JP2012212706A - 半導体装置及びその製法において用いられるアモルファスカーボン膜の製造法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】プラズマ雰囲気形成領域を内部に有するチャンバーを備えるCVD装置を用意し、チャンバー内圧を6.66Pa以下、バイアス印加手段を介して成膜用の基体を設置するステージに印加するバイアスを100〜1500W、基体の成膜時の基体温度を200℃以下、成膜用の原料ガスの流量を100〜300cc/min.(0℃、大気圧)、プラズマ雰囲気を形成するための希ガスの流量を50〜400cc/min.(0℃、大気圧)とし、基体をプラズマ雰囲気に対面させ、基体上にアモルファスカーボン膜を形成する。
【選択図】図2
Description
本発明のもう一つの目的は、半導体装置における保護膜や封止膜に適したアモルファスカーボン膜の製造法を提供することにある。
別には、半導体装置における保護膜や封止膜に適したアモルファスカーボン膜が得られる半導体装置及びその製法において用いられるアモルファスカーボン膜の製造法を提供することができる。
102 処理室
103 処理基板
104 保持台
105 プラズマ励起ガス放出孔
106 上段シャワープレート
107 シールリング
108 カバープレート
109 シールリング
110 プラズマ励起ガスを充填する空間
111 ラジアルラインスロットアンテナのスロット板
112 マイクロ波を径方向に伝播させるための遅波板
113 同軸導波管
114 冷却用流路
115 下段シャワープレート
116 プロセスガス放出孔
117 プラズマ励起ガス供給ポート
118 プラズマ励起ガス供給孔
119 プロセスガス供給ポート
120 プロセスガス流路
121 基板バイアス電源
201 半導体基体
202 被加工膜
203 アモルファスカーボン膜
204 中間層
205 レジスト膜
Claims (1)
- 半導体装置及びその製法において用いられるアモルファスカーボン膜の製造法であって、プラズマ雰囲気形成領域を内部に有し、該プラズマ雰囲気形成領域に、アモルファスカーボン膜が形成される基体を設置する基体設置手段を有し前記プラズマ雰囲気形成領域に近接して配されるステージと、前記プラズマ雰囲気を形成するための希ガスを内部に導入するためのガス導入手段と、アモルファスカーボン膜を形成するための原料ガスを内部に導入するための原料ガス導入手段と、膜形成時に前記ステージにバイアスを印加するためのバイアス印加手段と、を有するチャンバーを備えるCVD装置を用意し、
該チャンバー内圧を6.66Pa以下、
前記バイアス印加手段を介して前記ステージに印加するバイアスを100〜1500W、
前記基体の成膜時の基体温度を200℃以下、
前記原料ガスの流量を100〜300cc/min.(0℃、大気圧)、
前記プラズマ雰囲気を形成するための希ガスの流量を50〜400cc/min.(0℃、大気圧)、とし、
前記基体設置手段に設けた前記基体を前記プラズマ雰囲気に対面させ、該基体上にアモルファスカーボン膜を形成することを特徴とする半導体装置及びその製法において用いられるアモルファスカーボン膜の製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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