KR20150139467A - 상부 유전체 수정판 및 슬롯 안테나 개념 - Google Patents

상부 유전체 수정판 및 슬롯 안테나 개념 Download PDF

Info

Publication number
KR20150139467A
KR20150139467A KR1020150078798A KR20150078798A KR20150139467A KR 20150139467 A KR20150139467 A KR 20150139467A KR 1020150078798 A KR1020150078798 A KR 1020150078798A KR 20150078798 A KR20150078798 A KR 20150078798A KR 20150139467 A KR20150139467 A KR 20150139467A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
grooves
depth
groove
plasma
dielectric component
Prior art date
Application number
KR1020150078798A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101788918B1 (ko
Inventor
지안핑 자오
도시히사 노자와
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20150139467A publication Critical patent/KR20150139467A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101788918B1 publication Critical patent/KR101788918B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/02227—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
    • H01L21/02252—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by plasma treatment, e.g. plasma oxidation of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H01J37/32211—Means for coupling power to the plasma
    • H01J37/32238—Windows
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
    • H01J37/3211—Antennas, e.g. particular shapes of coils
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
    • H01J37/32119—Windows
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H01J37/32211—Means for coupling power to the plasma
    • H01J37/3222—Antennas
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

여기에 개시된 기법들은 플라즈마 프로세싱 챔버 내에 발생된 플라즈마를 이용하여 기판들을 처리하는 장치를 포함한다. 일 실시예에서, 플라즈마 시스템의 유전체 판들은 균일한 플라즈마를 발생시키는 것을 보조하도록 구성된 구조적 피쳐들을 포함할 수 있다. 이러한 구조적 피쳐들은 플라즈마를 마주한 표면에 표면 형상을 정의한다. 이러한 구조적 피쳐들은 거의 비선형 단면을 갖는 동심 고리 세트를 포함할 수 있고, 유전체 판의 표면으로부터 돌출될 수 있다. 이러한 구조적 피쳐들은 피쳐 깊이, 폭, 및 동심 고리에 따라 깊이 및 폭이 달라질 수 있는 주기적 패턴들을 포함할 수 있다.

Description

상부 유전체 수정판 및 슬롯 안테나 개념{TOP DIELECTRIC QUARTZ PLATE AND SLOT ANTENNA CONCEPT}
관련 특허출원에 대한 상호 참조
37 C.F.R. §1.78(a)(4)에 따라, 본 출원은 2014년 6월 3일에 출원되어 계류 중인 가출원 제62/007,250호에 대한 우선권 및 그 이익을 주장하며, 그 내용은 전체적으로 참조로서 여기에 명백히 통합되어 있다.
발명의 분야
본 개시는 용량성 결합된 플라즈마 시스템들을 이용하는 플라즈마 프로세싱을 포함하는 기판들의 플라즈마 프로세싱에 관한 것이다.
반도체 디바이스 제조 프로세스에서, 에칭, 스퍼터링, 화학적 증기 증착(chemical vapor deposition, CVD) 등과 같은 플라즈마 프로세스들은 프로세싱될 기판, 예를 들어, 반도체 웨이퍼에 일상적으로 수행된다. 이러한 플라즈마 프로세스들을 이행하기 위한 플라즈마 프로세싱 장치들 중에, 용량성 결합된 평행판 플라즈마 프로세싱 장치들이 널리 사용된다.
플라즈마 프로세싱 장치에서, 평행판 전극 쌍(상부 전극 및 하부 전극)이 챔버에 배치될 수 있고, 프로세싱 가스(processing gas)가 챔버 내에 주입될 수 있다. 전극들 중 적어도 하나에 전력(예를 들어, 마이크로웨이브 전력 등)을 인가함으로써, 전극들 사이에 고주파 전기장이 형성되는데, 그 결과 프로세싱 가스의 플라즈마가 고주파 전기장에 의해 발생된다. 이후, 플라즈마를 사용 또는 조작함으로써 웨이퍼에 플라즈마 프로세스가 수행된다. 웨이퍼 전역에 플라즈마 프로세스의 균일성을 제어하기 위한 기법들이 바람직할 수 있다.
여기에 개시된 기법들은 균일한 플라즈마를 발생시키는 것을 보조하도록 구성된 플라즈마 시스템의 컴포넌트들을 포함한다. 플라즈마 시스템은 기판 홀더 맞은편에 있는 안테나 및 안테나와 기판 홀더 사이에 배치될 수 있는 유전체 판을 포함할 수 있지만, 이로 제한되는 것은 아니다. 일례에서, 유전체 판 또는 유전체 컴포넌트는 정상파(standing wave)들을 방해하는 것을 보조하고/거나 정상파들이 플라즈마 공간 내에 형성되는 것을 방지하는 플라즈마와 마주하는 표면에 표면 형상을 정의하는 구조적 피쳐(feature)들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 이러한 구조적 피쳐들은 거의 곡선이거나 비-직사각형의 단면 기하학적 구조를 갖고 상부 전극의 표면 내부/외부로 돌출된 동심 고리 세트(set of concentric rings)를 포함할 수 있다. 고리들의 간격뿐 아니라 단면의 사이즈, 형상, 치수들은 유전체 판과 기판 홀더 사이의 일부에 따라 균일한 밀도 플라즈마를 생성하는 플라즈마 시스템에서의 결과를 생성하기 위해 배열 또는 변경될 수 있다.
일 실시예는 마이크로 전자 기판을 처리하는 플라즈마 프로세싱 장치를 포함한다. 플라즈마 프로세싱 장치는 마이크로 전자 기판을 수용하기 위한 프로세스 공간을 형성하는 프로세싱 챔버를 포함할 수 있다. 프로세싱 챔버는 프로세싱 가스를 프로세싱 챔버에 공급하도록 구성된 프로세싱 가스 공급 시스템과 유체 연통 상태일 수 있다. 프로세싱 챔버의 배기 포트에 연결된 배기 유닛은 프로세싱 챔버의 내부로부터 기체를 배출하기 위해 진공을 발생시킨다. 제1 전극 및/또는 제2 전극은 프로세싱 챔버 내에 서로 맞은편에 위치한다. 제1 전극(예를 들어, 안테나)은 상부 전극이고, 제2 전극은 하부 전극이다. 제2 전극은 탑재대(mounting table) 또는 기판 홀더를 통해 대상 기판(target substrate)을 지지하도록 구성될 수 있다. 제1 전력 인가 유닛은 제1 전극에 제1 전력(예를 들어, 마이크로파, 무선 주파수 등)을 인가하도록 구성될 수 있고, 제2 전력 인가 유닛은 제2 전력 설정을 제2 전극에 인가하도록 구성될 수 있다. 유전체 판은 제1 전극에 탑재 가능하거나 근접할 수 있다. 유전체 판은 제1 전극의 맞은편에 있는 제1 표면 및 제1 표면의 맞은편에 있을 수 있는 제2 표면을 가질 수 있다. 유전체 판의 두께는 가장 두꺼운 지점에서 30mm미만일 수 있다. 제2 표면 영역은 실질적으로 평면이고, 표면 영역에 돌출될 수 있는 동심의 그루브(groove), 트렌치(trench), 또는 고리 세트를 포함한다. 각각의 동심 그루브는 곡선(또는 비선형)의 단면 형상을 가질 수 있고, 동심 고리들은 서로로부터 하나 이상의 간극만큼 대칭 또는 비대칭적으로 배치될 수 있다. 그루브들은 비선형 단면을 포함할 수 있고, 제2 표면에서의 10mm 내지 60mm의 폭을 갖고, 제2 표면으로부터 유전체 판으로의 5mm 내지 25mm의 깊이를 가질 수 있다.
유전체 판은 유전체 판으로 돌출되거나 제2 표면에 따른 그루브 치수들 및 배향에 관한 여러 다른 실시예들을 이용하여 플라즈마 챔버에 통합될 수 있다. 일 실시예에서, 그루브들의 깊이는 주기 패턴을 형성하는 그루브에 따른 위치마다 1% 이상 달라질 수 있다. 예를 들어, 그루브의 깊이는 유전체 판의 중심점으로부터 상이한 각도로 그루브를 따라 달라질 수 있다. 다른 실시예에서, 그루브 깊이들은 2개 이상의 그루브 사이에 달라질 수 있지만, 각 그루브 내의 깊이는 상대적으로 일정할 수 있다. 다른 실시예에서, 2개 이상의 그루브 사이의 간극은 유전체 판의 중심을 둥글게 둘러싸는 그루브들을 따라 서로에 대해 달라질 수 있다. 주기적 패턴들은 다른 그루브들과 비교할 때 비대칭적일 수 있다. 대안적으로, 그루브들의 주기적 패턴은 다른 실시예에서 대칭적일 수 있으며, 이로써 주기적 패턴들은 서로에 대해 동일한 패턴 또는 패턴 주파수를 갖지만, 그루브들은 유전체 판의 중심으로부터 상이한 거리들에 위치할 수 있다. 일 특정 실시예에서, 유전체 판은 유전체 판의 중심점 주위에 적어도 2개의 그루브를 포함할 수 있다. 제1 그루브는 10mm의 깊이를 가질 수 있고, 제2 그루브는 25mm 이하의 깊이를 가질 수 있다. 다른 특정 실시예에서, 유전체 판은 이전 실시예에서의 2개의 제1 그루브 이외에 하나 이상의 추가 그루브를 포함할 수 있다. 추가 그루브들은 10mm 내지 25mm의 깊이들을 포함할 수 있다. 또한, 추가적인 그루브들은 동일한 깊이를 갖도록 요구 받지 않는다.
다른 실시예에서, 유전체 판은 환형 방식으로 배열된 트렌치들을 포함할 수 있으며, 이로써 트렌치들은 유전체 판의 중심 주위에서 연속적이거나 불연속적일 수 있다. 트렌치들의 깊이 및 폭은 그루브들에 대해 전술된 바와 같이 달라질 수 있다. 트렌치들은 비선형 단면 기하학적 구조들을 포함할 수 있지만, 또한 상대적으로 선형인 부위들과 비선형 기하학적 구조의 조합을 포함할 수 있다. 이와 같이, 트렌치의 부위들은 직선일 수 있지만, 트렌치의 표면들 사이에 예리한 각도 또는 에지들이 부족할 수 있다.
이 요약 섹션이 본 개시 또는 청구된 발명의 모든 실시예 및/또는 점진적 신규한 양태를 특정하는 것은 아니라는 점에 유의한다. 그 대신, 이 요약은 단지 종래 기법들에 비해 상이한 실시예들 및 대응하는 신규 사항들의 예비적인 논의를 제공한다. 본 발명 및 실시예들의 추가적인 세부 사항들 및/또는 가능한 관점들의 경우, 독자는 이하 더 후술될 본 개시의 상세한 설명 섹션 및 대응 도면으로 안내된다.
본 발명의 다양한 실시예들의 더 완벽한 공감 및 수반하는 이점들의 다수는 첨부 도면들과 함께 고려되는 다음의 상세한 설명을 참조하여 용이하게 명확해질 것이다. 도면들은 반드시 스케일대로 도시된 것은 아니며, 그 대신에 피쳐들, 원리들, 및 개념들을 예시하는데 중점을 두었다.
도 1은 여기에 개시된 실시예들에 따라 단면도 플라즈마 프로세싱 챔버를 포함하는 플라즈마 프로세싱 장치의 대표적인 실시예의 개략도이다.
도 2a 및 도 2b는 플라즈마 프로세싱 챔버에서 유전체 판의 일 실시예의 저면도, 단면도, 사시도를 예시한다.
도 3은 플라즈마 프로세싱 챔버에서 유전체 판의 다른 실시예의 단면도 및 사시도를 예시한다.
도 4는 플라즈마 프로세싱 챔버에서 유전체 판의 주기적 패턴 실시예의 저면도 및 사시도를 예시한다.
도 5a 및 도 5b는 플라즈마 프로세싱 챔버에서 유전체 판에서의 피쳐들을 위한 가변 깊이 실시예의 저면도 및 사시도를 예시한다.
다음의 설명에서, 여기에 사용된 다양한 컴포넌트들 및 프로세스들의 설명들 및 프로세싱 장치의 특정한 기하학적 구조와 같은 특정 세부 사항들이 개시된다. 그러나, 본 발명은 이들 특정 세부 사항들로부터 벗어난 다른 실시예들에서 실시될 수 있고, 이러한 세부 사항들은 한정이 아닌 설명 목적이라는 점이 이해되어야 한다. 여기에 개시된 실시예들은 첨부 도면들을 참조하여 설명될 것이다. 이와 유사하게, 설명 목적으로, 완전한 이해를 제공하기 위해 특정 숫자, 물질, 및 구성들이 개시된다. 그럼에도 불구하고, 실시예들은 이러한 세부 사항들 없이 실시될 수 있다. 실질적으로 동일한 기능 구조들을 갖는 컴포넌트들은 동일한 문자에 의해 표시되며 이로써 임의의 불필요한 설명들이 생략될 수 있다.
다양한 실시예들을 이해하는 것을 보조하기 위해 다수의 별개 동작들로서 다양한 기법들이 설명될 것이다. 설명의 순서는 이들 동작이 반드시 순서 의존적이라는 것을 내포한다고 간주되지 않아야 한다. 실제로, 이들 동작은 제시된 순서로 수행될 필요가 없다. 설명된 동작들은 설명된 실시예와 상이한 순서로 수행될 수 있다. 다양한 추가 동작들인 수행되거나/될 수 있고, 설명된 동작들은 추가 실시예들에서 생략될 수 있다.
여기에 사용된 “기판” 또는 “대상 기판”은 총칭적으로 본 발명에 따라 처리될 물체를 지칭한다. 기판은 디바이스의 임의의 물질 부위 또는 구조체, 특히 반도체 또는 다른 전자 디바이스를 포함할 수 있고, 예를 들어, 반도체 웨이퍼와 같은 베이스 기판 구조체 또는 박막과 같은 베이스 기판 구조체 위의 또는 이를 덮는 층일 수 있다. 이로 인해, 기판은 패턴화되거나 패턴화되지 않은 임의의 특정한 베이스 구조체, 하부 층(underlying layer), 또는 상부 층(overlying layer)으로 제한되지 않으며, 임의의 이러한 층 또는 베이스 구조체 및 층들 및/또는 베이스 구조체들의 임의의 조합을 포함하는 것으로 간주된다. 이하의 설명은 특정 타입의 기판들을 참조할 수 있지만, 이는 단지 예시적인 목적일 뿐이다.
여기에 개시된 기법들은 플라즈마 프로세싱 장치 및 균일한 플라즈마 생성을 가능하게 하도록 구조화된 수반하는 전극 판을 포함한다. 전극 판은 플라즈마 발생 공간을 마주하는 표면을 갖고, 초단파(Very High Frequency, VHF) 무선 주파수(RF) 전력을 이용하여 플라즈마를 생성하는 경우에도 이러한 플라즈마 대면 표면(plasma-facing surface)은 플라즈마 균일성을 증진시키는 구조체들을 포함한다. 이러한 표면 구조체들은 상승된 동심 고리들, 내포된 루프들, 또는 방사상 장벽(radial barrier)을 제공하는 다른 돌출부들을 포함할 수 있다. 동심 고리 세트로부터의 각각의 고리는 인접 고리들로부터의 간격뿐 아니라, 거시적 및 미시적 플라즈마 균일성 모두를 증진하도록 디자인된 단면 높이, 단면 폭, 및 단면 형상을 가질 수 있다.
상이한 접근법을 이용하여 플라즈마를 생성하는 다수의 상이한 플라즈마 프로세싱 장치들이 존재한다. 예를 들어, 다양한 접근법들은 특히 유도 결합 플라즈마(inductively coupled plasma, ICP), 방사형 라인 슬롯 안테나(radial line slot antenna, RLSA), 및 용량 결합 플라즈마(capacitively coupled plasma, CCP)를 포함할 수 있다. 편의를 위해, 여기에 제시된 실시예들은 RLSA 시스템의 맥락에서 설명될 것이지만, 그럼에도 불구하고 전극들을 이용한 다른 접근법들이 다양한 실시예들과 함께 이용될 수 있다.
도 1은 여기의 실시예들에 따라 플라즈마 프로세싱 장치의 개략적인 구성을 도시한 단면도이다. 도 1에서의 플라즈마 프로세싱 장치(100)은 플라즈마 챔버(102)에서 발생된 플라즈마(미도시)를 이용하여 기판들을 처리하는 플라즈마 에칭 장치이다. 플라즈마는 가스 전달 시스템(104)에 의해 제공된 가스를 이온화하고 하나 이상의 전원들(106)에 의해 제공된 전자기 에너지에 가스를 노출함으로써 플라즈마 챔버(102)에서 발생될 수 있다. 진공 시스템(109)은 또한 플라즈마 발생 동안 플라즈마 챔버(102) 내에 대기압보다 낮은 압력을 유지할 수 있다. 가스 전달 시스템(104)은 플라즈마 챔버(102)로의 플로우 가스를 제어하기 위해 사용될 매스 플로우 컨트롤러(mass flow controller)들, 점검 밸브들 등을 포함할 수 있다. 진공 시스템(108)은 플라즈마 챔버(102) 내의 압력을 제어하기 위해 하나 이상의 펌프 및 제어 시스템들(예를 들어, N2 밸러스트 시스템(N2 ballast system), 버터플라이 밸브 시스템)을 포함할 수 있다.
전자기 에너지를 전기적 중성 가스에 적용하여 음 대전 전자들로 하여금 손실된 전자의 결과로서 양으로 대전된 가스 분자로부터 방출되게 함으로써 플라즈마 발생이 행해질 수 있다. 시간이 지남에 따라, 가스 내의 증가하는 전자 충돌들 및 전자기 에너지는 가스 내의 이온화된 분자들의 밀도를 증가시킬 수 있으며, 이로써 이온화된 분자들은 플라즈마 챔버(102) 내의 잠재적 차이들에 의해 영향을 받을 수 있다. 예를 들어, 플라즈마 챔버(102) 내의 잠재적 차이들은 기판(미도시)을 향해 이온화 분자들(또는 원자들 또는 라디칼(radical)들)을 향하게 할 수 있다. 이온화 분자들은 기판의 일부를 제거하거나 기판에 증착될 수 있는 방식으로 기판과 상호 작용하거나 기판을 처리할 수 있다. 이와 같이, 패턴들이 기판으로 에칭될 수 있다. 여기서의 기법들은 플라즈마 세척, 플라즈마 중합(polymerization), 플라즈마 보조 화학 증기 증착 등을 위한 다른 플라즈마 프로세싱 장치들을 활용하여 이용될 수 있다는 점에 주목한다.
단면 도면(112)는 기판 홀더(116)에 근접한 영역으로 마이크로파 에너지, RF 에너지, 및 가스의 전송을 가능하게 하는 전원 어셈블리(114)의 일 실시예를 도시할 수 있다. 전원 어셈블리(114)의 중심을 통해 가스 통로(118)에 따라 기판 홀더(116)에 근접한 플라즈마 프로세싱 영역으로 가스가 주입될 수 있다. 다른 실시예들에서, 플라즈마 챔버(102) 내의 다른 위치들로부터 가스가 주입될 수 있다. 플라즈마 프로세싱 영역은 또한 기판 홀더(116)에 배치될 수 있는 기판(120)을 처리하기 위해 사용될 수 있는 플라즈마를 발생시키기 위해 전원 어셈블리(114)로부터 에너지를 수신할 수 있다. 에너지는 마이크로파 도파관(microwave waveguide; 122)과 기판 홀더(116)의 맞은편에 있는 유전체 컴포넌트(124) 사이에 배치된 안테나 판(120)으로부터 몇몇 방식으로 모두 송신되는 마이크로파 에너지와 RF 에너지의 조합을 포함할 수 있다. 이 실시예에서, 안테나 판(120), 마이크로파 도파로(122), 및 유전체 컴포넌트(124)는 가스 통로(118) 주위에 배치될 수 있다. 이로써 가스 통로(118)의 각 측면에 예시되어 있는 전술된 컴포넌트들은 동일하거나 연속적인 컴포넌트 배열을 가질 수 있다.
안테나 판(120)은 기판 홀더(116)에 실질적으로 평행할 수 있는 평면에서 전원 어셈블리(114) 주위에 전자기 에너지가 분포될 수 있게 하는 방식으로 배열될 수 있다. 전자기 에너지는 유전체 컴포넌트(124)를 통해 송신될 수 있고, 유전체 컴포넌트(124)와 기판 홀더(116) 사이에 배치된 가스와 상호 작용할 수 있다. 가스와 전자기 에너지 사이의 상호 작용은 유전체 컴포넌트(124)의 구성에 의해 최적화되거나 달라질 수 있다. 예를 들어, 전자기 에너지에 의해 생성된 플라즈마의 균일성은 유전체 컴포넌트(124)로부터 돌출되거나 그 안의 기하학적 구조 피쳐들에 적어도 부분적으로 기반하여 달라질 수 있다. 도 1 실시예에서, 유전체 컴포넌트(124)는 비선형 단면 기하학적 구조를 갖고, 유전체 컴포넌트(124)의 중심으로부터 달라지는 반경을 갖는 동심 방식(concentric manner)으로 배열될 수 있는 환형 그루브들(26)을 포함할 수 있다. 전자기 에너지의 분포는 또한 이로 제한되는 것은 아니지만 두께, 조성, 및/또는 굴절률 특징들을 포함할 수 있는 유전체 컴포넌트(124)의 추가 피쳐들에 의해 영향을 받을 수 있다.
일 실시예에서, 안테나(120)는 프로세스 챔버(102)로부터의 반사를 최소화하기 위해 매칭 유닛을 통합할 수 있는 마이크로파 전원(108)에 결합될 수 있다. 마이크로파 전원(108)은 500W와 5000W 사이에서 동작하고 최대 5GHz의 주파수에서 동작할 수 있다. 안테나(120) 및 유전체 컴포넌트(124)는 마이크로파 전원(108)에 의해 제공된 전자기 에너지에 대한 노출을 견디기 위해 임의의 적절한 물질로 구성될 수 있다. 다른 실시예들에서, 전원(106)은 또한 마이크로파 전원(108) 대신에 무선 주파수 전원(미도시)을 포함할 수도 있다.
일 실시예에서, 유전체 컴포넌트는 플라즈마에 대한 노출을 견딜 수 있는 수정 및 플라즈마 챔버(102) 내에 플라즈마를 발생시키는데 사용되는 화학 물질들로 구성될 수 있다. 일부 실시예에서, 비-수정(non-quartz) 물질들은 안테나(120)로부터의 전자기 에너지가 플라즈마 챔버(102) 내에 플라즈마를 발생시키기 위해 사용되도록 허용하는 동일한 화학적/플라즈마 저항성 및 전도성을 가질 수 있는 유전체 컴포넌트(124)에 사용될 수 있다.
도 2a는 플라즈마 챔버(102)에 사용될 수 있는 유전체 컴포넌트(124)의 일 실시예의 저면도(200)를 예시한다. 유전체 컴포넌트(124)는 유전체 컴포넌트(124)의 표면 내외로 돌출된 동심 그루브들을 갖도록 디자인될 수 있다. 하나 이상의 그루브(202)가 유전체 컴포넌트(예를 들어, 가스 통로(118))의 중심으로부터의 다양한 반경에서 유전체 컴포넌트(124)에 통합될 수 있다. 2 이상의 그루브들(202)을 갖는 실시예들에서, 플라즈마 챔버(102) 내의 균일한 프로세스 결과들을 가능하게 할 필요가 있으므로, 그루브들(202)은 동심 방식으로 배열되어 분포될 수 있다. 도 2a 실시예에서, 그루브들(202)은 유전체 컴포넌트(124) 전역에 고르게 분포될 수 있다. 그러나, 다른 실시예에서, 그루브들(202)의 밀도는 더 높은 집중도의 그루브들(202)이 유전체 컴포넌트(124)의 에지 근처에 존재할 수 있도록 달라질 수 있다. 이 예시에서, 유전체 컴포넌트(124)의 반경의 50%보다 큰 반경을 갖는 그루브들의 개수는 유전체 컴포넌트(124)의 반경의 50% 미만인 반경을 갖는 그루브들(202)의 개수보다 클 수 있다. 일 특정 실시예에서, 3개의 그루브들(202)은 유전체 컴포넌트(124)의 반경의 적어도 50%보다 큰 반경을 가질 수 있다. 예를 들어, 유전체 컴포넌트(124)가 150mm의 반경을 가질 때, 3개의 그루브들(202)은 최소 75mm 내지 최대 150mm 미만의 반경을 가질 수 있다. 다른 실시예들에서, 그루브들(202)의 집중도(concentration)는 유전체 컴포넌트(124)의 중심에 가까울수록 더 높을 수 있다. 예를 들어, 150mm의 반경 예시에서, 75mm보다 큰 반경을 갖는 그루브들(202)보다 75mm의 미만의 반경을 갖는 가질 수 있는 더 많은 그루브들(202)이 존재할 것이다.
일 특정 실시예에서, 유전체 컴포넌트(124)는 유전체 컴포넌트의 중심부 주위에 동심 방식으로 배치된 10개의 그루브를 포함할 수 있다. 10개의 그루브(202)는 유전체 컴포넌트(124)의 표면 전역에 고르게 분포될 수 있다.
도 2a 및 도 2b에 예시된 실시예들에서, 그루브들은 유전체 컴포넌트(124)로 돌출되며, 이로써 그루브들(202)은 유전체 컴포넌트(124)의 상부 표면(204) 아래로 연장된다. 도 2b에서, 도 2a 실시예의 단면도(206) 및 사시도(208)가 예시된다. 사시도(208) 예시는 도 2a 및 단면도(206)에 캡쳐된 실시예에 도시된 피쳐들을 명확하게 하기 위한 것이다.
단면도(206)에서, 유전체 컴포넌트(124)는 안테나(120)에 더 가깝게 배치될 수 있는 제1 표면(210) 및 제1 표면(210)의 맞은편에 있고 제1 표면과 기판 홀더(116) 사이에 배치될 수 있는 제2 표면(212)을 포함할 수 있다. 제1 표면(210)과 제2 표면(212) 사이의 거리는 10mm 내지 30mm일 수 있다. 일정한 실시예들에서, 거리는 제1 표면(210)과 제2 표면(212) 사이의 가장 두꺼운 부위들로부터 측정될 수 있다. 도 2b 실시예에서, 그루브들(202)은 제2 표면(212)에서 개구를 갖는 비선형 단면 기하학적 구조를 갖고, 유전체 컴포넌트(124)로 연장된다. 비선형 기하학적 구조는 제2 표면(212)를 향해 그루브(202)의 가장 깊은 부위로부터 연장되는 중심선(미도시)을 따라 초점(focal point)으로부터 측정될 수 있는 타원형 패턴을 포함할 수 있다. 예를 들어, 그루브(202) 단면은 단면 라인이 제2 표면(212)과 상호 교차할 때까지 그루브의 가장 깊은 부위로부터 곡률 반경을 유지할 수 있다.
일 실시예에서, 그루브(202)의 개구는 10mm와 60mm 사이일 수 있다. 개구는 제2 표면(212)와 바로 인접한 단면 라인들의 교차 지점들로부터 측정될 수 있다. 그루브(202)의 깊이는 제2 표면(212)의 평면으로부터 그루브(202)가 유전체 컴포넌트(124)로 연장되는 가장 깊은 부위까지 측정될 수 있다. 그루브(202)의 가장 깊은 부위는 유전체 컴포넌트(124) 전역의 평면을 따라 연장되는 깊이 라인(214)으로부터 측정될 수 있다. 그루브(202) 깊이는 5mm와 25mm 사이에서 달라질 수 있다. 이 실시예에서, 그루브들의 깊이는 유전체 컴포넌트(124) 전역에 유사하거나 동일할 수 있다. 그러나, 그루브들(202)은 다른 실시예들에서 동일한 깊이를 갖도록 요구 받지 않을 수 있다.
도 3은 그루브들(202)의 깊이를 달리 하는 유전체 판(124)의 다른 실시예의 단면도(300) 및 사시도(302)를 예시한다. 그루브들(202)의 깊이는 유전체 컴포넌트(124)를 통해 안테나(120)로부터 플라즈마 챔버(102)로 송신되는 전자기 에너지의 양 또는 균일성에 영향을 미칠 수 있다.
일 실시예에서, 그루브들(202)의 깊이는 가장 깊은 그루브(202)의 적어도 1%만큼 달라진다. 그루브 깊이는 외부 에지로부터 유전체 컴포넌트(124)의 중심을 향해 내림 차순(descending order)으로 달라질 수 있다. 예를 들어, 외부 그루브들 중 하나 이상의 제1 영역은 약 25mm의 깊이를 가질 수 있다. 중심에 더 가까울 수 있는 하나 이상의 그루브(304)의 제2 영역은 10mm 내지 25mm의 깊이를 가질 수 있고, 중심에 더 가까운 하나 이상의 그루브(304)의 제3 영역은 10mm 미만의 깊이를 가질 수 있다. 상이한 그루브 깊이들은 플라즈마 챔버 내의 플라즈마 균일성에 영향을 줄 수 있는데, 이로써 중심에서 에지까지의 균일성은 유전체 컴포넌트(124)의 중심 또는 에지에 대해 그루브(202)의 깊이 및 위치에 따라 달라질 수 있다. 또는, 유전체 컴포넌트(124)는 상이한 깊이를 갖는 3개의 영역을 갖도록 요구 받지 않는다. 예를 들어, 2개 이상의 그루브가 존재할 수 있고, 2개 이상의 그루브는 이들 그루브 사이에 단지 2개의 상이한 깊이를 가질 수 있다(예를 들어, 10mm 또는 25mm).
다른 실시예에서, 그루브 깊이는 유전체 컴포넌트(124)의 중심에 가까울수록 더 클 수 있으며, 그루브들(202)이 유전체 컴포넌트(124)의 에지에 접근할수록 감소할 수 있다. 예를 들어, 하나 이상의 외부 그루브의 제1 영역은 10mm 미만의 깊이를 가질 수 있고, 제2 영역은 10mm 내지 25mm의 깊이를 갖는 하나 이상의 그루브를 포함할 수 있다.
도 4는 유전체 컴포넌트(124)에서 주기적 환형 패턴 실시예의 저면도(400)를 예시한다. 도 2a 내지 도 3의 이전 실시예들과 달리, 그루브들(202)은 지속적으로 동심이라고 요구 받지 않을 수 있고, 주기적 패턴을 가질 수 있다. 주기적 그루브들(406)은 제2 표면으로부터 볼 때 최소 반경(408)과 최대 반경(410) 사이에서 번갈아 나타날 수 있다. 일 실시예에서, 최소 지점 및 최대 지점은 도 4a에 도시된 바와 같이 주기적 그루브들(406) 사이에 정렬될 수 있다. 그러나, 다른 실시예들에서, 인접한 주기 그루브들의 최소 지점과 최대 지점은 최대 90°만큼 오프셋될 수 있다. 또한, 주기적 패턴들의 빈도는 또한 도 4a에 도시된 것으로부터 달라질 수 있고, 빈도는 또한 상이한 주기적 그루브들(406) 사이에 달라질 수 있다. 예를 들어, 외부의 주기적 그루브(406)는 내부의 주기적 그루브(408)와 상이한 빈도(미도시)를 가질 수 있다.
도 5a 및 도 5b는 플라즈마 프로세싱 장치(100)를 위한 유전체 컴포넌트(124)에서 그루브들(504)을 위한 가변 깊이 실시예의 저면도(500) 및 사시도(502)를 예시한다. 대략적으로, 그루브의 깊이는 그루브(202)의 길이에 따라 달라질 수 있다. 도 5a 및 도 5b 실시예에서, 깊이는 최대 깊이 부위(508)를 향해 변이하는 최소 깊이 부위(506)를 포함할 수 있는 주기적 방식으로 달라질 수 있다. 최대 깊이 부위(508)를 향해 변이하는 최소 깊이 부위(506)의 변이는 그루브(504)를 따라 반복될 수 있는 빈도를 포함할 수 있는 웨이브 패턴을 따를 수 있다. 추가적인 그루브들(예를 들어, 그루브(510))은 동일한 빈도를 가질 수 있거나 가질 수 없는 가변 깊이를 가질 수 있고, 일부 경우에 인접 그루브들(504)과 상이한 최소 깊이 및 최대 깊이를 가질 수 있다. 최소 깊이 부위(506)는 5mm 내지 20mm의 깊이 범위를 갖고, 최대 깊이 부위(508)는 10mm 내지 25mm에서 깊이가 달라질 수 있다.
다른 실시예들(미도시)에서, 그루브들(202)은 도 4a와 도 4b 및 도 5a와 도 5b에서의 실시예들의 조합을 이용하여 구현될 수 있으며, 이로써 그루브는 유전체 컴포넌트 주위의 그루브 깊이 및 위치에 관한 주기 패턴을 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 4a에서의 그루브들은 일정한 깊이를 갖지 않을 수 있고, 도 5a에 도시된 바와 같이 달라질 수 있다. 다른 실시예들에서, 그루브들은 그루브들의 제1 부분이 그루브들의 다른 부분(미도시)과 상이한 특징들을 가질 수 있는 디자인들의 조합을 포함할 수 있다. 그 특징들은 깊이, 개구 폭, 유전체 컴포넌트의 중심 주위의 주기적 패턴들(예를 들어, 도 4a) 또는 주기적 깊이 패턴들(예를 들어, 도 5a)을 포함할 수 있지만, 이들로 제한되지 않는다. 예를 들어, 유전체 컴포넌트의 에지에 더 가까운 그루브들은 유전체 컴포넌트(124)의 중심에 더 가까울 수 있는 그루브들에 포함되지 않을 수 있는 주기적 패턴들을 포함함으로써 더 높은 변화도를 가질 수 있다. 일 실시예에서, 외부 그루브들은 도 4a의 실시예, 도 5a의 실시예, 또는 그 조합과 유사한 피쳐들을 포함할 수 있고, 내부 그루브들은 도 2a에 예시된 실시예, 도 3a에 예시된 실시예, 또는 그 조합과 유사한 피쳐들을 포함할 수 있다. 마찬가지로, 다른 실시예에서, 내부 그루브들은 도 4a의 실시예, 도 5a의 실시예, 또는 그 조합과 유사한 피쳐들을 포함할 수 있고, 외부 그루브들은 도 2a에 예시된 실시예, 도 3a에 예시된 실시예, 또는 그 조합과 유사한 피쳐들을 포함할 수 있다. 그러나, 일정 조건 하에서, 인접 그루브 사이에 그루브 특성이 번갈아 나타나거나, 그루브들이 유전체 컴포넌트(124) 전역에서 서로 상이한 것이 바람직할 수 있다. 예를 들어, 번갈아 나타나는 그루브들은 2개의 그루브 디자인이 유전체 컴포넌트(124) 전역에서 2개 이상의 그루브 사이에서 번갈아 나타나는 1대1 방식으로 디자인들 사이에 변경될 수 있다. 일례로서 이로 제한되는 것은 아니지만, 2개 이상의 그루브들은 일 특정 실시예에서 도 4a 실시예와 도 5a 실시예 사이에 번갈아 나타날 수 있다. 다른 특정 실시예에서, 바로 인접한 그루브들(예를 들어, 적어도 2개의 그루브)은 유사한 디자인을 가질 수 있고, 인접 그루브들의 어느 한 측에 있는 그루브들은 적어도 약간 상이한 디자인을 가질 수 있다. 예를 들어, 그 차이는 상이한 개구 폭일 수 있지만, 이로 제한되는 것은 아니다. 그러나, 그 차이들은 도 1 내지 도 5b의 설명들에서 설명된 실시예들의 임의의 조합을 포함할 수 있다.
임의의 실시예들에서, 그루브들의 기하학적 구조의 변동은 그루브(202)의 비선형 요소들과 함께 선형 요소를 가질 수 있다. 대략적으로, 타원형 패턴은 더 높은 곡률 반경을 갖는 비선형 영역으로 변이하는 상대적으로 편평한 영역을 가질 수 있는데, 이는 트렌치(미도시)라고 지칭될 수 있다. 트렌치들은 도 1 내지 도 5b의 설명에서 전술된 바와 같이 트렌치 깊이 및 개구 폭에 관해 동일하거나 유사한 치수들을 가질 수 있다. 그러나, 트렌치의 단면 기하학적 구조의 선형 부분들은, 트렌치를 그루브(202)와 구별할 수 있다.

Claims (20)

  1. 마이크로 전자 기판용 플라즈마 프로세싱 장치에 있어서,
    상기 마이크로 전자 기판을 수용할 수 있는 기판 홀더;
    상기 기판 홀더의 맞은편에 배치된 안테나; 및
    상기 기판 홀더와 상기 안테나 사이에 배치된 유전체 컴포넌트를 포함하고,
    상기 유전체 컴포넌트는,
    제1 표면;
    상기 제1 표면 맞은편에 있고 상기 제1 표면보다 상기 안테나로부터 더 멀리 있는 제2 표면;
    30mm 미만의 두께; 및
    상기 유전체 컴포넌트의 중심점 주위에 배치된 2 이상의 동심 그루브(concentric groove)를 포함하고,
    상기 그루브들은,
    비선형 단면;
    상기 유전체 컴포넌트의 제2 표면에서의 10mm 내지 60mm의 폭; 및
    상기 제2 표면으로부터의 5mm 내지 25mm의 깊이를 포함하는 것인 마이크로 전자 기판용 플라즈마 프로세싱 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 동심 그루브들 각각은 상기 중심점 주위에 고리를 형성하는 것인 마이크로 전자 기판용 플라즈마 프로세싱 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 그루브들 중 적어도 하나의 깊이는 상기 그루브를 따르는 위치마다 1% 이상 달라지는 것인 마이크로 전자 기판용 플라즈마 프로세싱 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 그루브들은 상기 중심점 주위의 상기 그루브의 깊이가 달라지는 주기적 패턴을 포함하는 것인 마이크로 전자 기판용 플라즈마 프로세싱 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 2 이상의 그루브 사이의 거리는, 상기 그루브들을 따르는 위치마다 달라지는 것인 마이크로 전자 기판용 플라즈마 프로세싱 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 그루브들 각각의 깊이는 서로 상이한 것인 마이크로 전자 기판용 플라즈마 프로세싱 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 그루브들은,
    10mm 미만의 제1 깊이를 포함하는 제1 그루브; 및
    25mm 미만의 제2 깊이를 포함하는 제2 그루브를 포함하는 것인 마이크로 전자 기판용 플라즈마 프로세싱 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 그루브들은 상기 제2 깊이보다 큰 제3 깊이 및 상기 제1 그루브 또는 상기 제2 그루브의 둘레보다 큰 둘레를 포함하는 제3 그루브를 더 포함하는 것인 마이크로 전자 기판용 플라즈마 프로세싱 장치.
  9. 장치에 있어서,
    제1 표면;
    상기 제1 표면의 맞은편에 배치되어 환형 방식으로 배열된 2 이상의 그루브들을 포함하는 제2 표면으로서, 상기 그루브들은,
    곡선 단면 기하학적 구조; 및
    상기 제2 표면을 따라 거리마다 달라지고 25mm 미만인 그루브 깊이를 포함하는 것인 제2 표면;
    전자기 에너지로 하여금 상기 제1 표면으로부터 상기 제2 표면으로 송신될 수 있게 하는 유전체 컴포넌트; 및
    30mm 미만이며, 상기 제1 표면과 상기 제2 표면 사이의 거리
    를 포함하는 장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 그루브의 개구는, 상기 그루브들의 환형 위치에 따라 상기 유전체 판의 중심점으로부터의 거리가 달라지는 것인 장치.
  11. 제9항에 있어서, 상기 그루브들은 60mm의 최대 폭을 포함하는 것인 장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 그루브들은 10mm의 최소 폭을 포함하는 것인 장치.
  13. 제9항에 있어서, 상기 그루브 깊이는 5mm 이상 인 것인 장치.
  14. 제9항에 있어서, 상기 유전체 물질은 수정을 포함하는 것인 장치.
  15. 제9항에 있어서, 적어도 2개의 상기 그루브는,
    제1 그루브; 및
    상기 그루브 깊이, 폭, 또는 환형 패턴 중 적어도 하나 이상이, 상기 제1 그루브와 상이한 제2 그루브를 포함하는 것인 장치.
  16. 장치에 있어서,
    제1 표면;
    상기 제1 표면의 맞은편에 배치되어 환형 방식으로 배열된 2 이상의 트렌치들을 포함하는 제2 표면으로서, 상기 트렌치들은,
    비선형 부분과 선형 부분을 포함하는 단면;
    상기 제2 표면에 따른 주기적 패턴;
    상기 제2 표면에서의 10mm 내지 60mm의 트렌치 개구 폭을 포함하는 것인 제2 표면;
    전자기 에너지로 하여금 상기 제1 표면으로부터 상기 제2 표면으로 송신될 수 있게 하는 유전체 물질; 및
    30mm 미만의 두께를 포함하는 장치.
  17. 제16항에 있어서, 상기 트렌치들은, 상기 제2 표면을 따라 거리마다 달라지고 25mm 미만인 트렌치 깊이를 포함하는 것인 장치.
  18. 제16항에 있어서, 상기 트렌치들은,
    10mm 미만의 제1 깊이를 포함하는 제1 트렌치; 및
    25mm 미만의 제2 깊이를 포함하는 제2 트렌치를 포함하는 것인 장치.
  19. 제18항에 있어서, 상기 트렌치들은, 상기 제2 깊이보다 큰 제3 깊이 및 상기 제1 트렌치 또는 상기 제2 트렌치의 둘레보다 큰 둘레를 포함하는 제3 그루브를 더 포함하는 것인 장치.
  20. 제16항에 있어서, 상기 2 이상의 트렌치들의 주기적 패턴이 정렬되는 것인 장치.
KR1020150078798A 2014-06-03 2015-06-03 상부 유전체 수정판 및 슬롯 안테나 개념 KR101788918B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201462007250P 2014-06-03 2014-06-03
US62/007,250 2014-06-03

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150139467A true KR20150139467A (ko) 2015-12-11
KR101788918B1 KR101788918B1 (ko) 2017-11-15

Family

ID=54702609

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150078798A KR101788918B1 (ko) 2014-06-03 2015-06-03 상부 유전체 수정판 및 슬롯 안테나 개념

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9947516B2 (ko)
JP (1) JP6062491B2 (ko)
KR (1) KR101788918B1 (ko)
TW (1) TWI611456B (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI680609B (zh) * 2017-07-06 2019-12-21 矽品精密工業股份有限公司 天線結構
JP7300957B2 (ja) * 2019-10-08 2023-06-30 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及び天壁
CN110856331A (zh) * 2019-11-17 2020-02-28 北京东方计量测试研究所 一种用于空间等离子体环境模拟的均匀射频等离子体源

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3594667A (en) * 1968-11-15 1971-07-20 Varian Associates Microwave window having dielectric variations for tuning of resonances
JP2770753B2 (ja) 1994-09-16 1998-07-02 日本電気株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
TW328617B (en) * 1996-03-28 1998-03-21 Sumitomo Metal Ind Plasma processing device and plasma processing method
JP3723783B2 (ja) * 2002-06-06 2005-12-07 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP4563729B2 (ja) 2003-09-04 2010-10-13 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP4093212B2 (ja) * 2004-07-23 2008-06-04 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP4756540B2 (ja) * 2005-09-30 2011-08-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置と方法
JP2008182102A (ja) * 2007-01-25 2008-08-07 Tokyo Electron Ltd 天板部材及びこれを用いたプラズマ処理装置
JP5096047B2 (ja) 2007-06-14 2012-12-12 東京エレクトロン株式会社 マイクロ波プラズマ処理装置およびマイクロ波透過板
JP5374853B2 (ja) * 2007-10-17 2013-12-25 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US8967080B2 (en) * 2008-02-13 2015-03-03 Tokyo Electron Limited Top plate of microwave plasma processing apparatus, plasma processing apparatus and plasma processing method
US8323521B2 (en) * 2009-08-12 2012-12-04 Tokyo Electron Limited Plasma generation controlled by gravity-induced gas-diffusion separation (GIGDS) techniques
US8415884B2 (en) * 2009-09-08 2013-04-09 Tokyo Electron Limited Stable surface wave plasma source

Also Published As

Publication number Publication date
JP6062491B2 (ja) 2017-01-18
KR101788918B1 (ko) 2017-11-15
TW201611081A (zh) 2016-03-16
US9947516B2 (en) 2018-04-17
JP2015231050A (ja) 2015-12-21
TWI611456B (zh) 2018-01-11
US20150348761A1 (en) 2015-12-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI502619B (zh) 用於電漿處理設備之電極、電漿處理設備、以及使用電漿處理設備產生電漿的方法
KR100394484B1 (ko) 플라즈마 처리 방법 및 장치
US20140138030A1 (en) Capacitively coupled plasma equipment with uniform plasma density
US10418224B2 (en) Plasma etching method
US10796916B2 (en) Microwave plasma device
KR20120094980A (ko) 플라즈마 처리장치
WO2014172112A1 (en) Capacitively coupled plasma equipment with uniform plasma density
KR101274515B1 (ko) 플라즈마 처리장치
KR101788918B1 (ko) 상부 유전체 수정판 및 슬롯 안테나 개념
CN112534552B (zh) 等离子处理装置
KR20090033877A (ko) 유도 결합 코일 및 그 유도 결합 플라즈마 장치
US20140262042A1 (en) Microwave Surface-Wave Plasma Device
KR20130072941A (ko) 플라즈마 식각 장치
JP6595335B2 (ja) プラズマ処理装置
US11037765B2 (en) Resonant structure for electron cyclotron resonant (ECR) plasma ionization
WO2021055095A1 (en) Plasma processing apparatuses including multiple electron sources
JP5363901B2 (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
KR102580452B1 (ko) 안테나 및 플라즈마 처리 장치
KR20110097533A (ko) 다중 용량 결합 전극 어셈블리 및 이를 구비한 플라즈마 처리장치
KR20060026321A (ko) 플라즈마 처리 장치 및 그 제어 방법
KR20080058626A (ko) 유도 결합형 플라즈마 안테나와, 이를 이용한 기판 처리장치 및 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
GRNT Written decision to grant