JPS58181862A - 排ガス処理方法 - Google Patents
排ガス処理方法Info
- Publication number
- JPS58181862A JPS58181862A JP6491082A JP6491082A JPS58181862A JP S58181862 A JPS58181862 A JP S58181862A JP 6491082 A JP6491082 A JP 6491082A JP 6491082 A JP6491082 A JP 6491082A JP S58181862 A JPS58181862 A JP S58181862A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exhaust gas
- gas
- unreacted component
- reaction product
- exhausted
- Prior art date
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- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02C—CAPTURE, STORAGE, SEQUESTRATION OR DISPOSAL OF GREENHOUSE GASES [GHG]
- Y02C20/00—Capture or disposal of greenhouse gases
- Y02C20/30—Capture or disposal of greenhouse gases of perfluorocarbons [PFC], hydrofluorocarbons [HFC] or sulfur hexafluoride [SF6]
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- Waste-Gas Treatment And Other Accessory Devices For Furnaces (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、排気ガスの処理方法、特に気相成長装置から
排出された排気ガス中の未反応物及び反応生成物を除去
する方法に関するものである。
排出された排気ガス中の未反応物及び反応生成物を除去
する方法に関するものである。
従来気相成長装置から排出された排気カス中の未反応物
及び反応生成物を除去する方法として液体（ホ）中を通
す方法及び抵抗物（メッンユ）中を通す方法等が卸られ
ている。
及び反応生成物を除去する方法として液体（ホ）中を通
す方法及び抵抗物（メッンユ）中を通す方法等が卸られ
ている。
例えば、従来の液体（ホ）中を通す方法は第１図に示す
ように行なわれている。すなわち、第１図において、気
相成長装置ＩＩｔ１１から排出された排気カスを処理槽
１２のバッファ槽１２−ａ−で圧力を低下させた後、バ
ブル槽１２−ｂ、１２−ｃの液体（ホ）中を通し、冷却
させると同時に、液体（ホ）中に未反応物及び反応生成
物を溶解さゼでこれらを除去した後、排気ガスをさらに
不活性力ス（Ｎ２）で希釈させて各工場ごとに設置され
た排気ガス処理装置へ搬送さセでいた。
ように行なわれている。すなわち、第１図において、気
相成長装置ＩＩｔ１１から排出された排気カスを処理槽
１２のバッファ槽１２−ａ−で圧力を低下させた後、バ
ブル槽１２−ｂ、１２−ｃの液体（ホ）中を通し、冷却
させると同時に、液体（ホ）中に未反応物及び反応生成
物を溶解さゼでこれらを除去した後、排気ガスをさらに
不活性力ス（Ｎ２）で希釈させて各工場ごとに設置され
た排気ガス処理装置へ搬送さセでいた。
ところで、各工場ごとに設置された大型の排気ガス処理
装置を各気相成長装置ごとに設置することはできず、各
工場ごとにまとめて処理するため気相成長装置と大型の
排気ガス処理装置との間を長い配管を使用して接続する
のが通常である。
装置を各気相成長装置ごとに設置することはできず、各
工場ごとにまとめて処理するため気相成長装置と大型の
排気ガス処理装置との間を長い配管を使用して接続する
のが通常である。
しかし、気相成長装置から排出された排気ガスが長い配
管を通る場合、未反応物及び反応生成物が管壁に付着し
、配管の流路径が小さくなり配管抵抗が大きくなるため
に気相成長時の圧力が変動し、安定した気相成長膜が得
られなくなる。
管を通る場合、未反応物及び反応生成物が管壁に付着し
、配管の流路径が小さくなり配管抵抗が大きくなるため
に気相成長時の圧力が変動し、安定した気相成長膜が得
られなくなる。
又近年の気相成長に於いては、ＳｉＨ４、Ａｓ鴎、Ａｓ
（Ｊ３、Ｐ）（３等の原材料を使用するため、管壁に付
着した未反応物及び反応生成物は安全、２害上、非常に
問題となり、これら未反応物や反応生成物が壁面に付着
した配管の取扱いが非常に困難になる。
（Ｊ３、Ｐ）（３等の原材料を使用するため、管壁に付
着した未反応物及び反応生成物は安全、２害上、非常に
問題となり、これら未反応物や反応生成物が壁面に付着
した配管の取扱いが非常に困難になる。
そこで、排気ガスを集中処理する排気カス処理装置とは
別に、気相成長装置毎に排気力゛ス処理装置を取ｐ付け
、配管中に送り出す罰の排気ガス中から未反応物、反応
生成物を除去する必要がある。
別に、気相成長装置毎に排気力゛ス処理装置を取ｐ付け
、配管中に送り出す罰の排気ガス中から未反応物、反応
生成物を除去する必要がある。
ところが、第１図に示した処理方法では排気カス中の未
反応物、反応生成物を充分に除去することはできず、途
中の配管の他の部分に付着してしまうという欠点がある
。
反応物、反応生成物を充分に除去することはできず、途
中の配管の他の部分に付着してしまうという欠点がある
。
次に減圧型気相成長製蓋に於いては、第２図に示すよう
に気相成長装置２１からの排気ガスを排気トラップ−２
２に通した後、ロータリポンプ２５で排気する方法が用
いられている。＠記排気トラップ２２の構造としては、
第３図（ａ）Ｋ示すごとく排気ガスをコイル状の冷却管
２２ａの間を通してトラップする方法、第３図ｆｂＪに
示すごとく排気カスを網目状の細い線２２ｂが彊ジめぐ
らしである中を通してトラップする方法を用いている。
に気相成長装置２１からの排気ガスを排気トラップ−２
２に通した後、ロータリポンプ２５で排気する方法が用
いられている。＠記排気トラップ２２の構造としては、
第３図（ａ）Ｋ示すごとく排気ガスをコイル状の冷却管
２２ａの間を通してトラップする方法、第３図ｆｂＪに
示すごとく排気カスを網目状の細い線２２ｂが彊ジめぐ
らしである中を通してトラップする方法を用いている。
しかし、このような方法によるときでも、未反応物、反
応生成物が充分に除去されないため、ロータリポンプ２
６のオイル中に未反応物や反応生成物が含有されてしま
い、ロータリポンプ２３の劣化を速めたジ、又反応生成
物が含有されたオイルの処理が安全公害上非常に問題と
なる。
応生成物が充分に除去されないため、ロータリポンプ２
６のオイル中に未反応物や反応生成物が含有されてしま
い、ロータリポンプ２３の劣化を速めたジ、又反応生成
物が含有されたオイルの処理が安全公害上非常に問題と
なる。
本開明は上記欠点を解消するもので、未反応物、戊応生
５ｙ、吻を充分に除去する方法を提供するものτある。
５ｙ、吻を充分に除去する方法を提供するものτある。
すなわち、本発明は排気ガスをバッファ槽に流入させ圧
力を低下させた後、無数に設置された細部内へ排気カス
を通して未反応物及び反応生成物を該細部の壁面に付着
させて除去することを待機とするものである。
力を低下させた後、無数に設置された細部内へ排気カス
を通して未反応物及び反応生成物を該細部の壁面に付着
させて除去することを待機とするものである。
以下本発明の一実施例を図面によって説明する。
第４図のごとく本発明においては、気相成長装置４１よ
り排出された排気ガスを排カス処理装置４２のバッファ
槽４２−ａに流入さセて圧力を低下させた恢、ｇ５図に
示すように細部としてのステンレス製の細い配管４５．
４５・・・を複数本束ねた処理部４２−５を通過させる
。この場合、各自己管４３の外部は充分に冷却水で冷却
する。
り排出された排気ガスを排カス処理装置４２のバッファ
槽４２−ａに流入さセて圧力を低下させた恢、ｇ５図に
示すように細部としてのステンレス製の細い配管４５．
４５・・・を複数本束ねた処理部４２−５を通過させる
。この場合、各自己管４３の外部は充分に冷却水で冷却
する。
又、処理部４２−ｂを通過させる際に圧力が高くなるこ
とを防止するために第５図に示すように株数の配管４３
．４３・・・を平行に配置して処理部４２−ｂの流路面
積を広くすることにより排気ガスが通るときの抵抗を減
少させる。
とを防止するために第５図に示すように株数の配管４３
．４３・・・を平行に配置して処理部４２−ｂの流路面
積を広くすることにより排気ガスが通るときの抵抗を減
少させる。
上述した構造を有する細部としての細い配管４３゜４３
・・・内に排気ガスを通過させると、未反応物、反応生
成物が冷却され配管４５の壁面に付着して除去され、バ
ッファ槽４２−〇を経て排気される。
・・・内に排気ガスを通過させると、未反応物、反応生
成物が冷却され配管４５の壁面に付着して除去され、バ
ッファ槽４２−〇を経て排気される。
一段で充分除去されない場合は、二段もしくは三段使用
すれば、充分に除去される。又、籾数の配９４５．４５
・・・からなる処理部４２−ｂをカートリッジ式にする
ことにより交換、洗浄が容易に行うことができる。
すれば、充分に除去される。又、籾数の配９４５．４５
・・・からなる処理部４２−ｂをカートリッジ式にする
ことにより交換、洗浄が容易に行うことができる。
以上説明したように、本発明によれば、気相成長装置よ
り排気された排気ガス中の未反応物、反応生成物を充分
に除去することができ、かつ未反応物、反応生成物が付
着した処理部を容易に交換、洗浄することができ、安全
、公害上極めて有効である利点を有するものである。
り排気された排気ガス中の未反応物、反応生成物を充分
に除去することができ、かつ未反応物、反応生成物が付
着した処理部を容易に交換、洗浄することができ、安全
、公害上極めて有効である利点を有するものである。
第１図は従来の常圧型気相成長装置用の排ガス処理の説
明図、第２図は従来の減圧型気相成長装置用の排ガス処
理装置や説明図、第３図は第２図のトラップ部の構造図
、第４図は本発明の一実施例による常圧型気相成長装置
の排ガス処理装置の説明図、第５図は第４図の排ガス処
理装置の処理部の構造図である。 ４１・・気相成長装置 ４２・・排カス処理装置 ４２ａ、 ４２ｃ ・・バッファ槽 ４２ｂ・・処理部（細部） 特許出願人 日本電気株式会社
明図、第２図は従来の減圧型気相成長装置用の排ガス処
理装置や説明図、第３図は第２図のトラップ部の構造図
、第４図は本発明の一実施例による常圧型気相成長装置
の排ガス処理装置の説明図、第５図は第４図の排ガス処
理装置の処理部の構造図である。 ４１・・気相成長装置 ４２・・排カス処理装置 ４２ａ、 ４２ｃ ・・バッファ槽 ４２ｂ・・処理部（細部） 特許出願人 日本電気株式会社
Claims (1)
- （υ 気相成長装置の排気ガスを処！する方法において
、排気配管中の排気ガスをバッファ槽に流入させて圧力
を低下させた後に、少なくとも二つ以上の細部内へ通し
、未反応物及び反応生成物を該細部の壁面に付着させて
排気ガス中より除去することを％徴とする排ガス処理方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6491082A JPS58181862A (ja) | 1982-04-19 | 1982-04-19 | 排ガス処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6491082A JPS58181862A (ja) | 1982-04-19 | 1982-04-19 | 排ガス処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58181862A true JPS58181862A (ja) | 1983-10-24 |
Family
ID=13271671
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6491082A Pending JPS58181862A (ja) | 1982-04-19 | 1982-04-19 | 排ガス処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58181862A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60101544A (ja) * | 1983-11-09 | 1985-06-05 | Stanley Electric Co Ltd | プラズマｃｖｄ装置 |
| JPS6220875A (ja) * | 1985-07-19 | 1987-01-29 | Canon Inc | 堆積膜形成装置 |
| CN108531889A (zh) * | 2017-03-02 | 2018-09-14 | 东京毅力科创株式会社 | 气体供给装置、气体供给方法和成膜方法 |
-
1982
- 1982-04-19 JP JP6491082A patent/JPS58181862A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60101544A (ja) * | 1983-11-09 | 1985-06-05 | Stanley Electric Co Ltd | プラズマｃｖｄ装置 |
| JPH0352537B2 (ja) * | 1983-11-09 | 1991-08-12 | Stanley Electric Co Ltd | |
| JPS6220875A (ja) * | 1985-07-19 | 1987-01-29 | Canon Inc | 堆積膜形成装置 |
| JPH0121872B2 (ja) * | 1985-07-19 | 1989-04-24 | Canon Kk | |
| CN108531889A (zh) * | 2017-03-02 | 2018-09-14 | 东京毅力科创株式会社 | 气体供给装置、气体供给方法和成膜方法 |
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