WO2001033617A1 - Appareil de fabrication de semiconducteurs - Google Patents

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WO2001033617A1
WO2001033617A1 PCT/JP2000/007340 JP0007340W WO0133617A1 WO 2001033617 A1 WO2001033617 A1 WO 2001033617A1 JP 0007340 W JP0007340 W JP 0007340W WO 0133617 A1 WO0133617 A1 WO 0133617A1
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substrate
wafer
heating
susceptor
distance
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PCT/JP2000/007340
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Yuji Maeda
Koji Nakanishi
Nobuo Tokai
Ichiro Kawai
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Applied Materials Inc.
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Publication date
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Definitions

  • the present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus having a susceptor for holding and heating a semiconductor wafer (substrate).
  • a semiconductor manufacturing apparatus called a single-wafer type that processes silicon wafers one by one.
  • a wafer supporting apparatus for horizontally supporting only one wafer is provided in the processing chamber.
  • Such a wafer support device generally has a susceptor (substrate holding table) on which a wafer is placed.
  • the susceptor is heated by a heating means such as a lamp, and the wafer is heated via the susceptor.
  • the wafer support device is provided with a lift mechanism for moving the wafer placed on the susceptor up and down with respect to the susceptor.
  • This lift mechanism has a plurality of lift pins that extend through the susceptor. I'm sorry. With such a lift mechanism, the wafer carried on the blade of the transfer robot can be transferred to the susceptor, or conversely, the wafer can be transferred from the susceptor to the transfer robot. it can.
  • the in-plane temperature of the susceptor used for heating the wafer as well as the holding table is controlled.
  • As a method of such temperature distribution adjustment there is a method of obtaining temperature uniformity by adjusting the heating conditions to the susceptor, such as adjusting the irradiation condition of heating light from the lamp in the case of lamp heating.
  • the heating adjustment method becomes complicated in order to obtain sufficient temperature uniformity on the wafer surface, or There is a problem that sufficient temperature uniformity cannot be obtained due to restrictions due to arrangement and positional relationship.
  • the heat transfer conditions from the susceptor to the wafer may be different between the central part and the peripheral part of the susceptor, and the uneven temperature distribution in the wafer surface is caused by various factors.
  • the present invention has been made in view of the above problems, and provides a semiconductor manufacturing apparatus using a susceptor that improves the uniformity of the in-plane temperature distribution of a semiconductor wafer (substrate) to be processed.
  • the purpose is to:
  • the present inventor has adjusted the temperature distribution in the wafer surface by adding a concavo-convex structure to the surface shape in the wafer holding area on the upper surface of the susceptor.
  • the inventors have found that it is possible to improve the uniformity of the film thickness distribution formed by making the distribution uniform, and arrived at the present invention.
  • a semiconductor manufacturing apparatus comprises: a processing chamber; a susceptor installed in the processing chamber; a susceptor for holding and heating a substrate to be processed in a substrate holding area on the upper surface side; A susceptor for heating the substrate, wherein the susceptor includes a substrate heating surface, which is a surface portion of the upper surface of the susceptor that faces the substrate to be processed, in the substrate holding area; The substrate to be processed is supported by the substrate supporting member such that a gap of a first distance is formed between the substrate and the back surface of the substrate.
  • a heating adjusting section which forms a gap having a distance of 2 mm is formed.
  • the distribution of the gap between the substrate to be processed and the substrate heating surface is positively distributed.
  • the heating conditions for the substrate to be processed in each part of the substrate heating surface are set and adjusted accordingly, and the temperature distribution in the substrate surface such as (c) is obtained so as to obtain a uniform film thickness distribution. It can be made uniform.
  • FIG. 1 is a configuration diagram schematically showing an embodiment of a film forming apparatus which is a semiconductor manufacturing apparatus.
  • FIG. 2A and 2B are a side cross-sectional view and a top view, respectively, showing the configuration of a susceptor used in the film forming apparatus shown in FIG.
  • FIG. 3 is a side cross-sectional view showing a partially enlarged view of the susceptor shown in FIG. 2A.
  • 4A and 4B are side cross-sectional views of the susceptor shown in FIG. 2A, respectively, and a graph comparing the film thickness distribution by film formation using the susceptor with a conventional susceptor. is there.
  • FIG. 5 is a graph showing a change in the film thickness with respect to the distance of the gap between the wafer and the susceptor.
  • FIG. 6 is a graph comparing the film thickness distribution near the lift pin through hole formed by the film formation using the susceptor shown in FIGS. 2A and 2B with the case of using the conventional susceptor.
  • FIG. 7 is a top view showing measurement points used for the film thickness measurement shown in FIG.
  • FIG. 1 schematically shows a film forming apparatus such as an epitaxial growth apparatus as a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention.
  • the illustrated film forming apparatus 10 is of a single-wafer type that processes a silicon wafer (not shown in FIG. 1) as a substrate to be processed one by one.
  • the substrate to be processed includes a substrate such as a semiconductor wafer and a glass substrate.
  • a case where the substrate is a silicon wafer will be described.
  • the film forming apparatus 10 includes a processing chamber 12 made of quartz glass, and a wafer support device 14 is installed in the processing chamber 12.
  • a processing gas inlet 16 is formed on the side of the processing chamber 12, and an exhaust port 18 is formed at a position facing the processing gas inlet 16.
  • a plurality of, for example, 20 halogen lamps 20 are radially arranged as heating means.
  • the wafer is supported by the wafer support device 14, the halogen lamp 20 is turned on to heat the wafer, and the processing gas is supplied from the introduction port 16 while exhausting the gas through the exhaust port 18.
  • the processing gas flows in a laminar flow state along the surface of the wafer heated to a predetermined temperature, and a single crystal of silicon grows epitaxially on the wafer.
  • the treatment gas supply for example, S iH 4, S i 2 H 6, a silicon source gas such as S i H 2 C 1 2, PH 3, AsH 3, B 2 H f; a which de one Pantogasu, and H
  • a mixture of carrier gas such as N 2 and N 2 in a gas panel (not shown) is used.
  • the pressure in the processing chamber 12 is adjusted to 0.7 kPa (5 Torr) to 88 kPa (660 Torr) depending on the opening of the throttle valve in the exhaust pipe.
  • the wafer support device 14 applied to the film forming apparatus 10 shown in FIG. 1 includes a susceptor 22 as a holding table for holding a wafer.
  • Susceptor 22 is made of silicon carbide It is a disc made of coated graphite material and is horizontally supported at three points from the back side by a quartz glass support shaft 24 erected at the bottom of the processing chamber 12 .
  • the susceptor 22 is used to hold the wafer and to heat the wafer.
  • FIG. 2A and 2B are a side cross-sectional view and a top view showing the configuration of the susceptor 22, respectively.
  • FIG. 3 is a cross-sectional side view of the susceptor 22 shown in FIG.
  • the wafer W supported by the susceptor 22 is shown in FIG. 2A in a state where it is supported, in FIG. 3 a position supported by a dotted line, and in FIG. 2B.
  • the structure of the susceptor 22 without supporting the wafer W is shown.
  • a substantially circular hole holding area (substrate holding area) 50 for accommodating and holding the wafer W is set around the center axis A x of the disk-shaped susceptor 22. Have been.
  • a heating surface (substrate heating surface) 52 composed of a circular recess centered on the central axis Ax is formed.
  • a susceptor support portion 60 for supporting the susceptor 22 by a support shaft 24 is provided on a lower surface portion of the susceptor 22 outside the wafer holding area 50.
  • This annular step portion is a wafer support portion (substrate support portion) 54 for supporting the wafer W.
  • the wafer W was placed at a predetermined position in the holding area 50 of the susceptor 22, the lower portion of the outer edge of the wafer W was in contact with the upper surface of the wafer supporting portion 54 provided on the outer periphery of the wafer heating surface 52.
  • the wafer W is supported in this state (see FIGS. 2A and 3). In this support state, the upper surface of the wafer W and the upper surface of the outer peripheral portion of the susceptor 22 outside the wafer holding area 50 are substantially the same. This is because the processing gas introduced from the introduction port 16 flows while maintaining a laminar flow state.
  • a lift pin 48 see FIG. 1 for moving up and down is provided.
  • three lift bin through holes 56 are provided.
  • the susceptor 22 in the present embodiment has a convex portion 58 as a heating adjustment portion in the wafer heating surface 52.
  • the convex portion 58 is formed in a circular island shape centered on the central axis Ax and protrudes from the heating surface 52. Further, the protruding height from the wafer heating surface 52 is set to be lower than the height from the wafer heating surface 52 to the upper surface of the wafer supporting portion 54.
  • the wafer W is held on the rotating susceptor 22 and heat conduction, convection, and radiation from the susceptor 22 heated by the halogen lamps 20 arranged below. To 500 ° C. to 700 ° C.
  • the central axis Ax of the susceptor 22 coincides with the rotation central axis of the susceptor 22 that is driven to rotate.
  • the lift pins 48 are moved up and down by a lift mechanism of the film forming apparatus 10.
  • the lift mechanism includes a lift tube 40 that can move up and down and is arranged to surround the main shaft of the susceptor support shaft 24, and a drive device 42 that moves the lift tube 40 up and down. And three lift arms 44 extending radially from the lift tube 40, and lift pins 4 extending through the susceptor 22 by lift pin through holes 56 and moving up and down with the lift arms 44. 8 and is provided.
  • the drive device 42 is controlled to lift the lift tube 40 and the lift arm 44, the lift bin 48 is pushed up at the tip of the lift arm 44.
  • the transfer robot (not shown) is operated to transfer the wafer W placed on the blade of the transfer robot to the susceptor 22. It is located just above the wafer holding area 50.
  • the lift device 48 is controlled by controlling the drive device 42 of the lift mechanism.
  • the blade of the transport robot has a shape, shape, and arrangement that does not hinder the lift pins 48 from rising.
  • the lift pins 48 are raised to a position higher than the blade, the wafer W is transferred from the blade to the lift bin 48, and the wafer W is supported by the three lift bins 48.
  • the blade of the transfer robot When the wafer W is supported by the lift bin 48, the blade of the transfer robot is moved from above the susceptor 22 to the outside of the processing chamber 12, and the lift pins 48 are lowered.
  • the lift bin 48 When the lift bin 48 is completely lowered into the lift bin through-hole 56, the upper surface of the lift bin 48 is located below the wafer heating surface 52, and W is the upper surface of the wafer support portion 54 of the susceptor 22. It is supported in contact. Thereafter, a film forming process such as the above-described epitaxial growth is performed.
  • the lift mechanism and the transfer robot may be operated in the reverse procedure.
  • the diameter of the wafer holding area 50 is 202.5 mm (7.972 inch), and the diameter of the wafer heating surface 52 is 195.0 mm ( ⁇ 195.0 mm). 7. 677 inch), and the diameter of the convex portion 58 is set to 0101.6 mm (04. OOO inchch).
  • the wafer W is supported in the wafer holding area 50 by the wafer supporting portion 54 provided in a step shape on the outer periphery of the wafer heating surface 52. .
  • the wafer W is supported by the contact portion with the support portion 54 in a state where a gap of the first distance is formed between the wafer W and the wafer heating surface 52 (see FIG. 3).
  • the susceptor 2 When a heating method using the susceptor 22 is adopted for heating the wafer W, in the high pressure region where heat conduction and convection are dominant in the wafer heating mechanism, the susceptor 2 is used.
  • the in-plane temperature distribution of the wafer W is significantly affected by the difference in heat conduction between the central part and the peripheral part of the wafer 2 and the irregular surface shape in the wafer holding area 50 of the susceptor 22. Therefore, there is a problem that the temperature distribution in the wafer W surface becomes non-uniform. If the temperature distribution of the wafer W becomes non-uniform, the film forming conditions become non-uniform in each part in the surface of the wafer W, so that the film thickness distribution to be formed becomes non-uniform.
  • the wafer W is supported by the stepped wafer support portion 54 so that a gap is formed between the wafer W and the wafer heating surface 52.
  • a predetermined change is made to the gap distance at each portion of the wafer heating surface 52, thereby adjusting the temperature distribution in the wafer W plane.
  • the height of the wafer heating surface 52 from the wafer heating surface 52 is set as a heating adjustment unit for adjusting the heating conditions for the wafer W in the wafer heating surface 52 of the susceptor 22.
  • Protrusions 58 set lower than the height from 2 to the upper surface of the wafer support 54 are formed.
  • a gap between the wafer W and the upper surface of the convex portion 58 is a second distance 2 satisfying d 1> (1 2 > 0.
  • the wafer W A gap different from the distance d between the wafer heating surface 52 and other parts
  • the temperature distribution is adjusted by providing the protrusions 58 that can provide a space.
  • the wafer in addition to adjusting the temperature distribution at the susceptor 22, the wafer is held by the gap distance between the wafer W and the wafer heating surface 52 and the gap distance distribution due to the uneven structure of the heating adjustment section such as the projection 58.
  • the heating conditions from the susceptor 22 to the wafer W at each part in the area 50 are set and adjusted, respectively, and the temperature distribution in the wafer W surface is adjusted. This makes it possible to improve the uniformity of the temperature distribution and the thickness distribution of the formed film without lowering the film formation efficiency.
  • Such a method of adjusting the temperature distribution is easier to adjust than a method of adjusting the heating conditions using the halogen lamp 20.
  • the manufacturing accuracy required for the heating mechanism such as the halogen lamp 20 is reduced, the manufacturing cost of the semiconductor manufacturing apparatus such as the film forming apparatus 10 can be reduced.
  • FIG. 4A and 4B are respectively a side cross-sectional view of the susceptor 22 shown in FIG. 2A of the above-described embodiment, and a film thickness distribution obtained by film formation using the susceptor 22.
  • 7 is a graph comparing with the case of film formation using a conventional susceptor.
  • the horizontal axis of the graph shown in FIG. 4B indicates the distance (mm) from the center, and the vertical axis indicates the film thickness (A) at each position.
  • the film formation pressure is 1 6 k P a (1 2 0 T orr), formed
  • the film temperature is 6 16 ° C in the conventional example, and is 62 ° C in the example of the present invention.
  • a slightly thinner film thickness distribution is obtained. That is, heating from the susceptor to the inner portion of the anode is not sufficient, and the film thickness to be formed is slightly reduced in the inner portion.
  • the temperature in the wafer W surface is set by setting the gap between the wafer W and the wafer heating surface 52 and the gap distance distribution in each part. It is possible to adjust the distribution and the resulting film thickness distribution.
  • FIGS. 4A and 4B illustrates the effect of adjusting the temperature distribution and the film thickness distribution by providing the heating adjustment unit such as the convex portion 58 on the wafer heating surface 52 as described above. Is what you do. Therefore, even in the film thickness distribution obtained in this example, there is still non-uniformity in the entire film thickness distribution. This non-uniformity is eliminated by further deforming the surface shape of the wafer heating surface 52 so as to correspond to the obtained film thickness distribution, and finally the temperature and the temperature over the entire wafer W surface are reduced. It is possible to achieve a uniform film thickness.
  • FIG. 5 is a graph showing a change in the film thickness (A) to be formed with respect to the distance d (mm) of the gap between the wafer W and the susceptor 22.
  • the film was formed under the conditions of a film forming temperature of 620 ° C., a film forming pressure of 16 kPa (120 Torr), and a film forming time of 59 seconds.
  • the flow rate of the processing gas used in film formation 3; 111 4 gas 0. 91 / min (s 1 m , standard 1 / min H 2 gas 8. 9 1 / mln (s lm , standard 1 / min).
  • each data point group A, B, and Regarding C the data point group A is the film thickness when it is assumed that a gap of about 0.1 mm is generated in the conventional flat susceptor, and the data point group B is the protrusion 58
  • the lines connecting the data points are curves that assume that the film thickness changes exponentially with distance.
  • the film thickness changes smoothly (eg, exponentially) as the distance d of the gap changes. Therefore, the surface shape of the susceptor 22 is corrected with reference to the change in the film thickness shown in FIG. 5 from the film thickness distribution shown in FIG. 4B obtained using the susceptor 22. This makes it possible to further adjust the thickness of the film formed at each position, thereby making the obtained film thickness distribution uniform.
  • the surface shape of the wafer heating surface 52 can be determined by applying the same gap distance setting method to each part in the wafer holding area 50.
  • An example of a general method for determining the surface shape is to determine the reference distance of the gap between the wafer and the wafer heating surface, set the wafer heating surface as the reference surface, and correspond to the film thickness distribution to be adjusted. It is conceivable that the shape of the heating surface to be finally used is determined by providing a heating adjustment unit having an uneven structure to the reference surface.
  • the nonuniformity of the temperature and the film thickness distribution often occurs almost circularly symmetrically with respect to the center position of the wafer heating surface.
  • the heating adjustment unit is set in a circularly symmetric (concentric) island or ring shape with the center position of the wafer heating surface as the center.
  • a heating adjustment unit having a local uneven structure corresponding to the non-uniform portion may be formed.
  • the conventional almost flat susceptor it is caused by the depression of the lift pin through hole 56 Local temperature distribution non-uniformity, and the resulting change in film thickness distribution.
  • FIG. 6 is a graph comparing the film thickness distribution in the vicinity of the lift pin through-hole 56 formed by the film formation using the susceptor 22 with the conventional case using a substantially flat susceptor.
  • the horizontal axis of the graph indicates the measurement point number of the film thickness, and the vertical axis indicates the measured film thickness (A).
  • each measurement point of the film thickness is as shown in FIG.
  • the gap distance d between the wafer W and the wafer heating surface 52 is preferably 1 mm or less. If the gap distance is too large, the heating efficiency for the wafer W will decrease, but if it is less than 1 mm, it is necessary to prevent excessive reduction in heating efficiency. Can be. On the other hand, since a certain gap distance is required to suppress local film thickness change, a suitable gap distance within the above distance range, for example, l mm, is selected from the conditions for the film thickness. Is preferred.
  • a maximum distance from the back surface of the wafer is set based on the required heating efficiency, and a surface is set as the gap distance.
  • a wafer heating surface is formed by forming a convex portion protruding toward the wafer. This makes it possible to realize heating distribution adjustment while maintaining sufficient heating efficiency in the entire wafer holding area 50.
  • the semiconductor manufacturing apparatus is not limited to the above embodiment, and various modifications are possible.
  • the semiconductor manufacturing apparatus of the above embodiment is a film forming apparatus such as an epitaxial growth apparatus, but the present invention is also applicable to apparatuses that perform other processes, such as a CVD apparatus.
  • the concave / convex structure of the heating adjustment unit may be variously deformed in accordance with each device.
  • the wafer support is not limited to the annular one provided on the entire outer periphery as described above, and may be a step-shaped or projecting wafer support provided at a plurality of positions in a part thereof. Further, a substrate supporting member having another configuration may be used.
  • the heating means for heating the susceptor a configuration other than the heating lamp group located below the susceptor may be used.
  • the susceptor is configured so that a gap with a predetermined distance is created between the wafer and the wafer heating surface, and a heating adjustment unit with an uneven structure is provided on the wafer heating surface to give an uneven distribution to the gap distance.
  • the semiconductor manufacturing apparatus sets a heating condition such as a heating efficiency distribution from a susceptor to each part of a wafer, and sets a temperature within a wafer surface. It can be used as a semiconductor manufacturing apparatus capable of adjusting the degree distribution and the film thickness distribution to be formed.
  • the temperature distribution can be adjusted easily and at low cost as compared with the case where the temperature distribution is adjusted by heating the susceptor with the lamp.
  • the degree of freedom for the adjustment is large, and various shape designs can be performed. Therefore, the uniformity of the temperature distribution can be sufficiently improved. Also, since there is no need to lower the film forming pressure, high film forming efficiency can be obtained.

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Description

明細 技術分野
本発明は、 半導体ウェハ （基板） を保持し加熱するためのサセプ夕を有する半 導体製造装置に関するものである。
背景技術
半導体製造装置には、 シリコンウェハを 1枚ずつ処理する枚葉式と称されるも のがある。 この枚葉式半導体製造装置においては、 通常、 ウェハを 1枚だけ水平 に支持するウェハ支持装置が処理チャンバ内に設けられている。
このようなウェハ支持装置は、 一般にゥヱハが載置されるサセプ夕 （基板保持 台） を有して構成されている。 サセプ夕はランプなどの加熱手段によって加熱さ れ、 このサセプ夕を介してウェハが加熱される。
また、 ウェハ支持装置には、 サセプ夕に載置するゥヱハをサセプ夕に対して上 下動させるためのリフト機構が設けられている。 このリフト機構は、 サセプ夕を 貫通して延びる複数本のリフトピンを有しており、 これらのリフトピンの上端に ウェハを載せ、 リフトピンを上下動させることで、 ウェハを昇降させることがで きるようになつている。 このようなリフト機構により、 搬送ロボッ トのブレード に載せて運ばれてきたウェハをサセプ夕上に移載したり、 あるいはその逆に、 ゥ ェハをサセプ夕から搬送ロボットに受け渡したりすることができる。
発明の開示
上記したようなウェハ支持装置においては、 サセプ夕上に載置されるゥヱハの 面内温度分布の均一性を確保するため、 保持台であるとともにウェハの加熱に用 いられるサセプタの面内温度を均一にする必要がある。 そのような温度分布調整 の方法としては、 ランプ加熱の場合におけるランプからの加熱光の照射条件調整 など、 サセプ夕への加熱条件を調整することによって温度均一性を得る方法があ しかしながら、 光照射条件などによってサセプ夕への加熱条件を調整すること による方法では、 ウェハ面内での充分な温度均一性を得るためには加熱調整方法 が複雑化してしまい、 あるいは、 加熱手段の配置や位置関係などによる制限のた め、 充分な温度均一性を得ることができないという問題がある。
例えば、 サセプ夕からウェハへの熱伝導条件はサセプ夕の中心部と周辺部とで 異なる場合があるなど、 様々な要因からウェハ面内での不均一な温度分布を生じ る。 これに対して、 そのようなゥヱハへの加熱条件をすベてサセプ夕への加熱条 件によって調整して、 温度均一性を確保することは困難である。 ウェハ面内にお いて温度が不均一となると、成膜条件がウェハ面内において一様でなくなるので、 成膜される膜厚分布に不均一性が発生することとなる。
本発明は、 以上の問題点に鑑みてなされたものであり、 処理対象となる半導体 ウェハ （基板） の面内温度分布の均一性が向上されるサセプ夕を用いた半導体製 造装置を提供することを目的とする。
本願発明者は、 上記した目的を達成するために鋭意検討を重ねた結果、 サセプ 夕上面のウェハ保持エリア内の面形状に凹凸構造を付加することによってウェハ 面内の温度分布を調整し、 温度分布を均一化して成膜される膜厚分布の均一性を 向上させることが可能であることを見出し、 本発明に到達した。
すなわち、 本発明による半導体製造装置は、 処理チャンバと、 処理チャンバ内 に設置され上面側の基板保持ェリア内に被処理基板を保持して加熱するためのサ セプ夕と、 サセプタを介して被処理基板を加熱する加熱手段とを備える半導体製 造装置であって、 サセプ夕は、 基板保持エリア内において、 サセプ夕の上面の被 処理基板と対向する面部分である基板加熱面と、 被処理基板の裏面との間に、 第 1の距離の隙間を生じるように基板支持部材によって被処理基板を支持するとと もに、 基板加熱面上の所定の部位に、 第 1の距離とは異なる第 2の距離の隙間を 生じる加熱調整部が形成されていることを特徴とする。
上記した半導体製造装置においては、 半導体ゥヱハやガラス基板といった処理 対象の基板 （被処理基板） を保持するサセプ夕において、 被処理基板と基板加熱 面との間に隙間を設けて基板を保持することとしている。 これによつて、 基板加 熱面上の局所的な凹凸構造や温度分布の不均一性などの基板の温度分布への影響 が低減される。
さらに、 サセプ夕の中心部と周辺部での熱伝導条件の違いなど、 様々な要因に よって生じる温度及び膜厚分布の不均一性について、 上記したサセプ夕において は、 基板加熱面内に隙間の距離が異なる凹状または凸状の加熱調整部を設けるこ とによって、 積極的に被処理基板と基板加熱面との隙間の距離に分布を与えてい る。 これによつて、 基板加熱面の各部位における被処理基板への加熱条件をそれ それ設定及び調整して、 均一な成膜膜厚分布が得られるようにゥヱハなどの基板 面内の温度分布を均一化することが可能となる。
図面の簡単な説明
図 1は、 半導体製造装置である成膜装置の一実施形態を概略的に示す構成図で ある。
図 2 A及び図 2 Bは、 それそれ、 図 1に示した成膜装置に用いられるサセプ夕 の構成を示す側面断面図、 及び上面図である。
図 3は、 図 2 Aに示したサセプ夕を一部拡大して示す側面断面図である。 図 4 A及び図 4 Bは、 それそれ、 図 2 Aに示したサセプ夕の側面断面図、 及び そのサセプタを用いた成膜による膜厚分布を従来のサセプタを用いた場合と比較 するグラフである。
図 5は、 ゥェハとサセプ夕との隙間の距離に対する膜厚の変化を示すグラフで ある。
図 6は、 図 2 A及び図 2 Bに示したサセプタを用いた成膜によるリフトピン貫 通孔近傍での膜厚分布を従来のサセプタを用いた場合と比較するグラフである。 図 7は、 図 6に示した膜厚測定に用いた測定点を示す上面図である。
発明を実施するための最良の形態 以下、 図面とともに本発明による半導体製造装置の好適な実施形態について詳 細に説明する。 なお、 図面の説明においては同一要素には同一符号を付し、 重複 する説明を省略する。 また、 図面の寸法比率は、 説明のものと必ずしも一致して いない。
図 1は、 本発明による半導体製造装置として、 ェピタキシャル成長装置などの 成膜装置を概略的に示している。 図示の成膜装置 10は被処理基板であるシリコ ンウェハ （図 1には示さず） を 1枚ずつ処理する枚葉式である。 なお、 被処理基 板としては、 半導体ウェハ及びガラス基板といった基板があるが、 以下において はシリコンウェハとした場合について説明する。
この成膜装置 10は、 石英ガラスで構成された処理チャンバ 12を備え、 この 処理チャンバ 12内にウェハ支持装置 14が設置される。 処理チャンバ 12の側 部には処理ガスの導入口 16が形成され、 これに対向する位置には排気口 18が 形成されている。 また、 処理チャンバ 12の下側領域には、 加熱手段として複数 本、 例えば 20本のハロゲンランプ 20が放射状に配置されている。
上記構成の成膜装置 10において、 ウェハ支持装置 14によりウェハを支持し た後、 ハロゲンランプ 20を点灯してウェハを加熱するとともに、 排気口 18か ら排気を行いながら処理ガスを導入口 16から導入すると、 所定温度に加熱され たウェハの表面に沿って処理ガスが層流状態で流れ、 ウェハ上にシリコンの単結 晶がェピ夕キシャル成長する。 供給する処理ガスとしては、 例えば S iH4、 S i2H6、 S i H2 C 12などのシリコンソースガス、 PH3、 AsH3、 B2Hf;な どのド一パントガス、 及び H2、 N2などのキャリアガスをガスパネル （図示して いない） 内で混合したものが用いられる。 また、 処理チャンバ 12内の圧力は、 排気管中のスロットルバルブの開度によって 0. 7kPa (5To r r) ~88 kP a ( 660 T o r r) に調整される。
図 1に示した成膜装置 10に適用されるウェハ支持装置 14は、 ウェハを保持 する保持台としてサセプ夕 22を備えている。 サセプタ 22は、 炭化シリコンで 被覆されたグラフアイ ト材料からなる円盤状のものであり、 処理チャンバ 1 2の 下部に立設された石英ガラス製の支持シャフト 2 4により、 裏面側から三点で水 平に支持されている。 このサセプ夕 2 2は、 ウェハを保持するとともにゥヱハの 加熱に用いられるものである。
図 2 A及び図 2 Bは、 それそれ、 サセプ夕 2 2の構成を示す側面断面図、 及び 上面図である。 また、 図 3は、 図 2 Aに示したサセプ夕 2 2について、 その右側 部分を一部拡大して示す側面断面図である。 なお、 サセプ夕 2 2で支持されるゥ ェハ Wについては、 図 2 Aにおいては支持した状態で、 図 3においては点線によ つて支持される位置を図示し、 また、 図 2 Bにおいてはウェハ Wを支持していな い状態でサセプ夕 2 2の構造を示している。
サセプ夕 2 2の上面側には、円盤状のサセプ夕 2 2の中心軸 A xを中心として、 ウェハ Wを収容し保持するための略円形のゥヱハ保持エリァ （基板保持エリァ） 5 0が設定されている。 ウェハ保持エリア 5 0内には、 中心軸 A xを中心とした 円形の凹部からなるゥヱハ加熱面 （基板加熱面） 5 2が形成されている。 サセプ 夕 2 2のウェハ保持エリア 5 0外側の下面部分には、 支持シャフト 2 4によって サセプタ 2 2を支持するためのサセプ夕支持部 6 0が設けられている。
ウェハ加熱面 5 2の外周部分には、 外周に沿った環状の凸状段差部分が形成さ れている。 この環状の段差部分は、 ウェハ Wを支持するためのウェハ支持部 （基 板支持部） 5 4である。 ウェハ Wをサセプ夕 2 2のゥヱハ保持エリア 5 0内の所 定位置に配置すると、 ウェハ加熱面 5 2外周に設けられたウェハ支持部 5 4の上 面側にウェハ Wの外縁下部が接した状態でウェハ Wが支持される （図 2 A及び図 3参照）。 この支持状態において、 ゥヱハ Wの上面と、 ウェハ保持エリア 5 0より も外側のサセプタ 2 2の外周部分の上面とは、 ほぼ同一面となる。 これは、 導入 口 1 6から導入された処理ガスが層流状態を維持して流れるようにするためであ る。
また、 ウェハ加熱面 5 2内の所定の位置には、 ウェハ Wをサセプタ 2 2に対し て上下動させるためのリフトピン 4 8 (図 1参照） が貫通するリフトピン貫通孔 5 6が設けられている。 本実施形態においては、 図 2 Bに示すように 3個のリフ トビン貫通孔 5 6が設けられている。
本実施形態におけるサセプタ 2 2は、 ウェハ加熱面 5 2内に加熱調整部として 凸部 5 8を有している。 凸部 5 8は、 中心軸 A xを中心とした円形の島状にゥ工 ハ加熱面 5 2から突出して形成されている。 また、 そのウェハ加熱面 5 2からの 突出高さは、 ウェハ加熱面 5 2からウェハ支持部 5 4の上面までの高さよりも低 く設定されている。
ウェハ Wの加熱 ·成膜時においては、 ウェハ Wは回転するサセプタ 2 2上に保 持され、 下部に配列されたハロゲンランプ 2 0によって加熱されたサセプ夕 2 2 からの熱伝導、 対流、 輻射によって 5 0 0 °C〜7 0 0 °Cに加熱される。 なお、 サ セプ夕 2 2の中心軸 A xは、 回転駆動されるサセプ夕 2 2の回転中心軸と一致し ている。
ここで、 リフトピン 4 8の上下動と、 ゥヱハ Wの搬送及び支持の方法について 説明しておく。 リフ トピン 4 8は、 成膜装置 1 0のリフ ト機構によって上下動さ れるようになっている。 リフ ト機構は、 図 1に示すように、 サセプタ支持シャフ ト 2 4の主軸を囲むように配置された上下動可能なリフトチューブ 4 0と、 この リフトチューブ 4 0を上下動させる駆動装置 4 2と、 リフトチューブ 4 0から放 射状に延びる 3本のリフトアーム 4 4と、 リフトピン貫通孔 5 6によってサセプ 夕 2 2を貫通して延びるとともにリフトアーム 4 4に伴って上下動するリフトビ ン 4 8とを備えている。 駆動装置 4 2を制御してリフトチューブ 4 0及びリフト アーム 4 4を上昇させると、 リフトアーム 4 4の先端部でリフトビン 4 8が押し 上げられるようになっている。
このような構成のウェハ支持装置 1 4にウェハ Wを支持させる場合、 まず、 搬 送ロボット （図示していない） を操作し、 搬送ロボットのブレードに載置された ウェハ Wをサセプ夕 2 2のウェハ保持エリア 5 0の直上位置に配置する。次いで、 リフト機構の駆動装置 42を制御してリフトピン 48を上昇させる。 この時、 搬 送ロボットのブレードはリフトピン 48の上昇を妨げなレ、形状及び配置となって いる。 リフトピン 48がブレードよりも高い位置まで上昇すると、 ウェハ Wはブ レ一ドからリフトビン 48に載り移り、 3点のリフトビン 48でウェハ Wは支持 される。
ウェハ Wがリフトビン 48により支持されたならば、 搬送ロボッ卜のブレード をサセプ夕 22の上方から処理チャンバ 12の外部に移動させ、 リフトピン 48 を下降させる。リフトビン 48がリフトビン貫通孔 56内に完全に下降されると、 リフトビン 48の上面はウェハ加熱面 52よりも下方に位置する状態となり、 ゥ ヱハ Wはサセプ夕 22のウェハ支持部 54の上面と接触して支持される。この後、 上述したェピ夕キシャル成長などの成膜プロセスが実行されることになる。
ウェハ Wをサセプ夕 22から持ち上げ、 搬送ロボッ卜のブレードに移載させる 場合は、 上記とは逆の手順でリフト機構及び搬送ロボットを操作すればよいこと は、 容易に理解されよう。
上記した実施形態によるサセプ夕 22の効果について、 具体的な実施例ととも に説明する。 なお、 以下に述べる実施例及び各データにおいては、 いずれもゥェ ハ保持エリア 50の直径を 202. 5 mm ( 7. 972 i nch)、 ウェハ加 熱面 52の直径を ø 195. 0 mm ( 7. 677 i nch)、 凸部 58の直径を 0101. 6mm (04. O O O i nch) とする。
図 2A、 図 2B、 及び図 3に示したサセプ夕 22では、 ウェハ保持エリア 50 内において、 ウェハ加熱面 52の外周に段差状に設けられたウェハ支持部 54に よってウェハ Wを支持している。 このとき、 ウェハ Wはウェハ加熱面 52との間 に第 1の距離 の隙間を生じた状態で、 ゥヱハ支持部 54との接触部分によつ て支持される （図 3参照）。
ウェハ Wの加熱にサセプ夕 22を用いた加熱方式を採用した場合、 熱伝導や対 流がウェハの加熱メカニズムにおいて支配的となる高圧力領域では、 サセプタ 2 2の中心部及び周辺部での熱伝導の違いや、 サセプ夕 2 2のウェハ保持エリア 5 0内での凹凸面形状などによってウェハ Wの面内温度分布が著しく影響される。 そのため、 ウェハ W面内の温度分布に不均一性を生じてしまうという問題を生じ る。 ウェハ Wの温度分布が不均一になると、 成膜条件がウェハ W面内の各部位に おいて一様でなくなるので、 成膜される膜厚分布において不均一性が発生してし ま 9。
このような問題に対して、 サセプ夕 2 2の加熱条件、 例として図 1においては ハロゲンランプ 2 0による加熱条件、 を調整することによってウェハ Wの温度分 布を調整することが考えられる。 しかしながら、 この方法では加熱制御が複雑ィ匕 し、 あるいはハロゲンランプ 2 0の配置による制限などによって充分な温度均一 性を得ることができない。
一方、 成膜時の圧力を下げることとすると、 加熱における熱伝導や対流の寄与 が低減されて温度均一性が向上される。 しかしながら、 この方法では成膜速度が 成膜時における処理チャンバ 1 2内の圧力 （成膜圧力） にほぼ比例するポリシリ コン成膜等のプロセスにおいて、 成膜能力が大きく低下してしまう。
これに対して、 本実施形態のサセプタ 2 2においては、 ウェハ Wとウェハ加熱 面 5 2との間に距離 の隙間ができるように段差状のウェハ支持部 5 4によつ てウェハ Wを支持するとともに、 この隙間を利用し、 ウェハ加熱面 5 2の各部分 での隙間距離に所定の変化 （分布） を与えることによって、 ウェハ W面内の温度 分布を調整することとしている。
この温度分布の調整のため、 サセプ夕 2 2のウェハ加熱面 5 2内にはウェハ W への加熱条件を調整する加熱調整部として、 ウェハ加熱面 5 2からの突出高さが ウェハ加熱面 5 2からウェハ支持部 5 4の上面までの高さよりも低く設定された 凸部 5 8が形成されている。 このとき、 ウェハ Wと凸部 5 8の上面との間は、 d 1 > (1 2 > 0を満たす第2の距離 2の隙間となる。 このように、 ウェハ加熱面 5 2内にウェハ Wとウェハ加熱面 5 2の他の部分との距離 d とは異なる距離の隙 間が得られる凸部 5 8を設けることによって、 温度分布の調整を実現している。 すなわち、 サセプ夕 2 2での温度分布の調整に加えて、 ウェハ Wとウェハ加熱 面 5 2との隙間と、 凸部 5 8などの加熱調整部の凹凸構造による隙間距離分布に よって、 ウェハ保持エリア 5 0内の各部位でのサセプ夕 2 2からウェハ Wへの加 熱条件をそれぞれ設定及び調整して、ウェハ W面内の温度分布の調整を実現する。 これによつて、 成膜効率を低下させることなく温度分布及び成膜される膜厚分布 の均一性を向上させることができる。
このような温度分布の調整方法は、 ハロゲンランプ 2 0による加熱条件調整な どと比べて調整が容易である。 また、 ハロゲンランプ 2 0などの加熱機構に対し て必要とされる製造精度が緩和されるので、 成膜装置 1 0などの半導体製造装置 の製造コストを低減することが可能である。
図 4 A及び図 4 Bは、 それそれ、 上記した実施形態の図 2 Aに示したサセプ夕 2 2の側面断面図、 及びそのサセプ夕 2 2を用いた成膜によって得られる膜厚分 布を、 従来のサセプタを用いた成膜の場合と比較するグラフである。 図 4 Bに示 すグラフの横軸は中心からの距離 （mm) を、 また、 縦軸は各位置における膜厚 (A ) を示している。 なお、 ここでは、 ウェハ Wとウェハ加熱面 5 2または凸部 5 8との隙間の距離をそれそれ d 1 . 0 mm, d 2 = 0 . 7 mmとする。一方、 従来のサセプ夕は、サセプ夕 2 2において（^ = (1 2 = 0 πιπιとした場合に相当す る。また、成膜圧力は 1 6 k P a ( 1 2 0 T o r r )、成膜温度は従来例で 6 1 6 °C、 本発明の実施例で 6 2 0 °Cである。
図 4 Bに示した従来例による膜厚分布データでは、 サセプ夕の中心部及び周辺 部での熱伝導の違いゃハロゲンランプによる加熱条件等によって、 ゥヱハの外周 近傍で膜厚が厚く内側部分がやや薄い膜厚分布が得られている。 すなわち、 ゥェ ノヽの内側部分に対するサセプ夕からの加熱が充分でなく、 そのために成膜される 膜厚が内側部分でやや低下している。
これに対して、 本実施形態の成膜装置 1 0を用いた膜厚分布デ一夕では、 ゥェ ハ Wとウェハ加熱面 52との隙間によって、 成膜される膜厚は全体としてやや薄 くなつている。 また、 加熱が不充分であるために成膜される膜厚が薄かった内側 部分に対して、 ウェハ加熱面 52に凸部 58を形成してウェハ Wへの加熱効率を 高めることによって、 ウェハ Wの温度分布を調整している。 この温度分布調整に よって成膜条件が変化して、 ウェハ Wの周辺部分と比較して内側部分の膜厚が厚 い膜厚分布が得られていることがわかる。
このように、 上記した実施形態によるサセプタ 22を有する成膜装置において は、 ウェハ Wとウェハ加熱面 52との隙間と、 その各部位での隙間距離分布の設 定によって、 ウェハ W面内の温度分布、 及び得られる膜厚分布を調整することが 可能である。
図 4 A及び図 4 Bに示した実施例は、 上記したようにウェハ加熱面 52に凸部 58などの加熱調整部を設けることによる温度分布及び膜厚分布の調整につい て、 その効果を例示するものである。 そのため、 この実施例で得られた膜厚分布 においても、 その全体の膜厚分布にはなお不均一性が存在している。 この不均一 性については、 得られた膜厚分布に対応するようにウェハ加熱面 52の面形状を さらに変形していくことによって解消させて、 最終的にゥェハ W面内全体での温 度及び膜厚の均一化を達成することが可能である。
図 5は、 ウェハ Wとサセプ夕 22との隙間の距離 d (mm) に対する成膜され る膜厚 （A) の変化を示すグラフである。 このデ一夕においては、 成膜温度 62 0 °C、成膜圧力 1 6 kP a ( 120T o r r)、 成膜時間 59秒の成膜条件で成膜 を行っている。 また、 成膜に用いた処理ガスの流量は、 3 ;1114ガスが0. 91 / m i n ( s 1 m、 standard 1/min H2ガスが 8. 9 1 / m l n (s lm、 standard 1/min) である。
図 5では、 ゥェハ保持ェリア 50内の回転中心位置（ r = 0 mm)、 中心位置か ら 20 mmの位置（ r = 20 mm),中心位置から 40 mmの位置（ r二 40 mm) の 3つの位置における膜厚変化を示してある。 また、 各データ点群 A、 B、 及び Cについては、 データ点群 Aは、 従来の平坦なサセプ夕において 0 . 1 mm程度 の隙間が生じているものと仮定したときの膜厚、 デ一夕点群 Bは、 凸部 5 8での d 2 = 0 . 7 mmに相当する隙間での膜厚、 データ点群 Cは、 ウェハ加熱面 5 2 での 二 1 . O mmに相当する隙間での膜厚をそれそれ示している。 なお、 各 データ点を結んでいる線は、 それそれ膜厚が距離に対して指数関数的に変化する と仮定した曲線である。
これらのグラフから明らかなように、 成膜される膜厚は、 隙間の距離 dが変化 していくのに伴ってなめらかに （例えば指数関数的に） 変化する。 したがって、 サセブタ 2 2を用いて得られた図 4 Bに示したような膜厚分布から、 図 5に示し た膜厚の変化デ一夕を参照してサセプタ 2 2の面形状の修正を行うことによつ て、 各位置において成膜される膜厚をさらに調整して、 得られる膜厚分布を均一 化させることが可能である。
また、 図 5の 3つのグラフから、 中心位置からの距離にかかわらず、 距離 に 対して膜厚がほぼ同じように変化していることがわかる。 したがって、 ウェハ保 持エリア 5 0内の各部位に対して、 同様の隙間距離の設定方法を適用してウェハ 加熱面 5 2の面形状を決定することができる。
一般的な面形状の決定方法の例としては、 ウェハ及びウェハ加熱面の隙間の基 準となる距離を決定して基準面となるウェハ加熱面を設定し、 調整したい膜厚分 布に対応した凹凸構造による加熱調整部を基準面に付与して、 最終的に用いるゥ ヱハ加熱面の形状を決定することが考えられる。
ここで、 温度及び膜厚分布の不均一性は、 通常ウェハ加熱面の中心位置に対し て略円対称に生じる場合が多い。 その場合、 加熱調整部はウェハ加熱面の中心位 置を中心として円対称形状 （同心円状） の島状または環状に設定することが好ま しい。 ただし、 局所的な不均一性など円対称でない不均一部分が存在する場合に は、 それに対応した局所的な凹凸構造による加熱調整部を形成しても良い。 なお、 従来のほぼ平坦なサセプ夕の場合、 リフトピン貫通孔 5 6の凹みに起因 する局所的な温度分布不均一性、 及びそれによる膜厚分布変化を生じる場合があ る。 これに対して、 本実施形態のようにゥヱハ Wとウェハ加熱面 5 2との間に隙 間を設けることによって、 このような局所的な膜厚変化についても同時に低減す ることができる。 局所的な膜厚不均一性の低減は、 リフトビン貫通孔 5 6以外に よる場合も上記した隙間によって同様に実現される。
図 6は、 上記したサセプタ 2 2を用いた成膜によるリフトピン貫通孔 5 6近傍 での膜厚分布を、 従来のほぼ平坦なサセプ夕を用いた場合と比較するグラフであ る。 グラフの横軸は膜厚の測定点番号を、 また、 縦軸は測定された膜厚 （A ) を 示している。 ここで、 膜厚の各測定点は図 7に示す通りである。 すなわち、 サセ プタ 2 2の 3つのリフトピン貫通孔 5 6に対して、 第 1のリフトピン貫通孔 5 6 の位置を測定点 3とした近傍の 5つの測定点 1〜 5、 第 2のリフトビン貫通孔 5 6の位置を測定点 8とした近傍の 5つの測定点 6 ~ 1 0、 第 3のリフ卜ピン貫通 孔 5 6の位置を測定点 1 3とした近傍の 5つの測定点 1 1〜 1 5の計 1 5個所の 測定点を、 3つのリフトビン貫通孔 5 6を通る円周上に時計回りに配置している。 また、 各リフトピン貫通孔 5 6近傍で隣り合う測定点同士の間隔は、 サセプ夕 2 2の中心からみた角度で 2 ° である。
これらのリフ卜ピン貫通孔 5 6近傍において、 従来のサセプタを用いた成膜で は、 図 6に示すように局所的な膜厚低下を生じている。 これに対して、 ゥヱハ W とウェハ加熱面 5 2との間に隙間を設けた上記のサセプ夕 2 2を用いた成膜で は、 膜厚はいずれのリフトピン貫通孔 5 6近傍でもほぼ一定であり、 局所的な膜 厚変化を生じていない。 このように、 上記したようなサセプ夕 2 2の構成によつ て、 リフトビン貫通孔 5 6に起因する局所的な膜厚変化についても同時に低減す ることができる。
ここで、 ウェハ Wとウェハ加熱面 5 2との隙間距離 d は 1 mm以下とするこ とが好ましい。 隙間距離が大きくなりすぎると、 ウェハ Wに対する加熱効率が低 下してしまうが、 1 mm以下の範囲であれば過度の加熱効率低下を防止すること ができる。 一方、 局所的な膜厚変化を抑制するためにはある程度の隙間距離が必 要であるので、 膜厚に対する条件から、 上記の距離範囲内において好適な隙間距 離、 例えば l mm、 を選択することが好ましい。
そのようなサセプ夕としては、 例えば、 必要な加熱効率に基づいてウェハ裏面 からの最大距離を設定してそれを隙間距離とする面を設定し、 その面上に、 加熱 が不充分な部位についてウェハ側に突出した凸部を形成することによってウェハ 加熱面を構成したものがある。 これによつて、 ウェハ保持エリア 5 0内の全体で 充分な加熱効率を保ちつつ加熱分布調整を実現することができる。 ただし、 各部 分での加熱条件によっては、 その一部に凹部を設ける構成とすることも可能であ る。
本発明による半導体製造装置は、 上記した実施形態に限られるものではなく、 様々な変形が可能である。 例えば、 上記実施形態の半導体製造装置はェピ夕キシ ャル成長装置などの成膜装置であるが、 他の処理を行うもの、 例えば C V D装置 等にも本発明は適用可能である。 また、 ウェハ保持エリア 5 0内の面形状につい ては、 加熱調整部の凹凸構造を個々の装置に対応させて様々に変形することは勿 論であるが、 ゥヱハ支持部についても、 上記実施形態のような外周全体に対して 設けた環状のものに限らず、 その一部の複数位置に設けた段差状または突起状の ウェハ支持部としても良い。 また、 それ以外の構成の基板支持部材を用いても良 い。
また、 サセプタを加熱する加熱手段についても、 サセプ夕の下方に位置する加 熱用ランプ群以外の構成を用いても良い。
産業上の利用可能性
ウェハとウェハ加熱面との間に所定距離からなる隙間を生じるようにサセプ夕 を構成するとともに、 そのウェハ加熱面に凹凸構造の加熱調整部を設けて隙間距 離に一定でない分布を与えた本発明による半導体製造装置は、 ウェハの各部分に 対するサセプ夕からの加熱効率分布などの加熱条件を設定して、 ウェハ面内の温 度分布及び成膜される膜厚分布を調整することが可能な半導体製造装置として利 用可能である。
このとき、 ランプによるサセプタへの加熱条件等によって温度分布調整を行う 場合に比べて、容易かつ低コス卜で温度分布調整を実現することができる。特に、 上記したサセプタ構造による温度分布調整では、 調整のための自由度が大きく 様々な形状設計が可能であり、 したがって、 温度分布均一性を充分に向上させる ことが可能である。 また、 成膜圧力を下げる必要もないので、 高い成膜効率を得 ることができる。

Claims

請求の範囲
1 . 処理チャンバと、前記処理チャンバ内に設置され上面側の基板保持 エリア内に被処理基板を保持して加熱するためのサセプ夕と、 前記サセプ夕を介 して前記被処理基板を加熱する加熱手段とを備える半導体製造装置であって、 前記サセプ夕は、 前記基板保持エリア内において、 前記サセプ夕の上面の前記 被処理基板と対向する面部分である基板加熱面と、 前記被処理基板の裏面との間 に、 第 1の距離の隙間を生じるように基板支持部材によって前記被処理基板を支 持するとともに、
前記基板加熱面上の所定の部位に、 前記第 1の距離とは異なる第 2の距離の隙 間を生じる加熱調整部が形成されてレ、る半導体製造装置。
2 . 前記基板加熱面の各部位において生じる前記被処理基板の裏面との 隙間の距離は、 いずれも前記第 1の距離以下であるとともに、
前記加熱調整部は、 前記基板加熱面から前記被処理基板側に突出した凸部であ る請求項 1記載の半導体製造装置。
3 . 前記第 1の距離は、 1 mm以下である請求項 2記載の半導体製造装 置。
4 . 前記基板支持部材は、前記サセプ夕の上面に前記基板加熱面の外周 に沿って形成され、 その上面側に前記被処理基板の外縁下部が接することによつ て前記被処理基板を支持する基板支持部である請求項 1記載の半導体製造装置。
5 . 前記基板支持部は、前記基板加熱面の外周の全体に環状に形成され ている請求項 4記載の半導体製造装置。
6 . 前記加熱調整部は、前記サセプ夕が回転駆動されるときの前記基板 加熱面上での回転中心位置を中心として、 前記回転中心位置を含む島状または前 記回転中心位置を囲む環状の円対称形状に形成されている請求項 1記載の半導体
7 . 前記加熱手段は、前記サセプ夕の下面に対向して配置された複数の 加熱用ランプからなる請求項 1記載の半導体製造装置。
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