JPH1129871A - 成膜装置用排気配管の洗浄装置 - Google Patents
成膜装置用排気配管の洗浄装置Info
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- JPH1129871A JPH1129871A JP18389697A JP18389697A JPH1129871A JP H1129871 A JPH1129871 A JP H1129871A JP 18389697 A JP18389697 A JP 18389697A JP 18389697 A JP18389697 A JP 18389697A JP H1129871 A JPH1129871 A JP H1129871A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】排気配管を取り外す前に事前に排気配管内のＳ
ｉ系の粉塵を取り除き、粉塵爆発や製品歩留まりの悪化
を回避することを課題とする。 【解決手段】真空チャンバー21内に原料ガスを導入し、
その原料ガスを用いて真空容器内の被対象物にＳｉ系の
生成物を付着させる装置に使用される排気配管を洗浄す
る洗浄装置において、真空チャンバー21に連結された真
空排気配管24と、この排気配管24内に設置された電極27
と、この電極27に接続された高周波電源30と、前記排気
配管24にフッ素系のガスを導入するガス導入配管22とを
具備することを特徴とする成膜装置用排気配管の洗浄装
置。
ｉ系の粉塵を取り除き、粉塵爆発や製品歩留まりの悪化
を回避することを課題とする。 【解決手段】真空チャンバー21内に原料ガスを導入し、
その原料ガスを用いて真空容器内の被対象物にＳｉ系の
生成物を付着させる装置に使用される排気配管を洗浄す
る洗浄装置において、真空チャンバー21に連結された真
空排気配管24と、この排気配管24内に設置された電極27
と、この電極27に接続された高周波電源30と、前記排気
配管24にフッ素系のガスを導入するガス導入配管22とを
具備することを特徴とする成膜装置用排気配管の洗浄装
置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は成膜装置用排気配管
の洗浄装置に関し、特にプラズマＣＶＤ（chemical vap
or deposition ）装置等で真空中でＳｉ系の生成物を形
成する装置の真空排気配管を洗浄する装置に関する。
の洗浄装置に関し、特にプラズマＣＶＤ（chemical vap
or deposition ）装置等で真空中でＳｉ系の生成物を形
成する装置の真空排気配管を洗浄する装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１は、従来のＳｉ系の生成物の装置構
成を示す。図中の付番１は、材料ガス導入管２が連結さ
れた真空チャンバである。この真空チャンバ１には真空
排気配管３を介してポンプ４が接続されている。このポ
ンプ４には、ポンプ後流排気配管５が接続されている。
従来、ポンプ４を交換する際には真空排気配管３，ポン
プ後流排気配管５を外し、これらを洗浄する場合は酸を
含んだ薬液につけて洗浄している。
成を示す。図中の付番１は、材料ガス導入管２が連結さ
れた真空チャンバである。この真空チャンバ１には真空
排気配管３を介してポンプ４が接続されている。このポ
ンプ４には、ポンプ後流排気配管５が接続されている。
従来、ポンプ４を交換する際には真空排気配管３，ポン
プ後流排気配管５を外し、これらを洗浄する場合は酸を
含んだ薬液につけて洗浄している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ように真空排気配管３及びポンプ後流排気配管５を外し
た後に洗浄を実施する方法では、配管を外した際に粉塵
が飛散する。この粉塵には２つの大きな問題点がある。
一つは、Ｓｉ系の粉塵には可燃性が残る場合があり、こ
のため粉塵爆発を起こす危険性が高いことである。二つ
には、Ｓｉ系生成物を生成する装置は通常クリーンルー
ムに設置されることが多く、このため粉塵が発生する
と、クリーンルーム内のクリーン度を悪化させ、クリー
ン工場内の製品の歩留まりを悪化させる要因となること
である。
ように真空排気配管３及びポンプ後流排気配管５を外し
た後に洗浄を実施する方法では、配管を外した際に粉塵
が飛散する。この粉塵には２つの大きな問題点がある。
一つは、Ｓｉ系の粉塵には可燃性が残る場合があり、こ
のため粉塵爆発を起こす危険性が高いことである。二つ
には、Ｓｉ系生成物を生成する装置は通常クリーンルー
ムに設置されることが多く、このため粉塵が発生する
と、クリーンルーム内のクリーン度を悪化させ、クリー
ン工場内の製品の歩留まりを悪化させる要因となること
である。
【０００４】本発明はこうした事情を考慮してなされた
もので、排気配管を取り外す前に事前に排気配管内のＳ
ｉ系の粉塵を取り除き、粉塵爆発や製品歩留まりの悪化
を回避し得る成膜装置用排気配管の洗浄装置を提供する
ことを目的とする。
もので、排気配管を取り外す前に事前に排気配管内のＳ
ｉ系の粉塵を取り除き、粉塵爆発や製品歩留まりの悪化
を回避し得る成膜装置用排気配管の洗浄装置を提供する
ことを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、真空容器内に
原料ガスを導入し、その原料ガスを用いて真空容器内の
被対象物にＳｉ系の生成物を付着させる装置に使用され
る排気配管を洗浄する洗浄装置において、真空容器に連
結された排気配管と、この排気配管内に設置された電極
と、この電極に接続された高周波電源と、前記排気配管
にフッ素系のガスを導入するガス導入手段とを具備する
ことを特徴とする成膜装置用排気配管の洗浄装置であ
る。
原料ガスを導入し、その原料ガスを用いて真空容器内の
被対象物にＳｉ系の生成物を付着させる装置に使用され
る排気配管を洗浄する洗浄装置において、真空容器に連
結された排気配管と、この排気配管内に設置された電極
と、この電極に接続された高周波電源と、前記排気配管
にフッ素系のガスを導入するガス導入手段とを具備する
ことを特徴とする成膜装置用排気配管の洗浄装置であ
る。
【０００６】本発明において、フッ素系ガス等のクリー
ンなガスを導入するクリーンガス導入部は、図２に示す
ように真空容器に接続するか、あるいは装置の構成上真
空容器に設置できない場合は図３のように排気配管に直
接接続することができる。
ンなガスを導入するクリーンガス導入部は、図２に示す
ように真空容器に接続するか、あるいは装置の構成上真
空容器に設置できない場合は図３のように排気配管に直
接接続することができる。
【０００７】本発明において、フッ素系ガス等のクリー
ンなガスは例えばポンプで排気配管を通して排気するこ
とができる。この際、ポンプは真空容器に連結された排
気配管に設けるのが一般的であるが、ポンプの真空容器
寄りの排気配管を第１の排気配管とし、ポンプの後流側
の排気配管を第２の排気配管（ポンプ後流排気配管）と
すると、第２の排気配管より第１の排気配管の方にＳｉ
生成物，粉塵が付き易い。従って、図３のように電極を
配置して第１の排気配管の粉塵を除去することが一般的
であるが、図４のように電極をポンプ後流排気配管内に
配置して粉塵を除去すると、粉塵の除去が一層効果的で
ある。
ンなガスは例えばポンプで排気配管を通して排気するこ
とができる。この際、ポンプは真空容器に連結された排
気配管に設けるのが一般的であるが、ポンプの真空容器
寄りの排気配管を第１の排気配管とし、ポンプの後流側
の排気配管を第２の排気配管（ポンプ後流排気配管）と
すると、第２の排気配管より第１の排気配管の方にＳｉ
生成物，粉塵が付き易い。従って、図３のように電極を
配置して第１の排気配管の粉塵を除去することが一般的
であるが、図４のように電極をポンプ後流排気配管内に
配置して粉塵を除去すると、粉塵の除去が一層効果的で
ある。
【０００８】［作用］本発明では、まず真空容器に連結
された排気配管に例えばポンプを用いてフッ素系ガスを
導入する。この時、高周波電源から電極高周波電力を供
給することにより、排気配管内のフッ素系ガスが高周波
によりプラズマ状態となり、フッ素ラジカルが生成され
る。このフッ素ラジカルはＳｉ系生成物と反応し、Ｓｉ
Ｆ4 がガスとして発生する。このように、フッ素ラジカ
ルとＳｉ系生成物との反応を利用することにより、排気
配管内に付着したＳｉ系付着物、粉塵を気化させ除去す
ることが可能となる。
された排気配管に例えばポンプを用いてフッ素系ガスを
導入する。この時、高周波電源から電極高周波電力を供
給することにより、排気配管内のフッ素系ガスが高周波
によりプラズマ状態となり、フッ素ラジカルが生成され
る。このフッ素ラジカルはＳｉ系生成物と反応し、Ｓｉ
Ｆ4 がガスとして発生する。このように、フッ素ラジカ
ルとＳｉ系生成物との反応を利用することにより、排気
配管内に付着したＳｉ系付着物、粉塵を気化させ除去す
ることが可能となる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る成膜装置用排
気配管の洗浄装置について図面を参照して説明する。 （実施例１）図２を参照する。図中の付番21は真空チャ
ンバーである。この真空チャンバー21には、該チャンバ
ー21内にフッ素系ガスを導入するクリーンガス導入管2
2、チャンバー21内に材料ガスを導入する材料ガス導入
管23が各々連結されている。前記真空チャンバー21には
取り外し可能な真空排気配管24を介してポンプ25が接続
され、このポンプ25には更に取り外し可能なポンプ後流
排気配管26が接続されている。前記真空排気配管24内に
は、図５（Ａ）に示すような金属製の電極27が設置され
ている。また、前記真空排気配管24には電力導入端子28
が接続されている。前記電極27には、電力導入端子28、
電力導入ケーブル29を介して高周波電源30が接続されて
いる。
気配管の洗浄装置について図面を参照して説明する。 （実施例１）図２を参照する。図中の付番21は真空チャ
ンバーである。この真空チャンバー21には、該チャンバ
ー21内にフッ素系ガスを導入するクリーンガス導入管2
2、チャンバー21内に材料ガスを導入する材料ガス導入
管23が各々連結されている。前記真空チャンバー21には
取り外し可能な真空排気配管24を介してポンプ25が接続
され、このポンプ25には更に取り外し可能なポンプ後流
排気配管26が接続されている。前記真空排気配管24内に
は、図５（Ａ）に示すような金属製の電極27が設置され
ている。また、前記真空排気配管24には電力導入端子28
が接続されている。前記電極27には、電力導入端子28、
電力導入ケーブル29を介して高周波電源30が接続されて
いる。
【００１０】こうした構成の洗浄装置の作用は次の通り
である。まず、クリーンガス導入管22よりフッ素系ガス
を真空チャンバー21内に導入し、前記ポンプ25を起動さ
せて前記フッ素系ガスを真空排気配管24を通してポンプ
25で排気し、ポンプ後流排気配管26を通して更に外部へ
排気させる。この時、高周波電源30より高周波電力を起
こす。これにより、電極27に高周波電力が供給され、電
極27周辺に流れるフッ素系ガスが高周波によりプラズマ
状態となり、フッ素ラジカルが生成される。このフッ素
ラジカルとＳｉ系生成物が反応してＳｉＦ4 がガスとし
て発生し、このガスはポンプ25によりポンプ後流排気配
管26を通して外部へ排気し、真空排気配管24内のＳｉ生
成物、粉塵が除去される。
である。まず、クリーンガス導入管22よりフッ素系ガス
を真空チャンバー21内に導入し、前記ポンプ25を起動さ
せて前記フッ素系ガスを真空排気配管24を通してポンプ
25で排気し、ポンプ後流排気配管26を通して更に外部へ
排気させる。この時、高周波電源30より高周波電力を起
こす。これにより、電極27に高周波電力が供給され、電
極27周辺に流れるフッ素系ガスが高周波によりプラズマ
状態となり、フッ素ラジカルが生成される。このフッ素
ラジカルとＳｉ系生成物が反応してＳｉＦ4 がガスとし
て発生し、このガスはポンプ25によりポンプ後流排気配
管26を通して外部へ排気し、真空排気配管24内のＳｉ生
成物、粉塵が除去される。
【００１１】このように、上記実施例１に係る成膜装置
用排気配管の洗浄装置によれば、真空チャンバー21とポ
ンプ25を連結する取り外し可能な真空排気配管24内に電
極27を設け、この電極27に高周波電源30により高周波電
力を供給する構成となっているため、電極27周辺に流れ
るフッ素系ガスが高周波によりプラズマ状態とし、フッ
素ラジカルが生成される。従って、このフッ素ラジカル
とＳｉ生成物が反応してＳｉＦ4 がガスとして発生し、
このガスをポンプ25によりポンプ後流排気配管26を通し
て外部へ排気できるため、真空排気配管24を外す前に真
空排気配管24内のＳｉ生成物、粉塵を除去できる。
用排気配管の洗浄装置によれば、真空チャンバー21とポ
ンプ25を連結する取り外し可能な真空排気配管24内に電
極27を設け、この電極27に高周波電源30により高周波電
力を供給する構成となっているため、電極27周辺に流れ
るフッ素系ガスが高周波によりプラズマ状態とし、フッ
素ラジカルが生成される。従って、このフッ素ラジカル
とＳｉ生成物が反応してＳｉＦ4 がガスとして発生し、
このガスをポンプ25によりポンプ後流排気配管26を通し
て外部へ排気できるため、真空排気配管24を外す前に真
空排気配管24内のＳｉ生成物、粉塵を除去できる。
【００１２】（実施例２）図３を参照する。但し、図２
と同部材は同符号を付して説明を省略する。本実施例２
は、フッ素系ガスを導入するクリーンガス導入管32を真
空排気配管24に直接連結したことを特徴とする。こうし
た構成とするのは、装置の構成上、真空チャンバー21に
クリーンガス導入管を設置できない場合に有効である。
実施例２によれば、実施例１と同様な効果が得られる。
なお、電極27周辺にフッ素系のクリーンガスを流せるな
らば、グリーンガス導入管は図３の配置状態に限らな
い。
と同部材は同符号を付して説明を省略する。本実施例２
は、フッ素系ガスを導入するクリーンガス導入管32を真
空排気配管24に直接連結したことを特徴とする。こうし
た構成とするのは、装置の構成上、真空チャンバー21に
クリーンガス導入管を設置できない場合に有効である。
実施例２によれば、実施例１と同様な効果が得られる。
なお、電極27周辺にフッ素系のクリーンガスを流せるな
らば、グリーンガス導入管は図３の配置状態に限らな
い。
【００１３】（実施例３）図４を参照する。但し、図２
と同部材は同符号を付して説明を省略する。図中の付番
47は、ポンプ後流排気配管26内に配置された電極であ
る。前記ポンプ後流排気配管26には電力導入端子48が接
続されている。前記電極47には、電力導入端子28、電力
導入ケーブル29を介して高周波電源30が接続されてい
る。この高周波電源30より前記電極47に高周波電力を供
給し、ポンプ後流排気配管26内部にプラズマを発生させ
る。
と同部材は同符号を付して説明を省略する。図中の付番
47は、ポンプ後流排気配管26内に配置された電極であ
る。前記ポンプ後流排気配管26には電力導入端子48が接
続されている。前記電極47には、電力導入端子28、電力
導入ケーブル29を介して高周波電源30が接続されてい
る。この高周波電源30より前記電極47に高周波電力を供
給し、ポンプ後流排気配管26内部にプラズマを発生させ
る。
【００１４】このように、配管内部を配管を取り外すこ
となく洗浄したい場合は、洗浄したい箇所の配管内部に
電極を配置させ、必要に応じてクリーンガス（フッ素系
ガス）を流して、高周波電力を供給してやれば、配管内
部の洗浄が可能となる。
となく洗浄したい場合は、洗浄したい箇所の配管内部に
電極を配置させ、必要に応じてクリーンガス（フッ素系
ガス）を流して、高周波電力を供給してやれば、配管内
部の洗浄が可能となる。
【００１５】なお、上記実施例では、排気配管に図５
（Ａ）に示すような電極を配置する場合について述べた
が、かかる電極は径が小さい排気配管に設置する場合で
あり、径が大きい排気配管に設置する場合は、例えば図
５（Ｂ）に示すような構成の電極を用いてもよい。勿
論、電極形状は図５に示すものに限定されない。但し、
電極は排気配管内でガス流れを大幅に抑制せず、配管と
電気的に絶縁された金属製のものならばどのようなもの
でもよいが、フッ素ラジカルへの耐腐食性を考慮して電
極の寿命の長期化を図るならば、アルミ又はニッケル合
金が材質として適している。しかし、どのような金属又
は金属表面処理した材質でもよい。
（Ａ）に示すような電極を配置する場合について述べた
が、かかる電極は径が小さい排気配管に設置する場合で
あり、径が大きい排気配管に設置する場合は、例えば図
５（Ｂ）に示すような構成の電極を用いてもよい。勿
論、電極形状は図５に示すものに限定されない。但し、
電極は排気配管内でガス流れを大幅に抑制せず、配管と
電気的に絶縁された金属製のものならばどのようなもの
でもよいが、フッ素ラジカルへの耐腐食性を考慮して電
極の寿命の長期化を図るならば、アルミ又はニッケル合
金が材質として適している。しかし、どのような金属又
は金属表面処理した材質でもよい。
【００１６】
【発明の効果】以上詳述したように本発明に係る成膜装
置用排気配管の洗浄装置によれば、排気配管内に電極を
配置し、この電極に高周波電力を供給する構成とするこ
とにより、排気配管内にフッ素プラズマを発生させてフ
ッ素ラジカルを生成し、このフッ素ラジカルと排気配管
内壁に付着したＳｉ生成物，粉塵と反応させてＳｉＦ4
とし、このＳｉＦ4 を排気配管を取り外すことなく、排
気配管外へ排出することができる。従って、排気配管を
取り外した際の粉塵の飛散を防止するとともに、粉塵爆
発の危険を抑制できる。また、クリーンルーム内にある
排気配管の場合は、クリーンルーム内への粉塵の飛散を
防止し、クリーンルーム内を清浄に保つことができる。
置用排気配管の洗浄装置によれば、排気配管内に電極を
配置し、この電極に高周波電力を供給する構成とするこ
とにより、排気配管内にフッ素プラズマを発生させてフ
ッ素ラジカルを生成し、このフッ素ラジカルと排気配管
内壁に付着したＳｉ生成物，粉塵と反応させてＳｉＦ4
とし、このＳｉＦ4 を排気配管を取り外すことなく、排
気配管外へ排出することができる。従って、排気配管を
取り外した際の粉塵の飛散を防止するとともに、粉塵爆
発の危険を抑制できる。また、クリーンルーム内にある
排気配管の場合は、クリーンルーム内への粉塵の飛散を
防止し、クリーンルーム内を清浄に保つことができる。
【図１】従来のＳｉ系の生成物の装置構成の説明図。
【図２】本発明の実施例１に係る成膜装置用排気配管の
洗浄装置。
洗浄装置。
【図３】本発明の実施例２に係る成膜装置用排気配管の
洗浄装置。
洗浄装置。
【図４】本発明の実施例３に係る成膜装置用排気配管の
洗浄装置。
洗浄装置。
【図５】本発明の洗浄装置に使用される電極の説明図
で、図１（Ａ）は径が小さい排気配管に設置する場合の
電極の斜視図、図１（Ｂ）は径が大きい排気配管に設置
する場合の電極の斜視図。
で、図１（Ａ）は径が小さい排気配管に設置する場合の
電極の斜視図、図１（Ｂ）は径が大きい排気配管に設置
する場合の電極の斜視図。
21…真空チャンバー、 22，32…クリーンガス導入管、 23…材料ガス導入部、 24…真空排気配管、 25…ポンプ、 26…ポンプ後流排気配管、 27，47…電極、 28，48…電力導入端子、 29…電力導入ケーブル、 30…高周波電源。
Claims (1)
- 【請求項１】 真空容器内に原料ガスを導入し、その原
料ガスを用いて真空容器内の被対象物にＳｉ系の生成物
を付着させる装置に使用される排気配管を洗浄する洗浄
装置において、 真空容器に連結された排気配管と、この排気配管内に設
置された電極と、この電極に接続された高周波電源と、
前記排気配管にフッ素系のガスを導入するガス導入手段
とを具備することを特徴とする成膜装置用排気配管の洗
浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18389697A JPH1129871A (ja) | 1997-07-09 | 1997-07-09 | 成膜装置用排気配管の洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18389697A JPH1129871A (ja) | 1997-07-09 | 1997-07-09 | 成膜装置用排気配管の洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1129871A true JPH1129871A (ja) | 1999-02-02 |
Family
ID=16143716
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18389697A Pending JPH1129871A (ja) | 1997-07-09 | 1997-07-09 | 成膜装置用排気配管の洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1129871A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11872524B2 (en) | 2020-08-27 | 2024-01-16 | Kioxia Corporation | Exhaust pipe device |
-
1997
- 1997-07-09 JP JP18389697A patent/JPH1129871A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11872524B2 (en) | 2020-08-27 | 2024-01-16 | Kioxia Corporation | Exhaust pipe device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20040630 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040727 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20041124 |