JP6709726B2 - 基板保持装置、基板保持部材および基板保持方法 - Google Patents

基板保持装置、基板保持部材および基板保持方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6709726B2
JP6709726B2 JP2016240587A JP2016240587A JP6709726B2 JP 6709726 B2 JP6709726 B2 JP 6709726B2 JP 2016240587 A JP2016240587 A JP 2016240587A JP 2016240587 A JP2016240587 A JP 2016240587A JP 6709726 B2 JP6709726 B2 JP 6709726B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
holding member
substrate
annular
base
convex portions
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2016240587A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2017118105A (ja
Inventor
智浩 石野
智浩 石野
菊地 真哉
真哉 菊地
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NGK Spark Plug Co Ltd
Original Assignee
NGK Spark Plug Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NGK Spark Plug Co Ltd filed Critical NGK Spark Plug Co Ltd
Priority to KR1020177035905A priority Critical patent/KR102071123B1/ko
Priority to US15/739,581 priority patent/US10836018B2/en
Priority to PCT/JP2016/087331 priority patent/WO2017104732A1/ja
Priority to TW105141682A priority patent/TWI636337B/zh
Publication of JP2017118105A publication Critical patent/JP2017118105A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6709726B2 publication Critical patent/JP6709726B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25BTOOLS OR BENCH DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR, FOR FASTENING, CONNECTING, DISENGAGING OR HOLDING
    • B25B11/00Work holders not covered by any preceding group in the subclass, e.g. magnetic work holders, vacuum work holders
    • B25B11/005Vacuum work holders
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25JMANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
    • B25J15/00Gripping heads and other end effectors
    • B25J15/06Gripping heads and other end effectors with vacuum or magnetic holding means
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/6875Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support

Description

本発明は、半導体ウエハなどの基板を基体に吸着保持する基板保持装置に関する。
基体の上面に、基板の外縁部を支持する環状の第1支持部と、第1支持部により囲まれた領域内に配置された複数の突起状の第2支持部と、当該領域内に配置された基板を吸着しない領域を形成する筒状部と、が形成され、基板と基体とによって形成される第1支持部の内側の空間の空気吸引が、筒状部に近い吸引口から開始されるように構成されている基板保持装置が提案されている(たとえば、特許文献1参照)。これにより、基板の皺が非吸着部分へ集中する現象の発生が回避されるので、基板の全体的な平坦度の向上が図られている。
特許第4348734号公報
しかし、精細な回路パターンを製造するために半導体露光装置の光源の線幅の微細化が進んでおり、ナノメーターサイズの線幅が主流となりつつあるため、基板の平坦度に対する要求基準が高くなっている。
さらに、昨今半導体露光プロセスに付随するコータ・デベロッパプロセスにおいても、基板の平坦度に対する要求基準が高くなっている。
そこで、本発明は、常温でのプロセス以外に常温以外のプロセスにおいても保持状態における基板の形状精度の向上を図りうる基板保持装置および基板保持方法を提供することを目的とする。
本発明の基板保持装置は、上面まで連通する通気経路が形成され、上面に、上方に突出する複数の凸部と、上方に突出して前記通気経路の開口および前記複数の凸部を囲う環状凸部と、が形成されている板状の第1基体を備えている第1保持部材と、厚さ方向に延在する貫通孔が形成されている、前記第1基体よりも薄い板状の第2基体を備え、前記第2基体の上面に、上方に突出している複数の凸部と、上方に突出して前記貫通孔および前記複数の凸部を囲う環状凸部と、が形成されている第2保持部材と、を備え、前記第2保持部材がその上に基板が載置され、かつ、前記第1保持部材の上に載置されるように構成されていることを特徴とする。
また、加熱機構を内蔵した前記第1基体を備えている第1保持部材と前記第2保持部材とを備え、前記第2保持部材がその上に基板が載置され、かつ、前記第1保持部材の上に載置されるように構成されていることを特徴とする。
本発明の基板保持方法は、本発明の基板保持装置を構成する第1保持部材と第2保持部材とを用いて基板を吸着保持する方法であって、前記基板を前記第2保持部材の上に載置する工程と、前記第2保持部材を前記第1保持部材の上に載置する工程と、前記通気経路を減圧する工程と、を含んでいることを特徴とする。
本発明の基板保持装置およびこれを用いた基板保持方法によれば、第2保持部材の上に基板が載置される。基板が比較的大きく反っているまたは撓んでいる場合でも、この段階で基板の形状を少なくとも部分的に第2保持部材を構成する第2基体の上面の形状になじませることができる。すなわち、比較的反りまたは撓みが大きい基板であっても、これが第2基体の上面に形成された複数の凸部のうち少なくとも一部の上端面に当接するように、この基板の形状が矯正または補正される。
この状態で第1保持部材に内蔵される加熱機構が作動し、または予め加熱機構を作動させておくことで常温以外の温度であっても基板の形状を常温との使用と同等に矯正することができる。
この状態で、第1保持部材の上に第2保持部材が載置され、かつ、通気経路が真空吸引装置によって減圧される。これにより、第1保持部材および第2保持部材の間に形成されている第1空間が第1基体に形成された通気経路を通じて減圧され、第2保持部材が第1保持部材に吸着保持される。また、第2保持部材および基板の間に形成されている第2空間が第2基体に形成された貫通孔を通じて減圧され、基板が第2保持部材に吸着保持される。この段階において基板は第2保持部材の上面に形成された複数の凸部の全部の上端面に当接した状態になる。
このように、反りまたは撓みが比較的大きい基板であっても、その形状を第2基体の上面に形成された複数の凸部の全部の上端面または当接面により定まる形状に高精度で一致させながら、当該基板を第2保持部材に吸着保持させることができる。
さらに、前記第2基体が湾曲形状に形成され、前記第2保持部材が前記第1保持部材に吸着保持された状態で平坦形状に変形可能に構成されているので、基板が比較的大きく反っているまたは撓んでいる場合でも、これが第2保持部材の上に載置された段階で、基板の形状を第2保持部材の形状により容易になじませることができる。
本発明の基板保持装置において、前記第1基体の上面に、上方に突出する複数の凸部と、上方に突出して前記通気経路の開口および前記複数の凸部を囲う環状凸部と、が形成されていることが好ましい。これに代えて、本発明の基板保持装置において、前記第2基体の下面に、下方に突出する複数の凸部と、前記複数の凸部を囲う環状凸部と、が形成されていることが好ましい。
本発明の基板保持装置において、前記第2基体の上面において内側の前記環状凸部を外側の前記環状凸部が囲うように複数の前記環状凸部が形成され、前記複数の環状凸部のうちもっとも外側の環状凸部を除く他の環状凸部が前記複数の凸部よりも上方への突出量が少なくなるように形成されていることが好ましい。
本発明の基板保持装置において、前記第2基体の上面において内側の前記環状凸部を外側の前記環状凸部が囲うように複数の前記環状凸部が形成され、前記複数の環状凸部のそれぞれが前記複数の凸部と上方への突出量が等しくなるように形成され、前記第2保持部材および前記基板の間において前記複数の環状凸部により画定される複数の空間のそれぞれに対応して前記貫通孔が前記第2基体に形成されていることが好ましい。
本発明の第1実施形態としての基板保持装置の構成説明図。 本発明の第2実施形態としての基板保持装置の構成説明図。 本発明の基板保持装置による基板吸着保持状態に関する説明図。 本発明の一実施形態としての基板保持装置の上面図。 本発明の他の実施形態としての基板保持装置の構成説明図。
(第1実施形態)
(構成)
図1に示されている本発明の第1実施形態としての基板保持装置は、セラミックス焼結体からなる略円板状の第1基体10を備えている第1保持部材1と、セラミックス焼結体からなる略円板状の第2基体20を備えている第2保持部材2と、を備えている。第2基体20は第1保持部材1と同径または±5%以内に設計され、その厚さは第1保持部材1よりも薄く(たとえば0.5〜1.5[mm]程度に)設計されている。セラミックス焼結体としては、たとえばSiC焼結体またはAl23焼結体が採用される。
第1基体10には、その上面まで連通する通気経路102が形成されている。本実施形態では通気経路102は、第1基体10をその厚さ方向に貫通しており、たとえば第1基体10の中心を重心とする正多角形(たとえば正三角形)の各頂点に相当する位置に形成されている。第1基体10の中心に1個の開口が形成され、または、第1基体10の中心から離間した任意箇所に複数個の開口が形成されるなど、通気経路102の上側開口の個数および配置はさまざまに変更されてもよい。通気経路102は第1基体10の側面開口から内部で横に延在した後、上方に延在して第1基体10の上面に連通するように形成されてもよい。第1基体10の下面に溝部が形成され、第1基体10の下面が基台(図示略)の上面に当接するように第1基体10が基台に固定されることにより、基台および溝部により囲まれた通路により通気経路102の一部が構成されていてもよい。
第1基体10の上面に、上方に突出する複数の凸部111と、第1基体10と中心を同じくする略円環状に上方に突出して通気経路102の上側開口および複数の凸部111を囲う単一の環状凸部112と、が形成されている。各凸部111は、円柱状、角柱状、円錐台状もしくは角錐台状、または下部より上部が小さい多段円柱状、多段角柱状、多段円錐台状もしくは多段角錐台状など、上端面が平坦であるような任意の形状に形成される。複数の凸部111は、格子状(正方格子状または六角格子状)などの形態で規則的(または周期的)に配列されている。環状凸部112の高さまたは第1基体10の上面からの突出量は各凸部111と同一であってもよく、少なくてもよい。
第1基体10の下面に、下方に突出する複数の凸部121と、第1基体と中心を同じくする略円環状に下方に突出して通気経路102の下側開口および当該複数の凸部を囲う単一の環状凸部122と、が形成されている。各凸部121は、円柱状など、下端面が平坦であるような任意の形状に形成される。複数の凸部121は、格子状などの形態で規則的に配列されている。環状凸部122の高さまたは第1基体10の下面からの突出量は各凸部121と同一であってもよく、少なくてもよい。第1基体10の上面側の各凸部111の位置と、第1基体10の下面側の各凸部121の位置とは、第1基体10の上面および下面の中間にある面を基準として対称であってもよく、非対称であってもよい。第1基体10の下面側において複数の凸部121のうち少なくとも一部が省略されてもよく、複数の凸部121の全部および環状凸部122が省略されてもよい。
第2基体20には、その中心箇所を厚さ方向に延在する貫通孔202が形成されている。第2基体20の上面に、上方に突出している複数の凸部211と、第1基体10と中心を同じくする略円環状に上方に突出して貫通孔202の上側開口および複数の凸部211を囲う単一の環状凸部212と、が形成されている。各凸部211は、上端面が平坦であるような任意の形状に形成される。複数の凸部211は、格子状などの形態で規則的に配列されている。環状凸部212の高さまたは第2基体20の上面からの突出量は各凸部211と同一であってもよく、少なくてもよい。
(機能)
本発明の第1実施形態としての基板保持装置によれば、第2保持部材2の上に基板Wが載置される。基板Wが比較的大きく反っているまたは撓んでいる場合でも、この段階で基板Wの形状を少なくとも部分的に第2保持部材2を構成する第2基体20の上面の形状になじませることができる。すなわち、比較的反りまたは撓みが大きい基板Wであっても、これが第2基体20の上面に形成された複数の凸部211のうち少なくとも一部の上端面に当接するように、この基板Wの形状が矯正または補正される。
この状態で、第1保持部材1の上に第2保持部材2が載置され、かつ、通気経路102が真空吸引装置(図示略)によって減圧される。これにより、第1保持部材1および第2保持部材2の間に形成されている第1空間が第1基体10に形成された通気経路102を通じて減圧され、第2保持部材2が第1保持部材1に吸着保持される(図3参照)。また、第2保持部材2および基板Wの間に形成されている第2空間が第2基体20に形成された貫通孔202を通じて減圧され、基板Wが第2保持部材2に吸着保持される(図3参照)。この段階において基板Wは第2基体20の上面に形成された複数の凸部211の全部の上端面に当接した状態になる。このように、反りまたは撓みが比較的大きい基板Wであっても、その形状を第2基体20の上面に形成された複数の凸部211の全部の上端面または当接面により定まる形状に高精度で一致させながら、当該基板Wを第2保持部材2に吸着保持させることができる。
(第2実施形態)
(構成)
図2に示されている本発明の第2実施形態としての基板保持装置においては、第2基体20が、ウエハWの反りまたはゆがみをある程度(たとえば約1/2)緩和することができる程度に、球表面の一部、楕円体表面の一部または円柱側面の一部などに相当する湾曲形状に形成されている。その他の構成は、第1実施形態の基板保持装置(図1参照)と同様であるため、同一符号を用いるとともに説明を省略する。
第2基体20は、その中心における上面法線方向について、当該中心および外縁の位置偏差がたとえば0.1〜1.0[mm]だけ存在するような湾曲形状を有する。第2基体20は、第2保持部材2が第1保持部材1に吸着保持された状態で平坦形状(第1実施形態における第2基体20の通常の形状にほぼ一致する形状)に変形可能に構成されている(図3参照)。
第2基体20が平坦状に変形した際、複数の凸部211の上端面が同一の平面内に位置するように外縁部に近い凸部211の上端面が内側に向くように傾斜して形成されていてもよい。第2基体20の変形を容易にするため、第2基体20が部分的に肉薄に形成されていてもよい。第2基体20が平坦形状に変形した際、複数の凸部211の高さが均等になるように、当該薄肉部分に存在する凸部211が他の部分に存在する凸部211よりも突出量が大きくなるように複数の凸部211が形成されてもよい。
(機能)
本発明の第2実施形態としての基板保持装置によれば、基板Wが比較的大きく反っているまたは撓んでいる場合でも、これが第2保持部材2の上に載置された段階で、基板Wの形状を第2保持部材2の形状により容易になじませることができる。
(本発明の他の実施形態)
第1〜第2実施形態では、第2基体20の上面には単一の環状凸部212が形成されたが(図1〜図2参照)、他の実施形態として、図4に示されているように第2基体20の上面において内側の環状凸部212を外側の環状凸部が囲うように複数(図4の例では11個)の環状凸部212が形成され、複数の環状凸部212のうち少なくとも1つの環状凸部212が複数の凸部211よりも上方への突出量が少なくなるように形成されていてもよい。たとえば、複数の環状凸部212のうちもっとも外側にある環状凸部212が複数の凸部211と比較して上方への突出量が等しくなるように形成される一方、それよりも内側にある環状凸部212が複数の凸部211と比較して上方への突出量が小さくなるように形成されていてもよい。また、外側から数えて少なくとも1番目および2番目の環状凸部212が複数の凸部211と比較して上方への突出量が少なくなるように形成され、かつ、外側から数えて1番目の環状凸部212が、周方向の少なくとも一部において、外側から数えて2番目の環状凸部212よりも上方突出量が少なくなるように形成されていてもよい。
(第3実施形態)
(構成)
図5に示されている本発明の第1実施形態としての基板保持装置は、モリブデンメッシュからなる発熱抵抗体131を同時焼成により内蔵したAlN焼結体からなる略円板状の第1基体10を備えている第1保持部材1と、セラミックス焼結体からなる略円板状の第2基体20を備えている第2保持部材2と、を備えている。第2基体20は第1保持部材1と同径または±5%以内に設計され、その厚さは第1保持部材1よりも薄く(たとえば0.5〜1.5[mm]程度に)設計されている。
常温以外で使用する場合、第1保持部材1の第1基体10を構成するセラミックス焼結体はAl23焼結体、AlN焼結体、SiC焼結体が好適である。これらは加工精度が高められるほか、熱伝導率も高く第2保持部材2を介して基板Wを均一に加熱することができるからである。発熱抵抗体131を第1保持部材1に内蔵させるには、ホットプレスにより同時焼成する方法や発熱抵抗体が印刷されたグリーンシートに別のグリーンシートを積層して同時焼成する方法やセラミックス焼結体の製作後に発熱抵抗体131を接合する方法などを用いることが可能である。
常温以外で使用する場合は、第1保持部はAl23焼結体、AlN焼結体、SiC焼結体が好適である。これらは加工精度が高められるほか、熱伝導率も高く第2保持部材を介して基板を均一に加熱することができるからである。発熱抵抗体を第1保持部材に内蔵させるにはホットプレスによる同時焼成やグリーンシートに発熱抵抗体を印刷し更にグリーンシートを積層して焼成する方法や焼成体製作後接合により発熱抵抗体を内蔵させることが可能である。
第1基体10には、その上面まで連通する通気経路102が形成されている。本実施形態では通気経路102は、第1基体10をその厚さ方向に貫通しており、たとえば第1基体10の中心を重心とする正多角形(たとえば正三角形)の各頂点に相当する位置に形成されている。第1基体10の中心に1個の開口が形成され、または、第1基体10の中心から離間した任意箇所に複数個の開口が形成されるなど、通気経路102の上側開口の個数および配置はさまざまに変更されてもよい。通気経路102は第1基体10の側面開口から内部で横に延在した後、上方に延在して第1基体10の上面に連通するように形成されてもよい。第1基体10の下面に溝部が形成され、第1基体10の下面が基台(図示略)の上面に当接するように第1基体10が基台に固定されることにより、基台および溝部により囲まれた通路により通気経路102の一部が構成されていてもよい。
第1基体10の上面に、上方に突出する複数の凸部111と、第1基体10と中心を同じくする略円環状に上方に突出して通気経路102の上側開口および複数の凸部111を囲う単一の環状凸部112と、が形成されている。各凸部111は、円柱状、角柱状、円錐台状もしくは角錐台状、または下部より上部が小さい多段円柱状、多段角柱状、多段円錐台状もしくは多段角錐台状など、上端面が平坦であるような任意の形状に形成される。
複数の凸部111は、格子状(正方格子状または六角格子状)などの形態で規則的(または周期的)に配列されている。環状凸部112の高さまたは第1基体10の上面からの突出量は各凸部111と同一であってもよく、少なくてもよい。
第1基体10の下面に、下方に突出する複数の凸部121と、第1基体と中心を同じくする略円環状に下方に突出して通気経路102の下側開口および当該複数の凸部を囲う単一の環状凸部122と、が形成されている。各凸部121は、円柱状など、下端面が平坦であるような任意の形状に形成される。複数の凸部121は、格子状などの形態で規則的に配列されている。環状凸部122の高さまたは第1基体10の下面からの突出量は各凸部121と同一であってもよく、少なくてもよい。第1基体10の上面側の各凸部111の位置と、第1基体10の下面側の各凸部121の位置とは、第1基体10の上面および下面の中間にある面を基準として対称であってもよく、非対称であってもよい。第1基体10の下面側において複数の凸部121のうち少なくとも一部が省略されてもよく、複数の凸部121の全部および環状凸部122が省略されてもよい。
第2基体20には、その中心箇所を厚さ方向に延在する貫通孔202が形成されている。第2基体20の上面に、上方に突出している複数の凸部211と、第1基体10と中心を同じくする略円環状に上方に突出して貫通孔202の上側開口および複数の凸部211を囲う単一の環状凸部212と、が形成されている。各凸部211は、上端面が平坦であるような任意の形状に形成される。複数の凸部211は、格子状などの形態で規則的に配列されている。環状凸部212の高さまたは第2基体20の上面からの突出量は各凸部211と同一であってもよく、少なくてもよい。
(機能)
本発明の第3実施形態としての基板保持装置によれば、常温以外の温度での使用において、第2保持部材2の上に基板Wが載置される。基板Wが比較的大きく反っているまたは撓んでいる場合でも、この段階で基板Wの形状を少なくとも部分的に第2保持部材2を構成する第2基体20の上面の形状になじませることができる。すなわち、比較的反りまたは撓みが大きい基板Wであっても、これが第2基体20の上面に形成された複数の凸部211のうち少なくとも一部の上端面に当接するように、この基板Wの形状が矯正または補正される。
この状態で、第1保持部材1の上に第2保持部材2が載置され、かつ、通気経路102が真空吸引装置(図示略)によって減圧される。これにより、第1保持部材1および第2保持部材2の間に形成されている第1空間が第1基体10に形成された通気経路102を通じて減圧され、第2保持部材2が第1保持部材1に吸着保持される(図3参照)。また、第2保持部材2および基板Wの間に形成されている第2空間が第2基体20に形成された貫通孔202を通じて減圧され、基板Wが第2保持部材2に吸着保持される(図3参照)。この段階において基板Wは第2基体20の上面に形成された複数の凸部211の全部の上端面に当接した状態になる。このように、反りまたは撓みが比較的大きい基板Wであっても、その形状を第2基体20の上面に形成された複数の凸部211の全部の上端面または当接面により定まる形状に高精度で一致させながら、当該基板Wを第2保持部材2に吸着保持させることができる。
当該他の実施形態において、複数の環状凸部212のそれぞれが複数の凸部211と上方への突出量が等しくなるように形成され、第2保持部材2および基板Wの間において複数の環状凸部212により画定される複数の空間のそれぞれに対応して、第2基体20の軸線方向に延在する貫通孔202が第2基体20に形成されていてもよい。当該複数の空間は、最も内側の環状凸部212により画定される略円形状の空間と、当該略円形状を一重または多重に取り囲む略円環状の空間と、により構成されている。
1‥第1保持部材、2‥第2保持部材、10‥第1基体、20‥第2基体、102‥通気経路、111‥凸部、112‥環状凸部、121‥凸部、122‥環状凸部、131‥発熱抵抗体、202‥貫通孔、211‥凸部、212‥環状凸部、W‥基板。

Claims (10)

  1. 上面まで連通する通気経路が形成され、上面に、上方に突出する複数の凸部と、上方に突出して前記通気経路の開口および前記複数の凸部を囲う環状凸部と、が形成されている板状の第1基体を備えている第1保持部材と、
    厚さ方向に延在する貫通孔が形成されている、前記第1基体よりも薄い板状の第2基体を備え、前記第2基体の上面に、上方に突出している複数の凸部と、上方に突出して前記貫通孔および前記複数の凸部を囲う環状凸部と、が形成されている第2保持部材と、を備え、
    前記第2保持部材がその上に基板が載置され、かつ、前記第1保持部材の上に載置されるように構成されていることを特徴とする基板保持装置。
  2. 請求項1記載の基板保持装置において、
    前記第2基体が湾曲形状に形成され、前記第2保持部材が前記第1保持部材に吸着保持された状態で平坦形状に変形可能に構成されていることを特徴とする基板保持装置。
  3. 請求項1または2に記載の基板保持装置において、
    前記第2基体の上面においてもっとも内側の前記環状凸部を外側の前記環状凸部が一重または多重に囲うように複数の前記環状凸部が形成され、前記複数の環状凸部のうち少なくとも1つの環状凸部が前記複数の凸部よりも上方への突出量が少なくなるように形成されていることを特徴とする基板保持装置。
  4. 請求項1または2に記載の基板保持装置において、
    前記第2基体の上面においてもっとも内側の前記環状凸部を外側の前記環状凸部が一重または多重に囲うように複数の前記環状凸部が形成され、前記複数の環状凸部のそれぞれが前記複数の凸部と上方への突出量が等しくなるように形成され、
    前記第2保持部材および前記基板の間において前記複数の環状凸部により画定される複数の空間のそれぞれに対応して前記貫通孔が前記第2基体に形成されていることを特徴とする基板保持装置。
  5. 請求項1〜のうちいずれか1つに記載の基板保持装置において、
    前記第1基体に内蔵されている加熱機構を備えていることを特徴とする基板保持装置。
  6. 上面まで通過する通気経路が形成され、かつ、上面に、上方に突出する複数の凸部と、上方に突出して前記通気経路の開口および前記複数の凸部を囲う環状凸部と、が形成されている板状の第1基体を備えている第1保持部材の上に載置される第2保持部材としての基板保持部材であって、
    厚さ方向に延在する貫通孔が形成されている基体を備え、
    基板が載置される前記基体の上面に、上方に突出している複数の凸部と、上方に突出して前記貫通孔および前記複数の凸部を囲う環状凸部と、が形成されている基板保持部材。
  7. 厚さ方向に延在する貫通孔が形成されている基体を備え、前記基体の上面に、上方に突出している複数の凸部と、上方に突出して前記貫通孔および前記複数の凸部を囲う環状凸部と、が形成されている基板保持部材であって、
    前記基体が湾曲形状に形成され、かつ、平坦形状に変形可能に構成されていることを特徴とする基板保持部材。
  8. 請求項6または7に記載の基板保持部材において、
    前記基体の上面においてもっとも内側の前記環状凸部を外側の前記環状凸部が一重または多重に囲うように複数の前記環状凸部が形成され、前記複数の環状凸部のうち少なくとも1つの環状凸部が前記複数の凸部よりも上方への突出量が少なくなるように形成されていることを特徴とする基板保持部材。
  9. 請求項6に記載の基板保持部材において、
    前記基体の上面においてもっとも内側の前記環状凸部を外側の前記環状凸部が一重または多重に囲うように複数の前記環状凸部が形成され、前記複数の環状凸部のそれぞれが前記複数の凸部と上方への突出量が等しくなるように形成され、
    前記第2保持部材および前記基板の間において前記複数の環状凸部により画定される複数の空間のそれぞれに対応して前記貫通孔が前記基体に形成されていることを特徴とする基板保持部材。
  10. 上面まで連通する通気経路が形成され、かつ、上面に、上方に突出する複数の凸部と、上方に突出して前記通気経路の開口および前記複数の凸部を囲う環状凸部と、が形成されている板状の第1基体を備えている第1保持部材と、
    厚さ方向に延在する貫通孔が形成されている、前記第1基体よりも薄い板状の第2基体を備え、前記第2基体の上面に、上方に突出している複数の凸部と、上方に突出して前記貫通孔および前記複数の凸部を囲う環状凸部と、が形成されている第2保持部材と、を用いて基板を吸着保持する方法であって、
    前記基板を前記第2保持部材の上に載置する工程と、
    前記第2保持部材を前記第1保持部材の上に載置する工程と、
    前記通気経路を減圧する工程と、を含んでいることを特徴とする基板保持方法。
JP2016240587A 2015-12-18 2016-12-12 基板保持装置、基板保持部材および基板保持方法 Active JP6709726B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020177035905A KR102071123B1 (ko) 2015-12-18 2016-12-15 기판유지장치, 기판유지부재 및 기판유지방법
US15/739,581 US10836018B2 (en) 2015-12-18 2016-12-15 Substrate holding device, substrate holding member, and substrate holding method
PCT/JP2016/087331 WO2017104732A1 (ja) 2015-12-18 2016-12-15 基板保持装置、基板保持部材および基板保持方法
TW105141682A TWI636337B (zh) 2015-12-18 2016-12-16 基板保持裝置、基板保持構件及基板保持方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015248032 2015-12-18
JP2015248032 2015-12-18

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017118105A JP2017118105A (ja) 2017-06-29
JP6709726B2 true JP6709726B2 (ja) 2020-06-17

Family

ID=59234698

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016240587A Active JP6709726B2 (ja) 2015-12-18 2016-12-12 基板保持装置、基板保持部材および基板保持方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10836018B2 (ja)
JP (1) JP6709726B2 (ja)
KR (1) KR102071123B1 (ja)
TW (1) TWI636337B (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9889995B1 (en) * 2017-03-15 2018-02-13 Core Flow Ltd. Noncontact support platform with blockage detection
US10513011B2 (en) * 2017-11-08 2019-12-24 Core Flow Ltd. Layered noncontact support platform
US11551970B2 (en) * 2020-10-22 2023-01-10 Innolux Corporation Method for manufacturing an electronic device

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11239991A (ja) * 1997-12-22 1999-09-07 Shipley Far East Kk 物体の保持装置及びそれを用いる物体の保持方法
JP2002217276A (ja) * 2001-01-17 2002-08-02 Ushio Inc ステージ装置
JP4333065B2 (ja) * 2001-11-14 2009-09-16 レーザーテック株式会社 基板保持装置
JP4201564B2 (ja) * 2001-12-03 2008-12-24 日東電工株式会社 半導体ウエハ搬送方法およびこれを用いた半導体ウエハ搬送装置
TW200303593A (en) * 2002-02-19 2003-09-01 Olympus Optical Co Substrate sucking apparatus
DE20206490U1 (de) * 2002-04-24 2002-07-18 Schmalz J Gmbh Blocksauger
JP2003332411A (ja) * 2002-05-17 2003-11-21 Nikon Corp 基板保持装置及び露光装置
JP4348734B2 (ja) 2003-01-15 2009-10-21 株式会社ニコン 基板保持装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法
TWI440981B (zh) 2003-12-03 2014-06-11 尼康股份有限公司 Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
JP4513534B2 (ja) * 2003-12-03 2010-07-28 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法
KR100545670B1 (ko) 2004-10-19 2006-01-24 코리아세미텍 주식회사 반도체 제조설비의 진공 척
JP4666496B2 (ja) * 2005-12-07 2011-04-06 大日本スクリーン製造株式会社 基板熱処理装置
JP2007273693A (ja) * 2006-03-31 2007-10-18 Nikon Corp 基板保持部材及び基板保持方法、基板保持装置、並びに露光装置及び露光方法
JP4298740B2 (ja) * 2006-11-06 2009-07-22 キヤノン株式会社 基板吸着装置
JP6108803B2 (ja) * 2012-12-07 2017-04-05 日本特殊陶業株式会社 基板保持部材
US20140265165A1 (en) * 2013-03-14 2014-09-18 International Business Machines Corporation Wafer-to-wafer fusion bonding chuck
JP6130703B2 (ja) * 2013-04-01 2017-05-17 キヤノン株式会社 ホルダ、ステージ装置、リソグラフィ装置及び物品の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20180311796A1 (en) 2018-11-01
TW201727384A (zh) 2017-08-01
TWI636337B (zh) 2018-09-21
KR20180002859A (ko) 2018-01-08
KR102071123B1 (ko) 2020-01-29
JP2017118105A (ja) 2017-06-29
US10836018B2 (en) 2020-11-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6709726B2 (ja) 基板保持装置、基板保持部材および基板保持方法
JP6546550B2 (ja) 真空吸着部材および真空吸着方法
JP3639686B2 (ja) 基板の保持装置とこれを用いた露光装置、及びデバイスの製造方法
JP6535206B2 (ja) 露光方法及び露光装置
JP5036614B2 (ja) 基板用ステージ
JP6510461B2 (ja) 基板保持装置
JPWO2017086333A1 (ja) 真空チャック
JP2008041927A (ja) 静電チャックの製造方法
WO2017104732A1 (ja) 基板保持装置、基板保持部材および基板保持方法
JP6789006B2 (ja) 真空吸着装置
JP2010157526A (ja) アラインメント機能付き基板載置装置と、その基板載置装置を有する成膜装置
JP6325933B2 (ja) 真空チャック
JP6581495B2 (ja) 基板保持装置
JP6867226B2 (ja) 真空吸着部材
JP2019140229A (ja) 真空吸着部材および真空吸着方法
JP6680649B2 (ja) 真空吸着部材
JP2023045060A (ja) 基板保持部材
JP4447497B2 (ja) 基板保持具
JP6711721B2 (ja) 真空吸着部材
JP7260984B2 (ja) 基板保持部材
JP7178831B2 (ja) 基板保持部材
JP7027135B2 (ja) 試料保持具
JP7011459B2 (ja) 真空吸着部材
JP2019062044A (ja) 基板保持部材および基板保持方法
JP7190326B2 (ja) 基板保持部材

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190628

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200204

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200302

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200508

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200525

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6709726

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250