JP6144453B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Claims (9)
- チャンバーと、
前記チャンバー内に必要なガスを供給するガス供給部と、
前記チャンバー内に配置されて高周波電力が印加される第1電極と、
前記第1電極上に形成されて前記第1電極と電気的に連結されるコンデンサ部と、
前記コンデンサ部上に形成されて前記コンデンサ部と電気的に連結される複数の第2電極とを含み、
前記第2電極は円形の第1領域と前記第1領域の外周に沿って分割配置された複数の第2領域を有し、
前記第1領域の半径は前記第2領域の幅より大きく、
前記第1電極の周辺部で発生するプラズマの密度は前記チャンバー及び前記チャンバーと離隔して前記第1電極の周辺に形成されるバッフルプレートの間に配置される調節部により調節され、
前記調節部は導体、抵抗体、及び誘電体を有するローパスフィルタを含むことを特徴とする、プラズマ処理装置。 - チャンバーと、
前記チャンバー内に必要なガスを供給するガス供給部と、
前記チャンバー内に配置されて高周波電力が印加される第1電極と、
前記第1電極上に形成されて前記第1電極と電気的に連結されるコンデンサ部と、
前記コンデンサ部上に形成されて前記コンデンサ部と電気的に連結される複数の第2電極とを含み、
前記第2電極は矩形の第1領域と前記第1領域の外周に沿って配置される第2領域を有し、
前記第1領域の対角線の半分の長さは前記第2領域の幅より大きい大きく、
前記第1電極の周辺部で発生するプラズマの密度は前記チャンバー及び前記チャンバーと離隔して前記第1電極の周辺に形成されるバッフルプレートの間に配置される調節部により調節され、
前記調節部は導体、抵抗体、及び誘電体を有するローパスフィルタを含むことを特徴とする、プラズマ処理装置。 - 前記コンデンサ部は複数の定格コンデンサを含むことを特徴とする請求項1または請求項2のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記コンデンサ部は前記チャンバ外部で調節が可能な複数の可変コンデンサを含むことを特徴とする請求項1または請求項2のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記可変コンデンサ各々は真空コンデンサを含むことを特徴とする請求項4に記載のプラズマ処理装置。
- 前記コンデンサ部はセラミックを含み、前記セラミックはプラズマ密度の補正のために、位置に従って各々異なる厚さを有することを特徴とする請求項1または請求項2のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記セラミックは流入するガスが移動できる多数の孔が形成された多孔質セラミックを含むことを特徴とする請求項6に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1電極を貫通するガス導入部をさらに含み、
前記ガス導入部によって供給されたガスが前記多孔質セラミックを通して拡散され、対象基板にプラズマ化学気相成長法を用いることを特徴とする請求項7に記載のプラズマ処理装置。 - 前記第2電極はガスホールをさらに含み、ハニカム構造から形成されることを特徴とする請求項8に記載のプラズマ処理装置。
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