相エピタキシャル
成長装置は、加熱した基板上にIII族およびＶ族原料ガ
ス、ドーピング原料及びキャリアガスを供給し、基板上
に化合物半導体結晶を気相成長する気相エピタキシャル
成長装置において、基板がセットされる部分周辺の治具
の表面に、III−Ｖ族化合物半導体結晶薄膜をコートし
たことを特徴とする。
成長装置は、加熱した基板上にIII族およびＶ族原料ガ
ス、ドーピング原料及びキャリアガスを供給し、基板上
に化合物半導体結晶を気相成長する気相エピタキシャル
成長装置において、基板がセットされる部分周辺の治具
の表面に、III−Ｖ族化合物半導体結晶薄膜をコートし
たことを特徴とする。
【００１２】請求項２の発明は、請求項１記載の気相エ
ピタキシャル成長装置において、前記基板がセットされ
る部分周辺の治具が、基板を均一に熱するために基板に
隣接して加熱源との間にセットされた均熱板から成り、
該均熱板にIII−Ｖ族化合物半導体結晶薄膜をコートし
たことを特徴とする。
ピタキシャル成長装置において、前記基板がセットされ
る部分周辺の治具が、基板を均一に熱するために基板に
隣接して加熱源との間にセットされた均熱板から成り、
該均熱板にIII−Ｖ族化合物半導体結晶薄膜をコートし
たことを特徴とする。
【００１３】請求項３の発明に係る気相エピタキシャル
成長装置は、加熱装置で加熱され、且つIII族およびＶ
族原料ガスが流通する反応管内に又は反応管の壁の一部
として板状のサセプタを設け、このサセプタに設けた開
口部内に気相エピタキシャル成長の対象である基板を、
その表面を反応管の内側に向けて支持すると共に、前記
開口部内に基板の裏面に対接して均熱板をはめ込んだ気
相エピタキシャル成長装置において、前記均熱板にIII
−Ｖ族化合物半導体結晶薄膜をコートしたことを特徴と
する。
成長装置は、加熱装置で加熱され、且つIII族およびＶ
族原料ガスが流通する反応管内に又は反応管の壁の一部
として板状のサセプタを設け、このサセプタに設けた開
口部内に気相エピタキシャル成長の対象である基板を、
その表面を反応管の内側に向けて支持すると共に、前記
開口部内に基板の裏面に対接して均熱板をはめ込んだ気
相エピタキシャル成長装置において、前記均熱板にIII
−Ｖ族化合物半導体結晶薄膜をコートしたことを特徴と
する。
【００１４】本発明において、リアクターのタイプとし
ては、(1) ガスが反応管の一側から他側に向かって一方
向に流れ、且つ基板がフェイスダウンで設けられるタイ
プ（図１０（ｂ））の他に、(2) 上から下に向かうガス
がサセプタ中央から半径方向外側に流れ、且つ基板がフ
ェイスアップで設けられるタイプ（図１０（ｃ））及び
(3) 下から上に向かうガスがサセプタ中央から半径方向
外側に流れ、且つ基板がフェイスダウンで設けられるタ
イプ（図１０（ｄ））を含む。
ては、(1) ガスが反応管の一側から他側に向かって一方
向に流れ、且つ基板がフェイスダウンで設けられるタイ
プ（図１０（ｂ））の他に、(2) 上から下に向かうガス
がサセプタ中央から半径方向外側に流れ、且つ基板がフ
ェイスアップで設けられるタイプ（図１０（ｃ））及び
(3) 下から上に向かうガスがサセプタ中央から半径方向
外側に流れ、且つ基板がフェイスダウンで設けられるタ
イプ（図１０（ｄ））を含む。
【００１５】また、均熱板のタイプとしては、(1) サセ
プタの開口部内に入り込み基板と共に開口部下部の内向
フランジで支持される構成のもの（図１（ａ））と、
(2) 均熱板と基板との厚さの和がサセプタより厚くなる
ようにし、且つ均熱板の基板と接触しない面側に外周を
半径方向に広げたつば状部を形成し、該つば状部により
基板とサセプタ間の隙間を覆う構成のもの（図１
（ｂ））とを含む。
プタの開口部内に入り込み基板と共に開口部下部の内向
フランジで支持される構成のもの（図１（ａ））と、
(2) 均熱板と基板との厚さの和がサセプタより厚くなる
ようにし、且つ均熱板の基板と接触しない面側に外周を
半径方向に広げたつば状部を形成し、該つば状部により
基板とサセプタ間の隙間を覆う構成のもの（図１
（ｂ））とを含む。
【００１６】請求項４の発明に係る気相エピタキシャル
成長装置は、加熱装置で加熱され、且つIII族およびＶ
族原料ガスが流通する反応管内に又は反応管の上部壁の
一部として板状のサセプタを設け、このサセプタに気相
エピタキシャル成長の対象である基板とほぼ同じ形状に
開口部を開け、この開口部内に基板の表面を下向きに支
持すると共に、前記基板を加熱する加熱源に面するよう
に前記開口部に均熱板をはめ込んだ気相エピタキシャル
成長装置において、前記均熱板にIII−Ｖ族化合物半導
体結晶薄膜をコートしたことを特徴とする。 これは図
１０（ｂ）と（ｄ）のタイプの気相エピタキシャル成長
装置を特定したものである。
成長装置は、加熱装置で加熱され、且つIII族およびＶ
族原料ガスが流通する反応管内に又は反応管の上部壁の
一部として板状のサセプタを設け、このサセプタに気相
エピタキシャル成長の対象である基板とほぼ同じ形状に
開口部を開け、この開口部内に基板の表面を下向きに支
持すると共に、前記基板を加熱する加熱源に面するよう
に前記開口部に均熱板をはめ込んだ気相エピタキシャル
成長装置において、前記均熱板にIII−Ｖ族化合物半導
体結晶薄膜をコートしたことを特徴とする。 これは図
１０（ｂ）と（ｄ）のタイプの気相エピタキシャル成長
装置を特定したものである。
【００１７】請求項５の発明は、請求項１〜４のいずれ
かに記載の気相エピタキシャル成長装置において、前記
コートされるIII−Ｖ族化合物半導体結晶薄膜の物質
が、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＧａＰ、
ＩｎＧａＰ、ＡｌＩｎＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＧａＮ、Ａ
ｌＮ、ＡｌＧａＮ、ＧａＮＡｓ、ＩｎＳｂのいずれかで
あることを特徴とする。
かに記載の気相エピタキシャル成長装置において、前記
コートされるIII−Ｖ族化合物半導体結晶薄膜の物質
が、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＧａＰ、
ＩｎＧａＰ、ＡｌＩｎＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＧａＮ、Ａ
ｌＮ、ＡｌＧａＮ、ＧａＮＡｓ、ＩｎＳｂのいずれかで
あることを特徴とする。
【００１８】請求項６の発明は、請求項１〜４のいずれ
かに記載の気相エピタキシャル成長装置において、前記
コートされるIII−Ｖ族化合物半導体結晶薄膜の物質
が、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＰなどの三
元系の結晶であることを特徴とする。
かに記載の気相エピタキシャル成長装置において、前記
コートされるIII−Ｖ族化合物半導体結晶薄膜の物質
が、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＰなどの三
元系の結晶であることを特徴とする。
【００１９】請求項７の発明は、請求項５又は６に記載
の気相エピタキシャル成長装置において、前記コートさ
れるIII−Ｖ族化合物半導体結晶薄膜のコート厚が０．
１μｍ以上であることを特徴とする。なお、好ましくは
０．１μｍ〜２０μｍのコート厚さとするとよい。
の気相エピタキシャル成長装置において、前記コートさ
れるIII−Ｖ族化合物半導体結晶薄膜のコート厚が０．
１μｍ以上であることを特徴とする。なお、好ましくは
０．１μｍ〜２０μｍのコート厚さとするとよい。
【００２０】請求項８の発明は、請求項１〜４のいずれ
かに記載の気相エピタキシャル成長装置において、基板
がセットされる部分周辺の治具又は均熱板がカーボン、
ＳｉＣ、ＳｉＮ、Ａｌ2Ｏ3、ＢａＮ、石英、Ｍｏのいず
れかから成ることを特徴とする。
かに記載の気相エピタキシャル成長装置において、基板
がセットされる部分周辺の治具又は均熱板がカーボン、
ＳｉＣ、ＳｉＮ、Ａｌ2Ｏ3、ＢａＮ、石英、Ｍｏのいず
れかから成ることを特徴とする。
【００２１】＜発明の要点＞本発明は、上記目的のため
に、基板がセットされる部分周辺の治具表面に、III−
Ｖ族化合物半導体結晶薄膜をコートするものである。化
合物半導体結晶の純度は、ごく微量の不純物の混入によ
って犯されてしまう。そこで、炉内および治具自体に残
存する不純物が基板や成長する結晶に影響を及ぼさない
よう、基板をセットする周辺治具、例えば均熱板の表面
にIII−Ｖ族化合物半導体結晶をコートする。
に、基板がセットされる部分周辺の治具表面に、III−
Ｖ族化合物半導体結晶薄膜をコートするものである。化
合物半導体結晶の純度は、ごく微量の不純物の混入によ
って犯されてしまう。そこで、炉内および治具自体に残
存する不純物が基板や成長する結晶に影響を及ぼさない
よう、基板をセットする周辺治具、例えば均熱板の表面
にIII−Ｖ族化合物半導体結晶をコートする。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図示の実施形態に
基づいて説明する。
基づいて説明する。
【００２３】図４に示す気相エピタキシャル成長装置
は、原料ガス供給口２ａからガス排気口２ｂへ原料ガス
が流通する反応管２の上部壁に板状のサセプタ３を設
け、これをモータ１０で回転可能に構成すると共に、こ
のサセプタ３に、図５、図６の如く、気相エピタキシャ
ル成長の対象である半導体基板４とほぼ同じ形状に開口
部５を開け、この開口部５内に基板４の表面を下向きに
収納し、下面を露出させた状態で支持すると共に、上記
基板４を加熱する加熱源たるメインヒータ２１に面して
前記開口部５に均熱板７をはめ込んだ気相エピタキシャ
ル成長装置である。なお、９は磁気シールドユニット、
２１は外周ヒータである。
は、原料ガス供給口２ａからガス排気口２ｂへ原料ガス
が流通する反応管２の上部壁に板状のサセプタ３を設
け、これをモータ１０で回転可能に構成すると共に、こ
のサセプタ３に、図５、図６の如く、気相エピタキシャ
ル成長の対象である半導体基板４とほぼ同じ形状に開口
部５を開け、この開口部５内に基板４の表面を下向きに
収納し、下面を露出させた状態で支持すると共に、上記
基板４を加熱する加熱源たるメインヒータ２１に面して
前記開口部５に均熱板７をはめ込んだ気相エピタキシャ
ル成長装置である。なお、９は磁気シールドユニット、
２１は外周ヒータである。
【００２４】サセプタ３は図５に示すように円板形をし
ており、その円板面内には同一円上に均等に６つの円形
の開口部５がサセプタを上下に貫いて設けられ、各々の
開口部５内には、半導体基板４がその表面を下にして収
納配置され、更にその上に均熱板７が重ねられて収納配
置される。この半導体基板４を開口部５内に載置し支持
する構造を得るため、開口部５の下面周縁部には、図６
に示すように開口部５の中心方向に張り出した段差から
成る基板支持部６が一体に形成されており、半導体基板
４は、この基板支持部６に外周部が支えられて開口部５
の下面に保持される。
ており、その円板面内には同一円上に均等に６つの円形
の開口部５がサセプタを上下に貫いて設けられ、各々の
開口部５内には、半導体基板４がその表面を下にして収
納配置され、更にその上に均熱板７が重ねられて収納配
置される。この半導体基板４を開口部５内に載置し支持
する構造を得るため、開口部５の下面周縁部には、図６
に示すように開口部５の中心方向に張り出した段差から
成る基板支持部６が一体に形成されており、半導体基板
４は、この基板支持部６に外周部が支えられて開口部５
の下面に保持される。
【００２５】本発明に従い、上記均熱板７には、図１
（ａ）に示すように、III−Ｖ族化合物半導体結晶薄膜
７１がコートされている。このIII−Ｖ族化合物半導体
結晶薄膜７１の物質としては、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡ
ｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＧａＰ、ＩｎＧａＰ、ＡｌＩｎＰ、
ＡｌＧａＩｎＰ、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ、ＧａＮ
Ａｓ、ＩｎＳｂのうちの一つが用いられる。III−Ｖ族
化合物半導体結晶薄膜７１のコート厚は０．１μｍ以
上、好ましくは０．１μｍ〜２０μｍに施される。
（ａ）に示すように、III−Ｖ族化合物半導体結晶薄膜
７１がコートされている。このIII−Ｖ族化合物半導体
結晶薄膜７１の物質としては、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡ
ｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＧａＰ、ＩｎＧａＰ、ＡｌＩｎＰ、
ＡｌＧａＩｎＰ、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ、ＧａＮ
Ａｓ、ＩｎＳｂのうちの一つが用いられる。III−Ｖ族
化合物半導体結晶薄膜７１のコート厚は０．１μｍ以
上、好ましくは０．１μｍ〜２０μｍに施される。
【００２６】図７に他の構成の気相エピタキシャル成長
装置を示す。
装置を示す。
【００２７】図７において、２はＭＯＶＰＥ装置の横型
の反応管であり、図４の場合と同様に、気相エピタキシ
ャル成長装置１の上下方向の中間部に配置されており、
その片側には原料ガス供給口２ａが、反対側にはガス排
気口２ｂが設けられている。また、その反応管２の中心
部には、複数の半導体基板４を保持するサセプタ３が縦
軸線（回転軸８）のまわりに回転可能に配設されてい
る。
の反応管であり、図４の場合と同様に、気相エピタキシ
ャル成長装置１の上下方向の中間部に配置されており、
その片側には原料ガス供給口２ａが、反対側にはガス排
気口２ｂが設けられている。また、その反応管２の中心
部には、複数の半導体基板４を保持するサセプタ３が縦
軸線（回転軸８）のまわりに回転可能に配設されてい
る。
【００２８】上記サセプタ３は、図４の場合と同様に、
その回転軸８が上方に延在して反応管２の外に露出して
おり、この回転軸８に磁気シールドユニット９を介して
接続されたモータ１０により回転される。
その回転軸８が上方に延在して反応管２の外に露出して
おり、この回転軸８に磁気シールドユニット９を介して
接続されたモータ１０により回転される。
【００２９】サセプタ３はカーボン製で円板形をしてお
り、その円板面内にはサセプタ３の縦軸線のまわりに同
一円上に均等に４つの円形の開口部５がサセプタを上下
に貫通して設けられ、各々の開口部５内には、エピタキ
シャル成長の対象である結晶成長用の半導体基板（ウェ
ハ）４がその表面を下にして収納配置され、更にその上
に半導体基板４から若干離して又は接触するように均熱
板７がはめ込まれている。
り、その円板面内にはサセプタ３の縦軸線のまわりに同
一円上に均等に４つの円形の開口部５がサセプタを上下
に貫通して設けられ、各々の開口部５内には、エピタキ
シャル成長の対象である結晶成長用の半導体基板（ウェ
ハ）４がその表面を下にして収納配置され、更にその上
に半導体基板４から若干離して又は接触するように均熱
板７がはめ込まれている。
【００３０】この半導体基板４を開口部５内に載置し支
持する構造を得るため、開口部５の下面周縁部には、図
６に示すように開口部５の中心方向に一部が張り出した
金属製の爪等から成る基板支持部（内向フランジ）６が
設けられており、この基板支持部６に半導体基板４の外
周部が支えられ、半導体基板４の下面が開口部５の下面
から露出する。
持する構造を得るため、開口部５の下面周縁部には、図
６に示すように開口部５の中心方向に一部が張り出した
金属製の爪等から成る基板支持部（内向フランジ）６が
設けられており、この基板支持部６に半導体基板４の外
周部が支えられ、半導体基板４の下面が開口部５の下面
から露出する。
【００３１】一方、気相エピタキシャル成長装置１の内
部には、サセプタ３の上方に輻射型ヒータから成る長方
形のメインヒータ２１が、サセプタ３の領域を被う大き
さで設けられると共に、図７には示してないが、原料の
流下方向にみてサセプタ３の側方（両側）に、外周ヒー
タ２２（図４参照）が円弧状に設けられている。
部には、サセプタ３の上方に輻射型ヒータから成る長方
形のメインヒータ２１が、サセプタ３の領域を被う大き
さで設けられると共に、図７には示してないが、原料の
流下方向にみてサセプタ３の側方（両側）に、外周ヒー
タ２２（図４参照）が円弧状に設けられている。
【００３２】この両ヒータ２１、２２の熱を半導体基板
４に均一に付与するため、上記開口部５には均熱板７が
はめ込まれる。この均熱板７は、図８に示すように、基
板４と接触しない面側に外周を半径方向に広げたつば状
部７ａを有し、該つば状部７ａがサセプタ３の表面と接
触して、両者の間を気密に維持する関係になっている。
この実施形態の場合、均熱板７は半導体基板４から若干
浮かして位置され、またこの均熱板７と基板４との厚さ
の和がサセプタ３より厚くなるように構成されている。
しかし、均熱板７は半導体基板４の上面（非処理面）の
上に接触させ又は重ねるように位置させることもでき
る。
４に均一に付与するため、上記開口部５には均熱板７が
はめ込まれる。この均熱板７は、図８に示すように、基
板４と接触しない面側に外周を半径方向に広げたつば状
部７ａを有し、該つば状部７ａがサセプタ３の表面と接
触して、両者の間を気密に維持する関係になっている。
この実施形態の場合、均熱板７は半導体基板４から若干
浮かして位置され、またこの均熱板７と基板４との厚さ
の和がサセプタ３より厚くなるように構成されている。
しかし、均熱板７は半導体基板４の上面（非処理面）の
上に接触させ又は重ねるように位置させることもでき
る。
【００３３】図８に示す均熱板７はカーボングラファイ
ト製であり、輻射加熱によるフェイスダウン式、つまり
図７のように成長炉内への基板のセット方式として、板
状のサセプタに開けた基板と同じ形状の開口部５に基板
表面が下向きになるように固定し、更にこの基板４の裏
面側に前記サセプタ開口部にはめ込める形状を有する均
熱板を設置するフェイスダウン方式の成長装置で使用す
るもので、基板裏面に置くタイプのものである。
ト製であり、輻射加熱によるフェイスダウン式、つまり
図７のように成長炉内への基板のセット方式として、板
状のサセプタに開けた基板と同じ形状の開口部５に基板
表面が下向きになるように固定し、更にこの基板４の裏
面側に前記サセプタ開口部にはめ込める形状を有する均
熱板を設置するフェイスダウン方式の成長装置で使用す
るもので、基板裏面に置くタイプのものである。
【００３４】本発明に従い、上記均熱板７には、図１
（ｂ）に示すように、III−Ｖ族化合物半導体結晶薄膜
７１がコートされている。このIII−Ｖ族化合物半導体
結晶薄膜７１も、上記図４の場合と同様に、物質とし
て、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＧａＰ、
ＩｎＧａＰ、ＡｌＩｎＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＧａＮ、Ａ
ｌＮ、ＡｌＧａＮ、ＧａＮＡｓ、ＩｎＳｂのうちの一つ
が用いられる。III−Ｖ族化合物半導体結晶薄膜７１の
コート厚は０．１μｍ以上、好ましくは０．１μｍ〜２
０μｍに施される。
（ｂ）に示すように、III−Ｖ族化合物半導体結晶薄膜
７１がコートされている。このIII−Ｖ族化合物半導体
結晶薄膜７１も、上記図４の場合と同様に、物質とし
て、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＧａＰ、
ＩｎＧａＰ、ＡｌＩｎＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＧａＮ、Ａ
ｌＮ、ＡｌＧａＮ、ＧａＮＡｓ、ＩｎＳｂのうちの一つ
が用いられる。III−Ｖ族化合物半導体結晶薄膜７１の
コート厚は０．１μｍ以上、好ましくは０．１μｍ〜２
０μｍに施される。
【００３５】上記図１（ａ）又は（ｂ）のように、均熱
板７から成る治具表面にIII−Ｖ族化合物半導体結晶薄
膜７１をコートする方法は、通常のＭＯＶＰＥ法（有機
金属気相成長法）のように反応炉内において行う。すな
わち、通常のＭＯＶＰＥ法であれば、サセプタ上に基
板をセットする、基板の裏面側に均熱板をセットす
る、ヒータで加熱し、ドーピング原料及びキャリアガ
スを供給する、といった手順で行われるが、ここでの均
熱板７へのコートは、例えば図３に示すように、サセ
プタ３上に均熱板７をセットする、メインヒータ２
１、外周ヒータ２２から成る加熱装置で加熱し、ドーピ
ング原料及びキャリアガスを供給する、といった手順で
行われる。
板７から成る治具表面にIII−Ｖ族化合物半導体結晶薄
膜７１をコートする方法は、通常のＭＯＶＰＥ法（有機
金属気相成長法）のように反応炉内において行う。すな
わち、通常のＭＯＶＰＥ法であれば、サセプタ上に基
板をセットする、基板の裏面側に均熱板をセットす
る、ヒータで加熱し、ドーピング原料及びキャリアガ
スを供給する、といった手順で行われるが、ここでの均
熱板７へのコートは、例えば図３に示すように、サセ
プタ３上に均熱板７をセットする、メインヒータ２
１、外周ヒータ２２から成る加熱装置で加熱し、ドーピ
ング原料及びキャリアガスを供給する、といった手順で
行われる。
【００３６】なお、均熱板７に加えて、他の炉内治具を
コートすることも有効である。
コートすることも有効である。
【００３７】
【実施例】次に、上記図４の気相エピタキシャル成長装
置を用いて有機金属気相成長法を実施する例について説
明する。
置を用いて有機金属気相成長法を実施する例について説
明する。
【００３８】上述した図４の反応炉内に、III族有機金
属原料ガスとＶ族原料ガスを、高純度水素キャリアガス
との混合ガスとして導入する。これにより、反応炉内で
加熱された基板４付近で原料が熱分解され、基板４上に
エピタキシャル成長する。この有機金属気相成長法にお
いて、基板４をセットする周辺治具たる均熱板７の表面
に、ｕｎ−Ａｌ0.20Ｇａ0.80Ａｓを４．０μｍコート
し、これを用いた装置を実施例とした。また、この均熱
板７にコートしない装置を従来例とした。
属原料ガスとＶ族原料ガスを、高純度水素キャリアガス
との混合ガスとして導入する。これにより、反応炉内で
加熱された基板４付近で原料が熱分解され、基板４上に
エピタキシャル成長する。この有機金属気相成長法にお
いて、基板４をセットする周辺治具たる均熱板７の表面
に、ｕｎ−Ａｌ0.20Ｇａ0.80Ａｓを４．０μｍコート
し、これを用いた装置を実施例とした。また、この均熱
板７にコートしない装置を従来例とした。
【００３９】そして、この均熱板７をコートした装置
（実施例）としない装置（従来例）とを用い、それぞれ
ｎ−Ａｌ0.26Ｇａ0.74Ａｓ単層２．０μｍと、同一のＨ
ＥＭＴ構造を、同一条件で成長した。ｎ−、ｕｎ−はそ
の結晶がそれぞれｎ型、半絶縁性であることを示してい
る。
（実施例）としない装置（従来例）とを用い、それぞれ
ｎ−Ａｌ0.26Ｇａ0.74Ａｓ単層２．０μｍと、同一のＨ
ＥＭＴ構造を、同一条件で成長した。ｎ−、ｕｎ−はそ
の結晶がそれぞれｎ型、半絶縁性であることを示してい
る。
【００４０】
【表１】
【００４１】表１に、本実施例の装置で実際に成長した
ＨＥＭＴ構造を示す。実施例の成長では、Ｇａ原料とし
てＴＭＧ、Ａｌ原料としてＴＭＡ、Ａｓ原料としてＡｓ
Ｈ3、Ｓｉの原料ガスとしてジシラン（Ｓｉ2Ｈ6）を用
いた。
ＨＥＭＴ構造を示す。実施例の成長では、Ｇａ原料とし
てＴＭＧ、Ａｌ原料としてＴＭＡ、Ａｓ原料としてＡｓ
Ｈ3、Ｓｉの原料ガスとしてジシラン（Ｓｉ2Ｈ6）を用
いた。
【００４２】上記により成長したｎ−Ａｌ0.26Ｇａ0.74
Ａｓ単層を、液体窒素温度（以下７７Ｋと略す）におい
てフォトルミネッセンス分光分析装置（以下ＰＬと略
す）で測定した。その結果を図２に示す。
Ａｓ単層を、液体窒素温度（以下７７Ｋと略す）におい
てフォトルミネッセンス分光分析装置（以下ＰＬと略
す）で測定した。その結果を図２に示す。
【００４３】長波長側、７１８〜７１９ｎｍのピークが
主に酸素、つまり不純物のピークを示す。このピークが
短波長側のピーク（ＡｌＡｓピーク）と比べて相対的に
見て高ければ高いほど、結晶中に不純物として多くの酸
素を含んでいることを示す。図２（ｂ）に示すコートな
し（カバー前）の従来例の場合の酸素ピークが、ＡｌＡ
ｓピークとほぼ同じ高さであるのに対して、図２（ａ）
に示すコートした本実施例の場合は、驚くべきことに、
酸素ピークがほとんど見えない状態になった。グラフの
縦軸［＝ピーク強度（intensity）］が、両者で大きく
異なる点は、サンプルのセット位置のズレ等、測定によ
る若干の差も含まれると思うが、結晶の純度が増したこ
とが大きな原因である。
主に酸素、つまり不純物のピークを示す。このピークが
短波長側のピーク（ＡｌＡｓピーク）と比べて相対的に
見て高ければ高いほど、結晶中に不純物として多くの酸
素を含んでいることを示す。図２（ｂ）に示すコートな
し（カバー前）の従来例の場合の酸素ピークが、ＡｌＡ
ｓピークとほぼ同じ高さであるのに対して、図２（ａ）
に示すコートした本実施例の場合は、驚くべきことに、
酸素ピークがほとんど見えない状態になった。グラフの
縦軸［＝ピーク強度（intensity）］が、両者で大きく
異なる点は、サンプルのセット位置のズレ等、測定によ
る若干の差も含まれると思うが、結晶の純度が増したこ
とが大きな原因である。
【００４４】次に本実施例にて実際に成長したＨＥＭＴ
構造の評価結果を表２に示す。
構造の評価結果を表２に示す。
【００４５】
【表２】
【００４６】期待通り、シート抵抗・シートキャリア濃
度・移動度とも、バラツキが小さくなり、均一性は大幅
に向上した。特にウェハ周辺部のバラツキが減少した。
また移動度も向上した。
度・移動度とも、バラツキが小さくなり、均一性は大幅
に向上した。特にウェハ周辺部のバラツキが減少した。
また移動度も向上した。
【００４７】次に、(1) コートする結晶の厚さ、(2) コ
ートする結晶の種類、(3) ドーパントの有無について最
適条件を調べた。評価は上記実施例と同様、ｎ−Ａｌ
0.26Ｇａ0.74Ａｓ単層、厚さ２．０μｍを成長し、７７
Ｋ下でＰＬ測定を実施した。
ートする結晶の種類、(3) ドーパントの有無について最
適条件を調べた。評価は上記実施例と同様、ｎ−Ａｌ
0.26Ｇａ0.74Ａｓ単層、厚さ２．０μｍを成長し、７７
Ｋ下でＰＬ測定を実施した。
【００４８】まず、均熱板７にコートする結晶の厚さに
ついては、表３（ａ）に示すように、実施例を元に、
０．１μｍ、０．５μｍ、１．０μｍ、２．０μｍ、
４．０μｍ、８．０μｍ、２０μｍと変化させた。
ついては、表３（ａ）に示すように、実施例を元に、
０．１μｍ、０．５μｍ、１．０μｍ、２．０μｍ、
４．０μｍ、８．０μｍ、２０μｍと変化させた。
【００４９】また結晶の種類に関しては、表３（ｂ）に
示すように、コート厚さを０．１μｍに固定して、Ｇａ
Ａｓと、三元系のＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧ
ａＰについて実施した。ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、
ＩｎＧａＰに関しては、それぞれ２通りの混晶比で実施
した。一方の混晶比について、ドーピングの有り無しに
ついて調べた。
示すように、コート厚さを０．１μｍに固定して、Ｇａ
Ａｓと、三元系のＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧ
ａＰについて実施した。ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、
ＩｎＧａＰに関しては、それぞれ２通りの混晶比で実施
した。一方の混晶比について、ドーピングの有り無しに
ついて調べた。
【００５０】結果を表３の（ａ）、（ｂ）に示す。ここ
で「Intensity 比」とは、（酸素ピークのIntensity）
／（ＡｌＡｓピークのIntensity）とし、酸素ピークの
ＡｌＡｓピークと比べた相対的なピークの高さを表すた
めに記した。
で「Intensity 比」とは、（酸素ピークのIntensity）
／（ＡｌＡｓピークのIntensity）とし、酸素ピークの
ＡｌＡｓピークと比べた相対的なピークの高さを表すた
めに記した。
【００５１】
【表３】
【００５２】コートする結晶の厚さ及び種類について、
それぞれの実験結果をまとめると次の通りであった。
それぞれの実験結果をまとめると次の通りであった。
【００５３】まず、コートする結晶の厚さについては、
０．１μｍでも効果が現れる。そして、０．５μｍ−
１．０μｍと増やすにつれて酸素ピークは小さくなって
行き、２．０μｍ以上コートした場合にはほぼ見えない
状態になった。従って、コートされるIII−Ｖ族化合物
半導体結晶薄膜のコート厚は、０．１μｍ以上、好まし
くは０．１μｍ〜２０μｍであることが分かる。
０．１μｍでも効果が現れる。そして、０．５μｍ−
１．０μｍと増やすにつれて酸素ピークは小さくなって
行き、２．０μｍ以上コートした場合にはほぼ見えない
状態になった。従って、コートされるIII−Ｖ族化合物
半導体結晶薄膜のコート厚は、０．１μｍ以上、好まし
くは０．１μｍ〜２０μｍであることが分かる。
【００５４】次に、結晶の種類については、ＧａＡｓよ
りもＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＰなどの三
元系の結晶の方が同じ厚さで有れば効果が大きかった。
ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＰについては組成の違いによる
差は少なかったが、ＡｌＧａＡｓについては、Ａｌ組成
の大きい方が効果が大きいことがわかった。
りもＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＰなどの三
元系の結晶の方が同じ厚さで有れば効果が大きかった。
ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＰについては組成の違いによる
差は少なかったが、ＡｌＧａＡｓについては、Ａｌ組成
の大きい方が効果が大きいことがわかった。
【００５５】さらにドーパントの有無については、Ｉｎ
ＧａＡｓについてはドーピングした方の効果が大きかっ
たが、その他では差は見られなかった。
ＧａＡｓについてはドーピングした方の効果が大きかっ
たが、その他では差は見られなかった。
【００５６】以上本発明の好ましい実施例について述べ
たが、本発明は、ＭＯＶＰＥ成長法により製造する化合
物半導体エピタキシャルウェハすべてに利用できるもの
である。
たが、本発明は、ＭＯＶＰＥ成長法により製造する化合
物半導体エピタキシャルウェハすべてに利用できるもの
である。
【００５７】また、上記実施例では、均熱板が一つづつ
独立している場合について述べたが、本発明は、均熱板
が一続きに一体化されている形態のものに対しても、適
用することができる。
独立している場合について述べたが、本発明は、均熱板
が一続きに一体化されている形態のものに対しても、適
用することができる。
【００５８】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、加
熱した基板上にIII族およびＶ族原料ガス、ドーピング
原料及びキャリアガスを供給し、基板上に化合物半導体
結晶を気相成長する気相エピタキシャル成長装置におい
て、基板がセットされる部分周辺の治具、例えば均熱板
の表面に、III−Ｖ族化合物半導体結晶薄膜をコートし
たので、従来と比べて安定して高純度な結晶を得ること
ができ、それによって、デバイスの電気特性の均一性の
向上、性能の向上を図ることができた。
熱した基板上にIII族およびＶ族原料ガス、ドーピング
原料及びキャリアガスを供給し、基板上に化合物半導体
結晶を気相成長する気相エピタキシャル成長装置におい
て、基板がセットされる部分周辺の治具、例えば均熱板
の表面に、III−Ｖ族化合物半導体結晶薄膜をコートし
たので、従来と比べて安定して高純度な結晶を得ること
ができ、それによって、デバイスの電気特性の均一性の
向上、性能の向上を図ることができた。
【図１】本発明により、III−Ｖ族化合物半導体結晶薄
膜を表面にコートした均熱板を示した断面図である。
膜を表面にコートした均熱板を示した断面図である。
【図２】Ａｌ0.26Ｇａ0.74Ａｓ単層のＰＬ７７Ｋ測定結
果を示した図であり、（ａ）は本発明の装置で成長した
場合を、（ｂ）は従来の装置で成長した場合を示す。
果を示した図であり、（ａ）は本発明の装置で成長した
場合を、（ｂ）は従来の装置で成長した場合を示す。
【図３】本発明の気相エピタキシャル成長装置の均熱板
にコートを施す際の形態を示した断面図である。
にコートを施す際の形態を示した断面図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る気相エピタキシャル
成長装置の構造を示した断面図である。
成長装置の構造を示した断面図である。
【図５】図４のサセプタの詳細を半導体基板及び均熱板
を装着した状態で示した平面図である。
を装着した状態で示した平面図である。
【図６】図４の気相エピタキシャル成長装置におけるサ
セプタの開口部分の断面図である。
セプタの開口部分の断面図である。
【図７】本発明の他の実施形態に係る気相エピタキシャ
ル成長装置の構造を示したもので、（ａ）は平面図、
（ｂ）はその一部縦断面図である。
ル成長装置の構造を示したもので、（ａ）は平面図、
（ｂ）はその一部縦断面図である。
【図８】図７の実施形態に係る均熱板を示したもので、
（ａ）は平面図、（ｂ）はその断面図である。
（ａ）は平面図、（ｂ）はその断面図である。
【図９】本発明の気相エピタキシャル成長装置で成長さ
せるＨＥＭＴ構造の縦断を示した図である。
せるＨＥＭＴ構造の縦断を示した図である。
【図１０】本発明を適用可能な気相エピタキシャル成長
装置の主なリアクター方式を示した図である。
装置の主なリアクター方式を示した図である。
１ 気相エピタキシャル成長装置
２ 反応管
２ａ 原料ガス供給口
２ｂ ガス排気口
３ サセプタ
４ 半導体基板
５ 開口部
６ 基板支持部
７ 均熱板
７ａ つば状部
２１ メインヒータ
２２ 外周ヒータ
７１ III−Ｖ族化合物半導体結晶薄膜
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 4G077 AA03 BE47 DB08 EG16 HA06
TB05 TF03
4K030 AA11 BA02 BA08 BA25 BB02
CA04 FA10 GA01 HA13 JA10
KA23 KA47 LA14
5F045 AA04 AB09 AB10 AB11 AB13
AB14 AB17 AB18 BB14 EB03
EM02
Claims (8)
- 【請求項１】加熱した基板上にIII族およびＶ族原料ガ
ス、ドーピング原料及びキャリアガスを供給し、基板上
に化合物半導体結晶を気相成長する気相エピタキシャル
成長装置において、 基板がセットされる部分周辺の治具の表面に、III−Ｖ
族化合物半導体結晶薄膜をコートしたことを特徴とする
気相エピタキシャル成長装置。 - 【請求項２】請求項１記載の気相エピタキシャル成長装
置において、 前記基板がセットされる部分周辺の治具が、基板を均一
に熱するために基板に隣接して加熱源との間にセットさ
れた均熱板から成り、該均熱板にIII−Ｖ族化合物半導
体結晶薄膜をコートしたことを特徴とする気相エピタキ
シャル成長装置。 - 【請求項３】加熱装置で加熱され、且つIII族およびＶ
族原料ガスが流通する反応管内に又は反応管の壁の一部
として板状のサセプタを設け、 このサセプタに設けた開口部内に気相エピタキシャル成
長の対象である基板を、その表面を反応管の内側に向け
て支持すると共に、前記開口部内に基板の裏面に対接し
て均熱板をはめ込んだ気相エピタキシャル成長装置にお
いて、 前記均熱板にIII−Ｖ族化合物半導体結晶薄膜をコート
したことを特徴とする気相エピタキシャル成長装置。 - 【請求項４】加熱装置で加熱され、且つIII族およびＶ
族原料ガスが流通する反応管内に又は反応管の上部壁の
一部として板状のサセプタを設け、このサセプタに気相
エピタキシャル成長の対象である基板とほぼ同じ形状に
開口部を開け、この開口部内に基板の表面を下向きに支
持すると共に、前記基板を加熱する加熱源に面するよう
に前記開口部に均熱板をはめ込んだ気相エピタキシャル
成長装置において、 前記均熱板にIII−Ｖ族化合物半導体結晶薄膜をコート
したことを特徴とする気相エピタキシャル成長装置。 - 【請求項５】請求項１〜４のいずれかに記載の気相エピ
タキシャル成長装置において、 前記コートされるIII−Ｖ族化合物半導体結晶薄膜の物
質が、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、Ｇａ
Ｐ、ＩｎＧａＰ、ＡｌＩｎＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、Ｇａ
Ｎ、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ、ＧａＮＡｓ、ＩｎＳｂのいず
れかであることを特徴とする気相エピタキシャル成長装
置。 - 【請求項６】請求項１〜４のいずれかに記載の気相エピ
タキシャル成長装置において、 前記コートされるIII−Ｖ族化合物半導体結晶薄膜の物
質が、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＰなどの
三元系の結晶であることを特徴とする気相エピタキシャ
ル成長装置。 - 【請求項７】請求項５又は６に記載の気相エピタキシャ
ル成長装置において、 前記コートされるIII−Ｖ族化合物半導体結晶薄膜のコ
ート厚が０．１μｍ以上であることを特徴とする気相エ
ピタキシャル成長装置。 - 【請求項８】請求項１〜４のいずれかに記載の気相エピ
タキシャル成長装置において、 基板がセットされる部分周辺の治具又は均熱板がカーボ
ン、ＳｉＣ、ＳｉＮ、Ａｌ2Ｏ3、ＢａＮ、石英、Ｍｏの
いずれかから成ることを特徴とする気相エピタキシャル
成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002045527A JP2003243318A (ja) | 2002-02-22 | 2002-02-22 | 気相エピタキシャル成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002045527A JP2003243318A (ja) | 2002-02-22 | 2002-02-22 | 気相エピタキシャル成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003243318A true JP2003243318A (ja) | 2003-08-29 |
Family
ID=27784346
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002045527A Withdrawn JP2003243318A (ja) | 2002-02-22 | 2002-02-22 | 気相エピタキシャル成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003243318A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100341117C (zh) * | 2005-06-09 | 2007-10-03 | 山东师范大学 | 一种p型杂质源的制备及掺杂工艺 |
| JP2008258508A (ja) * | 2007-04-06 | 2008-10-23 | Sharp Corp | 気相成長装置及び気相成長方法 |
-
2002
- 2002-02-22 JP JP2002045527A patent/JP2003243318A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100341117C (zh) * | 2005-06-09 | 2007-10-03 | 山东师范大学 | 一种p型杂质源的制备及掺杂工艺 |
| JP2008258508A (ja) * | 2007-04-06 | 2008-10-23 | Sharp Corp | 気相成長装置及び気相成長方法 |
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| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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