CN101577216B

CN101577216B - 等离子反应器

Info

Publication number: CN101577216B
Application number: CN2009101339943A
Authority: CN
Inventors: 朴根周; 高诚庸; 蔡焕国; 金起铉; 李元默
Original assignee: Display Manufacturing Services Co Ltd
Current assignee: Weihai dianmei Shiguang electromechanical Co Ltd; DMS Co Ltd
Priority date: 2008-05-09
Filing date: 2009-04-22
Publication date: 2011-01-05
Anticipated expiration: 2029-04-22
Also published as: TWI407505B; KR20090117395A; US8158068B2; KR100992392B1; US20090280040A1; CN101577216A; TW200952070A

Abstract

本发明提供了一种等离子化学反应器。所述的反应器包括一个空腔，一个阴极装置和一块挡板。所述的空腔提供了一个等离子反应的空间。所述的阴极装置包括一个阴极支撑杆和一个基托。所述的阴极支撑杆一端与空腔的一个壁面连接，另一端与基托连接。所述的基托用于支撑基板。所述的挡板从外面插入基托并与之连接，挡板上间隔地设有多个穿过挡板的穿孔用来排放反应气体，这些穿孔是不均匀设置的，其中在阴极支撑杆顶侧处的一个穿孔面积要大于远离阴极支撑杆一侧处的一个穿孔面积。

Description

等离子反应器

技术领域

本发明涉及一种制备大尺寸晶片的等离子反应器。本发明尤其涉及一种等离子反应器，它设有一个空腔，一个通过悬壁结构被支撑在空腔一侧壁面上，用于支撑一块基板的阴极装置，以及一块排放反应气体的挡板。所述的挡板上可以不均匀地设置多个穿孔用来排放反应气体，甚至可以在一个不均匀结构中的阴极装置上均匀地排放需要排出的气体，从而提高了空腔中等离子的均匀性，也改进了蚀刻等过程中基板蚀刻率的均匀性。

背景技术

一个半导体集成电路(IC)设备或一种玻璃基板中通常使用一种大尺寸晶片主要作为液晶显示器(LCD)等。它表面形成多个薄膜层，通过仅选择性地移动一部分薄膜，从而在表面上形成一个预定形状的超精细结构，这样就形成了一个复合圈或薄膜层。这时可以使用多种方法制备薄膜，如一种水洗法、一种沉积法、一种影印石版法、一种电镀法、一种蚀刻法等等。

上述各种方法主要是在一个空腔或反应炉中进行，通过这样一种反应设备将一块晶体或基板从外面分离出来。

在上述方法，特别是蚀刻方法中，主要是通过向空腔或反应炉中注入反应气体(如：CF4、Cl2、HBr等)，使在一个晶体表面上移动的目标材料经过一个等离子状态的化学反应。蚀刻法选择性地移动一部分，而不是通过一种光致抗蚀模式，如一种模板，来使用光致抗蚀剂将其整个覆盖，这样也就在基板上形成了一种较好的模式。因此，最重要的是在整个基板表面上保持蚀刻的均匀性。

因此，提高蚀刻的均匀性，防止过程中产生错误，空腔中形成的等离子应该要保持均匀性，从而与整个基板表面接触。

但是，在传统的等离子化学反应器中，阴极装置是安装在空腔中一个左/右不均匀结构中的，因为支撑基板的阴极装置是通过一个安装在空腔一侧壁面上的阴极支撑杆被支撑在一个悬臂结构里的。所以，就产生了下述问题。

第一个问题是，当等离子反应产生的反应气体、聚合物或颗粒流到空腔的下面，会受到支撑阴极装置的阴极支撑杆的阻碍，因此不能在阴极装置的外围均匀地排放需排出的气体。第二个问题是，当反应气体被排出后，它会受到阴极支撑杆一端的阻碍，由于反应气体是不均匀排出的，也就无法在一块基板表面均匀地形成等离子，从而引起一个蚀刻等过程中蚀刻率的非均匀性。

发明概述

本发明的优选实施例一方面是至少解决这些问题并/或缺点，并至少具有下述优点。此外，本发明的优选实施例一方面可以使反应气体沿空腔内的一个基托周围均匀高效地排出，它是通过安装一个挡板使反应气体沿基托周围排出，并且在挡板上不均匀地设备多个穿孔使反应气体可以均匀地排出。

本发明的优选实施例另一方面是通过使一块基板表面上的等离子保持均匀性，来保持整个基板表面在蚀刻等过程中均匀的蚀刻率，并提高过程的均匀性。

本发明一方面提供了一种等离子反应器。所述的等离子反应器包括一个空腔，一个阴极装置，和一块挡板。所述的空腔提供了一个等离子反应的空间。所述的阴极装置包括一个阴极支撑杆和一个基托。所述的阴极支撑杆一端与空腔的一个壁面连接，另一端与基托连接。所述的基托用于支撑基板这样便于在空腔内中心的位置处设置一块基板。所述的挡板从外面插入基托并与之连接，这样将空腔的一个反应空间分隔成上部和下部，挡板上间隔地设有多个穿过挡板的穿孔用来排放反应气体。这些穿孔是不均匀设置的，其中在阴极支撑杆顶侧处的一个穿孔面积要大于远离阴极支撑杆一侧处的一个穿孔面积。

所述的挡板上的穿孔可以包括多个间隔设置的狭槽，这些狭槽一起形成一个放射状。多个狭槽之间在阴极支撑杆顶侧处的一个间距小于远离阴极支撑杆一侧处的一个间距。

所述的穿孔包括多个等间距间隔设置的狭槽，这些狭槽一起形成一个放射状。并且一个狭槽的长度是从阴极支撑杆顶侧到远离阴极支撑杆一侧逐渐规则变大，使所有狭槽的一个剖面可以呈一种椭圆形。

所述的穿孔包括多个等间距间隔设置的狭槽，这些狭槽一起形成一个放射状。并且一个狭槽的长度由内侧从阴极支撑杆顶侧到远离阴极支撑杆一侧逐渐规则变大，使整个狭槽的一个中心点是偏心设置于远离阴极支撑杆的一侧。

所述的穿孔包括多个间隔设置的洞。这些洞之间在阴极支撑杆顶侧处的一个间距小于远离阴极支撑杆一侧处的一个间距。

本发明的另一个方面是提供了一种等离子反应器。所述的等离子反应器包括一个空腔，一个阴极装置和一块挡板。所述的空腔提供了一个等离子反应的空间。所述的阴极装置包括一个阴极支撑杆和一个基托。所述的阴极支撑杆一端与空腔的侧壁连接，另一端与基托连接。所述的基托用于支撑基板，这样便于在空腔内中心的位置处设置一块基板。所述的挡板上下间隔地从外面插入基托并与之连接，这样将空腔的一个反应空间分隔成上部和下部，所述的挡板包括一块第一排气板和一块第二排气板，其中第一和第二排气板上均间隔地设有多个穿过排气板的穿孔用来排放空腔中的反应气体。所述的第一和第二排气板上用来排放反应气体的一个穿孔面积是不同的。

所述挡板的第一和第二排气板分别被互相匹配地设置在一个支撑物的顶端和底端，所述的支撑物从外面插入基托并与之连接。

第一和第二排气板上的穿孔可以包括多个等间距间隔设置的狭槽，这些狭槽一起形成一个放射状。并且第一和第二排气板上的一个狭槽间距不相同。

第一和第二排气板上的穿孔均可以包括多个间隔设置的洞。并且第一和第二排气板中至少有一个，其上设置的多个洞之间在阴极支撑杆顶侧处的一个间距小于远离阴极支撑杆一侧的一个间距。

第一和第二排气板上的穿孔均可以包括多个间隔设置的狭槽，这些狭槽一起形成一个放射状。并且第一和第二排气板中至少有一个，其上设置的多个狭槽之间在阴极支撑杆顶侧处的一个间距小于远离阴极支撑杆一侧的一个间距。

第一和第二排气板上的穿孔均可以包括多个间隔设置的狭槽，这些狭槽一起形成一个放射状。并且第一和第二排气板中至少有一个，其上设置的一个狭槽的长度从阴极支撑杆顶侧到远离阴极支撑杆一侧逐渐规则变大，使整个狭槽的一个剖面呈一种椭圆形。

第一和第二排气板上的穿孔均可以包括多个间隔设置的狭槽，这些狭槽一起形成一个放射状。并且第一和第二排气板中至少有一个，其上设置的一个狭槽的长度由内侧从阴极支撑杆顶侧到远离阴极支撑杆一侧逐渐规则变大，使整个狭槽的一个中心点是偏心设置于远离阴极支撑杆的一侧。

附图说明

本发明的上述及其它目的、特征和优点将在下面结合附图进一步描述，其中：

图1是本发明的一个优选实施例的侧面剖视图；

图2A-2C是本发明所述的一种挡板在不同优选实施例中的结构示意图；

图3是本发明所述的一种挡板在另一个优选实施例中的结构示意图；

图4是本发明的另一个优选实施例的侧面剖视图；

图5A、5B分别是本发明所述的，包括一块第一排气板和一块第二排气板的挡板在一个优选实施例的侧视图和俯视图。

图6A-6C分别是图4所示挡板在不同优选实施例中的俯视图；

图7是图5所示挡板在另一个优选实施例中的俯视图；[0029]图8A、8B分别是设有一种挡板的等离子反应器，其蚀刻率的实验数据比较曲线图。

在这些图中，同样的附图标记应理解为涉及同样的元素、特征或结构。

具体实施方式

下面将结合附图描述了本发明优选的实施例。在此将省略对涉及公知功能和结构的详细描述。

图1是本发明的一个优选实施例的侧面剖视图。图2A-2C是本发明所述的一种挡板在不同优选实施例中的结构示意图。

如图所示，本发明的一个优选实施例包括一个为等离子反应提供空间的空腔1，和安装在空腔1中的一个阴极装置10和一块挡板20。

这里空腔1提供了一个等离子反应的空间。在空腔1的顶部中心位置处，设有一个喷入一种反应气体的喷气口2。在空腔1的底部中心位置处，设有一个将反应气体排放到空腔外的排气口7。

空腔1上面设有一个射频(RF)顶端电极6。

所述的阴极装置10支撑一块基板50，使基板50能够水平设置在空腔1内，同时形成一个RF底端电极。该阴极装置包括一个基托15，一个阴极支撑杆13和一个固定板12。

所述的基托15支撑所述的基板50，使基板50能够设置在空腔1内的中心位置处。在基托15的上面设有上述底端电极16，用来放置基板50。

上述底端电极16形成了一个RF阴极，它将喷入空腔1内的反应气体转变成一种等离子态，通过这些等离子来处理基板50的表面。

每一个RF电源均分别与空腔1上的顶端电极6，以及底端电极16相连，它们提供一个RF电流，用于将反应气体转变成一种等离子状态。

反应气体通过喷气口2喷入空腔1内，由于喷气口2与底端电极16是设置在同一直线上，因此基板50的表面可以均匀地产生等离子体。

因此，借助于RF电源，反应气体在空腔1内转变成一种等离子状态，并在基板50的表面发生反应，处理基板50，然后通过设置在空腔1下侧的排气口7排出。

还可以在底端电极16的上部设置一个用于固定基板50的静电夹头(图中未显示)，从而进一步稳定固定基板50。也可以在底端电极16或静电夹头的上表面设置一个导气管(图中未显示)来导入氢(He)气，用于冷却基板50。

静电夹电通过利用静电的电位差，使电极表面和目标物之间产生静电引力，从而吸附该目标物。

所述的阴极支撑杆13支撑基托15。该阴极支撑杆13一端与固定板12相连，另一端与基托15的外围相连，从而以悬臂支撑的方式支撑基托15。

固定板12与空腔1的一侧壁面连接。空腔1的一侧壁面上设有穿过该壁面的插洞8，固定板12与该插洞8相连。

上述固定板12和空腔1上的插洞8可以设置成各种形状，如圆形，正方形等等。

固定板12比插洞8更大，并沿插洞8外围螺接于插洞8。此外，空腔1其外围表面的连接部位处设有一个密封构件5，从而防止反应气体发生泄漏。

挡板20使等离子反应气体在空腔1的上部停留预定时间后排出。挡板从外面插入阴极装置10的基托15，并且彼此间隔地设置在空腔1的一个内周表面和基托15的一个外周表面之间。

如图2A所示，挡板20为预定厚度的圆环形。挡板20的中心设有一个穿过挡板的连接洞27用于插入基托15并与之连接。挡板20的外周表面与空腔1的内周表面相匹配。

挡板20的外周并不仅限于圆形，也可以是正方形等等。它是由空腔1的内周表面的形状决定的。

因此，挡板20的外周表面是紧密附着连接在空腔1的内周表面的，并且连接洞27的内周表面是紧密附着连接在基托15的外周表面的，从而将空腔1的一个反应空间分隔成上部和下部。

固定板12的内表面上设有一个阶式部件14，该部件14具有与空腔1内周表面相同的表面，这样阶式部件14的内表面就可以与基板20的外周表面紧密相连。

挡板20可以承压或连接。为了支撑挡板20的下表面，可以在空腔1的内周表面上或基托15的外周表面上突出设置一个预定高度的支撑夹(图中未显示)。

如图2A所示，挡板20上设有多个穿过挡板的穿孔25。

反应气体穿过穿孔25。这些穿孔25的狭槽长度是预定的，它们彼此之间间隔一定的距离，呈放射状设置。

如图1所示，阴极装置10的阴极支撑杆13设置在反应气体的排气通道上，这样就阻碍了反应气体的排放。因此，如果狭槽等间距地间隔设置在挡板20上，那么反应气体主要是从设置在远离阴极支撑杆13一侧(图1中所示的A侧)处的狭槽排出，因为这里不会产生阻碍。

因此，反应气体是不均匀地排出的，从而使基板50上部的等离子无法保持均匀的状态。

为了解决这个问题，如图2A所示，将挡板20上的穿孔25设置成多个间隔设置的狭槽，这些狭槽一起形成一个放射状。狭槽之间的一个裂缝是不均匀设置的，这样多个狭槽之间在阴极支撑杆顶13顶侧(图1和2A中的B侧)处的一个间距小于远离阴极支撑杆13一侧(图1和2A中的A侧)处的一个间距。

因此，挡板20在远离阴极支撑杆13一侧(图中的A侧)处的一个穿孔面积相对较小，而反应气体相对较少地从远离阴极支撑杆13一侧排出，在这一侧，狭槽间的间距更大，这样使反应气体均匀地穿过整个挡板20排出。

图2B、2C是挡板在不同优选实施例中的结构示意图。将狭槽设置成不同的长度，使反应气体较少地从远离阴极支撑杆13一侧(图中的A侧)排出。

即，如图2B所示，这样设置一块挡板21，由于它偏向远离阴极支撑杆13一侧(图中的A侧)，形成穿孔25的狭槽长度由外侧逐渐规则变小，因此，使整个狭槽的一个剖面呈一种椭圆形。

图2C显示了挡板22的另一个优选实施例。由于它偏向远离阴极支撑杆13一侧(图中的A侧)，形成穿孔25的狭槽长度由外侧逐渐规则变小，因此，使整个狭槽的一个中心点22a与连接洞27的中心不重合，而是偏心于远离阴极支撑杆13的一侧(图中的A侧)。

因此，挡板22在远离阴极支撑杆13的一侧(图中的A侧)处的一个穿孔面积更小，这样就使反应气体全部均匀排出。

图3是本发明所述的一种挡板在另一个优选实施例中的结构示意图。除了穿孔35被设置成洞形，挡板的其它特征与上述实施例均一致，因此它是上述优选实施例的一个改进结构。

将挡板30上的穿孔35设置成多个间隔排列的洞。

这些洞之间在阴极支撑杆顶13顶侧(图中的B侧)处的一个间距小于远离阴极支撑杆13一侧(图中的A侧)处的一个间距，并且A侧处的一个穿孔面积相对小于B侧的。因此，反应气体相对较少穿过A侧的穿孔35排出。

图4是本发明中设有挡板的另一个优选实施例的侧面剖视图。图5A、5B显示了挡板的另一个优选实施例。除了挡板40在结构上包括顶部和底部两个部分之外，该优选实施例的其它特征与上述优选实施例均相同，因此它是上述优选实施例的改进结构。

图5A、5B所示的挡板40包括一个支撑物49，一块第一排气板45和一块第二排气板46。支撑物上设有一个穿过整个支撑物49的连接洞47，这样基托就可以通过支撑物被插入到挡板40的中心并与之连接。第一排气板45和第二排气板46分别沿支撑物49的上端和下端外周表面突出设置。

圆柱形的支撑物49从外面插入安装在基托15上。

因此，如图4所示，档板40的第一排气板45和第二排气板46分别从外面相匹配地插入基托15中，因此它们是上下间隔地安装的。

第一排气板45和第二排气板46的外周表面均分别与空腔1的内周表面相匹配。

因此，连接洞47的内周表面与支撑物15的外周表面紧密附着，而第一排气板45和第二排气板46的外周表面沿一个固定板12的阶式部件14与空腔1的内周表面紧密附着连接。

为了使第二排气板46的下表面，可以按照图2A-2C所示的单一形式的档板20、21和22的方式，同样在空腔1的内周表面上或基托15的外周表面上突出设置一个预定高度的支撑夹(图中未显示)。

在另一个优选实施例中，一块挡板40不包括一个支撑物49，而是可以包括一个第一排气板45和一个第二排气板46，它们上下间隔设置，并分别插入一个基托15中。

理想的挡板40，其第一排气板45和第二排气板46设有多个狭槽形穿孔48，并且第一排气板45和第二排气板46上设有不同的狭槽裂缝，并随之具有不同的穿孔面积。

将第一排气板45上的狭槽裂缝设置成小于第二排气板46上的并不能限制本发明的保护范围。第二排气板46上的狭槽裂缝也可以设置成相对更小的。

因此，反应气体在穿过第一排气板45之后，会第二次穿过第二排气板46排出。

这时，第一排气板45和第二排气板46之间的间隔就形成了一个缓冲器，从而减少了在不均匀结构中，阴极装置10的阴极支撑杆13对气体的阻碍。从而增加了反应气体排出的均匀性。

图6A-6C中，第一排气板45中穿孔48的设置和图2A-2C所示的优选实施例具有相同的特征。远离阴极支撑杆13的一侧，即A侧部位设置的一个穿孔面积更小。

因此，档板40的第一排气板45在远离阴极支撑杆13的一侧(图中的A侧)设置的一个穿孔面积比阴极支撑杆13的顶侧(图中的B侧)相对更小，反应气体相对更少地从远离阴极支撑杆13的一侧(图中的A侧)排出，在这一侧设置的狭槽间距更大，因此使反应气体均匀地穿过整个挡板40排出。

在图7中，穿孔58是通过与图3所示的优选实施例中相同的方法被设置在挡板50的第一排气板55中的。这些洞之间在A侧部位设置的一个间距更大，这样在远离阴极支撑杆13的一侧(图中的A侧)处设置的穿孔面积就更小。

因此，第一排气板55和第二排气板56之间的间隔部分所产生的缓冲作用可以进一步改进反应气体的非均匀排气，并且第一排气板55和第二排气板56还可以减小基板支撑杆13的影响，从而保证排气的整体均匀性。

第一排气板45、55和第二排气板46、56中即可以是两者择一的，也可以全部地都将挡板41、42、43和50上的穿孔48和58设置成非均匀排列。此外，在图5所示的优选实施例中，第一排气板45和第二排气板46上的穿孔面积也可以不相同。

图8A、8B分别是设有一种挡板的等离子反应器，其蚀刻率的实验数据比较曲线图。

在曲线中，水平轴表示连接基板50(如一个300mm的晶片)顶端和底端的一条虚拟线上的一个测量点，。垂直轴表示一个蚀刻率(如每小时的一个蚀刻浓度)。

如图8A所示，当挡板上等间距地间隔设置多个狭槽时，蚀刻率约为2,900-3,150

即不均匀率约为4.12％。

但是，如图8B所示，当挡板上不均匀地设置多个狭槽时，蚀刻率约为2,870-2,970

即不均匀率约为2.28％。

因此，在本发明的一个优选实施例中，穿孔25、35、48和58是不均匀地设置在挡板20、21、22、30、40、41、42、43和50上的，从而减少基托15的影响，并使反应气体沿基托15的周围均匀地排出。这样，基板50表面上形成的等离子就可以保持均匀性，从而可以在蚀刻等过程中，增加基板50整个表面上的蚀刻均匀性。

综上所述，上述优选实施例仅是举例描述了有益之处，因此并不能用于限制权利要求。因此本发明也可以同样应用于其它所有的等离子真空处理设备，如反应溅射法或化学气相淀积工艺(CVD)。

综上所述，本发明优选的实施例中，首先是通过使反应气体沿不均匀结构中，阴极装置的外围均匀排出，高效地排出反应气体，来达到有效减少过程中的错误率并提高反应效率的目的。

其次，通过保持基板表面上等离子的均匀性以及保持蚀刻过程中，整个基板表面蚀刻率的均匀性，来达到显著提高基板的蚀刻均匀性并提高质量及生产力的目的。

虽然本发明已经公开描述了某些优选的实施例，但应理解为只要不违背和超出权利要求所规定的本发明的原理和范围，技术熟练的人可以进行各种变化。

Claims

1.一种等离子反应器，包括：

一个为等离子反应提供空间的空腔；

一个阴极装置，它包括一个阴极支撑杆和一个基托，所述的阴极支撑杆一端与空腔的一个壁面连接，另一端与基托连接，所述的基托用于支撑基板，这样便于在空腔内中心的位置处设置一块基板；并且

一块挡板从外面插入基托并与之连接，这样将空腔的一个反应空间分隔成上部和下部，挡板上间隔地设有多个穿过挡板的穿孔用来排放反应气体，这些穿孔是不均匀设置的，其中在阴极支撑杆顶侧处的穿孔面积要大于远离阴极支撑杆一侧处的穿孔面积。

2.如权利要求1所述的反应器，其特征在于所述的档板上的穿孔包括多个间隔设置的狭槽，这些狭槽一起形成一个放射状，多个狭槽之间在阴极支撑杆顶侧处的间距小于远离阴极支撑杆一侧处的间距。

3.如权利要求1所述的反应器，其特征在于所述的穿孔包括多个等间距间隔设置的狭槽，这些狭槽一起形成一个放射状，并且狭槽的长度是从阴极支撑杆顶侧到远离阴极支撑杆一侧逐渐规则变大，使整个狭槽的剖面呈椭圆形。

4.如权利要求1所述的反应器，其特征在于所述的穿孔包括多个等间距间隔设置的狭槽，这些狭槽一起形成一个放射状，并且狭槽的长度由档板的内侧向外侧，即从阴极支撑杆顶侧到远离阴极支撑杆一侧逐渐规则变大，使整个狭槽的一个中心点是偏心设置于远离阴极支撑杆的一侧。

5.如权利要求1所述的反应器，其特征在于所述的穿孔包括多个间隔设置的洞，这些洞之间在阴极支撑杆顶侧处的间距小于远离阴极支撑杆一侧处的间距。

6.一种等离子反应器，包括：

一个为等离子反应提供空间的空腔；

一块挡板上下间隔地从外面插入基托并与之连接，这样将空腔的一个反应空间分隔成上部和下部，所述的挡板包括一块第一排气板和一块第二排气板，其中第一和第二排气板上均间隔地设有多个穿过排气板的穿孔用来排放空腔中的反应气体，所述的第一和第二排气板上用来排放反应气体的穿孔面积不相同，其中在阴极支撑杆顶侧处的穿孔面积要大于远离阴极支撑杆一侧处的穿孔面积。

7.如权利要求6所述的反应器，其特征在于所述的档板的第一和第二排气板分别被互相匹配地设置在一个支撑物的顶端和底端，所述的支撑物从外面插入基托并与之连接。

8.如权利要求6所述的反应器，其特征在于第一和第二排气板上的穿孔均包括多个等间距间隔设置的狭槽，这些狭槽一起形成一个放射状，并且第一和第二排气板上的狭槽间距不相同。

9.如权利要求6所述的反应器，其特征在于第一和第二排气板上的穿孔均包括多个间隔设置的洞，并且第一和第二排气板中至少有一个，其上设置的多个洞之间在阴极支撑杆顶侧处的间距小于远离阴极支撑杆一侧的间距。

10.如权利要求6所述的反应器，其特征在于第一和第二排气板上的穿孔均包括多个间隔设置的狭槽，这些狭槽一起形成一个放射状，并且第一和第二排气板中至少有一个，其上设置的多个狭槽之间在阴极支撑杆顶侧处的间距小于远离阴极支撑杆一侧的间距。

11.如权利要求6所述的反应器，其特征在于第一和第二排气板上的穿孔均包括多个间隔设置的狭槽，这些狭槽一起形成一个放射状，并且第一和第二排气板中至少有一个，其上设置的一个狭槽的长度从阴极支撑杆顶侧到远离阴极支撑杆一侧逐渐规则变大，使整个狭槽的剖面呈椭圆形。

12.如权利要求6所述的反应器，其特征在于第一和第二排气板上的穿孔均包括多个间隔设置的狭槽，这些狭槽一起形成一个放射状，并且狭槽的长度由档板的内侧向外侧，即从阴极支撑杆顶侧到远离阴极支撑杆一侧逐渐规则变大，使整个狭槽的一个中心点是偏心设置于远离阴极支撑杆的一侧。