JPH06204181A - プラズマエッチング用電極板 - Google Patents
プラズマエッチング用電極板Info
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- JPH06204181A JPH06204181A JP4361434A JP36143492A JPH06204181A JP H06204181 A JPH06204181 A JP H06204181A JP 4361434 A JP4361434 A JP 4361434A JP 36143492 A JP36143492 A JP 36143492A JP H06204181 A JPH06204181 A JP H06204181A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 プラズマエッチングのエッチング均一性を改
善する。 【構成】 プラズマエッチング装置の容器の内壁上面に
固定された上部電極部材に取り付けて使用する電極板2
0に、中心から所定範囲の円形領域内に一定の分布密度
で反応ガス流通用の小孔hを設ける。円形領域内の中心
から所定範囲の小円形領域A1内の小孔hの直径をその
外側の環状領域A2の小孔hの直径より小さくする。こ
れにより、電極板全面から流出する反応ガスの密度が均
一にされ、プラズマエッチングの均一性が改善される。
また、各小孔hの開口の周縁部eに面取り加工を施し
て、周縁部を曲面形状にする。これにより、放電時にお
いて、開口の周縁部に電界集中が生じなく、電極板の磨
耗が少なくなり、基板上へのゴミの落下が抑えられてエ
ッチングの信頼性が高められる。
善する。 【構成】 プラズマエッチング装置の容器の内壁上面に
固定された上部電極部材に取り付けて使用する電極板2
0に、中心から所定範囲の円形領域内に一定の分布密度
で反応ガス流通用の小孔hを設ける。円形領域内の中心
から所定範囲の小円形領域A1内の小孔hの直径をその
外側の環状領域A2の小孔hの直径より小さくする。こ
れにより、電極板全面から流出する反応ガスの密度が均
一にされ、プラズマエッチングの均一性が改善される。
また、各小孔hの開口の周縁部eに面取り加工を施し
て、周縁部を曲面形状にする。これにより、放電時にお
いて、開口の周縁部に電界集中が生じなく、電極板の磨
耗が少なくなり、基板上へのゴミの落下が抑えられてエ
ッチングの信頼性が高められる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマエッチング用
電極板に係り、特に半導体基板のエッチング特性を改良
するプラズマエッチング用電極板に関する。
電極板に係り、特に半導体基板のエッチング特性を改良
するプラズマエッチング用電極板に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、この種のプラズマエッチング用電
極板は、図6に示すように、円板形状の電極板1の中心
から所定の範囲の円形領域2内に一定の分布密度でかつ
同一径の多数の小孔hを設けていた。また、電極板に設
けられた小孔hの開口の周縁部は、なんらの加工も施さ
れておらず、鋭角なエッジであった。
極板は、図6に示すように、円板形状の電極板1の中心
から所定の範囲の円形領域2内に一定の分布密度でかつ
同一径の多数の小孔hを設けていた。また、電極板に設
けられた小孔hの開口の周縁部は、なんらの加工も施さ
れておらず、鋭角なエッジであった。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のように
電極板1の所定の範囲の円形領域2内に一定の分布密度
でかつ同一径の小孔3を設けた場合、反応ガスは電極板
の中央上部から供給されるため、電極板からチャンバ内
への反応ガスの流れは電極板の中央部分に密になるた
め、下部電極及び上部電極板間に高周波電力を加えたと
き電極板中央部に比べて電極板外周部のプラズマ密度が
低くなる。この状態で、半導体基板の反応エッチングを
行うと、プラズマ密度の低い電極板外周部に加わる直流
バイアスが電極板中央部に比べて高くなるため、電極板
外周部のエッチング速度が速くなり、エッチングの均一
性が悪くなるという問題がある。なお、ここでエッチン
グの均一性とは、半導体基板内に形成される半導体チッ
プの総数に対するエッチング不良数の割合をいうものと
する。
電極板1の所定の範囲の円形領域2内に一定の分布密度
でかつ同一径の小孔3を設けた場合、反応ガスは電極板
の中央上部から供給されるため、電極板からチャンバ内
への反応ガスの流れは電極板の中央部分に密になるた
め、下部電極及び上部電極板間に高周波電力を加えたと
き電極板中央部に比べて電極板外周部のプラズマ密度が
低くなる。この状態で、半導体基板の反応エッチングを
行うと、プラズマ密度の低い電極板外周部に加わる直流
バイアスが電極板中央部に比べて高くなるため、電極板
外周部のエッチング速度が速くなり、エッチングの均一
性が悪くなるという問題がある。なお、ここでエッチン
グの均一性とは、半導体基板内に形成される半導体チッ
プの総数に対するエッチング不良数の割合をいうものと
する。
【0004】かかる問題に対し、例えば特開平2ー19
8138号公報に示されているように、電極板の外周部
に向かうに従って小孔の配置の分布密度を増加させる
か、又は電極板の外周部に向かうに従って小孔の配置の
分布密度を減少させると共に孔径を大きくさせるかし
て、電極板の外周部からの反応ガスの供給量を多くする
ことにより、電極板間に形成されるプラズマ密度を均一
にして、エッチングの均一性を高めるようにしたものが
ある。しかし、この電極板を採用しても、エッチングの
均一性を5パーセント以下にすることは困難であり、さ
らにエッチングの均一性を高めることが望まれている。
特に、半導体集積回路等の半導体装置の微細化の傾向が
著しく、エッチングの均一性は、半導体装置の製造歩留
りを高める上で非常に重要になっている。
8138号公報に示されているように、電極板の外周部
に向かうに従って小孔の配置の分布密度を増加させる
か、又は電極板の外周部に向かうに従って小孔の配置の
分布密度を減少させると共に孔径を大きくさせるかし
て、電極板の外周部からの反応ガスの供給量を多くする
ことにより、電極板間に形成されるプラズマ密度を均一
にして、エッチングの均一性を高めるようにしたものが
ある。しかし、この電極板を採用しても、エッチングの
均一性を5パーセント以下にすることは困難であり、さ
らにエッチングの均一性を高めることが望まれている。
特に、半導体集積回路等の半導体装置の微細化の傾向が
著しく、エッチングの均一性は、半導体装置の製造歩留
りを高める上で非常に重要になっている。
【0005】また、これら電極板の小孔の開口周縁部
が、鋭角なエッジを有しているため、放電がエッジ部分
に集中し易く、エッジ部分における電極板の磨耗が著し
く、電極板材料の粉末が半導体基板上に落下して、エッ
チング歩留りを低下させるという問題がある。本発明
は、上記した問題を解決しようとするもので、ドライエ
ッチングの均一性を高めると共に小孔の開口周縁部の磨
耗の少ない電極板を提供することを目的とする。
が、鋭角なエッジを有しているため、放電がエッジ部分
に集中し易く、エッジ部分における電極板の磨耗が著し
く、電極板材料の粉末が半導体基板上に落下して、エッ
チング歩留りを低下させるという問題がある。本発明
は、上記した問題を解決しようとするもので、ドライエ
ッチングの均一性を高めると共に小孔の開口周縁部の磨
耗の少ない電極板を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、上記請求項1に係る発明の構成上の特徴は、プラズ
マエッチング装置のチャンバ内の下部に取り付けられた
基板を載置する下部電極板と対向して同チャンバ内の上
部に取りつけられ、外部の反応ガス供給源から供給管を
介して供給される反応ガスを通過させてチャンバ内に導
く多数の小孔を備えた円板形状のプラズマエッチング用
電極板において、小孔をプラズマエッチング用電極板の
中心から所定範囲の円形領域内に一定の分布密度で設け
ると共に、同円形領域内の中心から所定範囲の小円形領
域に設ける小孔の直径を、同小円形領域の外側の環状領
域に設ける小孔の直径より小さくしたことにある。
に、上記請求項1に係る発明の構成上の特徴は、プラズ
マエッチング装置のチャンバ内の下部に取り付けられた
基板を載置する下部電極板と対向して同チャンバ内の上
部に取りつけられ、外部の反応ガス供給源から供給管を
介して供給される反応ガスを通過させてチャンバ内に導
く多数の小孔を備えた円板形状のプラズマエッチング用
電極板において、小孔をプラズマエッチング用電極板の
中心から所定範囲の円形領域内に一定の分布密度で設け
ると共に、同円形領域内の中心から所定範囲の小円形領
域に設ける小孔の直径を、同小円形領域の外側の環状領
域に設ける小孔の直径より小さくしたことにある。
【0007】また、上記請求項2に係る発明の構成上の
特徴は、プラズマエッチング装置のチャンバ内の下部に
取り付けられた基板を載置する下部電極と対向して同チ
ャンバ内の上部に取りつけられ、外部の反応ガス供給源
から供給管を介して供給される反応ガスを通過させてチ
ャンバ内に導く多数の小孔を備えた円板形状のプラズマ
エッチング用電極板において、小孔の開口の周縁部に面
取り加工を施したことにある。
特徴は、プラズマエッチング装置のチャンバ内の下部に
取り付けられた基板を載置する下部電極と対向して同チ
ャンバ内の上部に取りつけられ、外部の反応ガス供給源
から供給管を介して供給される反応ガスを通過させてチ
ャンバ内に導く多数の小孔を備えた円板形状のプラズマ
エッチング用電極板において、小孔の開口の周縁部に面
取り加工を施したことにある。
【0008】
【発明の作用・効果】上記のように構成した請求項1に
係る発明においては、まず、小孔をプラズマエッチング
用電極板の中心から所定範囲の円形領域内に一定の分布
密度で設けることにより、電極板からの反応ガスの流出
位置を均一にさせる。さらに、円形領域内の中心から所
定範囲の小円形領域に設ける小孔の直径を、同小円形領
域の外側の環状領域に設ける小孔の直径より小さくした
ことにより、電極板中央の小円形領域における反応ガス
の流量を円形領周縁側の環状領域における反応ガスの流
量より少なくさせる。これにより、両領域間の反応ガス
の乱れを抑制しつつ電極板中央の反応ガスの密度を小さ
くして電極板周縁側の反応ガスの密度と均一にすること
ができた。その結果、電極板中央と周縁側において形成
されるプラズマ密度を均一にすることができ、基板のエ
ッチングの均一性を高めることができた。
係る発明においては、まず、小孔をプラズマエッチング
用電極板の中心から所定範囲の円形領域内に一定の分布
密度で設けることにより、電極板からの反応ガスの流出
位置を均一にさせる。さらに、円形領域内の中心から所
定範囲の小円形領域に設ける小孔の直径を、同小円形領
域の外側の環状領域に設ける小孔の直径より小さくした
ことにより、電極板中央の小円形領域における反応ガス
の流量を円形領周縁側の環状領域における反応ガスの流
量より少なくさせる。これにより、両領域間の反応ガス
の乱れを抑制しつつ電極板中央の反応ガスの密度を小さ
くして電極板周縁側の反応ガスの密度と均一にすること
ができた。その結果、電極板中央と周縁側において形成
されるプラズマ密度を均一にすることができ、基板のエ
ッチングの均一性を高めることができた。
【0009】また、上記のように構成した請求項2に係
る発明においては、小孔の開口の周縁部に面取り加工を
施し、周縁部を滑らかにしたことにより、放電がエッジ
部分に集中することがなくなり、開口の周縁部における
電極板の磨耗が著しく減少し、基板上への電極板材料の
粉末の落下が抑えられた。その結果、粉末の落下による
不良が減少し、基板のエッチング歩留りを向上させるこ
とができた。
る発明においては、小孔の開口の周縁部に面取り加工を
施し、周縁部を滑らかにしたことにより、放電がエッジ
部分に集中することがなくなり、開口の周縁部における
電極板の磨耗が著しく減少し、基板上への電極板材料の
粉末の落下が抑えられた。その結果、粉末の落下による
不良が減少し、基板のエッチング歩留りを向上させるこ
とができた。
【0010】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面により説明す
る。図1は、本発明を適用したプラズマエッチング装置
を正面断面図により概略的に示したものである。このプ
ラズマエッチング装置は、円筒形状の金属製のチャンバ
10を備えており、チャンバ10は円板形状の台11と
その上に載置された円筒形の容器12とを設けている。
チャンバ10内は、エッチング反応を行う反応室Rとし
て構成されており、容器12を上方に移動させることに
より反応室Rは開放されるようになっている。台11
は、中央に設けた穴に絶縁物製の電極支持台13を取り
付けている。電極支持台13の中央部には、シリコン半
導体基板14aを載置する下部電極部材14が埋め込ま
れている。下部電極部材14の下側には、電極支持台1
3を貫通して下部電極棒13aが下部電極部材14に一
体的に取り付けられている。下部電極棒13a内には下
部電極部材14の内部空間に連通する冷却水循環経路
(図示しない)が設けられている。そして、下部電極棒
13aにはマッチング用コンデンサを介して高周波電源
15が接続されている。また、台11は接地されてい
る。
る。図1は、本発明を適用したプラズマエッチング装置
を正面断面図により概略的に示したものである。このプ
ラズマエッチング装置は、円筒形状の金属製のチャンバ
10を備えており、チャンバ10は円板形状の台11と
その上に載置された円筒形の容器12とを設けている。
チャンバ10内は、エッチング反応を行う反応室Rとし
て構成されており、容器12を上方に移動させることに
より反応室Rは開放されるようになっている。台11
は、中央に設けた穴に絶縁物製の電極支持台13を取り
付けている。電極支持台13の中央部には、シリコン半
導体基板14aを載置する下部電極部材14が埋め込ま
れている。下部電極部材14の下側には、電極支持台1
3を貫通して下部電極棒13aが下部電極部材14に一
体的に取り付けられている。下部電極棒13a内には下
部電極部材14の内部空間に連通する冷却水循環経路
(図示しない)が設けられている。そして、下部電極棒
13aにはマッチング用コンデンサを介して高周波電源
15が接続されている。また、台11は接地されてい
る。
【0011】容器12の内壁上面には、円筒形の上部電
極部材16が取り付けられている。上部電極部材16の
底面には、反応ガス流通用の凹部16aが設けられてお
り、この凹部16aを被覆するようにして上部電極部材
16の底面に、図1に示すように、円板状の電極板20
がボルト止めされている。上部電極部材16の上側に
は、容器12を貫通して上部電極棒17が上部電極部材
16に一体的に取り付けられている。上部電極棒17内
には上部電極部材16の凹部16aに連なり、供給管1
7aを介してガス供給源から反応ガスを凹部16a内に
供給する供給路(図示しない)が設けられている。ま
た、上部電極棒17内には下部電極部材14の内部空間
に連通する冷却水循環経路(図示しない)が設けられて
いる。さらに、容器12の側壁面には、反応ガスの排出
口12aが設けられている。
極部材16が取り付けられている。上部電極部材16の
底面には、反応ガス流通用の凹部16aが設けられてお
り、この凹部16aを被覆するようにして上部電極部材
16の底面に、図1に示すように、円板状の電極板20
がボルト止めされている。上部電極部材16の上側に
は、容器12を貫通して上部電極棒17が上部電極部材
16に一体的に取り付けられている。上部電極棒17内
には上部電極部材16の凹部16aに連なり、供給管1
7aを介してガス供給源から反応ガスを凹部16a内に
供給する供給路(図示しない)が設けられている。ま
た、上部電極棒17内には下部電極部材14の内部空間
に連通する冷却水循環経路(図示しない)が設けられて
いる。さらに、容器12の側壁面には、反応ガスの排出
口12aが設けられている。
【0012】電極板20は、円板状の高純度黒鉛基材の
表面に熱分解炭素被膜のコーティングされたもので、図
2に示すように、直径約200mmφの円板である。こ
の電極板20は、中心から150φの範囲内に一定のピ
ッチで小孔hが設けられており、この内中心から102
mmφの部分A1には直径0.62φの小孔hが821
個設けられており、残りの環状部分A2には直径0.8
5φの小孔hが912個設けられている。また、上記各
小孔hは、図5に示すように、開口の端部eが0.2m
m程度の範囲で面取り加工が施され、曲面状にされてい
る。
表面に熱分解炭素被膜のコーティングされたもので、図
2に示すように、直径約200mmφの円板である。こ
の電極板20は、中心から150φの範囲内に一定のピ
ッチで小孔hが設けられており、この内中心から102
mmφの部分A1には直径0.62φの小孔hが821
個設けられており、残りの環状部分A2には直径0.8
5φの小孔hが912個設けられている。また、上記各
小孔hは、図5に示すように、開口の端部eが0.2m
m程度の範囲で面取り加工が施され、曲面状にされてい
る。
【0013】なお、本実施例においては、電極板の効果
を調べるため、従来の電極板と、小孔の直径及び配列の
ピッチを変えた比較例1,2に係る電極板を用意した。
即ち、従来の電極板1は、図6に示すように、上記と同
様の素材の直径約200mmφの円板であり、電極板1
の中心から150φの範囲2内に3.0mmピッチで直
径0.85φの小孔hが1733個設けられている。ま
た、比較例1の電極板30は、図3に示すように、上記
と同様の素材の直径約200mmφの電極板30の中心
から102φの範囲B1内に6.0mmピッチで、10
2φから150φの範囲B2内に3.0mmピッチで
0.85mmφの小孔hが1109個設けられている。
また、比較例2の電極板40は、図4に示すように、上
記と同様の素材の直径約200mmφの電極板40の中
心から150φの範囲内に3.0mmピッチで小孔hが
設けられており、その中心から68mmφの部分C1に
は直径0.4φの小孔hが365個設けられており、6
8mmφ〜102mmφの環状部分C2には直径0.6
2φの小孔hが448個設けられており、残りの環状部
分C3には直径0.85φの小孔hが854個設けられ
ている。
を調べるため、従来の電極板と、小孔の直径及び配列の
ピッチを変えた比較例1,2に係る電極板を用意した。
即ち、従来の電極板1は、図6に示すように、上記と同
様の素材の直径約200mmφの円板であり、電極板1
の中心から150φの範囲2内に3.0mmピッチで直
径0.85φの小孔hが1733個設けられている。ま
た、比較例1の電極板30は、図3に示すように、上記
と同様の素材の直径約200mmφの電極板30の中心
から102φの範囲B1内に6.0mmピッチで、10
2φから150φの範囲B2内に3.0mmピッチで
0.85mmφの小孔hが1109個設けられている。
また、比較例2の電極板40は、図4に示すように、上
記と同様の素材の直径約200mmφの電極板40の中
心から150φの範囲内に3.0mmピッチで小孔hが
設けられており、その中心から68mmφの部分C1に
は直径0.4φの小孔hが365個設けられており、6
8mmφ〜102mmφの環状部分C2には直径0.6
2φの小孔hが448個設けられており、残りの環状部
分C3には直径0.85φの小孔hが854個設けられ
ている。
【0014】次に、上記のように構成したプラズマエッ
チング装置の動作を説明する。酸化膜の形成されたシリ
コン半導体基板14aを下部電極部材14上に載置し、
上部電極部材16に電極板20を取り付けて、台11上
に容器12を固定した後、真空装置(図示しない)によ
り反応室R内を高真空状態にすると共にシリコン半導体
基板14a及び上下両電極部材16,14の温度上昇を
防ぐために冷却水が各部に導入される。その後、ガス供
給源から、所定量の反応ガスCF4 が上部電極棒17の
供給路を通して電極板20の小孔hから反応室R内に供
給される。そして、高周波電源15を通電させ、上部電
極部材16及び下部電極部材14間に高周波電圧を加え
ることにより、両電極部材間にグロー放電を起こさせ
る。この放電により反応ガスCF4 が電離して、電子,
イオン,ラジカル等の生成物の混在するプラズマ状態が
形成される。これらイオン,ラジカル等がシリコン半導
体基板14aに引き寄せられ、基板表面の酸化膜と反応
してエッチングが開始される。
チング装置の動作を説明する。酸化膜の形成されたシリ
コン半導体基板14aを下部電極部材14上に載置し、
上部電極部材16に電極板20を取り付けて、台11上
に容器12を固定した後、真空装置(図示しない)によ
り反応室R内を高真空状態にすると共にシリコン半導体
基板14a及び上下両電極部材16,14の温度上昇を
防ぐために冷却水が各部に導入される。その後、ガス供
給源から、所定量の反応ガスCF4 が上部電極棒17の
供給路を通して電極板20の小孔hから反応室R内に供
給される。そして、高周波電源15を通電させ、上部電
極部材16及び下部電極部材14間に高周波電圧を加え
ることにより、両電極部材間にグロー放電を起こさせ
る。この放電により反応ガスCF4 が電離して、電子,
イオン,ラジカル等の生成物の混在するプラズマ状態が
形成される。これらイオン,ラジカル等がシリコン半導
体基板14aに引き寄せられ、基板表面の酸化膜と反応
してエッチングが開始される。
【0015】このとき、電極板20は、小孔hの分布密
度が一定で、中心から所定範囲の小円形領域における小
孔hの直径がその外側の環状領域に設ける小孔hの直径
より小さくなっているため、電極板20中央の小円形領
域A1から流出する反応ガスの流量は従来より少なくな
る。その結果、両者領域A1,A2間の反応ガスの乱れ
を抑制しつつ、電極板20中央部の反応ガスの密度を周
縁側の反応ガスの密度と同等にされている。このような
均一な雰囲気中でエッチングの行われたシリコン半導体
基板14aについて、エッチングンの均一性(エッチン
グ不良率)及びエッチング速度を測定した。同様に、電
極板を上記従来のもの及び比較例1,2のものに取り替
えてシリコン半導体基板14aのシリコン酸化膜のエッ
チング試験を行った。この試験結果を下記表1に示す。
度が一定で、中心から所定範囲の小円形領域における小
孔hの直径がその外側の環状領域に設ける小孔hの直径
より小さくなっているため、電極板20中央の小円形領
域A1から流出する反応ガスの流量は従来より少なくな
る。その結果、両者領域A1,A2間の反応ガスの乱れ
を抑制しつつ、電極板20中央部の反応ガスの密度を周
縁側の反応ガスの密度と同等にされている。このような
均一な雰囲気中でエッチングの行われたシリコン半導体
基板14aについて、エッチングンの均一性(エッチン
グ不良率)及びエッチング速度を測定した。同様に、電
極板を上記従来のもの及び比較例1,2のものに取り替
えてシリコン半導体基板14aのシリコン酸化膜のエッ
チング試験を行った。この試験結果を下記表1に示す。
【0016】
【表1】
【0017】表1から、上記実施例に示す構成の電極板
を採用することにより、エッチングの均一性が3.3%
と従来例に比べて2%以上も改善された。すなわち、小
孔hの分布密度及び直径を、上記のように設定したこと
により、電極板全面からの反応ガスの流れが均一化さ
れ、電極間に形成されるプラズマ密度が均一にされた。
その結果として、シリコン半導体基板のエッチングの均
一性が改善されたのである。
を採用することにより、エッチングの均一性が3.3%
と従来例に比べて2%以上も改善された。すなわち、小
孔hの分布密度及び直径を、上記のように設定したこと
により、電極板全面からの反応ガスの流れが均一化さ
れ、電極間に形成されるプラズマ密度が均一にされた。
その結果として、シリコン半導体基板のエッチングの均
一性が改善されたのである。
【0018】なお、上記電極板の小孔の径及び分布密度
は、一例であり、その値を変えることにより更なる特性
の改善を図ることが可能である。また、上記表1から明
らかなように、小孔の径及び分布密度を変更することに
より、エッチングレートはほとんど変化しなかった。な
お、比較例1即ち電極板周辺部の小孔hの分布を中央部
に比べて密にすることにより、エッチングの均一性は従
来例に比べて改善されているが、実施例の結果に比べる
と1%程度劣るものである。比較例2については、孔径
の変化が急激なため均一性が悪くなったものと考えられ
る。
は、一例であり、その値を変えることにより更なる特性
の改善を図ることが可能である。また、上記表1から明
らかなように、小孔の径及び分布密度を変更することに
より、エッチングレートはほとんど変化しなかった。な
お、比較例1即ち電極板周辺部の小孔hの分布を中央部
に比べて密にすることにより、エッチングの均一性は従
来例に比べて改善されているが、実施例の結果に比べる
と1%程度劣るものである。比較例2については、孔径
の変化が急激なため均一性が悪くなったものと考えられ
る。
【0019】また、上記実施例においては、電極板20
の開口の周縁部eに面取り加工を施し、周縁部eを曲面
形状のしたことにより、周縁部eへの電界集中が緩和さ
れるようになった。このため、面取り加工を施さず周縁
部が鋭角な従来の電極板に比べて周縁部eにおける電極
板20の磨耗が少なくなり、電極板20の寿命が高めら
れると共に半導体基板上へのゴミの落下が少なくなり、
これによる半導体基板の不良発生を抑制することができ
た。
の開口の周縁部eに面取り加工を施し、周縁部eを曲面
形状のしたことにより、周縁部eへの電界集中が緩和さ
れるようになった。このため、面取り加工を施さず周縁
部が鋭角な従来の電極板に比べて周縁部eにおける電極
板20の磨耗が少なくなり、電極板20の寿命が高めら
れると共に半導体基板上へのゴミの落下が少なくなり、
これによる半導体基板の不良発生を抑制することができ
た。
【0020】なお、上記実施例においては、電極板の材
料として高純度黒鉛基材の表面に熱分解炭素被膜のコー
ティングされたものを用いているが、熱分解炭素被膜の
コーティングしないもの、高純度ガラス状カーボン又は
高純度アルミニウム板等を用いるようにしてもよい。
料として高純度黒鉛基材の表面に熱分解炭素被膜のコー
ティングされたものを用いているが、熱分解炭素被膜の
コーティングしないもの、高純度ガラス状カーボン又は
高純度アルミニウム板等を用いるようにしてもよい。
【図1】本発明を適用したプラズマエッチング装置の概
略構成を示す正面断面図である。
略構成を示す正面断面図である。
【図2】同実施例に係る電極板を概略的に示す正面図で
ある。
ある。
【図3】比較例1に係る電極板を概略的に示す正面図で
ある。
ある。
【図4】比較例2に係る電極板を概略的に示す正面図で
ある。
ある。
【図5】電極板の開口周縁部を詳細に示す部分断面図で
ある。
ある。
【図6】従来例に係る電極板を示す正面図である。
10;チャンバ、11;台、12;容器、14;下部電
極部材、14a;シリコン半導体基板、15;高周波電
源、16;上部電極部材、20;電極板、21;取り付
け孔、A1;小円形領域、A2;環状領域、e;開口周
縁部、h;小孔。
極部材、14a;シリコン半導体基板、15;高周波電
源、16;上部電極部材、20;電極板、21;取り付
け孔、A1;小円形領域、A2;環状領域、e;開口周
縁部、h;小孔。
Claims (2)
- 【請求項1】 プラズマエッチング装置のチャンバ内の
下部に取り付けられた基板を載置する下部電極板と対向
して同チャンバ内の上部に取りつけられ、外部の反応ガ
ス供給源から供給管を介して供給される反応ガスを通過
させてチャンバ内に導く多数の小孔を備えた円板形状の
プラズマエッチング用電極板において、 前記小孔を前記プラズマエッチング用電極板の中心から
所定範囲の円形領域内に一定の分布密度で設けると共
に、同円形領域内の中心から所定範囲の小円形領域に設
ける小孔の直径を、同小円形領域の外側の環状領域に設
ける小孔の直径より小さくしたことを特徴とするプラズ
マエッチング用電極板。 - 【請求項2】 プラズマエッチング装置のチャンバ内の
下部に取り付けられた基板を載置する下部電極と対向し
て同チャンバ内の上部に取りつけられ、外部の反応ガス
供給源から供給管を介して供給される反応ガスを通過さ
せてチャンバ内に導く多数の小孔を備えた円板形状のプ
ラズマエッチング用電極板において、 前記小孔の開口の周縁部に面取り加工を施したことを特
徴とするプラズマエッチング用電極板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4361434A JPH06204181A (ja) | 1992-12-29 | 1992-12-29 | プラズマエッチング用電極板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4361434A JPH06204181A (ja) | 1992-12-29 | 1992-12-29 | プラズマエッチング用電極板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06204181A true JPH06204181A (ja) | 1994-07-22 |
Family
ID=18473565
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4361434A Pending JPH06204181A (ja) | 1992-12-29 | 1992-12-29 | プラズマエッチング用電極板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06204181A (ja) |
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
1992
- 1992-12-29 JP JP4361434A patent/JPH06204181A/ja active Pending
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