JPH0314228A - プラズマ処理装置 - Google Patents

プラズマ処理装置

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JPH0314228A
JPH0314228A JP15163889A JP15163889A JPH0314228A JP H0314228 A JPH0314228 A JP H0314228A JP 15163889 A JP15163889 A JP 15163889A JP 15163889 A JP15163889 A JP 15163889A JP H0314228 A JPH0314228 A JP H0314228A
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JP
Japan
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plate
plasma
electrode plate
processing apparatus
electrode
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Pending
Application number
JP15163889A
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English (en)
Inventor
Tatsuo Sakai
阪井 達生
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、プラズマ処理装置に関し、特に平行平板型の
電極を有するトライエツチングもしくはCVD装置に関
する。
〔従来の技術〕
第6図は従来の一例を示すプラズマ処理装置の模式断面
図である。従来、この種のプラズマ処理装置は、同図に
示すように、処理室3内に対向して配置された上部電極
板2と下部電極板5と、この下部電極板5に搭載された
被処理?!14に高周波電圧を印加するための高周波電
源装置6を有していた。通常、このプラズマ処理装置を
使用して、被処理物4をエツチング等の処理する場合は
、下部電極板5に被処理物4を搭載し、処理室内の空気
をガス置換した後に、上部電極板2と下部電極板5との
間に高周波電圧を印加し、プラズマ放電を行い、処理を
行っていた。
〔発明か解決しようとする課題〕
上述した従来のプラズマ処理装置は、電極形状を故意に
変化させる機構が設けられていないので、電極板の間隔
が電極面内一定である。このため、実際に生じる被処理
物面内のプラズマ密度のかたよりが発生し易すく、均一
なエツチング、成膜を形成することが出来ないという欠
点かある。
本発明の目的は、かかる問題を解消するプラズマ処理装
置を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明のプラズマ処理装置は、処理室内てプロセスを導
入するとともに平行平板型電極板に高周波電力を印加し
てプラズマを発生する処理装置において、前記電極板の
形状を任意に変形させる機構を有している。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図、第2図及び第3図は本発明の一実施例を示すプ
ラズマ処理装置の模式断面図である。このプラズマ処理
装置は、第1図〜第3図に示ずように、可撓板である」
二部電極板2aを支持する支持棒1aと、この上部電極
板2aを押したり、弓くことにより、上部電極板2aを
凸状に湾曲させたり、あるいは凹状に湾曲させたりする
ハンドル1を設けたことである。それ以外は、従来例と
同しである。例えは、ハンドル1のねじ部8を回転させ
、第3図に示ずように上部電極板2aを下部電極板5に
対して凸状に湾曲させることによって、この下部電極板
らと」二部電極2の中央の電極間隔を広けな状態にする
ことが出来る。また、逆に、第2図に示すように、下部
電極板5に対して、凹状に湾曲することも出来る。
このような構造にすることによって、例えば、第1図の
電極板の状態で、被処理物30面内における均一性を確
認した後、第2図もしくは第3図のように、再度、電極
間隔を調整して、被処理物3上て発生するプラズマの密
度を変化させて、処理すれは、被処理物3の面内におけ
る均一なエツチングあるいは成膜を得ることが出来る。
第4図及び5図は本発明の他の実施例を示すプラズマ処
理装置の模式断面図である。この実施例のプラズマ処理
装置は、上部電極板2aを変形させるためのハンドル1
を2本にしたことである。
例えば、ハンドル1を通常状態にしたときは、第4図に
示したようになり、ハンドル1を調整したとき、第5図
に示すように、上部電極板2aは、その中央部か湾曲し
、電極間隔を広けな状態になる。このように、支持棒あ
るいはハンドル数を増やすことにより、被処理物の表面
形状に応して上部電極板を精密の変形出来るのて、より
均一な成膜あるいはエツチングが得られるという利点が
ある。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明のプラズマ処理装置によれば
、電極形状を任意に変化させることにより、被処理物」
−でのプラズマの密度を変形させ、被処理物面内におけ
る均一性を制御することが出来る効果かある。
極板、6・・高周波電源、7・・・ねし部。
【図面の簡単な説明】
第1図、第2図及び第3図は、本発明の一実施例を示す
1〜ライエツチング装置の模式断面図、第4図及び第5
図は本発明の他の実施例を示すドライエツヂング装置の
模式断面図、第6図は、従来の一例を示すドライエッチ
インク装置の模式断面図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 処理室内でプロセスを導入するとともに平行平板型電極
    板に高周波電力を印加してプラズマを発生する処理装置
    において、前記電極板の形状を任意に変形させる機構を
    有することを特徴とする処理装置。
JP15163889A 1989-06-13 1989-06-13 プラズマ処理装置 Pending JPH0314228A (ja)

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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100252210B1 (ko) * 1996-12-24 2000-04-15 윤종용 반도체장치 제조용 건식식각장치
JP2002270517A (ja) * 2001-03-08 2002-09-20 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 結晶質シリコン系薄膜をプラズマcvdで形成する方法
JP2003506889A (ja) * 1999-08-10 2003-02-18 ユナキス・トレーディング・アクチェンゲゼルシャフト 面積の大きな基板の処理のためのプラズマ反応装置
JP2006128446A (ja) * 2004-10-29 2006-05-18 Ulvac Japan Ltd プラズマcvd方法及び装置
JP2006270097A (ja) * 2005-03-22 2006-10-05 Asm Japan Kk 膜質の安定な低誘電率膜の形成方法
KR100687530B1 (ko) * 1999-03-18 2007-02-27 에이에스엠 저펜 가부시기가이샤 플라즈마 cvd 막 형성장치
US7186315B2 (en) 2002-04-03 2007-03-06 Tokyo Electron Limited Plasma treatment apparatus
US7446048B2 (en) 2004-01-30 2008-11-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Dry etching apparatus and dry etching method
JP4728345B2 (ja) * 2005-11-25 2011-07-20 シャープ株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP2012174682A (ja) * 2011-02-18 2012-09-10 Samsung Electronics Co Ltd プラズマ処理装置

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100252210B1 (ko) * 1996-12-24 2000-04-15 윤종용 반도체장치 제조용 건식식각장치
KR100687530B1 (ko) * 1999-03-18 2007-02-27 에이에스엠 저펜 가부시기가이샤 플라즈마 cvd 막 형성장치
JP2003506889A (ja) * 1999-08-10 2003-02-18 ユナキス・トレーディング・アクチェンゲゼルシャフト 面積の大きな基板の処理のためのプラズマ反応装置
JP4833469B2 (ja) * 1999-08-10 2011-12-07 エリコン・ソーラー・アクチェンゲゼルシャフト,トリュープバッハ 面積の大きな基板の処理のためのプラズマ反応装置
JP2002270517A (ja) * 2001-03-08 2002-09-20 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 結晶質シリコン系薄膜をプラズマcvdで形成する方法
US7186315B2 (en) 2002-04-03 2007-03-06 Tokyo Electron Limited Plasma treatment apparatus
US7446048B2 (en) 2004-01-30 2008-11-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Dry etching apparatus and dry etching method
JP2006128446A (ja) * 2004-10-29 2006-05-18 Ulvac Japan Ltd プラズマcvd方法及び装置
JP2006270097A (ja) * 2005-03-22 2006-10-05 Asm Japan Kk 膜質の安定な低誘電率膜の形成方法
JP4545107B2 (ja) * 2005-03-22 2010-09-15 日本エー・エス・エム株式会社 膜質の安定な低誘電率膜の形成方法
JP4728345B2 (ja) * 2005-11-25 2011-07-20 シャープ株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP2012174682A (ja) * 2011-02-18 2012-09-10 Samsung Electronics Co Ltd プラズマ処理装置

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