JPS6220875A - 堆積膜形成装置 - Google Patents
堆積膜形成装置Info
- Publication number
- JPS6220875A JPS6220875A JP60158325A JP15832585A JPS6220875A JP S6220875 A JPS6220875 A JP S6220875A JP 60158325 A JP60158325 A JP 60158325A JP 15832585 A JP15832585 A JP 15832585A JP S6220875 A JPS6220875 A JP S6220875A
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- Japan
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- exhaust system
- reaction
- reaction vessel
- accumulated film
- gas
- Prior art date
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
- C23C16/5093—Coaxial electrodes
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は気相法による堆積膜形成装置に関する。
堆積膜製造法の１つとして、熱、光乃至は放電エネルギ
ーを利用するＣＶＤ （Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ
Ｄｅｐｏａｉｔｉｏｎ ）法やグロー放電法、アーク放
電法があシ、とシわけ低温プラズマを利用するＣＶＤ法
が近年脚光を浴びている。この方法は、倒起ば第４図に
示した様式の堆積膜形成装置を用い、カソード電極とし
て作用する反応槽容器２内を排気系１１によシ高真空に
減圧し、原料ガスを導入管７゜７・・・によシ容器内に
供給した後、例えば容器２と円筒状の導電性基体６との
間でグロー放電を生起させて原料ガスを励起・反応させ
て基体６上に堆積膜を形成させる方法で、例えば非晶質
硅素膜で構成される、電子写真感光体等光導電部材を製
造する際に利用される。この方法で、例えばシラン系ガ
ス（水素化ケイ素、このハロダン化物乃至はハロダン化
ケイ素を用いることもある）を原料ガスとして作製した
非晶質硅素膜は、非晶質硅素の禁止帯中に存在する局在
準位が比較的少なく、置換型不純物のドーピングによシ
価電子制御が可能であシ、電子写真感光体としても優れ
た特性を有するものが得られ、熱い期待が寄せられてい
る。
ーを利用するＣＶＤ （Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ
Ｄｅｐｏａｉｔｉｏｎ ）法やグロー放電法、アーク放
電法があシ、とシわけ低温プラズマを利用するＣＶＤ法
が近年脚光を浴びている。この方法は、倒起ば第４図に
示した様式の堆積膜形成装置を用い、カソード電極とし
て作用する反応槽容器２内を排気系１１によシ高真空に
減圧し、原料ガスを導入管７゜７・・・によシ容器内に
供給した後、例えば容器２と円筒状の導電性基体６との
間でグロー放電を生起させて原料ガスを励起・反応させ
て基体６上に堆積膜を形成させる方法で、例えば非晶質
硅素膜で構成される、電子写真感光体等光導電部材を製
造する際に利用される。この方法で、例えばシラン系ガ
ス（水素化ケイ素、このハロダン化物乃至はハロダン化
ケイ素を用いることもある）を原料ガスとして作製した
非晶質硅素膜は、非晶質硅素の禁止帯中に存在する局在
準位が比較的少なく、置換型不純物のドーピングによシ
価電子制御が可能であシ、電子写真感光体としても優れ
た特性を有するものが得られ、熱い期待が寄せられてい
る。
ところで、この様に堆積膜を形成する際には、反応槽容
器２の内側壁面に付着する粉末状固体残渣等の反応残渣
が副生じ、次続する堆積膜形成の際に剥離・飛散して堆
積膜中にとシ込まれ、膜特性を劣化させたシ、あるいは
排気系１１を構成するロータリーポンプやメカニカルブ
ースタポンプ１８の故障の原因となっていた。
器２の内側壁面に付着する粉末状固体残渣等の反応残渣
が副生じ、次続する堆積膜形成の際に剥離・飛散して堆
積膜中にとシ込まれ、膜特性を劣化させたシ、あるいは
排気系１１を構成するロータリーポンプやメカニカルブ
ースタポンプ１８の故障の原因となっていた。
従って、この様な反応残渣を処理するための種棒の方法
が考案され、その代表例として、反応残渣をアルカリ水
溶液中で分解させるケばカルエ。
が考案され、その代表例として、反応残渣をアルカリ水
溶液中で分解させるケばカルエ。
テング法やプラズマｆｃ応用して分解するドライエツチ
ング法が一般に知られている。前者の処理方法では、通
常最終仕上げとして純水による洗浄を行なうことから薬
品の残留は比較的少ないものの、装置を分解して洗浄し
なければならないため、ダストが付きやすく、これが反
応槽のリーク、製品における画像欠陥等の原因となシ、
歩留シ低下につながり、また装置分解や洗浄操作自体が
大変手間のかかることから、量産に不向きであるという
問題点があった。
ング法が一般に知られている。前者の処理方法では、通
常最終仕上げとして純水による洗浄を行なうことから薬
品の残留は比較的少ないものの、装置を分解して洗浄し
なければならないため、ダストが付きやすく、これが反
応槽のリーク、製品における画像欠陥等の原因となシ、
歩留シ低下につながり、また装置分解や洗浄操作自体が
大変手間のかかることから、量産に不向きであるという
問題点があった。
従って、後者のドライエツチング法による処理が一般に
賞用されているが、この方法においても、エッチャント
として用いるガス、この分解生成物（未反応う・ゾカル
を含む）、乃至は固体残渣等が壁面などに残留し、これ
らもまた、次続する堆積膜形成時に壁面から脱離し、堆
積膜中にとり込まれ、例えば感光体製品における帯電能
不良、画像流れ等の機能低下を招くといった不都合を生
じるため、改良が望まれていた。
賞用されているが、この方法においても、エッチャント
として用いるガス、この分解生成物（未反応う・ゾカル
を含む）、乃至は固体残渣等が壁面などに残留し、これ
らもまた、次続する堆積膜形成時に壁面から脱離し、堆
積膜中にとり込まれ、例えば感光体製品における帯電能
不良、画像流れ等の機能低下を招くといった不都合を生
じるため、改良が望まれていた。
本発明は、従来の問題点を解決し、堆積膜形成後の反応
槽容器内を円滑且つ高能率で洗浄することができ、従っ
て良質の堆積膜を繰返し効率良く製造することのできる
堆積膜形成装置を提供すべくなされたものである。
槽容器内を円滑且つ高能率で洗浄することができ、従っ
て良質の堆積膜を繰返し効率良く製造することのできる
堆積膜形成装置を提供すべくなされたものである。
即ち、本発明によって提供される堆積膜形成装置は、気
相法によシ堆積膜を形成するための反応槽容器と該容器
の排気系とを備える堆積膜形成装置において、前記排気
系の経路に前記反応槽容器内の反応残渣を捕集する捕集
槽が配置され、且つ該捕集槽内に捕集される反応残渣を
回収するための別の排気系が備えられていることを特徴
とするものである。
相法によシ堆積膜を形成するための反応槽容器と該容器
の排気系とを備える堆積膜形成装置において、前記排気
系の経路に前記反応槽容器内の反応残渣を捕集する捕集
槽が配置され、且つ該捕集槽内に捕集される反応残渣を
回収するための別の排気系が備えられていることを特徴
とするものである。
以下、添付した図面に従って本発明の詳細な説明する。
第１図は円筒状導電性基体を装着した本発明の堆積膜形
成装置の１構成例を示した模式図であり、第４図と同一
の要素は同一の符号で表わしている。
成装置の１構成例を示した模式図であり、第４図と同一
の要素は同一の符号で表わしている。
第１図に示した装置は、基本的には反応槽本体１、排気
系１１、基体搬送設備１及び放電用電源とで構成されて
いる。
系１１、基体搬送設備１及び放電用電源とで構成されて
いる。
反応槽本体１は、例えばステンレス等の導電性を有する
構造材から成りカソード電極として作用し得る円筒状の
反応槽容器２と、この容器２とは環状碍子３を介して固
定された容器底板４に固定され、反応槽容器２とほぼ軸
芯を合せて配置されている円筒状の導電性基体受は台５
とで基本的に構成され、この受は台５上に反応槽容器と
ほぼ軸芯を合せて円筒状の導電性基体６が載置されてい
る。
構造材から成りカソード電極として作用し得る円筒状の
反応槽容器２と、この容器２とは環状碍子３を介して固
定された容器底板４に固定され、反応槽容器２とほぼ軸
芯を合せて配置されている円筒状の導電性基体受は台５
とで基本的に構成され、この受は台５上に反応槽容器と
ほぼ軸芯を合せて円筒状の導電性基体６が載置されてい
る。
７．７は堆積膜形成用ガス及び反応槽内副生成物（粉体
）除去用不活性ガスの導入管であシ、成膜時の放電均一
性と副生成物の除去効率の両観点からガス導入孔８，８
．・・・の形状、向き、配置、がス導入管７，７の形状
、本数、配置等を決める必要がある。第１図では図示し
たいものも含めて反応槽容器軸芯のまわシで９０°のど
、テで４本のガス導入管が配置されている。それぞれの
導入管は上端で閉じてあり、下端は容器底板４に蝶着さ
れたシール部材を兼ねたコネクタ９．９により、反応槽
外部のガス導入管１０．１０に接続され、この導入管１
０．１０は、更に堆積膜形成用ガスと不活性ガス供給源
であるボンベに接続される。
）除去用不活性ガスの導入管であシ、成膜時の放電均一
性と副生成物の除去効率の両観点からガス導入孔８，８
．・・・の形状、向き、配置、がス導入管７，７の形状
、本数、配置等を決める必要がある。第１図では図示し
たいものも含めて反応槽容器軸芯のまわシで９０°のど
、テで４本のガス導入管が配置されている。それぞれの
導入管は上端で閉じてあり、下端は容器底板４に蝶着さ
れたシール部材を兼ねたコネクタ９．９により、反応槽
外部のガス導入管１０．１０に接続され、この導入管１
０．１０は、更に堆積膜形成用ガスと不活性ガス供給源
であるボンベに接続される。
本発明の特徴をなす排気系１１は、反応槽容器の底板４
の適宜の位置に穿たれた孔１２に接続された配管１３に
よシ、図示しないロータリーポンプ、メカニカルブース
ターポンプ等の排気手段に接続する主排気系Ａと、後述
する副排気系Ｂとの２つの排気系で構成されている。
の適宜の位置に穿たれた孔１２に接続された配管１３に
よシ、図示しないロータリーポンプ、メカニカルブース
ターポンプ等の排気手段に接続する主排気系Ａと、後述
する副排気系Ｂとの２つの排気系で構成されている。
排気系Ａの経路には、粉体トラッ７’１４が配置されて
いる。この粉体トラップ１４は、反応槽容器２内の未堆
積ラジカルを故意に副生成物化（固化）させるという機
能及び気流を減速させ、粉体の回収を効率化するという
機能を併せ持っている。
いる。この粉体トラップ１４は、反応槽容器２内の未堆
積ラジカルを故意に副生成物化（固化）させるという機
能及び気流を減速させ、粉体の回収を効率化するという
機能を併せ持っている。
ラジカルの副生成物化を効率良く行なうための手段とし
て、粉体トラップ１４内を適宜の冷却手段により冷却す
ることが行なわれる。この際粉体トラ、プ内壁温度は１
０〜２００℃、更には１５〜３０℃とされるのが好まし
い。冷却手段の具体例として、第１図の装置には冷却パ
イプ１５が備えられ、水を循環せしめている。更に、粉
体トラ。
て、粉体トラップ１４内を適宜の冷却手段により冷却す
ることが行なわれる。この際粉体トラ、プ内壁温度は１
０〜２００℃、更には１５〜３０℃とされるのが好まし
い。冷却手段の具体例として、第１図の装置には冷却パ
イプ１５が備えられ、水を循環せしめている。更に、粉
体トラ。
プ１４内には、蓄積した副生成物を吹き飛ばすためのガ
スの導入口１６が設けられ不活性ガスを導入できる様に
しである。
スの導入口１６が設けられ不活性ガスを導入できる様に
しである。
排気系Ｂは、排気系Ａの粉体トラップ１４の下流より分
岐するか、あるいは粉体ドラッグ１４に直接接続され、
粉体トラ、グ１４によシ捕集された反応残渣を回収する
だめの手段１７が備えられている。この回収手段は、例
えば市販の水浄掃器や、排気手段を兼ねる水封真空ポン
プ等、粉体を吸収乃至吸引蓄積せしめる手段により構成
される。
岐するか、あるいは粉体ドラッグ１４に直接接続され、
粉体トラ、グ１４によシ捕集された反応残渣を回収する
だめの手段１７が備えられている。この回収手段は、例
えば市販の水浄掃器や、排気手段を兼ねる水封真空ポン
プ等、粉体を吸収乃至吸引蓄積せしめる手段により構成
される。
尚、粉体トラップ１４により捕集される副生成物が着火
し易い場合には、水を撒布しながら吸引するか、あるい
は前述した様に不活性ガスをキャリアガスとして吸引せ
しめるのが安全である。１８は排気系Ａのｈ路に配置さ
れた排気手段であり、例えばロータリーポンプ及びメカ
ニカルブースターポンプ等で構成されている。１９は質
量分析用のｒ−ジポートである。
し易い場合には、水を撒布しながら吸引するか、あるい
は前述した様に不活性ガスをキャリアガスとして吸引せ
しめるのが安全である。１８は排気系Ａのｈ路に配置さ
れた排気手段であり、例えばロータリーポンプ及びメカ
ニカルブースターポンプ等で構成されている。１９は質
量分析用のｒ−ジポートである。
更に２０は抵抗発熱体であり、基体を所望の温度に維持
する様に温度管理を行なうことができる。
する様に温度管理を行なうことができる。
反応槽容器２上には基体搬送設備が設けられておシ、環
状碍子２２を介して容器２上に載置される上ダート２３
、真空チャンバー２４及びこの下ダート２５等で構成さ
れている。基体６は真空チャンバー２４より真空中で上
下移動せしめられて、容器２内に搬入され、堆積膜形成
後に搬出される。
状碍子２２を介して容器２上に載置される上ダート２３
、真空チャンバー２４及びこの下ダート２５等で構成さ
れている。基体６は真空チャンバー２４より真空中で上
下移動せしめられて、容器２内に搬入され、堆積膜形成
後に搬出される。
また、第１図中３１は反応槽容器２と電気的に接続され
た高周波マツテングゴ、クスであり、このマツテングデ
ックスは図示しない例えば実用的な高周波帯域１キロ〜
１ギガＨｚの高周波を発振する高周波発撮器に接続され
て、容器１に高周波電力を供給することができる。
た高周波マツテングゴ、クスであり、このマツテングデ
ックスは図示しない例えば実用的な高周波帯域１キロ〜
１ギガＨｚの高周波を発振する高周波発撮器に接続され
て、容器１に高周波電力を供給することができる。
この様な構成の装置を用いて本発明方法を実施するに際
しては、先づ下ダート２５、上ダート２３を開けて円筒
状の導電性基体６を容器２内に入れ、基体受は台５上に
容器２とほぼ軸芯を合せて載置する。次いでダート２３
．２５を閉じ、排気系Ａから排気して反応槽容器内ｔｌ
−１０−２〜１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程度の真空度まで減圧し
た後、ガス導入管７゜７から堆積膜形成用がスを導入す
ると共に容器２に高周波電力を供給してグロー放電を生
起せしめ、基体６を静止させたまま堆積膜を形成させる
。
しては、先づ下ダート２５、上ダート２３を開けて円筒
状の導電性基体６を容器２内に入れ、基体受は台５上に
容器２とほぼ軸芯を合せて載置する。次いでダート２３
．２５を閉じ、排気系Ａから排気して反応槽容器内ｔｌ
−１０−２〜１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程度の真空度まで減圧し
た後、ガス導入管７゜７から堆積膜形成用がスを導入す
ると共に容器２に高周波電力を供給してグロー放電を生
起せしめ、基体６を静止させたまま堆積膜を形成させる
。
更にグロー放電の条件は、基体温度として１５０〜３５
０℃が好ましく、カンード（反応槽容器）は、所望に応
じて冷却される。
０℃が好ましく、カンード（反応槽容器）は、所望に応
じて冷却される。
反応槽容器の洗浄は、ガス導入管１０よυ、例えば高圧
不活性ガスを導入し容器内の反応残渣を粉体トラップ１
４内に移行させ、これと併せて未堆積ラジカルを粉体ト
ラ、ゾ１４内で固化し捕集させ、回収手段１７によシ回
収することにより行なわれる。
不活性ガスを導入し容器内の反応残渣を粉体トラップ１
４内に移行させ、これと併せて未堆積ラジカルを粉体ト
ラ、ゾ１４内で固化し捕集させ、回収手段１７によシ回
収することにより行なわれる。
以下に具体的実施例を示して、本発明を更に詳しく説明
する。
する。
履歴をそろえる為フレオン洗゛浄に組み立てである第１
図に示した装置を用い、１７並びに１８は運転して状態
でＡの糸路で排気しながら下表の条件で堆積膜形成を行
い、電子写真感光体用光導電部材を作製した。
図に示した装置を用い、１７並びに１８は運転して状態
でＡの糸路で排気しながら下表の条件で堆積膜形成を行
い、電子写真感光体用光導電部材を作製した。
電荷注入阻止層 ＳｉＨ４、Ｂ２Ｈ６０，６光導電
層 ５ｉＨ４２０ 表面保護層 ５ＩＨ４、Ｃ２Ｈ４０，１アルｄ
ニウムシリンダ一温度＝２５０℃±５℃に制御堆積膜形
成時の堆積室内内圧： ０．３ Ｔｏｒｒ放電周波数：
１３．５６ＭＨｚ 堆積膜形堆積膜形成後２０Ｘ／ｓｅｅ 放電電カニ ０．１８ Ｗ／ｃｍ２ 成膜後、真空チャンバーのゲート２５と反応槽の上ダー
ト２３を開け、ドラム６を取り出した後上ゲート２３を
閉じ、排気系路はＡの１まで、系内を一旦０．０１ ｔ
ｏｎまで排気し念。その後５１を閉じ、１０を通じ窒素
ガスを徐々に導入し、反応槽内圧が７２０ｗｎｔＯｎに
達した所で一旦窒素がスの導入を停止した。次に１０及
び１６を高圧窒素ラインに切り換え５１．５３のパルプ
を開は窒素を６ｋｊ１／、−、、の圧力で吹出させると
同時に５２のバルブを開け、その状態で約１０分間維持
させた。次に５１．５３を閉じると同時に５１．５２の
バルブ操作により排気系路をＡに切換え、系内が０．０
０１ｔｏｎになるまで排気した。系内が０．００１ ｔ
ｏｎに達してからさらに約１０分間そのままの状態を維
持し浮遊する粉体を沈静させた後、前もって次回の基体
シリンダーを入れ略々０．００１ ｔｏｎまで予備排気
を行っておいた真空チャンバー２４と接続し、ダートパ
ルプの開閉によシ基体シリンダーを系内に挿入し、次の
成膜作業に移った。その際の１０本のドラムの特性及び
画像評価の結果を第１表に示す。
層 ５ｉＨ４２０ 表面保護層 ５ＩＨ４、Ｃ２Ｈ４０，１アルｄ
ニウムシリンダ一温度＝２５０℃±５℃に制御堆積膜形
成時の堆積室内内圧： ０．３ Ｔｏｒｒ放電周波数：
１３．５６ＭＨｚ 堆積膜形堆積膜形成後２０Ｘ／ｓｅｅ 放電電カニ ０．１８ Ｗ／ｃｍ２ 成膜後、真空チャンバーのゲート２５と反応槽の上ダー
ト２３を開け、ドラム６を取り出した後上ゲート２３を
閉じ、排気系路はＡの１まで、系内を一旦０．０１ ｔ
ｏｎまで排気し念。その後５１を閉じ、１０を通じ窒素
ガスを徐々に導入し、反応槽内圧が７２０ｗｎｔＯｎに
達した所で一旦窒素がスの導入を停止した。次に１０及
び１６を高圧窒素ラインに切り換え５１．５３のパルプ
を開は窒素を６ｋｊ１／、−、、の圧力で吹出させると
同時に５２のバルブを開け、その状態で約１０分間維持
させた。次に５１．５３を閉じると同時に５１．５２の
バルブ操作により排気系路をＡに切換え、系内が０．０
０１ｔｏｎになるまで排気した。系内が０．００１ ｔ
ｏｎに達してからさらに約１０分間そのままの状態を維
持し浮遊する粉体を沈静させた後、前もって次回の基体
シリンダーを入れ略々０．００１ ｔｏｎまで予備排気
を行っておいた真空チャンバー２４と接続し、ダートパ
ルプの開閉によシ基体シリンダーを系内に挿入し、次の
成膜作業に移った。その際の１０本のドラムの特性及び
画像評価の結果を第１表に示す。
さらに上記の１０サイクル目の最後の清掃工程終了後、
Ａ系路にて系内金一旦０．００１ ｔｏｎまで排気し、
０．００１ ｔｏｎに達すると同時に、５１パルプを閉
じ、系内を排気系から隔絶させた。それと同時に２をそ
の表面が５００℃になるまで加熱した。５００℃に達し
てから約１０分間の系内圧力を測定した結果を第２図に
示す。
Ａ系路にて系内金一旦０．００１ ｔｏｎまで排気し、
０．００１ ｔｏｎに達すると同時に、５１パルプを閉
じ、系内を排気系から隔絶させた。それと同時に２をそ
の表面が５００℃になるまで加熱した。５００℃に達し
てから約１０分間の系内圧力を測定した結果を第２図に
示す。
次に比較例として、第４図の構成装置を用い（第１図と
履歴をそろえる為に、反応炉をフレオン洗浄しである）
清掃工程のみをドライエツチング法に変更して、本実施
例と同様に１０サイクルくシ返した。その際の工、テン
グ条件を２表に示し、作製した１０本のドラムについて
の特性及び画像評価の結果を第３表に示した。さらに１
０サイクル後の系内圧力上昇の測定結果も第３図に示し
た。
履歴をそろえる為に、反応炉をフレオン洗浄しである）
清掃工程のみをドライエツチング法に変更して、本実施
例と同様に１０サイクルくシ返した。その際の工、テン
グ条件を２表に示し、作製した１０本のドラムについて
の特性及び画像評価の結果を第３表に示した。さらに１
０サイクル後の系内圧力上昇の測定結果も第３図に示し
た。
さらにピルドア、ｆ測定終了後１９のゲージポートを差
動排気型のマスアナライザーに接続し１５ Ｍ／ｓの質
量数にて残余ガスの分析を行ったところ下表の結果を得
た。
動排気型のマスアナライザーに接続し１５ Ｍ／ｓの質
量数にて残余ガスの分析を行ったところ下表の結果を得
た。
これらの実験結果より同条件で作成したにもかかわらず
、ドライエツチング処理の場合特性が不安定で再現性に
とぼしく、画像流れ、画像欠陥等も経時的に悪化する傾
向にあることがわかる。又ビルドアップレート及びマス
アナライザーでも反応槽内壁等に吸着している残がスが
多いことが分る。
、ドライエツチング処理の場合特性が不安定で再現性に
とぼしく、画像流れ、画像欠陥等も経時的に悪化する傾
向にあることがわかる。又ビルドアップレート及びマス
アナライザーでも反応槽内壁等に吸着している残がスが
多いことが分る。
従がって本発明では再現性よく均一な特性が得られ、画
像流れ、欠陥等も良好であることがわかる。
像流れ、欠陥等も良好であることがわかる。
第２表
以上説明したように反応槽内の反応残渣を効率よく除去
することが出来る為膜中への不純物が最少限に押えられ
る。従って再現性良く大面積にわたって均一な膜質を得
られる。さらに粉体捕集槽と粉体回収手段とを組み合せ
ることで従来と比較して、粉体処理工程を単時間で行う
ことができ、効率よい生産が可能となる。
することが出来る為膜中への不純物が最少限に押えられ
る。従って再現性良く大面積にわたって均一な膜質を得
られる。さらに粉体捕集槽と粉体回収手段とを組み合せ
ることで従来と比較して、粉体処理工程を単時間で行う
ことができ、効率よい生産が可能となる。
本発明の堆積膜形成装置によれば、堆積膜形成後の反応
槽容器内を円滑且つ高能率で洗浄することができ、従っ
て良質の堆積膜を繰返し効率良く製造することができる
。
槽容器内を円滑且つ高能率で洗浄することができ、従っ
て良質の堆積膜を繰返し効率良く製造することができる
。
第１図は、本発明装置の１構成例を示した模式第２図及
び第３図は、本発明装置（第２図）又は従来の装置（第
３図）を用いた場合の、系内の反応残渣量（気化させた
ときの内圧上昇１）を示した曲線図である。 第４図は従来の堆積膜形成装置の構成例を示した模式図
である。 ２・・・反応槽容器、５・・・基体受は台、６・・・導
電性基体、１３・・・排気管、１４・・・粉体トラップ
、１７・・・粉体回収手段、１８・・・排気手段。
び第３図は、本発明装置（第２図）又は従来の装置（第
３図）を用いた場合の、系内の反応残渣量（気化させた
ときの内圧上昇１）を示した曲線図である。 第４図は従来の堆積膜形成装置の構成例を示した模式図
である。 ２・・・反応槽容器、５・・・基体受は台、６・・・導
電性基体、１３・・・排気管、１４・・・粉体トラップ
、１７・・・粉体回収手段、１８・・・排気手段。
Claims (1)
- 気相法により堆積膜を形成するための反応槽容器と該容
器の排気系とを備える堆積膜形成装置において、前記排
気系の経路に前記反応槽容器内の反応残渣を捕集する捕
集槽が配置され、且つ該捕集槽内に捕集される反応残渣
を回収するための別の排気系が備えられていることを特
徴とする堆積膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60158325A JPS6220875A (ja) | 1985-07-19 | 1985-07-19 | 堆積膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60158325A JPS6220875A (ja) | 1985-07-19 | 1985-07-19 | 堆積膜形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6220875A true JPS6220875A (ja) | 1987-01-29 |
| JPH0121872B2 JPH0121872B2 (ja) | 1989-04-24 |
Family
ID=15669171
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60158325A Granted JPS6220875A (ja) | 1985-07-19 | 1985-07-19 | 堆積膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6220875A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63293166A (ja) * | 1987-05-26 | 1988-11-30 | Kyocera Corp | グロ−放電分解装置 |
| US5029554A (en) * | 1988-03-31 | 1991-07-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor manufacturing apparatus including a temperature control mechanism |
| JPH04157749A (ja) * | 1990-10-22 | 1992-05-29 | Tdk Corp | クリーン搬送方法及び装置 |
| JPH04162713A (ja) * | 1990-10-26 | 1992-06-08 | Fujitsu Ltd | 反応処理装置 |
| USRE36328E (en) * | 1988-03-31 | 1999-10-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor manufacturing apparatus including temperature control mechanism |
| JP2010163685A (ja) * | 2008-12-19 | 2010-07-29 | Canon Inc | 堆積膜形成装置、堆積膜形成方法および電子写真感光体の製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58181862A (ja) * | 1982-04-19 | 1983-10-24 | Nec Corp | 排ガス処理方法 |
| JPS5950165A (ja) * | 1982-09-16 | 1984-03-23 | Sony Corp | 減圧反応装置 |
| JPS5970761A (ja) * | 1982-10-18 | 1984-04-21 | Toshiba Corp | 膜形成装置 |
| JPS59118877A (ja) * | 1982-12-25 | 1984-07-09 | Fujitsu Ltd | プラズマｃｖｄ装置 |
-
1985
- 1985-07-19 JP JP60158325A patent/JPS6220875A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58181862A (ja) * | 1982-04-19 | 1983-10-24 | Nec Corp | 排ガス処理方法 |
| JPS5950165A (ja) * | 1982-09-16 | 1984-03-23 | Sony Corp | 減圧反応装置 |
| JPS5970761A (ja) * | 1982-10-18 | 1984-04-21 | Toshiba Corp | 膜形成装置 |
| JPS59118877A (ja) * | 1982-12-25 | 1984-07-09 | Fujitsu Ltd | プラズマｃｖｄ装置 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63293166A (ja) * | 1987-05-26 | 1988-11-30 | Kyocera Corp | グロ−放電分解装置 |
| US5029554A (en) * | 1988-03-31 | 1991-07-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor manufacturing apparatus including a temperature control mechanism |
| USRE36328E (en) * | 1988-03-31 | 1999-10-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor manufacturing apparatus including temperature control mechanism |
| JPH04157749A (ja) * | 1990-10-22 | 1992-05-29 | Tdk Corp | クリーン搬送方法及び装置 |
| JP2525284B2 (ja) * | 1990-10-22 | 1996-08-14 | ティーディーケイ株式会社 | クリ―ン搬送方法及び装置 |
| JPH04162713A (ja) * | 1990-10-26 | 1992-06-08 | Fujitsu Ltd | 反応処理装置 |
| JP2010163685A (ja) * | 2008-12-19 | 2010-07-29 | Canon Inc | 堆積膜形成装置、堆積膜形成方法および電子写真感光体の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0121872B2 (ja) | 1989-04-24 |
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|---|---|---|---|
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