TW460922B - Semiconductor manufacturing apparatus - Google Patents

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--------,1 !「裝-------^訂！ ί ί ·線、， i ,,c (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) *2 - 4 6 0 9 2 2

五、發明說明（2 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 然而’在藉由光照射條件來調整對載具之加轨條件 的方法中，為了獲得晶圓共面中之充分溫度均句性，、加 熱調整方法將複雜化’或者’因為受限於加熱裝置之： 置或位置關係等’而有無法獲得充分溫度均勻性的問題。扣 例如，由載具向晶圓之熱傳導條件有可能在載具中 心部與周邊部間有所差異等，有各種因素會造成晶圓共 面内之不均勻溫度分佈。相對於此，要利用對載具《加‘ 熱條件’來全面調整對該晶圓之加熱條件，而確保严产 均句性將相當困難4在晶圓共面中之溫度不均句 在晶圓共面中之成膜)条件將不會一樣，因而對於成瞑出 來之膜厚分佈將會有不均勻性發生Θ 本發明為一針對上述問題點而/成者，其目的在於提 供-種使用了-使作為處理對象之半導體晶圓（基板） 的共面溫度分佈均勻性被提高t❹的半導體製 置。 本案發明人為了達成上述目的而反覆精心檢討之 後’發現到藉由在載具上表面之晶圓固持區域内的表面 形狀，附加一凹凸結構，來調整晶圓共面内之溫度分佈， 將可以均勾化溫度分佈，而使成膜出來之膜厚分佈均句 性提高’因而得到本發明。 亦即，根據本發明而成之半導體製造裝置具有： -處理室、-設置於該處理室内用以將受處理基板固 持於上表面jl彳之基板固持區内並加熱之的戈具、以及 一透過該載具來加熱該被處理基板的加熱裝置，其特 徵在於： ' 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉A4規格（210 X 297公釐） -------- - -3- 1----Ί 一政--------訂----------4. (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 460922

五、發明說明（3 ) 該載具在該基板固持區内，以一基板支撐構 件’將該受處理基板支撐成’在一作為該載具上表 面之與該受處理基板相對之表面部分的基板加熱 面’與該受處理基板之背面之間，有第一距離之間 隙， 同時在該基板加熱面上之特定部位上，形成有會產 生一具一與第一距離不同之第二距離之間隙的加熱調整 部。. 在上述半導體製造裝置中，在一用以固持—所謂半 導體晶圓或玻璃基板之處理對象的基板（受處理基板） 之載具中，係使受處理基板與基板加熱面之間存有間 隙，而固持基板。藉此，對於基板加熱面上之局部凹凸 構造或溫度分佈不均勻性等基板溫度分佈之影響會被減 低。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又’有關於載具之中心部與周邊部之熱傳導條件不 同等、以及各種因素所產生之溫度與膜厚分佈不均勻性 專在上述載具中由於在基板加熱.面内設有間.隙距離 不同之凹狀或凸狀加熱調整部，將可以積極地分配該受 處理基板與基板加熱面間之間隙的距離。藉此，藉由設 足並調整該基板加熱面之各部位上對受處理基板之加熱 條件’將可以均勻化晶圓等基板共面之溫度分佈，而獲 得一均勻之成臈膜厚分佈。 _圖式簡箪說明： 第1圖為一概略顯示半導體製造裝置之—之成膜裝置之 本紙張尺度適財關家標準(CNS〉A4規格（21Q x 297公爱） -4- 4 60922 A7 ------B7 五、發明說明（4). 一實施例的構成圖。 第2A與2B圖分別為第i圖所示成膜裝置中所用載具之側 視截面圖與頂視圖。 第3圖為第2A圖所示載具之部分擴大側視截面圖。 第4A與4B圖分別為圖2A圖所示載具之侧視載面圖，以及 將利用了該載具之成膜裝置所得之膜厚分佈與 使用習知之載具時所得者相比較下的圖形圖。 第5圖為一顯不出膜厚相對於晶圊與載具間之間隙距離 之變化的圖形圖。 第6圖為將一由使用了第2八與2]8圖所示之載具之成膜裝 置所彳寸之位於舉升桿貫通孔旁之膜厚分佈，與使 用了習知載具時所得者相比較下的圖形圖。 第7圖為一顯示出第6圖所示膜厚測量中所用之測量點的 上視.圖。_ 圖號對照說明： 10 成膜裝置 12 處理室 14 支撐裝置 16 處理氣體導入 18 排氣口 20 燈管 22 載具 24 支撐軸 40 舉升管 42 驅動裝置 44 舉升臂 48 舉升桿 50 晶圓固持區 52 晶圓加熱面 54 晶圓支撐部 56 舉升桿穿孔 58 凸部 60 載具支撑部 發明詳細說明： 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

A 訂——-------線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -5- 4 60922

五、發明說明（5 以下，就一圖式與一依據本發明而 裝置之較佳實施例，作一詳細說明…在=製造 中，相同元件賦予相同符號，並省略重複之說明。另=明 圖式之尺寸比例未必與說明者一致。 夕’ 第1圖為一根據本發明而成之半導體製造裝置 概略顯示出磊晶成長裝置等之成膜裝置。圖示之 其 置10為一種一次僅處理一片作為受處理基板之矽3曰、 (第1圖中未顯示）的片葉式者。又，受處理基板可以 半導體晶圓以及玻璃基板等基板，以下，僅以矽晶圓疋 場合作說明。 之 該成膜裝置10包含一以石英玻璃製成之處理室 12。在該處理室12内，設置有一晶圓支撐裝置14，在處 理室1 2之側部形成有一處理氣體導入口丨6，與該導入口 相對之位置形成有一排氣口 18 i又，在處理室i 2之下方 區域’放射狀配置有例如20根之複數根作為加熱裝置的 鹵素燈管20。 在上述結構之成膜裝置1〇中，當以晶圓支撐裝置14 支撐晶圓後，若點亮鹵素燈管20而加熱晶圓，並由排氣 口 18進行排氣且邊由導入口16導入處理氣體，處理氣體 將會沿該被加熱至特定溫度之晶圓表面成層流狀流動， 並在晶圓上，磊晶成長出矽單結晶《所供應之處理氣體 可以使用一在氣體盤（圖中未顯示）内由例如SiH4、 Si2H6、SiH2C12 等矽類氣體，PH3、AsH3、B2H6 等摻雜 劑氣體、以及H2、N2等載子氣體等混合而成者。又，處 理室12内之壓力以排氣管中之節流閥之開度來調整’約 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐〉 Γ请先閲讀背面之注意事項再填寫本頁> .裝！-----訂---------^竣"- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -6 - 4 60922 A7 _______B7_ ___ 五、發明說明（6 ) 在 0.7kPa(5T〇rr)〜88kPa(660T〇rr)之間。 應用於第1圖所示成膜裝置10之晶圓支撐裝置14具 有一作為用以固持晶圓之固持台的載具22。該載具22為 一被覆有碳化矽之由石墨材料所組成之圓盤狀物者，且 為一立設於處理室丨2下方部位由石英玻璃所製成之支撐 軸24，從背面侧以三點所水平支撐著。該載具22為一用 以固持晶圓’同時用以加熱晶圓者。 第2A與第2B圖分別為一顯示載具22之構成的侧面 截面圖與上視圖。又，第3圖為第2a圖所示載具22中之 右侧部分的擴大側視截面圖。又，為載具22所支撐之晶 圓W在第2 A圖中係呈被支撐之狀態，而在第3圖中，則 以虛線表示其所被支撐之位置。又，在第2b圖中，則以 沒有支撐晶圓W之狀態’顯示載具22之構造。 在載具22之上表面侧，以圓盤狀載具22之中心軸八乂 為中心，設定有一用以容納並固持晶圓w的略圓形晶圓 固持區（基板固持區）50 ’在該晶圓固持區5〇内，以中 心轴Αχ為中心，形成有一由圓形之凹部所組成之晶圓加 熱面（基板加熱面）52。載具22之晶圓固持區5〇外侧下 表面部分，設有一供支撐軸24支撐载具22之載具支撐部 60。 在晶圓加熱面52之外圍部分，沿外圍形成有一環狀 凸狀階梯部，該環狀階梯.部為一用以支撐晶圓w的晶圓 支撑部（基板支撐部）54。當將晶圓配置於該載具22之 晶圓固持區50内之特定位置時，晶圓係以晶圓w之外緣 下側部位’抵接該設於晶圓加熱面52外圍之晶圓支樓部 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱) -- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -------—訂------ ! 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 60 9 22 ΔΤ Α7 ___ Β7 五、發明說明（7 ) 54之上表面侧的狀態，而被支撐（參照第2A及第3圖）。 在該支撐狀態，晶圓W之上表面，將與一比晶圓固持區 50還外侧之載具22外圍部之上表面，處於約略同一平 面。14是為了使該由導入口 16導入之處理氣體，維持層 流狀態流動之故d 又’在晶圓加熱面52内之特定位置上，設有一些供 使晶圓W相對於載具22上下移動之舉升桿48 (參照第j 圖）穿過之舉升桿穿孔56。在本實施例中，如第2B圖所 示’設有三個舉升桿穿孔5 6。 本實施例中之載具22在晶圓加熱面5.2内具有作為 加熱調整部之凸部58。凸部58係由以中心軸八父為中心自 晶圓加熱面52突出成圓形島狀而形成的。又，其離該晶 圓加熱面52之突出高度設定成，比二自晶圓加熱面以 曰曰圓支揮部54之上表面止之高度還低。 晶圓w之加熱/成膜時，晶圓W會被固持於轉動之載 具22上’城來自該配列於下方之_素燈管2()所加熱之 載，、22的熱傳導、對流、韓射等，而被加熱至⑽至谓 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 C °又’載具22之中心軸^與受到旋轉驅動之載具瑪 旋轉中心軸一致。 在此，先就舉升桿48之上下移動、晶圓…之運送與 法作㈣。舉升桿48會為成㈣㈣ 該舉-二==移= 呈玫射狀延伸之舉升臂44、以及經舉升桿穿孔56=4穿0

本紙張尺度適瓦^象標準（CNS〉A4規格（210· X 297公釐） -n I I . (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 機構如第1圖所示，包含有:配置成環 •8 - 60922 A7 ---：------ B7 __ 五、發明說明（8 ) 載具22延伸且隨著舉㈣44±下移動之舉升桿α。若控 制驅動裝置42 ’而使舉升管4〇與舉升臂44上升，舉升臂 44之前端部將會推動舉升桿48向上。 當要使晶® W切於上述構叙晶圓支撐裝置14上 時’首先’操作運送機器人（圖中未顯示），將被載置 於運送機器人之載板上的晶_ ,配置於載具22之晶圓 固持區50之正上方位置 '然後，控制舉升機構之驅動装 置42，使舉升桿48上升。此時，料制人之載板為一 不妨礙舉升桿48之上升的形狀與配置。當舉升桿48上升 至一比載板還高之位置時，晶圓w被從載板移至舉升桿 48上’且以三點舉升桿48，受到支撐。 晶圓W—旦為舉升桿48所支撐，即使運送機器人之 載板’從載具22之上方移動至處理室12之外部，再使舉 升桿48下降。當舉升桿48完全被下降至舉升桿穿孔“内 時，舉升桿48之上表面即成一位於一比晶圓加熱面52還 低下之位置的狀態，晶圓W與載具22之晶圓支撐部54之 上表面相接觸’而被支撐。之後，上述磊晶成長等成膜 製程即可被執行。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 當要將晶圓W由載具22提升’並使其移玫至運送機 器人之載板時，可以容易了解到以一和上述相反之順 序，來操作舉升機構與運送機器人即可。 再來，就上述實施例所成之載具22之效果以及具體 的實施例作說明。又，在以下所述之實施例與各資料中， 任何一者之晶圓固持區50之直徑都為 202.5mm(7.972inch) '晶圓加熱面52之直徑為 -9- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） B0922 A7 B7 五、發明說明（9) 195mm(7.677inch)、凸部 58之直徑 l〇i.6mm(4.000inch)。 在第2A、2B與3圖所示之載具22中，於晶圓固持區 50内，係藉由設於晶圓加熱面52外周之階狀晶圓支撐部 54’來支樓晶圓W。此時’晶圓W係以·一與晶圓加熱面 5 2間有第一距離d 1之間隙的狀態，被晶圓支撐部5 4之接 觸部分所支撐。（參照第3圖） 當採用一利用載具22來對晶圓w進行加熱的方式 時，於一熱傳導或對流在晶圓加熱機制中屬支配性因素 之高壓力區域中，載具22之中心部與周邊部之熱傳導的 不同，或是載具22之晶圓固持區50内之凹凸.面形狀等， 對於所致晶圓W之共面溫度分佈會有很顯著之影響。因 此，會產生一所謂晶圓W共面之溫度分佈不均勻的問 題。一旦晶圓W之溫度分佈不均’成膜條件在晶圓|共 面之各部位將會不一樣，如此一來，被成膜之膜厚分佈 即發生不均.勻性。 _對於ii樣的問.題’藉由调整載具2 2之加熱條件，例 如第1圖中由鹵素燈管2 0所成之加熱條件，相信可以調整 晶圓W之溫度分佈β然而，在此方法令，加熱控制會複 雜化’或因鹵素燈管20之配置限制所致，而無法獲得充 分之溫度均勻性。 另一方面，若下降成膜時之壓力，加熱中因熱傳導 或對流所致影響將被降低’溫度均勻性被提高。然而， 在此方法下，在一複晶梦之成膜係成膜速度約略比例於 成膜時在處理室12内之壓力（成膜壓力）的製程丁，成 膜能力將被大幅降低。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝--------訂----- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ^0922 ^0922 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 A7 _；_ B7______ 五、發明說明（10 ) 相對於此’在本實施形態之載具22中，係以一階狀 晶圓支撐部54來將晶圓W支撐成在晶圓W與晶圓加熱面 52間存有距離dl之間隙，同時利用該間隙，藉由使晶圓 加熱面52之各部分處的間隙距離有特定之變化（分佈）， 而來調整晶圓.W共面之溫度分佈。 為了調整該溫度分佈，在載具22之晶圓加熱面52 内’形成有凸部，來作為用以調整對晶圓W之加熱條件 的加熱調整部’且該凸部被設定成其自晶圓加熱面52之 突出高度，比該晶圓加熱面52至晶圓支撑部54之上表面 為止之高度，還低。此時，在晶圓W與凸部5 8之上表面 之間’還有一滿足d 1 >d2>0之關係的第二距離d2間隙。 像這樣’在晶圓加熱面5 2内’藉由設置一可使晶圓w與 晶圓W加熱面52之其它部分之距離dl有不同距離之間隙 的凸部5 8 ’將可以實現溫度分佈之調整^ 亦即’除了載具22本身之溫度分佈調整外，藉由晶 圓W與晶圓加熱面5 2間之間隙、凸部5 8等加熱調整部之 凹凸構造所致之間隙距離分佈尊，.將可以分別設定與調 整晶圓固持區50内之各部位中，載具22對晶圓w之加熱 條件’進而實現晶圓W共面之溫度分佈調整。藉此，可 以在不使成膜效率變低之下’使溫度分佈與被成膜之膜 厚分佈的均勻性獲得提高。 像這樣之溫度分佈調整方法，比起以鹵素燈管2 〇所 作之加熱條件調整等，容易調整多了。又，由於對於以 鹵素燈管20所成之加熱機構而言屬必要之製造精度亦被 緩和了，將可以降低成膜裝置10等之半導體製造裝置的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） ----— n I tmmm 1>' _1 ϋ 1_1 ϋ aame I 1 .τι· ϋ Mama n 一-»JI .^1 n n n wr AVI (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 60922

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（u 製造成本。 第4A與4B圖分別為上述實施形態之第2A圖所示載 具22之側面戴面圖，以及以使用該載具22來成膜所得之 膜厚分佈與以使用習知之載具來成膜之場合作一比較所 得之圖不。第4B圖所示圖表之橫軸為離中心之距離 (mm),縱軸為各位置之膜厚（A)。又，在此，晶圓 W與晶圓加熱面52或凸部58間之間隙距離分別為 cUH.Omm、d2 = 0.7mm。另—方面，習知之載具相當於 載具22中dl=d2 = 0mm之場合。又’成膜壓力為 16kPa(120TOrr)、成膜溫度在習知為616t，而在本發 之實施例中為620°C。 在圖4B圖所示之習知例所成膜厚分佈資料中，藉 以載具之中心部及周邊部當中之熱傳導的不同’或是叫 素燈管所致加熱條件等，會獲得一晶圓外圍附近之膜$ 較厚，而内側部分則愈薄的膜厚分佈。亦即，晶圓之内 側部分中由載具所來之加熱不充分，因而成獏之膜厚在 内側部分即略為下降。 相對於前述，在一使用了本實施形態之成膜裝置 的膜厚分佈資料中’藉由晶圓W與晶圓加熱面52間之 隙，成膜之膜厚整體將略為變薄。又，對於因加熱不 分所致成膜之膜厚較薄的内側部分而言，係藉由於晶 加熱面52上形成凸部58而提高對晶圓w之加熱效率， 調整晶圓W之溫度分佈。成膜條件即因該溫度分佈調 而有變化’而可知與晶圓霄之周邊部分比較起來，内側 部分之膜厚將可得較厚的膜厚分佈。 明 由 鹵 10 間 充 圓 來 整 —--Λ ν-裝---I I---訂· —------y (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

A7 460922 五、發明說明（I2) 如上所述’在一具有一以上述實施形態所得之載具 22的成膜裝置中，藉由設定晶圓w與晶圓加熱面52間之 間隙’以及各部位處之間隙距離分佈，將可以調整晶圓 W共面之溫度分佈，以及所得之膜厚分佈。 第4A與4B圖所示之實施例，為一例示出當如上所述 般，藉由於晶圓加熱面52上’設置一凸部58等加熱調整 部，而獲得溫度分佈與膜厚分佈之調整下的效果者。因 此，在以該實施例所得之膜厚分佈中，其整體膜厚分佈 仍有不均勻性存在。該不均勻性可藉由進一步變形該晶 圓加熱面5 2之表面形狀以因應所得之膜厚分佈，而使其 解除’最後終能達成晶圓W共面整體之溫度與膜厚均勻 性。 第5圖為一顯示所成膜之膜厚，相對於晶圓w與載具 22間之間隙距離d(mm)而變化的圖形。在該資料中，係 以成膜溫度620。(：、成膜壓力16kPa(120Torr)、成膜時間 59秒之成膜條件下進行成膜。又，成膜中所用之處理氣 體的 量分別為 SiH4 氣體為 〇,91/min(sliii, standard 1/min)、. H2 氣體為 8.9 1 /min(slm, standard/min) » 在第5圖中，顯示出晶圓固持區50内之旋轉中心位 置（r=0mm )、離中心位置20mm之位置（r=20mm )、 離中心位置40mm之位置（r=40mm)等三個位置下的膜 厚變化。 又’在各資料點群A、B、及C中，資料點群A係假 設習知平坦載具中有〇. 1 mm程度之間隙產生者時之膜 厚；資料群B為相當於凸部58處之d2 = 0_7mm之間隙下的 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁> ----!11 訂----11111 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -13- 4 6 0 9 dd A7 B7 五、發明說明（I3) 膜厚；資料點群c為相當於晶圓純 間隙下的膜厚處之dl = 1.〇_i 於距離作指數函數變化下的曲線。 為各膜厚相對 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 如同由這些圖形所明瞭者， 隙距離d之變化，而平…〜成膜之膜厚係隨著間 …^ 千順地(例如指數函數性地）變化。 :藉由從利用載具22而得之如第则所示的膜厚分 ，並參照第5圖所示之膜厚變化數據，而進行載呈22 之表面形狀的修正，將 ,工 將了以進—步調整各位置中所成膜 之膜厚，而使所得之膜厚分佈均勻化。 、又’從第5圖之三個圖形中，可以了解到不管離中 心位置之距離為何，對於距剩而言，膜厚都約略相等地 變化。因此，對於晶圓固持區5〇内之各部位，將可以應 用相同的間隙距離設定方法，而決定晶圓加熱面52的表 面形狀。 缎濟部智慧財產局員工消費合作社印製 一般之表面形狀的決定方法例係決定一作為晶圓 與加熱面之間隙基準的距離，而來設定作為基準面之晶 圓加熱面，並將一由對應於想要調整之獏厚分佈之凹凸 構造所構成之加熱調整部，提供至基準面上，而決定最 後使用之晶圓加熱面的形狀·。 在此’溫度與膜厚分佈的不均勻性，大多是相對於 晶圓加熱面之中心位置，呈橢圓對稱。在該場合，加熱 調整部最好係以晶圓加熱面之中心位置為中心，設定呈 對稱圓形狀（同心圓狀）的島狀或環狀。惟，當存在有 局部性不均勻性等非對稱圓之不均勻部分時，亦可形成 一對應於該現象之局部性凹凸構造所成的加熱調整部。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐 •14-

經濟部智慧財產局員Η消費合作社印製 4 60 9 2.2. 嫂空又習知之約略平坦的載具而言，有可能會因舉升 桿穿孔56之凹陷所引起之局部性溫度分佈不均性、以及 !此：：生膜厚分佈變化。相對於此，如本實施例所述， 错由5又疋晶圓W與晶圓加熱面52間之間隙，將可以同時 減低這樣之局部性膜厚變化。局部性獏厚不均勻性 對於舉升桿穿孔56以外之區域，亦可以藉由上述間 隙’而被同樣實現。 第6圖為一將一使用上述載具22之成膜裝置所作出 之位於舉升桿穿孔56旁之臈厚分佈，與-使用習知約略 :坟之載具之情形’相比較下之圖形。圖形之橫軸為獏 厚之測量點編號，縱軸為所測量之膜厚（A)。其中， =厚之各測量.點如第7圖所示。亦即，對於載具22之三個 舉升桿穿孔56’於沿三個舉升桿穿孔56之圓周上，順時 針方向配置有：以第-舉升桿穿孔56之位置作為測量點3 而得之鄰近5個測量點卜5'以第二舉升桿穿孔％之位置 作為測量點8而得之鄰近5個測量點6〜1()、以第三舉 穿孔56之位置作為測量點13而得之鄰近5個測量點"〜 15等合計15個地方在各舉升桿穿孔56旁 之兩相鄰測量點之間的間隙為以載具22之中心為頂點呈 2度爽角。 在這些舉升桿穿孔56旁，於利用習知載具而成之成 中如第6圖所不’會產生局部性膜厚降低情形。相對 於此’在-使用了在晶圓w與晶圓加熱面52之間設有間 隙之上述載具22的成膜（裝置）中’膜厚在任—舉升桿 穿孔56旁都幾乎一樣，$會有局部性膜厚變化情形產

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本紙張^適用+國國家標準（CNS>A4規格 297公釐） -15- r 460922

五、發明說明（15) 二。:象這樣，藉由上述載具22之構成，因舉升桿穿孔％ 的局部性獏厚變化，亦可同時減低之。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在此’晶圓w與晶圓加熱面52間之間隙距離d丄最好 设定在lmm以下。間隙距離若過大的話，對於晶圓w之 加熱效率會轡彳R μ w踅低右在1mm以下範圍的話，可以防止過 度之加熱效率降低。 L _ ^ 千帑低另一方面，由於為了控制局部性膜 厚變1ib，西 要有某一程度之間隙距離，因而最好從相對於 膜厚之條件中，選擇—在上述距離範圍内之最佳間隙距 離，例如lmm 〇 —每樣之載具可以是例如根據必要的加熱效率，來設 定離晶圓背面之最大距離，而設定一以其為間隙距離之 表面，再於該表面上，就加熱不充足之部位，形成一突 出於晶圓側之凸部，藉此而構成晶圓加熱面者。藉此， 將可以實現一在晶圓固持區5〇内之整體，都保有充分之 加熱效率’並實現加熱分佈之調整。惟，依各部分之加 熱條件之不同，亦可以成一於其中一部分設置凹部的構 成。. . 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 根據本發明而成之半導體製造裝置，並不限於上述 實施形態’而是可以進行各式變化。例如，上述實施形 態之半導體製造裝置雖為一蟲晶成長裝置等成膜裝置.， 但本發明亦可適用於進行其它處理者，例如C VD裝置. 專。又’就晶圓固持區5 0内之表面形狀而言，使加熱調 整部之凹凸構造’對應於各別裝置，來進行各式變形理 ，.所當然可以；而_晶圓支撐部亦不限於如上述實施形態般 相對於外圍全體而設之環狀，呈一設於其中一部分_之複 本紙張尺度適用令國國家標準（CNS〉A4規格（210 X 297公釐） •16- 460922

五、發明說明（is 數位置上的階狀或突起晶圓支撐部亦可。又，即使使用 彼等以外之構成的基板支撐部，亦可。 又用以加熱載具之加熱裝置亦可以使用一除了位 於載具下方之加熱用燈群以外的構成。 產業上利用袖： 將載具構設成在晶圓與晶圓加熱面之間，有一特定 距離之間隙，並在該晶圓加熱面上，設置具凹凸構造的 加熱調整部，使間隙距離呈非固定之分佈之根據本發明 而成之半導體製造裝置’可作為一可相對於晶圓之各部 分’設定載具之加熱效率分佈等加熱條件，而調整晶圊 共面之溫度分佈與要成膜之膜厚分佈的半導體製造裝 置。 此時，與一藉由燈管所致對載具之加熱條件等，來 進行溫度分佈調整之情況相比，可以容易且低成本地實 現溫度分佈調整。尤其是，在一以上述載具構造所作之 溫度分佈調整中’供調整之自由度袓當大，各式各樣之 幵;^狀設計都可能。因此，可以使溫度分佈均勻性充分提 高。又，由於不需要降低成膜壓力，所以可以獲得/高 的成膜效率 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 丨:、裝-----i訂_!!吹 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉A4規格(210 X 297公釐>

Claims (1)

1. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 460922

   六、申請專利範圍 1·一種半導體製造裝置，係包含有：_處理室、—設置 於該處理室内用以將受處理基板固持於上表面侧之 基板固持區内並加熱之的載具、以及一透過該載具來 加熱该受處理基板的加熱裝置，其特徵在於： 該載具在該基板固持區内，以一基板支撐構件， 將該受處理基板支撐成，在一作為該載具上表面之與 該受處理基板相對之表面部分的基板加熱面，與該受 處理基板之背面之間’有第一距離之間隙； 同時在該基板加熱面上之特定部位上，形成有會 產生一具一與第一距離不同之第二距離之間隙的加 熱調整部0 2.如申請專利範圍第i項所述之半導體製造裝置，其中在 該基板加熱面之各部位上所產生之與該受處理基板 背面間之間隙的距離都在該第一距離以下； 而且’該加熱調整部為一由該基板加熱面，向該 受處理基板側突出之凸部。 3. 如申請專利範圍第2項所述之半導體製造裝置，其令該 第一距離為1 mm以下。 4. 如申請專利範圍第1項所述之半導體製造裝置，其中該 基板支樓構件係一沿該基板加熱面外圍，形成_於該載 具之上表面上，並藉由使該受處理基板之外緣下方抵 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐〉 (請7C-閱讀背面之注意事項再填寫本頁) Jil:r 一裝------i 訂--------声，VI —--------------1!_____1. -18- 4β〇922 發 C8 ---------- 、申請專利範圍 接該上表面侧，而支樓該受處理基板的基板支撐部。 5. 如申请專利⑯圍第4項所述之半導體製造裝置，該基板 支撲°卩呈環狀开）成於該基板加熱面之整個外圍。 6. 如申請專利範圍第i項所述之半導體製造裝置，該加熱 調整部係一以該載具被旋轉驅動時在該基板加熱面 上之旋轉中心位置為中心，呈一包含該旋轉中心位置 之島狀或圍住該旋轉中心位置之環狀的對稱圓形狀。 7. 如申睛專利範圍第1項所述之半導體製造裝置，其中該 加熱裝置係由複數根與該載具下表面相對而配置之 燈管所組成。 (請-元閱讀背面之注意事項再填寫本頁) '裝---- 訂---------線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -19